CN114777958A - 芯片散热状况检测方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本公开关于一种芯片散热状况检测方法、装置、设备及存储介质，该芯片散热状况检测方法包括：获取温度数据，该温度数据包括同一时刻检测的多个处理器芯片的温度值；根据温度数据，生成温度分布曲线；根据温度分布曲线，获得温度是否异常的检测结果。本公开根据在同一时刻所检测各个处理器芯片的温度值生成温度分布曲线，根据温度分布曲线所反映的温度值的分布情况确定出温度是否异常，本公开技术方案能够根据温度分布曲线判断出多个处理器芯片整体上在同一时间节点处的温度异常情况，进而能够实现在出现温度异常情况的最短时间内做出判断，提升了温度异常判断预警的及时性，实现了对芯片温度的异常变化的快速响应，确保了设备的稳定运行和安全。

Description

芯片散热状况检测方法、装置、电子设备及存储介质

技术领域

本公开涉及安全检测技术领域，尤其涉及一种芯片散热状况检测方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

温度检测和控制，对于设备的稳定运行，尤其是应用大规模芯片的电子设备，特别重要，一旦发生散热系统失效导致芯片温度异常升高且无法及时监控到异常的情况，将导致芯片烧毁进而造成数据资料的丢失，甚至可能引起火灾。特别是对于同时使用大量芯片的设备，在设备内部，大量芯片同时运行，散热系统的异常将导致芯片温度瞬间急剧变化。因此，能够在最短时间内对芯片温度的异常变化进行快速响应，以确保设备的稳定运行和安全，便成为亟待解决的问题。

发明内容

本公开提供一种芯片散热状况检测方法、装置、电子设备及存储介质，通过监测多个处理器芯片工作环境下的温度数据确定是否存在温度异常的检测结果，实现对处理器芯片温度异常变化的快速响应，确保设备的稳定运行和安全。

根据本公开实施例的一方面，提供一种芯片散热状况检测方法，包括：

获取温度数据，所述温度数据包括同一时刻检测的多个处理器芯片的温度值；

根据所述温度数据，生成温度分布曲线；

根据所述温度分布曲线，获得温度是否异常的检测结果。

在一种可能实施方式中，所述多个处理器芯片布置在同一个电路板上。

在一种可能实施方式中，所述根据所述温度数据，生成温度分布曲线，包括：

根据所述多个处理器芯片的分布，将所述多个处理器芯片的温度值按照预设次序连接构成所述温度分布曲线。

在一种可能实施方式中，所述根据所述温度数据，生成温度分布曲线，包括：

根据所述多个处理器芯片的分布，利用按照预设次序排列的所述多个处理器芯片的温度值拟合出所述温度分布曲线。

在一种可能实施方式中，所述温度分布曲线包括根据所述多个处理器芯片的分布所划分的至少两个监测区域，每个所述监测区域中包括至少一个处理器芯片的温度值；

所述根据所述温度分布曲线，获得温度是否异常的检测结果，包括：

在对应于第一指定处理器芯片的温度值所在的第一监测区域中，确定出第一温度值；

在对应于第二指定处理器芯片的温度值所在的第二监测区域中，确定出第二温度值；

获得所述第二温度值和所述第一温度值的温度差值；

根据所述温度差值，获得所述检测结果。

在一种可能实施方式中，将所述第一监测区域中的所有处理器芯片的温度值中的最低温度值，确定为所述第一温度值；

将所述第二监测区域中的所有处理器芯片的温度值中的最高温度值，确定为所述第二温度值。

在一种可能实施方式中，将所述第一监测区域中的所述温度分布曲线的最低温度值，确定为所述第一温度值；

将所述第二监测区域中的所述温度分布曲线的最高温度值，确定为所述第二温度值。

在一种可能实施方式中，所述第一指定处理器芯片的数量为至少一个；

所述第二指定处理器芯片的数量为至少一个；

在所述第一指定处理器芯片的数量多于一个的情况下，每个所述第一指定处理器芯片的温度值分别位于不同的所述第一监测区域中，并且所述第一监测区域的数量与所述第一指定处理器芯片的数量相等；

在所述第二指定处理器芯片的数量多于一个的情况下，每个所述第二指定处理器芯片的温度值分别位于不同的所述第二监测区域中，并且所述第二监测区域的数量与所述第二指定处理器芯片的数量相等。

在一种可能实施方式中，将所有所述第一监测区域的最低温度值的平均值，确定为所述第一温度值；和/或，将所有所述第二监测区域的最高温度值的平均值，确定为所述第二温度值。

在一种可能实施方式中，所述根据所述温度差值，获得所述检测结果，包括：

将所述温度差值与预设的温度阈值进行比较；

若所述温度差值小于所述温度阈值，则生成温度正常的检测结果；

若所述温度差值大于或等于所述温度阈值，则生成温度异常的检测结果。

在一种可能实施方式中，在生成所述温度分布曲线后，所述芯片散热状况检测方法还包括：

对所述温度分布曲线进行滤波降噪。

在一种可能实施方式中，所述获取温度数据是响应于周期性触发事件而被执行的。

在一种可能实施方式中，所述芯片散热状况检测方法还包括：

在所述检测结果为温度异常的情况下，发出温度异常报警信息。

在一种可能实施方式中，所述预设次序包括如下排列次序中的至少其中之一：

所述多个处理器芯片按照冷却管的延伸方向排列次序，其中，所述冷却管贴附于所述多个处理器芯片表面；

所述多个处理器芯片按照通讯线的延伸方向排列次序，其中，各个处理器芯片的温度传感器所采集的处理器芯片的温度值通过连接各个处理器芯片的通讯线发出；

所述多个处理器芯片构成的阵列中按行的延伸方向或者列的延伸方向排列次序。

根据本公开实施例的另一方面，提供一种芯片散热状况检测装置，包括：

数据获取模块，被配置为执行获取温度数据，所述温度数据包括同一时刻检测的多个处理器芯片的温度值；

曲线生成模块，被配置为执行根据所述温度数据，生成温度分布曲线；

结果获取模块，被配置为执行根据所述温度分布曲线，获得温度是否异常的检测结果。

根据本公开实施例的另一方面，提供一种电子设备，包括：

处理器；

用于存储所述处理器的可执行指令的存储器；

其中，所述处理器被配置为执行所述可执行指令，以实现如上述任一实施方式所述的芯片散热状况检测方法。

根据本公开实施例的另一方面，提供一种计算机可读存储介质，当所述计算机可读存储介质中的至少一条指令被电子设备的处理器执行时，使得所述电子设备能够实现上述任一实施方式所述的芯片散热状况检测方法。

根据本公开实施例的另一方面，提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述任一实施方式所述的芯片散热状况检测方法。

本公开的实施例提供的技术方案至少带来以下有益效果：

本公开实施例的芯片散热状况检测方法、装置、电子设备及存储介质，根据在同一时刻检测的各个处理器芯片的温度值，生成温度分布曲线，进而根据温度分布曲线所反映的温度值的分布情况，确定温度是否异常。本公开实施例能够根据温度分布曲线判断出多个处理器芯片整体上在同一时间节点的温度异常情况，进而能够实现在出现温度异常情况的最短时间内做出判断，提升了温度异常判断预警的及时性，实现了对芯片温度的异常变化的快速响应，确保了设备的稳定运行和安全。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理，并不构成对本公开的不当限定。

图1是根据一示意性实施例示出的一种芯片散热状况检测方法的流程图；

图2是一种冷却管布置结构的应用场景示意图；

图3是多芯片电路结构的一种温度分布曲线的实施例示意图；

图4是多芯片电路结构的另一种温度分布曲线的实施例示意图；

图5是根据一示意性实施例示出的多芯片电路结构散热异常情况下的温度分布曲线示意图；

图6是根据一示意性实施例示出的对温度分布曲线进行区域划分的示意图；

图7是根据一具体实施例示出的获得温度检测结果的流程图；

图8是根据一示意性实施例示出的指定处理器芯片及监测区域的温度分布曲线示意图；

图9是根据本公开实施例的一种芯片散热状况检测方法的应用场景流程图；

图10是根据一示意性实施例示出的一种芯片散热状况检测装置的逻辑结构框图；

图11是本公开实施例提供的一种电子设备的结构示意图。

具体实施方式

为了使本领域普通人员更好地理解本公开的技术方案，下面将结合附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

需要说明的是，本公开的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本公开的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在包含大量芯片的电子设备的应用场景中，设备的散热状况是需要重点关注的。例如，在包含算力板的应用场景中，一个电路板上布置数十颗甚至数百颗算力芯片，这些算力芯片在运行时会产生大量的热量，使得算力芯片的温度急剧上升。为确保算力芯片和算力板的稳定运行，需要采用高效的散热手段并进行有效的温度检测。

有鉴于此，本公开实施例提供了一种芯片散热状况检测方法、装置、电子设备及存储介质，根据在同一时刻所检测的各个处理器芯片的温度值，生成温度分布曲线，进而根据温度分布曲线所反映的温度值的分布情况，确定温度是否异常。本公开实施例能够根据温度分布曲线判断出多个处理器芯片整体上在同一时间节点处的温度异常情况，进而能够实现在出现温度异常情况的最短时间内做出判断，提升了温度异常判断预警的及时性，实现了对芯片温度的异常变化的快速响应，确保了设备的稳定运行和安全。

图1是根据一示意性实施例示出的一种芯片散热状况检测方法的流程图，参见图1所示，该芯片散热状况检测方法，主要包括以下步骤：

步骤101、获取温度数据，温度数据包括同一时刻检测的多个处理器芯片的温度值；

步骤102、根据温度数据，生成温度分布曲线；

步骤103、根据温度分布曲线，获得温度是否异常的检测结果。

作为散热效果较好的一种方案，液冷散热被引入到多芯片电路结构当中。该方案中，是将冷却管布置于各个芯片的表面，冷却管中的冷却液依次流经各个芯片并带走各个芯片所产生的热量。图2是一种冷却管布置结构的应用场景示意图，如图2所示，该应用场景中包括电路板201、处理器芯片202、冷却管203、温度传感器（图中未示出）和通讯线204。其中，处理器芯片202数量为多个，布置于电路板201上，例如图2中，多个处理器芯片202以矩阵方式布置于电路板201上，温度传感器安装于处理器芯片202上，或者温度传感器可以集成于处理器芯片202中，冷却管203布设于各个处理器芯片202上，图2所示实施例中，单根冷却管203逐行地经过每一个处理器芯片202以使得流经冷却管203的冷却液可以带走处理器芯片202所产生的热量。在图2所示实施例中，通讯线204包括第一通讯线2041和第二通讯线2042，第一通讯线2041和第二通讯线2042分别连接一部分处理器芯片202，各个处理器芯片202的温度传感器所采集的处理器芯片202的温度值通过连接各个处理器芯片202的第一通讯线2041或者第二通讯线2042发出。图2仅为示意性举例，在其它实施例中，通讯线的布置还可以根据需要进行其它设计，例如，可利用一根通讯线连接所有处理器芯片202，即所有温度传感器通过一根通讯线上传温度值，或者，可以针对每一行处理器芯片202设置对应的通讯线。

图3是多芯片电路结构的一种温度分布曲线的实施例示意图，图4是多芯片电路结构的另一种温度分布曲线的实施例示意图，其中，图3所示的是根据图2所示的沿第一通讯线2041箭头方向排列的处理器芯片202的温度分布曲线，图4所示的是根据图2所示的沿第二通讯线2042箭头方向排列的处理器芯片202的温度分布曲线。如图3并结合图2所示，位于下数第一行的处理器芯片202中（出液口一行的处理器芯片202中），冷却管203中的冷却液是沿着第一通讯线2041上的箭头方向流动的，随着冷却液依次流经各个处理器芯片202，冷却液的温度会逐渐升高，所以在图3所示的温度分布曲线中的前半段中，温度的变化是单调递增的；位于下数第二行的处理器芯片202中（进液口一行的处理器芯片202中），冷却管203中的冷却液也是沿着第一通讯线2041上的箭头方向流动的，随着冷却液依次流经各个处理器芯片202，冷却液的温度会逐渐升高，所以在图3所示的温度分布曲线中的后半段中，温度的变化是单调递增的，由于冷却液带走了处理器芯片202中的热量，所以冷却液在进液口的温度最低，下数第一行左端的处理器芯片202的温度低于出液口的温度但高于进液口处的处理器芯片202的温度，因此，在图3所示的温度分布曲线中，前半段和后半段之间在温度上出现了跳变，并且后半段的最低温度低于前半段的最低温度。

如图4并结合图2所示，位于上两行的处理器芯片202中，冷却管203中的冷却液始终都是沿着第二通讯线2042上的箭头方向流动的，并且，随着冷却液依次流经各个处理器芯片202，冷却液的温度会逐渐升高，所以在图4所示的温度分布曲线中温度是一直呈现单调递增变化的。

图5是根据一示意性实施例示出的多芯片电路结构散热异常情况下的温度分布曲线示意图。如图5并结合图2所示，在散热异常情况下，无论是对于利用第一通讯线2041传递温度值的处理器芯片202还是对于利用第二通讯线2042传递温度值的处理器芯片202来说，每一行处理器芯片202的温度值的分布都是靠近芯片矩阵中心区域的处理器芯片202的温度值高于靠近芯片矩阵边缘区域的处理器芯片202的温度值，因此，在散热异常情况下，通过第一通讯线2041和第二通讯线2042获取的温度分布曲线都会呈现类似图5的两段中间高两端底的形状。因此，如果检测到的温度分布曲线具有图5所示的特点，则能够确定当前处理器芯片温度是异常的。

基于上述说明，在一些实施例中，多个处理器芯片布置在同一个电路板上。在一些实施例中，处理器芯片为算力板的算力芯片，由电路板和布置在电路板上的多个处理器芯片共同组成算力板，能够根据需求和程序设计实现多种复杂的理论推理和计算。本公开实施例的芯片散热状况检测方法中，可以采用多种获得温度分布曲线的方式。

例如，在一些实施例中，步骤102具体可以包括：根据多个处理器芯片的分布，将多个处理器芯片的温度值按照预设次序连接构成温度分布曲线。采用这种方式，每一个处理器芯片的温度值都能够在温度分布曲线上找到，温度分布曲线体现了各个处理器芯片的真实温度值。

例如，在一些实施例中，步骤102可以具体包括：根据多个处理器芯片的分布，利用按照预设次序排列的多个处理器芯片的温度值拟合出温度分布曲线。采用这种方式，温度分布曲线体现了各个处理器芯片的温度值的变化趋势，有利于从整体上评估由多个处理器芯片组成的矩阵的温度。

需要说明的是，沿第一通讯线2041箭头方向排列的处理器芯片202的表述，以及，沿第二通讯线2042箭头方向排列的处理器芯片202的表述，仅为针对图2所示中的各个处理器芯片202的排列方式以第一通讯线2041和第二通讯线2042作为参照的表述形式。依据图2所示实施例，图3和图4所示的温度分布曲线事实上是按照通讯线204的延伸方向的排列次序，只是因为电路板201的电路结构以及冷却管203的分布设计，需要将冷却管203的出液口和进液口设置在电路板201的一个侧边，将通讯线204的连接端口设置在与冷却管203的出液口和进液口相对的另一个侧边。

图3和图4所示的按照图2所示的通讯线204的箭头方向排列的处理器芯片202的温度分布曲线，仅为示例性的说明。在一些实施例中，可以针对芯片矩阵中各个处理器芯片202以设定的顺序（例如从左到右、从上到下的顺序，或者按照冷却管203中冷却液依次流经的处理器芯片202的顺序，等等）进行编号，并将处理器芯片202的温度值按照编号的顺序获得温度分布曲线。

基于上述说明，在一些实施例中，预设次序包括如下排列次序中的至少其中之一：

多个处理器芯片按照冷却管的延伸方向的排列次序，其中，冷却管贴附于多个处理器芯片表面；多个处理器芯片按照通讯线的延伸方向排列次序，其中，各个处理器芯片的温度传感器所采集的处理器芯片的温度值通过连接各个处理器芯片的通讯线发出；多个处理器芯片构成的阵列中按行的延伸方向或者列的延伸方向的排列次序。

图2所示布置结构以及图3、图4所示温度分布曲线仅用于对本公开方案进行解释所使用的一种实施例的举例，并不表明本公开方案仅限于图2、图3、图4所示的情形。由于处理器芯片的分布方案、排列次序的选择方案无法完全在此进行穷尽描述，因此，在上述对图2、图3、图4的相关说明所表达含义的基础上，在本公开的精神原则下所采用的不同于图2、图3、图4所示情形的处理器芯片的分布形式、预设次序以及相应的温度分布曲线，均在本公开方案的范围以内。

基于图5所示的散热异常情况下的温度分布曲线，在一些实施例中，可以利用分区的方式对温度分布曲线进行分析，以确定温度是否异常。

例如，在一些实施例中，温度分布曲线包括根据多个处理器芯片的分布所划分的至少两个监测区域，每个监测区域中包括至少一个处理器芯片的温度值。图6是根据一示意性实施例示出的对温度分布曲线进行区域划分的示意图，如图6所示实施例中，温度分布曲线包括根据多个处理器芯片的分布所划分的第一监测区域601和第二监测区域602，每个监测区域中包括至少一个处理器芯片的温度值。图6所示实施例中，包括一个第一监测区域601和两个第二监测区域602，两个第二监测区域602分别位于第一监测区域601的两侧，第一监测区域601对应位于芯片矩阵边缘区域的处理器芯片，第一监测区域601中的温度分布曲线包括根据位于芯片矩阵边缘区域的处理器芯片的温度值得到的曲线部分；分别位于第一监测区域601左右两侧的第二监测区域602对应靠近芯片矩阵中心区域的处理器芯片，两个第二监测区域602中的温度分布曲线包括根据靠近芯片矩阵中心区域的处理器芯片的温度值得到的曲线部分，参见图2所示实施例，分别位于第一监测区域601左右两侧的第二监测区域602对应的处理器芯片分别位于芯片矩阵的不同行。结合上述说明中的温度分布曲线包括根据多个处理器芯片的分布所划分的至少两个监测区域，其中，至少两个监测区域包括该一个第一监测区域601和两个第二监测区域602。

图7是根据一具体实施例示出的获得温度检测结果的流程图，如图7所示，在一些实施例中，步骤103可以具体包括：

步骤701、在对应于第一指定处理器芯片的温度值所在的第一监测区域中，确定出第一温度值；

步骤702、在对应于第二指定处理器芯片的温度值所在的第二监测区域中，确定出第二温度值；

步骤703、获得第二温度值和第一温度值的温度差值；

步骤704、根据温度差值，获得检测结果。

以图6所示为例，第一指定处理器芯片可以是指定的位于芯片矩阵边缘区域的处理器芯片，第二指定处理器芯片可以是指定的靠近或者位于芯片矩阵中心区域的处理器芯片。基于此，在步骤701中，是在对应于位于芯片矩阵边缘区域的处理器芯片的温度值所在的第一监测区域601中，确定出第一温度值；在步骤702中，是在对应于靠近或者位于芯片矩阵中心区域的处理器芯片的温度值所在的第二监测区域602中，确定出第二温度值，其中，第二监测区域602可以是第一监测区域601两侧的两个第二监测区域602中的任意一个；在步骤703中，是根据第一监测区域601中确定出的第一温度值和第二监测区域602中确定出的第二温度值获得温度差值。

在一些实施例中，步骤701可以具体包括：将第一监测区域中的所有处理器芯片的温度值中的最低温度值，确定为第一温度值。步骤702可以具体包括：将第二监测区域中的所有处理器芯片的温度值中的最高温度值，确定为第二温度值。采用这种方式，能够获得芯片矩阵中温度最高的处理器芯片和温度最低的处理器芯片之间的温度差值，所得到的温度差值为处理器芯片真实的温度差值，其反映了处理器芯片个体的真实温度状况，只要在芯片矩阵中出现最高温度和最低温度之间的差值达到预设的温度阈值，便可视为得到温度异常的检测结果，可以以最快速度发出警示，该方式可适用于对温度变化敏感的处理器芯片当中。

在一些实施例中，步骤701可以具体包括：将第一监测区域中的温度分布曲线的最低温度值，确定为第一温度值。步骤702可以具体包括：将第二监测区域中的温度分布曲线的最高温度值，确定为第二温度值。结合图6所示，采用这种方式，在温度分布曲线是由多个处理器芯片的温度值拟合获得的情况下，第一监测区域601中的温度分布曲线的最低温度值反映了温度值最低的处理器芯片的温度值变化趋势统计结果，第二监测区域602中的温度分布曲线的最高温度值反映了温度值最高的处理器芯片的温度值变化趋势统计结果，基于该统计结果得到的温度差值表征了高温区域和低温区域之间的温度差值统计值，有利于从整体上评估芯片矩阵中的处理器芯片温度是否异常，能够消除个别处理器芯片在某一时刻因为某种突发原因造成的温度突然升高并在随后立即下降导致的检测结果可靠度不足的问题。

在一些实施例中，第一指定处理器芯片的数量为至少一个；第二指定处理器芯片的数量为至少一个。在第一指定处理器芯片的数量多于一个的情况下，每个第一指定处理器芯片的温度值分别位于不同的第一监测区域中，并且第一监测区域的数量与第一指定处理器芯片的数量相等；在第二指定处理器芯片的数量多于一个的情况下，每个第二指定处理器芯片的温度值分别位于不同的第二监测区域中，并且第二监测区域的数量与第二指定处理器芯片的数量相等。例如，结合图2和图6所示实施例中，第一指定处理器芯片的数量为一个，第一检测区域601的数量也为一个，第一指定处理器芯片的温度值位于第一检测区域601中；第二指定处理器芯片的数量为两个，第二检测区域602的数量也为两个，两个第二检测区域602分别位于第一检测区域601的两侧，每个第二指定处理器芯片的温度值分别位于第一检测区域601两侧的不同的第二监测区域602中。

图8是根据一示意性实施例示出的指定处理器芯片及监测区域的温度分布曲线示意图，在图8所示实施例中，第一指定处理器芯片的数量为3个，第二指定处理器芯片的数量为2个，第一指定处理器芯片包括第一子监测点芯片8011、第二子监测点芯片8012和第三子监测点芯片8013，第二指定处理器芯片包括第四子监测点芯片8021和第五子监测点芯片8022；与各个第一指定处理器芯片和第二指定处理器芯片分别对应地，第一监测区域的数量为3个，第二监测区域的数量为2个，第一监测区域包括第一子监测区域6011、第二子监测区域6012和第三子监测区域6013，第二监测区域包括第四子监测区域6021和第五子监测区域6022。其中，第一子监测点芯片8011位于第一子监测区域6011中，第二子监测点芯片8012位于第二子监测区域6012中，第三子监测点芯片8013位于第三子监测区域6013中，第四子监测点芯片8021位于第四子监测区域6021中，第五子监测点芯片8022位于第五子监测区域6022中。每个监测区域中均有一个指定处理器芯片。

在一些实施例中，在第一指定处理器芯片的数量多于一个的情况下，例如图8所示的情况，可以采用平均值的方式确定第一温度值，基于此，步骤701还可以包括：将所有第一监测区域的最低温度值的平均值，确定为第一温度值。例如，将图8所示中的第一子监测区域6011中的最低温度值、第二子监测区域6012中的最低温度值和第三子监测区域6013中的最低温度值取平均值，作为第一温度值。采用这种最低温度值取平均值的方式所得到的第一温度值表征了芯片矩阵边缘的整体温度状况。

在一些实施例中，在第二指定处理器芯片的数量多于一个的情况下，例如图8所示的情况，可以采用平均值的方式确定第二温度值，基于此，步骤702还可以包括：将所有第二监测区域的最高温度值的平均值，确定为第二温度值。例如，将图8所示的第四子监测区域6021中的最高温度值和第五子监测区域6022中的最高温度值取平均值，作为第二温度值。采用这种最高温度值取平均值的方式所得到的第二温度值表征了芯片矩阵中心区域的整体温度状况。

在一些实施例中，步骤704具体可以包括：将温度差值与预设的温度阈值进行比较；若温度差值小于温度阈值，则生成温度正常的检测结果；若温度差值大于或等于温度阈值，则生成温度异常的检测结果。其中，温度阈值的取值例如2℃至5℃。在因为某种原因造成散热失效的情况下，芯片矩阵整体的温度都会快速上升，芯片矩阵温度上升的特点是中心区域的温度明显高于边缘区域的温度，因此，只要通过判断芯片矩阵的中心区域与边缘区域的温差即可以确定是否出现散热问题。

在一些实施例中，在生成温度分布曲线后，本公开实施例的芯片散热状况检测方法还可进一步包括：对温度分布曲线进行滤波降噪。采用该方案可以消除温度分布曲线中的杂波干扰，确保温度分布曲线的平滑变化，确保步骤701和步骤702中的温度分布曲线的最低温度值和温度分布曲线的最高温度值取值的准确性。

在一些实施例中，步骤101中获取温度数据是响应于周期性触发事件而被执行的。其中，周期性触发事件可以是定时器事件，定时器按照预设时长（比如1秒）计时，每当定时器计时到达，即认为是发生了一次周期性触发事件。基于此，本公开实施例在每个周期内执行一次温度检测，保证了温度检测的实时性。

在一些实施例中，本公开实施例的芯片散热状况检测方法还可进一步包括：在检测结果为温度异常的情况下，发出温度异常报警信息。采用这种方式，能够及时提醒温度异常，确保设备的安全。基于此，在一些实施例中，本公开实施例的芯片散热状况检测方法还可以进一步包括：响应于异常报警信息，产生报警音效和/或报警灯光音效。在一些实施例中，本公开实施例的芯片散热状况检测方法还可以进一步包括：响应于异常报警信息，对被检测温度的设备执行关机操作。

图9是根据本公开实施例的一种芯片散热状况检测方法的应用场景流程图，如图9所示，该应用场景中主要包括以下步骤。

步骤901、监测周期性触发事件的发生。

在一些实施例中，周期性触发事件可以是定时器事件，定时器按照预设时长（比如1秒）计时，每当定时器计时到达，即认为是发生了一次周期性触发事件。

步骤902、响应于周期性触发事件的发生，获取监测芯片矩阵中各个处理器芯片的温度值。

步骤903、按照芯片矩阵中的处理器芯片的分布，将获取的温度值进行排序并生成温度分布曲线。

步骤904、对温度分布曲线进行滤波降噪。

步骤905、在温度分布曲线的低温监测区域，确定出低温值。

其中，低温监测区域可以是事先根据芯片矩阵中处理器芯片的分布而划分的。

在一些实施例中，低温监测区域可以是一个也可以是多个，低温监测区域即为上述说明中的第一监测区域，例如低温监测区域可以是仅为图8所示中的第一子监测区域6011或者第二子监测区域6012或者第三子监测区域6013，也可以是第一子监测区域6011、第二子监测区域6012和第三子监测区域6013。在仅设置一个低温监测区域的情况下，低温值由该一个低温监测区域确定即可，在设置多个低温监测区域的情况下，低温值可以根据各个低温监测区域中的低温值的平均值确定。

在一些实施例中，在任意一个低温监测区域中，低温值可以直接采用该低温监测区域中获取的最低温度值。

在一些实施例中，在任意一个低温监测区域中，低温值可以取该低温监测区域的温度分布曲线的最低点的温度值。

步骤906、在温度分布曲线的高温监测区域，确定出高温值。

其中，高温监测区域可以是事先根据芯片矩阵中处理器芯片的分布而划分的。

在一些实施例中，高温监测区域可以是一个也可以是多个，高温监测区域即为上述说明中的第二监测区域，例如高温监测区域可以仅为图8所示中的第四子监测区域6021或第五子监测区域6022，也可以是第四子监测区域6021和第五子监测区域6022。在仅设置一个高温监测区域的情况下，高温值由该一个高温监测区域的温度值确定即可，在设置多个高温监测区域的情况下，高温值可以根据各个高温监测区域中的高温值的平均值确定。

在一些实施例中，在任意一个高温监测区域中，高温值可以直接采用该高温监测区域中获取的最高的温度值。

在一些实施例中，在任意一个高温监测区域中，高温值可以取该高温监测区域的温度分布曲线的最高点的温度值。

步骤907、将高温值和低温值的温度差值与预设的温度阈值进行比较，若温度差值达到（等于或者大于）温度阈值，则生成温度异常的检测结果。

在其它实施例中，若温度差值未达到（小于）温度阈值，则生成温度正常的检测结果。

步骤908、响应于生成温度异常的检测结果，执行风险处理流程。

在一些实施例中，风险处理流程可以包括发出报警，包括声光形式的报警信号。在一些实施例中，风险处理流程可以包括触发关机流程。

图10是根据一示意性实施例示出的一种芯片散热状况检测装置的逻辑结构框图，参见图10所示，该装置包括数据获取模块1001、曲线生成模块1002和结果获取模块1003。

数据获取模块1001，被配置为执行获取温度数据，温度数据包括同一时刻检测的多个处理器芯片的温度值。

曲线生成模块1002，被配置为执行根据温度数据，生成温度分布曲线；

结果获取模块1003，被配置为执行根据温度分布曲线，获得温度是否异常的检测结果。

关于上述实施例中的芯片散热状况检测装置，其中各个模块执行操作的具体方式已经在有关该芯片散热状况检测方法的实施例中进行了详细描述，此处将不作详细阐述说明。

需要说明的是：上述实施例仅以上述各功能模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成，即将设备的内部结构划分成不同的功能模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。

图11是本公开实施例提供的一种电子设备的结构示意图。在一些实施例中，该电子设备为服务器。该电子设备1100可因配置或性能不同而产生比较大的差异，可以包括一个或一个以上处理器（Central Processing Units，CPU）1101和一个或一个以上的存储器1102，其中，该存储器1102中存储有至少一条程序代码，该至少一条程序代码由该处理器1101加载并执行以实现上述各个实施例提供的芯片散热状况检测方法。当然，该电子设备1100还可以具有有线或无线网络接口、键盘以及输入输出接口等部件，以便进行输入输出，该电子设备1100还可以包括其他用于实现设备功能的部件，在此不做赘述。

在示例性实施例中，还提供了一种包括至少一条指令的计算机可读存储介质，例如包括至少一条指令的存储器，上述至少一条指令可由计算机设备中的处理器执行以完成上述实施例中的芯片散热状况检测方法。

可选地，上述计算机可读存储介质可以是非临时性计算机可读存储介质，例如，该非临时性计算机可读存储介质可以包括ROM（Read-Only Memory，只读存储器）、RAM（Random-Access Memory，随机存取存储器）、CD-ROM（Compact Disc Read-Only Memory，只读光盘）、磁带、软盘和光数据存储设备等。

在示例性实施例中，还提供了一种计算机程序产品，包括一条或多条指令，该一条或多条指令可以由计算机设备的处理器执行，以完成上述各个实施例提供的芯片散热状况检测方法。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由本公开的权利要求指出。

应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (18)

1.一种芯片散热状况检测方法，其特征在于，包括：

获取温度数据，所述温度数据包括同一时刻检测的多个处理器芯片的温度值；

根据所述温度数据，生成温度分布曲线；

根据所述温度分布曲线，获得温度是否异常的检测结果。

2.根据权利要求1所述的芯片散热状况检测方法，其特征在于：

所述多个处理器芯片布置在同一个电路板上。

3.根据权利要求1所述的芯片散热状况检测方法，其特征在于，所述根据所述温度数据，生成温度分布曲线，包括：

根据所述多个处理器芯片的分布，将所述多个处理器芯片的温度值按照预设次序连接构成所述温度分布曲线。

4.根据权利要求1所述的芯片散热状况检测方法，其特征在于，所述根据所述温度数据，生成温度分布曲线，包括：

根据所述多个处理器芯片的分布，利用按照预设次序排列的所述多个处理器芯片的温度值拟合出所述温度分布曲线。

5.根据权利要求1所述的芯片散热状况检测方法，其特征在于：

所述温度分布曲线包括根据所述多个处理器芯片的分布所划分的至少两个监测区域，每个所述监测区域中包括至少一个处理器芯片的温度值；

所述根据所述温度分布曲线，获得温度是否异常的检测结果，包括：

在对应于第一指定处理器芯片的温度值所在的第一监测区域中，确定出第一温度值；

在对应于第二指定处理器芯片的温度值所在的第二监测区域中，确定出第二温度值；

获得所述第二温度值和所述第一温度值的温度差值；

根据所述温度差值，获得所述检测结果。

6.根据权利要求5所述的芯片散热状况检测方法，其特征在于：

将所述第一监测区域中的所有处理器芯片的温度值中的最低温度值，确定为所述第一温度值；

将所述第二监测区域中的所有处理器芯片的温度值中的最高温度值，确定为所述第二温度值。

7.根据权利要求5所述的芯片散热状况检测方法，其特征在于：

将所述第一监测区域中的所述温度分布曲线的最低温度值，确定为所述第一温度值；

将所述第二监测区域中的所述温度分布曲线的最高温度值，确定为所述第二温度值。

8.根据权利要求5所述的芯片散热状况检测方法，其特征在于：

所述第一指定处理器芯片的数量为至少一个；

所述第二指定处理器芯片的数量为至少一个；

在所述第一指定处理器芯片的数量多于一个的情况下，每个所述第一指定处理器芯片的温度值分别位于不同的所述第一监测区域中，并且所述第一监测区域的数量与所述第一指定处理器芯片的数量相等；

在所述第二指定处理器芯片的数量多于一个的情况下，每个所述第二指定处理器芯片的温度值分别位于不同的所述第二监测区域中，并且所述第二监测区域的数量与所述第二指定处理器芯片的数量相等。

9.根据权利要求8所述的芯片散热状况检测方法，其特征在于，将所有所述第一监测区域的最低温度值的平均值，确定为所述第一温度值；和/或，将所有所述第二监测区域的最高温度值的平均值，确定为所述第二温度值。

10.根据权利要求5所述的芯片散热状况检测方法，其特征在于，所述根据所述温度差值，获得所述检测结果，包括：

将所述温度差值与预设的温度阈值进行比较；

若所述温度差值小于所述温度阈值，则生成温度正常的检测结果；

若所述温度差值大于或等于所述温度阈值，则生成温度异常的检测结果。

11.根据权利要求1所述的芯片散热状况检测方法，其特征在于，在生成所述温度分布曲线后，所述芯片散热状况检测方法还包括：

对所述温度分布曲线进行滤波降噪。

12.根据权利要求1所述的芯片散热状况检测方法，其特征在于：

所述获取温度数据是响应于周期性触发事件而被执行的。

13.根据权利要求1所述的芯片散热状况检测方法，其特征在于，所述芯片散热状况检测方法还包括：

在所述检测结果为温度异常的情况下，发出温度异常报警信息。

14.根据权利要求3或4所述的芯片散热状况检测方法，其特征在于，所述预设次序包括如下排列次序中的至少其中之一：

所述多个处理器芯片按照冷却管的延伸方向排列次序，其中，所述冷却管贴附于所述多个处理器芯片表面；

所述多个处理器芯片按照通讯线的延伸方向排列次序，其中，各个处理器芯片的温度传感器所采集的处理器芯片的温度值通过连接各个处理器芯片的通讯线发出；

所述多个处理器芯片构成的阵列中按行的延伸方向或者列的延伸方向排列次序。

15.一种芯片散热状况检测装置，其特征在于，包括：

数据获取模块，被配置为执行获取温度数据，所述温度数据包括同一时刻检测的多个处理器芯片的温度值；

曲线生成模块，被配置为执行根据所述温度数据，生成温度分布曲线；

结果获取模块，被配置为执行根据所述温度分布曲线，获得温度是否异常的检测结果。

16.一种电子设备，其特征在于，包括：

处理器；

用于存储所述处理器的可执行指令的存储器；

其中，所述处理器被配置为执行所述可执行指令，以实现如权利要求1至14任一项所述的芯片散热状况检测方法。

17.一种计算机可读存储介质，其特征在于，当所述计算机可读存储介质中的至少一条指令被电子设备的处理器执行时，使得所述电子设备能够实现如权利要求1至14任一项所述的芯片散热状况检测方法。

18.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至14任一项所述的芯片散热状况检测方法。

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