CN114772603A - 一种高价硅烷的制造方法 - Google Patents
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- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 25
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 claims abstract description 6
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical group [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007872 degassing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 2
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hcl hcl Chemical compound Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007264 Si2H6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005096 Si3H8 Inorganic materials 0.000 description 1
- MKPXGEVFQSIKGE-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Si] Chemical compound [Mg].[Si] MKPXGEVFQSIKGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000012707 chemical precursor Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910021338 magnesium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- YTHCQFKNFVSQBC-UHFFFAOYSA-N magnesium silicide Chemical compound [Mg]=[Si]=[Mg] YTHCQFKNFVSQBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
Images
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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- C01B33/04—Hydrides of silicon
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/02—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the alkali- or alkaline earth metals or beryllium
- B01J23/04—Alkali metals
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Abstract
一种高价硅烷的制造方法,以低价硅烷甲硅烷和载气氢气为原料气,经150℃‑300℃的加热再通过催化剂催化合成高价硅烷产物乙(二)硅烷和丙(三)硅烷气体,甲硅烷和氢气的进气体积比为甲硅烷70‑95vol%、氢气5‑30vol%,反应压力控制在0.2‑1MPa,甲硅烷的转化率为2‑4莫耳%,乙(二)硅烷的选择率为80‑90莫耳%,丙(三)硅烷的选择率为10‑20莫耳%。催化剂使用分子筛型酸性催化剂,主要成分为氧化硅、氧化铝、碱金属和碱土金属,硅铝比控制在1000‑1500、碱金属和碱土金属含量控制在0.00‑1.00wt%。本发明方法中乙(二)硅烷和丙(三)硅烷经脱气、分离、提纯、精馏等工序取得高纯气体产品,解决了高价硅烷产物乙(二)硅烷和丙(三)硅烷大规模生产的问题,大大的提高乙(二)硅烷和丙(三)硅烷生产效率,降低使用能耗及生产成本。
Description
技术领域
本发明属于电子特气生产技术领域,具体涉及生产甲硅烷(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)和丙硅烷(Si3H8)等的方法,尤其适合乙硅烷(Si2H6)和丙硅烷(Si3H8)的制造方法。
背景技术
甲硅烷和其他高价硅烷如乙硅烷和丙硅烷,是用于制造集成电路的化学前驱气体。通常甲硅烷作为生产多晶硅、芯片外延硅或非晶态硅薄膜等的起始材料,现今甲硅烷是半导体行业最常用的材料,但它需要较高的工艺温度才能分解生成所需的薄膜。相较于甲硅烷,乙硅烷分解的工艺温度比甲硅烷低约100℃,具有更大的总体成膜速率及高致密度与平滑度,运用上比甲硅烷优秀。而丙硅烷则更允许在比乙硅烷更低的工艺条件下生产,表现的性能则比甲硅烷和乙硅烷更佳,具有巨大的产业价值。
硅烷族的电子特气生产通常有几种方法:1.UCC法,透过金属硅与氯化氢(盐酸)反应形成三氯氢硅再一连串与氢气反应,最后取得甲硅烷及氯化氢气体,但该方法无法生产出乙硅烷和丙硅烷。2.硅镁合金法,经由硅和镁合成硅化镁再与氯化铵及液氨反应得到甲硅烷及2%的乙硅烷,乙硅烷的产率低需再透过催化剂催化让乙硅烷产率提高到12-18%,该方法无法生产丙硅烷。3.电浆放电合成法,以甲硅烷曝露于高周波放电中形成乙硅烷产品,再曝露于二次放电中得到丙硅烷,该方法使用的等离子体在高浓度的硅烷族气体中可能不稳定,使得该方法得到的丙硅烷气体产率不稳定。4.热处理转化法,将甲硅烷在350-550℃进行热处理转化,取得乙硅烷和丙硅烷,该方法容易因为高温生成游离硅粉、结晶硅、硅氧烷等,造成设备阻塞致生产效率低且甲硅烷热处理转化效率低。
当全世界半导体行业一直往高阶工艺制程节点竞赛时,硅烷族特气使用也逐渐由甲硅烷转而使用乙硅烷或丙硅烷,因此,一种有效且满足上述需求的生产方法必须应运而生。
发明内容
为解决上述问题,本发明通过以下技术方案实现。
一种高价硅烷的制造方法,以低价硅烷甲硅烷和载气氢气为原料气,经150℃-300℃的加热再通过催化剂催化合成高价硅烷产物乙(二)硅烷和丙(三)硅烷气体,甲硅烷和氢气的进气体积比为甲硅烷70-95vol%、氢气5-30vol%,反应压力控制在0.2-1MPa,甲硅烷的转化率为2-4莫耳%,乙(二)硅烷的选择率为80-90莫耳%,丙(三)硅烷的选择率为10-20莫耳%。催化剂使用分子筛型酸性催化剂,主要成分为氧化硅、氧化铝、碱金属和碱土金属,硅铝比控制在1000-1500、碱金属和碱土金属含量控制在0.00-1.00wt%。
反应方程式 5SiH4 → Si2H6 + Si3H8 + 3H2 (+unreacted SiH4 and otherbyproduct)
进一步,所述反应压力在0.4-0.95MPa。
进一步,所述反应温度在200-250℃。
进一步,所述甲硅烷和氢气的进气体积比在甲硅烷80-85vol%、氢气15-20vol%。
进一步,所述甲硅烷的转化率为3.5-4莫耳%,乙(二)硅烷的选择率为80-85莫耳%,丙(三)硅烷的选择率为15-20莫耳%。
进一步,所述催化剂使用分子筛型酸性催化剂,主要成分为氧化硅、氧化铝、碱金属和碱土金属,硅铝比控制在1500、碱金属和碱土金属含量控制在0.00-0.02wt%。
进一步,所述反应器气空流速控制在450-500h-1。
进一步,所述反应器加热使用电感加热,加热炉管使用石墨管。
本发明方法中乙(二)硅烷和丙(三)硅烷经脱气、分离、提纯、精馏等工序取得高纯气体产品,解决了高价硅烷产物乙(二)硅烷和丙(三)硅烷大规模生产的问题,大大的提高乙(二)硅烷和丙(三)硅烷生产效率,降低使用能耗及生产成本。
附图说明
图1为本发明高价硅烷的制造方法流程示意图
图中,100-原料气供应系统,200-反应器包括有201-第一段反应器202-第二段反应器,301-氢气脱除塔,302-甲硅烷脱除塔,303-乙硅烷分离塔,304-乙硅烷提纯塔,305-乙硅烷精馏塔,306-丙硅烷提纯塔,501-乙硅烷充装系统,502-丙硅烷充装系统。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进一步详细说明。
一种高价硅烷的制造方法,以低价硅烷甲硅烷和载气氢气为原料气,经150℃-300℃的加热再通过催化剂催化合成高价硅烷产物乙(二)硅烷和丙(三)硅烷气体,甲硅烷和氢气的进气体积比为甲硅烷70-95vol%、氢气5-30vol%,反应压力控制在0.2-1MPa,甲硅烷的转化率为2-4莫耳%,乙(二)硅烷的选择率为80-90莫耳%,丙(三)硅烷的选择率为10-20莫耳%。催化剂使用分子筛型酸性催化剂,主要成分为氧化硅、氧化铝、碱金属和碱土金属,硅铝比控制在1000-1500、碱金属和碱土金属含量控制在0.00-1.00wt%。
实施例1
依照上述方法生产乙硅烷和丙硅烷。催化剂选择1.5mm球体,硅铝比500,碱金属和碱土金属含量0.07%,使用前以400℃氮气预处理。原料气甲硅烷:氢气=80vol%:20vol%,反应压力0.3MPa,反应温度200℃,反应器气空流速控制在140h-1,测得甲硅烷转化率为1.8莫耳%,乙硅烷的选择率为99莫耳%,丙硅烷的选择率超出仪器侦测极限无法测出。
实施例2
重复实施例1,不同之处将反应温度提高为250℃,测得甲硅烷转化率为2.13莫耳%,乙硅烷的选择率为99莫耳%,丙硅烷的选择率超出仪器侦测极限无法测出。
实施例3
催化剂选择3.0mm球体,硅铝比1500,碱金属和碱土金属含量0.01%,使用前以400℃氮气预处理。原料气甲硅烷:氢气=80vol%:20vol%,反应压力0.3MPa,反应温度150℃,反应器气空流速控制在467h-1,测得甲硅烷转化率为2.37莫耳%,乙硅烷的选择率为89.1莫耳%,丙硅烷的选择率为10.9莫耳%。
实施例4
重复实施例3,不同之处将反应温度提高为200℃,测得甲硅烷转化率为4.26莫耳%,乙硅烷的选择率为84.2莫耳%,丙硅烷的选择率为15.8莫耳%。
实施例5
重复实施例3,不同之处为催化剂使用前以200℃氮气预处理将反应压力提高为0.95MPa,测得甲硅烷转化率为2.41莫耳%,乙硅烷的选择率为89莫耳%,丙硅烷的选择率为11莫耳%。
实施例6
重复实施例5,不同之处将反应温度提高为200℃,测得甲硅烷转化率为4.27莫耳%,乙硅烷的选择率为84.2莫耳%,丙硅烷的选择率为15.8莫耳%。
实施例7
重复实施例5,不同之处为提高原料气甲硅烷浓度,甲硅烷:氢气=95vol%:5vol%,测得甲硅烷转化率为1.8莫耳%,乙硅烷的选择率为91.5莫耳%,丙硅烷的选择率为8.5莫耳%。
实施例8
重复实施例7,不同之处将反应温度提高为200℃,测得甲硅烷转化率为4.92莫耳%,乙硅烷的选择率为82莫耳%,丙硅烷的选择率为18莫耳%。
实施例9
重复实施例6,不同之处将反应时间持续操作170小时,测得甲硅烷转化率为2.35莫耳%,乙硅烷的选择率为89.5莫耳%,丙硅烷的选择率为10.5莫耳%。
实施例10
对实施例9的催化剂以氢气进行活化,操作温度180℃,操作时间4小时。重复实施例6,测得甲硅烷转化率为3.8莫耳%,乙硅烷的选择率为85莫耳%,丙硅烷的选择率为15莫耳%。
以上的详细说明,用以揭示本发明的技术内容及特征,并辅以实施例说明,使本领域技术人员据此得以实施,然而上述说明并非用于限制本发明之权利范围,举凡简单之置换或等效技术之取代,仍应隶属本发明之范畴。
Claims (8)
1.一种高价硅烷的制造方法,其特征在于,以低价硅烷甲硅烷和载气氢气为原料气,经150℃-300℃的加热再通过催化剂催化合成高价硅烷产物乙(二)硅烷和丙(三)硅烷气体,甲硅烷和氢气的进气体积比为甲硅烷70-95vol%、氢气5-30vol%,反应压力控制在0.2-1MPa,甲硅烷的转化率为2-4莫耳%,乙(二)硅烷的选择率为80-90莫耳%,丙(三)硅烷的选择率为10-20莫耳%,催化剂使用分子筛型酸性催化剂,主要成分为氧化硅、氧化铝、碱金属和碱土金属,硅铝比控制在1000-1500、碱金属和碱土金属含量控制在0.00-1.00wt%。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述反应压力在0.4-0.95MPa。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述反应温度在200-250℃。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述甲硅烷和氢气的进气体积比在甲硅烷80-85vol%、氢气15-20vol%。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述甲硅烷的转化率为3.5-4莫耳%,乙(二)硅烷的选择率为80-85莫耳%,丙(三)硅烷的选择率为15-20莫耳%。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述催化剂使用分子筛型酸性催化剂,主要成分为氧化硅、氧化铝、碱金属和碱土金属,硅铝比控制在1500、碱金属和碱土金属含量控制在0.00-0.02wt%。
7.根据权利要求4和6所述的方法,其特征在于,所述反应器气空流速控制在450-500h-1。
8.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述反应器加热使用电感加热,加热炉管使用石墨管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210469170.9A CN114772603A (zh) | 2022-04-30 | 2022-04-30 | 一种高价硅烷的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210469170.9A CN114772603A (zh) | 2022-04-30 | 2022-04-30 | 一种高价硅烷的制造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114772603A true CN114772603A (zh) | 2022-07-22 |
Family
ID=82435578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210469170.9A Pending CN114772603A (zh) | 2022-04-30 | 2022-04-30 | 一种高价硅烷的制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114772603A (zh) |
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- 2022-04-30 CN CN202210469170.9A patent/CN114772603A/zh active Pending
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