CN114731151A - 电子部件以及电子部件的制造方法 - Google Patents

电子部件以及电子部件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114731151A
CN114731151A CN202080078560.2A CN202080078560A CN114731151A CN 114731151 A CN114731151 A CN 114731151A CN 202080078560 A CN202080078560 A CN 202080078560A CN 114731151 A CN114731151 A CN 114731151A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
substrate
electronic component
hole
protrusion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080078560.2A
Other languages
English (en)
Inventor
井上和则
大塚慎太郎
川崎幸一郎
中西秀文
新雅和
福岛正宏
丰田泰之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN114731151A publication Critical patent/CN114731151A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

电子部件(100)具备基板(110)、形成在基板上的功能元件(120)、第1电极(150)、绝缘体的支承体(160)、覆盖部(190)、第2电极(170)、以及突起部(180)。第1电极(150)配置在基板上，并与功能元件(120)连接。支承体(160)覆盖第1电极(150)，并从基板(110)突出。覆盖部(190)与基板(110)对置地配置，由基板(110)、支承体(160)以及覆盖部(190)形成中空空间(155)。第2电极(170)配置在形成于支承体(160)以及覆盖部(190)的贯通孔，并与第1电极(150)电连接。突起部(180)在上述的贯通孔中形成在第1电极(150)上。

Description

电子部件以及电子部件的制造方法
技术领域
本公开涉及电子部件以及电子部件的制造方法，更特定地，涉及具有WLP(WaferLevel Package，晶圆级封装)构造并在中空空间形成了功能元件的电子部件的构造。
背景技术
在美国专利第7385463号(专利文献1)公开了具有WLP构造并在压电基板上配置了梳齿状(IDT：Interdigital Transducer，叉指换能器)电极的声表面波(SAW：SurfaceAcoustic Wave)装置。在这样的弹性波装置中，为了使得在压电基板上IDT电极能够激励，在装置内形成中空空间。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利第7385463号
发明内容
发明要解决的问题
在以上述的弹性波装置为代表的电子部件中，为了形成中空空间，在基板与覆盖部之间设置支承层，并在形成于该支承层以及覆盖部的贯通孔(通孔)内形成用于将IDT电极等功能元件和外部元件或外部设备电连接的连接用电极。
这样的连接用电极有时通过电解镀敷来形成。已知在电解镀敷中，若在实施镀敷的构件存在突出的角部，则电场集中于该角部而变得镀敷厚度比其它部分厚。如上所述，在对通孔实施镀敷的情况下，电场可能集中于通孔的凹部的开口端(入口部分)的角部。因此，与凹部的内侧的部分相比，开口端处的镀敷金属的生长被促进，特别是，在通孔直径小的情况下，有可能在凹部的内部存在空洞(空隙)的状态下入口部分被堵塞。
若在通孔内形成空隙，则在产生了周围的急剧的温度变化的情况下，由于空隙内的空气膨胀/收缩，从而有可能产生镀敷部分的剥离或裂纹等。此外，在通孔直径小的情况下，由于通孔内表面的镀敷厚度不足，从而导通电阻有可能变大，或者有可能断线。即，电子部件的可靠性有可能下降。
本公开是为了解决这样的问题而完成的，其目的在于，在形成中空空间的电子部件中，抑制形成于通孔内的电极的空隙的产生，使电子部件的可靠性提高。
用于解决问题的技术方案
按照本公开的某个方面的电子部件具备基板、形成在基板上的功能元件、第1电极、绝缘体的支承体、覆盖部、第2电极、以及突起部。第1电极配置在基板上，并与功能元件电连接。支承体覆盖第1电极，并从基板突出。覆盖部与基板对置地配置，由基板、支承体以及覆盖部形成中空空间。第2电极配置在形成于支承体以及覆盖部的贯通孔，并与第1电极电连接。突起部在上述的贯通孔中形成在第1电极上。
按照本公开的另一个方面的电子部件的制造方法包含：i)在基板上形成功能元件以及与该功能元件连接的第1电极的工序；ii)在上述基板上形成覆盖第1电极的支承体的工序；iii)与基板对置地配置覆盖部，由上述的基板、支承体以及覆盖部形成中空空间的工序；iv)在覆盖部以及支承体形成贯通孔，并且在贯通孔中的第1电极上形成突起部的工序；以及v)在贯通孔内形成与第1电极电连接的第2电极的工序。
发明效果
在本公开涉及的电子部件中，在形成第2电极的贯通孔内的第1电极上形成有突起部。通过该突起部，可促进通孔内部的金属生长，因此通孔内部与开口端之间的金属厚度之差变小，可抑制通孔内的空隙的产生。因此，能够使电子部件的可靠性提高。
附图说明
图1是本实施方式涉及的电子部件的侧视透视图。
图2是图1中的支承体的部分的放大图。
图3是用于说明形成过孔(through-hole via)时的问题点的图。
图4是用于说明可通过突起部的形成来抑制空隙的理由的图。
图5是用于说明本实施方式涉及的电子部件的制造工艺的第1例的第1图。
图6是用于说明本实施方式涉及的电子部件的制造工艺的第1例的第2图。
图7是用于说明在图5以及图6的制造工艺中在贯通孔内形成突起部的机理的图。
图8是用于说明本实施方式涉及的电子部件的制造工艺的第2例的第1图。
图9是用于说明本实施方式涉及的电子部件的制造工艺的第2例的第2图。
图10是用于说明在图8以及图9的制造工艺中在贯通孔内形成突起部的机理的图。
图11是用于说明本实施方式涉及的电子部件的制造工艺的第3例的第1图。
图12是用于说明本实施方式涉及的电子部件的制造工艺的第3例的第2图。
具体实施方式
以下，参照附图对本公开的实施方式进行详细说明。另外，对于图中相同或相当的部分标注相同的附图标记，不再重复其说明。
[电子部件的结构]
图1是按照实施方式的电子部件100的一个例子的侧视透视图。此外，图2是图1中的支承体160的部分的放大图。参照图1以及图2，电子部件100具备基板110、功能元件120、支承体160、在支承体160内形成的连接电极170、覆盖部190、以及保护层140、195。另外，在本实施方式中，对电子部件100为声表面波(SAW)器件的情况进行说明。因此，以作为基板110而使用压电性基板且作为功能元件120而包含IDT电极的情况为例进行说明。以下，有时将基板110称为“压电性基板110”。另外，在图1中，有时将Z轴的正方向称为上表面侧，并将负方向称为下表面侧。
压电性基板110例如由钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)、氧化铝、硅(Si)、以及蓝宝石那样的压电单晶材料形成，或者由包含LiTaO3或LiNbO3的压电层叠材料形成。在压电性基板110的第1面111配置有多个功能元件120。作为功能元件120，包含例如使用由铝、铜、银、金、钛、钨、铂、铬、镍、钼中的至少一种构成的单质金属、或以它们为主成分的合金等的电极材料形成的一对IDT电极。由压电性基板110和功能元件(IDT电极)120形成声表面波(SAW)谐振器。
在压电性基板110的形成功能元件120的第1面111，形成有用于将功能元件120彼此之间电连接以及将功能元件120和连接电极170电连接的布线电极130。此外，在布线电极130形成有用于与连接电极170连接的端子电极150。
支承体160形成为包围功能元件120的周围的壁状，从压电性基板110的第1面111向Z轴的正方向突出。支承体160由环氧或聚酰亚胺等绝缘性的树脂和/或感光性树脂材料形成。支承体160的一部分覆盖端子电极150。
覆盖部190被支承体160支承，并与压电性基板110的第1面111对置地配置。覆盖部190例如由以环氧、聚酰亚胺、丙烯酸、氨基甲酸酯等为主成分的树脂和/或感光性树脂材料形成。此外，覆盖部190除了上述树脂以外还可以使用一部分金属。由压电性基板110、支承体160以及覆盖部190形成中空空间155。功能元件120配置在该中空空间155内。在中空空间155内，在功能元件120以及布线电极130上形成用于对它们进行保护的绝缘体的保护层140。
连接电极170形成在贯通支承体160以及覆盖部190的贯通孔(通孔)内。在从Z轴方向俯视了电子部件100的情况下，连接电极170形成在配置有端子电极150的位置。在形成连接电极170的通孔内预先通过溅射等形成有金属的晶种层175，并在该晶种层175上通过电解镀敷形成连接电极170。
连接电极170经由晶种层175与端子电极150电连接。此外，连接电极170的一部分(引出部171)被引出到覆盖部190上，在该引出部171连接未图示的外部设备或外部元件(以下，也简称为“外部设备”。)。由此，外部设备和功能元件120电连接。
在实施方式的电子部件100中，为了在形成连接电极170时抑制在连接电极170的内部形成空洞(空隙)，在形成连接电极170的通孔的底面(即，端子电极150上)形成有突起部180。关于突起部180的细节，将在后面叙述。
保护层195配置为对覆盖部190以及连接电极170进行覆盖。保护层195例如由在硅化合物、环氧系树脂、硅酮系树脂、氟系树脂、或丙烯酸系树脂等防水性高的材料中混入了金属等无机填料的材料形成。通过用这样的材料形成保护层195，从而能够提高电子部件100的耐湿性以及耐冲击性。另外，在保护层195中，连接电极170的引出部171的部分缺失，由此，能够在连接电极170连接外部设备。
(突起部的作用)
接着，使用图3以及图4对形成在通孔内的突起部180进行说明。
如上述那样，将外部设备和端子电极150电连接的连接电极170通过电解镀敷来形成。如图3的(a)所示，在形成连接电极170的情况下，首先，将与端子电极150的位置对应的支承体160以及覆盖部190除去而形成通孔165。然后，在该通孔165内通过溅射形成晶种层175。
然后，通过电解镀敷在晶种层175上形成连接电极170，但是因为电场集中于通孔165的凹部的开口端那样的突出的角部，所以镀敷离子集中于该角部，与其它部分相比，镀敷厚度容易变厚。相反，在通孔165的底部的角落的部分，与其它部分相比，镀敷厚度存在变薄的倾向(图3的(b))。由此，在电场镀敷的过程中，通孔165的开口端附近的金属生长变得比底部的金属生长快，其结果是，有可能产生在通孔165的凹部的内部达到所希望的镀敷厚度之前通孔165的开口端被金属堵塞的状态。若这样，则像图3的(c)那样，在形成的连接电极170的内部将残存有空洞(空隙)166。
像这样，若在通孔165内形成空隙166，则在产生了周围的急剧的温度变化的情况下，由于空隙166内的空气膨胀/收缩，从而连接电极170有可能从晶种层175剥离，或者有可能产生连接电极170裂纹等。此外，在通孔直径小的情况下，由于通孔165内表面的镀敷厚度不足，从而导通电阻有可能变大，或者有可能断线。
在本实施方式的电子部件100中，在通孔的底部，即，在端子电极150上形成有绝缘材料或金属材料的突起部180，并在该突起部180表面形成有晶种层175。如上所述，电场容易集中于突起部分，因此通过该突起部180，通孔的底部的金属生长被促进。由于该电场的集中，如图4的箭头AR1所示，从突起部180起沿着晶种层175的镀敷电流的流动被促进，因此通孔侧面处的金属生长也被促进。进而，由于突起部180，通孔内所需的金属的体积本身也变少。因此，通过在通孔的底部形成突起部180，从而能够抑制在通孔内部形成空隙，其结果是，能够使电子部件100的可靠性提高。
另外，若突起部180的高度(Z轴方向的尺寸)高，则由突起部180和通孔内表面形成的狭窄的空间变多，因此有可能在突起部180与通孔内表面之间产生空隙。因此，突起部180的从端子电极150起的高度优选设为小于支承体160的高度的1/3。
[制造工艺]
使用图5～图12，对用于制造本实施方式的电子部件100的工艺的三个例子进行说明。
(第1例)
使用图5以及图6对电子部件100的制造工艺的第1例进行说明。制造工艺包含(a)～(g)的工序，在图5示出了(a)～(d)的工序，在图6示出了(e)～(g)的工序。
参照图5以及图6，在(a)的工序中，在压电性基板110上形成功能元件120、布线电极130以及端子电极150。功能元件120、布线电极130以及端子电极150例如通过如下方式来形成，即，在压电性基板110通过溅射形成铜等的金属膜，并对该金属膜实施图案化、蚀刻等处理。另外，虽然在图5中，布线电极130以及端子电极150被记载为独立的要素，但是布线电极130以及端子电极150也可以由相同材料形成为一体。在除端子电极150的部分以外的布线电极130以及功能元件120上层叠保护层140。
接着，在(b)的工序中，在端子电极150的上部以及功能元件120的周围形成支承体160。支承体160例如也可以通过在成为对象的位置层叠绝缘性树脂来形成。或者，在对支承体160使用负型的光固化性的感光性树脂材料的情况下，在通过(a)的工序形成的中间部件层压感光性树脂材料的片材，并对残存的部分照射光而使其曝光。然后，通过实施显影处理，从而形成支承体160。
在(c)的工序中，在支承体160上形成覆盖部190。由此，形成中空空间155。覆盖部190通过将形成为平板状的电介质层叠于支承体160而形成。或者，在对覆盖部190使用光固化性的感光性树脂材料的情况下，通过如下方式形成覆盖部190，即，在通过(b)的工序形成的中间部件层压平板状的感光性片材并进行曝光。
在(d)的工序中，使用激光在覆盖部190以及支承体160形成通孔165。在(d)的工序中，在支承体160形成通孔的情况下，如图7所示，在使激光光源200从铅垂方向的旋转轴CL1稍微倾斜的状态下，使激光一边旋转一边进行照射。通过这样的加工，通孔的靠近压电性基板110的一侧(即，通孔的底部侧)的直径变得比覆盖部190侧的直径大。激光具有高的直线前进性，因此通过这样的加工，在通孔的底部附近产生大致圆锥状的加工残余。其成为突起部180。即，在第1例中，突起部180由与支承体160相同的材料形成。
另外，在图7记载的加工方法中，覆盖部190的上表面部分处的通孔的直径会变小，因此在支承体160加工后，变更激光光源200的配置，并进行使覆盖部190的上表面的直径变得更大那样的加工。由此，形成如图5的(d)所示的通孔165。
然后，在图6的(e)的工序中，通过溅射在通孔165的内部以及覆盖部190的上表面形成晶种层175。
在(f)的工序中，实施电解镀敷，在通过(e)的工序形成的晶种层175上形成连接电极170。更具体地，在被实施镀敷的部分以外的区域，将抗蚀剂图案化，并在进行了镀敷处理之后，除去抗蚀剂以及该部分的晶种层。另外，在镀敷处理中，除角部等一部分部位以外，镀敷厚度变得大致相同，因此在连接电极170中的覆盖部190的上表面侧形成凹部172。
然后，在(g)的工序中，在连接电极170以及覆盖部190上层叠保护层195。由此，完成电子部件100。
像以上那样，通过执行图5以及图6中的(a)～(g)的工序，从而可形成具有图1所示的构造的电子部件100。
(第2例)
使用图8以及图9对电子部件100的制造工艺的第2例进行说明。制造工艺包含(a)～(g)的工序，在图8示出了(a)～(d)的工序，在图9示出了(e)～(g)的工序。另外，图9的(e)～(g)的工序与在第1例的图6中说明的工序相同，因此在第2例中主要对图8的(a)～(d)的工序进行说明。
参照图8，在(a)的工序中，通过与第1例的情况同样的方法，在压电性基板110上形成功能元件120、布线电极130以及端子电极150。
在(b)的工序中，使用感光性树脂材料形成支承体160。更详细地，首先，在通过(a)形成的中间部件层压感光性树脂材料的片材。然后，在形成支承体160的部分以外的区域进行掩模，并照射光而使其感光。因为使用了负型的感光性树脂材料，所以感光的部分固化。在显影处理中，仅残留感光的部分，除此以外的部分被显影液溶解而被除去。
此外，与此同时，对支承体160的形成通孔167的部分也实施掩模处理。此时，如图10所示，照射的光被掩模210的端部折射，通孔167的底部的中央附近通过该折射的光而感光。由此，在显影后，在通孔167的底部残存大致圆锥形的感光性树脂材料，其成为突起部180。即，在第2例中，突起部180由与支承体160相同的材料形成。
接着，在(c)的工序中，在通过(b)的工序形成的中间部件上层压感光性树脂材料的覆盖部190。然后，在(d)的工序中，通过与上述的(b)的工序相同的光学处理(photo-processing)，在覆盖部190中，在与支承体160的通孔167对应的位置形成通孔168。
此后，进行与在图6中说明的工序同样的工序，由此形成晶种层175、连接电极170、以及保护层195，完成电子部件100。
像以上那样，通过执行图8以及图9中的(a)～(g)的工序，从而可形成具有图1所示的构造的电子部件100。
(第3例)
使用图11以及图12对电子部件100的制造工艺的第3例进行说明。制造工艺包含(a)～(g)的工序，在图11示出了(a)～(d)的工序，在图12示出了(e)～(g)的工序。另外，图12的(e)～(g)的工序与在第1例的图6中说明的工序相同，因此在第3例中主要对图11的(a)～(d)的工序进行说明。
参照图11，在(a)的工序中，通过与第1例的情况同样的方法，在压电性基板110上形成功能元件120、布线电极130以及端子电极150。
在(b)的工序中，与第2例的(b)的工序同样地，使用感光性树脂材料形成支承体160。但是，在第3例的工序(b)中，通过曝光后的显影条件以及树脂残渣处理条件的优化，使得在通孔167内不残留支承体160的一部分。
在(c)的工序中，在通过(b)的工序形成的中间部件上层压感光性树脂材料的覆盖部190。此时，若在形成支承体160的部分，一边稍强地施加压力一边层压覆盖部190，则如图11的(c)所示，覆盖部190的与通孔167对应的部分成为向下方侧稍微下垂的状态。
在(d)的工序中，若以这样的状态进行光学处理，则在覆盖部190形成通孔168，并且像在图10中说明的那样，覆盖部190的下垂的部分的中央附近被感光而固化。然后，若在显影处理中除去未感光部分，则覆盖部190的上述的固化部分下落到端子电极150上，其成为突起部181。即，在第3例中，突起部180由与覆盖部190相同的材料形成。像这样，通过(d)的工序形成贯通覆盖部190以及支承体160的通孔，并且在该通孔的底部形成突起部181。
此后，进行与在图6中说明的工序同样的工序，由此形成晶种层175、连接电极170、以及保护层195，完成电子部件100。
像以上那样，通过执行图11以及图12中的(a)～(g)的工序，从而可形成具有图1所示的构造的电子部件100。
另外，虽然在上述的说明中以电子部件为表面弹性波(SAW)器件的情况为例进行了说明，但是只要是在部件内部形成中空空间并在该中空空间内配置功能元件的结构即可，对于SAW器件以外的电子部件，也能够应用本公开的构造。例如，也可以是体弹性波(Bulk Acoustic Wave：BAW)器件，还可以是形成了小型的传感器或致动器的MEMS器件。
应认为，此次公开的实施方式在所有的方面均为例示，而不是限制性的。本公开的范围不是由上述的实施方式的说明示出，而是由权利要求书示出，并意图包含与权利要求书等同的意思以及范围内的所有的变更。
附图标记说明
100：电子部件，110：基板，111：第1面，120：功能元件，130：布线电极，140、195：保护层，150：端子电极，155：中空空间，160：支承体，180、181：突起部，165、167、168：通孔，166：空隙，170：连接电极，171：引出部，172：凹部，175：晶种层，190：覆盖部，200：激光光源，210：掩模。

Claims (9)

1.一种电子部件，具备：
基板；
功能元件，形成在所述基板上；
第1电极，配置在所述基板上，并与所述功能元件电连接；
绝缘体的支承体，覆盖所述第1电极，并从所述基板突出；
覆盖部，与所述基板对置地配置，并被所述支承体支承；
第2电极，配置在形成于所述支承体以及所述覆盖部的贯通孔，并与所述第1电极电连接；以及
突起部，在所述贯通孔中形成在所述第1电极上，
由所述基板、所述支承体以及所述覆盖部形成中空空间，在所述中空空间配置有所述功能元件。
2.根据权利要求1所述的电子部件，其中，
所述第2电极通过镀敷处理来形成。
3.根据权利要求1或2所述的电子部件，其中，
所述突起部由绝缘体形成。
4.根据权利要求3所述的电子部件，其中，
所述突起部由所述支承体的材料形成。
5.根据权利要求3所述的电子部件，其中，
所述突起部由所述覆盖部的材料形成。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的电子部件，其中，
所述突起部的突出高度小于所述支承体的高度的1/3。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的电子部件，其中，
所述突起部形成在所述贯通孔的底部的中央部。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的电子部件，其中，
所述基板是压电性基板，
所述功能元件包含IDT电极，即，叉指换能器电极，
由所述压电性基板和所述IDT电极形成声表面波谐振器。
9.一种电子部件的制造方法，包含：
在基板上形成功能元件以及与所述功能元件电连接的第1电极的工序；
在所述基板上形成覆盖所述第1电极的支承体的工序；
与所述基板对置地配置覆盖部，由所述基板、所述支承体以及所述覆盖部形成中空空间的工序；
在所述覆盖部以及所述支承体形成贯通孔，并且在所述贯通孔中的所述第1电极上形成突起部的工序；以及
在所述贯通孔内形成与所述第1电极电连接的第2电极的工序。
CN202080078560.2A 2019-11-18 2020-11-09 电子部件以及电子部件的制造方法 Pending CN114731151A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-207808 2019-11-18
JP2019207808 2019-11-18
PCT/JP2020/041645 WO2021100504A1 (ja) 2019-11-18 2020-11-09 電子部品および電子部品の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114731151A true CN114731151A (zh) 2022-07-08

Family

ID=75981224

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080078560.2A Pending CN114731151A (zh) 2019-11-18 2020-11-09 电子部件以及电子部件的制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220278668A1 (zh)
CN (1) CN114731151A (zh)
WO (1) WO2021100504A1 (zh)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007096597A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
WO2009157587A1 (ja) * 2008-06-27 2009-12-30 京セラ株式会社 弾性波装置
JP5611682B2 (ja) * 2010-06-21 2014-10-22 京セラ株式会社 弾性波装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021100504A1 (ja) 2021-05-27
US20220278668A1 (en) 2022-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6603377B2 (ja) 弾性波装置および電子部品
JP5090471B2 (ja) 弾性波装置
JP2012084954A (ja) 弾性波素子とこれを用いた電子機器
JP6538379B2 (ja) 圧電デバイスとその製造方法
JP5591163B2 (ja) 弾性波装置およびその製造方法
JP5815365B2 (ja) 弾性波装置、電子部品および弾性波装置の製造方法
JP2014195312A (ja) 弾性波装置
JP5721500B2 (ja) 弾性波装置およびその製造方法
JP2012029134A (ja) 弾性波装置及びその製造方法
CN114731151A (zh) 电子部件以及电子部件的制造方法
JP5865698B2 (ja) 弾性波装置、電子部品および弾性波装置の製造方法
JP2017017730A (ja) 弾性波装置および回路基板
JP6542818B2 (ja) 弾性波装置およびその製造方法
KR100808760B1 (ko) 도통구멍 형성 방법, 및 압전 디바이스의 제조 방법, 및압전 디바이스
JP5883100B2 (ja) 弾性波装置およびその製造方法
JP2014222886A (ja) 弾性波装置および回路基板
KR102432301B1 (ko) 탄성파 장치
JP6093051B2 (ja) 弾性波装置およびその製造方法
WO2021100505A1 (ja) 電子部品および電子部品の製造方法
JP6646089B2 (ja) 弾性波装置および回路基板
JP4957539B2 (ja) 圧電振動片集合体および圧電振動片集合体の膜厚制御方法
JP6608882B2 (ja) 弾性波装置および回路基板
JP2015222978A (ja) 弾性波装置および回路基板
JP2004080771A (ja) 弾性表面波素子および弾性表面波装置およびその製造方法
JP2010040795A (ja) パッケージ構造体

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination