CN114720721A - 电容式加速度传感器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种电容式加速度传感器，包括衬底、锚定部、质量块和扭转部。所述衬底设置止挡结构，所述质量块包括与所述止挡结构对应设置的限位结构，且所述限位结构与所述止挡结构相互作用后产生弹性形变，使得所述质量块的任意一个端部朝向或远离所述衬底运动的过程中，所述限位结构与所述止挡结构相互作用后产生的弹性形变起到缓冲作用，有效避免粘连失效。

Description

电容式加速度传感器
技术领域
本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及电容式加速度传感器。
背景技术
z轴电容式加速度传感器采用翘板结构实现，其翘板两边分别设置不对称的质量块。在无外界信号时，运动极板与固定极板相对静止，翘板两边无电容变化，当对z方向施加加速度信号时，运动极板发生扭转，翘板两边的运动极板相对固定极板的运动方向相反，此时翘板两边的电容发生变化，可根据差动电容计算运动极板的位移量。但这种结构易发生极板粘连失效，对系统的可靠性产生影响。
因此，有必要开发新型的电容式加速度传感器解决现有技术中存在的上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新型的电容式加速度传感器，以避免发生粘连失效。
为实现上述目的，本发明的所述电容式加速度传感器包括：
衬底，设置有止挡结构；
锚定部，固定于所述衬底；
质量块和扭转部，所述质量块通过所述扭转部活动跨设于所述锚定部，使所述质量块的任意一个端部朝向或远离所述衬底运动，位于所述锚定部两侧的所述质量块之间具有质量差；
所述质量块包括限位结构，所述限位结构与所述止挡结构对应设置，所述限位结构与所述止挡结构相互作用后产生弹性形变。
本发明的所述电容式加速度传感器的有益效果在于：所述衬底设置止挡结构，所述质量块包括与所述止挡结构对应设置的限位结构，且所述限位结构与所述止挡结构相互作用后产生弹性形变，使得所述质量块的任意一个端部朝向或远离所述衬底运动的过程中，所述限位结构与所述止挡结构相互作用后产生的弹性形变起到缓冲作用，有效避免粘连失效。
优选的，所述限位结构包括N个子质量块，所述止挡结构包括N个子止挡结构，所述N个子质量块与所述N个子止挡结构对应设置，N为大于1的正整数。
进一步优选的，不同所述子质量块与相对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离不同。
进一步优选的，相邻两个所述子质量块中的一个所述子质量块悬设于另一个所述子质量块，使所述N个子质量块的顺次相互套设。
进一步优选的，所述N个子质量块中，第一个所述子质量块位于所述限位结构的中部，第N个所述子质量块与相对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离最大。
进一步优选的，所述N个子质量块中，位于中部的第一个所述子质量块与相对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离最小。
优选的，所述N个子质量块中，第一个所述子质量块至第N个子质量块与各自对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离顺次增加。
优选的，当所述N个子质量块的底面所在平面与所述衬底顶面所在平面平行，任意一个所述子质量块的底部与所述衬底顶面的垂直距离为h，所述子质量块的与相对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离为所述子质量块底面与相对应的所述子止挡结构顶面之间的垂直距离，第M个所述子质量块所对应的所述子止挡结构与所述锚定部之间的水平距离为Lm，当第M个所述子质量块的扭转角度为θm，且第M个所述子质量块与相对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离为Lm×tanθm，第M+1个所述子质量块与相对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离大于Lm+1×tanθm，且不大于Lm+1×tanθm+0.1h。
具体的，第M+1个所述子质量块与相对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离大于Lm+1×tanθm，能够控制第M个所述子质量块与相对应的所述子止挡结构发生接触时，所述第M+1个所述子质量块底面与相对应的所述子止挡结构顶面之间仍具有一定距离而不会发生接触，确保能够通过多个子质量块实现逐级缓冲作用。
具体的，若第M个所述子质量块与相对应的所述子止挡结构发生碰撞后的一定时间内，第M+1个所述子质量块尽管朝向相对应的所述子止挡结构运动，但仍未能发生接触，这种情况造成第M+1个所述子质量块与相对应的所述子止挡结构之间的位移量过大，很容易使前M个所述子质量块与相对应的所述止挡结构发生严重挤压，导致子质量块及其耦合结构损坏；此时大范围的可动距离也容易使第M+1个所述子质量块与相对应的所述止挡结构发生碰撞时造成结构损坏，增加失效风险，因此需要限定第M+1个所述子质量块与相对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离不大于Lm+1×tanθm+0.1h。
进一步优选的，h不超过2微米。
进一步优选的，所述子止挡结构包括凸起结构，所述子质量块与所述凸起结构对应设置，以发生相互作用。
进一步优选的，所述限位结构还包括连接相邻两个所述子质量块的耦合结构，使相邻两个所述子质量块中的一个所述子质量块悬设于另一个所述子质量块。
进一步优选的，相邻所述子质量块中，一个所述子质量块包括允许另一个所述子质量块穿过的镂空区域，另一个所述子质量块与所述镂空区域对应设置。
进一步优选的，所述耦合结构包括至少一个耦合梁。
进一步优选的，相邻两个所述子质量块之间的至少一个所述耦合梁位于任意一个所述子质量块的同一侧。
进一步优选的，相邻两个所述子质量块之间的所述至少一个耦合梁围绕一个所述子质量块的至少一部分设置。
优选的，所述限位结构设置于所述质量块的至少一个端部。
进一步优选的，所述衬底设置有电极，所述电极位于所述止挡结构和所述锚定部之间。
进一步优选的，所述电极的顶部低于所述止挡结构的底部。
进一步优选的，所述衬底包括位于所述止挡结构和所述锚定部之间的凹陷区域，所述电极设置于所述凹陷区域，使所述电极的顶部低于所述止挡结构的底部。
优选的，所述质量块的至少一个端部设置有偏心结构，以调节所述质量差。
附图说明
图1是本发明实施例的一种电容式加速度传感器的俯视图；
图2是图1所示的电容式加速度传感器沿C1C2方向的剖视图；
图3是本发明实施例的另一种电容式加速度传感器的俯视图；
图4是本发明实施例的限位结构与止挡结构的第一种工作状态示意图；
图5是本发明实施例的第一种限位结构的示意图；
图6是本发明实施例的第二种限位结构的示意图；
图7是本发明实施例的第三种限位结构的示意图；
图8是本发明实施例的限位结构与止挡结构的第二种工作状态示意图；
图9是本发明实施例的限位结构与止挡结构的第三种工作状态示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
本发明实施例提供了一种电容式加速度传感器，以避免发生粘连失效。
图1是本发明实施例的一种电容式加速度传感器的俯视图。图2是图1所示的电容式加速度传感器沿C1C2方向的剖视图。
参照图1和图2，图1所示的电容式加速度传感器包括质量块1、锚定部2、扭转部3和衬底4。所述锚定部2固定于所述衬底4。所述质量块1通过所述扭转部3活动跨设于所述锚定部2，位于所述锚定部2两侧的所述质量块1之间具有质量差。
一些实施例中，图1所示的电容式加速度传感器为Z轴电容式加速度传感器。
具体的，当沿Z轴方向，即图1所示的B方向施加加速度信号，所述质量块1以所述扭转部3为扭转轴发生扭转，使得所述质量块1的任意一个端部在所述扭转部3的带动下能够朝向或远离所述衬底4运动。所述质量块1的两端部相对所述衬底4的运动方向相反，所述质量块1两边的电容发生变化产生差动电容，根据差动电容就能够计算所述质量块的位移量。
一些实施例中，参照图1，所述扭转部3沿图1所示的A1方向或A2方向扭摆。
一些实施例中，所述质量块1的两端部的任意一个沿图1所示的B方向或B的反方向朝向或远离所述衬底4运动。图1所示的B方向为运动方向。
一些实施例中，参照图1和图2，所述衬底4设置有止挡结构7。所述质量块1包括限位结构5，所述限位结构5与所述止挡结构7对应设置，所述限位结构5与所述止挡结构7相互作用后产生弹性形变，能够起到缓冲作用，有效避免粘连失效。
图3为本发明实施例的另一种电容式加速度传感器的俯视图。
一些实施例中，所述限位结构5的数目至少为1，并设置于所述质量块1的至少一个端部。
一些实施例中，参照图1和图2，两个所述限位结构5设置在所述质量块1的两个端部，所述衬底4设置的所述止挡结构7与所述限位结构5一一对应设置。
一些实施例中，参照图1和图2，所述质量块1对称设置于所述锚定部2。
一些实施例中，参照图1和图2，设置在所述质量块1的两个端部的所述限位结构5对称设置。
一些实施例中，参照图3，所述质量块1不对称设置于所述锚定部2。
一些实施例中，参照图3，所述限位结构5设置在所述质量块1的一个端部。
一些实施例中，所述质量块1的至少一个端部设置有偏心结构，以调节质量差。
一些实施例中，所述偏心结构通过对所述质量块1进行刻蚀得到。
一些实施例中，参照图1和图2，若干刻蚀结构7组成的偏心结构设置于所述质量块1的一个端部，并围绕所述限位结构5设置。
一些实施例中，所述偏心结构在所述质量块1的设置区域以及设置方式可以根据工艺需求进行灵活调整，其目的以实现对质量差的调节要求为要。
一些实施例中，参照图1，所述衬底4设置有电极6，所述电极6位于所述止挡结构7和所述锚定部2之间。
一些实施例中，参照图1，所述电极6的顶部低于所述止挡结构7的底部，以有效防粘连。
一些实施例中，参照图1，所述衬底4包括位于所述止挡结构7和所述锚定部2之间的凹陷区域41，所述电极6设置于所述凹陷区域41，使所述电极6的顶部低于所述止挡结构7的底部。
一些实施例中，参照图1，所述衬底4的位于所述锚定部2两侧的表面均设置有所述电极6，每个所述电极6均位于所述止挡结构7和所述锚定部2之间。
一些实施例中，参照图1，所述衬底4的端部具有凸台42，所述止挡结构7设置于所述凸台42。
图4是本发明实施例的限位结构与止挡结构的第一种工作状态示意图。图5是本发明实施例的第一种限位结构的示意图。
一些实施例中，所述限位结构5包括N个子质量块，所述止挡结构7包括N个子止挡结构，所述N个子质量块沿运动方向与所述N个子止挡结构对应设置，N为大于1的正整数。N可以根据实际使用要求进行灵活选择。
一些实施例中，参照图4和图5，所述限位结构5包括第一子质量块51、第二子质量块52和第三子质量块53。所述凸台42设置有分别与所述第一子质量块51、所述第二子质量块52和所述第三子质量块53对应设置的第一子止挡结构71、第二子止挡结构72和第三子止挡结构73。
一些实施例中，不同所述子质量块与相对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离不同，所述自由运动距离为所述子质量块自静止状态起沿所述运动方向朝向相对应的所述子止挡结构运动直至发生接触所形成的距离。参照图4，以所述第三子质量块53为例，所述第三子质量块53自静止状态起沿图4所示的B方向朝向所述第三子止挡结构73运动H3距离后与所述第三子止挡结构73发生接触，H3距离即自由运动距离。所述第一子质量块51、所述第二子质量块52和所述第三子质量块53各自的自由运动距离H1、H2和H3互不相同。
一些实施例中，各所述子质量块距离对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离可以根据使用需求进行灵活调整。
一些实施例中，参照图4，所述第一子质量块51、所述第二子质量块52和所述第三子质量块53的底部相互齐平，所述第一子止挡结构71、所述第二子止挡结构72和所述第三子止挡结构73的高度互不相同，使得所述第一子质量块51、所述第二子质量块52和所述第三子质量块53各自的自由运动距离H1、H2和H3互不相同。
一些实施例中，若干所述子质量块中，相邻两个所述子质量块中的一个所述子质量块悬设于另一个所述子质量块，从而形成图5所示的各所述子质量块相互套设的结构。位于最外围的所述子质量块与对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离最大。
一些实施例中，若干相互套设的所述N个子质量块中，位于最外围的第N个所述子质量块与对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离最大，其余所述子质量块与对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离可以根据使用需求进行灵活调整。
一些实施例中，若干相互套设的所述子质量块中，位于最外围的所述子质量块与对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离最大，位于所述限位结构中部的第一个所述子质量块与对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离最小，其余所述子质量块与对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离可以根据使用需求进行灵活调整。
一些实施例中，相互套设的所述N个子质量块与相对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离顺次增加。参照图4，所述第一子质量块51、所述第二子质量块52和所述第三子质量块53各自的自由运动距离H1、H2和H3顺次增加，有利于实现逐级缓冲作用。
具体的，当施加沿B方向的加速度，所述限位结构5朝向所述凸台42运动的过程中，所述第一子质量块51、所述第二子质量块52和所述第三子质量块53同步运动。其中，所述第一子质量块51经H1的自由运动运动距离后与对应的所述第一子止挡结构71发生接触，然后继续运动并与所述第一子止挡结构71相互作用产生弹性形变以起到缓冲作用；若所述第二子质量块52接触对应的所述第二子止挡结构72后B方向的加速度仍存在，所述第二子质量块52继续运动并与所述第二子止挡结构72相互作用产生弹性形变来加强缓冲作用；若所述第三子质量块53接触对应的所述第三子止挡结构73后B方向的加速度仍存在，所述第三子质量块53与所述第三子止挡结构73发生相互作用产生弹性形变来进一步加强缓冲作用，从而通过多个子质量块实现了逐级缓冲作用。
一些实施例中，所述第一子质量块51、所述第二子质量块52和所述第三子质量块53均为弹性结构。
一些实施例中，所述限位结构5还包括连接相邻两个所述子质量块的耦合结构，使相邻两个所述子质量块中的一个所述子质量块悬设于另一个所述子质量块。参照图4，耦合结构54设置于所述第一子质量块51和所述第二子质量块52之间以使所述第一子质量块51悬设于所述第二子质量块52，以及设置于所述第二子质量块52和所述第三子质量块53之间以使所述第二子质量块52悬设于所述第三子质量块53。
一些实施例中，相邻所述子质量块中，一个所述子质量块沿所述运动方向与另一个所述子质量块的中部相对。参照图4和图5，所述第一子质量块51与所述第二子质量块52的中部相对；所述第二子质量块52与所述第三子质量块53的中部相对。
一些实施例中，根据工艺要求灵活设置相邻两个所述子质量块之间的距离以及连接所述相邻两个所述子质量块的所述耦合结构54的设置方式，以能够通过多个子质量块实现逐级缓冲作用为要。
一些实施例中，相邻所述子质量块中，一个所述子质量块包括允许另一个所述子质量块穿过的镂空区域，另一个所述子质量块与所述镂空区域对应设置。参照图4和图6，以相邻的所述第一子质量块51和所述第二子质量块52为例，所述第一子质量块51与所述第二子质量块52的中部相对，且所述第二子质量块52的中部包括允许所述第一子质量块51沿B的反方向穿过的镂空区域，使得所述第一子质量块51与对应的所述第一子止挡结构71发生相互作用的过程中，即使所述第一子质量块51沿B的反方向有位移发生，也不影响所述第二子止挡结构72对于对应的所述第二子质量块52的止挡作用。
一些实施例中，参照图4和图5，所述耦合结构54包括至少一个耦合梁541。
一些实施例中，所述至少一个耦合梁541的实现方式以及与所连接的所述子质量块之间的结构关系可根据使用需求进行灵活调整，以所述子质量块与对应的所述子止挡结构发生相互作用后，所述子质量块和其所连接的所述至少一个耦合梁541形成的组合结构能够发生弹性形变为要。
一些实施例中，所述子质量块和所述耦合梁541均为弹性结构。
一些实施例中，所述子质量块为刚性结构，所连接的所述耦合梁541为弹性结构。
一些实施例中，所述子质量块和所述耦合梁541均为刚性结构。
一些实施例中，相邻两个所述子质量块之间的至少一个所述耦合梁位于任意一个所述子质量块的同一侧。参照图5，以相邻的所述第二子质量块52和所述第三子质量块53为例，连接所述第二子质量块52和所述第三子质量块53的若干所述耦合梁541位于所述第二子质量块52的同一侧，也位于所述第三子质量块53的同一侧。
图6是本发明实施例的第二种限位结构的示意图；图7是本发明实施例的第三种限位结构的示意图。
一些实施例中，相邻两个所述子质量块之间的所述至少一个耦合梁围绕一个所述子质量块的至少一部分设置。参照图6和图7，以相邻的所述第二子质量块52和所述第三子质量块53为例，连接所述第二子质量块52和所述第三子质量块53的若干所述耦合梁541分别自所述第二子质量块52的不同部位围绕所述第二子质量块52的一部分结构并分别连接于所述第三子质量块53的不同部位。
一些实施例中，当所述N个子质量块相对所述电容式加速度传感器所放置的水平面处于静止状态，且底面所在平面与所述衬底顶面所在平面平行，任意一个所述子质量块的底面与所述衬底顶面的垂直距离为h，所述子质量块的与相对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离为所述子质量块底面与相对应的所述子止挡结构顶面之间的垂直距离，第M个所述子质量块所对应的所述子止挡结构与所述锚定部之间的水平距离为Lm，当第M个所述子质量块的扭转角度为θm，且第M个所述子质量块与相对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离为Lm×tanθm，第M+1个所述子质量块与相对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离大于Lm+1×tanθm，且不大于Lm+1×tanθm+0.1h。
具体的，第M+1个所述子质量块与相对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离大于Lm+1×tanθm，能够控制第M个所述子质量块与相对应的所述子止挡结构发生接触时，所述第M+1个所述子质量块底面与相对应的所述子止挡结构顶面之间仍具有一定距离而不会发生接触，确保能够通过多个子质量块实现逐级缓冲作用。
具体的，若第M个所述子质量块与相对应的所述子止挡结构发生碰撞后的一定时间内，第M+1个所述子质量块尽管朝向相对应的所述子止挡结构运动，但仍未能发生接触，这种情况造成第M+1个所述子质量块与相对应的所述子止挡结构之间的位移量过大，很容易使前M个所述子质量块与相对应的所述止挡结构发生严重挤压，导致子质量块及其耦合结构损坏；此时大范围的可动距离也容易使第M+1个所述子质量块与相对应的所述止挡结构发生碰撞时造成结构损坏，增加失效风险，因此需要限定第M+1个所述子质量块与相对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离不大于Lm+1×tanθm+0.1h。
一些实施例中，h不超过2微米。
图8是本发明实施例的限位结构与止挡结构的第二种工作状态示意图。图9是本发明实施例的限位结构与止挡结构的第三种工作状态示意图。
参照图4，图8和图9，当所述第一子质量块51、所述第二子质量块52和所述第三子质量块53均处于非工作状态，三者底部齐平，使得三个子质量块中的任意一个底部与所述衬底(图中未标示)顶面，具体为所述凸台42顶面的距离为h。当所述第一子质量块51与对应的所述第一子止挡结构71相接触，连接所述第一子质量块51的耦合梁(图中未标示)未发生弯折。当所述第一子质量块51、所述第二子质量块52和所述第三子质量块53整体发生扭转，使得相较于水平位置的扭转角度为θ1，所述第一子止挡结构71、所述第二子止挡结构72和所述第三子止挡结构73分别与所述锚定部(图中未标示)锚点的距离为L1、L2和L3，则H1＝L1×tanθ1；H2不小于L2×tanθ1，且不大于L2×tanθ1+0.1h。
进一步的，所述第二子质量块52继续运动至接触对应的所述第二子止挡结构72，此时连接所述第一子质量块51和所述第二子质量块52的耦合梁(图中未标示)发生弯折，且所述第一子质量块51、所述第二子质量块52和所述第三子质量块53整体发生扭转使得相较于水平位置的扭转角度为θ2，则H2＝L2×tanθ2；H3不小于L3×tanθ2，且不大于L3×tanθ2+0.1h。
一些具体的实施例中，H1＝L1tanθ1，H2＝L2tanθ1+0.1H1，H3＝L3tanθ2+0.1H2。
虽然在上文中详细说明了本发明的实施方式，但是对于本领域的技术人员来说显而易见的是，能够对这些实施方式进行各种修改和变化。但是，应理解，这种修改和变化都属于权利要求书中所述的本发明的范围和精神之内。而且，在此说明的本发明可有其它的实施方式，并且可通过多种方式实施或实现。

Claims (18)

1.一种电容式加速度传感器，其特征在于，包括：
衬底，设置有止挡结构；
锚定部，固定于所述衬底；
质量块和扭转部，所述质量块通过所述扭转部活动跨设于所述锚定部，使所述质量块的任意一个端部能够朝向或远离所述衬底运动，位于所述锚定部两侧的所述质量块之间具有质量差；
所述质量块包括限位结构，所述限位结构与所述止挡结构对应设置，所述限位结构与所述止挡结构相互作用后产生弹性形变。
2.根据权利要求1所述的电容式加速度传感器，其特征在于，所述限位结构包括N个子质量块，所述止挡结构包括N个子止挡结构，所述N个子质量块与所述N个子止挡结构一一对应设置，N为大于1的正整数。
3.根据权利要求2所述的电容式加速度传感器，其特征在于，不同所述子质量块与相对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离不同。
4.根据权利要求3所述的电容式加速度传感器，其特征在于，相邻两个所述子质量块中的一个所述子质量块悬设于另一个所述子质量块，使所述N个子质量块的顺次相互套设。
5.根据权利要求4所述的电容式加速度传感器，其特征在于，所述N个子质量块中，第一个所述子质量块位于所述限位结构的中部，第N个所述子质量块与相对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离最大。
6.根据权利要求5所述的电容式加速度传感器，其特征在于，所述N个子质量块中，位于中部的第一个所述子质量块与相对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离最小。
7.根据权利要求3所述的电容式加速度传感器，其特征在于，当所述N个子质量块的底面所在平面与所述衬底顶面所在平面平行，任意一个所述子质量块的底面与所述衬底顶面的垂直距离为h，所述子质量块的与相对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离为所述子质量块底面与相对应的所述子止挡结构顶面之间的垂直距离，第M个所述子质量块所对应的所述子止挡结构与所述锚定部之间的水平距离为Lm，当第M个所述子质量块的扭转角度为θm，且第M个所述子质量块与相对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离为Lm×tanθm，第M+1个所述子质量块与相对应的所述子止挡结构之间的自由运动距离大于Lm+1×tanθm，且不大于Lm+1×tanθm+0.1h。
8.根据权利要求2所述的电容式加速度传感器，其特征在于，所述子止挡结构包括凸起结构，所述子质量块与所述凸起结构对应设置，以发生相互作用。
9.根据权利要求4所述的电容式加速度传感器，其特征在于，所述限位结构还包括连接相邻两个所述子质量块的耦合结构，使相邻两个所述子质量块中的一个所述子质量块悬设于另一个所述子质量块。
10.根据权利要求9所述的电容式加速度传感器，其特征在于，相邻所述子质量块中，一个所述子质量块包括允许另一个所述子质量块穿过的镂空区域，另一个所述子质量块与所述镂空区域对应设置。
11.根据权利要求9所述的电容式加速度传感器，其特征在于，所述耦合结构包括至少一个耦合梁。
12.根据权利要求11所述的电容式加速度传感器，其特征在于，相邻两个所述子质量块之间的至少一个所述耦合梁位于任意一个所述子质量块的同一侧。
13.根据权利要求11所述的电容式加速度传感器，其特征在于，相邻两个所述子质量块之间的所述至少一个耦合梁围绕一个所述子质量块的至少一部分设置。
14.根据权利要求1所述的电容式加速度传感器，其特征在于，所述限位结构设置于所述质量块的至少一个端部。
15.根据权利要求14所述的电容式加速度传感器，其特征在于，所述衬底设置有电极，所述电极位于所述止挡结构和所述锚定部之间。
16.根据权利要求15所述的电容式加速度传感器，其特征在于，所述电极的顶部低于所述止挡结构的底部。
17.根据权利要求16所述的电容式加速度传感器，其特征在于，所述衬底包括位于所述止挡结构和所述锚定部之间的凹陷区域，所述电极设置于所述凹陷区域，使所述电极的顶部低于所述止挡结构的底部。
18.根据权利要求1所述的电容式加速度传感器，其特征在于，所述质量块的至少一个端部设置有偏心结构，以调节所述质量差。
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