CN114716265B - 一种导电陶瓷膜及其制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明属于污水处理技术领域，具体涉及一种导电陶瓷膜及其制备方法和应用。本发明提供了一种导电陶瓷膜，包括依次层叠设置的基体和导电膜层；所述导电膜层的材料包括锑掺杂二氧化锡、氧化铜和氧化锌。本发明以锑掺杂二氧化锡作为导电填料，通过添加氧化铜和氧化锌，能够进一步抑制锑掺杂二氧化锡导电层颗粒的团聚，进一步提高导电陶瓷膜的导电性能和耐腐蚀性能。

Description

一种导电陶瓷膜及其制备方法和应用
技术领域
本发明属于污水处理技术领域，具体涉及一种导电陶瓷膜及其制备方法和应用。
背景技术
乳化废液是一种来源广泛、浓度高且危害大的一类多相体系溶液。其水质成分复杂、含油量大以及COD浓度高，对生态环境和人体健康存在着较大隐患。生化法由于其处理量大、耐负荷强和运行成本低等优点是作为工业废水处理工艺的首选。然而，乳化废液由于体系稳定，溶解态的乳化油含量较高，可生化性极差，生化处理前须经过预处理手段对乳化液进行破乳和除油。
在传统技术中，通常采用无机膜分离技术处理乳化废液等含油废水。但是，随着膜应用周期的延长，膜污染引起的通量下降、成本升高以及膜运行寿命周期大幅缩短的问题严重制约着膜分离技术的推广应用。为解决膜污染的问题，基于膜材料表面润湿性、荷电性的改性以及膜技术与电化学、臭氧氧化、光催化的偶联工艺研究越来越深入。这其中，电化学提供的电场在辅助膜分离技术上具有抗污效果好、污染物处理能力强的优点，呈现出快速发展的趋势。
目前常采用不锈钢板和传统陶瓷膜结合制备得到导电陶瓷膜，但是上述得到的导电陶瓷膜的导电性能和耐腐蚀性能较差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种导电陶瓷膜，本发明提供的导电陶瓷膜具备优异的导电性和耐腐蚀性。
为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
本发明提供了一种导电陶瓷膜，包括依次层叠设置的基体和导电膜层；
所述导电膜的材料包括锑掺杂二氧化锡、氧化铜和氧化锌。
优选的，所述锑掺杂二氧化锡、氧化铜和氧化锌的质量比为(50～60)：1：(1～1.3)。
优选的，所述基体和导电膜层之间还包括中间过渡层；
所述中间过渡层的材料包括第一锑掺杂二氧化锡和氧化锆。
优选的，所述第一锑掺杂二氧化锡和氧化锆的质量比为4～6：1。
本发明还提供了上述技术方案所述的导电陶瓷膜的制备方法，包括以下步骤：
将锡盐、锑盐、氧化锌、氧化铜和极性有机溶剂混合，得到前驱体浆料；
在基体表面涂覆所述前驱体浆料后，煅烧，得到所述导电陶瓷膜。
优选的，所述锡盐和锑盐的摩尔比为8.5～10：1；
所述氧化锌的质量为所述锡盐和锑盐总质量的1.5％～3％；
所述氧化铜和氧化锌的质量比为1：1～1.3；
所述前驱体浆料中锡盐的摩尔浓度为0.2～0.5mol/L。
优选的，所述煅烧包括依次进行的一级煅烧、二级煅烧和三级煅烧；
所述一级煅烧的温度为50～250℃，保温时间为20～40min；
所述二级煅烧的温度为250～500℃，保温时间为50～70min；
所述三级煅烧的温度为500～800℃，保温时间为100～130min。
优选的，将所述前驱体浆料在基体表面进行涂覆前，还包括在所述基体表面制备中间过渡层；
所述中间过渡层的制备方法包括以下步骤：
将第一锡盐、第一锑盐、氧化锆和第一极性有机溶剂进行混合，得到混合浆料；
在基体表面涂覆所述混合浆料后，经高温处理，得到所述中间过渡层。
优选的，所述第一锡盐和第一锑盐的摩尔比为8.5～10：1；
所述氧化锆的质量为所述第一锡盐和第一锑盐总质量的15％～25％；
所述混合浆料中第一锡盐的摩尔浓度为0.2～0.5mol/L；
所述高温处理的温度为650～800℃，保温时间为110～130min。
本发明还提供了上述技术方案所述的导电陶瓷膜或上述技术方案所述的制备方法制备得到的导电陶瓷膜在污水处理中的应用。
本发明提供了一种导电陶瓷膜，包括依次层叠设置的基体和导电膜层；所述导电膜层的材料包括锑掺杂二氧化锡、氧化铜和氧化锌。本发明以锑掺杂二氧化锡作为导电填料，通过添加氧化铜和氧化锌，能够进一步抑制掺杂二氧化锡导电填料的团聚，进一步提高导电陶瓷膜的导电性能和耐腐蚀性能。
附图说明
图1为实施例1中Al2O3基平板陶瓷膜的SEM图；
图2为实施例1得到的导电陶瓷膜的SEM图；
图3为实施例2中SiC基平板陶瓷膜的膜孔径测试结果；
图4为实施例2得到的导电陶瓷膜的膜孔径测试结果；
图5为实施例1和2得到的导电陶瓷膜线性伏安曲线测试结果；
图6为实施例1和2得到的导电陶瓷膜Tafel极化曲线测试结果。
具体实施方式
本发明提供了一种导电陶瓷膜，包括依次层叠设置的基体和导电膜层；
所述导电膜层的材料包括锑掺杂二氧化锡、氧化铜和氧化锌。
在本发明中，所述锑掺杂二氧化锡中锡元素和锑元素的摩尔比优选8.5～10：1，进一步优选为8.8～9.8：1，更优选为9.0～9.5：1。
在本发明中，所述氧化铜的粒径优选为10～30nm，进一步优选为12～28nm，更优选为15～25nm。在本发明中，所述氧化锌的粒径优选为10～30nm，进一步优选为12～28nm，更优选为15～25nm。在本发明中，所述锑掺杂二氧化锡、氧化铜和氧化锌的质量比优选为(50～60)：1：(1～1.3)，进一步优选为(52～58)：1：(1.1～1.2)，更优选为(53～55)：1：(1.1～1.2)。
在本发明中，所述基体优选为多孔平板陶瓷膜，进一步优选为Al2O3基平板陶瓷膜、SiC基平板陶瓷膜或ZrO2基平板陶瓷膜。在本发明中，所述基体的孔径优选为1.5～2μm，进一步优选为1.6～1.9μm，更优选为1.7～1.8μm。
在本发明中，所述基体和导电膜层之间还优选包括中间过渡层。在本发明中，所述中间过渡层的材料优选包括第一锑掺杂二氧化锡和氧化锆。
在本发明中，对所述第一锑掺杂二氧化锡的限定优选和所述导电膜层中对所述锑掺杂二氧化锡的限定相同，在此不再进行赘述。在本发明中，所述氧化锆的粒径优选为10～30nm，进一步优选为12～28nm，更优选为15～25nm。在本发明中，所述第一锑掺杂二氧化锡和氧化锆的质量比优选为4～6：1，进一步优选为5：1。
在本发明中，所述导电膜层的厚度优选为100～500nm，进一步优选为150～450nm，更优选为200～400nm；膜面积优选为0.01～1m2，进一步优选为0.05～0.9m2，更优选为0.1～0.8m2。
在本发明中，所述导电陶瓷膜的孔径优选为0.1～1.0μm，进一步优选为0.2～0.8μm，更优选为0.3～0.6μm。在本发明中，所述导电陶瓷膜的方块电阻值优选为35～42Ω/□，进一步优选为36～40Ω/□。
本发明还提供了上述技术方案所述的导电陶瓷膜的制备方法，包括以下步骤：
将锡盐、锑盐、氧化锌、氧化铜和极性有机溶剂混合，得到前驱体浆料；
在基体表面涂覆所述前驱体浆料后，煅烧，得到所述导电陶瓷膜。
在本发明中，若无特殊说明，所有原料均为本领域技术人员熟知的市售产品。
本发明将锡盐、锑盐、氧化锌、氧化铜和极性有机溶剂混合，得到前驱体浆料。
在本发明中，所述极性有机溶剂优选包括乙二醇、松油醇、乙基纤维素和蓖麻油中的一种或几种。
在本发明中，所述锡盐优选包括SnCl2·2H2O和/或SnCl4；当所述锡盐为SnCl2·2H2O和SnCl4时，本发明对两者的比例没有特殊的限定，按照任意比例混合均可。在本发明中，所述锑盐优选包括SbCl3和/或SbCl5；当所述锑盐为SbCl3和SbCl5时，本发明对两者的比例没有特殊的限定，按照任意比例混合均可。
在本发明中，所述氧化铜的粒径优选为10～30nm，进一步优选为12～28nm，更优选为15～25nm。在本发明中，所述氧化锌的粒径优选为为10～30nm，进一步优选为12～28nm，更优选为15～25nm。
在本发明中，所述锡盐和锑盐的摩尔比优选为8.5～10：1，进一步优选为8.8～9.8：1，更优选为9.0～9.5：1。在本发明中，所述氧化锌的质量优选为所述锡盐和锑盐总质量的1.5％～3％，进一步优选为1.8％～2.8％，更优选为2.0％～2.5％。在本发明中，所述氧化铜和氧化锌的质量比优选为1：1～1.3，进一步优选为1：1.1～1.2。在本发明中，所述前驱体浆料中锡盐的摩尔浓度优选为0.2～0.5mol/L，进一步优选为0.3～0.4mol/L。
在本发明中，所述前驱体浆料的pH值优选为4～6，进一步优选为5；当所述前驱体浆料的pH值不在上述范围内时，优选通过pH调节剂进行调节；所述pH调节剂优选为盐酸溶液；所述盐酸溶液的浓度优选为0.08～0.1mol/L，进一步优选为0.09mol/L。
在本发明中，所述混合的温度优选为40℃。本发明对所述混合的过程没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的过程进行即可。在本发明中，所述混合优选在带有磁力搅拌器的水浴锅中进行。
得到所述前驱体浆料后，本发明将所述前驱体浆料在基体表面涂覆所述前驱体浆料后，煅烧，得到所述导电陶瓷膜。
进行所述涂覆前，本发明还优选包括对所述基体进行预处理；所述预处理优选包括依次进行的清洗、浸泡和干燥。在本发明中，所述清洗优选包括依次采用氢氧化钠溶液和水进行清洗。在本发明中，所述氢氧化钠溶液的浓度优选为0.1mol/L。本发明对所述清洗的过程没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的过程进行即可。在本发明中，所述浸泡采用的试剂优选为乙醇；所述浸泡的时间优选为30min。在本发明中，所述干燥的方式优选为真空干燥，所述真空干燥的温度优选为75～90℃，进一步优选为78～88℃，更优选为80～85℃；时间优选为30～120min，进一步优选为40～110min，更优选为50～100min。在本发明中，所述预处理能够去除基体表面的油污和杂质。
在本发明中，所述前驱体浆料的涂覆方式优选为喷雾热解；所述喷雾热解的过程优选包括以下步骤：将基体置于电阻炉上进行预热，采用红外测温仪实时监控表面温度，然后将所述前驱体浆料喷涂于所述基体的表面。在本发明中，所说预热的温度优选为380～420℃，进一步优选为390～410℃，更优选为400～405℃。在本发明中，所述喷涂的喷涂量优选为0.3～0.6mL/cm2，进一步优选为0.35～0.55mL/cm2，更优选为0.4～0.5mL/cm2。
在本发明中，所述煅烧优选包括依次进行的一级煅烧、二级煅烧和三级煅烧。在本发明中，所述一级煅烧的温度优选为50～250℃，进一步优选为80～230℃，更优选为100～200℃；时间优选为20～40min，进一步优选为25～35min，更优选为28～30min；升温至所述一级煅烧温度的升温速率优选为2℃/min。在本发明中，所述二级煅烧的温度优选为250～500℃，进一步优选为280～480℃，更优选为300～450℃；时间优选为50～70min，进一步优选为55～65min，更优选为58～60min；升温至所述二级煅烧温度的升温速率优选为2℃/min。在本发明中，所述三级煅烧的温度优选为500～800℃，进一步优选为550～750℃，更优选为600～700℃；时间优选为100～130min，进一步优选为110～125min，更优选为115～120min；升温至所述三级煅烧温度的升温速率优选为3℃/min。在本发明中，所述煅烧优选在马弗炉中进行。
在本发明中，通过分步煅烧能够使涂层结合更加稳定，实现不同热膨胀系数材料间的结合和固化。
所述煅烧完成后，本发明还优选包括对得到的产物进行冷却处理；所述冷却处理包括依次进行随炉降温和自然冷却。在本发明中，所述随炉降温的降温速率优选为2℃/min；所述随炉降温后的温度优选为200℃。在本发明中，所述自然冷却后的温度优选为室温。本发明对所述自然冷却的过程没有特殊的要求，采用本领域技术人员熟知的即可。
作为本发明的另一个技术方案，在基体表面涂覆所述前驱体浆料前，还优选包括在所述基体表面制备中间过渡层，所述中间过渡层的制备方法优选包括以下步骤：
将第一锡盐、第一锑盐、氧化锆和第一极性有机溶剂进行混合，得到混合浆料；
在基体表面涂覆所述混合浆料后，经高温处理，得到所述中间过渡层。
本发明将第一锡盐、第一锑盐、氧化锆和第一极性有机溶剂进行混合，得到混合浆料。
在本发明中，所述第一极性有机溶剂优选包括乙二醇、松油醇、乙基纤维素和蓖麻油中的一种或几种。
在本发明中，所述锡盐优选包括SnCl2·2H2O和/或SnCl4；当所述锡盐为SnCl2·2H2O和SnCl4时，本发明对两者的比例没有特殊的限定，按照任意比例混合均可。在本发明中，所述锑盐优选包括SbCl3和/或SbCl5；当所述锑盐为SbCl3和SbCl5时，本发明对两者的比例没有特殊的限定，按照任意比例混合均可。
在本发明中，所述第一锡盐和第一锑盐的摩尔比优选为8.5～10：1，进一步优选为8.8～9.8：1，更优选为9.0～9.5：1。在本发明中，所述氧化锆的质量优选为所述第一锡盐和第一锑盐总质量的15％～25％，进一步优选为17％～23％，更优选为18％～20％。在本发明中，所述混合浆料中第一锡盐的摩尔浓度为0.2～0.5mol/L，进一步优选为0.3～0.4mol/L。
在本发明中，所述混合的温度优选为40℃。本发明对所述混合的过程没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的过程进行即可。在本发明中，所述混合优选在带有磁力搅拌器的水浴锅中进行。
得到所述混合浆料后，本发明在基体表面涂覆所述混合浆料后，经高温处理，得到所述中间过渡层。
在本发明中，所述涂覆的方式优选为浸渍；所述浸渍的过程优选包括以下步骤：将所述基体放入所述混合浆料中浸泡，浸泡完成后，向浸泡有基体的混合浆料中加氨水进行碱化反应，得到浸渍有混合浆料的基体。
在本发明中，所述浸泡的时间优选为4～8h，进一步优选为5～7h，更优选为6h。
在本发明中，所述氨水的质量浓度优选为24％。本发明对所述氨水的添加量没有特殊的限定，只要能够将所述混合浆料的pH值调整为9～10即可。
在本发明中，所述碱化反应的温度优选为50～70℃，进一步优选为55～65℃，更优选为60℃；时间优选为1～3h，进一步优选为1.2～2.8h，更优选为1.5～2.5h。在本发明中，所述浸泡和碱化反应均优选在密闭环境中进行。在上述过程中，所述锡盐和锑盐在碱性条件下发生原位水解，在所述基体的膜孔以及表面发生结晶生成沉淀。
在本发明中，所述高温处理的温度优选为650～800℃，进一步优选为700～750℃，更优选为720～730℃；时间优选为110～130min，进一步优选为115～125min，更优选为118～120min；升温至所述高温处理的温度的升温速度优选为2℃/min。在本发明中，所述高温处理优选在马弗炉中进行。
所述高温处理完成后，本发明还优选包括对得到的含有中间过渡层的基体依次进行冷却、清洗和干燥。
本发明对所述冷却的过程没有特殊的要求，采用本领域技术人员熟知的即可。在本发明中，所述清洗优选采用去离子水进行清洗。本发明对所述清洗的过程没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知即可。本发明对所述干燥的过程没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的即可。
在上述过程中，通过高温处理在基体表面形成中间过渡层，其中的氧化锆能够调节中间过渡层和基体之间的热膨胀系数，平衡基体和中间过渡层之间的结合力，并且能够进一步提高最外层导电膜和基体的结合稳定性，提高导电陶瓷膜的导电性能和耐腐蚀性。
本发明还提供了上述技术方案所述的导电陶瓷膜或上述制备方法制备得到的导电陶瓷膜在污水处理中的应用。本发明对所述应用的具体实施方式没有特殊的要求，采用本领域技术人员熟知的即可。
为了进一步说明本发明，下面结合附图和实施例对本发明提供的一种导电陶瓷膜及其制备方法和应用进行详细地描述，但不能将它们理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
将Al2O3基平板陶瓷膜(孔径为1.5μm，纯水通量为650L·m-2·h-1)依次在0.1mol/L的氢氧化钠溶液和水中进行清洗，在乙醇溶液中浸泡30min，然后放入真空干燥箱中，在70℃下干燥1h得到预处理的基体；
将90g SnCl2·2H2O、10g SbCl3、1.0g氧化锌、1.0g氧化铜和100mL乙二醇，在温度为40下进行搅拌混合，调节pH值为5，得到前驱体浆料；
将预处理的基体置于电炉上加热至表面温度为400℃，采用红外测温仪实时监控表面温度，将前驱体浆料喷涂至基体表面，喷涂量为0.45mL/cm2，喷涂完成后，置于马弗炉中进行煅烧，煅烧的程序为：以2℃/min的升温速度从室温升到200℃，保温30min；以2℃/min的升温速度升到400℃，保温60min；以3℃/min的升温速度升到800℃，保温120min；然后以2℃/min的降温速度降至200℃，关闭马弗炉，冷却得到导电陶瓷膜；
本实施例得到的导电陶瓷膜包括依次层叠设置的基体和导电膜层。
实施例2
将SiC基平板陶瓷膜(孔径为2.0μm，纯水通量为980L·m-2·h-1)依次在0.1mol/L的氢氧化钠溶液和水中进行清洗，在乙醇溶液中浸泡30min，然后放入真空干燥箱中，在70℃下干燥1h得到预处理的基体；
将85g SnCl2·2H2O、10g SbCl3、15g氧化锆和100mL乙二醇，温度为40℃下进行搅拌混合，得到混合浆料；
将90g SnCl2·2H2O、10g SbCl3、1.0g氧化锌、1.0g氧化铜和100mL乙二醇，在温度为40℃下进行搅拌混合，调节pH值为5，得到前驱体浆料；
在密闭环境下，将预处理的基体在所述混合浆料中浸泡14h，加入氨水将混合浆料的pH值调节到10，在50℃下进行碱化反应1h，反应完成后置于马弗炉中，以2℃/min的升温速度升到800℃，保温120min，得到含有中间过渡层的基体；
将含有中间过渡层的基体置于电炉上加热至表面温度为400℃，采用红外测温仪实时监控表面温度，将前驱体浆料喷涂至中间过渡层的表面，喷涂量为0.45mL/cm2，喷涂完成后，置于马弗炉中进行煅烧，煅烧的程序为：以2℃/min的升温速度从室温升到200℃，保温30min；以2℃/min的升温速度升到400℃，保温60min；以3℃/min的升温速度升到800℃，保温120min；然后以2℃/min的降温速度降至200℃，关闭马弗炉，冷却得到导电陶瓷膜；
本实施例得到的导电陶瓷膜包括依次层叠设置的基体、中间过渡层和导电膜层。
性能测试
测试例1
对实施例1和2得到的导电陶瓷膜的方块电阻和纯水通量进行测试；其中，方块电阻采用四探针法进行方块电阻的测试。
测试结果如表1所示。
表1实施例1和2得到的导电陶瓷膜的方块电阻和纯水通量的测试结果
方块电阻(Ω/□) 纯水通量(L·m<sup>-2</sup>·h<sup>-1</sup>)
实施例1 35 525
实施例2 42 802
从表1可以看出，本发明得到的导电陶瓷膜具有优异的导电性能；且纯水通量为525和802L·m-2·h-1，相比于基体膜仅衰减了19.2％和18.2％。
测试例2
对实施例1得到的导电陶瓷膜和Al2O3基平板陶瓷膜的表面和断面进行扫描电镜测试，测试结果如图1和图2所示，其中图1为Al2O3基平板陶瓷膜的SEM图，图2为导电陶瓷膜的SEM图。从图1和图2可以看出，未经过处理的Al2O3基平板陶瓷膜的表面较粗糙，而负载了导电膜层后，表面的平整度和致密性增加。从断面可以看出导电膜层渗入得到基体膜的孔隙内部，提高了基体膜的结合强度；并且导电膜层中含有错综复杂的孔道，形成晶界网络，进而形成导电陶瓷膜的过滤孔道。
测试例3
对实施例2得到的SiC基平板陶瓷膜和导电陶瓷膜的膜孔径进行测试，测试结果如图3和图4所示，其中图3为SiC基平板陶瓷膜的膜孔径测试结果，图4为导电陶瓷膜的膜孔径测试结果，从图3可以看出，SiC基平板陶瓷膜作为典型的非对称平板陶瓷膜，包括支撑层、中间层和分离层，每层的孔径分布对应于图2中的A1、A2和A3。从图4可以看出，通过对分离层进行改性处理后(即本发明得到的导电陶瓷膜)，膜分离层(A3)的分布逐渐向右偏移，由1～3μm降低至1μm以下。
测试例4
对实施例1和2得到的导电陶瓷膜进行线性伏安曲线测试，测试结果如图5所示，从图5可以看出，实施例1得到的导电陶瓷膜的析氧电势为0.74V，实施例2得到的导电陶瓷膜的析氧电势为0.86V，表明本发明得到的导电陶瓷膜具有良好的电催化能力。
测试例5
对实施例1和2得到的导电陶瓷膜进行Tafel极化曲线测试，测试结果如图6所示，根据图6可以看出在本发明得到的导电陶瓷膜电极的腐蚀电位向正向移动，具有良好的耐腐蚀性能。
尽管上述实施例对本发明做出了详尽的描述，但它仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部实施例，还可以根据本实施例在不经创造性前提下获得其他实施例，这些实施例都属于本发明保护范围。

Claims (9)

1.一种导电陶瓷膜，其特征在于，包括依次层叠设置的基体和导电膜层；
所述导电膜层的材料包括锑掺杂二氧化锡、氧化铜和氧化锌；
所述导电陶瓷膜的制备方法，包括以下步骤：
将锡盐、锑盐、氧化锌、氧化铜和极性有机溶剂混合，得到前驱体浆料；
在基体表面涂覆所述前驱体浆料后，煅烧，得到所述导电陶瓷膜；
所述煅烧包括依次进行的一级煅烧、二级煅烧和三级煅烧；
所述一级煅烧的温度为50～250℃，保温时间为20～40min；
所述二级煅烧的温度为250～500℃，保温时间为50～70min；
所述三级煅烧的温度为500～800℃，保温时间为100～130min。
2.根据权利要求1所述的导电陶瓷膜，其特征在于，所述锑掺杂二氧化锡、氧化铜和氧化锌的质量比为(50～60)：1：(1～1.3)。
3.根据权利要求1所述的导电陶瓷膜，其特征在于，所述基体和导电膜层之间还包括中间过渡层；
所述中间过渡层的材料包括第一锑掺杂二氧化锡和氧化锆。
4.根据权利要求3所述的导电陶瓷膜，其特征在于，所述第一锑掺杂二氧化锡和氧化锆的质量比为4～6：1。
5.权利要求1或2所述的导电陶瓷膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将锡盐、锑盐、氧化锌、氧化铜和极性有机溶剂混合，得到前驱体浆料；
在基体表面涂覆所述前驱体浆料后，煅烧，得到所述导电陶瓷膜；
所述煅烧包括依次进行的一级煅烧、二级煅烧和三级煅烧；
所述一级煅烧的温度为50～250℃，保温时间为20～40min；
所述二级煅烧的温度为250～500℃，保温时间为50～70min；
所述三级煅烧的温度为500～800℃，保温时间为100～130min。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述锡盐和锑盐的摩尔比为8.5～10：1；
所述氧化锌的质量为所述锡盐和锑盐总质量的1.5％～3％；
所述氧化铜和氧化锌的质量比为1：1～1.3；
所述前驱体浆料中锡盐的摩尔浓度为0.2～0.5mol/L。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，将所述前驱体浆料在基体表面进行涂覆前，还包括在所述基体表面制备中间过渡层；
所述中间过渡层的制备方法包括以下步骤：
将第一锡盐、第一锑盐、氧化锆和第一极性有机溶剂进行混合，得到混合浆料；
在基体表面涂覆所述混合浆料后，经高温处理，得到所述中间过渡层。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第一锡盐和第一锑盐的摩尔比为8.5～10：1；
所述氧化锆的质量为所述第一锡盐和第一锑盐总质量的15％～25％；
所述混合浆料中第一锡盐的摩尔浓度为0.2～0.5mol/L；
所述高温处理的温度为650～800℃，保温时间为110～130min。
9.权利要求1～4任一项所述的导电陶瓷膜或权利要求5～8任一项所述的制备方法制备得到的导电陶瓷膜在污水处理中的应用。
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