CN114708789B - 一种可变花形的无定形硅聚物形貌调控方法及不可克隆防伪标识的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出一种可变花形的无定形硅聚物形貌调控方法及不可克隆防伪标识的制备方法，通过可变花形的无定形硅聚物形成具有大的结构差异的可变微观图案，据此形成的防伪标识因为图案种类多、结构可变，可摆脱复杂的网络训练，而是利用图案结构特征构建特征识别算子进行识读，极大地缓解了处理器和内存的运算压力。而且可变微观图案防伪标识的图案几何特征可描述，在被污染磨损后仍然能基于几何特征复原出原始图案，具有更广阔的发展潜力。
Description
技术领域
本发明涉及材料微观形貌控制技术，具体涉及一种可变花形的无定形硅聚物形貌调控方法及不可克隆防伪标识的制备方法。
背景技术
随着纳米科技、材料物理化学和表征技术等学科的发展，通过工艺过程调控实现对材料微观结构的改变，成为学者们研究的热点。表面结构的多元化对决定材料表面的物理化学和力学性质起到了关键作用，因此近些年来，致力于发现材料的新性质或提高材料某些性能的探索，成为行业技术发展的主流，得到了大量广泛而深入的研究。这项技术的实现涉及到分子合成与组装、过程控制、形貌调控、结构制备、表面改性等多个学科，是一项具有极大发展潜力的新兴交叉学科。
目前学者们对形貌的调控有两个研究方向。第一，以合成新结构或改进组织结构以期望获得材料新性质或提高材料某方面性能为目的，侧重对材料整体性能的提升。第二，通过一定的工艺手段，更注重表面或界面的结构或性能的改变，实现表面改性或表面功能化。后者对表面微观结构的调控手段，在近些年大量用于防伪标识的制备，其工艺制备过程的精细控制以及微观结构的多样化为标识的伪造增加了技术难度，正作为一种新型的具有高技术含量的不可克隆防伪标识得到行业和市场的青睐。
作为一种保护产品知识产权的重要手段，防伪技术对打击伪造产品，净化市场秩序起到关键作用。利用物理不可克隆功能(physical unclonable function，PUF)制备防伪标签是抵制伪造的有效方法。已有的随机褶皱(CN202010070300.2)、随机分布纳米纤维和纳米粒子(CN202111110707.4、CN202110568001.6、CN202111193843.4)、物品指纹(CN202110580605.2)等防伪标识，通过形貌调控只能形成单一的相似性微观图案，无法制备出多种不同的图案。而且这些图案缺乏明显的几何轮廓特征和结构特点，识读上只能依赖人工智能进行大规模训练，训练时间冗长，对样本量和网络层数要求高。并且这种相似性结构一旦被污染或磨损，由于缺少结构预测机制，无法纠错，极易导致防伪标识无法识读而失效。
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明提出了一种可变花形的无定形硅聚物形貌调控方法及不可克隆防伪标识的制备方法。通过可变花形的无定形硅聚物形成具有大的结构差异的可变微观图案，据此形成的防伪标识因为图案种类多、结构可变，可摆脱复杂的网络训练，而是利用图案结构特征构建特征识别算子进行识读，极大地缓解了处理器和内存的运算压力。而且可变微观图案防伪标识的图案几何特征可描述，在被污染磨损后仍然能基于几何特征复原出原始图案，具有更广阔的发展潜力。
本发明的技术方案为：
所述一种可变花形的无定形硅聚物形貌调控方法，包括以下步骤：
步骤1：将硅酸钠水溶液进行预处理得到待用溶液，所述预处理过程包括静置、超声振荡、球磨粉碎；
步骤2：将经过步骤1预处理之后的待用溶液涂覆在物体表面，在物体表面得到光滑平整无凹陷及残缺的均匀涂膜；
步骤3：对经过步骤2处理后的涂膜进行固化处理，得到可变花形的无定形硅聚物；其中无定形硅聚物中的微观图案包括“胞状”、“多枝杂花状”、“十字状”、“细菌状”、“三枝杈状”和“枝杈密布状”六种。
进一步的，步骤1中采用室温静置预处理，步骤3中固化条件为：在280～288K温度下保温不少于6h，得到微观图案为“胞状”的无定形硅聚物；
步骤1中采用室温静置预处理，步骤3中固化条件为：在297～306K温度下保温不少于6h，得到微观图案为“多枝杂花状”的无定形硅聚物；
步骤1中采用室温静置预处理，步骤3中固化条件为：先在280～288K温度下保温0.3～0.7h后，再按5～12K/min的升温速率升温至297～306K后保温不少于6h，得到微观图案为“十字状”的无定形硅聚物；
步骤1中采用超声振荡预处理，步骤3中固化条件为：先在297～306K温度下保温1～2h后，再按5～12K/min的升温速率升温至315～335K后保温不少于6h，得到微观图案为“细菌状”的无定形硅聚物；
步骤1中采用超声振荡预处理，步骤3中固化条件为：在297～306K温度下保温不少于6h，得到微观图案为“三枝杈状”的无定形硅聚物；
步骤1中采用正反向交替球磨预处理，步骤3中固化条件为：在297～306K温度下保温不少于6h，得到微观图案为“枝杈密布状”的无定形硅聚物。
进一步的，步骤2中采用空气喷涂法、旋涂或涂装方法将经过步骤1预处理之后的待用溶液均匀涂覆在物体表面；其中采用多次薄涂的方法使细小液滴均匀覆盖物体表面。
一种可变花形的无定形硅聚物，利用上述方法对硅酸钠水溶液进行处理后得到。
一种可变花形不可克隆防伪标识，所述标识中的可变花形通过上述无定形硅聚物体现。
一种可变花形不可克隆防伪标识的制备方法，包括以下步骤：
步骤a：将印有镂空形状的薄膜覆盖到产品的待标识区域，其中镂空区域为防伪标识区，覆盖区域为不标识的保护区；
步骤b：采用所述可变花形的无定形硅聚物形貌调控方法，在防伪标识区制备可变花形的无定形硅聚物；
步骤c：在防伪标识区制备保护层，使可变花形的无定形硅聚物隔绝空气并保护无定形硅聚物中的微观图案。
进一步的，步骤c中，采用在防伪标识表面磁控溅射一层纳米级薄膜方式形成保护层。
进一步的，步骤c中，磁控溅射薄膜的薄膜材料采用Si、Au、Ag、Pt或Cu。
进一步的，步骤a中，采用根据产品预留的防伪标识区域尺寸、形状以及定制化需求，设计标识宏观形状，用掩膜方法将印有镂空形状的薄膜覆盖到待标识区域，镂空区域为防伪标识区，覆盖区域为不标识的保护区，由激光打标机蚀刻出绘制的镂空形状。
进一步的，步骤b中，将经过步骤1预处理之后的待用溶液转移至喷枪中，用空气喷涂的方式在掩膜区采用远距离多次反复薄涂法在产品表面制备出一个硅酸钠液体层，静置待界面稍许固化，撕下表面的薄膜，暴露出防伪标识。
有益效果
本发明制备得到了可变花形的无定形硅聚物，且可变花形的无定形硅聚物形貌调控方法工艺简单，实施方便，可大批量生产。利用该可变花形的无定形硅聚物制备得到的可变花形防伪标识，选用常见材料，价格低廉，且能实现多种可变微观图案，所谓低成本多功能，具有极高的性价比。而且可变花形防伪标识是透明的，无需专门预留防伪标签位置，可以覆盖到任意位置，而不影响原始产品的外观，并且不易被发现，可以起到隐蔽保密的作用。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为可变花形防伪标识制备过程示意图。
图2为可变花形显微形貌图。(a)胞状；(b)“三枝杈状”；(c)“多枝杂花状”；(d)“十字状”；(e)“细菌状”；(f)“枝杈密布状”。
图3为可变花形防伪标识的应用实例。
具体实施方式
本发明是一种可变花形的无定形硅聚物形貌调控方法及不可克隆防伪标识的制备方法。
其中可变花形的无定形硅聚物形貌调控方法，包括通过对无机硅酸钠水溶液(水玻璃)初始状态和固化过程的精确调控，主要考虑预处理、固化温度和固化时间，实现对固化后微观形貌的定向控制。包括以下步骤：
步骤1：将硅酸钠水溶液进行预处理得到待用溶液，所述预处理过程包括静置、超声振荡、球磨粉碎；
对于在室温下静置预处理，要求在室温静置不少于3天，达到自然老化状态，在溶液不变质条件下，老化程度越高越好；
对于超声振荡预处理，在超声波清洗机中，超声振荡不少于10min；
对于球磨粉碎，在行星式球磨机中正反向交替旋转球磨不少于0.5h。
当然，不同的设备供应商，其设备功率、频率、速度等参数不同，预处理时间可作出相应变化，不局限。在保证效率和成本的情况下，酌情增加静置、超声处理和球磨处理的时间可得到更理想的硅酸钠或水玻璃溶液。
步骤2：分别将经过步骤1不同预处理过程之后的待用溶液转移到各自的空气喷枪中，调整喷涂距离，分别开始在物体表面喷涂，每次喷涂要保证液滴在物体表面均匀分布，采用5-8次薄涂覆盖法，使物体表面的涂膜光滑平整，无气泡、缺陷和杂质；当然，采用其他如旋涂、涂装等在空气中的均匀涂覆方法也可以，确保涂膜表面光滑平整无凹陷和残缺即可。
步骤3：对经过步骤2处理后的涂膜进行各自对应的固化处理，包括恒温固化、阶段升温固化、连续升温固化等不同的组合方式，得到可变花形的无定形硅聚物，这里的可变花形是不同硅酸聚合态形成的无定形笼状聚合物结构；得到的无定形硅聚物中的微观图案包括“胞状”、“多枝杂花状”、“十字状”、“细菌状”、“三枝杈状”和“枝杈密布状”六种。
具体采用表1中的预处理、固化温度和固化时间组合方案，使涂膜充分固化。
表1六类花形的制备条件
基于上述方法，本发明还提出一种可变花形不可克隆防伪标识及其制备方法，所述标识中的可变花形通过上述无定形硅聚物体现，所述可变花形不可克隆防伪标识的制备方法包括以下步骤：
步骤a：将印有镂空形状的薄膜覆盖到产品的待标识区域，其中镂空区域为防伪标识区，覆盖区域为不标识的保护区；
这里采用根据产品预留的防伪标识区域尺寸、形状以及定制化需求，设计标识宏观形状，用掩膜方法将印有镂空形状的薄膜覆盖到待标识区域，镂空区域为防伪标识区，覆盖区域为不标识的保护区，镂空形状由矢量图绘制软件生成，由激光打标机蚀刻出绘制的镂空形状。
如图1，以防伪标签宏观形状为Φ2mm的圆形为例(其他形状同理)，选择一种聚酰亚胺薄膜覆盖在载玻片上，用大族CO2激光打标机自带的矢量图绘制软件绘制Φ2mm的圆形，并调节焦距和打标机加工参数，激光功率4W，标刻速度800mm/s，频率40KHz，标刻次数3。将烧蚀出的镂空圆形的聚酰亚胺薄膜覆盖到待标识位置，镂空位置为防伪标签的制作位置，其余位置用掩蔽胶带保护；当然，其他能起到掩蔽功能的材料或方法均可，其他能打印或制作镂空模版的工艺均可。
步骤b：采用所述可变花形的无定形硅聚物形貌调控方法，在防伪标识区制备可变花形的无定形硅聚物；
首先对照表1，不同花形的防伪标签选择不同的预处理方法，对硅酸钠溶液进行预处理，通过长时间静置、超声振荡、球磨粉碎三种方式改变硅酸钠溶液中胶粒的聚集状态；
然后将预处理后的硅酸钠溶液转移到喷枪喷壶中，将聚酰亚胺薄膜裸露的镂空圆形的圆心正对喷枪喷嘴，调整喷涂距离20cm，进气压力0.7MPa，溶液进量0.15L/min，喷幅15cm，进行第一次喷涂，采用5-8次反复薄涂法在产品表面制备出一个硅酸钠或水玻璃薄的液体层，每次喷涂要保证液滴在物体表面均匀分布，使物体表面的涂膜光滑平整，无气泡、缺陷和杂质，空气中静置5min，待涂膜表面稍许固化，撕下表面的掩蔽胶带和聚酰亚胺膜，暴露出防伪标识。
之后将上步所得防伪标识产品迅速转移到电热鼓风干燥箱中，进行固化。对照表1，不同的微观图案防伪标签选择不同的固化条件，固化在电热鼓风干燥箱中进行，其温度、升温速度、保温时间按表1进行调节。当然，不限于电热鼓风干燥箱，任何空气中的加热设备均可。
步骤c：固化完全后，将防伪标识从电热鼓风干燥箱中取出，在防伪标识区制备保护层，使可变花形的无定形硅聚物隔绝空气并保护无定形硅聚物中的微观图案。这里采用在防伪标识表面磁控溅射一层纳米级薄膜方式形成保护层，磁控溅射薄膜的薄膜材料采用Si、Au、Ag、Pt或Cu等，溅射电压3KV，溅射时间5min。
将磁控溅射后的防伪标识置于扫描电镜中观察表面形貌，不同的微图案标识的显微观察倍率的参考范围如表2所示(放大倍数的设置原则为保证视野中至少有一个完整的花状图案且图案所占像素不小于50×50pt，但并不局限于表2，只要满足放大倍数的设置原则即可)。六类微图案的显微图像如图2所示。
表2六类花形显微观察倍率的参考范围
| 花形种类 | 放大倍率 |
| 胞状 | 1000～3000x |
| 多枝杂花状 | 50～300x |
| 十字状 | 150～600x |
| 细菌状 | 150～600x |
| 三枝杈状 | 50～200x |
| 枝杈密布状 | 150～600x |
下面给出具体实施例：
实施例一提供了一种“胞状”花形的防伪标识的制备方法：
步骤1：制作镂空模版，并对非标识区进行掩膜处理；
步骤2：对硅酸钠溶液进行室温静置老化处理，选取3组参数，如表3所示；
步骤3：将上述经过室温静置老化的硅酸钠溶液转移到喷枪喷壶中，进行空气喷涂后，去除掩蔽胶带，暴露出防伪标识；
步骤4：将防伪标识转移至电热鼓风干燥箱中，按表3所示的固化参数进行固化处理；
步骤5：将完全固化后的防伪标识表面磁控溅射薄膜，薄膜材料的选择有Si、Au、Ag、Pt、Cu等，溅射电压3KV，溅射时间5min；
步骤6：将磁控溅射后的防伪标识置于显微镜下即可观察到“胞状”的花形图案。
表3“胞状”花形3个实施例的制备条件
| “胞状”花形 | 预处理 | 固化条件 |
| “胞状”1 | 室温静置3天 | 280K，保温6h |
| “胞状”2 | 室温静置30天 | 284K，保温40h |
| “胞状”3 | 室温静置90天 | 288K，保温60h |
实施例二提供了一种“多枝杂花状”花形的防伪标识的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：制作镂空模版，并对非标识区进行掩膜处理；
步骤2：对硅酸钠溶液进行室温静置老化处理，选取3组参数，如表4所示；
步骤3：将上述经过室温静置老化的硅酸钠溶液转移到喷枪喷壶中，进行空气喷涂后，去除掩蔽胶带，暴露出防伪标识；
步骤4：将防伪标识转移至电热鼓风干燥箱中，按表4所示的固化参数进行固化处理；
步骤5：将完全固化后的防伪标识表面磁控溅射薄膜，薄膜材料的选择有Si、Au、Ag、Pt、Cu等，溅射电压3KV，溅射时间5min；
步骤6：将磁控溅射后的防伪标识置于显微镜下即可观察到“多枝杂花状”的花形图案。
表4“多枝杂花状”花形3个实施例的制备条件
| “多枝杂花状”花形 | 预处理 | 固化条件 |
| “多枝杂花状”1 | 室温静置3天 | 297K，保温6h |
| “多枝杂花状”2 | 室温静置30天 | 302K，保温24h |
| “多枝杂花状”3 | 室温静置90天 | 306K，保温60h |
实施例三提供了一种“十字状”花形的防伪标识的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：制作镂空模版，并对非标识区进行掩膜处理；
步骤2：对硅酸钠溶液进行室温静置老化处理，选取3组参数，如表5所示；
步骤3：将上述经过室温静置老化的硅酸钠溶液转移到喷枪喷壶中，进行空气喷涂后，去除掩蔽胶带，暴露出防伪标识；
步骤4：将防伪标识转移至电热鼓风干燥箱中，按表5所示的固化参数进行固化处理；
步骤5：将完全固化后的防伪标识表面磁控溅射薄膜，薄膜材料的选择有Si、Au、Ag、Pt、Cu等，溅射电压3KV，溅射时间5min；
步骤6：将磁控溅射后的防伪标识置于显微镜下即可观察到“十字状”的花形图案。
表5“十字状”花形3个实施例的制备条件
| “十字状”花形 | 预处理 | 固化条件 |
| “十字状”1 | 室温静置3天 | 280K保温0.3h，5K/min升温至297K，保温6h |
| “十字状”2 | 室温静置15天 | 284K保温0.5h，8K/min升温至301K，保温24h |
| “十字状”3 | 室温静置60天 | 288K保温0.7h，12K/min升温至306K，保温60h |
实施例四提供了一种“细菌状”花形的防伪标识的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：制作镂空模版，并对非标识区进行掩膜处理；
步骤2：对硅酸钠溶液进行超声振荡处理，选取3组参数，如表6所示；
步骤3：将上述经过超声振荡处理的硅酸钠溶液转移到喷枪喷壶中，进行空气喷涂后，去除掩蔽胶带，暴露出防伪标识；
步骤4：将防伪标识转移至电热鼓风干燥箱中，按表6所示的固化参数进行固化处理；
步骤5：将完全固化后的防伪标识表面磁控溅射薄膜，薄膜材料的选择有Si、Au、Ag、Pt、Cu等，溅射电压3KV，溅射时间5min；
步骤6：将磁控溅射后的防伪标识置于显微镜下即可观察到“细菌状”的花形图案。
表6“细菌状”花形3个实施例的制备条件
| “细菌状”花形 | 预处理 | 固化条件 |
| “细菌状”1 | 超声振荡10min | 297K保温1h，5K/min升温至315K，保温6h |
| “细菌状”2 | 超声振荡30min | 301K保温1.5h，8K/min升温至322K，保温24h |
| “细菌状”3 | 超声振荡60min | 306K保温2h，12K/min升温至335K，保温60h |
实施例五提供了一种“三枝杈状”花形的防伪标识的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：制作镂空模版，并对非标识区进行掩膜处理；
步骤2：对硅酸钠溶液进行超声振荡处理，选取3组参数，如表7所示；
步骤3：将上述经过超声振荡的硅酸钠溶液转移到喷枪喷壶中，进行空气喷涂后，去除掩蔽胶带，暴露出防伪标识；
步骤4：将防伪标识转移至电热鼓风干燥箱中，按表7所示的固化参数进行固化处理；
步骤5：将完全固化后的防伪标识表面磁控溅射薄膜，薄膜材料的选择有Si、Au、Ag、Pt、Cu等，溅射电压3KV，溅射时间5min；
步骤6：将磁控溅射后的防伪标识置于显微镜下即可观察到“三枝杈状”的花形图案。
表7“三枝杈状”花形3个实施例的制备条件
| “三枝杈状”花形 | 预处理 | 固化条件 |
| “三枝杈状”1 | 超声振荡10min | 297K，保温6h |
| “三枝杈状”2 | 超声振荡不少于30min | 301K，保温24h |
| “三枝杈状”3 | 超声振荡60min | 306K，保温60h |
实施例六提供了一种“枝杈密布状”花形的防伪标识的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：制作镂空模版，并对非标识区进行掩膜处理；
步骤2：对硅酸钠溶液进行球磨处理，选取3组参数，如表8所示；
步骤3：将上述经过球磨处理的硅酸钠溶液或水玻璃转移到喷枪喷壶中，进行空气喷涂后，去除掩蔽胶带，暴露出防伪标识；
步骤4：将防伪标识转移至电热鼓风干燥箱中，按表8所示的固化参数进行固化处理；
步骤5：将完全固化后的防伪标识表面磁控溅射薄膜，薄膜材料的选择有Si、Au、Ag、Pt、Cu等，溅射电压3KV，溅射时间5min；
步骤:6：将磁控溅射后的防伪标识置于显微镜下即可观察到“枝杈密布状”的花形图案。
表8“枝杈密布状”花形3个实施例的制备条件
| “枝杈密布状”花形 | 预处理 | 固化条件 |
| “枝杈密布状”1 | 正反向交替球磨0.5h | 297K，保温6h |
| “枝杈密布状”2 | 正反向交替球磨3h | 301K，保温24h |
| “枝杈密布状”3 | 正反向交替球磨不少于6h | 306K，保温60h |
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (9)
1.一种可变花形的无定形硅聚物形貌调控方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1：将硅酸钠水溶液进行预处理得到待用溶液，预处理过程包括静置、超声振荡、球磨粉碎；
步骤2：将经过步骤1预处理之后的待用溶液涂覆在物体表面，在物体表面得到光滑平整无凹陷及残缺的均匀涂膜；
步骤3：对经过步骤2处理后的涂膜进行固化处理，得到可变花形的无定形硅聚物；其中无定形硅聚物中的微观图案包括“胞状”、“多枝杂花状”、“十字状”、“细菌状”、“三枝杈状”和“枝杈密布状”六种：
当步骤1中采用室温静置预处理，步骤3中固化条件为：在280～288K温度下保温不少于6h，得到微观图案为“胞状”的无定形硅聚物；
当步骤1中采用室温静置预处理，步骤3中固化条件为：在297～306K温度下保温不少于6h，得到微观图案为“多枝杂花状”的无定形硅聚物；
当步骤1中采用室温静置预处理，步骤3中固化条件为：先在280～288K温度下保温0.3～0.7h后，再按5～12K/min的升温速率升温至297～306K后保温不少于6h，得到微观图案为“十字状”的无定形硅聚物；
当步骤1中采用超声振荡预处理，步骤3中固化条件为：先在297～306K温度下保温1～2h后，再按5～12K/min的升温速率升温至315～335K后保温不少于6h，得到微观图案为“细菌状”的无定形硅聚物；
当步骤1中采用超声振荡预处理，步骤3中固化条件为：在297～306K温度下保温不少于6h，得到微观图案为“三枝杈状”的无定形硅聚物；
当步骤1中采用正反向交替球磨预处理，步骤3中固化条件为：在297～306K温度下保温不少于6h，得到微观图案为“枝杈密布状”的无定形硅聚物。
2.根据权利要求1所述一种可变花形的无定形硅聚物形貌调控方法，其特征在于：步骤2中采用空气喷涂法、旋涂或涂装方法将经过步骤1预处理之后的待用溶液均匀涂覆在物体表面；其中采用多次薄涂的方法使细小液滴均匀覆盖物体表面。
3.一种可变花形的无定形硅聚物，其特征在于：利用权利要求1所述方法对硅酸钠水溶液进行处理后得到。
4.一种可变花形不可克隆防伪标识，其特征在于：所述标识中的可变花形通过权利要求3所述无定形硅聚物体现。
5.一种权利要求4所述可变花形不可克隆防伪标识的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤a：将印有镂空形状的薄膜覆盖到产品的待标识区域，其中镂空区域为防伪标识区，覆盖区域为不标识的保护区；
步骤b：采用所述可变花形的无定形硅聚物形貌调控方法，在防伪标识区制备可变花形的无定形硅聚物；
步骤c：在防伪标识区制备保护层，使可变花形的无定形硅聚物隔绝空气并保护无定形硅聚物中的微观图案。
6.根据权利要求5所述方法，其特征在于：步骤c中，采用在防伪标识表面磁控溅射一层纳米级薄膜方式形成保护层。
7.根据权利要求6所述方法，其特征在于：步骤c中，磁控溅射薄膜的薄膜材料采用Si、Au、Ag、Pt或Cu。
8.根据权利要求5所述方法，其特征在于：步骤a中，采用根据产品预留的防伪标识区域尺寸、形状以及定制化需求，设计标识宏观形状，用掩膜方法将印有镂空形状的薄膜覆盖到待标识区域，镂空区域为防伪标识区，覆盖区域为不标识的保护区，由激光打标机蚀刻出绘制的镂空形状。
9.根据权利要求5所述方法，其特征在于：步骤b中，将经过步骤1预处理之后的待用溶液转移至喷枪中，用空气喷涂的方式在掩膜区采用远距离多次反复薄涂法在产品表面制备出一个硅酸钠液体层，静置待界面稍许固化，撕下表面的薄膜，暴露出防伪标识。
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