CN114695782A - 发光显示装置 - Google Patents

发光显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114695782A
CN114695782A CN202111579583.4A CN202111579583A CN114695782A CN 114695782 A CN114695782 A CN 114695782A CN 202111579583 A CN202111579583 A CN 202111579583A CN 114695782 A CN114695782 A CN 114695782A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light emitting
display device
refractive index
layers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111579583.4A
Other languages
English (en)
Inventor
金财铉
金官洙
金玟知
金锡显
林英男
宋旼根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN114695782A publication Critical patent/CN114695782A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40Materials therefor
    • H01L33/405Reflective materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40Materials therefor
    • H01L33/42Transparent materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/818Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • H10K59/80518Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

公开了一种发光显示装置,该发光显示装置通过经由光学补偿结构利用反向腔特性保持内部光的腔而发射不变的光,并且通过将光学补偿结构与滤色器结构组合,尽管视角变化也实现了高的亮度特性,防止了外部的光被反射,并且在效率和寿命方面是优异的。

Description

发光显示装置
技术领域
本公开涉及一种显示装置,并且更具体地,涉及一种用于防止视角根据亮度而改变并且不管视角如何通过改变配置来保持高亮度的发光显示装置。
背景技术
在没有单独光源的情况下进行紧凑和清晰的颜色显示的诸如有机发光显示器或量子点发光显示器之类的自发光显示装置已经被认为是具有竞争力的应用。
一种自发光显示装置包括:在基板上的多个像素;在每个像素中彼此面对的第一电极和第二电极;以及包括在第一电极和第二电极之间的发光层的发光二极管。
发明内容
发光显示装置是利用光在两个相对电极之间谐振的原理设计的,并针对前发光型装置进行了优化,因此,存在如下问题:当显示器的视角改变时亮度会降低。因此,发明人已经认识到上述问题并提出了本发明。
本公开涉及一种发光显示装置,其用于通过改变发光显示装置的内部结构以减少波长相对于所发射光的视角的依赖性,来允许用户在任何方向上观看具有高亮度的图像。
将在随后的描述中阐述附加特征和方面,并且部分地将从描述中变得明显,或者可以通过本文提供的发明构思的实践而获悉。本发明构思的其它特征和方面可以通过在书面描述中特别指出的结构或可从其得出的结构、其权利要求以及附图来实现和获得。
根据本公开的发光显示装置可以通过使用通过经由光学补偿结构使用反向腔体特性来维持内部光的腔而发射不变光,并且通过将光学补偿结构与滤色器结构组合,尽管视角变化,也可以实现高亮度特性,可以防止外部光被反射,并且在效率和寿命方面可以是优异的。
在一个方面,本公开提供了一种显示装置,该显示装置包括:包括多个发光单元的基板;发光单元处的发光层;在发光单元中位于发光层和基板之间的反射结构;横跨基板上的多个像素而位于发光层上方的透射电极;与透射电极接触并且具有相消干涉特性的光学补偿结构;光学补偿结构上的封装层;以及封装层上的滤色器。
显示装置可包括第一折射率的第一层和大于第一折射率的第二折射率的第二层,并且第一层的厚度可以是第二层的厚度的1.8至2.2倍大。
在另一个方面,本公开提供了一种显示装置,该显示装置包括:发光器件,该发光器件包括基板上的发光层;光学补偿结构,该光学补偿结构设置在发光器件上,包括第一折射率的第一层和第二折射率的第二层,第一层比第二层厚;在光学补偿结构上的封装层;以及在封装层上的滤色器。
应当理解,前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的,旨在提供对所要求保护的发明构思的进一步解释。
附图说明
附图被包括以提供对本公开的进一步理解,并且被并入本申请中并构成本申请的一部分,附图例示了本公开的实施方式并且与描述一起用于解释本公开的原理。在附图中
图1是根据本公开的第一实施方式的发光显示装置的截面图;
图2A至图2C是根据本公开的各种实施方式的光学补偿结构的示例的截面图。
图3是根据本公开的第二实施方式的发光显示装置的截面图;
图4是图3的介电布拉格镜的截面图;
图5A和图5B是示出介电布拉格镜的反射镜的原理及其反射率的曲线图;
图6是本公开的第三实施方式的发光显示装置的截面图;
图7A至图7C是示出在第一实验示例至第四实验示例中相对于红色、绿色和蓝色的每个视角的亮度特性的曲线图;
图8A至图8C是示出根据第一实验示例至第四实验示例的相对于红色、绿色和蓝色的每个视角的颜色亮度偏差的曲线图;
图9A至图9C是示出根据第一实验示例至第三实验示例的随着相对于红色、绿色和蓝色的视角变化的颜色坐标波动的曲线图;
图10是示出根据第三实验示例的应用滤色器的结构的每个波长的透射率变化的曲线图;
图11A和图11B是示出根据第二实验示例和第三实验示例的EL光谱的曲线图;
图12是示出根据本公开的一个或更多个实施方式的发光显示装置的图;
图13是示出根据本公开的第四实施方式的显示装置的截面图;以及
图14是图13的显示装置的平面图。
在整个附图和详细描述中,除非另外描述,否则相同的附图参考标记应当被理解为指代相同的元件、特征和结构。这些元件的相对大小和描绘可能为了清楚、例示和方便的目的而被夸大。
具体实施方式
现在将详细参照本发明的示例性实施方式,在附图中示出了示例性实施方式的示例。在实施方式和附图的以下描述中,相同或相似的元件在整个说明书中由相同的附图标记表示。在本发明的实施方式的以下描述中,当并入本文中的已知功能和配置的详细描述可能使本发明的主题不清楚时,将省略其详细描述。此外,在以下对本发明的实施方式的描述中使用的元件的名称是在考虑到容易准备说明书的情况下选择的,并且因此可以区分于实际产品的部件的名称。
在附图中给出的描述本发明的实施方式的元件的形状、尺寸、比率、角度和数量仅仅是示例性的,因此,本发明不限于所示出的细节。在实施方式的以下描述中,术语“包括”、“包含”和“具有”将被解释为指示存在说明书中所述的一个或更多个其它特性、数字、步骤、操作、元件或部件或其组合,并且除非使用术语“仅”,否则不排除其它特性、数字、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在或添加其它特性、数字、步骤、操作、元件、部件或其组合的可能性。将理解的是,除非另有说明,否则(一个或多个)元件的单数表达包括复数表达。
在解释本发明的各种实施方式中包括的元件时,应理解的是,除非另有说明,否则元件包括误差范围。
在实施方式的以下描述中,将理解,当表达位置关系时,例如,当元件被称为“在”另一元件“上”、“上方”、“下方”或“旁边”时,除非使用术语“仅”或“直接”,否则这两个元件可以彼此直接接触,或者一个或多个其它元件可以插入在两个元件之间。
在以下对实施方式的描述中,将理解的是,当使用时间关系时,例如,当使用表达事件序列的术语(诸如“之后”、“随后”、“下一个”和“之前”)时,除非使用术语“仅”或“直接”,否则术语涵盖事件之间的连续关系和事件之间的不连续关系两者。
在以下对实施方式的描述中,将理解的是,当使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件时,这些术语仅用于区分相同或相似的元件。因此,在不脱离本发明的技术范围的情况下,下文中描述的第一元件可以被称为第二元件。
本发明的各种实施方式的相应特征可以部分地或全部地彼此联接或组合并且以各种技术方式互锁或驱动,并且相应实施方式可以彼此独立地实施或通过它们之间的连接一起实现。
在下文中,将参照附图更全面地描述本公开,在附图中示出了本公开的示例性实施方式。
图1是根据本公开的第一实施方式的发光显示装置的截面图。根据本发明所有实施方式的显示装置的所有组件在操作上联接和配置。
在图1中,根据本公开的第一实施方式的发光显示装置可以包括:具有多个发光单元的基板100;包括在发光单元中的发光层R-EML、G-EML和B-EML;反射结构(或反射层)111,其设置在发光单元中的发光层R-EML、G-EML和B-EML与基板100之间;透射电极(例如,阴极)170,其位于基板上多个像素上方的发光层上方;光学补偿结构180,其与透射电极170接触并且具有相消干涉特性;位于光学补偿结构180上的封装层190;以及位于封装层190上的滤色器210a、210b和210c。
根据本公开的第一实施方式的发光显示装置可以使用由反射金属形成的反射结构111作为发光器件的第一电极。
根据本公开的实施方式的发光器件的第一电极可以用作阳极,并且第二电极170可以用作阴极。
包括第一电极的反射结构111、第二电极170以及位于它们之间的层141、诸如R-EML/G-EML/B-EML之类的发光层、层142和电极注入层(EIL)160的器件被称为发光器件。
这里,当反射结构111由反射金属形成时,如果反射结构111具有等于或大于100nm的厚度,则可以实现相对于所有波长的均匀反射率。
光学补偿结构180可以具有相消干涉特性,由此通过减少在第二电极170和光学补偿结构180之间的界面处的、由发光器件产生并且通过第二电极170传输的光的大部分反射,来减少在发光器件内部返回的光的量,并且从发光器件的下部传输的光被传输到光学补偿结构180之外。例如,光在第二电极170和光学补偿结构180处具有低反射率,并且大部分光透射通过第二电极170和光学补偿结构180。
将描述根据本公开的实施方式的光从发光器件的第二电极170透射通过光学补偿结构180的原理。当光学补偿结构180包括多个绝缘层时,绝缘层之间的光学距离通常具有由下面的表达式1表示的条件。
[表达式1]
Figure BDA0003425651490000051
对于电介质δ=π,m=0,2,4...
然而,在根据本公开的实施方式的显示装置中,光透射通过电极组件的第二电极170和绝缘层的光学补偿结构180,并且因此可以基于下面的表达式2表示的原理进一步考虑金属处的反射来计算绝缘层之间的光学距离。
[表达式2]
Figure BDA0003425651490000052
对于金属m=0,2,4...
这里,δ可以是界面处的相位,在绝缘层的情况下可以是0或π,并且在金属界面的情况下可以是0或π。
在这种情况下,当考虑上面的表达式2以保持根据本公开的实施方式的光学补偿结构180的相消干涉特性,并且从发光器件发射的光的波长是λ时,可以考虑光学补偿结构180的厚度和其中所包括的绝缘层的材料的折射率来满足上述表达式的条件。当光学补偿结构180中存在具有不同折射率的多个绝缘层时,可以考虑绝缘层的体积比来计算有效折射率。
例如,当光学补偿结构180包括用于相消干涉的第一层181(例如,OPL1)和第二层182(例如,OPL2)时,具有低折射率的层的厚度可以是具有高折射率的层的厚度的至少1.8倍至2.2倍大。
根据本公开的实施方式的显示装置可以包括用于保护发光器件的封装层190上的滤色器210a、210b和210c,并且即使没有单独的偏振器,滤色器210a、210b和210c也可以屏蔽外部光,从而提高光学效率。
因此,根据本公开的实施方式的显示装置可包括反射结构111、具有相消干涉特性且设置于发光器件上方的光学补偿结构180以及滤色器210a、210b及210c,由此可改善显示装置内部发射的光的效率并且可防止外部光被反射。
例如,封装层190可以通过交替地层叠无机封装层和有机封装层来形成,或者可以通过将无机保护层设置在光学补偿结构180上并且向其施加对置基板和面密封来配置。
滤色器210a、210b和210c可以直接涂覆在封装层190上,或者当施加对置基板时,滤色器210a、210b和210c可以设置在对置基板的一侧或上方。
发光器件可包括在用作第一电极的反射结构111与发光层R-EML、G-EML和B-EML之间的第一公共层CML1 141,并且可包括在发光层R-EML、G-EML和B-EML与第二电极170之间的第二公共层CML2 142。电子注入层160可以直接形成在第二电极170下方。电子注入层160可以包含用于提高电子注入效率并增加相对于紫外线的可靠性的无机材料,并且在这种情况下,电子注入层160可以在用于形成第二电极170的室中包含与第二电极170的源不同的源。
发光层R-EML、G-EML和B-EML可以在发光单元的由堤分离的区域中选择性地且单独地形成,并且每个发光单元可以发射具有对应颜色的光。
第一公共层CML1 141可以包括与空穴的注入和传输有关的空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层等。
第二公共层CML2 142可以包括空穴阻挡层和电子传输层等。
第一公共层CML1 141和第二公共层CML2 142中的每一者或任一者可包含多个层,并且第一公共层CML1和第二公共层CML2可共同形成于发光单元中且可整体地形成于发光单元中。
在下文中,将描述根据本公开的实施方式的光学补偿结构180。
图2A至图2C是根据本公开的各种实施方式的光学补偿结构的示例的截面图。
如图2A所示,光学补偿结构可以通过层叠高折射率n2的第一层181和低折射率n1的第二层182来配置。在这种情况下,可以进一步增加低折射率的第二层182的厚度,并且为了满足相消干涉特性,第二层182的厚度可以是第一层181的厚度的1.8倍至2.2倍大。
如图2B所示,可以通过层叠低折射率的第一层281和高折射率的第二层282来配置另一个光学补偿结构。在这种情况下,可以进一步增加低折射率的第一层281的厚度,并且为了满足相消干涉特性,第一层281的厚度可以是第二层282的厚度的大约1.8倍到2.2倍大。
如图2C所示,另一个光学补偿结构可以包括多个单元381和382,多个单元381和382具有低折射率层381a、…、382b和高折射率层381b、…、382a,而它不需要交替地定位低折射率层和高折射率层,最低部分可以对应于低折射率层381a并且可以与图1的第二电极170接触,并且最上部分可以与封装层190接触。在这种情况下,可以进一步增加低折射率层的厚度,并且为了满足相消干涉特性,低折射率层的厚度可以是高折射率层的厚度的1.8倍至2.2倍大。
根据本公开的上述发光显示装置可以用于实现具有高亮度的视角,并且发光器件的内部发光效率可以通过光学补偿结构180的相消干涉来改善。
这样,即使用作第一电极的反射结构111具有70%至90%的低反射率,这也可以通过改进光学补偿结构180的发射功能来补偿,该功能可以对应于在没有光学补偿结构180的结构中使用具有99%的水平的高反射率的反射电极来改进效率的替代功能。反射结构111可以包含金属,例如,铝、银、银合金、铝合金等,并且还可以包含诸如Ag-PD-Cu(APC)等的高反射合金。也可以使用其它材料
图3是根据本公开的第二实施方式的发光显示装置的截面图。图4是图3的介电布拉格镜的截面图。图5A和图5B是示出介电布拉格镜的反射镜的原理及其反射率的曲线图。
在图3的根据本公开的第二实施方式的发光显示装置中,发光器件的反射结构300或反射器可以与第一电极120单独地分开配置。
这里,反射结构300可以形成为金属反射器并且也可以包含绝缘介电材料或其组合。
当反射结构300是金属反射器时,反射结构300可以具有100nm的厚度或者可以满足使用下面的表达式3表示的条件。
[表达式3]
Figure BDA0003425651490000071
(n是折射率并且k是消光系数)
反射结构300可以包含绝缘介电材料,并且可以使用介电布拉格镜(DBR)的原理。
如图4所示,介电布拉格镜的反射结构300可以通过交替布置高折射率层nA和低折射率层nB来配置,并且如图5A所示,介电布拉格镜的反射结构300可以是以有效折射率周期性改变的多个交替材料层形成的结构。层之间的界面可以引起光波的部分反射,并且反射率可以在特定波长范围内最大化,如图5B所示。
如图3所示,根据第二实施方式的发光显示装置可以针对发光单元共享布拉格反射镜的反射结构300,并且为了在可见光谱中实现均匀的反射率,可以在绿色波长中确定用于最大化反射率的峰值波长。例如,峰值波长可以是560nm至600nm。当高折射率层nA和低折射率层nB的折射率是nA和nB时,反射结构300可以被设计为满足下面的表达式4至表达式6。
[表达式4]
peak=2(nAdA+nBdB)λ=560nm至600nm
[表达式5]
Figure BDA0003425651490000081
N:拜耳(AB)的数量
[表达式6]
Figure BDA0003425651490000082
根据第二实施方式,介电布拉格镜的反射结构300可以被包括在发射具有不同颜色的光的发光单元中,并且反射结构300是绝缘的,因此可以在反射结构300上进一步形成透明电极以用作第一电极120。透明电极120可具有等于或大于3nm的厚度,以当光在发光器件中谐振时用作反射表面。
图6是根据本公开的第三实施方式的发光显示装置的截面图。
如图6所示,根据本公开的第三实施方式的发光显示装置可以通过分别将不同的第一反射结构310a、第二反射结构310b和第三反射结构310c应用于红色发光单元、绿色发光单元和蓝色发光单元来配置。
在这种情况下,发光显示装置可以使用相同的表达式来设计,使得在图3和图5中红色发光单元具有600nm至660nm的波长峰值,在图3和图5中绿色发光单元具有490nm至550nm的波长峰值,并且在图3和图5中蓝色发光单元具有430nm至490nm的波长峰值。然而,因为波长峰值不同,所以要施加到第一反射结构310a、第二反射结构310b和第三反射结构310c的高折射率层和低折射率层可以不同地或单独地施加。
在下文中,将描述根据本公开的发光显示装置的效果。
在下文中,在第一实验示例Ex1中,不需要应用图1的滤色器和光学补偿结构,而是可以应用高折射率覆盖层,并且也可以在面板上方施加偏振器。
在第二实验示例Ex2中,可应用图1的光学补偿结构,并且不需要应用滤色器。
在第三实验示例Ex3和第四实验示例Ex4中的每一个中,可以应用图1的光学补偿结构,并且可以应用具有不同厚度的滤色器,在这方面,在第三实验示例Ex3中,应用具有1.5μm的厚度的滤色器,并且在第四实验示例Ex4中,应用具有3.3μm的厚度的滤色器。
图7A至图7C是示出在第一实验示例Ex1至第四实验示例Ex4中的相对于红色、绿色和蓝色的每个视角的发光特性的曲线图。
如在图7A至图7C中所示,在第一实验示例Ex1中,随着视角改变,降低亮度的趋势在红色、绿色和蓝色中是明显的。相反,在第二实验示例Ex2至第四实验示例Ex4中,即使视角改变,亮度也不必大幅地降低。
图8A至图8C是示出根据第一实验示例至第四实验示例的相对于红色、绿色及蓝色的每个视角的颜色亮度偏差Δu'v'的曲线图。
如图8A至图8C中所示,在第一实验示例Ex1中,随着视角改变,颜色亮度偏差在红色、绿色和蓝色中可以是明显的。相反,在第三实验示例Ex3和第四实验示例Ex4中,即使视角改变,亮度也不必大幅地降低。
这里,参照除了附图7A至图7C之外的附图,在第二实验示例Ex2中,没有应用滤波器,因此降低面板亮度的趋势不会相对大幅地降低,但是可能发生颜色亮度偏差,并且特别地,可以看出在图8C的蓝色中趋势是严重的。例如,可以看出,在第二实验示例Ex2中由于外部光的反射,颜色亮度偏差较大。
图9A至图9C是示出根据第一实验示例至第三实验示例的随着相对于红色、绿色和蓝色的视角改变的颜色坐标波动的曲线图。
如从图9A至图9C可见,在第一实验示例Ex1中,随着视角改变,具体地,从0度改变为60度,颜色坐标变化的分布是宽的。
在第二实验示例Ex2和第三实验示例Ex3中,与第一实验示例Ex1相比,颜色坐标波动在视角从0度改变为65度的情况下可以较小。然而,未应用滤色器的第二实验示例Ex2和第三实验示例Ex3可具有不同颜色纯度的趋势。具体地,关于图9C中蓝色的颜色坐标波动,在第二实验示例Ex2中,CIEy的值可以从0.06相对地改变为0.08,但是在第三实施方式Ex3中,波动可以非常小,从0.046至0.051的水平,因此,可以看到尽管视角改变,但实现了高亮度特性。
图10是示出根据第三实验示例的应用了滤色器的结构的每个波长的透射率变化的曲线图。图11A和图11B是示出了根据第二实验示例和第三实验示例的EL光谱的曲线图。
如从图10看到的,在第三实验示例Ex3中,即使视角相对于红色、绿色和蓝色变化,透射率也是高的。
图11A示出了当像在第二实验示例Ex2中一样不应用滤色器时的取决于视角的发光强度。图11B示出了当像在第三实验示例Ex3中一样应用滤色器时取决于视角的发光强度。在第二实验示例和第三实验示例中,尽管视角相对于蓝色、绿色和红色改变,但是可以在相同波长中存在峰值特征,因此这意味着尽管视角发生变化,但是第二实验示例Ex2和第三实验示例Ex3中的恒定亮度得以保持。
像第三实验示例Ex3和第四实验示例Ex4中一样,可以将滤色器而不是偏振器应用于根据本公开的实施方式的发光显示装置,以防止外部光被反射,并且因此,根据本公开的实施方式的发光显示装置可以具有优异的效率特性,可以防止亮度的降低,可以限制颜色坐标波动,并且可以具有高透射率,如在第三实验示例和第四实验示例中所描述。
以下描述将参考第五实验示例Ex5和第六实验示例Ex6,在第五实验示例Ex5中不应用根据本公开的光学补偿结构,应用高折射率覆盖层,并且在其上施加偏振器,在第六实验示例Ex6中应用光学补偿结构,并且在其上应用滤色器,如在图1中一样。
[表1]
Figure BDA0003425651490000101
详细地,在第五实验示例Ex5中,具有高反射率(99%)的电极可用作发光器件的第一电极,发光器件上方的高折射率覆盖层和低折射率覆盖层的厚度比为2:1,并且在其上依次施加封装层和偏振器。在第六实验示例Ex6中,评估了具有低反射率(70%)的电极和具有高反射率(99%)的电极被用作发光器件的第一电极的情况,并且评估了具有高折射率的第一层和具有低折射率的第二层被设置为发光器件上方的光学补偿结构并且具有低折射率的第二层的厚度是第一层的厚度的1.8倍大的情况。在第六实验示例Ex6中,可以在光学补偿结构上方施加封装层和滤色器。在第六实验示例Ex6中,可以应用根据本公开的第一实施方式的结构,并且因此,如上所述,可以看到,与第五实验示例Ex5相比,实现了优异的颜色纯度、优异的白色寿命和优异的白色有效效率。
如上表1所示,例如,第五实验示例Ex5中的颜色坐标中蓝色的CIEy值是0.053,并且第六实验示例Ex6中的颜色坐标中蓝色的CIEy值是0.049,因此第六实验示例Ex6中的蓝色颜色纯度高。
在第六实验示例Ex6中,即使低反射率金属被施加到用作第一电极的反射结构,白色有效效率也可以是优异的,并且寿命也可以是优异的。在第六实验示例Ex6中,即使高反射率金属被施加到反射结构,白色效率基于第五实验示例Ex5也可以是146%,并且因此,当使用与第五实验示例Ex5的发光器件相同的电极结构时,可以看出,颜色纯度、寿命和有效效率都是优异的。
以下将描述通过上述实验的发光显示装置的重要性。
在产品组逐渐多样化的情形中,需要具有高亮度特性的装置,尽管视角变化但仍维持高亮度以允许用户以不同的视角进行观看。
然而,当使用已知封装层的配置时,取决于视角的变化,亮度趋于严重降低。
根据本公开的发光显示装置可以被设计为以光学补偿结构具有反向腔特性的方式实现相消干涉,并且可以看出,尽管视角变化,但是发光显示装置具有优异的亮度特性、高寿命和高效率。
如此,即使使用具有低反射率的金属来形成用作反射电极的电极,也可以实现预定的效率或更高的效率,因此可以不限制反射电极的使用。例如,设计自由度可以很高。
根据本公开的发光显示装置可以通过将内部腔体保持在顶部发光类型的发光器件中并且应用其中通过上部光学补偿结构在所有的红色、绿色和蓝色中发生相消干涉的结构来应用用于最大亮度的视角结构。
此外,可以在光学补偿结构上方应用滤色器而不是偏振器,因此,可以确保颜色纯度,可以将外部光的反射降低到等于或大于50%的水平,并且由于没有偏振器的结构,即使在相消干涉结构中,也可以提高50%水平的有效效率。
根据有效效率的增加,可以设计至多70%的下部低反射电极,从而增加对比度。
当根据本公开的用于高亮度的视角结构与滤色器一起使用时,与不具有根据本公开的光学补偿结构的结构相比,有效效率可对应于146%的高亮度效率。
在下文中,将关于基板100上的薄膜晶体管(TFT)的配置来描述根据本公开的发光显示装置。
图12是示出根据本公开的一个或更多个实施方式的发光显示装置的图。
参照图12,将描述连接到子像素的第一电极110的薄膜晶体管(TFT)的配置。
缓冲层105可以设置在基板100上,并且第一半导体层1110和第二半导体层1111可以设置在缓冲层105上。缓冲层105可以防止残留在基板100上的杂质被引入到第一半导体层1110和第二半导体层1111中。第一半导体层1110和第二半导体层1111可以是非晶硅或晶体硅半导体层或透明氧化物半导体层。可以使用其它类型的半导体。分别连接到源极140和漏极1160的第一半导体层1110的相对两侧可以是注入有杂质的区域,并且第一半导体层1110的注入有杂质的区域之间的本征区域可以用作沟道区域。
第一半导体层1110和第二半导体层1111可以包括氧化物半导体层、多晶硅层或非晶硅层中的至少一种。
第二半导体层1111可以被定位成与上面形成的第一存储电极1121和第二存储电极1141交叠,并且可以用作辅助存储电极,以用于在将杂质注入其中时增大存储电容器的电容。另选地,根据需要或要求,可省略第二半导体层1111。
栅极绝缘层106可以被设置为覆盖第一半导体层1110和第二半导体层1111,并且栅极1120和第一存储电极1121可以被形成为覆盖第一半导体层1110和第二半导体层1111的本征区域。
可以设置第一层间绝缘层107以覆盖第一半导体层1110和第二半导体层1111、栅极1120和第一存储电极1121。
可以通过选择性地去除第一层间绝缘层107和栅极绝缘层106来在第一半导体层1110的相对两侧形成接触孔,并且源极1140和漏极1160可以分别通过接触孔连接到第一半导体层1110。在同一工艺中,第二存储电极1141可形成在第一层间绝缘层107上,以与第一存储电极1121交叠。
这里,用于驱动包括在发光单元E中的发光器件OLED的第一薄膜晶体管TFT可以包括从底部到顶部设置的第一半导体层1110、具有与第一半导体层1110的沟道区域交叠的沟道区域的栅极1120、以及分别连接到第一半导体层1110的相对两侧的源极1140和漏极1160。
存储电容器STC可以包括第一存储电极1121和第二存储电极1141,第一存储电极1121和第二存储电极1141隔着它们之间的第一层间绝缘层107彼此交叠。
可以形成第二层间绝缘层108以覆盖薄膜晶体管TFT和存储电容器STC。
这里,薄膜晶体管TFT和存储电容器STC可以包括遮光金属层,并且可以被设置为不与透射单元T交叠,因此可以与发光单元E(诸如红色发光单元RE和蓝色发光单元BE)交叠或者可以与用于形成堤150的部分交叠。这里,堤150可以定位在透射单元T/E与发光单元E之间,或者可以定位在发光单元E的彼此隔开的红色发光区域RE与蓝色发光区域BE之间。在发光单元E的情况下,作为反射电极的第一电极110可以防止设置在其下方的金属层可见,并且在堤150所在的部分中,由于布置具有可以相对较厚的厚度的堤150,可以防止设置在其下方的组件可见。
可以进一步形成平坦化层109以使覆盖第二层间绝缘层108的表面平坦化,并且可以通过选择性地去除平坦化层109和第二层间绝缘层108来形成接触部分CT1,因此,薄膜晶体管TFT和第一电极110可以通过接触部分CT1彼此连接。尽管图12示出了第一反射电极1101和第一透明电极1102的双层结构,但是透明电极可以跨越第一反射电极形成在下侧和上侧。例如,第一电极110的第一反射电极可以包含反射金属(例如,铝、铝合金、银或银合金),或者可以包含Ag-Pd-Cu(APC)的合金,以提高反射效率。
与第一电极110相对的第二电极(阴极)170可以包含反射透射金属,例如,镁合金、银合金、银、镁或MgAg。尽管描述为由金属或金属合金形成,但是第一电极110可以是具有导电性的非金属材料。根据需要,也可以使用诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明金属。另外,第一电极可以由包括第一层(或第一反射电极)1101和第二层(或第一透明电极)1102的多个层形成。第一层1101和第二层1102可以由不同的材料形成,但这不是必需的。
根据本公开的发光显示装置可以通过第二电极170发射光,并且光学补偿结构180可以设置在第二电极170上以增加光输出量。
第一电极110和第二电极170之间的有机叠层OS可以共同配置在子像素的发光单元E和堤150上,但是在相对于发射具有不同颜色的光的蓝色子像素、绿色子像素和红色子像素的相应发光单元中,至少发光层可以单独图案化。
包括基板100和形成在其上的薄膜晶体管阵列的结构将被称为薄膜晶体管阵列基板。在许多情况下,基板100可以形成为透明塑料膜,但是当应用玻璃基板时,在玻璃基板的厚度小时,可以应用玻璃基板。其它透明材料可用于基板100,但基板100不必是透明的。
图13是例示了根据本公开的第四实施方式的显示装置的截面图。图14是图13的显示装置的平面图。
如图13和图14所示,根据本公开的显示装置还可以包括透射单元T以及发光单元E1、E2和E3。根据图13的显示装置提供了基板100、反射金属111、空穴传输层HTL 131、发光层132a、电子传输层ETL 133、中间层134、上层240、阴极170、滤色器层200等。
发光单元E1、E2和E3的配置与根据第一至第三实施方式的前述发光单元E的配置相同,因此将省略其描述。
透射单元T不需要包括发光层、第一电极(例如,阳极)或第二电极(阴极)中的至少一个。
关于本公开的发光显示装置可以包括:包括多个发光单元的基板;位于发光单元处的发光层;在发光单元处位于发光层与基板之间的反射结构;横跨基板上的多个像素而位于发光层上方的透射电极;与透射电极接触的光学补偿结构,该光学补偿结构包括具有第一折射率的至少一个第一层和具有大于第一折射率的第二折射率的至少一个第二层,第一层比第二层厚;光学补偿结构上的封装层;以及封装层上的滤色器。
光学补偿结构可具有相消干涉特性,并且第一层的厚度可以是第二层的厚度的1.8倍至2.2倍大。
所述光学补偿结构可包含分别具有所述第一折射率的多个第一层及具有所述第二折射率的多个第二层;并且所述多个第一层中的一个可以与所述透射电极接触并且所述多个第一层中的另一个可以与所述封装层接触。
每个第一层的厚度可以是每个第二层的厚度的1.8倍至2.2倍大。
反射结构可以包括具有等于或大于100nm的厚度的反射金属。
发光显示装置还可以包括透明电极,该透明电极设置在反射金属和发光层之间并且具有比反射金属小的厚度。
发光显示装置还可以包括分别设置在发光层下方和上方的第一公共层和第二公共层,并且反射金属可以与第一公共层接触。
反射结构可以通过交替层叠多个第一折射率层和多个第二折射率层来配置,所述多个第一折射率层和所述多个第二折射率层彼此不同。
反射结构可以包括满足关系表达式
Figure BDA0003425651490000151
的金属,n是折射率并且k是金属的消光系数。
所述发光层可以包括将具有不同颜色的光发射到不同区域的第一发光层至第三发光层,所述反射结构包括分别对应于所述第一发光层至所述第三发光层的第一介电布拉格镜至第三介电布拉格镜,并且所述介电布拉格镜满足关系表达式
Figure BDA0003425651490000152
其中nA是层A的折射率,nB是层B的折射率。
发光显示装置还可以包括在反射结构和发光层之间的透明电极,并且透明电极可以具有等于或大于3nm的厚度,并且第一介电布拉格镜至第三介电布拉格镜可以位于基板和透明电极之间。
第一介电布拉格镜至第三介电布拉格镜中的每一个可以包括交替设置的多个第三层和多个第四层,第四层具有与第三层的折射率不同的折射率。
发光显示装置还可以包括基板上的透射单元。
根据另一实施方式,本公开的发光显示装置可以包括:基板,其包括发光单元和透射单元;发光器件,其在所述发光单元处包括发光层;光学补偿结构,其位于所述发光器件上,包括具有第一折射率的第一层和具有第二折射率的第二层,所述第一层比所述第二层厚;在所述光学补偿结构上的封装层;以及在所述封装层上的滤色器。
第一层的厚度可以是第二层的厚度的1.8至2.2倍大。
所述光学补偿结构可分别包括多个第一层及多个第二层,且多个第一层中的一个可以与所述发光器件接触且多个第一层中的另一个可以与所述封装层接触。
发光器件可以包括彼此面对的第一电极和第二电极、第一电极与第二电极之间的发光层、第一电极与发光层之间的第一公共层以及发光层与第二电极之间的第二公共层。第一电极包括反射层。
反射层可以包括满足关系表达式
Figure BDA0003425651490000161
的反射电极,n是折射率并且k是消光系数。
发光显示装置可以进一步包括位于反射层和第一公共层之间的透明电极。
反射层具有满足关系表达式
Figure BDA0003425651490000162
的介电布拉格镜。
根据本发明的发光显示装置可具有以下效果。
首先,在根据本公开的发光显示装置中,即使具有低反射率的金属被用于形成用作反射电极的电极,也可以实现预定的效率或更高的效率,因此可以不限制反射电极的使用。也就是说,设计自由度会较高。
第二,根据本公开的发光显示装置可以通过将内部腔体保持在顶部发光型的发光器件中并且应用其中通过上部光学补偿结构在所有的红色、绿色和蓝色中发生相消干涉的结构来应用用于最大亮度的视角结构。
第三,可以在光学补偿结构上方应用滤色器而不是偏振器,因此,可以确保颜色纯度,可以将外部光的反射减少到等于或大于50%的水平,并且由于没有偏振器的结构,即使在相消干涉结构中,也可以增加50%水平的有效效率。
第四,根据有效效率的增加,可以设计高达70%的下部低反射电极,从而增加对比度。
第五,当根据本公开的用于高亮度的视角结构与滤色器一起使用时,与没有根据本公开的光学补偿结构的结构相比,有效效率可以对应于146%的高发光效率。
对于本领域技术人员将显而易见的是,在不脱离本公开的精神或范围的情况下,可以在本公开中做出各种修改和变型。因此,本公开旨在覆盖本公开的修改和变型,只要它们在所附权利要求及其等同物的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年12月31日提交的韩国专利申请No.10-2020-0190035的权益,该韩国专利申请通过引用并入本文,如同在本文中完整阐述一样。

Claims (20)

1.一种发光显示装置,所述发光显示装置包括:
基板,其包括多个发光单元;
位于所述发光单元处的发光层;
在所述发光单元处位于所述发光层与所述基板之间的反射结构;
横跨所述基板上的多个像素而位于所述发光层上方的透射电极;
光学补偿结构,其与所述透射电极接触,并且包括具有第一折射率的多个第一层和具有大于所述第一折射率的第二折射率的多个第二层,每个所述第一层比每个所述第二层厚;
在所述光学补偿结构上方的封装层;以及
在所述封装层上方的滤色器。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,
所述光学补偿结构具有相消干涉特性,
所述第一层的厚度是所述第二层的厚度的1.8倍至2.2倍大。
3.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,
所述多个第一层中的一个与所述透射电极接触,并且所述多个第一层中的另一个与所述封装层接触。
4.根据权利要求3所述的发光显示装置,其中,所述多个第一层中的每一个的厚度是所述多个第二层中的每一个的厚度的1.8倍至2.2倍大。
5.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述反射结构包括厚度等于或大于100nm的反射金属。
6.根据权利要求5所述的发光显示装置,所述发光显示装置还包括设置在所述反射金属与所述发光层之间并且厚度比所述反射金属的厚度小的透明电极。
7.根据权利要求5所述的发光显示装置,所述发光显示装置还包括:
分别设置在所述发光层的下方和上方的第一公共层和第二公共层,
其中,所述反射金属与所述第一公共层接触。
8.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述反射结构通过交替层叠多个第一折射率层和多个第二折射率层来配置,所述多个第一折射率层和所述多个第二折射率层彼此不同。
9.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述反射结构包括满足关系表达式
Figure FDA0003425651480000021
的金属,n是折射率并且k是金属的消光系数。
10.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,
所述发光层包括将具有不同颜色的光发射到不同区域的第一发光层、第二发光层和第三发光层,
所述反射结构包括分别与所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层对应的第一介电布拉格镜、第二介电布拉格镜和第三介电布拉格镜,并且
所述介电布拉格镜满足关系表达式
Figure FDA0003425651480000022
其中,nA是层A的折射率,nB是层B的折射率。
11.根据权利要求10所述的发光显示装置,所述发光显示装置还包括:
在所述反射结构和所述发光层之间的透明电极,
其中,所述透明电极具有等于或大于3nm的厚度,并且
所述第一介电布拉格镜至所述第三介电布拉格镜位于所述基板和所述透明电极之间。
12.根据权利要求10所述的发光显示装置,其中,所述第一介电布拉格镜至所述第三介电布拉格镜中的每一个包括交替设置的多个第三层和多个第四层,每个第四层的折射率与每个第三层的折射率不同。
13.根据权利要求1所述的发光显示装置,所述发光显示装置还包括:
所述基板上的透射单元。
14.一种发光显示装置,所述发光显示装置包括:
基板,其包括位于所述基板的不同部分上的发光单元和透射单元;
发光器件,其在所述发光单元处包括发光层;
光学补偿结构,其位于所述发光器件上,包括具有第一折射率的第一层和具有第二折射率的第二层,所述第一层比所述第二层厚;
在所述光学补偿结构上的封装层;以及
在所述封装层上的滤色器。
15.根据权利要求14所述的发光显示装置,其中,所述第一层的厚度是所述第二层的厚度的1.8倍至2.2倍大。
16.根据权利要求14所述的发光显示装置,其中,
所述光学补偿结构分别包括多个所述第一层和多个所述第二层,并且
多个所述第一层中的一个与所述发光器件接触,并且多个所述第一层中的另一个与所述封装层接触。
17.根据权利要求14所述的发光显示装置,其中,所述发光器件包括:
彼此面对的第一电极和第二电极;
位于所述第一电极和所述第二电极之间的所述发光层;
第一公共层,其位于所述第一电极与所述发光层之间;以及
第二公共层,其位于所述发光层与所述第二电极之间,
其中,所述第一电极包括反射层。
18.根据权利要求17所述的发光显示装置,其中,所述反射层包括满足关系表达式
Figure FDA0003425651480000031
的反射电极,n是折射率并且k是所述反射层的消光系数。
19.根据权利要求17所述的发光显示装置,所述发光显示装置还包括:
在所述反射层与所述第一公共层之间的透明电极。
20.根据权利要求17所述的发光显示装置,其中,所述反射层具有满足关系表达式
Figure FDA0003425651480000032
的介电布拉格镜,其中,nA是层A的折射率,nB是层B的折射率。
CN202111579583.4A 2020-12-31 2021-12-22 发光显示装置 Pending CN114695782A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200190035A KR20220097058A (ko) 2020-12-31 2020-12-31 발광 표시 장치
KR10-2020-0190035 2020-12-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114695782A true CN114695782A (zh) 2022-07-01

Family

ID=82117869

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111579583.4A Pending CN114695782A (zh) 2020-12-31 2021-12-22 发光显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US12041816B2 (zh)
KR (1) KR20220097058A (zh)
CN (1) CN114695782A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024122062A1 (ja) * 2022-12-09 2024-06-13 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005086539A1 (ja) 2004-03-05 2005-09-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
WO2007047779A1 (en) * 2005-10-14 2007-04-26 University Of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for light emission utilizing an oled with a microcavity
KR102407115B1 (ko) 2015-06-25 2022-06-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102547689B1 (ko) 2018-06-20 2023-06-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치 및 그 제조 방법
KR20200082763A (ko) * 2018-12-31 2020-07-08 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
JP6844628B2 (ja) * 2019-01-09 2021-03-17 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器
JP6816780B2 (ja) * 2019-01-09 2021-01-20 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、ヘッドマウントディスプレイおよび電子機器
US11985846B2 (en) * 2020-05-13 2024-05-14 Samsung Display Co., Ltd. Display device including stacked capping layers

Also Published As

Publication number Publication date
US20220209195A1 (en) 2022-06-30
KR20220097058A (ko) 2022-07-07
US12041816B2 (en) 2024-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111384128B (zh) 透明显示装置
KR102513910B1 (ko) 전계발광 표시장치
JP4573672B2 (ja) 有機elパネル
JP4731211B2 (ja) エレクトロルミネッセンスパネル
US9136504B2 (en) Organic electroluminescent device
CN107845735B9 (zh) 包括薄膜包封层的有机发光二极管显示装置
US7508005B2 (en) Light emitting display apparatus with slight color shifting
US9343510B2 (en) Organic light emitting display device
KR102675914B1 (ko) 헤드 장착형 표시 장치 및 이에 포함된 표시 패널
US10439157B2 (en) Display device
JP5256909B2 (ja) 発光装置
KR102480330B1 (ko) 유기발광표시장치
US20240172474A1 (en) Display device comprising optical compensation layer at light-emitting unit and transmissive unit
CN114695782A (zh) 发光显示装置
WO2007004106A1 (en) Light-emitting device
KR102520566B1 (ko) 유기발광 표시장치
KR102704297B1 (ko) 유기발광표시장치
KR102704563B1 (ko) 유기발광표시장치
KR20220015069A (ko) 유기발광표시장치
KR20240120298A (ko) 발광 표시 장치
KR20240119978A (ko) 발광 표시 장치
KR20190112256A (ko) 다층 구조로 형성된 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination