KR102480330B1 - 유기발광표시장치 - Google Patents
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- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 claims abstract description 114
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 174
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 42
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 11
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 239000004985 Discotic Liquid Crystal Substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000004064 recycling Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- -1 poly(3-methylthiophene) Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000002335 surface treatment layer Substances 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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Abstract
본 발명은 유기발광표시장치에 관한 것으로, 특히 시야각 증가에 따른 색이동 현상이 개선된 유기발광표시장치에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 OLED의 광이 투과되는 기판의 외면으로 적외선 파장을 갖는 콜레스테릭액정층을 위치시키는 것이다.
이를 통해, 기판으로부터 출력되어 콜레스테릭액정층에 수직하게 입사된 광 중 일부 콜레스테릭액정층의 파장에 따른 적외선 파장영역의 광은 투과시키고, 시야각에 따른 특정 파장영역의 광은 반사시켜, 리사이클(Recycle)시키게 되어, 시야각 증가에 따라 장파장에서 단파장으로 색이동 되는 현상(color shift)을 측면 방향으로 출력된 광을 통하여 보상할 수 있게 된다. 따라서, 측면 시야각에서 블루쉬하게 보이는 현상을 개선하게 된다.
본 발명의 특징은 OLED의 광이 투과되는 기판의 외면으로 적외선 파장을 갖는 콜레스테릭액정층을 위치시키는 것이다.
이를 통해, 기판으로부터 출력되어 콜레스테릭액정층에 수직하게 입사된 광 중 일부 콜레스테릭액정층의 파장에 따른 적외선 파장영역의 광은 투과시키고, 시야각에 따른 특정 파장영역의 광은 반사시켜, 리사이클(Recycle)시키게 되어, 시야각 증가에 따라 장파장에서 단파장으로 색이동 되는 현상(color shift)을 측면 방향으로 출력된 광을 통하여 보상할 수 있게 된다. 따라서, 측면 시야각에서 블루쉬하게 보이는 현상을 개선하게 된다.
Description
본 발명은 유기발광표시장치에 관한 것으로, 특히 시야각 증가에 따른 색이동 현상이 개선된 유기발광표시장치에 관한 것이다.
최근 사회가 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서, 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 여러 가지 다양한 경량 및 박형의 평판표시장치가 개발되어 각광받고 있다.
이 같은 평판표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device : LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device : PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device : FED), 전기발광표시장치(Electroluminescence Display device : ELD), 유기발광소자(organic light emitting diodes : OLED) 등을 들 수 있는데, 이들 평판표시장치는 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 보여 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube : CRT)을 빠르게 대체하고 있다.
위와 같은 평판표시장치 중에서, 유기발광소자(이하, OLED라 함)는 자발광소자로서, 비발광소자인 액정표시장치에 사용되는 백라이트를 필요로 하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하다.
그리고, 액정표시장치에 비해 시야각 및 대비비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하며, 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용 온도범위도 넓은 장점을 가지고 있다.
특히, 제조공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 액정표시장치 보다 많이 절감할 수 있는 장점이 있다.
이러한 특성을 갖는 OLED는 크게 패시브 매트릭스 타입(passive matrix type)과 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)으로 나뉘어 지는데, 패시브 매트릭스 타입은 신호선을 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하는 반면, 액티브 매트릭스 타입은 화소영역을 온/오프(on/off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터가 화소영역 별로 위치하도록 한다.
최근, 패시브 매트릭스 타입은 해상도나 소비전력, 수명 등에 많은 제한적인 요소를 가지고 있어, 고해상도나 대화면을 구현할 수 있는 액티브 매트릭스 타입 OLED의 연구가 활발히 진행되고 있다.
도 1은 일반적인 액티브 매트릭스 타입 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 도면이며, OLED는 상부 발광방식이다.
도시한 바와 같이, OLED(10)는 구동 박막트랜지스터(DTr)와 발광다이오드(14)가 형성된 기판(1)이 보호필름(12)에 의해 인캡슐레이션(encapsulation)된다.
이를 좀더 자세히 살펴보면, 기판(1)의 상부에는 각 화소영역(SP) 별로 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있고, 각각의 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결되는 제 1 전극(11)과 제 1 전극(11)의 상부에 특정한 색의 빛을 발광하는 유기발광층(13)과, 유기발광층(13)의 상부에는 제 2 전극(15)이 구성된다.
이들 제 1 및 제 2 전극(11, 15)과 그 사이에 형성된 유기발광층(13)은 발광다이오드(14)를 이루게 된다. 이때, 이러한 구조를 갖는 OLED(10)는 제 1 전극(11)을 양극(anode)으로 제 2 전극(15)을 음극(cathode)으로 구성하게 된다.
이러한 구동 박막트랜지스터(DTr)와 발광다이오드(14) 상부에는 얇은 박막필름 형태인 보호필름(12)이 형성되어, OLED(10)는 보호필름(12)을 통해 인캡슐레이션(encapsulation)된다.
그리고 이러한 OLED(10)는 외부광의 세기에 따라 콘트라스트가 크게 감소하는 단점이 있다. 따라서, 외부광에 의한 콘트라스트의 저하를 방지하기 위하여 빛이 출사되는 기판(1)의 상부로 외부광 반사 차단용 편광판(20)을 부착한다.
즉, OLED(10)는 유기발광층(13)을 통해 발광된 빛의 투과방향에 외부로부터 입사되는 외부광을 차단하기 위한 편광판(20)을 위치시킴으로써, 콘트라스트를 향상시키게 된다.
한편, 이러한 OLED(10)는 유기발광층(13)에서 발광된 광이 OLED(10)의 여러 구성요소들을 통과하여 외부로 방출되는 과정에서 상당 부분 손실되어, OLED(10)의 외부로 방출되는 광은 유기발광층(13)에서 발광된 광 중 약 20%정도 밖에 되지 않는다.
여기서, 유기발광층(13)으로부터 방출되는 광량은 OLED(10)로 인가되는 전류의 크기와 더불어 증가하게 되므로, 유기발광층(13)으로 보다 많은 전류를 인가하여 OLED(10)의 휘도를 보다 상승 시킬 수는 있으나, 이는 전력소모가 커지게 되고, 또한 OLED(10)의 수명 또한 감소시키게 된다.
따라서, 최근에는 OLED(10)의 광효율을 향상시키기 위하여 마이크로 캐비티 효과를 구현하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있는데, 마이크로 캐비티 효과는 정면 휘도는 증가시키게 되나 측면에서는 광이 장파장에서 단파장으로 색이동(color shift)되는 현상이 발생하게 된다.
첨부한 도 2는 시야각에 따른 휘도 분포를 나타낸 그래프로, 가로축은 시야각을 나타내며 세로축은 정면 대비 색상차(Δu'v', a.u. (arbitrary unit)를 나타낸 것이다.
정면 대비 색상차는 발광다이오드(도 3의 E)로부터 발광되는 광의 색상을 기준으로 시야각에서의 색상과의 차이를 표현한 수치이다. 즉, 0도에서의 적색(red), 녹색(green), 청색(blue), 백색(white)의 색상을 기준으로하여 다양한 시야각에서의 색상의 차이를 u'v'값으로 환산하여 표시한 것이다.
도 2를 참조하면, 0도에서 60도로 변함에 따라 청색(blue)의 발광세기 변화율이 급격하게 커지게 되는 것을 확인할 수 있는데, 이는 시야각이 증가할수록 광이 장파장에서 단파장으로 색이동되는 현상이 발생하기 때문이다.
이를 통해 화상의 전방을 기준으로 측면에서는 OLED(10)의 화면은 블루쉬(Bluish)하게 보이는 색이동 현상이 발생하게 되는 것이다.
이는 OLED(10)을 바라보는 방향과 각도에 따라 많은 색감 차이를 보이게 되며, 실제 제품의 품질을 저하시키는 요소로 작용하게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 시야각 증가에 따른 화질저하가 발생하는 것이 방지된 OLED를 제공하는 것을 목적으로 한다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 적색, 녹색, 청색 화소영역을 포함하는 기판과, 상기 적색, 녹색, 청색 화소영역 별로 각각 구비되는 구동 박막트랜지스터 및 발광다이오드와, 상기 구동 박막트랜지스터 및 상기 발광다이오드를 덮어 가리는 보호필름과, 상기 발광다이오드로부터 발광하는 광의 투과방향에 적외선 파장을 갖는 콜레스테릭액정층(cholesteric liquid crystal : CLC)을 포함하며, 상기 적외선 파장은 800 ~ 1100nm이며, 상기 콜레스테릭액정층은 40 ~ 60도의 시야각에서 400 ~ 700nm의 반사 파장을 갖는 유기발광표시장치를 제공한다.
이때, 상기 콜레스테릭액정층의 상기 적외선 파장이 800nm 일 때, 60도의 시야각에서는 400nm의 반사 파장을 가지며, 상기 콜레스테릭액정층의 상기 적외선 파장이 1100nm 일 때, 60도의 시야각에서는 580nm의 반사 파장을 갖는다.
그리고, 상기 콜레스테릭액정층은 상기 발광다이오드와 1/4λ 위상차판 사이로 위치하며, 상기 위상차판 상부로는 선편광판이 위치하며, 상기 콜레스테릭액정층이 로드(rod)형상의 액정분자로 이루어지며, 상기 콜레스테릭액정층과 상기 위상차판 사이로 색보상층을 포함한다.
이때, 상기 콜레스테릭액정층은 원반(discotic)형상의 액정분자가 축을 따라 배향방향이 변화는 나선형의 구조로 이루어지며, 상기 적색 화소영역에 위치하는 상기 발광다이오드는 제 1 두께를 가지며, 상기 녹색 화소영역에 위치하는 상기 발광다이오드는 제 2 두께를 가지며, 상기 청색 화소영역에 위치하는 상기 발광다이오드는 제 3 두께를 가지며, 상기 제 1 내지 제 3 두께는 서로 상이하다.
그리고, 상기 제 1 내지 제 3 두께는 상기 발광다이오드의 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 거리이며, 상기 구동 박막트랜지스터는 반도체층과, 반도체층 상에 위치하는 게이트절연막, 상기 게이트절연막 상에 위치하는 게이트전극, 상기 게이트전극 상에 위치하는 제 1 층간절연막, 상기 제 1 층간절연막 상에 위치하는 소스 및 드레인전극을 포함하며, 상기 발광다이오드는 상기 소스 및 드레인전극 상에 위치하는 오버코팅층 상부로 위치하며, 상기 구동 박막트랜지스터와 연결되는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상부로 위치하는 유기발광층 그리고 상기 유기발광층 상부로 위치하는 제 2 전극을 포함한다.
위에 상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 OLED의 광이 투과되는 기판의 외면으로 적외선 파장을 갖는 콜레스테릭액정층을 위치시킴으로써, 기판으로부터 출력되어 콜레스테릭액정층에 수직하게 입사된 광 중 일부 콜레스테릭액정층의 파장에 따른 적외선 파장영역의 광은 투과시키고, 시야각에 따른 특정 파장영역의 광은 반사시켜, 리사이클(Recycle)시키게 되는 효과가 있다.
이를 통해, 시야각 증가에 따라 장파장에서 단파장으로 색이동되는 현상(color shift)을 측면 방향으로 출력된 광을 통하여 보상할 수 있는 효과가 있다. 따라서, 측면 시야각에서 블루쉬하게 보이는 현상을 개선하게 되는 효과가 있다.
도 1은 일반적인 액티브 매트릭스 타입 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 시야각에 따른 휘도 분포를 나타낸 그래프.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 OLED를 개략적으로 도시한 단면도.
도 4a ~ 4b와 도 5a ~ 5b는 본 발명의 실시예에 따른 콜레스테릭액정층의 액정분자를 개략적으로 도시한 도면.
도 6a는 800nm의 파장을 갖는 콜레스테릭액정층의 시야각에 따른 반사 파장을 나타낸 그래프.
도 6b는 도 6a의 반사파장에 따른 반사율을 나타낸 그래프.
도 7a는 1100nm의 파장을 갖는 콜레스테릭액정층의 시야각에 따른 반사 파장을 나타낸 그래프.
도 7b는 도 7a의 반사파장에 따른 반사율을 나타낸 그래프.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 OLED의 화상구현 시 광의 가이드 변화를 개략적으로 도시한 개념도.
도 9는 일반적인 OLED와 본 발명의 실시예에 따른 OLED의 시야각에 따른 휘도 분포를 비교하여 나타낸 그래프.
도 10은 750nm의 파장을 갖는 CLC층의 시야각에 따른 반사 파장을 나타낸 그래프.
도 11은 일반적인 OLED와 원반형상의 액정분자로 이루어지는 CLC층을 포함하는 본 발명의 실시예에 따른 OLED의 시야각에 따른 휘도 분포를 비교하여 나타낸 그래프.
도 12a는 마이크로 캐비티 효과가 구현된 OLED를 정면에서 바라보았을 때의 화상을 나타낸 사진.
도 12b는 마이크로 캐비티 효과가 구현된 OLED를 측면에서 바라보았을 때의 화상을 나타낸 사진.
도 2는 시야각에 따른 휘도 분포를 나타낸 그래프.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 OLED를 개략적으로 도시한 단면도.
도 4a ~ 4b와 도 5a ~ 5b는 본 발명의 실시예에 따른 콜레스테릭액정층의 액정분자를 개략적으로 도시한 도면.
도 6a는 800nm의 파장을 갖는 콜레스테릭액정층의 시야각에 따른 반사 파장을 나타낸 그래프.
도 6b는 도 6a의 반사파장에 따른 반사율을 나타낸 그래프.
도 7a는 1100nm의 파장을 갖는 콜레스테릭액정층의 시야각에 따른 반사 파장을 나타낸 그래프.
도 7b는 도 7a의 반사파장에 따른 반사율을 나타낸 그래프.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 OLED의 화상구현 시 광의 가이드 변화를 개략적으로 도시한 개념도.
도 9는 일반적인 OLED와 본 발명의 실시예에 따른 OLED의 시야각에 따른 휘도 분포를 비교하여 나타낸 그래프.
도 10은 750nm의 파장을 갖는 CLC층의 시야각에 따른 반사 파장을 나타낸 그래프.
도 11은 일반적인 OLED와 원반형상의 액정분자로 이루어지는 CLC층을 포함하는 본 발명의 실시예에 따른 OLED의 시야각에 따른 휘도 분포를 비교하여 나타낸 그래프.
도 12a는 마이크로 캐비티 효과가 구현된 OLED를 정면에서 바라보았을 때의 화상을 나타낸 사진.
도 12b는 마이크로 캐비티 효과가 구현된 OLED를 측면에서 바라보았을 때의 화상을 나타낸 사진.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 OLED를 개략적으로 도시한 단면도이다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(100)는 각 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP) 별로 구동 박막트랜지스터(DTr)가 위치하나, 설명의 편의 및 도면의 간결함을 위하여 구동 박막트랜지스터(DTr)를 적색 화소영역(R-SP)에만 도시하였다.
그리고, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(100)는 발광된 광의 투과방향에 따라 상부 발광방식 (top emission type)과 하부 발광방식(bottom emission type)으로 나뉘게 되는데, 이하 본 발명에서는 하부 발광방식을 일예로 설명하도록 하겠다.
또한, 설명의 편의를 위해 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되는 영역을 스위칭영역(TrA), 그리고 발광다이오드(E)가 형성되는 영역을 발광영역(EA)이라 정의한다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(100)는 구동 박막트랜지스터(DTr)와 발광다이오드(E)가 형성된 기판(101)이 보호필름(120)에 의해 인캡슐레이션(encapsulation)된다.
이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 기판(101) 상의 각 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP)의 스위칭영역(TrA)에는 반도체층(103)이 위치하는데, 반도체층(103)은 실리콘으로 이루어지며 그 중앙부는 채널을 이루는 액티브영역(103a) 그리고 액티브영역(103a) 양측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 소스 및 드레인영역(103b, 103c)으로 구성된다.
이러한 반도체층(103) 상부로는 게이트절연막(105)이 위치한다.
게이트절연막(105) 상부로는 반도체층(103)의 액티브영역(103a)에 대응하여 게이트전극(107)과 도면에 나타내지 않았지만 일방향으로 연장하는 게이트배선(미도시)이 구비된다.
또한, 게이트전극(107)과 게이트배선(미도시)을 포함하는 상부로는 제 1 층간절연막(109a)이 위치하며, 이때 제 1 층간절연막(109a)과 그 하부의 게이트절연막(105)은 액티브영역(103a) 양측면에 위치한 소스 및 드레인영역(103b, 103c)을 각각 노출시키는 제 1, 2 반도체층 콘택홀(116)이 구비된다.
다음으로, 제 1, 2 반도체층 콘택홀(116)을 포함하는 제 1 층간절연막(109a) 상부로는 서로 이격하며 제 1, 2 반도체층 콘택홀(116)을 통해 노출된 소스 및 드레인영역(103b, 103c)과 각각 접촉하는 소스 및 드레인 전극(110a, 110b)이 구비되어 있다.
그리고, 소스 및 드레인전극(110a, 110b)과 두 전극(110a, 110b) 사이로 노출된 제 1 층간절연막(109a) 상부로 제 2 층간절연막(109b)이 위치한다.
이때, 소스 및 드레인 전극(110a, 110b)과 이들 전극(110a, 110b)과 접촉하는 소스 및 드레인영역(103b, 103c)을 포함하는 반도체층(103)과 반도체층(103) 상부에 위치하는 게이트절연막(105) 및 게이트전극(107)은 구동 박막트랜지스터(DTr)를 이루게 된다.
한편, 도면에 나타나지 않았지만, 게이트배선(미도시)과 교차하여 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP)을 정의하는 데이터배선(미도시)이 위치하며, 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 구조로, 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결된다.
그리고, 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 및 구동 박막트랜지스터(DTr)는 도면에서는 반도체층(103)이 폴리실리콘 반도체층 또는 산화물반도체층으로 이루어진 탑 게이트(top gate) 타입을 예로써 보이고 있으며, 이의 변형예로써 순수 및 불순물의 비정질실리콘으로 이루어진 보텀 게이트(bottom gate) 타입으로 구비될 수도 있다.
이때, 반도체층(103)이 산화물반도체층으로 이루어질 경우 반도체층(103) 하부로 차광층(미도시)이 더욱 위치할 수 있으며, 차광층(미도시)과 반도체층(103) 사이로 버퍼층(미도시)이 위치할 수 있다.
그리고, 제 1 층간절연막(109a)과 제 2 층간절연막(109b)은 드레인전극(110b)을 노출하는 드레인콘택홀(118)을 포함하며, 이러한 제 2 층간절연막(109b) 상부로는 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인전극(110b)과 연결되며 예를 들어 일함수 값이 비교적 높은 물질로 발광다이오드(E)의 양극(anode)을 이루는 제 1 전극(111)이 위치한다.
제 1 전극(111)은 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO)와 같은 금속 산화물, ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 혼합물, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube; CNT), 그래핀(graphene), 은 나노와이어(silver nano wire) 등으로 이루어질 수 있다.
이러한 제 1 전극(111)은 각 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP) 별로 위치하는데, 각 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP) 별로 위치하는 제 1 전극(111) 사이에는 뱅크(bank : 119)가 위치한다. 즉, 제 1 전극(111)은 뱅크(119)를 각 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP) 별 경계부로 하여 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP) 별로 분리된 구조를 갖게 된다.
그리고 제 1 전극(111)의 상부에 유기발광층(113)이 위치하는데, 유기발광층(113)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transport layer), 발광층(emitting material layer), 전자수송층(electron transport layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.
그리고, 유기발광층(113)의 상부로는 전면에 음극(cathode)을 이루는 제 2 전극(115)이 위치한다.
제 2 전극(115)은 일함수 값이 비교적 작은 물질로 이루어질 수 있다. 이때, 제 2 전극(115)은 이중층 구조로, 일함수가 낮은 금속 물질인 Ag 등으로 이루어지는 제 1 금속과 Mg 등으로 이루어지는 제 2 금속이 일정 비율로 구성된 합금의 단일층 또는 이들의 다수 층으로 구성될 수 있다.
이러한 OLED(100)는 선택된 신호에 따라 제 1 전극(111)과 제 2 전극(115)으로 소정의 전압이 인가되면, 제 1 전극(111)으로부터 주입된 정공과 제 2 전극(115)으로부터 제공된 전자가 유기발광층(113)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 천이 될 때 광이 발생되어 가시광선의 형태로 방출된다.
여기서, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(100)는 유기발광층(113)으로부터 발광된 광이 제 1 전극(111)을 통해 외부로 출력되는 하부 발광방식(bottom emission type)으로, 이때, 제2 전극(115)은 불투명 도전성 물질로 이루어진 반사층(도시하지 않음)을 더 포함한다. 일예로, 반사층은 알루미늄-팔라듐-구리(aluminum-paladium-copper: APC) 합금으로 형성될 수 있으며, 제2 전극(115)은 ITO/APC/ITO의 3중층 구조를 가질 수 있다.
또한, 제 1 전극(115)은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 제1 전극(111)이 반투과 금속물질로 형성되는 경우, 마이크로 캐비티(micro cavity)에 의해 출광 효율이 높아질 수 있다.
즉, 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드(E)는 각 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP) 별로 제 1 전극(111)과 제 2 전극(115) 사이의 거리를 상이하게 형성하여, 마이크로 캐비티 효과를 구현하는 것이다.
여기서, 마이크로 캐비티(micro cavity) 효과란, 거울과 거울 사이에서 반사되는 광이 상쇄되거나 보강 간섭됨에 따라 일정한 파장의 광만이 유지되고 나머지 파장의 광은 상쇄하여, 특정 파장의 광의 세기를 증가시키거나, 특정 파장의 광의 세기를 감소시키게 된다.
이러한 마이크로 캐비티 효과를 구현하기 위해서는 원하는 피크 색 파장에 대응하는 공진 파장을 갖도록 각 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP) 별로 제 1 전극(111)과 제 2 전극(115) 사이, 또는 제 1 및 제 2 전극(111, 115)과 유기발광층(113)의 발광막 사이의 마이크로 캐비티 깊이(depth) 또는 거리(length)를 구성하게 된다.
이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 본 출원에 따른 OLED(100)에서, 하나의 단위 화소(P)는 인접한 적색, 녹색, 청색 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP)으로 구성될 수 있는데, 여기서, 효율적인 마이크로 캐비티 깊이는 파장인 광학적 거리에 의해 정의하므로, 적색광의 파장이 녹색광의 파장보다 길기 때문에 적색 화소영역(R-SP)에 대한 마이크로 캐비티 깊이는 녹색 화소영역(G-SP)에 대한 마이크로 캐비티 깊이 보다 깊도록 구성할 수 있다.
또한, 녹색광의 파장이 청색광의 파장보다 길기 때문에 녹색 화소영역(G-SP)에 대한 마이크로 캐비티 깊이는 청색 화소영역(B-SP)에 대한 마이크로 캐비티 깊이보다 깊도록 구성할 수 있다.
여기서, 적색, 녹색, 청색 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP)은 마이크로 캐비티 효과를 구현하기 위해서는 아래 (수식 1)를 만족하는 것이 바람직하다.
(수식 1)
nd = (2m-1)λ(m=0, 1, 2, ....)
여기서, n은 유기발광층(113)의 발광막(EML)의 굴절률이고, d는 발광막(EML)과 제 2 전극(115) 사이의 거리, m은 상수, λ는 원하는 중심파장을 나타낸다.
따라서, 일예로 적색 화소영역(R-SP)의 제 1 전극(111)은 제 1 두께로 형성되며, 녹색 화소영역(G-SP)의 제 1 전극(111)은 제 1 두께 보다 얇은 제 2 두께로 형성되며, 청색 화소영역(B-SP)의 제 1 전극(111)은 제 2 두께보다 얇은 제 3 두께로 형성될 수 있다.
이러한 적색, 녹색 및 청색 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP) 별로 차등 두께로 형성되는 제 1 전극(111)에 의해, 적색 화소영역(R-SP)의 제 1 전극(111)에서부터 제 2 전극(115)까지의 거리는 가장 멀고, 청색 화소영역(B-SP)의 제 1 전극(111)에서부터 제2 전극(115)까지의 거리는 가장 가깝고, 녹색 화소영역(G-SP) 의 제 1 전극(111)에서부터 제 2 전극(115)까지의 거리는 중간 거리를 가지도록 형성될 수 있다.
즉, 적색 화소영역(R-SP)의 마이크로 캐비티 깊이는 가장 길고, 청색 화소영역(B-SP)의 마이크로 캐비티 깊이는 가장 짧고, 녹색 화소영역(G-SP)의 마이크로 캐비티 깊이는 중간 길이를 가지도록 형성될 수 있다.
이에 따라, 각 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP) 마다 출사광을 보강간섭 할 수 있으므로, 각 화소영역(R-SP, G-SP, B-SP)에서의 발광 효율을 최적화할 수 있어 소비전력을 낮출 수 있다.
그리고, 이러한 구동 박막트랜지스터(DTr)와 발광다이오드(E) 상부에는 얇은 박막필름 형태인 보호필름(120)이 형성되어, OLED(100)는 보호필름(120)을 통해 인캡슐레이션(encapsulation)된다.
여기서, 보호필름(120)은 외부 산소 및 수분이 OLED(100) 내부로 침투하는 것을 방지하기 위하여, 무기보호필름을 적어도 2장 적층하여 사용하는데, 이때, 2장의 무기보호필름 사이에는 무기보호필름의 내충격성을 보완하기 위한 유기보호필름이 개재되는 것이 바람직하다.
이러한 유기보호필름과 무기보호필름이 교대로 반복하여 적층된 구조에서는 유기보호필름의 측면을 통해서 수분 및 산소가 침투하는 것을 막아주어야 하기 때문에 무기보호필름이 유기보호필름을 완전히 감싸는 구조로 이루어지는 것이 바람직하다.
따라서, OLED(100)는 외부로부터 수분 및 산소가 OLED(100) 내부로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
이를 통해, 내부로 유입된 산소나 수분으로 인해, 전극층의 산화 및 부식이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 따라서 유기발광층(113)의 발광특성이 저하되고, 유기발광층(113)의 수명이 단축되었던 문제점을 방지할 수 있다.
또한, 전류 누설 및 단락이 발생하는 것을 방지하게 되며, 화소불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이를 통해 휘도나 화상 특성의 불균일이 발생되었던 문제점을 방지하게 된다.
그리고, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(100)는 광이 투과되는 기판(101)의 외면으로 외부광에 의한 콘트라스트의 저하를 방지하기 위한 편광판(130)이 위치하게 된다.
즉, OLED(100)는 화상을 구현하는 구동모드일 때 유기발광층(113)을 통해 발광된 광의 투과방향에 외부로부터 입사되는 외부광을 차단하는 편광판(130)을 위치시킴으로써, 콘트라스트를 향상시키게 된다.
이때, 편광판(130)과 기판(101) 사이에는 투명하며 접착특성을 갖는 제 1 점착층(131a)이 개재될 수 있다.
편광판(130)은 외부광을 차단하기 위한 원편광판으로, 기판(101)의 외면에 부착된 위상차판(133)과 선편광판(135)으로 구성되는데, 선편광판(135)과 위상차판(133) 사이로는 제 2 점착층(131b)이 개재되어, 선편광판(135)과 위상차판(133)도 서로 부착된다.
이때, 선편광판(135)과 위상차판(133)의 적층 순서는 외부광의 입사방향에 가깝도록 선편광판(135)을 배치시키고 그 안쪽으로 위상차판(133)을 배치시키는 구조가 바람직하다.
위상차판(133)은 1/4λ 위상지연값을 갖는 4분의 1파장판(quarter wave plate : QWP)로 이루어진다.
그리고, 선편광판(135)은 편광축을 가지며, 편광축 방향으로 광을 선편광시킨다. 구체적으로 선편광판(135)은 편광축과 일치하는 광은 통과시키고 편광축과 일치하지 않는 광은 흡수하게 된다. 따라서, 광이 선편광판(135)을 통과하면 편광축 방향으로 선편광된다.
그리고, 선편광판(135) 외측으로는 표면처리층(미도시)을 더욱 포함할 수 있는데, 표면처리층(미도시)은 실리카 비드(silica bead : 미도시)가 포함된 눈부심방지(anti-glare)층 이거나, 편광판(135) 표면의 손상 방지를 위한 하드 코팅(hard coating)층 일 수 있다.
이를 통해, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(100)는 편광판(130)을 통해 외부광의 반사를 최소화하여 콘트라스트의 저하를 방지할 수 있다.
특히, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(100)는 위상차판(133)과 기판(101) 사이로 적외선(Infrared Radiation: IR) 파장을 갖는 콜레스테릭액정(Cholesteric Liquid Crystal: CLC)(200)층이 배치될 수 있다.
즉, 위상차판(133)과 콜레스테릭액정층(200) 사이로는 제 3 점착층(131c)이 개재되며, 콜레스테릭액정층(200)과 기판(101) 사이로 제 1 점착층(131a)이 개재되어 위치한다.
콜레스테릭액정층(200)은 적외선 파장을 가져 특정 파장대를 선택적으로 반사시키게 되는데, 즉, 기판(101)을 통과하여 콜레스테릭액정층(200)에 입사되는 광 중 정면은 적외선 파장영역을 반사시키지만 시야각에 따른 반사 파장영역은 선택적으로 반사하여 리사이클(Recycle)시킬 수 있다.예를 들면, 기판(101)을 통하여 콜레스테릭액정층(200)에 입사된 광 중 시야각으로 진행하는 광은 선택적으로 설계된 파장영역의 광만을 반사시키고, 반사된 광이 기판(101)과 콜레스테릭액정층(200) 사이의 구성들에 의하여 재반사되어, OLED(100)의 측면 방향으로 리사이클(Recycle)되어 출력될 수 있다.
이에 따라, 시야각 증가에 따라 장파장에서 단파장으로 색이 이동 되는 현상(color shift)을 측면 방향으로 출력된 광을 통하여 보상할 수 있게 된다.
이에 대해 도 4a ~ 4b와 도 5a ~ 5b를 참조하여 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다.
도 4a ~ 4b와 도 5a ~ 5b는 본 발명의 실시예에 따른 콜레스테릭액정층의 액정분자를 개략적으로 도시한 도면이다.
설명에 앞서, 콜레스테릭액정층(이하, CLC층이라 함)(도 3의 200)은 액정분자(210, 220)의 광축이 나선축을 따라 꼬이면서 층을 이루며 배향한 나선형의 구조를 가진다.
여기서, CLC층(도 3의 200)의 액정분자(210, 220)는 막대(rod)형상으로 이루어지거나, 또는 원반(discotic)형상으로 이루어질 수 있는데, 도 4a ~ 4b에 도시한 바와 같이 막대형상으로 이루어지는 액정분자(210)는 광축이 액정분자(210)의 장축과 대응되어 광축과 흡수축이 서로 수직을 이루며, 도 5a ~ 5b에 도시한 바와 같이 원반형상으로 이루어지는 액정분자(220)는 광축이 원반 평면의 법선 방향의 축에 대응되어 광축과 흡수축이 평행을 이룬다.
이러한 CLC층(도 3의 200)의 콜레스테릭액정은 액정분자(210, 220)의 광축이 360도 회전을 완성하기까지의 거리를 피치(P)라 정의하면, 반복되는 구조에 의해서 광이 브래그(bragg) 반사를 일으키게 된다.
일반적으로 콜레스테릭액정에서는 나선축을 따라 전파되는 광에 대하여, 파장(λ)이 하기 (식 1)의 범주일 때 브래그(Bragg) 반사가 일어난다.
(식 1)
NoP < λ < NeP
P는 콜레스테릭액정의 피치이고, Ne는 콜레스테릭액정의 광축에 대해 평행하게 편광된 광에 대한 콜레스테릭액정의 굴절율을 나타내며, No은 콜레스테릭액정의 광축에 수직으로 편광된 광에 대한 콜레스테릭액정의 굴절율을 나타낸다.
또한, 콜레스테릭액정에 의해 반사되는 광, 즉 반사광의 파장 범위의 중심 파장(λ0)은 하기 (식 2) 에 의해 정의될 수 있다.
(식 2)
λ0 = 0.5(No+Ne)P
또한, 콜레스테릭액정에 의해 반사되는 광의 스펙트럼 폭(△λ0)은 하기 (식 3)에 의해 정의될 수 있다.
(식 3)
△λ0 = 2λ0 (Ne-No)/(No+Ne) = P(Ne-No)
이러한 콜레스테릭액정층은 원편광을 선택적으로 투과 또는 반사시킬 수 있다. 즉, 우원편광된 광 또는 좌원편광된 광을 선택적으로 반사 또는 투과시킬 수 있는 것이다.
여기서, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(도 3의 100)는 CLC층(도 3의 200)의 피치(P)를 통해 반사 파장을 800nm 내지 1,100nm으로 조절할 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(도 3의 100)는 이러한 CLC층(도 3의 200)으로 입사되는 광 중 적외선의 파장영역은 그대로 투과시키게 되며, 시야각에 따른 특정 파장대는 선택적으로 반사시키게 된다.
반사된 광은 리사이클 되어, OLED(도 3의 100)의 측면 방향으로 출력됨으로써, 시야각 증가에 따라 장파장에서 단파장으로 색이 이동 되는 현상(color shift)을 측면 방향으로 출력된 광을 통하여 보상할 수 있게 된다.
도 6a는 800nm의 파장을 갖는 콜레스테릭액정층의 시야각에 따른 반사 파장을 나타낸 그래프이며, 도 6b는 도 6a의 반사파장에 따른 반사율을 나타낸 그래프이다.
그리고, 도 7a는 1100nm의 파장을 갖는 콜레스테릭액정층의 시야각에 따른 반사 파장을 나타낸 그래프이며, 도 7b는 도 7a의 반사파장에 따른 반사율을 나타낸 그래프이다.
설명에 앞서, 도 6a 내지 도 7b의 콜레스테릭액정층은 막대(rod)형상으로 이루어진 액정분자로 이루어진다.
도 6a 에 도시한 바와 같이, 800nm의 파장을 갖는 CLC층(도 3의 200)은 시야각이 커질수록 반사하는 파장영역의 범위가 낮아지는 것을 확인할 수 있는데, 0도에서는 800nm의 파장영역을 반사시키게 되나 60도의 시야각에서는 400nm의 파장영역을 반사시키게 된다.
그리고 이때 800nm의 파장을 갖는 CLC층(도 3의 200)은 CLC층(도 3의 200)으로 입사된 광 중 760 ~ 840nm의 파장의 광의 반사율이 높은 것을 확인할 수 있다.
또한, 도 7a에 도시한 바와 같이, 1100nm의 파장을 갖는 CLC층(도 3의 200) 역시 시야각이 커질수록 반사하는 파장영역의 범위가 낮아지는 것을 확인할 수 있는데, 0도에서는 1100nm의 파장영역을 반사시키게 되나 60도의 시야각에서는 580nm의 파장영역을 반사시키게 된다.
그리고 1100nm의 파장을 갖는 CLC층(도 3의 200)은 CLC층(도 3의 200)으로 입사된 광 중 1060 ~ 1150nm의 파장의 광의 반사율이 높은 것을 확인할 수 있다.
이러한 도 6a 내지 도 7b를 참조하면, CLC층(도 3의 200)이 400nm내지 1150nm 파장의 광을 선택적으로 반사시킬 수 있는 것을 확인할 수 있는데, CLC층(도 3의 200)은 광을 선택적으로 반사시키는 과정에서 시야각에 따라 반사하는 광의 파장영역이 달라지게 되므로, 이를 고려하여 CLC층(도 3의 200)을 설계할 수 있다.
즉, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(도 3의 100)는 전방을 기준으로 측면에서OLED(도 3의 100)의 화면이 블루쉬(Bluish)하게 보이는 색이동 현상이 발생하는 것을 방지하기 위하여 CLC층(도 3의 200)을 형성함에 있어서, 블루쉬하게 보이는 현상을 개선하고자 녹색파장영역부터 적색파장영역의 광을 리사이클 시켜, OLED(도 3의 100)의 측면 방향으로 출력되도록 하는 것이다.
OLED(도 3의 100)의 측면 방향으로 출력되는 녹색파장영역부터 적색파장영역의 광, 특히 적색파장영역의 광은 블루쉬하게 보이는 현상을 보상하게 된다.
여기서, 800nm 의 파장을 갖는 CLC층(도 3의 200)은 시야각에 따라 400 ~ 800nm 의 파장영역의 광을 반사시키게 되며, 1100nm의 파장을 갖는 CLC층(도 3의 200)은 시야각에 따라 580 ~ 1100nm의 파장영역의 광을 반사시키게 된다.
이때, 보다 적색파장의 광을 반사시키기 위해서는 40 ~ 60도의 시야각에서 약 550 ~ 800nm의 반사파장을 구현하도록 CLC층(도 3의 200)이 1100nm의 파장을 갖도록 설계하며, 보다 녹색파장의 광을 반사시키기 위해서는 40 ~ 60도의 시야각에서 약 400 ~ 600nm의 반사파장을 구현하도록 CLC층(도 3의 200)이 800nm의 파장을 갖도록 설계하는 것이다.
이를 통해, 적색파장의 광을 통해 블루쉬하게 보이는 현상을 개선하게 되는 것이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 OLED의 화상구현 시 광의 가이드 변화를 개략적으로 도시한 개념도이다.
설명의 편의를 위하여 적색 화소영역(도 3의 R-SP)의 광의 가이드 변화를 개략적으로 도시하였으며, CLC층(200)은 1100nm의 파장을 갖는다.
도시한 바와 같이, OLED(100)의 발광다이오드(도 3의 E)의 제 1 전극(도 3의 111)과 제 2전극(도 3의 115)으로 소정의 전압이 인가되면, 유기발광층(도 3의 113)으로부터 다양한 위상이 혼재하는 적색광(A)이 방출되게 된다.
유기발광층(도 3의 113)에서 방출된 적색광(A)은 그대로 1100nm의 파장을 갖는 CLC층(200)을 투과하게 되어, 화상을 구현하게 된다.
이에 반해, 유기발광층(도 3의 113)으로부터 측면으로 비스듬하게 출광되어 CLC층(200)으로 특정 시야각으로 입사되는 적색광은 CLC층(200)에 의해 반사되어, OLED(100) 내부로 재입사되게 된다.
OLED(100) 내부로 재입사된 적색광은 OLED(100) 내부의 구성요소에 의해 재반사되어 일정한 경사를 가지고 다시 측면으로 비스듬하게 출광되게 된다.
이때 CLC층(200)에 의해 반사되어 리사이클 되는 광(B)은 휘도가 상승되어, OLED(100)의 측면 방향으로 출광됨으로써, 시야각 증가에 따라 장파장에서 단파장으로 색이 이동 되는 현상(color shift)을 측면 방향으로 출력된 광을 통하여 보상할 수 있게 된다.
도 9는 일반적인 OLED와 본 발명의 실시예에 따른 OLED의 시야각에 따른 휘도 분포를 비교하여 나타낸 그래프이다.
설명에 앞서, 가로축은 시야각을 나타내며 세로축은 정면 대비 색상차(Δu'v', a.u. (arbitrary unit)를 나타낸다.
정면 대비 색상차는 발광다이오드(도 3의 E)로부터 발광되는 광의 색상을 기준으로 시야각에서의 색상과의 차이를 표현한 수치이다. 즉, 0도에서의 적색(red), 녹색(green), 청색(blue), 백색(white)의 색상을 기준으로하여 다양한 시야각에서의 색상의 차이를 u'v'값으로 환산하여 표시한 것이다.
도 9는 백색의 정면 대비 색상 차이를 측정하였으며, Sample 1은 일반적인 OLED를 나타내며, Sample 2는 본 발명의 실시예에 따른 CLC층을 포함하는 OLED를 나타낸다.
여기서, CLC층(도 8의 200)은 막대(rod)형상으로 이루어진 액정분자(도 4b의 210)로 이루어진다.
도 9를 살펴보면, Sample 1은 시야각이 0도에서 60도로 변함에 따라 백색의 발광세기 변화율이 급격하게 커지는 것을 확인할 수 있는데, Sample 2는 Sample 1에 비해 발광세기 변화율이 완화되는 것을 확인할 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(도 8의 100)는 기판(도 3의 101)과 위상차판(도 3의 133) 사이로 CLC층(도 8의 200)을 개재함으로써, 기판(도 3의 101)으로부터 출력되어 CLC층(도 8의 200)에 수직하게 입사된 광 중 일부 CLC층(도 8의 200)의 파장에 따른 시야각 특정 파장영역의 광을 반사시켜, 리사이클(Recycle)시키게 된다.
리사이클된 광은 원래 시야각에 따라 OLED(도 8의 100)의 측면 방향으로 출력됨으로써, 시야각 증가에 따라 장파장에서 단파장으로 색이동 되는 현상(color shift)을 측면 방향으로 출력된 광을 통하여 보상할 수 있게 된다.
이를 통해, 측면 시야각에서 블루쉬하게 보이는 현상을 개선하게 된다.
한편 투과 색상이 아닌 반사 색상의 경우, 기존의 편광판(도 1의 20)은 각도에 따른 균일한 반사 색상이 구현되나, 편광판(130)에 추가된CLC층(도 8의 200)의 두께 별 위상 지연값으로 인해 반사 색상의 각도에 따른 변화가 증가하게 된다.
따라서, 추가적인 두께 별 위상 지연 보상층을 구비하는 것이 더욱 바람직하며, 두께 별 위상 지연 보상층은 그 예로서, C-플레이트, 특히, 포지티브(positive) C-플레이트로 이루어 질 수 있다.
여기서, 원반형상의 액정분자(도 5b의 220)로 이루어지는 CLC층(도 8의 200)은 원반형상의 액정분자(도 5b의 220)의 틸트각을 조절함으로써, CLC층(도 8의 200)이 두께 별 위상지연값을 갖도록 설계할 수 있다.
즉, 원반형상의 액정분자(도 5b의 220)의 틸트각이 60 내지 90도로 배열되면, CLC층(도 8의 200)은 1.5 내지 1.7의 x축 방향 굴절률(Nx) 및 y축 굴절률(Ny)을 갖게 되고, 1.6 내지 1.8의 z축 방향 굴절률(Nz)를 갖게 된다.
Nx와 Ny의 차는 0.05 내지 0.2 범위의 값을 가질 수 있다.
따라서, 원반형상으로 이루어지는 액정분자(도 5b의 220)로 이루어지는 CLC층(도 8의 200)은 포지티브 C플레이트(nx=ny<nz)의 위상지연 특성을 갖게 된다.
따라서, 원반형상의 액정분자(도 5b의 220)로 이루어지는 CLC층(도 8의 200)은 별도의 두께 별 위상 지연 보상층(미도시)을 생략할 수 있다.
반사 색상과 별개로 투과 색상의 경우, 원반형상의 액정분자(도 5b의 220)로 이루어지는 CLC층(도 8의 200)은 시야각 별 반사 파장 변화가 로드형상의 액정분자(도 4b의 210)로 이루어지는 CLC층(도 8의 200)에 비해 둔감하여, 시야각에 따른 색이동 현상을 보상하는데 보다 효율적인 효과를 제공하게 된다.
도 10은 750nm의 파장을 갖는 CLC층의 시야각에 따른 반사 파장을 나타낸 그래프로, CLC층(도 8의 200)은 원반(discotic)형상으로 이루어진 액정분자(도 5b의 220)로 이루어진다.
도 10에 도시한 바와 같이, 750nm의 파장을 갖는 CLC층(도 8의 200)은 시야각이 커질수록 반사파장 범위가 낮아지는 것을 확인할 수 있는데, 이때 시야각에 따라 반사파장의 변화가 둔감하게 이루어지는 것을 확인할 수 있다.
이는 도 6a와 도 7a를 참조하면 보다 확연하게 확인할 수 있다.
이러한 원반형상의 액정분자(도 5b의 220)로 이루어지는 CLC층(도 8의 200)은 색상 별로 보다 정확하게 시야각에 따른 반사 파장을 설계할 수 있게 된다.
첨부한 도 11은 일반적인 OLED와 원반형상의 액정분자(도 5b의 220)로 이루어지는 CLC층(도 8의 200)을 포함하는 본 발명의 실시예에 따른 OLED의 시야각에 따른 휘도 분포를 비교하여 나타낸 그래프로, 백색의 발광세기를 측정하였으며, Sample 1은 일반적인 OLED를 나타내며, Sample 3는 원반형상의 액정분자(도 5b의 220)로 이루어지는 CLC층(도 8의 200)을 포함하는 본 발명의 실시예에 따른 OLED를 나타낸다.
도 11을 살펴보면, Sample 1은 시야각이 0도에서 60도로 변함에 따라 백색의 정면 대비 색상 변화율이 급격하게 커지는 것을 확인할 수 있는데, Sample 3은 Sample 1에 비해 발광세기 변화율이 완화되는 것을 확인할 있다.
특히, 도 9와 비교하면 로드형상의 액정분자(도 4b의 210)로 이루어지는 CLC층(도 8의 200)과 원반형상의 액정분자(도 5b의 220)로 이루어지는 CLC층(도 8의 200)은 시야각에 따른 정면 대비 색상 변화율이 크게 달라지지 않는 것을 확인할 수 있는데, 이는 곧, 로드형상의 액정분자(도 4b의 210)로 이루어지는 CLC층(도 8의 200)과 원반형상의 액정분자(도 5b의 220)로 이루어지는 CLC층(도 8의 200)은 시야각 증가에 따라 장파장에서 단파장으로 색이 이동 되는 현상(color shift)을 보상하는 보상효과에는 큰 차이점을 갖지 않음을 의미한다.
그러나, 앞서 설명한 바와 같이 CLC층(도 8의 200)이 원반형상의 액정분자(도 5b의 220)로 이루어질 경우, 시야각에 따라 반사파장의 변화가 둔감하게 이루어짐에 따라, 원반형상의 액정분자(도 5b의 220)로 이루어지는 CLC층(도 8의 200)은 색상 별로 보다 정확하게 시야각에 따른 반사 파장을 설계할 수 있게 된다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(도 8의 100)는 광이 투과되는 기판(도 3의 101)의 외면으로 편광판(도 3의 130)을 구비함에 따라, 외부광의 반사를 최소화하여 콘트라스트의 저하를 방지할 수 있으면서도, 적외선 파장을 갖는 CLC층(도 8의 200)을 더욱 포함함으로써, 기판(도 3의 101)으로부터 출력되어 CLC층(도 8의 200)에 수직하게 입사된 광 중 일부 CLC층(도 8의 200)의 피치(P)에 따른 적외선 파장영역의 광은 투과시키고, 시야각에 따른 특정 파장영역의 광은 반사시켜, 리사이클(Recycle)시키게 된다.
리사이클된 광은 원래 시야각에 따라 OLED(도 8의 100)의 측면 방향으로 출력됨으로써, 시야각 증가에 따라 장파장에서 단파장으로 색이동 되는 현상(color shift)을 측면 방향으로 출력된 광을 통하여 보상할 수 있게 된다.
이를 통해, 측면 시야각에서 블루쉬하게 보이는 현상을 개선하게 된다.
도 12a는 마이크로 캐비티 효과가 구현된 OLED를 정면에서 바라보았을 때의 화상을 나타낸 사진이고, 도 12b는 마이크로 캐비티 효과가 구현된 OLED를 측면에서 바라보았을 때의 화상을 나타낸 사진이다.
여기서, C영역은 CLC층(도 8의 200)이 구비되지 않은 영역이며, D영역은 원반형상의 액정분자(도 5b의 220)로 이루어지는 CLC층(도 8의 200)을 포함하는 영역이다.
도 12a에 도시한 바와 같이, 마이크로 캐비티 효과가 구현된 OLED(도 8의 100)는 CLC층(도 8의 200)의 유무에 상관없이 시야각이 0도 즉, 화상을 정면에서 바라보았을 때는 정상적인 화이트 색이 표현되고 있다.
이에 반해, 도 12b에 도시한 바와 같이, 화상을 측면에서 바라보았을 때는 CLC층(도 8의 200)이 존재하지 않는 C영역에서는 블루쉬하게 보이는 현상이 발생하게 되나, CLC층(도 8의 200)이 구비되는 D영역에서는 블루쉬하게 보이는 현상이 개선된 것을 확인할 수 있다.
즉, 본 발명의 실시예에 따른 OLED(도 8의 100)는 적외선 반사 파장을 갖는 CLC층(도 8의 200)을 더욱 포함함으로써, 시야각 증가에 따라 장파장에서 단파장으로 색이동 되는 현상(color shift)을 측면 방향으로 출력된 광을 통하여 보상할 수 있게 되는 것이다. 이를 통해, 측면 시야각에서 블루쉬하게 보이는 현상을 개선하게 된다.
본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
101 : 기판, 120 : 보호필름
103 : 반도체층(103a : 액티브영역, 103b, 103c : 소스 및 드레인영역)
105 : 게이트절연막
107 : 게이트전극, 108 : 오버코팅층, 109a, 109b : 제 1 및 제 2 층간절연막
110a, 110b : 소스 및 드레인전극
114 : 발광다이오드(111 : 제 1 전극, 113 : 유기발광층, 115 : 제 2 전극)
116 : 제 1 및 제 2 반도체층 콘택홀, 117 : 드레인콘택홀,
119 : 뱅크,
130 : 편광판(131a, 131b, 131c : 제 1 내지 제 3 점착층, 133 : 위상차판, 135 : 선편광판)
200 : 콜레스테릭액정층
DTr : 구동 박막트랜지스터
103 : 반도체층(103a : 액티브영역, 103b, 103c : 소스 및 드레인영역)
105 : 게이트절연막
107 : 게이트전극, 108 : 오버코팅층, 109a, 109b : 제 1 및 제 2 층간절연막
110a, 110b : 소스 및 드레인전극
114 : 발광다이오드(111 : 제 1 전극, 113 : 유기발광층, 115 : 제 2 전극)
116 : 제 1 및 제 2 반도체층 콘택홀, 117 : 드레인콘택홀,
119 : 뱅크,
130 : 편광판(131a, 131b, 131c : 제 1 내지 제 3 점착층, 133 : 위상차판, 135 : 선편광판)
200 : 콜레스테릭액정층
DTr : 구동 박막트랜지스터
Claims (11)
- 적색, 녹색, 청색 화소영역을 포함하는 기판과;
상기 적색, 녹색, 청색 화소영역 별로 각각 구비되는 구동 박막트랜지스터 및 발광다이오드와;
상기 구동 박막트랜지스터 및 상기 발광다이오드를 덮어 가리는 보호필름과;
상기 발광다이오드로부터 발광하는 광의 투과방향에 적외선 파장을 갖는 콜레스테릭액정층(cholesteric liquid crystal : CLC)을 포함하며,
상기 적외선 파장은 800 ~ 1100nm이며, 상기 콜레스테릭액정층은 40 ~ 60도의 시야각에서 400 ~ 700nm의 반사 파장을 가지며,
상기 적색, 녹색 및 청색 화소영역에 위치하는 상기 발광다이오드는 각각 서로 다른 제 1,2,3두께를 가지고 제 1 내지 제 3 두께는 각각 상기 적색, 녹색 및 청색 화소영역의 상기 발광다이오드의 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 거리이며,
상기 제1전극은 상기 적색, 녹색 및 청색 화소영역에서 각각 다른 두께를 가진 유기발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 콜레스테릭액정층의 상기 적외선 파장이 800nm 일 때,
60도의 시야각에서는 400nm의 반사 파장을 갖는 유기발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 콜레스테릭액정층의 상기 적외선 파장이 1100nm 일 때,
60도의 시야각에서는 580nm의 반사 파장을 갖는 유기발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 콜레스테릭액정층은 상기 발광다이오드와 1/4λ 위상차판 사이로 위치하며,
상기 위상차판 상부로는 선편광판이 위치하는 유기발광표시장치.
- 제 4 항에 있어서,
상기 콜레스테릭액정층이 로드(rod)형상의 액정분자로 이루어지며,
상기 콜레스테릭액정층과 상기 위상차판 사이로 색보상층을 포함하는 유기발광표시장치.
- 제 4 항에 있어서,
상기 콜레스테릭액정층은 원반(discotic)형상의 액정분자가 축을 따라 배향방향이 변화는 나선형의 구조로 이루어지는 유기발광표시장치.
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 구동 박막트랜지스터는 반도체층과, 반도체층 상에 위치하는 게이트절연막, 상기 게이트절연막 상에 위치하는 게이트전극, 상기 게이트전극 상에 위치하는 제 1 층간절연막, 상기 제 1 층간절연막 상에 위치하는 소스 및 드레인전극을 포함하며,
상기 발광다이오드는 상기 소스 및 드레인전극 상에 위치하는 오버코팅층 상부로 위치하며, 상기 구동 박막트랜지스터와 연결되는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상부로 위치하는 유기발광층 그리고 상기 유기발광층 상부로 위치하는 제 2 전극을 포함하는 유기발광표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 적색 화소영역의 제1전극의 두께는 상기 녹색 화소영역의 제1전극의 두께 보다 크고 상기 녹색 화소영역의 제1전극의 두께는 상기 청색 화소영역의 제1전극의 두께 보다 큰 유기발광표시장치.
- 적색, 녹색, 청색 화소영역을 포함하는 기판과;
상기 기판 상에 상기 적색, 녹색, 청색 화소영역 별로 각각 구비되는 구동 박막트랜지스터와;
상기 구동 박막트랜지스터 상에 상기 적색, 녹색, 청색 화소영역 별로 각각 구비되는 발광다이오드와;
상기 발광다이오드 상에 상기 구동 박막트랜지스터 및 상기 발광다이오드를 덮어 가리는 보호필름과;
상기 발광다이오드로부터 발광하여 상기 기판을 투과한 광의 진행방향에 배치되며, 적외선 파장을 갖는 콜레스테릭액정층(cholesteric liquid crystal : CLC)과;
상기 콜레스테릭액정층을 투과한 광의 진행방향에 배치된 색보상층과;
상기 색보상층을 투과한 광의 진행방향에 배치된 1/4λ 위상차판과;
상기 1/4λ 위상차판을 투과한 광의 진행방향에 배치된 선편광판을 포함하며,
상기 적외선 파장은 800 ~ 1100nm이며, 상기 콜레스테릭액정층은 40 ~ 60도의 시야각에서 400 ~ 700nm의 반사 파장을 갖는 유기발광표시장치.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170180403A KR102480330B1 (ko) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 유기발광표시장치 |
| CN201811465513.4A CN109979966B (zh) | 2017-12-27 | 2018-12-03 | 有机发光二极管显示装置 |
| US16/219,574 US10763316B2 (en) | 2017-12-27 | 2018-12-13 | Organic light emitting diode display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170180403A KR102480330B1 (ko) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 유기발광표시장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190078753A KR20190078753A (ko) | 2019-07-05 |
| KR102480330B1 true KR102480330B1 (ko) | 2022-12-21 |
Family
ID=66951493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170180403A KR102480330B1 (ko) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 유기발광표시장치 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10763316B2 (ko) |
| KR (1) | KR102480330B1 (ko) |
| CN (1) | CN109979966B (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111081747A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-04-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
| WO2021181224A1 (en) * | 2020-03-09 | 2021-09-16 | 3M Innovative Properties Company | Reflective polarizer and display system |
| CN111341939A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-06-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110092718A1 (en) * | 2008-06-17 | 2011-04-21 | Basf Se | Polymerizable chiral compounds comprising 2,6-naphthyl and isomannitol units, and use thereof as chiral dopants |
| KR101700772B1 (ko) * | 2015-10-30 | 2017-01-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
| JP2017120788A (ja) * | 2015-12-30 | 2017-07-06 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光ダイオード表示装置 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6633354B2 (en) * | 1991-11-27 | 2003-10-14 | Reveo, Inc. | Spectrum-controllable reflective polarizers having electrically-switchable modes of operation |
| JP3405608B2 (ja) * | 1993-09-17 | 2003-05-12 | 株式会社東芝 | 有機ｅｌ素子 |
| JP4027164B2 (ja) * | 2002-06-21 | 2007-12-26 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
| KR101641713B1 (ko) * | 2009-08-13 | 2016-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101201723B1 (ko) * | 2009-11-16 | 2012-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101790489B1 (ko) * | 2011-08-17 | 2017-10-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
| US9366920B2 (en) * | 2013-01-02 | 2016-06-14 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and fabricating method thereof |
| KR102037850B1 (ko) * | 2013-02-27 | 2019-10-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| EP2963488A1 (en) * | 2014-06-30 | 2016-01-06 | LG Display Co., Ltd. | Light controlling apparatus and transparent display including the same |
| KR102334750B1 (ko) * | 2015-08-10 | 2021-12-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101966818B1 (ko) * | 2015-09-10 | 2019-04-08 | 주식회사 엘지화학 | 광학 필름 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| CN105609534A (zh) * | 2016-01-06 | 2016-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示基板及显示装置 |
| KR20180053989A (ko) * | 2016-11-14 | 2018-05-24 | 삼성전자주식회사 | 백 라이트 유닛 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
| WO2018123832A1 (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 富士フイルム株式会社 | 光学フィルムおよびその製造方法 |
| KR102480968B1 (ko) * | 2017-04-17 | 2022-12-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광학 필름 및 이를 구비한 표시 장치 |
-
2017
- 2017-12-27 KR KR1020170180403A patent/KR102480330B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-12-03 CN CN201811465513.4A patent/CN109979966B/zh active Active
- 2018-12-13 US US16/219,574 patent/US10763316B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110092718A1 (en) * | 2008-06-17 | 2011-04-21 | Basf Se | Polymerizable chiral compounds comprising 2,6-naphthyl and isomannitol units, and use thereof as chiral dopants |
| KR101700772B1 (ko) * | 2015-10-30 | 2017-01-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
| JP2017120788A (ja) * | 2015-12-30 | 2017-07-06 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光ダイオード表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20190198583A1 (en) | 2019-06-27 |
| CN109979966A (zh) | 2019-07-05 |
| CN109979966B (zh) | 2023-06-30 |
| US10763316B2 (en) | 2020-09-01 |
| KR20190078753A (ko) | 2019-07-05 |
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