CN109979966B - 有机发光二极管显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种有机发光二极管显示装置,包括:基板,其包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域;位于红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域中的每一个中的驱动薄膜晶体管和发光二极管;和位于从发光二极管发射的光的传输方向上并且具有红外辐射波长的胆甾型液晶层,其中红外辐射波长在800nm到1100nm的范围内,并且胆甾型液晶层在40°到60°视角处具有400nm到700nm的反射波长。

Description

有机发光二极管显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年12月27日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2017-0180403的优先权和权益,为了所有目的在此通过引用将该专利申请的全部内容并入本申请中,如同在此完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管显示装置,更具体地,涉及一种其中减小了基于视角增加的色偏现象的有机发光二极管显示装置。
背景技术
近来,随着信息导向社会的发展,由于对用于处理和显示大量信息的信息显示器的关注和对便携式信息媒介的要求增加,所以显示领域快速发展。因而,各种轻薄的平板显示装置得到发展和凸显。
作为平板显示装置的示例,存在液晶显示(LCD)装置、等离子显示面板(PDP)装置、场发射显示(FED)装置、电致发光显示(ELD)装置、有机发光二极管显示(OLED)等。平板显示装置在薄形化、轻量化及功耗降低方面表现出优异的特性,因而已快速取代常规的阴极射线管(CRT)显示器。
在平板显示装置之中,OLED装置是自发光型装置,其不需要作为非自发光型装置的LCD装置中使用的背光单元。结果,OLED装置可重量轻且薄。
此外,与LCD装置相比,OLED装置具有视角、对比度和功耗的优点。此外,OLED装置可利用低直流(DC)电压进行驱动并且具有快速的响应速度。而且,由于OLED装置的内部元件处于固态,所以OLED装置对于外部冲击具有高耐久性并且具有较宽的可用温度范围。
具体地说,由于通过简单的工艺制造OLED装置,所以可比常规的LCD装置更节省制造成本。
OLED装置分为无源矩阵型和有源矩阵型。在无源矩阵型中,扫描线和信号线彼此交叉,从而以矩阵形式形成元件。在有源矩阵型中,针对每个像素区域设置薄膜晶体管,薄膜晶体管是配置成开启/关闭像素区域的开关元件。
由于无源矩阵型OLED装置在分辨率、功耗和寿命方面具有诸多限制因素,所以对能够实现高分辨率和大屏幕的有源矩阵型OLED装置进行了积极研究。
图1是图解根据相关技术的有源矩阵型OLED装置的示意性剖面图,OLED装置是底部发光型。
如所示出的,在OLED装置10中,其上形成有驱动薄膜晶体管DTr和发光二极管(LED)14的基板1被保护膜12封装。
更具体地说,驱动薄膜晶体管DTr形成在基板1上的每个像素区域SP中。第一电极11连接至驱动薄膜晶体管DTr。用于发射特定颜色光的有机发光层13形成在第一电极11上。第二电极15形成在有机发光层13上。
第一电极11和第二电极15以及形成在第一电极11与第二电极15之间的有机发光层13构成LED 14。在该情形中,第一电极11充当阳极,第二电极15充当阴极。
薄膜形式的保护膜12形成在驱动薄膜晶体管DTr和LED 14上,使得通过保护膜12封装OLED装置10。
OLED装置10具有对比度根据外部光的强度大大降低的缺点。因此,为了防止对比度由于外部光而劣化,配置成阻挡外部光的反射的偏振器20贴附至基板1的发射光的表面上。
换句话说,在OLED装置10中,配置成阻挡从外部入射的外部光的偏振器20设置在从有机发光层13发射的光的传输方向上,由此提高对比度。
在OLED装置10中,在从有机发光层13发射的光穿过各种部件并发射到外部时,光的大部分被损耗。因而,发射到外部的光仅仅是从有机发光层13产生的光的大约20%。
由于从有机发光层13发射的光的量与施加至OLED装置10的电流的量成正比,所以可通过给有机发光层13施加更高的电流进一步增加OLED装置10的亮度。然而,在该情形中,功耗增加,并且OLED装置10的寿命还缩短。
因此,近来,为了提高OLED装置10的发光效率,已积极进行了用于实现微腔效应的研究。微腔效应增加了正面亮度,但当从侧面观看时,发生其中光从长波长偏移到短波长的色偏现象。
图2是显示基于视角的亮度分布的图,其中横轴表示视角,纵轴表示相对于从正面观看时的颜色的色差(任意单位(a.u.)的Δu’v’)。
相对于从正面观看时的颜色的色差是表示一视角处的光的颜色与从LED E(见图3)发射的光的颜色之间的差异的数值。换句话说,相对于0°角处的红色、绿色、蓝色和白色中的每一个来说,各视角中的每一个视角处的色差被转换为Δu’v’值。
参照图2,看出当视角从0°变为60°时,蓝色的发光强度的变化率快速增加。这是因为随着视角增加,发生了光从长波长偏移到短波长的色偏现象。
因而,与从正面观看时相比,当从侧面观看时发生了OLED装置10上的图像出现泛蓝的色偏现象。
根据用户观看OLED装置10的观看方向和角度,色差显著,该色差成为降低实际产品的质量的因素。
发明内容
因此,本发明涉及一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的有机发光二极管显示(OLED)装置。
本发明的目的是提供一种可防止由于视角的增加而导致的图像质量的劣化的OLED装置。
在下面的描述中将阐述本发明的附加特征和优点,这些特征和优点的一部分通过该描述将是显而易见的,或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求以及附图中特别指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。
为了实现这些和其他优点并且根据本发明的目的,如在此具体和宽泛描述的,一种有机发光二极管显示装置,包括:基板,所述基板包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域;位于所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域的每一个中的驱动薄膜晶体管和发光二极管;和位于从所述发光二极管发射的光的传输方向上并且具有红外辐射波长的胆甾型液晶层,其中所述红外辐射波长在800nm到1100nm的范围内,并且所述胆甾型液晶层在40°到60°视角处具有400nm到700nm的反射波长。
应当理解,前面的总体描述和下面的详细描述都是示例性的和解释性的,旨在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
被包括用来提供本发明的进一步理解并并入本申请中组成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式,并与说明书一起用于解释本发明的实施方式的原理。
图1是图解根据相关技术的有源矩阵型有机发光二极管显示(OLED)装置的示意性剖面图;
图2是示出基于视角的亮度分布的图;
图3是图解根据本发明实施方式的OLED装置的示意性剖面图;
图4A到图4B和图5A到图5B是图解根据本发明实施方式的胆甾型液晶(CLC)层的液晶分子的示意图;
图6A是示出具有800nm波长的CLC层基于视角的反射波长的图;
图6B是示出基于图6A的反射波长的反射率的图;
图7A是示出具有1100nm波长的CLC层基于视角的反射波长的图;
图7B是示出基于图7A的反射波长的反射率的图;
图8是图解当根据本发明实施方式的OLED装置显示图像时光的导向变化的示意性概念图;
图9是示出相关技术的OLED装置和根据本发明实施方式的OLED装置基于视角的亮度分布之间的对比的图;
图10是示出具有750nm波长的CLC层基于视角的反射波长的图;
图11是示出相关技术的OLED装置和根据本发明实施方式的包括具有盘状液晶分子的CLC层的OLED装置基于视角的亮度分布之间的对比的图;
图12A是从实现了微腔效应的OLED装置的正面观看时的图像;
图12B是从实现了微腔效应的OLED装置的侧面观看时的图像。
具体实施方式
现在将详细参照示例性实施方式,附图中图解了这些实施方式的一些示例。可在整个附图中是使用相同的参考标记指代相同或相似的部分。
图3是图解根据本发明实施方式的有机发光二极管显示(OLED)装置的示意性剖面图。
在根据本发明实施方式的OLED装置100中,在像素区域R-SP、G-SP和B-SP中的每一个中设置有驱动薄膜晶体管DTr。为了便于描述和附图的简化,仅在红色像素区域R-SP中示出了驱动薄膜晶体管DTr。
根据光传输方向,根据本发明实施方式的OLED装置100分为顶部发光型和底部发光型。下文中,在本发明中作为示例将描述底部发光型。
此外,为了便于描述,形成有驱动薄膜晶体管DTr的区域可定义为开关区域TrA,形成有发光二极管(LED)E的区域可定义为发光区域EA。
在根据本发明实施方式的OLED装置100中,其上形成有驱动薄膜晶体管DTr和LEDE的基板101被保护膜120封装。
更具体地说,半导体层103设置在基板101上的像素区域R-SP、G-SP和B-SP中的每一个的开关区域TrA中。半导体层103由硅制成,并且具有有源区域103a,有源区域103a充当沟道并且设置在半导体层103的中央部分;源极区域103b和漏极区域103c,源极区域103b和漏极区域103c被掺杂有高浓度杂质并且设置在有源区域103a的两侧。
栅极绝缘层105设置在半导体层103上。
与半导体层103的有源区域103a对应的栅极电极107和在一个方向上延伸的栅极线(未示出)设置在栅极绝缘层105上。
此外,第一层间绝缘层109a设置在栅极电极107和栅极线上。在该情形中,第一层间绝缘层109a和第一层间绝缘层109a下方的栅极绝缘层105具有配置成分别暴露源极区域103b和漏极区域103c的第一和第二半导体层接触孔116。
源极电极110a和漏极电极110b在第一层间绝缘层109a彼此分隔开并且分别通过第一和第二半导体层接触孔116与源极区域103b和漏极区域103c接触。
第二层间绝缘层109b设置在第一层间绝缘层109a以及源极电极110a和漏极电极110b上。
在该情形中,源极电极110a和漏极电极110b、半导体层103、栅极绝缘层105和栅极电极107组成驱动薄膜晶体管DTr。
尽管图中未示出,但设置数据线(未示出)以与栅极线(未示出)交叉并且界定出像素区域R-SP、G-SP和B-SP。开关薄膜晶体管(未示出)可具有与驱动薄膜晶体管DTr相同的结构并且连接至驱动薄膜晶体管DTr。
在该实施方式中,通过示例的方式描述了具有其中半导体层103形成为多晶硅层或氧化物半导体层的顶栅结构的驱动薄膜晶体管DTr。亦或,驱动薄膜晶体管DTr可具有其中半导体层103形成为非晶硅层的底栅结构。
当半导体层103形成为氧化物半导体层时,可在半导体层103下方设置遮光层(未示出)。可在遮光层与半导体层103之间设置缓冲层(未示出)。
第二层间绝缘层109b具有配置成暴露漏极电极110b的漏极接触孔118。第一电极111设置在第二层间绝缘层109b上。第一电极111连接至驱动薄膜晶体管DTr的漏极电极110b,并且第一电极111例如由具有相对高功函数的材料制成,以构成LED E的阳极。
第一电极111可由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的金属氧化物;诸如ZnO:Al或SnO2:Sb之类的金属和氧化物的混合物;或者诸如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(乙撑-1,2-二氧)噻吩](PEDT)、聚吡咯或聚苯胺之类的导电聚合物制成。亦或,第一电极111可由碳纳米管(CNT)、石墨烯、银纳米线等制成。
第一电极111设置在像素区域R-SP、G-SP和B-SP中的每一个中。堤部119设置在像素区域R-SP、G-SP和B-SP的第一电极111之间。换句话说,堤部119沿每个像素区域P的边缘设置。第一电极111利用作为每个像素区域的边界部的堤部119而彼此分离。
有机发光层113设置在第一电极111上。有机发光层113可包括由发光材料制成的单层。为了提高发光效率,有机发光层113可包括具有空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层的多层。
充当阴极的第二电极115整个设置在有机发光层113上
第二电极115可由具有相对低功函数的材料制成。第二电极115可由单层或多层形成,多层使用诸如Ag之类的第一金属和诸如Mg之类的第二金属,单层可由第一金属和第二金属以预定比率的合金制成。
在OLED装置100中,当预定电压施加至第一电极111和第二电极115时,从第一电极111注入的空穴和从第二电极115注入的电子传输至有机发光层113,以形成激子。当激子从激发态跃迁至基态时,以可见光的形式产生并发射光。
根据本发明实施方式的OLED装置100是其中从有机发光层113发射的光通过第一电极111输出到外部的底部发光型。在该情形中,OLED装置100可进一步包括由不透明导电材料制成的反射层(未示出)。在一示例中,反射层可由铝-钯-铜(APC)合金制成,第二电极115可具有ITO/APC/ITO的三层结构。
此外,第一电极111可由诸如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金之类的半透射导电材料制成。当第一电极111由半透射导电材料制成时,由于微腔,可提高发光效率。
在根据本发明实施方式的LED E中,第一电极111与第二电极115之间的距离针对像素区域R-SP、G-SP和B-SP中的每一个来说是不同的,以实现微腔效应。
微腔效应是下述现象:在镜面之间反射的光彼此相消干涉或相长干涉,仅具有特定波长的光留下而具有其他波长的光被去除,由此增大具有特定波长的光的强度。
为了实现微腔效应,在像素区域R-SP、G-SP和B-SP中的每一个中,第一电极111与第二电极115之间或者第一电极111和第二电极115与有机发光层113的发光材料层之间的微腔的深度或长度被形成为使得确保与理想颜色峰值波长对应的谐振波长。
更具体地说,在根据本申请的OLED装置100中,一个单位像素P可包括相邻的红色像素区域R-SP、绿色像素区域G-SP和蓝色像素区域B-SP。可通过光程,即波长,定义微腔的有效深度。由于红色光的波长比绿色光的波长长,所以红色像素区域R-SP的微腔的深度可大于绿色像素区域G-SP的微腔的深度。
由于绿色光的波长比蓝色光的波长长,所以绿色像素区域G-SP的微腔的深度可大于蓝色像素区域B-SP的微腔的深度。
为了实现微腔效应,红色像素区域R-SP、绿色像素区域G-SP和蓝色像素区域B-SP可满足下面的式子1:
(式子1)
nd=(2m-1)λ(m=1,2,....)
在式子1中,n可以是有机发光层113的发光材料层(EML)的折射率,d可以是第一电极111与第二电极115之间的距离,m是常数,λ是理想的中心波长。
因此,在一示例中,红色像素区域R-SP的第一电极111可形成为具有第一厚度。绿色像素区域G-SP的第一电极111可形成为具有小于第一厚度的第二厚度。蓝色像素区域B-SP的第一电极111可形成为具有小于第二厚度的第三厚度。
由于第一电极111形成为具有针对红色像素区域R-SP、绿色像素区域G-SP和蓝色像素区域B-SP中的每一个来说不同的厚度,所以从红色像素区域R-SP的第一电极111到其第二电极115的距离可以是最长距离,从蓝色像素区域B-SP的第一电极111到其第二电极115的距离可以是最短距离,并且从绿色像素区域G-SP的第一电极111到其第二电极115的距离可以是中间距离。
换句话说,红色像素区域R-SP的微腔的深度可以是最长深度,蓝色像素区域B-SP的微腔的深度可以是最短深度,并且绿色像素区域G-SP的微腔的深度可以是中间深度。
因此,由于在像素区域R-SP、G-SP和B-SP中的每一个中发射的光相长干涉,所以在像素区域R-SP、G-SP和B-SP中的每一个中可优化发光效率,由此降低功耗。
薄膜形式的保护膜120形成在驱动薄膜晶体管DTr和LED E上,使得通过保护膜120封装OLED装置100。
为了防止外部氧气和湿气渗透到OLED装置100中,保护膜120包括至少两个堆叠的无机保护膜。在该情形中,有机保护膜可插置在两个无机保护膜之间,以弥补无机保护膜的抗冲击性。
在其中有机保护膜和无机保护膜交替重复堆叠的这种结构中,为了防止湿气和氧气通过有机保护膜的侧表面渗透,无机保护膜可完全覆盖有机保护膜。
因此,OLED装置100可防止湿气和氧气从外部渗透到OLED装置100中。
因此,可防止电极层被引入到OLED装置100中的氧气和湿气氧化和腐蚀,由此防止有机发光层113的发光特性的劣化和寿命缩短。
此外,可防止电流泄露和短路,由此防止像素缺陷。结果,防止产生亮度或图像的不均匀性。
在根据本发明实施方式的OLED装置100中,偏振器130设置在基板101的输出光的外表面上,以防止外部光导致的对比度的劣化。
换句话说,由于偏振器130设置在从有机发光层113发射的光的传输方向上,以阻挡从外部入射的外部光,所以当OLED装置100在显示图像的驱动模式中时,提高了对比度。
透明且具有粘合特性的第一粘合剂层131a可插置在偏振器130与基板101之间。
偏振器130是配置成阻挡外部光的圆偏振器,偏振器130包括贴附至基板101的外表面的相位延迟片133和线偏振片135。线偏振片135和相位延迟片133利用插置在线偏振片135与相位延迟片133之间的第二粘合剂层131b彼此贴附。
在该情形中,线偏振片135和相位延迟片133可按照其中线偏振片135靠近外部光的入射方向设置并且自线偏振片135起向内设置相位延迟片133的顺序堆叠。
相位延迟片133可设置为具有λ/4的相位延迟值的四分之一波片(QWP)。
线偏振片135具有偏振轴并且在偏振轴的方向上将光线性偏振。具体地说,线偏振片135透射与偏振轴一致的光并且吸收与偏振轴不一致的光。因此,当光穿过线偏振片135时,光在偏振轴的方向上被线性偏振。
可在线偏振片135的外侧上进一步设置表面处理层(未示出)。表面处理层可以是包括二氧化硅珠粒(未示出)的抗炫层或者配置成防止对线偏振片135的表面造成损害的硬涂层。
结果,OLED装置100通过圆偏振器130将外部光的反射最小化,可防止对比度的劣化。
特别是,在根据本发明实施方式的OLED装置100中,可在相位延迟片133与基板101之间设置具有红外辐射(IR)波长的胆甾型液晶(CLC)层200。
换句话说,第三粘合剂层131c插置在相位延迟片133与CLC层200之间,并且第一粘合剂层131a插置在CLC层200与基板101之间。
CLC层200具有IR波长,因而选择性地反射具有特定波段的光。换句话说,在穿过基板101并入射到CLC层200上的光之中,入射到CLC层200正面上的处于IR波长区域中的光可被透射,并且处于基于视角的反射波长区域中的光可被选择性地反射并循环。例如,对于穿过基板101并入射到CLC层200上的光来说,在以视角传播的光之中只有处于选择性设计的波长区域中的光可被反射,并且反射的光可再次被基板101与CLC层200之间的部件反射,因而在OLED装置100的横向方向上循环并输出。
因此,可通过在OLED装置100的横向方向上输出的光补偿其中根据视角的增加,光从长波长偏移到短波长的色偏现象。
将参照图4A和图4B以及图5A和图5B更详细地描述。
图4A到图4B和图5A到图5B是图解根据本发明实施方式的CLC层的液晶分子的示意图。
CLC层200(见图3)具有其中液晶分子210和220的光轴被定向为沿螺旋轴扭曲的螺旋结构。
CLC层200(见图3)的液晶分子210和220可具有棒状或盘状。如图4A和图4B中所示,棒状的液晶分子210的光轴对应于液晶分子210的长轴,使得光轴平行于吸收轴。如图5A到图5B中所示,盘状的液晶分子220的光轴对应于盘平面的法线方向上的轴,使得光轴垂直于吸收轴。
在CLC层200(见图3)中,当直到液晶分子210和220的光轴旋转360度为止的距离定义为节距P时,由于重复的结构,光被布拉格反射。
一般来说,在CLC中,当对于沿螺旋轴传播的光来说波长λ处于下面的式子2的范围内时,发生布拉格反射。
(式子2)
NoP<λ<NeP
P是CLC的节距,Ne是对于与CLC的光轴平行偏振的光来说CLC的折射率,No是对于与CLC的光轴垂直偏振的光来说CLC的折射率。
此外,被CLC反射的光的波长区域的中心波长λ0可由下面的式子3定义:
(式子3)
λ0=0.5(No+Ne)P
此外,被CLC反射的谱宽Δλ0可由下面的式子4定义:
(式子4)
Δλ0=2Δλ0(Ne-No)/(No+Ne)=P(Ne-No)
这种CLC层可选择性地透射或反射圆偏振光。换句话说,CLC层可选择性地反射或透射右圆偏振光或左圆偏振光。
根据本发明实施方式的OLED装置100(见图3)可通过CLC层200(见图3)的节距P在800nm到1100nm的范围内调整反射波长。
因此,在入射到CLC层200(见图3)上的光之中,根据本发明实施方式的OLED装置100(见图3)原样透射处于IR波长区域中的光并且选择性地反射处于基于视角的特定波长区域中的光。
反射的光可被循环并在OLED装置100(见图3)的横向方向上输出,因而可通过在OLED装置100的横向方向上输出的光补偿其中根据视角的增加,光从长波长偏移到短波长的色偏现象。
图6A是显示具有800nm波长的CLC层基于视角的反射波长的图,图6B是显示基于图6A的反射波长的反射率的图。
图7A是显示具有1100nm波长的CLC层基于视角的反射波长的图,图7B是显示基于图7A的反射波长的反射率的图。
图6A到图7B的CLC层具有棒状的液晶分子。
如图6A中所示,在具有800nm波长的CLC层200(见图3)中,能够看出随着视角增加,波长区域减小。在0°视角处,处于800nm波长区域中的光被反射,并且在60°视角处,处于400nm波长区域中的光被反射。
在该情形中,在具有800nm波长的CLC层200(见图3)中,能够看出在入射到CLC层200(见图3)上的光之中,具有760nm到840nm波长的光具有较高反射率。
此外,如图7A中所示,在具有1100nm波长的CLC层200(见图3)中,能够看出随着视角增加,波长区域也减小。在0°视角处,处于1100nm波长区域中的光被反射,并且在60°视角处,处于580nm波长区域中的光被反射。
在具有1100nm波长的CLC层200(见图3)中,能够看出在入射到CLC层200(见图3)上的光之中,具有1060nm到1150nm波长的光具有较高反射率。
参照图6A到图7B,能够看出CLC层200(见图3)可选择性地反射具有400nm到1150nm波长的光。可考虑到当CLC层200(见图3)选择性地反射光时,反射光的波长区域可根据视角而变化来设计CLC层200(见图3)。
换句话说,在该实施方式中,为了防止其中与从OLED装置100(见图3)的正面观看时相比,从OLED装置100(见图3)的侧面观看时OLED装置100(见图3)的图像出现泛蓝的色偏现象,形成CLC层200(见图3),以使处于绿色波长区域到红色波长区域范围内的光循环并且因而在OLED装置100(见图3)的横向方向上输出循环的光。
在OLED装置100(见图3)的横向方向上输出的处于绿色波长区域到红色波长区域范围内的光,特别是,处于红色波长区域中的光可补偿出现泛蓝的现象。
具有800nm波长的CLC层200(见图3)根据视角而反射处于400nm到800nm波长区域中的光,并且具有1100nm波长的CLC层200(见图3)根据视角而反射处于580nm到1100nm波长区域中的光。
在该情形中,为了更多地反射具有红色波长的光,CLC层200(见图3)被设计为具有1100nm的波长,从而在40°到60°视角处实现大约550nm到大约800nm的反射波长。为了更多地反射具有绿色波长的光,CLC层200(见图3)被设计为具有800nm的波长,从而在40°到60°视角处实现大约400nm到大约600nm的反射波长。
结果,可通过具有红色波长的光减小出现泛蓝的现象。
图8是图解当根据本发明实施方式的OLED装置显示图像时光的导向变化的示意性概念图。
在图8中,为了便于描述,示意性图解了红色像素区域(图3的R-SP)的光的导向变化,并且CLC层200具有1100nm的波长。
如图8中所示,当预定电压施加至OLED装置100中的LED E(见图3)的第一电极111(见图3)和第二电极115(见图3)时,从有机发光层113(见图3)发射具有各种相位的红色光A。
从有机发光层113(见图3)发射的红色光A原样穿过具有1100nm波长的CLC层200,由此显示图像。
相反,在横向方向上从有机发光层113(见图3)倾斜发射并且以特定视角入射到CLC层200上的红色光被CLC层200反射并再次入射到OLED装置100内部。
再次入射到OLED装置100内部的红色光被OLED装置100内部的部件再次反射并且以特定倾角在横向方向上再次倾斜发射。
在该情形中,被CLC层200反射并循环的光的亮度增加,并且在OLED装置100的横向方向上发射循环的光。因而,可通过在OLED装置100的横向方向上输出的光补偿其中根据视角的增加,光从长波长偏移到短波长的色偏现象。
图9是显示相关技术的OLED装置和根据本发明实施方式的OLED装置基于视角的亮度分布之间的对比的图。
横轴表示视角,纵轴表示相对于从正面观看时的颜色的色差(任意单位(a.u.)的Δu’v’)。
相对于从正面观看时的颜色的色差是表示一视角处光的颜色与从LEDE(见图3)发射的光的颜色之间的差异的数值。换句话说,相对于0°角处的红色、绿色、蓝色和白色中的每一个来说,各视角中的每一个视角处的色差被转换为Δu’v’值。
图9显示了相对于正面来说测量的白色的色差。样品1表示相关技术的OLED装置,样品2表示根据本发明实施方式的包括CLC层200的OLED装置。
CLC层200(见图8)可包括棒状的液晶分子210(见图4B)。
参照图9,在样品1中,能够看出随着视角从0°变为60°,白色的发光强度的变化率快速增加。在样品2中,能够看出与样品1相比,发光强度的变化率减小。
如上所述,在根据本发明实施方式的OLED装置100(见图8)中,由于CLC层200(见图8)插置在基板101(见图3)与相位延迟片133(见图3)之间,所以在从基板101(见图3)输出并且入射到CLC层200(见图8)上的光之中,处于基于视角的特定波长区域中的一些光根据CLC层200(见图8)的波长被反射并循环。
可在OLED装置100(见图8)的横向方向上输出循环的光,因而可通过在OLED装置100的横向方向上输出的光补偿其中根据视角的增加,光从长波长偏移到短波长的色偏现象。
结果,减小了侧面视角处的出现泛蓝的现象。
在反射颜色而不是透射颜色的情形中,相关技术的偏振器20(见图1)根据角度实现均匀的反射颜色。由于针对添加至偏振器130的CLC层200(见图8)的厚度的相位延迟值,反射颜色基于角度的变化增大。
因此,可更优选额外设置在CLC层与相位延迟片133之间的颜色补偿层,颜色补偿层可以是针对厚度的相位延迟补偿层。在一示例中,针对厚度的相位延迟补偿层可包括C-片,尤其是正C-片。
通过调整盘状的液晶分子220(见图5B)的倾角,包括盘状的液晶分子220(见图5B)的CLC层200(见图8)可设计成具有针对厚度的相位延迟值。
换句话说,当盘状的液晶分子220(见图5B)的倾角处于60°到90°的范围内时,CLC层200(见图8)具有1.5到1.7的x轴折射率(Nx)和y轴折射率(Ny)、以及1.6到1.8的z轴折射率(Nz)。
Nx与Ny之间的差可在0.05到0.2的范围内。
因此,具有盘状的液晶分子220(见图5B)的CLC层200(见图8)可具有正C-片的相位延迟特性(Nx=Ny<Nz)。
因此,在具有盘状的液晶分子220(见图5B)的CLC层200(见图8)中,可省略针对厚度的相位延迟补偿层。
在透射颜色的情形中,与具有棒状的液晶分子的CLC层200(见图8)相比,具有盘状的液晶分子220(见图5B)的CLC层200(见图8)的反射波长基于视角的变化是不灵敏的,由此提供更有效的补偿基于视角的色偏现象的效果。
图10是示出具有750nm波长的CLC层基于视角的反射波长的图。CLC层200(见图8)具有盘状的液晶分子220(见图5B)。
如图10中所示,在具有750nm波长的CLC层200(见图8)中,能够看出随着视角增加,反射波长区域减小。在该情形中,能够看出根据视角,反射波长的变化是不灵敏的。
这可参照图6A和图7A更清楚地看出。
在具有盘状的液晶分子220(见图5B)的CLC层200(见图8)中,可针对每个颜色更精确地指定反射波长。
图11是显示相关技术的OLED装置和根据本发明实施方式的包括具有盘状液晶分子220(见图5B)的CLC层200(见图8)的OLED装置基于视角的亮度分布之间的对比的图。测量白色光的发光强度。样品1表示相关技术的OLED装置,样品3表示包括具有盘状液晶分子220(见图5B)的CLC层200(见图8)的OLED装置。
参照图11,能够看出随着视角从0°变为60°,从正面观看时的白色起变化率快速增加。能够看出与样品1相比,样品3的发光强度的变化率减小。
特别是,与图9相比,在具有棒状液晶分子210(见图4B)的CLC层200(见图8)与具有盘状液晶分子220(见图5B)的CLC层200(见图8)之间,能够看出根据视角,从正面观看时的颜色起的变化率没有太大变化。这意味着具有棒状液晶分子210(见图4B)的CLC层200(见图8)和具有盘状液晶分子220(见图5B)的CLC层200(见图8)在补偿其中根据视角的增加,光从长波长偏移到短波长的色偏现象的效果方面没有太大区别。
然而,如上所述,当CLC层200(见图8)具有盘状的液晶分子220(见图5B)时,根据视角,反射波长的变化可以是不灵敏的,由此在具有盘状液晶分子220(见图5B)的CLC层200(见图8)中针对每个颜色更精确地指定基于视角的反射波长。
如上所述,在根据本发明实施方式的OLED装置(见图8)中,由于偏振器130(见图3)设置在基板101(见图3)的外表面上,所以外部光的反射可被最小化,以防止对比度的降低。由于进一步设置具有IR波长的CLC层200(见图8),所以在从基板101(见图3)输出且入射到CLC层200(见图8)上的光之中(图8),处于基于CLC层200(见图8)的节距P的IR波长区域中的一些光穿过CLC层200(见图8),而处于基于视角的特定波长区域中的光被反射和循环。
循环的光可在OLED装置(见图8)的横向方向上以其原始视角输出,因而可通过在OLED装置100的横向方向上输出的光补偿其中根据视角的增加,光从长波长偏移到短波长的色偏现象。
结果,减小了侧面视角时的出现泛蓝的现象。
图12A是从实现了微腔效应的OLED装置的正面观看时的图像。
图12B是从实现了微腔效应的OLED装置的侧面观看时的图像。
区域C是不包括CLC层200(见图8)的区域,区域D是包括具有盘状液晶分子220(见图5B)的CLC层200(见图8)的区域。
如图12A中所示,在实现了微腔效应的OLED装置(图8中的100)中,不管是否存在CLC层200(见图8),当在0°视角处,即从其正面观看图像均表现出正常的白色。
另一方面,如图12B中所示,当从侧面观看图像时,能够看出在不存在CLC层200(见图8)的区域C中发生出现泛蓝的现象,但在包括CLC层200(见图8)的区域D中出现泛蓝的现象减小。
换句话说,OLED装置100(见图8)可进一步包括具有IR反射波长的CLC层200(见图8),因而可通过在OLED装置100的横向方向上输出的光补偿其中根据视角的增加,光从长波长偏移到短波长的色偏现象。结果,减小了侧面视角时的出现泛蓝的现象。
如上所述,根据本发明,由于具有IR波长的CLC层设置在OLED装置的光所穿过的基板的外表面上,所以在从基板输出且入射到CLC层上的光之中,处于基于CLC层的节距的IR波长区域中的一些光穿过CLC层,而处于基于视角的特定波长区域中的光被反射和循环。
因而,可通过在OLED装置的横向方向上输出的光补偿其中根据视角的增加,光从长波长偏移到短波长的色偏现象。结果,减小了侧面视角处的出现泛蓝的现象。
在不背离本发明的精神或范围的情况下,可在本发明中进行各种修改和变化,这对于本领域技术人员来说将是显而易见的。因而,本发明旨在涵盖落入所附权利要求的范围及其等同范围内的本发明的修改和变化。

Claims (9)

1.一种有机发光二极管显示装置,包括:
基板,所述基板包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域;
位于所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域中的每一个中的驱动薄膜晶体管和发光二极管;和
位于从所述发光二极管发射的光的传输方向上并且具有红外辐射波长的胆甾型液晶层,
其中所述红外辐射波长在800nm到1100nm的范围内,并且所述胆甾型液晶层在40°到60°视角处具有400nm到700nm的反射波长,
其中所述红色像素区域中的发光二极管具有第一厚度,
其中所述绿色像素区域中的发光二极管具有第二厚度,
其中所述蓝色像素区域中的发光二极管具有第三厚度,并且
其中所述第一厚度、所述第二厚度和所述第三厚度彼此不同,
其中所述第一厚度、所述第二厚度和所述第三厚度中的每一个是所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域中的每一个中的发光二极管的第一电极与第二电极之间的距离,所述距离是微腔的深度,
其中所述第一电极形成为具有针对所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域中的每一个来说不同的厚度。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中当所述胆甾型液晶层的所述红外辐射波长为800nm时,所述胆甾型液晶层在60°视角处具有400nm的反射波长。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中当所述胆甾型液晶层的所述红外辐射波长为1100nm时,所述胆甾型液晶层在60°视角处具有580nm的反射波长。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中所述胆甾型液晶层位于所述发光二极管与λ/4相位延迟片之间,并且
其中在所述λ/4相位延迟片上存在线偏振片。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示装置,其中所述胆甾型液晶层包括棒状的液晶分子,并且
其中在所述胆甾型液晶层与所述λ/4相位延迟片之间存在颜色补偿层。
6.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示装置,其中所述胆甾型液晶层具有其中盘状的液晶分子的定向方向沿一轴而变化的螺旋结构。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中所述驱动薄膜晶体管包括半导体层、所述半导体层上的栅极绝缘层、所述栅极绝缘层上的栅极电极、所述栅极电极上的第一层间绝缘层、以及所述第一层间绝缘层上的源极电极和漏极电极,并且
其中所述发光二极管位于第二层间绝缘层上,所述第二层间绝缘层位于所述源极电极和所述漏极电极上,并且所述发光二极管包括连接至所述驱动薄膜晶体管的第一电极、所述第一电极上的有机发光层、以及所述有机发光层上的第二电极。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,进一步包括:保护膜,所述保护膜配置成覆盖所述驱动薄膜晶体管和所述发光二极管。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中所述胆甾型液晶层用来使处于绿色波长区域到红色波长区域范围内的光循环并将循环的光在所述有机发光二极管显示装置的横向方向上输出。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111081747A (zh) * 2019-12-25 2020-04-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制备方法
WO2021181224A1 (en) * 2020-03-09 2021-09-16 3M Innovative Properties Company Reflective polarizer and display system
CN111341939A (zh) * 2020-03-16 2020-06-26 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置
KR20240095841A (ko) * 2022-12-19 2024-06-26 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 표시 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07175420A (ja) * 1993-09-17 1995-07-14 Toshiba Corp 光入力型有機el素子
CN103913880A (zh) * 2013-01-02 2014-07-09 乐金显示有限公司 液晶显示装置及其制造方法
WO2017118071A1 (zh) * 2016-01-06 2017-07-13 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示基板及显示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6633354B2 (en) * 1991-11-27 2003-10-14 Reveo, Inc. Spectrum-controllable reflective polarizers having electrically-switchable modes of operation
JP4027164B2 (ja) * 2002-06-21 2007-12-26 株式会社日立製作所 表示装置
WO2009153168A1 (de) * 2008-06-17 2009-12-23 Basf Se Polymerisierbare chirale verbindungen, enthaltend 2,6-naphthyl- und isomannit-einheiten, und deren verwendung als chirale dotierstoffe
KR101641713B1 (ko) * 2009-08-13 2016-07-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101201723B1 (ko) * 2009-11-16 2012-11-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101790489B1 (ko) * 2011-08-17 2017-10-26 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 제조방법
KR102037850B1 (ko) * 2013-02-27 2019-10-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
EP2963488A1 (en) * 2014-06-30 2016-01-06 LG Display Co., Ltd. Light controlling apparatus and transparent display including the same
KR102334750B1 (ko) * 2015-08-10 2021-12-02 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101966818B1 (ko) * 2015-09-10 2019-04-08 주식회사 엘지화학 광학 필름 및 이를 포함하는 표시 장치
KR101700772B1 (ko) * 2015-10-30 2017-01-31 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
US10170521B2 (en) * 2015-12-30 2019-01-01 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device
KR20180053989A (ko) * 2016-11-14 2018-05-24 삼성전자주식회사 백 라이트 유닛 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
JP6713062B2 (ja) * 2016-12-27 2020-06-24 富士フイルム株式会社 光学フィルムおよびその製造方法
KR102480968B1 (ko) * 2017-04-17 2022-12-26 삼성디스플레이 주식회사 광학 필름 및 이를 구비한 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07175420A (ja) * 1993-09-17 1995-07-14 Toshiba Corp 光入力型有機el素子
CN103913880A (zh) * 2013-01-02 2014-07-09 乐金显示有限公司 液晶显示装置及其制造方法
WO2017118071A1 (zh) * 2016-01-06 2017-07-13 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示基板及显示装置

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Publication number Publication date
KR102480330B1 (ko) 2022-12-21
US20190198583A1 (en) 2019-06-27
CN109979966A (zh) 2019-07-05
KR20190078753A (ko) 2019-07-05
US10763316B2 (en) 2020-09-01

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