CN111341939A - 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置，包括：衬底基板；激发光源，位于衬底基板一侧；子像素，位于激发光源背离衬底基板一侧，子像素至少包括：第一类子像素，第一类子像素包括依次位于激发光源背离衬底基板一侧的第一量子点转换层、第一调光层和第一彩膜层，第一调光层被配置为将小于第一类子像素出光波长的至少部分光限制在第一调光层和第一量子点转换层中。本发明通过对第一量子点转换层、第一调光层和第一彩膜层进行设计，将小于第一类子像素出光波长的至少部分光限制在第一调光层和第一量子点转换层中，被限制的光可以被第一量子点转换层再次利用，激发出第一类子像素出光波长的光，从而增加该阵列基板的光转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置。
背景技术
量子点发光材料由于具有发光频谱覆盖范围宽、稳定性高、色纯度高和易于加工等优点，被广泛的应用于显示器、照明、太阳能电池和生物传感器等领域。
相关技术的量子点显示面板中，可以将量子点与OLED相结合，即将OLED应用于背光模组中，使光通过由量子点组成的红色和绿色彩色滤光片来实现全彩化。由于量子点层不能100％将激发光源的光全部转换，所以通常设置彩膜层将不必要的光吸收掉，为了进一提高量子点对背光源的转换效率，在量子点层和彩膜层之间设置空气层，使未经量子点层吸收的背光在空气层的界面发生全反射，反射回量子点层再次吸收，以增加了量子点层对光的转换效率，但同时，量子点层发射的红光和绿光也由于全反射部分被限制在量子点层中，无法取出到基板外部，影响了量子点的转换效率。
因此，如何提高量子点的光转换效率是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置，用以提高量子点层的光转换效率。
第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：
衬底基板；
激发光源，位于所述衬底基板一侧；
子像素，位于所述激发光源背离所述衬底基板一侧，所述子像素至少包括：第一类子像素，所述第一类子像素包括依次位于所述激发光源背离所述衬底基板一侧的第一量子点转换层、第一调光层和第一彩膜层，所述第一调光层被配置为将小于第一类子像素出光波长的至少部分光限制在所述第一量子点转换层中。
在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第一调光层的折射率等于所述第一彩膜层的折射率；
在小于所述第一类子像素出光波长的波段内，所述第一量子点转换层的折射率大于所述第一调光层的折射率；
在大于或等于所述第一类子像素出光波长的波段内，所述第一量子点转换层的折射率小于所述第一调光层的折射率。
在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第一量子点转换层的折射率等于所述第一调光层的折射率；
在小于所述第一类子像素出光波长的波段内，所述第一调光层的折射率大于所述第一彩膜层的折射率；
在大于或等于所述第一类子像素出光波长的波段内，所述第一调光层的折射率小于所述第一彩膜层的折射率。
在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第一类子像素为红色子像素和/或绿色子像素。
在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第一量子点转换层包括：红色量子点和散射粒子；和/或，绿色量子点和散射粒子。
在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述子像素还包括：第二类子像素；
所述第二类子像素包括：依次位于所述激发光源背离所述衬底基板一侧的散射层、平坦层和第二彩膜层；
所述第二类子像素出光的波长小于所述第一类子像素出光的波长。
在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述散射层的折射率小于或等于所述平坦层的折射率；
所述平坦层的折射率小于或等于所述第二彩膜层的折射率。
在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第一量子点转换层、与所述散射层同层设置；
所述第一调光层与所述平坦层同层设置；
所述第一彩膜层与所述第二彩膜层同层设置。
在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的阵列基板中，在垂直于所述衬底基板方向上，所述第一类子像素的厚度等于所述第二类子像素的厚度。
在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第三颜色子像素为蓝色子像素。
在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述激发光源被配置为发出白光或蓝光。
第二方面，本发明实施例还提供了第一方面任一实施例提供的阵列基板的制作方法，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成激发光源；
在所述激发光源出光面的一侧形成第一类子像素，所述第一类子像素包括依次位于所述激发光源上的第一量子点转换层、第一调光层和第一彩膜层。
在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的阵列基板的制作方法中，所述方法还包括：
在所述激发光源出光面的一侧形成第二类子像素，所述第二类子像素在所述衬底基板上的正投影与所述第一类子像素在所述衬底基板上的正投影互不重叠；
所述第二类子像素包括依次位于所述激发光源上的散射层、平坦层和第二彩膜层。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括：上述任一实施例提供的所述阵列基板，以及位于所述阵列基板出光面一侧的封装盖板。
第四方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括第三方面实施例提供的显示面板以及围绕所述显示面板的保护壳。
本发明的有益效果：
本发明实施例提供了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置，该阵列基板包括：衬底基板；激发光源，位于所述衬底基板一侧；子像素，位于所述激发光源背离所述衬底基板一侧，所述子像素至少包括：第一类子像素，所述第一类子像素包括依次位于所述激发光源背离所述衬底基板一侧的第一量子点转换层、第一调光层和第一彩膜层，所述第一调光层被配置为将小于第一类子像素出光波长的至少部分光限制在所述第一调光层和所述第一量子点转换层中。本发明通过对第一量子点转换层、第一调光层和第一彩膜层进行设计，可以将小于第一类子像素出光波长的至少部分光限制在所述第一调光层和所述第一量子点转换层中，该部分被限制的光可以被第一量子点转换层再次利用，激发出第一类子像素出光波长的光，从而增加该阵列基板的光转换效率。
附图说明
图1为相关技术中的量子点显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的阵列基板的一种结构示意图；
图3a为本发明实施例提供的阵列基板的一种原理结构示意图；
图3b为本发明实施例提供的阵列基板的另一种原理结构示意图；
图4a为本发明实施例提供的阵列基板的又一种原理结构示意图；
图4b为本发明实施例提供的阵列基板的又一种原理结构示意图；
图5为本发明实施例提供的显示面板的一种结构示意图。
具体实施方式
相关技术中的量子点阵列基板，如图1所示，包括衬底基板01，位于衬底基板01上的背光源02，位于背光源02背离衬底基板01一侧的量子点层03(包括红色量子点层R-QD和绿色量子点层G-QD)，位于该量子点层03背离衬底基板01一侧的彩膜层04(包括：红色彩膜层R-CF、绿色彩膜层G-CF和蓝色彩膜层B-CF)，以及位于该量子点层03与彩膜层04之间的空气层05。背光源02发出的背光激发量子点层03发出各子像素出光的红光或绿光，彩膜层04将未被转换的背光进行吸收，从而实现各子像素出光颜色的光。
为了进一提高量子点层03对背光源02所发出光的转换效率，在量子点层03和彩膜层04之间设置空气层05，使未经量子点层03吸收的背光在空气层05的界面发生全反射，反射回量子点层03进行再次吸收，以增加了量子点层03对光的转换效率，但同时，量子点层03发射的红光和绿光也会在空气层05的界面发生全反射，全反射部分光(红光或绿光)被限制在量子点层03中，无法取出到阵列基板外部，影响了量子点的转换效率。
基于相关技术中的量子点阵列基板存在的上述问题，本发明实施例提供了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置。为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。应当理解，下面所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
附图中各部件的形状和大小不反应真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
具体地，本发明实施例提供了一种阵列基板，如图2所示，该阵列基板包括：
衬底基板1，该衬底基板可以为玻璃板、亚克力板或蓝宝石基板等；
激发光源2，位于衬底基板1一侧；
子像素，位于激发光源2背离衬底基板1一侧，该子像素至少包括：第一类子像素3，第一类子像素3包括依次位于激发光源2背离衬底基板1一侧的第一量子点转换层31、第一调光层32和第一彩膜层33，第一调光层32被配置为将小于第一类子像素3出光波长的至少部分光限制在第一量子点转换层31中。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板，包括：衬底基板；激发光源，位于衬底基板一侧；子像素，位于激发光源背离衬底基板一侧，子像素至少包括：第一类子像素，第一类子像素包括依次位于激发光源背离衬底基板一侧的第一量子点转换层、第一调光层和第一彩膜层，第一调光层被配置为将小于第一类子像素出光波长的至少部分光限制在第一调光层和第一量子点转换层中。本发明通过对第一量子点转换层、第一调光层和第一彩膜层进行设计，可以将小于第一类子像素出光波长的至少部分光限制在第一调光层和第一量子点转换层中，该部分被限制的光可以被第一量子点转换层再次利用，激发出第一类子像素出光波长的光，从而增加该阵列基板的光转换效率。
可选地，如图2所示，该第一类子像素3可以为红色子像素或绿色子像素，其中，当其为红色子像素时，包括第一量子点转换层R-QD、第一调光层R-RC和第一彩膜层R-CF；当其为绿色量子点时，包括第一量子点转换层G-QD、第一调光层G-RC和第一彩膜层G-CF。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图3a所示，第一调光层32的折射率n2等于第一彩膜层33的折射率n3；
在小于第一类子像素3出光波长的波段内，第一量子点转换层31的折射率n1大于第一调光层32的折射率n2；
在大于或等于第一类子像素3出光波长的波段内，第一量子点转换层31的折射率n1小于第一调光层32的折射率n2。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图3a所示，以激发光源2发出白光，第一类子像素3为红色子像素为例进行说明：
在第一调光层32的折射率n2等于第一彩膜层33的折射率n3，即第一调光层32与第一彩膜层33在折射率上可以视为一个膜层，仅第一量子点转换层31与第一调光层32之间存在边界。针对小于第一类子像素3出光波长的波段内(绿光和蓝光)，由于n1大于n2，光是从光密介质向光疏介质传播的，又由于经过第一量子点转换层31之后光会发生散射，在各角度均存在出光，当出光角度大于临界角时，绿光和蓝光会在第一量子点转换层31与第一调光层32之间的边界发生全反射，反射回第一量子点转换层31被再次利用，以增加第一量子点转换层31对光的转换效率。针对大于或等于第一类子像素3出光波长的波段内(红光)，由于n1小于n2，光是从光疏介质向光密介质传播的，不满足全反射的条件，因此，红光在第一量子点转换层31与第一调光层32之间的边界不会发生全反射，即可以使全部的红光从阵列基板中取出，以增加第一类子像素3中的第一量子点转换层的光转换效率。
需要说明的是，并不是所有的绿光和蓝光均会在第一量子点转换层与第一调光层之间的边界处发生全反射，由于经过第一量子点转换层之后各方向均可能出射蓝光和绿光，因此，只有入射角大于临界角的蓝光和绿光会发生全反射，其他角度的光会不同程度的透过第一调光层，但最终会被第一彩膜层吸收，即从第一彩膜层出射的只有红光。
同理，当第一类子像为绿色子像素时，以白光进行激发时，由于蓝光的波长小于绿光的波长，因此满足全反射条件的蓝光会在第一量子点转换层与第一调光层之间的边界发生全反射，被第一量子点转换层再次利用，而绿光，波长大于绿光波长的红光，以及未发生全反射的蓝光会透过第一调光层，但是，蓝光和红光会被第一彩膜层吸收，从而仅绿光被取出阵列基板进行显示。
其中，当第一类子像素为红色子像素时，针对小于第一类子像素出光波长的波段内(绿光和蓝光)，n1大于n2，其中，n1与n2之间的差值需要大于0.05，因为若该差值小于或等于0.05时，绿光和蓝光在第一量子点转换层与第一调光层的界面发生全反射的效果会比较差，被限制在第一量子点转换层中的绿光和蓝光的量会较小，优选地，可以将n1与n2之间的差值设置为0.1。针对大于或等于第一类子像素出光波长的波段内(红光)，为避免红光在第一量子点转换层与第一调光层的界面发生全反射，需使得n1小于n2，其中，n1与n2之间的差值需要小于0.02，以保证红光最大限度的被取出。当第一类子像素为绿色子像素时，n1与n2之间的差值设置原理与上述实施例相同，在此不再赘述。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图3b所示，第一量子点转换层31的折射率n1等于第一调光层32的折射率n2；
在小于第一类子像素3出光波长的波段内，第一调光层32的折射率n2大于第一彩膜层33的折射率n3；
在大于或等于第一类子像素3出光波长的波段内，第一调光层32的折射率n2小于第一彩膜层33的折射率n3。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图3b所示，以激发光源2发出白光，第一类子像素33为红色子像素为例进行说明：
由于n1等于n2，因此，针对折射率方面，第一量子点转换层31和第一调光层32可以视为相同的膜层，满足全反射条件的蓝光和绿光会在第一调光层32与第一彩膜层33之间的界面发生全反射，蓝光和绿光会被反射回第一量子点转换层31被再次利用。同理，当第一类子像素3为绿色子像素时，满足全反射条件的蓝光会在第一调光层32与第一彩膜层33之间的界面发生全反射，蓝光会被反射回第一量子点转换层31被再次利用。其具体原理与上述实施例相同，在此不再赘述。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，该激发光源处理可以为白光激发，还可以如图4a和图4b所示，为蓝光激发。
其中，在采用蓝光激发时，由于激发光源中没有红光和绿光，因此在经过第一量子点转换层后的出光仅存在第一类子像素出光波长的光和蓝光，没有其他颜色的光被第一彩膜层吸收，从而减少了光的损失量。
其中，图4a和图4b所示结构图与图3a和图3b所示结构图仅激发光源发出光的类型不同，一个发蓝光，一个发白光，其他原理均相同，其原理已经在图3a和图3b出光的实施例中进行了详细阐述，在此不再赘述。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，第一量子点转换层包括：红色量子点和散射粒子；和/或，绿色量子点和散射粒子。
其中，在红色量子点和/或绿色量子点中均匀分散有散射粒子，可以增加激发光在第一量子点转换层中的利用率，使更多的激发光能够照射到量子点上，增加光转换率。
具体地，该第一量子点转换层包含量子点材料，量子点是一种由II－VI族或III－V族元素组成的纳米颗粒。量子点的粒径一般介于1～20nm之间，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构，受激后可以发射荧光。量子点的发射光谱可以通过改变量子点的尺寸大小来控制，通过改变量子点的尺寸和其化学组成可以使其发射光谱覆盖整个可见光区。量子点材料可以为氧化锌、石墨烯、硒化镉CdSe、硫化镉CdS、碲化镉CdTe、硒化锌ZnSe、碲化锌ZnTe、硫化锌(ZnS)钙钛矿类(APbX3，A＝Cs、MA甲胺、FA胺；X＝Cl、Br、I)、铟类(CuInS2、InP)中的至少一种。量子点分散在分散介质中，所述分散介质包括丙烯酸树脂，环氧树脂，苯乙烯树脂，聚烯烃树脂，聚氧化烯烃树脂，或它们的混合物；为了提高光转换效率，分散介质中还分散有散射材料，例如氧化钛、氧化硅等。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图2所示，该子像素还包括：第二类子像素4；
第二类子像素4包括：依次位于激发光源2背离衬底基板1一侧的散射层41、平坦层42和第二彩膜层43；
第二类子像素4出光的波长小于第一类子像素3出光的波长。
具体地，该第二类子像素可以为蓝色子像素，由于采用的是OLED作为背光源，不管是白光OLED还是蓝光OLED，其中均包括蓝光，其发光强度可以用于显示，且激发光源的能量不足以激发蓝色量子点出光，因此在蓝色子像素出光的位置未设置蓝色量子点膜层，在出光位置处设置了散射层，以增加出光的均匀性。
其中，在采用蓝光为激发光源时，蓝光依次透过散射层、平坦层和第二彩膜层；当采用白光激发时，白光透过散射层和平坦层，但是红光和绿光最终会被第二彩膜层吸收，仅蓝光能够从阵列基板中取出用于显示。
需要说明的是，白光OLED或蓝光OLED均包括第一电极、有机电致发光层和第二电极，有机电致发光层设置在第一电极与第二电极之间，有机电致发光层包括有机发光层，能够在第一电极与第二电极之间的电场驱动下发光。第一彩膜层和第二彩膜层均为有机透明色阻或无机透明材料，包含出光的吸光颜料和丙烯酸树脂，环氧树脂，苯乙烯树脂，聚烯烃树脂，聚氧化烯烃树脂等分散介质，可遮挡特定波长范围以外的其他部分，例如R-CF可遮挡蓝光和绿光，但允许红光通过。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，散射层的折射率小于或等于平坦层的折射率；
平坦层的折射率小于或等于第二彩膜层的折射率。
具体地，可以将散射层、平坦层和第二彩膜层的折射率设置为相等，或者设置为依次递增，这样能够避免激发光在各膜层的界面发生全反射，从而可以提高光的利用率。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，第一量子点转换层、与散射层同层设置；
第一调光层与平坦层同层设置；
第一彩膜层与第二彩膜层同层设置。
具体地，上述所表述的同层设置指得是在位置上的同层，不同子像素同层设置的各膜层的材料可以相同，可以不同，也可以部分相同。其中，第一调光层的基材可以采用无机材料，也可以采用有机材料。无机层的材料可以采用氮化硅SiNx、氧化硅SiO2、碳化硅SiC、蓝宝石Al2O3、硫化锌ZnS或氧化锌ZnO等；有机层的材料可以采用聚乙烯吡咯烷酮((polyvinyl pyrrolidone，PVP)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，vinylalcohol polymer，PVA)、8-羟基喹啉铝(Alq)、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)或HATCN等，可根据实际需要进行选择和组合，在此不作具体限定。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，在垂直于衬底基板方向上，第一类子像素的厚度等于第二类子像素的厚度。
将第一类子像素和第二类子像素的整体厚度设置为相同，有利于厚度膜层的封装，其中，第一类子像素和第二类子像素中包括的各出光膜层的厚度可以相同，也可以不同，可根据实际需要进行选择，在此不再赘述。
需要说明的是，在本发明实施例提供的阵列基板中，第一类子像素的厚度等于第二类子像素的厚度，并不是限定为严格意义上的完全相等，是指第一类子像素的厚度与第二类子像素的厚度大致相等，如两者之间的厚度上下浮动5％以内的尺寸，均视为第一类子像素的厚度等于第二类子像素的厚度。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：
提供一衬底基板；
在衬底基板上形成激发光源；
在激发光源出光面的一侧形成第一类子像素，第一类子像素包括依次位于激发光源上的第一量子点转换层、第一调光层和第一彩膜层。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板的制作方法中，该方法还包括：
在激发光源出光面的一侧形成第二类子像素，第二类子像素在衬底基板上的正投影与第一类子像素在衬底基板上的正投影互不重叠；
第二类子像素包括依次位于激发光源上的散射层、平坦层和第二彩膜层。
其中，该阵列基板的制作方法具体上述任一实施例提供的阵列基板的全部优点，且，具体形成各结构所采用的工艺均与相关技术中的技术工艺相同或相似，可参考上述阵列基板的任一实施例，以及相关技术中的工艺手段进行实施，在此不再赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，如图5所示，包括上述任一实施例提供的阵列基板，以及位于阵列基板出光面一侧的封装盖板5。
其中，该显示面板具体上述任一实施例提供的阵列基板的全部优点，可参考上述阵列基板的任一实施例进行实施，在此不再赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施例中的显示面板以及围绕显示面板的保护壳。
该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
本发明实施例提供了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置，该阵列基板包括：衬底基板；激发光源，位于所述衬底基板一侧；子像素，位于所述激发光源背离所述衬底基板一侧，所述子像素至少包括：第一类子像素，所述第一类子像素包括依次位于所述激发光源背离所述衬底基板一侧的第一量子点转换层、第一调光层和第一彩膜层，所述第一调光层被配置为将小于第一类子像素出光波长的至少部分光限制在所述第一调光层和所述第一量子点转换层中。本发明通过对第一量子点转换层、第一调光层和第一彩膜层进行设计，可以将小于第一类子像素出光波长的至少部分光限制在所述第一调光层和所述第一量子点转换层中，该部分被限制的光可以被第一量子点转换层再次利用，激发出第一类子像素出光波长的光，从而增加该阵列基板的光转换效率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (15)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
激发光源，位于所述衬底基板一侧；
子像素，位于所述激发光源背离所述衬底基板一侧，所述子像素至少包括：第一类子像素，所述第一类子像素包括依次位于所述激发光源背离所述衬底基板一侧的第一量子点转换层、第一调光层和第一彩膜层，所述第一调光层被配置为将波长小于第一类子像素出光波长的至少部分光限制在所述第一量子点转换层中。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一调光层的折射率等于所述第一彩膜层的折射率；
在小于所述第一类子像素出光波长的波段内，所述第一量子点转换层的折射率大于所述第一调光层的折射率；
在大于或等于所述第一类子像素出光波长的波段内，所述第一量子点转换层的折射率小于所述第一调光层的折射率。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一量子点转换层的折射率等于所述第一调光层的折射率；
在小于所述第一类子像素出光波长的波段内，所述第一调光层的折射率大于所述第一彩膜层的折射率；
在大于或等于所述第一类子像素出光波长的波段内，所述第一调光层的折射率小于所述第一彩膜层的折射率。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一类子像素为红色子像素和/或绿色子像素。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一量子点转换层包括：红色量子点和散射粒子；和/或，绿色量子点和散射粒子。
6.如权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述子像素还包括：第二类子像素；
所述第二类子像素包括：依次位于所述激发光源背离所述衬底基板一侧的散射层、平坦层和第二彩膜层；
所述第二类子像素出光波长小于所述第一类子像素出光波长。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述散射层的折射率小于或等于所述平坦层的折射率；
所述平坦层的折射率小于或等于所述第二彩膜层的折射率。
8.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一量子点转换层、与所述散射层同层设置；
所述第一调光层与所述平坦层同层设置；
所述第一彩膜层与所述第二彩膜层同层设置。
9.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，在垂直于所述衬底基板方向上，所述第一类子像素的厚度等于所述第二类子像素的厚度。
10.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第三颜色子像素为蓝色子像素。
11.如权利要求6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述激发光源被配置为发出白光或蓝光。
12.一种如权利要求1-11任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成激发光源；
在所述激发光源出光面的一侧形成第一类子像素，所述第一类子像素包括依次位于所述激发光源上的第一量子点转换层、第一调光层和第一彩膜层。
13.如权利要求12所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述激发光源出光面的一侧形成第二类子像素，所述第二类子像素在所述衬底基板上的正投影与所述第一类子像素在所述衬底基板上的正投影互不重叠；
所述第二类子像素包括依次位于所述激发光源上的散射层、平坦层和第二彩膜层。
14.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-11任一项所述的阵列基板，以及位于所述阵列基板出光面一侧的封装盖板。
15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求14所述的显示面板，以及围绕所述显示面板的保护壳。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200626 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |