CN114695729A - 量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents

量子点发光二极管及其制备方法 Download PDF

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CN114695729A CN202011638366.3A CN202011638366A CN114695729A CN 114695729 A CN114695729 A CN 114695729A CN 202011638366 A CN202011638366 A CN 202011638366A CN 114695729 A CN114695729 A CN 114695729A
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邹文鑫
杨一行
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Abstract

本申请涉及显示器件技术领域，提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：提供底电极基板；在所述底电极基板上制备量子点发光层；在所述量子点发光层上沉积金属氧化物，得到载流子传输层；在所述载流子传输层表面温度为T0时，开始将金属材料沉积在所述载流子传输层上，所述金属材料沉积完后形成顶电极；其中，60℃≤T0＜所述金属氧化物的相转变温度，且T0＜所述量子点发光层的量子点材料相转变温度。该制备方法提高了器件的稳定性，显著减少器件暗斑、黑点现象的出现，而且具有更低的启亮电压和更高的电流效率；而且可有效降低电荷传输的界面势垒，最终有利于提升器件的光电性能及寿命。

Description

量子点发光二极管及其制备方法
技术领域
本申请属于显示器件技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
近年来，量子点发光二极管(Quantum Dots Light-Emitting Diode，QLED)因其优异的性能而得到青睐，并获得了飞速的发展。同时，QLED因其能够实现自发光、低功耗的全彩显示及固态照明，更被认为是下一代显示及照明的发展趋势。QLED发展至今，研究者们更多注重的是如何提高QLED的发光效率，而往往忽略了寿命的重要性，而寿命也是限制QLED商业化运用的主要因素之一。量子点发光二极管的老化机理是一个复杂的问题，影响寿命的因素有很多，其中在器件发光区域产生黑点的现象最为常见，且对器件性能影响较大。只要不是由于器件的材料和结构等基本性质所造成的器件性能衰退，如亮度衰减、电压升高，就被称为非本质老化。器件的非本质老化主要表现为黑点的形成。
QLED器件中在传统的底发射器件中，一般会使用低功函的活泼金属材料作为顶电极材料，采用高分子材料进行封装。一般常温(20-25℃)情况下沉积顶电极，由于功能层通过溶液法沉积，膜的表面在常温下会有一定量的水氧残余，水氧的存在不利于器件性能保持长久，而且会加速器件寿命的老化，随着水氧的侵蚀，QLED器件的发光区域便会慢慢的产生黑点，而且会随着时间的增长逐渐变大，黑点的变大往往会造成QLED发光区域的相对减少，另外，由于黑点的产生会增加器件工作过程中的焦耳热，热量会影响激子的形成，从而影响器件的发光效率和寿命。黑点产生的原因与基板的平整度和清洁度、器件制备过程中环境里的微小颗粒、金属电极表面的微小孔隙和水氧的入侵等都有一定关系，但是这些原因都可以归纳为一点：金属电极层与功能层间界面粘附力较弱产生了界面分离，影响了载流子的注入。
因此，现有技术有待改进。
发明内容
本申请的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有器件制备工艺容易使顶电极与功能层间界面分离，从而产生黑点的技术问题。
为实现上述申请目的，本申请采用的技术方案如下：
一方面，本申请提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：。
提供底电极基板；
在所述底电极基板上制备量子点发光层；
在所述量子点发光层上沉积金属氧化物，得到载流子传输层；
在所述载流子传输层表面温度为T0时，开始将金属材料沉积在所述载流子传输层上，所述金属材料沉积完后形成顶电极；
其中，60℃≤T0＜所述金属氧化物的相转变温度，且T0＜所述量子点发光层的量子点材料相转变温度。
本申请提供一种量子点发光二极管的制备方法，在制备顶电极时，在载流子传输层表面温度为T0时开始将金属材料沉积在载流子传输层上，因施加一定温度T0，使得金属材料在载流子传输层界面处沉积时和表面的金属氧化物会发生部分形态变化融合形成界面过渡层，以增强载流子传输层和顶电极的界面粘附力，使界面难以分离，从而提高器件的稳定性，显著减少器件暗斑、黑点现象的出现，而且具有更低的启亮电压和更高的电流效率；而且顶电极在载流子传输层上形成的界面过渡层可有效降低电荷传输的界面势垒，最终有利于提升器件的光电性能及寿命。
另一方面，本申请还提供一种量子点发光二极管，所述量子点发光二极管由本申请的上述制备方法制备得到。
本申请的量子点发光二极管由本申请特有的制备方法得到，这样该器件中可以增强载流子传输层和顶电极的界面粘附力，使界面难以分离，从而提高器件的稳定性，显著减少器件暗斑、黑点现象的出现，而且具有更低的启亮电压和更高的电流效率，最终有利于提升器件的光电性能及寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是实施例提供的QLED器件的制备方法流程示意图；
图2是实施例提供的QLED器件的结构示意图；；
图3是实施例1和对比例1寿命测试曲线；
图4是实施例3和对比例3器件暴露100％湿度环境膜上黑点变化图；
图5是实施例3(左图)和对比例3(右图)器件截面扫描电镜图。
具体实施方式
为了使本申请要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
本申请实施例提供一种量子点发光二极管的制备方法，如图1所示，该制备方法包括如下步骤：
S01：提供底电极基板；
S02：在所述底电极基板上制备量子点发光层；
S03：在所述量子点发光层上沉积金属氧化物，得到载流子传输层；
S04：在所述载流子传输层表面温度为T0时，开始将金属材料沉积在所述载流子传输层上，所述金属材料沉积完后形成顶电极；
其中，60℃≤T0＜所述金属氧化物的相转变温度，且T0＜所述量子点发光层的量子点材料相转变温度。
本申请提供一种量子点发光二极管的制备方法，在制备顶电极时，在载流子传输层表面温度T0时(可以理解的是，这个温度还可以是载流子传输层表面附近的空气温度)，开始将金属材料沉积在载流子传输层上，因施加一定温度T0，使得金属材料在载流子传输层界面处沉积时和表面的金属氧化物会发生部分形态变化融合形成界面过渡层，以增强载流子传输层和顶电极的界面粘附力，使界面难以分离，从而提高器件的稳定性，显著减少器件暗斑、黑点现象的出现，而且具有更低的启亮电压和更高的电流效率；而且顶电极在载流子传输层上形成的界面过渡层可有效降低电荷传输的界面势垒，最终有利于提升器件的光电性能及寿命。
本申请制备QLED器件暗斑、黑点现象明显减少，由于黑点本质上是非导电区域，在相同的电流密度下，QLED的驱动电压随着黑点的数量和大小的增加而增高，另外，产生的黑点会增加器件的非辐射复合几率，在器件工作过程中产生焦耳热，对器件的发光效率和寿命有较大的影响。而本申请提供在一定温度T0下进行顶电极的金属材料沉积，对黑点的形成和生长有很明显的改善，具体地，该温度T0要≥60℃，一方面，施加的该温度可以清除顶电极沉积前的载流子传输层表面残留的水分，即降低表面水氧值，从而可以提高器件寿命；另一方面，由于温度T0的作用，顶电极金属材料和载流子传输层的界面处形态发生部分改变，产生的界面过渡层增强了顶电极金属材料和载流子传输层之间的附着力。因此，选择温度T0开始沉积金属材料，可以获得粘附力更强的顶电极和载流子传输层过渡界面，减少水氧侵蚀产生的黑点问题，有利于提升器件的光电性能及寿命。但是，温度T0需要考虑不可过高的问题，顶电极金属材料的沉积温度设定需低于下方各功能层材料的相转变温度，即T0＜所述金属氧化物的相转变温度，且T0＜所述量子点发光层的量子点材料相转变温度。这样可以防止其他功能层材料的晶型转变而引入对QLED器件性能变化的不确定因素。在一个实施例中，60℃≤T0≤120℃。120℃一般均要小于载流子传输层中的金属氧化物的相转变温度(Tg)以及量子点发光层的量子点材料相转变温度。
在一个实施例中，将所述金属材料的沉积过程分为前段和后段，所述前段的沉积温度持续恒定为T0，所述后段的沉积温度＜所述金属氧化物的相转变温度。具体地，所述前段的沉积温度持续恒定为T0，所述后段停止加热，或者所述后段持续恒定温度为T0，或者所述后段升温至大于T0、且小于所述金属氧化物的相转变温度以及量子点发光层的量子点相转变温度。金属材料沉积的前段即初始过程中温度需要保持一定的温度，在界面处沉积一定厚度后，温度可以持续恒定，或降或升，也可以在程序升降或者间断变化。
具体地，将所述金属材料的沉积过程分为前段和后段，所述前段的沉积温度持续恒定为T0，所述后段的沉积过程停止加热降至室温常规的金属材料蒸镀环境，如此可以节省能源；或者，将所述金属材料的沉积过程分为前段和后段，所述前段的沉积温度持续恒定为T0，所述后段的沉积温度持续恒定为T0；或者，将所述金属材料的沉积过程分为前段和后段，所述前段的沉积温度持续恒定为T0，所述后段的沉积温度大于T0、且小于所述金属氧化物和量子点的相转变温度。
在一个实施例中，金属材料沉积前，可以将基板温度达到预设温度T0后，保持10-15分钟，确保基板的温度均匀性后，开始沉积金属材料。这样形成的界面过渡层更佳均匀稳定。
优选实施例中，在真空条件下将制备有量子点发光层的所述底电极基板在T0预热10-15min，且所述金属材料的沉积过程中的所述前段的沉积温度持续恒定为T0，所述后段的沉积过程停止加热。这样不仅使界面过渡层更佳均匀稳定，而且后续沉积金属材料的步骤不仅简易，而且可以节省能源。
在一个实施例中，所述前段的沉积时间为10-15min，所述后段的沉积时间为10-20min。即金属材料的沉积总时间可以为10-35min。
在一个实施例中，所述金属材料选自Al、Ca、Ba、Ag、Mg、Au和Cu中的至少一种。
在一个实施例中，所述底电极基板为阳极基板，所述顶电极为阴极，沉积的所述金属氧化物为N型金属氧化物，得到所述载流子传输层为电子传输层，制备的器件为正置型量子点发光二极管。此时，阳极基板和量子点发光层之间还可以制备空穴功能层，如空穴传输层，或层叠的空穴注入层和空穴传输层。即所述底电极基板为阳极基板，所述顶电极为阴极，在所述底电极基板上制备量子点发光层之前，还包括在所述底电极基板上制备空穴功能层，且T0＜所述空穴功能层的材料相转变温度，如此可以在沉积顶电极金属材料时防止该空穴功能层材料的晶型转变而引入对QLED器件性能变化的不确定因素。进一步地，所述N型金属氧化物选自ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的至少一种。
在一个实施例中，所述底电极基板为阴极基板，所述顶电极为阳极，沉积的所述金属氧化物为P型金属氧化物，得到所述载流子传输层为空穴传输层，制备的器件为倒置型量子点发光二极管。此时，阴极基板和量子点发光层之间还可以制备电子功能层，如电子传输层，或层叠的电子注入层和电子传输层；即所述底电极基板为阴极基板，所述顶电极为阳极，在所述底电极基板上制备量子点发光层之前，还包括在所述底电极基板上制备电子功能层，且T0＜所述电子功能层的材料相转变温度，如此可以在沉积顶电极金属材料时防止该电子功能层材料的晶型转变而引入对QLED器件性能变化的不确定因素。进一步地，所述P型金属氧化物选自CuO、Cu2O、NiO和V2O5中的至少一种。
在一个具体实施例中，制备正置型量子点发光二极管，金属Ag阴极沉积过程中，将沉积有空穴注入层PEDOT:PSS、空穴传输层TFB、发光层红色量子点CdZnSe/ZnSe/ZnS和电子传输层ZnO的ITO基板置于5x 10-6torr真空环境中，设定沉积温度为75℃，待温度恒定后，保持10min，阴极沉积开始后15min保持75℃，之后停止加热，整个阴极沉积时间控制在30min，得到的器件使用高分子光固化树脂和玻璃盖板进行封装，进行光电性能和寿命测试，观察EL发光形貌无明显黑点缺陷，电流效率CE＝25cd/A，T95@1000nit＝4440h；在一个对比例中，除了蒸镀过程是在常温下进行，其他结构和步骤与实施例相同，EL上存在多个黑点，得到的电流效率CE＝12cd/A，T95@1000nit＝930h；
在另一个具体实施例中，沉积金属Al阴极过程中，将沉积有空穴注入层PEDOT、空穴传输层TFB、红色量子点CdZnSe/ZnSe/ZnS发光层和电子传输层ZnO的基板置于5x10-6torr真空环境中，设定沉积温度为60℃，待温度恒定后，保持15min，阴极沉积开始后10min保持60℃，之后停止加热，整个阴极沉积时间控制在30min，蒸镀完成后对器件进行封装并测试相关光电性能和寿命，得到电流效率为23Cd/A，寿命T95@1000nit为3600h。在一个对比例中，量子点器件的金属阴极沉积过程在常温下进行，得到电流效率为11Cd/A，寿命T95@1000nit为620h。
为了方便对比不同金属阴极沉积工艺对器件的电子传输层和阴极界面的差异，所有制作完成的器件不使用玻璃盖板封装，并置于100％湿度常温环境存放，监测器件光电性能和成膜黑点变化的实验，同时采用扫描电镜截面测试对电子传输层和阴极界面进行分析，发现常温蒸镀的阴极器件随着存放时间延长，在出现黑点的阶段，扫描电镜截面图上出现明显的电子传输层和阴极界面的分离现象，但是在一定温度下蒸镀得到的阴极器件，未发现器件成膜有黑点和界面分离情况。
在一个优选的实施例中，金属Ag阴极沉积过程中，将沉积有电子传输层ZnO的基板置于5x10-6torr真空环境中，设定沉积温度为90℃，待温度恒定后，保持15min，阴极沉积开始后10min保持90℃，之后停止加热，整个阴极沉积时间控制在30min；不使用玻璃盖板封装并置于100％湿度环境下分别在5h和10h拍照观察，器件发光区域未出现明显的黑点，恒定的50mA/cm2电流密度下对应的电压值3.8V和电流效率值21cd/A均保持平稳；通过扫描电镜截面照片可以看出电子传输层和阴极界面粘接紧密，无明显分离脱落现象发生，表明蒸镀过程中施加的温度对电子传输层和阴极形成的界面致密过渡层起到了粘接保护作用。
在一个对比例中，量子点器件的金属阴极沉积过程在常温下进行，在相同的处理工艺条件下，5h后膜上出现少量黑点，10h后发光区域出现明显的黑点且有持续变大的趋势，通过扫描电镜测试截面可以清晰的观察到电子传输层和阴极界面分离的问题，恒定的50mA/cm2电流密度下对应的电压值从4V持续升高至5.8V，电流效率值从初始状态15cd/A衰减至5cd/A；
在另一个对比例中，器件在常温环境沉积阴极后，使用的优选实施例的阴极沉积的90℃退火温度和5x10-6torr真空环境，器件在上述环境中经过25分钟的退火，模拟优选实施例阴极沉积过程的温度过程包括15分钟的等待时间和10分钟的阴极沉积时间，其总热暴露时间与实施例的阴极加热样品相似。器件发光区域的膜上黑点数量随着存放时间延长同样有明显增加，并且黑斑区域明显扩大，恒定的50mA/cm2电流密度下对应的电压值从4.1V持续升高至5.5V，电流效率值从初始值17cd/A衰减至6cd/A。
本申请实施例还提供了一种基于上述方法制得的量子点发光二极管。该量子点发光二极管由本申请特有的制备方法得到，这样该器件中可以增强载流子传输层和顶电极的界面粘附力，使界面难以分离，从而提高器件的稳定性，显著减少器件暗斑、黑点现象的出现，而且具有更低的启亮电压和更高的电流效率，最终有利于提升器件的光电性能及寿命。
在一个优选的实施方式中，底电极为阳极时，阳极选自铟锡氧化物、氟掺氧化锡、铟锌氧化物、石墨烯、纳米碳管中的一种或多种；空穴注入层的材料为PEDOT：PSS、氧化镍、氧化钼、氧化钨、氧化钒、硫化钼、硫化钨、氧化铜中的一种或多种；空穴传输层材料为PVK、Poly-TPD、CBP、TCTA和TFB中的一种或多种；量子点发光层包括红光量子点发光层、绿光量子点发光层以及蓝光量子点发光层；量子点材料包括II-VI半导体的纳米晶、III-V族半导体的纳米晶、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质中至少的一种；电子传输层的材料为n型ZnO、TiO2、SnO、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO、InSnO中的一种或多种；阴极选自Al、Ca、Ba、Ag、Mg:Ag/Ag中的一种或多种。
在一个具体的实施方式中，一种量子点发光二极管的结构如图2所示，从下到上依次为：阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。该量子点发光二极管由本申请特有的制备方法得到，这样该器件中阴极与电子传输层之间形成有致密的界面过渡层。而阴极和电子传输层之间的界面过渡层看看增强电子传输层和阴极的界面粘附力，使界面难以分离，从而提高器件的稳定性，显著减少器件暗斑、黑点现象的出现，而且具有更低的启亮电压和更高的电流效率，最终有利于提升器件的光电性能及寿命。具体地，阳极选自铟锡氧化物(ITO)，空穴注入层为PEDOT：PSS，空穴传输层为TFB，发光层为红色量子点材料，电子传输层为ZnO，阴极为Al。
下面结合具体实施例进行说明。
实施例1
一种量子点发光二极管的制备方法：
在阳极层ITO上依次旋涂空穴注入层PEDOT：PSS材料，空穴注入层上形成空穴传输层TFB，在空穴传输层上形成CdZnSe/ZnSe/ZnS红色量子点的发光层；在发光层上制作乙醇溶液的ZnO，得到电子传输层；最后通过蒸镀Ag阴极电极层，蒸镀过程中设定沉积温度为75℃，待温度恒定后，保持10min，阴极沉积开始后15min保持75℃，之后停止加热，整个阴极沉积时间控制在30min，封装形成电致发光器件。
实施例2
一种量子点发光二极管的制备方法：
在阳极层ITO上依次旋涂空穴注入层PEDOT：PSS材料，空穴注入层上形成空穴传输层TFB，在空穴传输层上形成CdZnSe/ZnSe/ZnS红色量子点的发光层；在发光层上制作乙醇溶液的ZnO，得到电子传输层；最后通过蒸镀Al阴极电极层，蒸镀过程中设定沉积温度为60℃，待温度恒定后，保持10min，阴极沉积开始后15min保持60℃，之后停止加热，整个阴极沉积时间控制在30min，封装形成电致发光器件。
实施例3
一种量子点发光二极管的制备方法：
在阳极层ITO上依次旋涂空穴注入层PEDOT：PSS材料，空穴注入层上形成空穴传输层TFB，在空穴传输层上形成CdZnSe/ZnSe/ZnS红色量子点的发光层；在发光层上制作乙醇溶液的ZnO，得到电子传输层；最后通过蒸镀Al阴极电极层，蒸镀过程中恒定沉积温度为90℃，待温度恒定后，开始阴极沉积，整个阴极沉积时间控制在30min。后续，将未使用玻璃盖板封装的器件置于100％湿度环境下10h进行测试。
对比例1
除了蒸镀阴极过程是在常温(20-25℃)下进行，其他与实施例1的量子点发光二极管器件制备过程相同。
对比例2
除了蒸镀阴极过程是在常温(20-25℃)下进行，其他与实施例2的量子点发光二极管器件制备过程相同。
对比例3
除了蒸镀阴极过程是在常温(20-25℃)下进行，其他与实施例3的量子点发光二极管器件制备过程相同。
性能测试
对该实施例1-3和对比例1-3制备的量子点发光二极管器件的光电性能和寿命进行了测试，测试结果如表1所示，结果显示，本实施例的器件相对对比例的器件，提高了发光性能和寿命。
其中，实施例1和对比例1的寿命测试曲线如图3所示，本实施例1在75℃下沉积Ag阴极电极层，器件的T95@1000nit寿命为4440h，相对于对比例1常温下沉积的阴极有近5倍的提升，主要原因为施加的75℃温度有助于金属Ag阴极与电子传输层的过渡界面获得更强的界面粘附力，从而有利于阻抗水氧侵蚀，提升器件寿命。器件的寿命测试采用广州新视界公司定制的128路寿命测试系统。系统架构为恒压恒流源驱动QLED，测试电压或电流的变化；光电二极管探测器和测试系统，测试QLED的亮度(光电流)变化；亮度计测试校准QLED的亮度(光电流)。
对该实施例3和对比例3制备的量子点发光二极管器件存放前后进行光电性能测试，并对置于100％湿度环境下5h和10h的器件拍照观察，并在10h后切割进行扫描电镜截面测试，结果如图4和图5所示：图4中两组不同阴极沉积工艺条件的器件成膜变化对比可知，本实施例3器件发光区域未出现明显的黑点，而对比例3器件发光区域的膜上黑点数量随着存放时间延长有明显增加，并且黑斑区域明显扩大。图5中(ITO为阳极层材料，HIL为空穴注入层，HTL为空穴传输层，EML为量子点的发光层，ETL为电子传输层，Cathode为阴极)两组器件进行扫描电镜截面测试发现，本实施例3蒸镀过程中施加的90℃温度在阴极与电子传输层之间形成致密界面过渡层对界面起到了增强粘接的作用，界面处无分离脱落现象发生(见图5左)，而对比例3器件出现明显的电子传输层和阴极界面的分离现象(见图5右)。
表1
EL(nm) FWHM(nm) EQE(％) CE(cd/A) T95@1000nit(h)
实施例1 621 22 20 25 4440
实施例2 625 20 19 23 3800
实施例3 630 23 18 17 4130
对比例1 621 22 9 12 930
对比例2 625 20 12 11 620
对比例3 630 23 7 6.5 700
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供底电极基板；
在所述底电极基板上制备量子点发光层；
在所述量子点发光层上沉积金属氧化物，得到载流子传输层；
在所述载流子传输层表面温度为T0时，开始将金属材料沉积在所述载流子传输层上，所述金属材料沉积完后形成顶电极；
其中，60℃≤T0＜所述金属氧化物的相转变温度，且T0＜所述量子点发光层的量子点材料相转变温度。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，60℃≤T0≤120℃。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述金属材料的沉积过程分为前段和后段，所述前段的沉积温度持续恒定为T0，所述后段停止加热，或者所述后段持续恒定温度为T0，或者所述后段升温至大于T0、且小于所述金属氧化物的相转变温度以及量子点发光层的量子点相转变温度。
4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在真空条件下将制备有量子点发光层的所述底电极基板在T0预热10-15min，且所述金属材料的沉积过程中的所述前段持续恒定温度为T0，所述后段停止加热。
5.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述前段的沉积时间为10-15min，所述后段的沉积时间为10-20min。
6.如权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述金属材料选自Al、Ca、Ba、Ag、Mg、Au和Cu中的至少一种。
7.如权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述底电极基板为阳极基板，所述顶电极为阴极，沉积的所述金属氧化物为N型金属氧化物，得到所述载流子传输层为电子传输层；或者，
所述底电极基板为阴极基板，所述顶电极为阳极，沉积的所述金属氧化物为P型金属氧化物，得到所述载流子传输层为空穴传输层。
8.如权利要求7所述的制备方法，所述底电极基板为阳极基板，所述顶电极为阴极，沉积的所述金属氧化物为N型金属氧化物，且所述N型金属氧化物选自ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的至少一种；和/或，
所述底电极基板为阳极基板，所述顶电极为阴极，在所述底电极基板上制备量子点发光层之前，还包括在所述底电极基板上制备空穴功能层，且T0＜所述空穴功能层的材料相转变温度。
9.如权利要求7所述的制备方法，所述底电极基板为阴极基板，所述顶电极为阳极，沉积的所述金属氧化物为P型金属氧化物，且所述P型金属氧化物选自CuO、Cu2O、NiO和V2O5中的至少一种；和/或，
所述底电极基板为阴极基板，所述顶电极为阳极，在所述底电极基板上制备量子点发光层之前，还包括在所述底电极基板上制备电子功能层，且T0＜所述电子功能层的材料相转变温度。
10.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管由权利要求1-9任一项所述的制备方法制备得到。
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