CN113130774A - 一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置，其中，所述量子点发光二极管包括包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，所述阳极和量子点发光层之间设置有空穴功能层，所述空穴功能层包括层叠设置的空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层靠近阳极设置，所述空穴传输层靠近量子点发光层设置，所述空穴注入层包括层叠设置的第一过渡金属氧化物薄膜、过渡金属硫化物薄膜以及第二过渡金属氧化物薄膜，所述第一过渡金属氧化物薄膜靠近所述阳极设置，所述第二过渡金属氧化物薄膜靠近所述空穴传输层设置。本发明提供空穴注入层可大大增强空穴注入能力，提高电子和空穴复合几率，提高了QLED器件的发光效率。

Description

一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及量子点领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置。
背景技术
量子点发光二极管(QLED)具有色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点，使得其在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。通过对量子点材料的改进以及QLED器件结构的不断优化，使得现有QLED的性能(包括器件效率和寿命)得到了大幅度的提高，但是其效率与产业化生产的要求还相差较远。
载流子的注入不平衡是影响QLED的器件效率的一个主要原因,即空穴注入效率相比电子注入效率普遍偏低，导致量子点中注入电荷不平衡，量子点呈现非电中性。目前空穴注入层多采用聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-Poly(styrenesulfonate)，PEDOT:PSS)，但PEDOT:PSS呈弱酸性，极易腐蚀ITO电极，且能够吸收空气中的湿气，导致器件寿命降低。过渡金属氧化物(Transition Metal Oxides，TMOs)，如MoO3,WO3等，具有较高的功函数，常在光电器件中被用作空穴注入层，但是空穴注入效率相比电子注入效率仍普遍偏低。
二维过渡金属硫属化物(2D TMDs，Two-dimensional transition metaldichalcogenide)包括MoS2、WS2、TaS2、MoSe2、WSe2、TaSe2等，因为其材料所具备的新颖的层状结构和独特的电学以及光学性质，已经引起了学术界广泛的关注。TMDs具有较高的载流子迁移率和良好的导电性，使得TMDs材料在光电器件中的应用具有十分广阔的前景。但是在电致发光器件中，作为空穴注入材料，MoS2、WS2等材料的空穴注入能力还不令人满意。
因此，现有技术还有待于改进。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置，旨在解决由于现有量子点发光二极管发光效率低的问题。
本发明的技术方案如下：
一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，其中，所述阳极和量子点发光层之间设置有空穴功能层，所述空穴功能层包括层叠设置的空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层靠近所述阳极设置，所述空穴传输层靠近所述量子点发光层设置，所述空穴注入层包括层叠设置的第一过渡金属氧化物薄膜、过渡金属硫化物薄膜以及第二过渡金属氧化物薄膜，所述第一过渡金属氧化物薄膜靠近所述阳极设置，所述第二过渡金属氧化物薄膜靠近所述空穴传输层设置。
一种显示装置，其中，包括本发明所述的量子点发光二极管。
一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：
提供一种阳极基板，在所述阳极基板上制备第一过渡金属氧化物薄膜；
在所述第一过渡金属氧化物薄膜表面制备过渡金属硫化物薄膜；
在所述过渡金属硫化物薄膜表面制备第二过渡金属氧化物薄膜；
在所述第二过渡金属氧化物薄膜表面制备空穴传输层；
在所述空穴传输层表面制备量子点发光层；
在所述量子点发光层表面制备阴极，制得所述量子点发光二极管；
或者，提供一种阴极基板，在所述阴极基板上制备量子点发光层；
在所述量子点发光层表面制备空穴传输层；
在所述空穴传输层表面制备第三过渡金属氧化物薄膜；
在所述第三过渡金属氧化物薄膜表面制备过渡金属硫化物薄膜；
在所述过渡金属硫化物薄膜表面制备第四过渡金属氧化物薄膜；
在所述第四过渡金属氧化物薄膜表面制备阳极，制得所述量子点发光二极管。
有益效果：本发明以层叠设置的第一过渡金属氧化物薄膜、过渡金属硫化物薄膜以及第二过渡金属氧化物薄膜作为量子点发光二极管的空穴注入层，大大增强了空穴注入能力，从而有效平衡量子点发光层中的载流子，提高电子和空穴复合几率，提高了QLED器件的发光效率。
附图说明
图1为本发明一种正型结构量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图。
图2为本发明一种反型结构量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图。
图3为本发明一种正型结构量子点发光二极管的制备方法较佳实施例的流程图。
图4为本发明一种反型结构量子点发光二极管的制备方法较佳实施例的流程图。
具体实施方式
本发明提供一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供一种量子点发光二极管，其包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，所述阳极和量子点发光层之间设置有空穴功能层，所述空穴功能层包括层叠设置的空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层靠近所述阳极设置，所述空穴传输层靠近所述量子点发光层设置，所述空穴注入层包括层叠设置的第一过渡金属氧化物薄膜、过渡金属硫化物薄膜以及第二过渡金属氧化物薄膜，所述第一过渡金属氧化物薄膜靠近所述阳极设置，所述第二过渡金属氧化物薄膜靠近所述空穴传输层设置。
本实施例以层叠设置的第一过渡金属氧化物薄膜、过渡金属硫化物薄膜以及第二过渡金属氧化物薄膜作为量子点发光二极管的空穴注入层，大大增强了空穴注入能力，从而有效平衡量子点发光层中的载流子，提高电子和空穴复合几率，提高了QLED器件的发光效率。
在一些实施方式中，所述第一过渡金属氧化物薄膜中的过渡金属素与所述过渡金属硫化物薄膜中的过渡金属元素相同。作为举例，所述第一过渡金属氧化物薄膜材料为MoO3，所述过渡金属硫化物薄膜材料为MoS2，所述第二过渡金属氧化物薄膜材料为MoO3或WO3；或者，所述所述第一过渡金属氧化物薄膜材料为WO3，所述过渡金属硫化物薄膜材料为WS2，所述第二过渡金属氧化物薄膜材料为MoO3或WO3。也就是说，所述第一过渡金属氧化物薄膜材料和所述第二过渡金属氧化物薄膜材料可以相同也可以不同。
本实施例能够有效提高QLED器件的发光效率，其效果机理具体如下：
以所述第一过渡金属氧化物薄膜材料为MoO3，所述过渡金属硫化物薄膜材料为MoS2，所述第二过渡金属氧化物薄膜材料为MoO3为例，由于MoO3为N型半导体，其价带能级为-8eV，空穴很难从MoO3的VBM(Valence band maximum，价带能级)输送到空穴传输层材料的HOMO(Highest Occupied Molecule Orbital)能级，例如当空穴传输层材料为Poly-TPD时，其HOMO能级为-5.2eV，此时空穴注入层与空穴传输层之间有2.8eV的能障，几乎不可能实现空穴的传输。但是对于这样的能级结构，电子的传输就容易得多，这是因为MoO3的CBM(Conduction band maximum，导带能级)约为-4.62eV，与Poly-TPD的HOMO能级间只有0.58eV的势垒差，电子可以很容易从Poly-TPD薄膜传输至MoO3薄膜。换言之，空穴从MoO3注入到Poly-TPD可以看作是电子从Poly-TPD的HOMO能级传输到MoO3的CBM。这种机理目前常被用来解释半导体氧化物和有机空穴传输层之间的空穴注入过程。
本实施例以层叠的MoO3膜层(第一过渡金属氧化物薄膜)、MoS2膜层(过渡金属硫化物薄膜)以及MoO3膜层(第二过渡金属氧化物薄膜)作为量子点发光二极管的空穴注入层，所述MoS2膜层具有独特的二维层状结构，随着层数的减少，使其从体材料的间接带隙半导体转变为直接带隙半导体，电子迁移率大大提高，并且可以通过调节层数，从而调节其带隙；所述依次层叠的MoO3膜层、MoS2膜层以及MoO3膜层形成双异质结构，可以提高MoS2在器件中的稳定性，并且在这种双异质结结构中，由于MoS2材料具有电子迁移率高、宽带隙可调、导电性好等优异的性能，这样就有利于电子从空穴传输层传输至所述双异质结结构中，即有利于空穴从所述双异质结结构传输至空穴传输层，大大增强了空穴注入能力，从而有效平衡发光层中的载流子，提高电子和空穴复合几率，提高了QLED器件的发光性能。
在一些实施方式中，提供一种正型结构的量子点发光二极管，如图1所示，其包括设置在衬底表面的阳极、设置在阳极表面的空穴注入层、设置在空穴注入层表面的空穴传输层、设置在空穴传输层表面的量子点发光层，设置在所述量子点发光层表面的电子传输层和设置在电子传输层表面的阴极，所述空穴注入层包括从下至上依次层叠设置的第一过渡金属氧化物薄膜、过渡金属硫化物薄膜以及第二过渡金属氧化物薄膜。
在一些实施方式中，还提供一种反型结构的量子点发光二极管，如图2所示，其包括设置在衬底表面的阴极、设置在阴极表面的电子传输层、设置在电子传输层表面的量子点发光层、设置在量子点发光层表面的空穴传输层、设置在空穴传输层表面的空穴注入层和设置在空穴注入层表面的阳极，所述空穴注入层包括依次层叠设置的第一过渡金属氧化物薄膜、过渡金属硫化物薄膜以及第二过渡金属氧化物薄膜。
在一些实施方式中，所述第一过渡金属氧化物薄膜的厚度为10-30nm。在一些实施方式中，所述过渡金属硫化物薄膜的厚度为1-10nm。在一些实施方式中，所述第二过渡金属氧化物薄膜的厚度为10-30nm。
在本发明的各实施方式中，所述各功能层材料为本领域常见的材料，例如：
在一些实施方式中，所述衬底可以为钢性衬底或柔性衬底。
在一些实施方式中，所述阳极可以为ITO、FTO或ZTO。
在一些实施方式中，空穴传输层材料可以是小分子有机物，也可以是高分子导电聚合物，包括聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)(Poly-TPD)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)(PFB)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPB)、MoO3、WoO3、NiO、CuO、V2O5、CuS等。
在一些实施方式中，量子点发光层的材料可以为常见的红光量子点、绿光量子点、蓝光量子点中的一种或多种，所述量子点为二元相量子点、三元相量子点或四元相量子点，其中，所述二元相量子点包括但不限于CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS中的至少一种；所述三元相量子点包括但不限于ZnXCd1-XS、CuXIn1-XS、ZnXCd1-XSe、ZnXSe1-XS、ZnXCd1-XTe、PbSeXS1-X中的至少一种；所述四元相量子点包括ZnXCd1-XS/ZnSe、CuXIn1-XS/ZnS、ZnXCd1-XSe/ZnS、CuInSeS、ZnXCd1-XTe/ZnS、PbSeXS1-X/ZnS中的至少一种，其中0<X<1。
在一些实施方式中，所述电子传输层材料选自ZnO、TiO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3中的一种或多种，但不限于此。在一些实施方式中，所述电子传输层材料选自掺杂有金属单质的ZnO、TiO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3，所述金属单质为Mg、Mn、Al、Cu、Fe、Ag、Au中的一种或多种，但不限于此。
在一些实施方式中，阴极可以为Au、Ag、Al、Cu、Mo或它们的合金。
在一些实施方式中，所述阳极的厚度为20-120nm。
在一些实施方式中，所述空穴传输层的厚度为30-120nm。
在一些实施方式中，所述量子点发光层的厚度为10-200nm。
在一些实施方式中，所述电子传输层的厚度为5-100nm；所述阴极的厚度为60-120nm。
在一些实施方式中，还提供一种显示装置，其包括本实施例所述的量子点发光二极管。
在一些实施方式中，还提供一种正型结构量子点发光二极管的制备方法，如图3所示，其包括步骤：
S10、提供一种阳极基板，在所述阳极基板上制备第一过渡金属氧化物薄膜；
S20、在所述第一过渡金属氧化物薄膜表面制备过渡金属硫化物薄膜；
S30、在所述过渡金属硫化物薄膜表面制备第二过渡金属氧化物薄膜；
S40、在所述第二过渡金属氧化物薄膜表面制备空穴传输层；
S50、在所述空穴传输层表面制备量子点发光层；
S60、在所述量子点发光层表面制备阴极，制得所述量子点发光二极管。
在一些实施方式中，以所述第一过渡金属氧化物薄膜材料为MoO3，所述过渡金属硫化物薄膜材料为MoS2，所述第二过渡金属氧化物薄膜材料为MoO3为例，首先在阳极基板表面沉积一层MoO3薄膜，然后在硫蒸汽或硫化氢作用下，保持600-1000℃的高温对所述MoO3薄膜进行硫化反应，在所述MoO3薄膜表面生成一层MoS2薄膜，最后再在所述MoS2薄膜表面沉积一层MoO3薄膜，这样便制得由MoO3膜层、MoS2膜层以及MoO3膜层组成的双异质结构，将所述双异质结构作为量子点发光二极管的空穴注入层，能够有效增强空穴注入能力，从而有效平衡量子点发光层中的载流子，提高电子和空穴复合几率，提高了QLED器件的发光效率。
在一些实施方式中，所述第一过渡金属氧化物薄膜的厚度为10-30nm。在一些实施方式中，所述过渡金属硫化物薄膜的厚度为1-10nm。在一些实施方式中，所述第二过渡金属氧化物薄膜的厚度为10-30nm。
本发明各实施例中，各层制备方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于溶液法(如旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法或条状涂布法等)、蒸镀法(如热蒸镀法、电子束蒸镀法、磁控溅射法或多弧离子镀膜法等)、沉积法(如物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法等)中的一种或多种。
在一些实施方式中，还提供一种反型结构量子点发光二极管的制备方法，如图4所示，其包括步骤：
S100、提供一种阴极基板，在所述阴极基板上制备量子点发光层；
S200、在所述量子点发光层表面制备空穴传输层；
S300、在所述空穴传输层表面制备第三过渡金属氧化物薄膜；
S400、在所述第三过渡金属氧化物薄膜表面制备过渡金属硫化物薄膜；
S500、在所述过渡金属硫化物薄膜表面制备第四过渡金属氧化物薄膜；
S600、在所述第四过渡金属氧化物薄膜表面制备阳极，制得所述量子点发光二极管。
在一些实施方式中，以所述第三过渡金属氧化物薄膜材料为WO3，所述过渡金属硫化物薄膜材料为WS2，所述第四过渡金属氧化物薄膜材料为WO3为例，首先在空穴传输层表面沉积一层WO3薄膜，然后在硫蒸汽或硫化氢作用下，保持600-1000℃的高温对所述WO3薄膜进行硫化反应，在所述WO3薄膜表面生成一层WS2薄膜，最后再在所述WO3薄膜表面沉积一层WO3薄膜，这样便制得由WO3膜层、WS2膜层以及WO3膜层组成的双异质结构，将所述双异质结结构作为量子点发光二极管的空穴注入层，能够有效增强空穴注入能力，从而有效平衡量子点发光层中的载流子，提高电子和空穴复合几率，提高了QLED器件的发光效率。
在一些实施方式中，所述第三过渡金属氧化物薄膜的厚度为10-30nm。在一些实施方式中，所述过渡金属硫化物薄膜的厚度为1-10nm。在一些实施方式中，所述第四过渡金属氧化物薄膜的厚度为10-30nm。
下面通过具体实施例对本发明一种量子点发光二极管的制备方法做进一步的说明：
实施例1
1、量子点发光二极管的制备：
首先，将图案化的ITO基板按次序置于丙酮，洗液，去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，以上每一步超声均需持续15分钟左右。待超声完成后将ITO放置于洁净烘箱内烘干备用；
待ITO基板烘干后，用紫外-臭氧处理ITO表面5分钟以进一步除去ITO表面附着的有机物并提高ITO的功函数；
然后，在经过上步处理的ITO基板置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层30nm的MoO3，然后将基板移入化学气相沉积管式炉中，通入热的S蒸汽(150～200℃)下，将沉积所得的MoO3薄膜于600℃下进行微弱的硫化反应，从而在MoO3膜表面还原出MoO2薄膜，继续在900℃温度下硫化反应制备出MoS2薄膜，然后再将样品移回蒸镀仓中，再热蒸镀一层30nm的MoO3；
紧接着，将制得的含有MoO3-MoS2-MoO3的基板置于氮气气氛中，沉积一层空穴传输层材料TFB,此层的厚度为30nm，并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去溶剂；
待上一步处理的片子冷却后，将蓝色量子点发光材料CdZnSe/ZnS沉积在空穴传输层表面，其厚度为20nm。这一步的沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂；
随后，再沉积一层ZnO电子传输层,沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热30分钟，其厚度为30nm；
最后，将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的银作为阴极，器件制备完成。
测试结果表明MoO3-MoS2-MoO3作为空穴注入材料与单独MoO3作为空穴注入材料相比，EQE提高约20％，由3.81％提高到4.53％。
实施例2
1、量子点发光二极管的制备：
首先，将图案化的ITO基板按次序置于丙酮，洗液，去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，以上每一步超声均需持续15分钟左右。待超声完成后将ITO放置于洁净烘箱内烘干备用；
待ITO基板烘干后，用紫外-臭氧处理ITO表面5分钟以进一步除去ITO表面附着的有机物并提高ITO的功函数；
然后，在经过上步处理的ITO基板置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层30nm的WO3，然后将基板移入化学气相沉积管式炉中，通入H2S气体，将沉积所得的WO3薄膜于650℃下进行微弱的硫化反应，从而在WO3膜表面还原出WO2薄膜，继续在950℃温度下硫化反应制备出WS2薄膜，然后再将样品移回蒸镀仓中，再热蒸镀一层30nm的WO3；
紧接着，将制得的含有WO3-WS2-WO3的基板置于氮气气氛中，沉积一层空穴传输层材料TFB,此层的厚度为30nm，并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去溶剂；
待上一步处理的片子冷却后，将红色量子点CdSe/ZnSe沉积在空穴传输层表面，其厚度为20nm。这一步的沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂；
随后，再沉积一层ZnO电子传输层,沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热30分钟，其厚度为30nm；
最后，将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的银作为阴极，器件制备完成。
测试结果表明WO3-WS2-WO3作为空穴注入材料与单独WO3作为空穴注入材料相比，EQE提高约15％，由16％提高到18.5％。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，其特征在于，所述阳极和量子点发光层之间设置有空穴功能层，所述空穴功能层包括层叠设置的空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层靠近所述阳极设置，所述空穴传输层靠近所述量子点发光层设置，所述空穴注入层包括层叠设置的第一过渡金属氧化物薄膜、过渡金属硫化物薄膜以及第二过渡金属氧化物薄膜，所述第一过渡金属氧化物薄膜靠近所述阳极设置，所述第二过渡金属氧化物薄膜靠近所述空穴传输层设置。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一过渡金属氧化物薄膜中的过渡金属素与所述过渡金属硫化物薄膜中的过渡金属元素相同。
3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一过渡金属氧化物薄膜材料为MoO3，所述过渡金属硫化物薄膜材料为MoS2，所述第二过渡金属氧化物薄膜材料为MoO3或WO3；
或者，所述所述第一过渡金属氧化物薄膜材料为WO3，所述过渡金属硫化物薄膜材料为WS2，所述第二过渡金属氧化物薄膜材料为MoO3或WO3。
4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一过渡金属氧化物薄膜的厚度为10-30nm；和/或，所述过渡金属硫化物薄膜的厚度为1-10nm；和/或，所述第二过渡金属氧化物薄膜的厚度为10-30nm。
5.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-4任一所述的量子点发光二极管。
6.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供一种阳极基板，在所述阳极基板上制备第一过渡金属氧化物薄膜；
在所述第一过渡金属氧化物薄膜表面制备过渡金属硫化物薄膜；
在所述过渡金属硫化物薄膜表面制备第二过渡金属氧化物薄膜；
在所述第二过渡金属氧化物薄膜表面制备空穴传输层；
在所述空穴传输层表面制备量子点发光层；
在所述量子点发光层表面制备阴极，制得所述量子点发光二极管；
或者，提供一种阴极基板，在所述阴极基板上制备量子点发光层；
在所述量子点发光层表面制备空穴传输层；
在所述空穴传输层表面制备第三过渡金属氧化物薄膜；
在所述第三过渡金属氧化物薄膜表面制备过渡金属硫化物薄膜；
在所述过渡金属硫化物薄膜表面制备第四过渡金属氧化物薄膜；
在所述第四过渡金属氧化物薄膜表面制备阳极，制得所述量子点发光二极管。
7.根据权利要求6所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述第一过渡金属氧化物薄膜表面制备过渡金属硫化物薄膜的步骤包括：在加热条件下，向所述第一过渡金属氧化物薄膜表面通入硫蒸汽或硫化氢，在所述第一过渡金属氧化物薄膜表面生成过渡金属硫化物薄膜；
或者，所述在所述第三过渡金属氧化物薄膜表面制备过渡金属硫化物薄膜的步骤包括：在加热条件下，向所述第三过渡金属氧化物薄膜表面通入硫蒸汽或硫化氢，在所述第三过渡金属氧化物薄膜表面生成过渡金属硫化物薄膜。
8.根据权利要求7所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述加热条件的温度为600-1000℃。
9.根据权利要求6所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一过渡金属氧化物薄膜的厚度为10-30nm；和/或，所述过渡金属硫化物薄膜的厚度为1-10nm；和/或，所述第二过渡金属氧化物薄膜的厚度为10-30nm；和/或，所述第三过渡金属氧化物薄膜的厚度为10-30nm；和/或，所述第四过渡金属氧化物薄膜的厚度为10-30nm。
10.根据权利要求6所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层材料选自TFB、PVK、Poly-TPD、PFB、TCTA、CBP、TPD和NPB中的一种或多种，和/或，所述量子点发光层材料选自二元相量子点、三元相量子点和四元相量子点中的一种或多种。
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