CN114686830A - 导磁层的制造方法、锅具及锅具的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种导磁层的制造方法、锅具及锅具的制造方法，可以改善目前在制造导磁层时，不能保证导磁层的涂覆质量，涂覆效果不佳的技术问题。其中方法包括：获取所述导磁层的制造参数；根据所述制造参数，在基体的第一表面附近散布导磁颗粒，并通过磁力控制所述导磁颗粒在所述第一表面的吸附区域与吸附厚度，以形成导磁层。

Description

导磁层的制造方法、锅具及锅具的制造方法
技术领域
本申请涉及导磁层涂覆技术领域，尤其涉及到一种导磁层的制造方法、锅具及锅具的制造方法。
背景技术
在新型的电磁加热技术中，有一种具有磁吸性的粉末，当这种粉末涂覆在器具上后进行固化烧结，形成一层薄薄的导磁层，当器具放置在电磁灶时，导磁层的热量可以快速的被吸收利用和散热，可以实现快速加热。此外，导磁层对于基体可以有多重材料的选择，比如可选择成本更低、比热容更低的陶瓷、高耐温的高分子材料等。故导磁层在提高加热效率的同时，还能有效节省成本，因而具有很大的应用前景。
目前对导磁层进行涂覆时，传统喷涂工艺主要采用人工涂覆的方式，然而这种涂覆方式容易导致导磁层涂覆不够均匀，进而无法保证涂覆器具的涂覆质量，且人工涂覆的方式，导致喷涂工艺成本较高。
发明内容
有鉴于此，本申请提供了一种导磁层的制造方法、锅具及锅具的制造方法，主要改善目前在制造导磁层时，不能保证导磁层的涂覆质量，涂覆效果不佳的技术问题。
根据本申请的一个方面，提供了一种导磁层的制造方法，该方法包括：
获取所述导磁层的制造参数；
根据所述制造参数，在基体的第一表面附近散布导磁颗粒，并通过磁力控制所述导磁颗粒在所述第一表面的吸附区域与吸附厚度，以形成导磁层。
可选地，所述制造参数包括所述导磁层的预设位置与预设厚度；
所述根据所述制造参数，在基体的第一表面附近散布导磁颗粒，并通过磁力控制所述导磁颗粒在所述第一表面的吸附区域与吸附厚度，以形成所述导磁层，包括：
根据所述导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁颗粒的散布参数与吸附参数；
在所述基体的第一表面附近以所述散布参数散布导磁颗粒；
根据所述吸附参数，通过磁力控制所述导磁颗粒在所述第一表面的吸附区域与吸附厚度，以形成导磁层。
可选地，所述制造参数包括所述导磁层的预设间隙率；
所述方法还包括：
根据所述导磁层的预设间隙率，确定烧结参数；
以所述烧结参数，对所述导磁颗粒加热烧结。
可选地，所述根据所述导磁层的预设间隙率，确定烧结参数，包括：
将所述导磁层的预设位置对应的区域，确定为所述导磁层的烧结区域；
根据间隙率与烧结温度的对应关系，将所述预设间隙率对应的烧结温度，确定为所述导磁层的烧结温度。
可选地，所述根据所述导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁颗粒的散布参数和吸附参数，包括：
根据所述导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁颗粒的散布浓度；
根据所述导磁层的预设位置，确定所述导磁颗粒的散布角度，以使所述导磁颗粒绕着所述散布角度散布；
根据所述导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁层的预设位置中各区域对应的磁力。
可选地，导磁颗粒由散布口散布到基体的第一表面，所述根据所述导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁颗粒的散布参数和吸附参数，还包括：
根据所述散布口与所述基体的距离，对所述导磁层的预设位置中各区域设置吸附顺序，以使所述导磁颗粒优先吸附至靠近所述散布口的区域。
可选地，该方法还包括：
采用以下方法中任一向所述第一表面附近散布导磁颗粒：二级溅射、三级溅射、磁控溅射、对置溅射、离子束溅射、吸收溅射；
采用电磁铁向所述第一表面附近提供磁力，所述电磁铁设置在所述基体与所述第一表面相对的第二表面附近；
采用电磁发热体向所述导磁层提供烧结温度，所述电磁发热体设置在所述基体与所述第一表面相对的第二表面附近。
根据本申请的另一个方面，提供了一种导磁层的制造装置，该装置包括：
获取模块，用于获取所述导磁层的制造参数；
散布控制模块，用于根据所述制造参数，在基体的第一表面附近散布导磁颗粒，并通过磁力控制所述导磁颗粒在所述第一表面的吸附区域与吸附厚度，以形成导磁层。
可选地，所述制造参数包括所述导磁层的预设位置与预设厚度；
所述散布控制模块，具体用于根据所述导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁颗粒的散布参数与吸附参数；在所述基体的第一表面附近以所述散布参数散布导磁颗粒；根据所述吸附参数，通过磁力控制所述导磁颗粒在所述第一表面的吸附区域与吸附厚度，以形成导磁层。
可选地，所述制造参数包括所述导磁层的预设间隙率；
所述装置还包括：确定模块、烧结模块；
所述确定模块，用于根据所述导磁层的预设间隙率，确定烧结参数；
所述烧结模块，用于以所述烧结参数，对所述导磁颗粒加热烧结。
可选地，所述确定模块，具体用于将所述导磁层的预设位置对应的区域，确定为所述导磁层的烧结区域；根据间隙率与烧结温度的对应关系，将所述预设间隙率对应的烧结温度，确定为所述导磁层的烧结温度。
可选地，所述散布控制模块，具体用于根据所述导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁颗粒的散布浓度；根据所述导磁层的预设位置，确定所述导磁颗粒的散布角度，以使所述导磁颗粒绕着所述散布角度散布；根据所述导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁层的预设位置中各区域对应的磁力。
可选地，导磁颗粒由散布口散布到基体的第一表面，所述散布控制模块，具体还用于根据所述散布口与所述基体的距离，对所述导磁层的预设位置中各区域设置吸附顺序，以使所述导磁颗粒优先吸附至靠近所述散布口的区域。
可选地，该装置在执行时还包括：
采用以下方法中任一向所述第一表面附近散布导磁颗粒：二级溅射、三级溅射、磁控溅射、对置溅射、离子束溅射、吸收溅射；
采用电磁铁向所述第一表面附近提供磁力，所述电磁铁设置在所述基体与所述第一表面相对的第二表面附近；
采用电磁发热体向所述导磁层提供烧结温度，所述电磁发热体设置在所述基体与所述第一表面相对的第二表面附近。
根据本申请的又一个方面，提供了一种锅具的制造方法，所述锅具包括锅体以及设置于所述锅体的导磁层，所述导磁层在制造时采用上述导磁层的制造方法。
根据本申请的再一个方面，提供了一种锅具，所述锅具在制造时采用上述锅具的制造方法。
根据本申请的再一个方面，提供了一种非易失性可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现上述导磁层的制造方法。
根据本申请的再一个方面，提供了一种计算机设备，包括非易失性可读存储介质、处理器及存储在非易失性可读存储介质上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现上述导磁层的制造方法。
借由上述技术方案，本申请提供的一种导磁层的制造方法、锅具及锅具的制造方法，可根据实际应用需求获取导磁层的制造参数，进而根据该制造参数，在基体的第一表面附近散布导磁颗粒，并通过磁力控制导磁颗粒在第一表面的吸附区域与吸附厚度，以形成均匀且符合制造需求的导磁层。通过本申请中的技术方案，实现对导磁层制造过程的智能化控制，通过智能化控制，可保证导磁层的质量，提高导磁层的制造效率。且通过设定制造参数的方式，也能使导磁层更能符合用户的实际需求。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本地申请的不当限定。在附图中：
图1示出了本申请实施例提供的导磁层的制造方法的一种实例示意图；
图2示出了本申请实施例提供的导磁层的制造方法的另一种实例示意图。
具体实施方式
下文将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合。
针对目前在制造导磁层时，不能保证导磁层的涂覆质量，涂覆效果不佳的技术问题，本申请实施例提供了一种导磁层的制造方法，该方法包括：
101、获取导磁层的制造参数。
其中，制造参数具体可包括：导磁层的预设位置与预设厚度、预设间隙率等。具体的，预设位置可对应导磁层制造过程中导磁颗粒的散布位置，预设厚度可对应导磁层的最终均匀厚度，预设间隙率可对应预设厚度下相邻导磁颗粒间的间隙大小。为了满足用户需求，制造参数的数值设定可根据实际应用进行自定义。
对于本实施例，获取制造参数的目的在于保证导磁层制造过程中的可控性，使制造出的导磁层能够与制造参数匹配，避免出现导磁层覆盖不全面、或超出设定厚度，甚至出现导磁层涂覆不均匀的问题。通过本申请中的技术方案，使制造出的导磁层更能符合用户的制造需求。
对于本申请的执行主体可为导磁层的控制制造装置，具体可获取用户自定义的导磁层制造参数，进而根据制造参数控制在基体的第一表面附近散布导磁颗粒，并通过磁力控制导磁颗粒在第一表面的吸附区域与吸附厚度，最终形成均匀分布的导磁层。
102、根据制造参数，在基体的第一表面附近散布导磁颗粒，并通过磁力控制导磁颗粒在第一表面的吸附区域与吸附厚度，以形成导磁层。
其中，基体为需要沉积导磁层的物体，例如可为锅具等；基体包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面对应待形成导磁层的表面。
在具体的应用场景中，在对基体表面制造导磁层之前，为了保证能形成均匀的导磁层，故需要对基体中待进行导磁层覆盖的第一表面进行预处理，以使第一表面光滑洁净，具有良好的粘附性，进而能够符合导磁层的涂覆条件。其中，预处理具体可包括抛光处理、酸洗处理、除锈处理、除油处理、烘干处理等一种或多种工序，在此不进行穷举。
相应的，在对基体进行预处理后，即可根据制造参数，启动对基体第一表面的导磁层制造程序。首先可根据导磁层的预设位置与预设厚度，确定出导磁颗粒的散布参数与吸附参数。其中，散布参数可包括导磁颗粒的散布浓度、散布区域、散布方向等；吸附参数可包括预设位置中各区域的吸附磁力大小、吸附顺序等。
在根据导磁层的预设位置与预设厚度，确定导磁颗粒的散布参数时，可首先根据预设位置对应的面积大小以及导磁层的预设厚度，计算得到预设散布时间内导磁颗粒的散布浓度。并且根据导磁层相对导磁颗粒喷腔的位置，确定导磁颗粒的散布角度，以使散布出的导磁颗粒能够按照该散布角度，准确且相对均匀地分布在基体的第一表面上。
在根据导磁层的预设位置与预设厚度，确定导磁颗粒的吸附参数时，可根据导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁层的预设位置中各区域对应的磁力大小，由于受到重力的影响，故在完成对预设位置中各区域的导磁颗粒的散布后，导磁颗粒容易向底部堆积。故为了保证基体第一表面导磁颗粒的散布均匀性，对于具有弧度的第一表面，应为第一表面的底部设置较小的磁力，对于弧度区域应设置较大的磁力，进而增强弧度区域内导磁颗粒的吸附能力，使其克服重力的影响。相应的，由于导磁颗粒是由散布口散布到基体的第一表面的，故还可进一步设置预设位置中各区域的吸附顺序。由于受到重力的影响，导磁颗粒具有向下吸附的引力，容易导致颗粒都集中在下部，影响吸附效果，故可优先将导磁颗粒吸附至靠近散布口的区域，避免导磁颗粒在底部的堆积，进而减少电磁可控器件的工作量。具体的，可根据散布口与基体的距离，对导磁层的预设位置中各区域设置吸附顺序，将靠近散布口区域的吸附顺序设置相对靠前，以使导磁颗粒优先吸附至靠近散布口的区域。
在确定得到散布参数，如散布浓度、散布区域、散布方向后，可在所述基体的第一表面附近以所述散布参数散布导磁颗粒，具体的，可在基体的第一表面附近按照散步方向，散布对应散步浓度下的导磁颗粒，以使导磁颗粒覆盖整个散布区域。在完成导磁颗粒的散布后，为了避免散布不均匀，故还需要利用可控电磁器件对散布的导磁颗粒进行布局调整，根据所述吸附参数，通过磁力控制所述导磁颗粒在所述第一表面的吸附区域与吸附厚度，以形成导磁层。具体可基于导磁层的预设位置和预设厚度，按照吸附顺序控制电磁器件的电磁通断以及电磁强度，实现对导磁颗粒的分布调整以及排布位置固定，进一步形成均匀分布的导磁层。
在具体的应用场景中，在基体的第一表面附近以散布参数散布导磁颗粒时，具体可采用二级溅射、三级溅射、磁控溅射、对置溅射、离子束溅射、吸收溅射等任意一种散布方式，还可包含其它散步方式，在此不进行穷举。在通过磁力控制导磁颗粒在第一表面的吸附区域与吸附厚度时，可采用可控电磁器件进行控制，可控电磁器件具体可为电磁铁，电磁铁设置在基体与第一表面相对的第二表面附近，电磁铁负责向第一表面附近提供磁力，具体可采用电生磁的方式，控制电磁的通断与强度，从而起到控制导磁颗粒在第一表面的吸附区域与吸附厚度的目的，最终得到导磁颗粒分布均匀的导磁层。
以图1中锅基体的导磁层的制造过程为例，可首先对锅基体1进行预处理，使锅基体的第一表面光滑洁净。根据锅基体的应用需求，可确定锅基体中待形成导磁层的第一表面为内表面，故在完成对锅基体的预处理后，可将锅基体固定在导磁层的制造装置中，使锅基体内表面与导磁颗粒喷腔2相对应。在获取到锅基体对应的创造参数后，可在导磁颗粒喷腔2中盛装与创造参数中散布浓度匹配的导磁颗粒，进一步可控制导磁颗粒喷腔2按照创造参数中的散布方向由散布口向散步区域散布该导磁颗粒。与此同时，可利用设置于锅基体第二表面(外表面)附近的可控电磁部件3释放与创造参数对应的磁力，并根据吸附顺序为预设位置中各个区域提供吸附磁力，并且还可调整磁力强度的大小，对分布不均匀的导磁颗粒进行分布调整，以实现对导磁颗粒的分布调整以及排布位置固定，进一步形成均匀分布的导磁层4。
进一步地，在判断导磁层符合预设涂覆条件，即在判定导磁颗粒在所基体第一表面均匀分布后，即可进一步对基体进行加热熔融处理，以形成固态均匀的导磁层。具体的，可首先在制造参数中提取导磁层的预设间隙率，进而根据该预设间隙率，确定得到烧结参数，按照该烧结参数控制烧结工装对导磁颗粒进行加热烧结。其中，烧结工装可为电磁发热体，电磁发热体设置在所述基体与所述第一表面相对的第二表面附近，可利用电磁发热体向所述导磁层提供烧结温度。具体的，烧结参数可包括烧结区域、烧结温度，根据实际应用场景的不同，还可包括烧结时间。在根据导磁层的预设间隙率，确定烧结参数时，可进一步将导磁层的预设位置对应的区域，确定为导磁层的烧结区域；此外，还可预先设定间隙率与烧结温度的对应关系表，当确定预设间隙率对应的烧结温度时，可根据该关系表中间隙率与烧结温度的对应关系，确定预设间隙率对应的烧结温度，进而将该烧结温度确定为预设间隙率下对导磁层的烧结温度。
以图2中锅基体的导磁层的烧结过程为例，在完成对锅基体的导磁层4均匀散布后，可将锅基体固定于图2中的烧结装置中，利用烧结装置中设置在锅基体的第二表面(外面)的电磁发热体5向所述导磁层4提供烧结温度，该烧结温度与该导磁层4的预设间隙率匹配，控制电磁发热体5对烧结区域的导磁层4进行加热处理，必要时还可根据烧结时间设定电磁发热体5的加热时间，以使所述导磁层4通过固化转变为固体状态。
借由上述导磁层的制造方法，可根据制造参数中导磁层的预设位置与预设厚度，确定得到导磁颗粒的散布参数与吸附参数，进而基于散布参数与吸附参数控制生成均匀分布的导磁层。之后根据制造参数中导磁层的预设间隙率，确定得到烧结温度与烧结区域，基于烧结温度实现对烧结区域中导磁层的加热熔融处理。对于本实施例，提供了可针对不同基体形状、不同基体材料的导磁层制造工艺。在导磁层生成过程中，能够基于设定的制造参数，实现对导磁层制造过程的智能化控制，通过智能化控制，可保证导磁层的质量，提高导磁层的制造效率。且通过设定制造参数的方式，也能使导磁层更能符合用户的实际需求。
进一步地，本申请实施例提供了一种导磁层的制造装置，该装置包括：获取模块21、散布控制模块22；
获取模块21，可用于获取导磁层的制造参数；
散布控制模块22，可用于根据制造参数，在基体的第一表面附近散布导磁颗粒，并通过磁力控制导磁颗粒在第一表面的吸附区域与吸附厚度，以形成导磁层。
在具体的应用场景中，当制造参数包括导磁层的预设位置与预设厚度时，散布控制模块22，具体可用于根据导磁层的预设位置和预设厚度，确定导磁颗粒的散布参数与吸附参数；在基体的第一表面附近以散布参数散布导磁颗粒；根据吸附参数，通过磁力控制导磁颗粒在第一表面的吸附区域与吸附厚度，以形成导磁层。
相应的，当制造参数包括导磁层的预设间隙率时，该装置还包括：确定模块23、烧结模块24；
确定模块23，可用于根据导磁层的预设间隙率，确定烧结参数；
烧结模块24，可用于以烧结参数，对导磁颗粒加热烧结。
在具体的应用场景中，确定模块23，具体可用于将导磁层的预设位置对应的区域，确定为导磁层的烧结区域；根据间隙率与烧结温度的对应关系，将预设间隙率对应的烧结温度，确定为导磁层的烧结温度。
相应的，散布控制模块22，具体可用于根据导磁层的预设位置和预设厚度，确定导磁颗粒的散布浓度；根据导磁层的预设位置，确定导磁颗粒的散布角度，以使导磁颗粒绕着散布角度散布；根据导磁层的预设位置和预设厚度，确定导磁层的预设位置中各区域对应的磁力。
在具体的应用场景中，导磁颗粒由散布口散布到基体的第一表面，散布控制模块22，具体还用于根据散布口与基体的距离，对导磁层的预设位置中各区域设置吸附顺序，以使导磁颗粒优先吸附至靠近散布口的区域。
相应的，该装置在执行时还包括：采用以下方法中任一向第一表面附近散布导磁颗粒：二级溅射、三级溅射、磁控溅射、对置溅射、离子束溅射、吸收溅射；采用电磁铁向第一表面附近提供磁力，电磁铁设置在基体与第一表面相对的第二表面附近；采用电磁发热体向导磁层提供烧结温度，电磁发热体设置在基体与第一表面相对的第二表面附近。
需要说明的是，本实施例提供的一种导磁层的制造装置所涉及各功能单元的其他相应描述，在此不再赘述。
基于上述方法，相应的，本实施例还提供了一种锅具的制造方法，该锅具包括锅体以及设置于锅体的导磁层，该导磁层在制造时采用上述导磁层的制造方法。
基于上述方法，相应的，本实施例还提供了一种锅具，该锅具在制造时采用上述锅具的制造方法。
基于上述方法，相应的，本实施例还提供了一种非易失性存储介质，其上存储有计算机可读指令，该可读指令被处理器执行时实现上述导磁层的制造方法。
基于这样的理解，本申请的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是CD-ROM，U盘，移动硬盘等)中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施场景的方法。
基于上述所示的方法和虚拟装置实施例，为了实现上述目的，本实施例还提供了一种计算机设备，该计算机设备包括存储介质和处理器；非易失性存储介质，用于存储计算机程序；处理器，用于执行计算机程序以实现上述所示的导磁层的制造方法。
可选的，该计算机设备还可以包括用户接口、网络接口、摄像头、射频(RadioFrequency，RF)电路，传感器、音频电路、WI-FI模块等等。用户接口可以包括显示屏(Display)、输入单元比如键盘(Keyboard)等，可选用户接口还可以包括USB接口、读卡器接口等。网络接口可选的可以包括标准的有线接口、无线接口(如WI-FI接口)等。
本领域技术人员可以理解，本实施例提供的一种计算机设备结构并不构成对该实体设备的限定，可以包括更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。
非易失性存储介质中还可以包括操作系统、网络通信模块。操作系统是管理上述计算机设备硬件和软件资源的程序，支持信息处理程序以及其它软件和/或程序的运行。网络通信模块用于实现非易失性存储介质内部各组件之间的通信，以及与信息处理实体设备中其它硬件和软件之间通信。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到本申请可以借助软件加必要的通用硬件平台的方式来实现，也可以通过硬件实现。
通过应用本申请的技术方案，与目前现有技术相比，本申请可根据制造参数中导磁层的预设位置与预设厚度，确定得到导磁颗粒的散布参数与吸附参数，进而基于散布参数与吸附参数控制生成均匀分布的导磁层。之后根据制造参数中导磁层的预设间隙率，确定得到烧结温度与烧结区域，基于烧结温度实现对烧结区域中导磁层的加热熔融处理。对于本实施例，提供了可针对不同基体形状、不同基体材料的导磁层制造工艺。在导磁层生成过程中，能够基于设定的制造参数，实现对导磁层制造过程的智能化控制，通过智能化控制，可保证导磁层的质量，提高导磁层的制造效率。且通过设定制造参数的方式，也能使导磁层更能符合用户的实际需求。
本领域技术人员可以理解附图只是一个优选实施场景的示意图，附图中的模块或流程并不一定是实施本申请所必须的。本领域技术人员可以理解实施场景中的装置中的模块可以按照实施场景描述进行分布于实施场景的装置中，也可以进行相应变化位于不同于本实施场景的一个或多个装置中。上述实施场景的模块可以合并为一个模块，也可以进一步拆分成多个子模块。
上述本申请序号仅仅为了描述，不代表实施场景的优劣。以上公开的仅为本申请的几个具体实施场景，但是，本申请并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本申请的保护范围。
本发明实施例还包括在下列编号条款中规定的这些和其他方面：
1、一种导磁层的制造方法，所述方法包括：
获取所述导磁层的制造参数；
根据所述制造参数，在基体的第一表面附近散布导磁颗粒，并通过磁力控制所述导磁颗粒在所述第一表面的吸附区域与吸附厚度，以形成导磁层。
2、根据条款1所述的方法，所述制造参数包括所述导磁层的预设位置与预设厚度；
所述根据所述制造参数，在基体的第一表面附近散布导磁颗粒，并通过磁力控制所述导磁颗粒在所述第一表面的吸附区域与吸附厚度，以形成所述导磁层，包括：
根据所述导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁颗粒的散布参数与吸附参数；
在所述基体的第一表面附近以所述散布参数散布导磁颗粒；
根据所述吸附参数，通过磁力控制所述导磁颗粒在所述第一表面的吸附区域与吸附厚度，以形成导磁层。
3、根据条款2所述的方法，所述制造参数包括所述导磁层的预设间隙率；
所述方法还包括：
根据所述导磁层的预设间隙率，确定烧结参数；
以所述烧结参数，对所述导磁颗粒加热烧结。
4、根据条款3所述的方法，
所述根据所述导磁层的预设间隙率，确定烧结参数，包括：
将所述导磁层的预设位置对应的区域，确定为所述导磁层的烧结区域；
根据间隙率与烧结温度的对应关系，将所述预设间隙率对应的烧结温度，确定为所述导磁层的烧结温度。
5、根据条款2所述的方法，
所述根据所述导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁颗粒的散布参数和吸附参数，包括：
根据所述导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁颗粒的散布浓度；
根据所述导磁层的预设位置，确定所述导磁颗粒的散布角度，以使所述导磁颗粒绕着所述散布角度散布；
根据所述导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁层的预设位置中各区域对应的磁力。
6、根据条款5所述的方法，导磁颗粒由散布口散布到基体的第一表面，所述根据所述导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁颗粒的散布参数和吸附参数，还包括：
根据所述散布口与所述基体的距离，对所述导磁层的预设位置中各区域设置吸附顺序，以使所述导磁颗粒优先吸附至靠近所述散布口的区域。
7、根据条款3所述的方法，
采用以下方法中任一向所述第一表面附近散布导磁颗粒：二级溅射、三级溅射、磁控溅射、对置溅射、离子束溅射、吸收溅射；
采用电磁铁向所述第一表面附近提供磁力，所述电磁铁设置在所述基体与所述第一表面相对的第二表面附近；
采用电磁发热体向所述导磁层提供烧结温度，所述电磁发热体设置在所述基体与所述第一表面相对的第二表面附近。
8、一种导磁层的制造装置，所述装置包括：
获取模块，用于获取所述导磁层的制造参数；
散布控制模块，用于根据所述制造参数，在基体的第一表面附近散布导磁颗粒，并通过磁力控制所述导磁颗粒在所述第一表面的吸附区域与吸附厚度，以形成导磁层。
9、根据条款8所述的装置，所述制造参数包括所述导磁层的预设位置与预设厚度；
所述散布控制模块，具体用于：
根据所述导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁颗粒的散布参数与吸附参数；
在所述基体的第一表面附近以所述散布参数散布导磁颗粒；
根据所述吸附参数，通过磁力控制所述导磁颗粒在所述第一表面的吸附区域与吸附厚度，以形成导磁层。
10、根据条款9所述的装置，所述制造参数包括所述导磁层的预设间隙率；
所述装置还包括：
确定模块，用于根据所述导磁层的预设间隙率，确定烧结参数；
烧结模块，用于所述烧结参数，对所述导磁颗粒加热烧结。
11、根据条款10所述的装置，
所述确定模块，具体用于：
将所述导磁层的预设位置对应的区域，确定为所述导磁层的烧结区域；
根据间隙率与烧结温度的对应关系，将所述预设间隙率对应的烧结温度，确定为所述导磁层的烧结温度。
12、根据条款9所述的装置，
所述散布控制模块，具体用于：
根据所述导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁颗粒的散布浓度；
根据所述导磁层的预设位置，确定所述导磁颗粒的散布角度，以使所述导磁颗粒绕着所述散布角度散布；
根据所述导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁层的预设位置中各区域对应的磁力。
13、根据条款12所述的装置，导磁颗粒由散布口散布到基体的第一表面，所述散布控制模块，具体还用于：
根据所述散布口与所述基体的距离，对所述导磁层的预设位置中各区域设置吸附顺序，以使所述导磁颗粒优先吸附至靠近所述散布口的区域。
14、根据条款10所述的装置，
采用以下方法中任一向所述第一表面附近散布导磁颗粒：二级溅射、三级溅射、磁控溅射、对置溅射、离子束溅射、吸收溅射；
采用电磁铁向所述第一表面附近提供磁力，所述电磁铁设置在所述基体与所述第一表面相对的第二表面附近；
采用电磁发热体向所述导磁层提供烧结温度，所述电磁发热体设置在所述基体与所述第一表面相对的第二表面附近。
15、一种锅具的制造方法，所述锅具包括锅体以及设置于所述锅体的导磁层，所述导磁层采用条款1～7任一所述的制造方法进行制造。
16、一种锅具，所述锅具采用条款15所述的方法制成。
17、一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现条款1至7中任一项所述的方法的步骤。
18、一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现条款1至7中任一项所述的方法的步骤。

Claims (11)

1.一种导磁层的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
获取所述导磁层的制造参数；
根据所述制造参数，在基体的第一表面附近散布导磁颗粒，并通过磁力控制所述导磁颗粒在所述第一表面的吸附区域与吸附厚度，以形成导磁层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制造参数包括所述导磁层的预设位置与预设厚度；
所述根据所述制造参数，在基体的第一表面附近散布导磁颗粒，并通过磁力控制所述导磁颗粒在所述第一表面的吸附区域与吸附厚度，以形成所述导磁层，包括：
根据所述导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁颗粒的散布参数与吸附参数；
在所述基体的第一表面附近以所述散布参数散布导磁颗粒；
根据所述吸附参数，通过磁力控制所述导磁颗粒在所述第一表面的吸附区域与吸附厚度，以形成导磁层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述制造参数包括所述导磁层的预设间隙率；
所述方法还包括：
根据所述导磁层的预设间隙率，确定烧结参数；
以所述烧结参数，对所述导磁颗粒加热烧结。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述根据所述导磁层的预设间隙率，确定烧结参数，包括：
将所述导磁层的预设位置对应的区域，确定为所述导磁层的烧结区域；
根据间隙率与烧结温度的对应关系，将所述预设间隙率对应的烧结温度，确定为所述导磁层的烧结温度。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述根据所述导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁颗粒的散布参数和吸附参数，包括：
根据所述导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁颗粒的散布浓度；
根据所述导磁层的预设位置，确定所述导磁颗粒的散布角度，以使所述导磁颗粒绕着所述散布角度散布；
根据所述导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁层的预设位置中各区域对应的磁力。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，导磁颗粒由散布口散布到基体的第一表面，所述根据所述导磁层的预设位置和预设厚度，确定所述导磁颗粒的散布参数和吸附参数，还包括：
根据所述散布口与所述基体的距离，对所述导磁层的预设位置中各区域设置吸附顺序，以使所述导磁颗粒优先吸附至靠近所述散布口的区域。
7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
采用以下方法中任一向所述第一表面附近散布导磁颗粒：二级溅射、三级溅射、磁控溅射、对置溅射、离子束溅射、吸收溅射；
采用电磁铁向所述第一表面附近提供磁力，所述电磁铁设置在所述基体与所述第一表面相对的第二表面附近；
采用电磁发热体向所述导磁层提供烧结温度，所述电磁发热体设置在所述基体与所述第一表面相对的第二表面附近。
8.一种锅具的制造方法，其特征在于，所述锅具包括锅体以及设置于所述锅体的导磁层，所述导磁层采用权利要求1～7任一所述的制造方法进行制造。
9.一种锅具，其特征在于，所述锅具采用权利要求8所述的方法制成。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7中任一项所述的方法的步骤。
11.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7中任一项所述的方法的步骤。
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