CN114664567A - 一种极低esr的晶片电容器单元的制备方法 - Google Patents

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CN114664567A CN202210482670.6A CN202210482670A CN114664567A CN 114664567 A CN114664567 A CN 114664567A CN 202210482670 A CN202210482670 A CN 202210482670A CN 114664567 A CN114664567 A CN 114664567A
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Abstract

本申请涉及电容器技术领域，涉及一种极低ESR的晶片电容器单元的制备方法，包括如下步骤：S1、在阀金属箔片的阴极区通过真空化学聚合形成第一导电聚合层；S2、在所述第一导电聚合层上通过真空电化学聚合形成第二导电聚合层；S3、通过含浸导电石墨浆料在所述第二导电聚合层上形成石墨层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料；S4、通过含浸导电银浆浆料在所述导电石墨层上形成导电银层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过软丝去除多余的导电银浆浆料。本发明能够在降低生产成本的情况下进一步降低晶片电容器ESR以及稳定回流焊时ESR值，并进一步提高了漏电流合格率。

Description

一种极低ESR的晶片电容器单元的制备方法
技术领域
本申请涉及电容器技术领域，更具体地，涉及一种极低ESR的晶片电容器单元的制备方法。
背景技术
贴片型固态铝电解电容器是一款适用于无铅化表面贴装技术的铝电解电容器，其采用具有较高电导率的导电聚合物，如聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺或其衍生物作为电解质替代传统的电解液，具有低等效串联电阻(ESR)、小尺寸、大容量、优良的频率特性、优良的耐纹波电流能力，产品不燃烧、不爆炸、安全环保(符合ROHS、REACH及无卤要求)等优点。
近年来，随着电子整机的小型化、智能化、高功率化、无铅化贴装以及新封装技术的发展需求，贴片型固态铝电解电容器得到了快速发展。晶片电容器属于贴片型固态铝电解电容器中的一种，传统的晶片电容器在解决小型化、无铅化、更宽的工作温度范围等问题上发挥了重要作用。但新的应用领域，如低功耗服务器、超薄型笔记本电脑、人工智能、北斗导航、大数据计算处理等，对晶片电容器提出了更低ESR的要求。
现有技术在解决晶片电容器极低ESR问题时，主要采用银浆半固化、多个银胶点以及银浆底部设置共同导电层的方法。
如中国发明专利201710528416.4公开的低ESR叠层固态铝电解电容器的生产方法，包括以下步骤，1)将覆有导电高分子层和碳层的叠片电容单片漫入银浆中，银浆液面低于电容单片屏蔽胶线的下沿；2)将电容单片浸银浆后，放置在室温或者40-60摄氏度的温度下半固化,使得银层处于半软化的状态，并且将银浆中的溶剂挥发；3)将半固化后的电容单片进行叠片形成芯子，之后将叠层好的电容芯子放置在挤压模具内压紧；4)将挤压有电容芯子的挤压模具放置在高温烘箱中，使得半固化的银浆和叠层涂覆的银胶进行固化。此技术方案具体实施时，虽然采用银浆半固化技术降低了ESR，但是降低的幅度很有限，无法生产极低ESR晶片电容器；而且半固化状态的银浆会导致粘设备和模具现象，影响生产的流畅性；此外，第一次未完全固化会导致银浆层和石墨层的粘接耐热性差，从而导致回流焊贴装时ESR变大。
如中国发明专利202021500863.2公开的一种低ESR的叠层片式固态铝电解电容器，包括多个叠层芯子、引线端子和环氧树脂,所述叠层芯子由内到外包括铝芯、电介质层、导电高分子聚合物层、导电石墨层和导电银层；所述在叠层芯子导电银层上设置有多个导电银胶点，挤压固化后，银层与银层，银层与引线端子之间形成很好的粘接效果且银胶不溢出。此技术方案具体实施时，虽然采用多个银胶点技术降低了ESR，但是增加了贵金属材料的用量，增加了成本；而且，此技术降低ESR的幅度较小，无法生产极低ESR晶片电容器。
如中国发明专利201721598175.2公开的一种低ESR的聚合物片式叠层固体铝电解电容器，包括引线端子、塑封料和若干叠层芯子,所述叠层芯子由内而外依次包括铝、氧化铝电介质层、导电高分子固体电解质层、含碳阴极层和含银阴极层；所述引线端子单侧的所述叠层芯子为两层或两层以上时，各所述含银阴极层底部共同设有底部金属导电材料层，所述底部金属导电材料层高度不超过所述金属含银阴极层的20％。此技术方案具体实施时，虽然采用银浆底部设置共同导电层技术，虽然降低了ESR，但是增加了一道工序和贵金属材料用量，增加了成本，且无法突破极低ESR值。
目前，极低ESR的晶片电容器存在ESR合格率较低和回流焊贴装后ESR增大的问题。因此，如何降低生产成本的情况下进一步降低晶片电容器ESR以及稳定回流焊时ESR值是业内急需解决的技术难题。
发明内容
本申请实施例所要解决的技术问题是如何降低生产成本的情况下进一步降低晶片电容器ESR以及稳定回流焊时ESR值。
为了解决上述技术问题，本申请采用了如下所述的技术方案：
一种极低ESR的晶片电容器单元的制备方法，所述方法包括如下步骤：
S1、在阀金属箔片的阴极区通过真空化学聚合形成第一导电聚合层；
S2、在所述第一导电聚合层上通过真空电化学聚合形成第二导电聚合层；
S3、通过含浸导电石墨浆料在所述第二导电聚合层上形成石墨层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离所述导电石墨浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料；
S4、通过含浸导电银浆浆料在所述导电石墨层上形成导电银层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离所述导电银浆浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过软丝去除多余的导电银浆浆料。
进一步地，所述S1、在阀金属箔片的阴极区通过真空化学聚合形成第一导电聚合层具体包括以下步骤：真空条件下，将阀金属箔片的阴极区先含浸单体溶液再含浸氧化溶液，进行至少1次循环，循环完成后再含浸单体溶液一次并进行烘干。
进一步地，所述真空条件的真空度选自-90Kpa～-100Kpa。
进一步地，所述循环的过程不进行烘干。
进一步地，所述单体溶液由以下原料按重量百分比组成：单体0.5wt％～13.5wt％、溶剂80wt％～95wt％、掺杂剂0.5wt％～5wt％、添加剂0.5wt％～2wt％；所述氧化溶液由以下原料按重量百分比组成：氧化剂1wt％～19wt％、溶剂81wt％～99wt％。
进一步地，所述S2、在所述第一导电聚合层上通过真空电化学聚合形成第二导电聚合层具体包括以下步骤：将具有第一导电聚合层的阀金属箔片含浸聚合溶液进行真空电化学聚合形成第二导电聚合层；其中，所述聚合溶液由以下原料按重量百分比组成：单体0.5wt％～15wt％、溶剂80wt％～95wt％、掺杂剂2.5wt％～6wt％、添加剂0.5wt％～2wt％。
进一步地，所述掺杂剂选自聚乙烯磺酸及其盐、聚苯乙烯磺酸及其盐、脂肪族磺酸及其盐、芳香族磺酸及其盐、间磺基苯甲酰胺、3-磺基-1，8-萘二甲酸酐和4-磺基-1，8-萘二甲酸酐、碘化钠中的至少一种。
进一步地，所述添加剂选自氟化丙烯酸共聚物、对苯二酚衍生物、油酸三乙醇胺和油酸肌氨酸钠中的至少一种。
进一步地，所述真空电化学聚合的真空度选自-90Kpa～-100Kpa，聚合温度选自2℃～10℃，聚合电流选自0.004A～0.5A，聚合时间选自1h～23h。
进一步地，步骤S3中，所述双轴震动的X轴震动频率为15Hz～75Hz和Y轴震动频率为5Hz～65Hz。进一步地，步骤S4中，所述双轴震动的X轴震动频率为15Hz～75Hz和Y轴震动频率为5Hz～65Hz。
进一步地，步骤S3中，所述脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料具体是指：阀金属箔片脱离所述导电石墨浆料后通过移动的风刀朝向所述阀金属箔片的侧面吹高压气体，以通过所述高压气体去除多余的导电石墨浆料；其中，所述风刀设于所述阀金属箔片的上方，沿所述阀金属箔片的宽度方向移动，所述风刀的移动速度为1cm/s～15cm/s，所述高压气体的压强选自0.4MPa～1MPa。优选地，所述风刀的出气口位于所述阀金属箔片的上方约1cm～2cm，所述风刀吹出的高压气体风幕与所述阀金属箔片横截面夹角为60°～90°。
进一步地，步骤S4中，所述脱离后通过软丝去除多余的导电银浆浆料具体是指：阀金属箔片脱离所述导电银浆浆料后通过软丝接触所述阀金属箔片侧面且移动下刮，以通过软丝去除多余的导电银浆浆料；其中，所述软丝横向进入银浆深约0.02mm～0.06mm。优选地，所述软丝的移动速度为5mm/s～10mm/s；所述软丝的材质选自铜丝或尼龙丝，软丝的直径选自0.01mm～0.1mm。
与现有技术相比，本申请实施例主要有以下有益效果：
本发明采用真空化学聚合第一导电聚合层，在真空条件下，单体溶液和氧化溶液更易渗透至阀金属箔片的孔洞深处，从而制备出结合力好、引出率高和电导率高的导电高分子，同时，在循环过程中不进行加热，避免导电聚合物覆盖不均匀，如此有利于制备极低ESR、更大容量和耐热性好的晶片电容器；采用真空电化学聚合第二导电聚合层，有利于形成更加致密、结合力高、抗塑封冲击特性好和更高电导率的导电高分子，如此有利于制备出极低ESR、更大容量和漏电流合格率高的晶片电容器。同时，本发明采用双轴震动含浸槽体且脱离后通过高压气体去除多余导电石墨浆料技术，有利于形成更加平滑和更强附着力的导电石墨层，降低导电高分子和导电石墨层的接触电阻，进一步采用双轴震动含浸槽体且脱离后通过软丝去除多余导电银浆浆料技术，有利于形成更加平滑和更强附着力的导电银浆浆料层，降低导电石墨层和导电银浆浆料层的接触电阻。而且，去除的多余导电石墨浆料和导电银浆浆料可进行回收利用。如此有利于制备出极低ESR、耐热性好的晶片电容器并降低了成本。
具体实施方式
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请技术领域的技术人员通常理解的含义相同；本文中在申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请；本申请的说明书和权利要求书中的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
本发明提供了一种极低ESR晶片电容器单元的制备方法，包括以下步骤：
S1、真空化学聚合制备第一导电聚合层：在阀金属箔片的阴极区通过真空化学聚合形成第一导电聚合层；
具体地，真空条件下，通过先含浸单体溶液，再含浸氧化溶液。上述步骤为一个循环，进行1～13次循环后，最后再含浸一次单体溶液并进行烘干。所述真空度选自-90Kpa～-100Kpa，所述含浸单体溶液的温度为1～26℃，所述含浸单体溶液的时间为5秒～95秒。所述单体溶液选自单体、溶剂、掺杂剂和添加剂的混合溶液，所述单体溶液各组分的重量百分比为：单体0.5wt％～13.5wt％、溶剂80wt％～95wt％、掺杂剂0.5wt％～5wt％、添加剂0.5wt％～2wt％。所述单体选自吡咯、噻吩、苯胺及衍生物中的至少一种，所述溶剂选自水、乙醇、丙醇、正丁醇中的至少一种。所述掺杂剂选自聚乙烯磺酸及其盐、聚苯乙烯磺酸及其盐、脂肪族磺酸及其盐、芳香族磺酸及其盐、间磺基苯甲酰胺、3-磺基-1，8-萘二甲酸酐和4-磺基-1，8-萘二甲酸酐、碘化钠中的至少一种。所述添加剂选自氟化丙烯酸共聚物、对苯二酚衍生物、油酸三乙醇胺和油酸肌氨酸钠中的至少一种。所述含浸氧化溶液的温度为3℃～27℃，所述含浸氧化溶液的时间为3秒～65秒。所述氧化溶液选自氧化剂和溶剂的混合溶液，所述氧化剂溶液各组分的重量百分比为：氧化剂1wt％～19wt％、溶剂81wt％～99wt％，所述氧化剂选自对甲苯磺酸铁、过硫酸铵、高氯酸钾、高锰酸钾、银氨溶液、亚硫酸及过氧化氢中的一种。所述溶剂选自水、乙醇、丙醇、正丁醇中的至少一种。所述烘干的温度选自100℃～175℃，烘干的时间选自0.1h～0.5h；
S2、真空电化学聚合制备第二导电聚合层：在所述第一导电聚合层上通过真空电化学聚合形成第二导电聚合层；
具体地，将具有第一导电聚合层的阀金属箔片上浸入聚合溶液进行单体真空电化学聚合，所述聚合溶液包括单体、溶剂、掺杂剂和添加剂。所述聚合溶液各组分的重量百分比为：单体0.5wt％～15wt％、溶剂80wt％～95wt％、掺杂剂2.5wt％～6wt％、添加剂0.5wt％～2wt％。所述单体选自吡咯、噻吩、苯胺及衍生物中的至少一种，所述溶剂选自水、乙醇中的至少一种，所述掺杂剂选自聚乙烯磺酸及其盐、聚苯乙烯磺酸及其盐、脂肪族磺酸及其盐、芳香族磺酸及其盐、间磺基苯甲酰胺、3-磺基-1，8-萘二甲酸酐和4-磺基-1，8-萘二甲酸酐、碘化钠中的至少一种。所述添加剂选自氟化丙烯酸共聚物、对苯二酚衍生物、油酸三乙醇胺和油酸肌氨酸钠中的至少一种。所述真空电化学的真空度选自-90Kpa～-100Kpa，聚合温度选自2℃～10℃，聚合电流选自0.004A～0.5A，聚合时间选自1h～23h；
S3、含浸制备导电石墨层及去除：通过含浸导电石墨浆料在所述第二导电聚合层上形成石墨层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离所述导电石墨浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料；
具体地，将覆盖有两层导电聚合层的阀金属箔片含浸导电石墨浆料，含浸完成后，在箔片开始脱离导电石墨浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过高压气体去除，最后进行烘干。所述导电石墨浆料的粒径选自1μm～5μm，所述导电石墨浆料的含量选自3wt％～17wt％，所述烘干温度选自50℃～150℃，所述烘干时间选自0.2h～2h。所述双轴中X轴的震动频率为15Hz～75Hz，所述双轴中Y轴的震动频率为5Hz～65Hz。
进一步地，所述脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料具体是指：阀金属箔片脱离所述导电石墨浆料后通过移动的风刀朝向所述阀金属箔片的侧面吹高压气体，以通过所述高压气体去除多余的导电石墨浆料；其中，所述风刀设于所述阀金属箔片的上方，沿所述阀金属箔片的宽度方向移动，所述风刀的移动速度为1cm/s～15cm/s，所述高压气体的压强选自0.4MPa～1MPa。优选地，所述风刀的出气口位于所述阀金属箔片的上方约1cm～2cm，所述风刀吹出的高压气体风幕与所述阀金属箔片横截面夹角为60°～90°。
S4、含浸制备导电银层及去除：通过含浸导电银浆浆料在所述导电石墨层上形成导电银层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离所述导电石墨浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过软丝去除多余的导电银浆浆料；
具体地，将覆盖有导电石墨浆料的阀金属箔片含浸导电银浆浆料，含浸完成后，在晶片开始脱离导电银浆浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过软丝去除多余导电银浆浆料，最后进行烘干。所述导电银浆浆料的粒径选自1μm～5μm，所述银浆浆料的含量选自45wt％～80wt％，所述烘干温度选自100℃～200℃，所述烘干时间选自0.2h～2h。所述双轴中X轴的震动频率为15Hz～75Hz，所述双轴中Y轴的震动频率为5Hz～65Hz。
进一步地，所述脱离后通过软丝去除多余的导电银浆浆料具体是指：阀金属箔片脱离所述导电银浆浆料后通过软丝接触所述阀金属箔片侧面且移动下刮，以通过软丝去除多余的导电银浆浆料；其中，所述软丝横向进入银浆深约0.02mm～0.06mm，然后沿所述阀金属箔片的长度方向移动刮落银浆浆料。优选地，所述软丝的移动速度为5mm/s～10mm/s；所述软丝的材质选自铜丝或尼龙丝，软丝的直径选自0.01mm～0.1mm。
下面结合实施例对本发明进行详细的说明，实施例仅是本发明的优选实施方式，不是对本发明的限定。
实施例一
一种极低ESR晶片电容器单元的制备方法，包括以下步骤：
S11、真空化学聚合制备第一导电聚合层：在阀金属箔片的阴极区通过真空化学聚合形成第一导电聚合层；
具体地，在真空度-90Kpa条件下，通过先含浸单体溶液，再含浸氧化溶液。单体溶液各组分的重量百分比为：单体吡咯13.5wt％、溶剂水80wt％、掺杂剂聚乙烯磺酸6wt％、添加剂氟化丙烯酸共聚物0.5wt％。含浸单体溶液的温度为1℃，含浸单体溶液的时间为95秒。氧化剂溶液各组分的重量百分比为：过硫酸铵19wt％、溶剂水81wt％。含浸氧化溶液的温度为3℃，含浸氧化溶液的时间为65秒。上述步骤为一个循环，进行1次循环后，最后再含浸一次上述单体溶液并进行100℃/0.5h烘干；
S12、真空电化学聚合制备第二导电聚合层：在所述第一导电聚合层上通过真空电化学聚合形成第二导电聚合层；
具体地，将具有第一导电聚合层的阀金属箔片上浸入聚合溶液进行单体真空电化学聚合，真空度选自-90Kpa，聚合温度选自10℃，聚合电流选自0.004A，聚合时间选自23h；聚合溶液各组分的重量百分比为：单体吡咯0.5wt％、溶剂水95wt％、掺杂剂聚乙烯磺酸钠2.5wt％和添加剂氟化丙烯酸共聚物2wt％；
S13、含浸制备导电石墨层及去除：通过含浸导电石墨浆料在所述第二导电聚合层上形成石墨层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离所述导电石墨浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料；
具体地，将覆盖有两层导电聚合层的阀金属箔片含浸导电石墨浆料，含浸完成后，在箔片开始脱离导电石墨浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料，最后进行烘干。导电石墨浆料的粒径选自1μm，导电石墨含量选自17wt％，烘干温度选自50℃，烘干时间选自2h。双轴中X轴的震动频率为15Hz，双轴中Y轴的震动频率为5Hz。
其中，脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料具体是指：阀金属箔片脱离所述导电石墨浆料后通过移动的风刀朝向所述阀金属箔片的侧面吹高压气体，以通过所述高压气体去除多余的导电石墨浆料；其中，所述风刀设于所述阀金属箔片的上方，沿所述阀金属箔片的宽度方向移动，同时朝向所述阀金属箔片的两个侧面吹气，所述风刀的移动速度为1cm/s，所述高压气体的压强选自0.4MPa。优选地，所述风刀的出气口位于所述阀金属箔片的上方约1cm，所述风刀吹出的高压气体风幕与所述阀金属箔片横截面夹角为90°。
S14、含浸制备导电银层及去除：通过含浸导电银浆浆料在所述导电石墨层上形成导电银层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离所述导电银浆浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过软丝去除多余的导电银浆浆料；
具体地，将覆盖有导电石墨浆料的阀金属箔片含浸导电银浆浆料，含浸完成后，在晶片开始脱离导电银浆浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过软丝去除多余导电银浆浆料，最后进行烘干。导电银浆浆料的粒径选自1μm，导电银浆含量选自80wt％，烘干温度选自100℃，烘干时间选自2h。双轴中X轴的震动频率为15Hz，双轴中Y轴的震动频率为5Hz。
所述脱离后通过软丝去除多余的导电银浆浆料具体是指：阀金属箔片脱离所述导电银浆浆料后通过软丝接触所述阀金属箔片侧面且移动下刮，以通过软丝去除多余的导电银浆浆料；其中，所述软丝横向接触并进入到银浆约0.02mm深，所述软丝沿着所述阀金属箔片长度方向移动下刮的速度为10mm/s，所述软丝的材质选自铜丝，软丝的直径选自0.01mm。可以理解的是，优选对所述阀金属箔片的两个侧面同时通过上述软丝去除多余的导电银浆浆料。
将上述方法制得的电容器单元应用于2.5V/470μF晶片电容器的制作。
实施例二
一种极低ESR晶片电容器单元的制备方法，包括以下步骤：
S21、真空化学聚合制备第一导电聚合层：在阀金属箔片的阴极区通过真空化学聚合形成第一导电聚合层；
具体地，在真空度-95Kpa条件下，通过先含浸单体溶液，再含浸氧化溶液。单体溶液各组分的重量百分比为：单体噻吩7wt％、溶剂水和正丁醇89.025wt％、掺杂剂间磺基苯甲酰胺2.725wt％、添加剂油酸三乙醇胺1.25wt％。含浸单体溶液的温度为13.5℃，含浸单体溶液的时间为50秒。氧化剂溶液各组分的重量百分比为：氧化剂对甲苯磺酸铁10wt％、溶剂水和乙醇混合溶液90wt％。含浸氧化溶液的温度为15℃，含浸氧化溶液的时间为34秒。上述步骤为一个循环，进行7次循环后，最后再含浸一次单体溶液并进行137.5℃/0.3h烘干；
S22、真空电化学聚合制备第二导电聚合层：在所述第一导电聚合层上通过真空电化学聚合形成第二导电聚合层；
具体地，将具有第一导电聚合层的阀金属箔片上浸入聚合溶液进行单体真空电化学聚合，真空度选自-95Kpa，聚合温度选自6℃，聚合电流选自0.252A，聚合时间选自12h；聚合溶液各组分的重量百分比为：单体噻吩7.75wt％、溶剂乙醇86.75wt％、掺杂剂间磺基苯甲酰胺4.25wt％和添加剂十二烷基硫酸钾1.25wt％；
S23、含浸制备导电石墨层及去除：通过含浸导电石墨浆料在所述第二导电聚合层上形成石墨层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离所述导电石墨浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料；
具体地，将覆盖有两层导电聚合层的阀金属箔片含浸导电石墨浆料，含浸完成后，在箔片开始脱离导电石墨浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过高压气体去除，最后进行烘干。导电石墨浆料的粒径选自3μm，导电石墨含量选自10wt％，烘干温度选自100℃，烘干时间选自1.1h。双轴中X轴的震动频率为45Hz，双轴中Y轴的震动频率为35Hz。
其中，脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料具体是指：阀金属箔片脱离所述导电石墨浆料后通过移动的风刀朝向所述阀金属箔片的侧面吹高压气体，以通过所述高压气体去除多余的导电石墨浆料；其中，所述风刀设于所述阀金属箔片的上方，沿所述阀金属箔片的宽度方向移动，同时朝向所述阀金属箔片的两个侧面吹气，所述风刀的移动速度为8cm/s，所述高压气体的压强选自0.7MPa。优选地，所述风刀的出气口位于所述阀金属箔片的上方约1.5cm，所述风刀吹出的高压气体风幕与所述阀金属箔片横截面夹角为75°。
S24、含浸制备导电银层及去除：通过含浸导电银浆浆料在所述导电石墨层上形成导电银层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离所述导电银浆浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过软丝去除多余的导电银浆浆料；
具体地，将覆盖有导电石墨浆料的阀金属箔片含浸导电银浆浆料，含浸完成后，在晶片开始脱离导电银浆浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过软丝去除多余导电银浆浆料，最后进行烘干。导电银浆浆料的粒径选自3μm，导电银浆含量选自62.5wt％，烘干温度选自150℃，烘干时间选自1.1h。双轴中X轴的震动频率为45Hz，双轴中Y轴的震动频率为35Hz。
所述脱离后通过软丝去除多余的导电银浆浆料具体是指：阀金属箔片脱离所述导电银浆浆料后通过软丝接触所述阀金属箔片侧面且移动下刮，以通过软丝去除多余的导电银浆浆料；其中，所述软丝横向接触并进入到银浆约0.04mm深，所述软丝沿着所述阀金属箔片长度方向移动下刮的速度为7.5mm/s，所述软丝的材质选自尼龙丝，软丝的直径选自0.055mm。可以理解的是，优选对所述阀金属箔片的两个侧面同时通过上述软丝去除多余的导电银浆浆料。
将上述方法制得的电容器单元应用于2.5V/470μF晶片电容器的制作。
实施例三
一种极低ESR晶片电容器单元的制备方法，包括以下步骤：
S31、真空化学聚合制备第一导电聚合层：在阀金属箔片的阴极区通过真空化学聚合形成第一导电聚合层；
具体地，在真空度-100Kpa条件下，通过先含浸单体溶液，再含浸氧化溶液。单体溶液各组分的重量百分比为：单体苯胺0.5wt％、溶剂水和丙醇混合液95wt％、掺杂剂碘化钠2.5wt％、添加剂对苯二酚2wt％。含浸单体溶液的温度为26℃，含浸单体溶液的时间为5秒。氧化剂溶液各组分的重量百分比为：氧化剂高锰酸钾1wt％、溶剂水99wt％。含浸氧化溶液的温度为27℃，含浸氧化溶液的时间为3秒。上述步骤为一个循环，进行13次循环后，最后再含浸一次单体溶液并进行175℃/0.1h烘干；
S32、真空电化学聚合制备第二导电聚合层：在所述第一导电聚合层上通过真空电化学聚合形成第二导电聚合层；
具体地，将具有第一导电聚合层的阀金属箔片上浸入聚合溶液进行单体真空电化学聚合，真空度选自-100Kpa，聚合温度选自2℃，聚合电流选自0.5A，聚合时间选自1h；聚合溶液各组分的重量百分比为：单体苯胺15wt％、溶剂水和乙醇混合液82wt％、掺杂剂碘化钠2.5wt％和添加剂对苯二酚0.5wt％；
S33、含浸制备导电石墨层及去除：通过含浸导电石墨浆料在所述第二导电聚合层上形成石墨层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离所述导电石墨浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料；
具体地，将覆盖有两层导电聚合层的阀金属箔片含浸导电石墨浆料，含浸完成后，在箔片开始脱离导电石墨浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过高压气体去除，最后进行烘干。导电石墨浆料的粒径选自5μm，含量选自3wt％，烘干温度选自150℃，烘干时间选自0.2h。双轴中X轴的震动频率为75Hz，双轴中Y轴的震动频率为65Hz。
其中，脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料具体是指：阀金属箔片脱离所述导电石墨浆料后通过移动的风刀朝向所述阀金属箔片的侧面吹高压气体，以通过所述高压气体去除多余的导电石墨浆料；其中，所述风刀设于所述阀金属箔片的上方，沿所述阀金属箔片的宽度方向移动，同时朝向所述阀金属箔片的两个侧面吹气，所述风刀的移动速度为15cm/s，所述高压气体的压强选自1MPa。优选地，所述风刀的出气口位于所述阀金属箔片的上方约2cm，所述风刀吹出的高压气体风幕与所述阀金属箔片横截面夹角为60°。
S34、含浸制备导电银层及去除：通过含浸导电银浆浆料在所述导电石墨层上形成导电银层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离所述导电银浆浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过软丝去除多余的导电银浆浆料；
具体地，将覆盖有导电石墨浆料的阀金属箔片含浸导电银浆浆料，含浸完成后，在晶片开始脱离导电银浆浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过软丝去除多余导电银浆浆料，最后进行烘干。导电银浆浆料的粒径选自5μm，含量选自45wt％，烘干温度选自200℃，烘干时间选自0.2h。双轴中X轴的震动频率为75Hz，双轴中Y轴的震动频率为65Hz。
所述脱离后通过软丝去除多余的导电银浆浆料具体是指：阀金属箔片脱离所述导电银浆浆料后通过软丝接触所述阀金属箔片侧面且移动下刮，以通过软丝去除多余的导电银浆浆料；其中，所述软丝横向接触并进入到银浆约0.06mm深，所述软丝沿着所述阀金属箔片长度方向移动下刮的速度为5mm/s，所述软丝的材质选自铜丝，软丝的直径选自0.1mm。可以理解的是，优选对所述阀金属箔片的两个侧面同时通过上述软丝去除多余的导电银浆浆料。
将上述方法制得的电容器单元应用于2V/470μF晶片电容器的制作。
实施例四
一种极低ESR晶片电容器单元的制备方法，包括以下步骤：
S41、真空化学聚合制备第一导电聚合层：在阀金属箔片的阴极区通过真空化学聚合形成第一导电聚合层；
具体地，在真空度-93Kpa条件下，通过先含浸单体溶液，再含浸氧化溶液。单体溶液各组分的重量百分比为：单体噻吩6.15wt％、溶剂水和乙醇混合液91.5wt％、掺杂剂聚苯乙烯磺酸钠1.5wt％、添加剂氟化丙烯酸共聚物0.85wt％。含浸单体溶液的温度为7.5℃，含浸单体溶液的时间为30秒。氧化剂溶液各组分的重量百分比为：氧化剂高氯酸钾6wt％、溶剂水94wt％。含浸氧化溶液的温度为9℃，含浸氧化溶液的时间为19秒。上述步骤为一个循环，进行4次循环后，最后再含浸一次单体溶液并进行118℃/0.2h烘干；
S42、真空电化学聚合制备第二导电聚合层：在所述第一导电聚合层上通过真空电化学聚合形成第二导电聚合层；
具体地，将具有第一导电聚合层的阀金属箔片上浸入聚合溶液进行单体真空电化学聚合，真空度选自-97Kpa，聚合温度选自4℃，聚合电流选自0.12A，聚合时间选自8h；聚合溶液各组分的重量百分比为：单体3,4-乙烯二氧噻吩5.25wt％、溶剂水90.75wt％、掺杂剂聚苯乙烯磺酸钠3.25wt％和添加剂氟化丙烯酸共聚物0.75wt％；
S43、含浸制备导电石墨层及去除：通过含浸导电石墨浆料在所述第二导电聚合层上形成石墨层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离所述导电石墨浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料；
具体地，将覆盖有两层导电聚合层的阀金属箔片含浸导电石墨浆料，含浸完成后，在箔片开始脱离导电石墨浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过高压气体去除，最后进行烘干。导电石墨浆料的粒径选自2μm，含量选自6wt％，烘干温度选自75℃，烘干时间选自0.6h。双轴中X轴的震动频率为30Hz，双轴中Y轴的震动频率为20Hz。
其中，脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料具体是指：阀金属箔片脱离所述导电石墨浆料后通过移动的风刀朝向所述阀金属箔片的侧面吹高压气体，以通过所述高压气体去除多余的导电石墨浆料；其中，所述风刀设于所述阀金属箔片的上方，沿所述阀金属箔片的宽度方向移动，同时朝向所述阀金属箔片的两个侧面吹气，所述风刀的移动速度为12cm/s，所述高压气体的压强选自0.5MPa。优选地，所述风刀的出气口位于所述阀金属箔片的上方约1.2cm，所述风刀吹出的高压气体风幕与所述阀金属箔片横截面夹角为80°。
S44、含浸制备导电银层及去除：通过含浸导电银浆浆料在所述导电石墨层上形成导电银层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离所述导电银浆浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过软丝去除多余的导电银浆浆料；
具体地，将覆盖有导电石墨浆料的阀金属箔片含浸导电银浆浆料，含浸完成后，在晶片开始脱离导电银浆浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过软丝去除多余导电银浆浆料，最后进行烘干。导电银浆浆料的粒径选自2μm，含量选自54wt％，烘干温度选自125℃，烘干时间选自0.6h。双轴中X轴的震动频率为30Hz，双轴中Y轴的震动频率为20Hz。
所述脱离后通过软丝去除多余的导电银浆浆料具体是指：阀金属箔片脱离所述导电银浆浆料后通过软丝接触所述阀金属箔片侧面且移动下刮，以通过软丝去除多余的导电银浆浆料；其中，所述软丝横向接触并进入到银浆约0.03mm深，所述软丝沿着所述阀金属箔片长度方向移动下刮的速度为8.5mm/s，所述软丝的材质选自铜丝，软丝的直径选自0.035mm。可以理解的是，优选对所述阀金属箔片的两个侧面同时通过上述软丝去除多余的导电银浆浆料。
将上述方法制得的电容器单元应用于2V/560μF晶片电容器的制作。
实施例五
一种极低ESR晶片电容器单元的制备方法，包括以下步骤：
S51、真空化学聚合制备第一导电聚合层：在阀金属箔片的阴极区通过真空化学聚合形成第一导电聚合层；
具体地，在真空度-97Kpa条件下，通过先含浸单体溶液，再含浸氧化溶液。单体溶液各组分的重量百分比为：单体噻吩10.5wt％、溶剂水和正丁醇84.45wt％、掺杂剂脂肪族磺酸3.5wt％、添加剂十二烷基硫酸钾1.55wt％。含浸单体溶液的温度为19.5℃，含浸单体溶液的时间为75秒。氧化剂溶液各组分的重量百分比为：氧化剂过氧化氢15wt％、溶剂水85wt％。含浸氧化溶液的温度为21℃，含浸氧化溶液的时间为50秒。上述步骤为一个循环，进行10次循环后，最后再含浸一次单体溶液并进行155℃/0.4h烘干；
S52、真空电化学聚合制备第二导电聚合层：在所述第一导电聚合层上通过真空电化学聚合形成第二导电聚合层；
具体地，将具有第一导电聚合层的阀金属箔片上浸入聚合溶液进行单体真空电化学聚合，真空度选自-95Kpa，聚合温度选自8℃，聚合电流选自0.38A，聚合时间选自16h；聚合溶液各组分的重量百分比为：单体噻吩12.25wt％、溶剂水和乙醇混合液80.7wt％、掺杂剂4-磺基-1，8-萘二甲酸酐5.3wt％和添加剂十二烷基硫酸钾1.75wt％；
S53、含浸制备导电石墨层及去除：通过含浸导电石墨浆料在所述第二导电聚合层上形成石墨层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离所述导电石墨浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料；
具体地，将覆盖有两层导电聚合层的阀金属箔片含浸导电石墨浆料，含浸完成后，在箔片开始脱离导电石墨浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过高压气体去除，最后进行烘干。导电石墨浆料的粒径选自4μm，含量选自13wt％，烘干温度选自125℃，烘干时间选自1.5h。双轴中X轴的震动频率为60Hz，双轴中Y轴的震动频率为50Hz。
其中，脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料具体是指：阀金属箔片脱离所述导电石墨浆料后通过移动的风刀朝向所述阀金属箔片的侧面吹高压气体，以通过所述高压气体去除多余的导电石墨浆料；其中，所述风刀设于所述阀金属箔片的上方，沿所述阀金属箔片的宽度方向移动，同时朝向所述阀金属箔片的两个侧面吹气，所述风刀的移动速度为4cm/s，所述高压气体的压强选自0.8MPa。优选地，所述风刀的出气口位于所述阀金属箔片的上方约1.7cm，所述风刀吹出的高压气体风幕与所述阀金属箔片横截面夹角为70°。
S54、含浸制备导电银层及去除：通过含浸导电银浆浆料在所述导电石墨层上形成导电银层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离所述导电银浆浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过软丝去除多余的导电银浆浆料；
具体地，将覆盖有导电石墨浆料的阀金属箔片含浸导电银浆浆料，含浸完成后，在晶片开始脱离导电银浆浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过软丝去除多余导电银浆浆料，最后进行烘干。导电银浆浆料的粒径选自4μm，含量选自72wt％，烘干温度选自175℃，烘干时间选自1.5h。双轴中X轴的震动频率为60Hz，双轴中Y轴的震动频率为50Hz。
所述脱离后通过软丝去除多余的导电银浆浆料具体是指：阀金属箔片脱离所述导电银浆浆料后通过软丝接触所述阀金属箔片侧面且移动下刮，以通过软丝去除多余的导电银浆浆料；其中，所述软丝横向接触并进入到银浆约0.05mm深，所述软丝沿着所述阀金属箔片长度方向移动下刮的速度为6.5mm/s，所述软丝的材质选自铜丝，软丝的直径选自0.085mm。可以理解的是，优选对所述阀金属箔片的两个侧面同时通过上述软丝去除多余的导电银浆浆料。
将上述方法制得的电容器单元应用于2.5V/470μF晶片电容器的制作。
对比例一
采用现有技术制备2.5V/470μF的晶片电容器，包括以下步骤：
S1A、常压化学聚合制备导电聚合层：在阀金属箔片的阴极区通过常压化学聚合形成导电聚合层；
具体地，常压条件下，通过先含浸单体溶液，再含浸氧化溶液。单体溶液各组分的重量百分比为：单体吡咯5.3wt％、溶剂水86wt％、掺杂剂甲苯磺酸8.7wt％。含浸单体溶液的温度为25℃，含浸单体溶液的时间为25秒，含浸后进行50℃/10分钟。氧化剂溶液各组分的重量百分比为：对甲苯磺酸铁6.8wt％、溶剂水93.2wt％。含浸氧化溶液的温度为25℃，含浸氧化溶液的时间为20秒，含浸后进行50℃/10分钟。上述步骤为一个循环，如此反复进行15次制备得到聚吡咯导电聚合物层。
S1B、常压电化学聚合制备导电聚合层：在上述制备得到的聚吡咯导电聚合物层上再采用常压电化学聚合法继续覆盖导电聚合物，聚合温度选自21℃，聚合电流选自1.525A，聚合时间选自6.15h；电化学聚合溶液包括单体吡咯10.5wt％、乙醇80wt％、掺杂剂甲苯磺酸9.5wt％。
S1C、含浸制备导电石墨层：通过含浸导电石墨浆料在所述导电聚合层上形成石墨层；
具体地，将覆盖有导电聚合层的阀金属箔片含浸导电石墨浆料，含浸完成后进行烘干。导电石墨浆料的粒径选自12μm，导电石墨含量选自12wt％，烘干温度选自130℃，烘干时间选自0.6h。
S1D、含浸制备导电银层：通过含浸导电银浆浆料在所述导电石墨层上形成导电银层；
具体地，将覆盖有导电石墨浆料的阀金属箔片含浸导电银浆浆料，含浸完成后进行烘干。导电银浆浆料的粒径选自13μm，导电银浆含量选自68wt％，烘干温度选自150℃，烘干时间选自0.6h。
对比例二
此对比例基于实施例四的基础上，不同之处仅在于：S41步骤是在真空度为-75Kpa下进行的。
对比例三
此对比例基于实施例四的基础上，不同之处仅在于：S42步骤是在真空度为-75Kpa下进行的。
对比例四
此对比例基于实施例四的基础上，不同之处仅在于：S41步骤中，循环过程中均进行50℃/0.2h烘干，即每一次循环为：含浸单体溶液→烘干→含浸氧化溶液→烘干。
对比例五
此对比例基于实施例四的基础上，不同之处仅在于：S41步骤中，所述单体溶液各组分的重量百分比为：单体噻吩6.15wt％、溶剂水和乙醇混合液92.35wt％、掺杂剂聚苯乙烯磺酸钠1.5wt％。
对比例六
此对比例基于实施例四的基础上，不同之处仅在于：S42步骤中，聚合溶液各组分的重量百分比为：单体3,4-乙烯二氧噻吩5.25wt％、溶剂水91.5wt％、掺杂剂聚苯乙烯磺酸钠3.25wt％。
对比例七
此对比例基于实施例四的基础上，不同之处仅在于：S43步骤中未通过高压气体去除多余的导电石墨浆料。
对比例八
此对比例基于实施例四的基础上，不同之处仅在于：S44步骤中未通过软丝去除多余的导电银浆浆料。
对比例九
此对比例基于实施例四的基础上，不同之处仅在于：S43步骤中，风刀运动速度为30cm/s；高压气体的压强为0.25MPa。
对比例十
此对比例基于实施例四的基础上，不同之处仅在于：S44步骤中，软丝分别设置于箔片的两侧进行多余浆料去除；左右两侧的软丝需接触到银浆0.08mm深；所述软丝运动的速度为20mm/s。
对比例十一
此对比例基于实施例四的基础上，不同之处仅在于：多余的导电石墨浆料和导电银浆的去除方法均为高压气体去除方法。
对比例十二
此对比例基于实施例四的基础上，不同之处仅在于：多余的导电石墨浆料和导电银浆的去除方法均为软丝去除方法。
对比例十三
此对比例基于实施例四的基础上，不同之处仅在于：多余的导电石墨浆料通过软丝去除方法去除，而多余导电银浆的去除方法通过高压气体去除方法。
对比例十四
此对比例基于实施例四的基础上，不同之处仅在于：S43步骤中未进行双轴震动含浸槽。
对比例十五
此对比例基于实施例四的基础上，不同之处仅在于：S44步骤中未进行双轴震动含浸槽。
将上述实施例一～实施例五与对比例一～对比例十五的电性能对比数据如下表所示：(表中实施例一～实施例三、实施例五的成本均以对比例一为对比基础；实施例四、对比例三～对比例十五的成本以对比例二为对比基础)
Figure BDA0003628474400000211
Figure BDA0003628474400000221
显然，以上所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例，但并不限制本申请的专利范围。本申请可以以许多不同的形式来实现，相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来而言，其依然可以对前述各具体实施方式所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等效替换。凡是利用本申请说明书内容所做的等效结构，直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理在本申请专利保护范围之内。

Claims (14)

1.一种极低ESR的晶片电容器单元的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
S1、在阀金属箔片的阴极区通过真空化学聚合形成第一导电聚合层；
S2、在所述第一导电聚合层上通过真空电化学聚合形成第二导电聚合层；
S3、通过含浸导电石墨浆料在所述第二导电聚合层上形成石墨层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离所述导电石墨浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料；
S4、通过含浸导电银浆浆料在所述导电石墨层上形成导电银层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离所述导电银浆浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过软丝去除多余的导电银浆浆料。
2.根据权利要求1所述的极低ESR的晶片电容器单元的制备方法，其特征在于，所述S1、在阀金属箔片的阴极区通过真空化学聚合形成第一导电聚合层，具体包括以下步骤：真空条件下，将阀金属箔片的阴极区先含浸单体溶液再含浸氧化溶液，进行至少1次循环，循环完成后再含浸单体溶液一次并进行烘干；所述真空条件的真空度选自-90Kpa～-100Kpa。
3.根据权利要求2所述的极低ESR的晶片电容器单元的制备方法，其特征在于，所述循环的过程中不进行烘干。
4.根据权利要求2或3所述的极低ESR的晶片电容器单元的制备方法，其特征在于，所述单体溶液由以下原料按重量百分比组成：单体0.5wt％～13.5wt％、溶剂80wt％～95wt％、掺杂剂0.5wt％～5wt％、添加剂0.5wt％～2wt％；所述氧化溶液由以下原料按重量百分比组成：氧化剂1wt％～19wt％、溶剂81wt％～99wt％。
5.根据权利要求2所述的极低ESR的晶片电容器单元的制备方法，其特征在于，所述S2、在所述第一导电聚合层上通过真空电化学聚合形成第二导电聚合层具体包括以下步骤：将具有第一导电聚合层的阀金属箔片含浸聚合溶液进行真空电化学聚合形成第二导电聚合层；所述真空条件的真空度选自-90Kpa～-100Kpa。
6.根据权利要求1所述的极低ESR的晶片电容器单元的制备方法，其特征在于，所述聚合溶液由以下原料按重量百分比组成：单体0.5wt％～15wt％、溶剂80wt％～95wt％、掺杂剂2.5wt％～6wt％、添加剂0.5wt％～2wt％。
7.根据权利要求5或6所述的极低ESR的晶片电容器单元的制备方法，其特征在于，所述掺杂剂选自聚乙烯磺酸及其盐、聚苯乙烯磺酸及其盐、脂肪族磺酸及其盐、芳香族磺酸及其盐、间磺基苯甲酰胺、3-磺基-1，8-萘二甲酸酐和4-磺基-1，8-萘二甲酸酐、碘化钠中的至少一种。
8.根据权利要求5或6所述的极低ESR的晶片电容器单元的制备方法，其特征在于，所述添加剂选自氟化丙烯酸共聚物、对苯二酚衍生物、油酸三乙醇胺和油酸肌氨酸钠中的至少一种。
9.根据权利要求6所述的极低ESR的晶片电容器单元的制备方法，其特征在于，所述真空电化学聚合的聚合温度选自2℃～10℃，聚合电流选自0.004A～0.5A，聚合时间选自1h～23h。
10.根据权利要求1所述的极低ESR的晶片电容器单元的制备方法，其特征在于，步骤S3和步骤S4中，所述双轴震动的X轴震动频率为15Hz～75Hz和Y轴震动频率为5Hz～65Hz。
11.根据权利要求1所述的极低ESR的晶片电容器单元的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料具体是指：阀金属箔片脱离所述导电石墨浆料后通过移动的风刀朝向所述阀金属箔片的侧面吹高压气体，以通过所述高压气体去除多余的导电石墨浆料；其中，所述风刀设于所述阀金属箔片的上方，沿所述阀金属箔片的宽度方向移动，所述风刀的移动速度为1cm/s～15cm/s，所述高压气体的压强选自0.4MPa～1MPa。
12.根据权利要求1所述的极低ESR的晶片电容器单元的制备方法，其特征在于，所述风刀的出气口位于所述阀金属箔片的上方约1cm～2cm，所述风刀吹出的高压气体风幕与所述阀金属箔片横截面夹角为60°～90°。
13.根据权利要求1所述的极低ESR的晶片电容器单元的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述脱离后通过软丝去除多余的导电银浆浆料具体是指：阀金属箔片脱离所述导电银浆浆料后通过软丝接触所述阀金属箔片侧面且移动下刮，以通过软丝去除多余的导电银浆浆料；其中，所述软丝横向进入银浆深约0.02mm～0.06mm。
14.根据权利要求1所述的极低ESR的晶片电容器单元的制备方法，其特征在于，所述软丝的移动速度为5mm/s～10mm/s；所述软丝的材质选自铜丝或尼龙丝，软丝的直径选自0.01mm～0.1mm。
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