CN114660863A - 阵列基板、驱动方法、设计方法及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种阵列基板、驱动方法、设计方法及显示面板，所述阵列基板包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域的扇出区域包括多个子区域，各子区域分别设置有多条扇出走线，不同子区域的扇出走线位于不同导电率的金属层，所述金属层的导电率与不同子区域的扇出走线的长度正相关，和/或不同子区域的扇出走线位于不同膜厚度的金属层，所述金属层的膜厚度与不同子区域的扇出走线的长度正相关。本申请通过将扇出走线设置于不同导电率和/或不同膜厚度的金属层，解决阵列基板非显示区域显示不均的技术问题，提升阵列基板显示效果。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、驱动方法、设计方法及显示面板。
背景技术
显示面板重量轻，厚度薄且低功耗，被广泛应用于电子设备中。现有市场上的显示面板大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
阵列基板包括显示区与非显示区，由于显示区中不同信号线的位置不同，导致在扇出区域进行布线时每条扇出走线长度可能不同，形成电阻差异，从而导致各扇出走线上的信号延迟差异而使信号不均一，进而影响画面显示的均一性。
现有技术中可以通过增加扇出走线长度的方式将所有扇出走线的长度调整为近乎相等，从而减少电阻差异，但是需要较大的布线空间，影响窄边框的设计。
发明内容
本申请的实施例提供了一种阵列基板、驱动方法、设计方法、显示面板，通过将扇出走线设置于不同导电率和/或不同膜厚度的金属层，解决阵列基板非显示区域显示不均的技术问题，提升阵列基板显示效果。
本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。
根据本申请实施例的第一方面，提供了一种阵列基板，包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域的扇出区域包括多个子区域，各子区域分别设置有多条扇出走线，不同子区域的扇出走线位于不同导电率的金属层，所述金属层的导电率与不同子区域的扇出走线的长度正相关，和/或不同子区域的扇出走线位于不同膜厚度的金属层，所述金属层的膜厚度与不同子区域的扇出走线的长度正相关。
在本申请的一些实施例中，基于上述方案，所述不同子区域的扇出走线间隔设置且在衬底基板上的投影不重叠。
在本申请的一些实施例中，基于上述方案，所述非显示区域包括多组扇出区域，各组扇出区域中各子区域的相对位置相同。
在本申请的一些实施例中，基于上述方案，所述扇出区域的子区域包括中间子区域、对称位于所述中间子区域两侧的第一侧子区域和第二侧子区域。
在本申请的一些实施例中，基于上述方案，所述中间子区域的扇出走线位于第一金属层，所述第一侧子区域和第二侧子区域的扇出走线位于第二金属层，所述第二金属层的导电率大于所述第一金属层的导电率和/或所述第二金属层的膜厚度大于所述第一金属层的膜厚度。
在本申请的一些实施例中，基于上述方案，所述扇出走线的线宽相同。
根据本申请实施例的第二方面，提供了一种阵列基板驱动方法，应用于上述第一方面所述的阵列基板，所述方法包括：
获取各子区域内扇出走线的平均阻抗；
根据所述平均阻抗，确定各子区域内扇出走线对应的驱动电压；
将各子区域对应的驱动电压施加至各子区域对应扇出走线。
在本申请的一些实施例中，基于上述方案，所述获取各子区域内扇出走线的平均阻抗，包括：
等间隔选取各子区域中预设数量的扇出走线，作为待测扇出走线；
获取各子区域内待测扇出走线的平均阻抗，并将所述平均阻抗作为所述各子区域内扇出走线的平均阻抗。
根据本申请实施例的第三方面，提供了一种扇出走线的设计方法，其特征在于应用于上述第一方面所述的阵列基板，所述设计方法包括：
通过显示面板设计软件模拟所述显示面板各子区域的扇出走线位于相同膜厚度的金属层；
获取所述各子区域的扇出走线的模拟平均阻抗；
根据所述模拟平均阻抗，确定各子区域扇出走线的膜厚度，其中，各子区域扇出走线的膜厚度与对应的模拟平均阻抗正相关。
根据本申请实施例的第四方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述第一方面所述的阵列基板，与所述阵列基板对盒设置的对置基板以及位于所述阵列基板与所述对置基板之间的液晶层。
本申请实施例通过将扇出走线设置于不同导电率和/或不同膜厚度的金属层，解决阵列基板非显示区域显示不均的技术问题，提升阵列基板显示效果。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1为本申请实施例一提供的阵列基板的俯视结构示意图。
图2-A为本申请实施例一提供的一种阵列基板的扇形区域的局部放大图。
图2-B为本申请实施例一提供的另一种阵列基板的扇形区域的局部放大图。
图2-C为本申请实施例一提供的又一种阵列基板的扇形区域的局部放大图。
图3为本申请实施例一提供的阵列基板的A线剖面示意图。
图4为本申请实施例一提供的阵列基板的B线剖面示意图。
图5为本申请实施例二提供的阵列基板的扇出走线设计流程图。
图6为本申请实施例三提供的阵列基板的驱动控制流程图。
图7为本申请实施例四提供的显示面板的结构示意图。
附图标记说明：
110：显示区域
120：非显示区域
130：扇出区域
131：中间子区域
132：第一侧子区域
133：第二侧子区域
1321：第三子区域
1322：第四子区域
1331：第五子区域
1332：第六子区域
134：第七子区域
135：第八子区域
136：第九子区域
140：端子焊盘
150：驱动芯片
160：栅极驱动电路
310：衬底基板
321：第一金属层
322：第二金属层
330：绝缘层
420：像素电路层
421：有源层
422：栅极金属层
423：源漏极金属层
424：栅绝缘层
710：阵列基板
720：对置基板
730：液晶层
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本申请的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本申请的各方面。
附图中所示的方框图仅仅是功能实体，不一定必须与物理上独立的实体相对应。即，可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
附图中所示的流程图仅是示例性说明，不是必须包括所有的内容和操作/步骤，也不是必须按所描述的顺序执行。例如，有的操作/步骤还可以分解，而有的操作/步骤可以合并或部分合并，因此实际执行的顺序有可能根据实际情况改变。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
下面通过实施例一、实施例二、实施例三以及实施例四为例对阵列基板的结构、驱动方法和设计方法进行说明。
实施例一
图1为一种阵列基板的俯视结构示意图。如图1所示，阵列基板包括显示区域110与非显示区域120，其中，非显示区域120包括至少对应显示区110一侧的扇出区域(fanout)130，扇出区域130内的扇出走线的一端与阵列基板的显示区域110内的数据线相连，另一端通过与阵列基板边缘的端子焊盘140连接，从而将数据线对应电连接至驱动芯片150。阵列基板的左右两侧分别包括栅极驱动电路(GDL)160，以驱动显示区域110内的扫描线。图1示例性地将每组扇出区域对称划分为三个子区域，即中间子区域和位于两侧的区域。
为了将显示区域中不同位置的信号线与其相近的端子焊盘连接，非显示区域120可划分为多组扇出区域130，每组扇出区域内的扇出走线该扇出区域对应的焊盘端子连接。图2-A为一种阵列基板的扇出区域的局部放大示意图，其中，图2-A中示例性地将每组扇出区域划分为三个子区域中间子区域131、第一侧子区域132以及第二侧子区域133。如图2-A所示，每个子区域中的多条扇出走线呈扇形布线，即在靠近显示区域的一端呈发散式分布，在远离显示区域的一端呈集中式分布。
由于显示区中不同信号线的位置不同，导致扇出区布线中每条扇出走线长度可能不同，形成电阻差异，从而导致各扇出走线上的信号延迟差异而使信号不均一，进而影响画面显示的均一性。
扇出走线所在金属层的导电率和膜厚度与扇出走线的阻抗负相关，金属层所用材料的导电率越高，金属层的膜厚度越高，扇出走线的阻抗越小。不同子区域的扇出走线与显示区域中不同位置的信号线连接，因此不同子区域的扇出走线的长度不同，扇出走线的长度与扇出走线的阻抗正相关，扇出走线的长度越长，扇出走线的阻抗越小。
需要说明的是，各组扇出区域中各子区域的相对位置可以相同，例如每组扇出区域均可以以该扇出区域的焊盘端子为中心划分相同数量的子区域。当不同组扇出区域中相对位置相同子区域内的扇出走线位于相同导电率和相同膜厚度的金属层，相同子区域内的扇出走线的阻抗相同，可以减少扇出走线所需金属层的种类。
为了使不同子区域的扇出走线的阻抗相同，本申请实施例将非显示区域的扇出区域划分为多个子区域，各子区域分别设置有多条扇出走线，不同子区域的扇出走线位于不同导电率的金属层，金属层的导电率与不同子区域的扇出走线的长度正相关，和/或不同子区域的扇出走线位于不同膜厚度的金属层，金属层的膜厚度与不同子区域的扇出走线的长度正相关。
值得注意的是，虽然在图1和图2-A中本申请实施例示例性地将每组扇出区域划分为三个子区域，但是扇出区域划分的子区域颗粒度越小，即子区域的数量越多，同一子区域内的扇出走线的长度越趋近于相同，由于同一子区域内的扇出走线的金属层的导电率和膜厚度相同，那么同一子区域内的扇出走线的阻抗越趋近于相同，进而扇出区域中所有扇出走线的阻抗越趋近于相同。
举例而言，图2-A中中间子区域131距离焊盘端子最近，其中的扇出走线长较短，第一侧子区域132和第二子区域中的扇出走线长度较长并且其中最长扇出走线与最短扇出走线的长度差异还是较大，因此在图2-A的基础上，图2-B可以进一步将第一侧子区域132进一步划分第三子区域1321和第四子区域1322，进一步将第二侧子区域133进一步划分第五子区域1331和第六子区域1332，从而使同一细分子区域的扇出走线长度趋近相同，进而通过调整不同子区域的扇出走线的金属层的导电率和/或膜厚度，从而使不同子区域的扇出走线的阻抗趋近相同。
扇出区域划分子区域颗粒度越小，需要越多种不同导电率和/或膜厚度的金属层，相应的在制作阵列基板的过程中，蚀刻工艺流程越复杂，因此在具体实施中，可以结合阵列基板的实际工艺制造水平选择子区域的数量。
需要说明的是，图1、图2-A以及图2-B中子区域的划分是建立在通常情况下一个端子焊盘对应的扇出走线的排布是对称的，即扇出走线的长度是对称的，相应的该组扇出区域是对称的，可以将扇出区域的子区域化划分为中间子区域131和对称于中间子区域131的第一侧子区域132和第二侧子区域133，但是如若扇出走线的排布不是对称的，此时需要结合扇出区域中扇出走线的实际排布划分子区域，使同一子区域内的扇出走线的长度趋近相同。例如，图2-C所示，将该不对称的扇出区域划分为非对称分布的第七子区域134、第八子区域135以及第九子区域136，在该划分方式下，同一子区域内的扇出走线的长度还是趋近相同。
还需要说明的是，不同子区域的扇出走线可以是等线宽或非等线宽。不同子区域的扇出走线采用等线宽，可以在对不同子区域的扇出走线进行成膜时中采用相同的制程，减少工艺的复杂度，节省制作成本，提高生产效率。如若不同子区域的扇出走线采用非等线宽，例如扇出走线长度较长的子区域采用较大线宽，扇出走线长度较短的子区域采用较小线宽，虽然可以调节各子区域扇出走线的阻抗，但是若扇出走线的最大线宽和最小线宽差异过大，在实际的制作过程中可能由于制程变异导致不同线宽的扇出走线的阻抗差异过大导致显示不均的问题，需要预留给扇出区域比较大的空间(即阵列基板需要宽的边框)，以保证最大线宽和最小线宽差异不大的同时扇出走线的阻抗相同。
如图1所示，如若将扇出区域的子区域划分为中间子区域131、对称位于中间子区域两侧的第一侧子区域132和第二侧子区域133。扇出走线在扇出区域扇形沿扇出区域的中心对称分布，中间子区域131的扇出走线距离显示区域中数据线较近，长度较小，阻抗较低，第一侧子区域132和第二侧子区域133中扇形走线对称，距离显示区域中数据线较远，长度较大，阻抗较高。
因此若中间子区域131的扇出走线位于第一金属层，第一侧子区域132和第二侧子133的扇出走线位于第二金属层，那么第二金属层的导电率大于第一金属层的导电率和/或第二金属层的膜厚度大于第一金属层的膜厚度。
举例而言，为了使三个子区域的扇出走线的阻抗相同，中间子区域的扇出走线位于铝金属层，第一侧子区域和第二侧子区域的扇出走线位于铜金属层，举例而言，在温度为20℃时，铜的导电率为63.01×106西门子/米，铝的导电率为37.8×106西门子/米，铝的导电率小于铜。
需要说明的是，本申请不局限于使用铜或者铝材质的金属，还可以使用包括但不限于金、银等金属材料或者其他合金金属材料。
此外，需要再次说明的是，出于减少阵列基板制造工艺的复杂度的考虑，该实施将扇出区域划分为三个子区域，但是本申请不局限于将扇出区域划分为三个子区域，也可以将扇出区域划分为至少三个子区域，多个不同的子区域采用不同导电率的金属材料，更好地降低不同子区域的阻抗差异。
从阵列基板的层级结构而言，在该实施例中，不同子区域的扇出走线不同子区域的扇出走线间隔设置且在衬底基板上的投影不重叠。
不同子区域的扇出走线在衬底基板上不重叠时，不同子区域的扇出走线的金属层在靠近阵列基板衬底的方向位于同一水平高度，但是不同膜厚的金属层在远离衬底的方向上位于不同的水平高度。
图3为本申请实施例一提供的阵列基板沿图1中A线的的剖面示意图。如图3所示，对应于图1第一侧子区域132和第二侧子区域133的扇出走线所在第一金属层321和中间子区域131的扇出走线所在第二金属层322在靠近阵列基板衬底基板310的方向位于同一水平高度，但是由于中间子区域的扇出走线的长度较小，因此为了使不同子区域的扇出走线的阻抗趋近相同，第一金属层321的膜厚度大于第二金属层322，因此两者在远离衬底基板310的方向上位于不同的水平高度。
由于扇出走线所在金属层在靠近衬底方向上需要与绝缘层330接触，该实施例中不同子区域的扇出走线在衬底基板310上不重叠，因此扇出区域内的扇出走线与同一绝缘层330直接接触。
需要说明的是不同子区域的扇出走线在衬底基板上不重叠时，不同子区域的扇出走线在扇出区域中水平排布，扇出走线之间可以等间隔或者不等间隔设置，在具体实施中，可以结合扇出区域的面积、数量设置扇出走线之间的间隔。
图4为本申请实施例一提供的阵列基板沿图1中B线的剖面示意图。进一步从阵列基板的分层结构而言，如图4所示，阵列基板包括衬底基板310，位于衬底基板310上的像素电路层420，像素电路层420位于显示区域，像素电路层包括有源层421、栅极金属层422，以及源漏极金属层423(源极和漏极同层设置)。
其中，栅极金属层422与有源层421之间还可设置栅绝缘层424，以使栅极金属层422与有源层421之间相互绝缘，此栅绝缘层424可采用无机材料制作而成，例如，氧化硅、氮化硅等无机材料。源漏极金属层423可包括金属材料或者合金材料，例如由钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层，例如钛、铝、钛三层金属叠层(Ti/Al/Ti)等。
举例而言，此衬底基板可为单层结构，该衬底基板的材料可为玻璃；但不限于此，此衬底基板还可多层结构；且衬底基板的材料不限于玻璃，也可为其他材料，例如：聚酰亚胺(PI)等材料，视具体情况而定。
为了减少阵列基板的金属层的层数和体积，本实施例中不同导电率和/或不同膜厚度的金属层与源漏极金属层同层设置。
从阵列基板的功能部件而言，阵列基板的显示区域包括衬底基板和多个沿行方向和列方向阵列排布的子像素单元，多行栅线(也称为扫描线)、多行公共线及多列数据线。子像素单元可包括像素电极、公共电极及晶体管。
当扫描线和数据线均需要扇出走线与外接驱动芯片连接时，扫描线和数据线对应的扇出走线可以位于不同导电率和/或不同膜厚度的金属层，扫描线对应的扇出走线位于栅极金属层，数据线对应的扇出走线位于源漏极金属层。
然而，扫描线对应的栅极驱动电路还可以通过GOA(Gate on Array)技术制作在显示区周围的基板上，代替外接栅极驱动电路完成扫描线的驱动，即扫描线不需要扇出走线连接至栅极驱动电路，不存在扇出走线上信号不均一的问题，但是由于扫描线的阻抗较大导致的扫描信号延迟问题，可以通过增加扫描线的线宽或者扫描线所在金属层的膜厚度改善扫描线信号延迟的问题。
晶体管可为底栅型，即：栅极可先形成在衬底基板上，此栅极可包括金属材料或者合金材料，例如包括钼、铝及钛等，以保证其良好的导电性能；然后，再在衬底基板上形成栅绝缘层，此栅绝缘层覆盖栅极；之后在栅绝缘层背离衬底基板的一侧形成有源层，即：有源层位于栅极远离衬底基板的一侧，此有源层与栅极在衬底基板上的正投影存在交叠，示例的，有源层在衬底基板上的正投影可位于栅极在衬底基板上的正投影内；源电极和漏电极可在形成有源层之后形成，其中，漏电极的第一端可位于有源层远离衬底基板的一侧并与有源层在衬底基板上的正投影存在交叠，漏电极的第一端可与有源层直接接触，漏电极的第二端可位于子像素区以与像素电极连接；源电极的第一端可位于有源层远离衬底基板的一侧并与有源层在衬底基板上的正投影存在交叠，源电极的第一端与有源层直接接触，源电极的第二端与有源层在衬底基板上的正投影不存在交叠，且源电极的第二端与数据线连接。
需要说明的是，本实施例提到的直接接触指的是两个部件之间无其他膜层并直接贴合在一起，即：两个部件不需要通过其他结构(例如：转接过孔)连接。
此外，还需要说明的是，本实施例的晶体管不限于前述提到的底栅型，还可为顶栅型，即：栅极在形成有源层之后且在形成源电极和漏电极之前形成，应当理解的是，在栅极和有源层及栅极和源、漏电极之间分别形成有一层栅绝缘层；在晶体管为顶栅型时，源电极和漏电极可分别通过转接过孔(即：贯穿两层栅绝缘层的转接过孔)与有源层的相对两端连接。
在本实施例中，像素电极可在形成有源层之后且在形成源电极和漏电极之前形成在栅绝缘层上；此像素电极在衬底基板上的正投影与有源层在衬底基板上的正投影不存在交叠，并与漏电极的第二端在衬底基板上的正投影重叠；其中，漏电极的第二端与像素电极直接接触，也就是说，像素电极与漏电极的第二端之间无其他膜层并直接贴合在一起，即：像素电极与漏电极的第二端之间无需通过转接过孔连接。
举例而言，本实施例的像素电极的材料与前述提到的漏电极的材料不同，此像素电极可为透明电极，其材料可为ITO(氧化铟锡)材料，但不限于此，也可采用氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等透明材料制作而成。
需要说明的是，本实施例的像素电极不限于前述提到的在形成源电极和漏电极之前形成，也可在源电极和漏电极之后形成。
应该理解的是，在本公开中，“同层设置”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。即一次构图工艺对应一道掩模板(mask，也称光罩)。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。从而简化制作工艺，节省制作成本，提高生产效率。
需要说明的是，不同子区域的扇出走线也可以在衬底基板的投影有重叠，即位于不同水平高度的金属层，不同金属层通过转接孔与数据线对应的源漏极金属层电连接，以充分利用扇出区域衬底基板上的立体空间，进一步减少阵列基板的扇出区域的面积，实现阵列基板窄边框设计。相应的，由于阵列基板金属层层数增加，阵列基板在制作工艺的复杂度会上升。
本实施例通过将扇出走线设置于不同导电率和/或不同膜厚度的金属层，扇出走线对应的金属层与显示区域中数据线电连接，在解决阵列基板非显示区域显示不均的技术问题，提升阵列基板显示效果。
实施例二
为了确定不同子区域扇出走线的膜厚度，以减少不同区域内不同扇出走线的阻抗的差异，图5为根据本申请实施例提供的一种扇出走线的设计方法。如图5所示，该方法至少包括以下步骤。
步骤510：通过显示面板设计软件模拟各子区域的扇出走线位于相同膜厚度的金属层。
作为后续调整各子区域膜厚度的参照，在利用显示面板设计软件中设计阵列基板时，设置扇出区域各子区域的膜厚度相同，此时不同子区域的扇出走线可以位于相同导电率或者不同导电率的金属层。
步骤520：获取各子区域的扇出走线的模拟平均阻抗。
在具体实施中，可以通过在显示面板设计软件中选中某扇出走线的起始端即与数据驱动芯片对应的焊盘端子连接的一端和结束端即与数据线连接的一端，得到该扇出走线的阻抗，再通过求和平均，进而得到各子区域的扇出走线的模拟平均阻抗。
步骤530：根据模拟平均阻抗，确定各子区域扇出走线的膜厚度，其中各子区域扇出走线的膜厚度与对应的模拟平均阻抗正相关。
在得到各子区域的模拟平均阻抗后，结合各子区域扇出走线的膜厚度应该与对应的模拟平均阻抗正相关，确定各子区域扇出走线的膜厚度。
举例而言，将扇出区域的子区域划分为中间子区域、对称位于中间子区域两侧的第一侧子区域和第二侧子区域，中间子区域的扇出走线位于铝金属层，第一侧子区域和第二侧子区域的扇出走线位于铜金属层，那么铝金属层的膜厚度为600nm，铜金属层的膜厚度为500nm。
本实施例通过显示面板设计软件模拟扇出走线位于相同膜厚度的金属层，得到各子区域的扇出走线的模拟平均阻值，从而确定不同子区域的膜厚度，解决阵列基板非显示区域显示不均的技术问题，提升阵列基板显示效果。
实施例三
在上述通过调整扇出走线导电率和膜厚度以改善阵列基板显示不均的基础上，不同位置的扇出走线还可能存在阻抗差异，为了进一步解决不同位置的扇出走线的阻抗不同导致扇出区域显示不均的问题，本申请实施例还提供了一种阵列基板驱动方法，如图6所示，该方法至少包括以下步骤。
步骤610：获取各子区域内扇出走线的平均阻抗。
在具体实施中，逐个测量扇出走线的阻抗以获得平均阻抗较为繁琐，可以等间隔选取各子区域中预设数量的扇出走线，作为待测扇出走线；然后获取各子区域内待测扇出走线的平均阻抗，并将平均阻抗作为所述各子区域内扇出走线的平均阻抗。
步骤620：根据平均阻抗，确定各子区域内扇出走线对应的驱动电压。
各子区域对应的驱动电压与其对应的平均阻抗成反比，该子区域的平均阻抗越大，其对应的驱动电压越大，以使各子区域的扇出走线的电流趋近相同。
步骤630：将各子区域对应的驱动电压施加至各子区域对应扇出走线。在具体实施中，可以通过调节阵列基板中的驱动芯片的输出，使驱动芯片针对不同的子区域输出不同的驱动电压，即不同电压幅值的数据信号。
需要说明的是，子区域划分的精细度越高，驱动电压改善各子区域电流越精准，本申请实施例中在设置扇出走线对应的金属层的导电率和/或膜厚度时，可以与此时设置不同子区域的驱动电压时划分子区域的划分数量不同。举例而言，在确定导电率和/或膜厚度环节，将图1中扇出区域的子区域划分为中间子区域131、对称位于中间子区域两侧的第一侧子区域132和第二侧子区域133，中间子区域131的扇出走线位于铝金属层，第一侧子区域132和第二侧子区域133的扇出走线位于铜金属层，那么铝金属层的膜厚度为600nm，铜金属层的膜厚度为500nm；在确定驱动电压的环节，进一步分别将第一侧子区域132划分为第三子区域1321和第四子区域1322，将第二侧子区域133划分为第五子区域1331和第六子区域1332，即将整个扇出区域划分为五个子区域，分别针对五个子区域施加驱动电压。
相应的，子区域划分的精细度越高，数据驱动芯片需要越多种电平的驱动信号，对于数据驱动芯片复杂度的要求增高。在具体实施中，可以结合数据驱动芯片的驱动信号输出能力和阵列基板中非显示区域的显示效果综合设置子区域的划分数量。
本申请实施例，将扇出走线设置于不同导电率和/或不同膜厚度的金属层并且根据在各子区域扇出走线的平均阻抗分别施加驱动电压，使各子区域的扇出走线电流趋近相同，从使电连接扇出走线的数据线上的电流趋近，解决阵列基板非显示区域显示不均的技术问题，提升阵列基板的显示效果。
实施例四
在上述阵列基板的基础上，本申请实施例还提供了一种显示面板，如图7示，其包括前述任一实施例提到的阵列基板710，且显示面板还可包括与阵列基板710对盒设置的对置基板720及位于阵列基板710与对置基板之间的液晶层730。此液晶层的液晶分子可为负性液晶，以提高透过率，但不限于此，也可为正性液晶。
根据本公开的实施例，该显示面板的具体类型不受特别的限制，本领域常用的显示面板类型均可，具体例如电视、VR装置等等，本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。
需要说明的是，该显示面板除了前述提到的阵列基板、对置基板及液晶层以外，还包括其他必要的部件和组成，以显示器为例，还可包括背光模组、外壳、主电路板、电源线，等等，本领域技术人员可根据该显示面板的具体使用要求进行相应地补充，在此不再赘述。
应当注意，尽管在上文详细描述中提及了用于动作执行的设备的若干模块或者单元，但是这种划分并非强制性的。实际上，根据本公开的实施方式，上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之，上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。
此外，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
Claims (10)
1.一种阵列基板，包括显示区域和非显示区域，其特征在于，所述非显示区域的扇出区域包括多个子区域，各子区域分别设置有多条扇出走线，不同子区域的扇出走线位于不同导电率的金属层，所述金属层的导电率与不同子区域的扇出走线的长度正相关，和/或不同子区域的扇出走线位于不同膜厚度的金属层，所述金属层的膜厚度与不同子区域的扇出走线的长度正相关。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述不同子区域的扇出走线间隔设置且在衬底基板上的投影不重叠。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述非显示区域包括多组扇出区域，各组扇出区域中各子区域的相对位置相同。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述扇出区域的子区域包括中间子区域、对称位于所述中间子区域两侧的第一侧子区域和第二侧子区域。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述中间子区域的扇出走线位于第一金属层，所述第一侧子区域和第二侧子区域的扇出走线位于第二金属层，所述第二金属层的导电率大于所述第一金属层的导电率和/或所述第二金属层的膜厚度大于所述第一金属层的膜厚度。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述扇出走线的线宽相同。
7.一种阵列基板驱动方法，其特征在于，应用于如权利要求1-6任一项所述的阵列基板，所述驱动方法包括：
获取各子区域内扇出走线的平均阻抗；
根据所述平均阻抗，确定各子区域内扇出走线对应的驱动电压；
将各子区域对应的驱动电压施加至各子区域对应扇出走线。
8.如权利要求7所述的阵列基板驱动方法，其特征在于，所述获取各子区域内扇出走线的平均阻抗，包括：
等间隔选取各子区域中预设数量的扇出走线，作为待测扇出走线；
获取各子区域内待测扇出走线的平均阻抗，并将所述平均阻抗作为所述各子区域内扇出走线的平均阻抗。
9.一种扇出走线的设计方法，其特征在于，应用于如权利要求1-6任一项所述的阵列基板，所述设计方法包括：
通过显示面板设计软件模拟所述显示面板各子区域的扇出走线位于相同膜厚度的金属层；
获取所述各子区域的扇出走线的模拟平均阻抗；
根据所述模拟平均阻抗，确定各子区域扇出走线的膜厚度，其中，各子区域扇出走线的膜厚度与对应的模拟平均阻抗正相关。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板，与所述阵列基板对盒设置的对置基板以及位于所述阵列基板与所述对置基板之间的液晶层。
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