CN114629463A - 集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构及其制作方法，该封装结构包括玻璃基板和多个滤波器芯片，两者之间相对设置并通过导电键合物连接以形成空腔，滤波器芯片的谐振区设置在空腔中，通过玻璃基板上的基板焊盘、金属互连结构与滤波器芯片的芯片焊盘实现电性互连，并在玻璃基板上设有与金属互连结构连接的电感结构，将电感结构与滤波器芯片进行集成，玻璃基板上的金属互连结构上设有覆盖在基板焊盘以外区域上的钝化层，钝化层的上表面高于基板焊盘的上表面以形成对位区域，因此可以确保滤波器芯片对位键合到玻璃基板上，并且在玻璃基板和滤波器芯片上方还设置了保护层，提高器件的可靠性，集成3D电感可避免额外的寄生效应。

Description

集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构及其制作方法

技术领域

本发明涉及滤波器封装领域，尤其涉及一种集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构及其制作方法。

背景技术

随着无线通信行业的快速发展，推动着滤波器市场快速增长，随着物联网接入、其他新的近场连接方式的产生，滤波器需求还将增大。滤波器在射频前端芯片中的应用范围十分广泛，双工器(Duplexer)和多工器(Multiplexer)内部的核心器件也是声表面波滤波器(SAW)和体声波滤波器(BAW)，因此随着移动通信模式和频段的增加，射频前端器件中的滤波器数量增长最快。

为了让滤波器中的声波在无干扰的情况下进行传播，滤波器的谐振功能区不能与其他外物接触或覆盖，需要在谐振功能区上方制作一个空腔，由于空腔的存在导致封装后的滤波器器件体积较大，也给射频前端系统的小型化制造了巨大的障碍。随着移动通信模式和频段的增加，对滤波器的要求也相应提高，需要滤波器具有更好的性能，更小的尺寸，更轻的重量和更低的成本。传统的滤波器一般封装在PCB基板或者陶瓷基板上采用金球倒装技术、芯片尺寸级声表封装(CSSP)等方式，产品的可靠性对基板及密封盖平整度要求严苛，容易引起失效；且现有封装厚度较厚，不满足当前射频模块的要求。

分立器件(如电容或电感)目前主要是通过SMT表面贴装工艺焊接到基板上。整体模块由于涉及引线键合和SMT表面装贴不同连接方法，导致组装工序复杂，对加工效率和成品率带来不利影响；例如，在QFN或FC封装中，射频信号需通过键合引线或封装基板进行传输，从塑封体内部传输至塑封体外部的距离较长，会产生较高的寄生效应，从而影响模块整体性能稳定性，难以实现最优的封装设计。

随着先进封装技术的发展，扇出型封装受到广泛的关注。扇出型封装将裸die直接在晶圆上封装，可集成多颗芯片和无源器件，且晶圆上的RDL层既可以向内走线，也可以向外走线，从而可以实现更多的I/O，更薄的封装以及更高的集成度，但是扇出型技术面临的主要挑战就是晶圆的翘曲以及芯片偏移问题，给后续的RDL层的光刻和芯片对准带来了挑战，亟须解决。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的不足，提供一种集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构及其制作方法，采用先形成RDL和钝化层后塑封的扇出封装方式可有效解决晶圆的翘曲以及芯片偏移问题，可集成多款芯片及无源器件且可实现更薄的尺寸封装和更好的可靠性。

为了实现以上目的，本发明的技术方案为：

一种集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，包括玻璃基板以及与所述玻璃基板相对设置并且中间存在空腔的多个滤波器芯片，所述玻璃基板和滤波器芯片靠近所述空腔的一面为第一表面，远离所述空腔的一面为第二表面，所述滤波器芯片的第一表面包括设置在所述空腔内的谐振区以及所述谐振区以外的非谐振区，所述玻璃基板上设有贯穿第一表面和第二表面的通孔，投影区域在所述滤波器芯片的所述非谐振区上的所述通孔内填充金属并且所述金属延伸至所述玻璃基板的第一表面和第二表面形成金属互连结构，所述玻璃基板上设有与金属互连结构连接的电感结构，所述金属互连结构的表面设有键合区以及设置在所述键合区以外的钝化层，所述钝化层延伸覆盖至所述玻璃基板的第一表面和第二表面，在所述玻璃基板的第一表面上方的所述键合区与所述滤波器芯片的所述非谐振区之间通过导电键合物连接，所述滤波器芯片的第二表面上设有保护层，并且所述保护层从所述滤波器芯片的第二表面延伸覆盖至所述玻璃基板的第一表面。

在一些实施例中，所述钝化层在所述玻璃基板的第一表面的覆盖范围超出所述滤波器芯片在所述玻璃基板上的投影区域。

在一些实施例中，所述滤波器芯片的第一表面与所述玻璃基板的第一表面上的钝化层的上表面之间的距离为5-20μm。

在一些实施例中，所述钝化层的覆盖范围位于所述保护层在所述玻璃基板上的投影区域内。

在一些实施例中，所述电感结构在所述滤波器芯片上的投影区域位于所述空腔在所述滤波器芯片的投影区域内。

在一些实施例中，所述电感结构为所述通孔内填充的金属及其两端分别与在所述玻璃基板的第一表面和第二表面延伸形成的金属层连接所构成的三维电感。

在一些实施例中，所述电感结构为在所述玻璃基板的第一表面和/或第二表面上设有的螺旋状平面电感。

在一些实施例中，所述导电键合物的厚度为5-50μm。

在一些实施例中，所述导电键合物为锡球、金球或金属柱，所述玻璃基板的第一表面上方的所述键合区上设有基板焊盘，所述滤波器芯片的所述非谐振区上设有芯片焊盘。

在一些实施例中，所述钝化层的上表面比所述基板焊盘的上表面高至少5μm。

在一些实施例中，所述空腔设在所述钝化层的上表面与所述滤波器芯片之间，所述空腔的高度为5-20μm。

在一些实施例中，所述钝化层的材料为干膜或光刻胶，所述保护层的材料为塑封料。

一种基于上述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构的制作方法，包括以下步骤：

1)提供玻璃基板，并在所述玻璃基板上制作贯穿所述玻璃基板的第一表面和第二表面的通孔；

2)于投影区域在所述滤波器芯片的非谐振区上的所述通孔内填充金属并且所述金属延伸至所述玻璃基板的第一表面和第二表面上形成金属互连结构，于所述玻璃基板上制作与金属互连结构连接的电感结构；

3)于所述金属互连结构的表面制作基板焊盘，于所述玻璃基板的第一表面和第二表面上制作钝化层，所述钝化层从所述玻璃基板的第一表面和第二表面延伸覆盖至所述金属互连结构表面的所述基板焊盘以外的区域；

4)提供多个滤波器芯片，在所述滤波器芯片的谐振区以外的区域焊盘上制作导电键合物；

5)将所述滤波器芯片的所述导电键合物对位键合到所述玻璃基板的基板焊盘上；

6)在所述玻璃基板的第一表面、钝化层和所述滤波器芯片的第二表面上方制作保护层。

在一些实施例中，所述步骤3中的钝化层的上表面比所述基板焊盘的上表面高至少5μm，并且在所述玻璃基板上形成对位区域。

在一些实施例中，所述导电键合物为锡球、金球或金属柱，所述步骤5中采用回流焊将所述锡球、金球或金属柱焊接到所述基板焊盘上。

在一些实施例中，所述电感结构在所述滤波器芯片上的投影区域位于所述空腔在所述滤波器芯片的投影区域内。

在一些实施例中，所述步骤2中于所述玻璃基板上制作与金属互连结构连接的电感结构，具体包括：于所述玻璃基板上的所述通孔内填充的金属，并将所述通孔内金属的两端分别与所述玻璃基板的第一表面和第二表面延伸形成的金属层连接。

在一些实施例中，所述步骤2中于所述玻璃基板上制作与金属互连结构连接的电感结构，具体包括：于所述玻璃基板的第一表面和/或第二表面上设有的螺旋状平面电感。

相比于现有技术，本发明的有益效果为：

(1)本发明的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构设置了钝化层与基板焊盘表面的高度差能够实现键合时的准确对位，且先形成RDL和钝化层后塑封，有效解决扇出型滤波器芯片偏移问题。

(2)本发明的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构采用玻璃基板，玻璃基板制作流程简易，不易发生翘曲，可靠性高，并且可以实现超薄封装。

(3)本发明的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构可将多款滤波器芯片与电感结构集成在一起，可避免额外的寄生效应，提高芯片性能的稳定性，电感结构制作在玻璃基板上使其Q值更好且损耗更小，并且可以有效利用玻璃基板的空间位置，缩小器件的体积，实现更高的集成度。

(4)本发明的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构具有体积小、射频滤波性能好且可靠性高的优点，同时可以大幅优化生产工艺流程、降低产品成本。

附图说明

图1为本申请的实施例一的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构的示意图；

图2a-2g为本申请的实施例一的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构的制作方法的工艺流程示意图；

图3为本申请的实施例二的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构的示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明做进一步解释。本发明的各附图仅为示意以更容易了解本发明，其具体比例可依照设计需求进行调整。文中所描述的图形中相对元件的上下关系以及正面/背面的定义，在本领域技术人员应能理解是指构件的相对位置而言，因此皆可以翻转而呈现相同的构件，此皆应同属本说明书所揭露的范围。

实施例一

参考图1，本申请的实施例提出的一种集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，包括包括玻璃基板2以及与所述玻璃基板2相对设置并且中间存在空腔1的多个滤波器芯片3，玻璃基板2和滤波器芯片3之间通过导电键合物4键合在一起。所述玻璃基板2和滤波器芯片3靠近所述空腔1的一面为第一表面，远离所述空腔1的一面为第二表面，在所述滤波器芯片3的第一表面上设有在所述空腔1内的谐振区31以及所述谐振区31外的非谐振区。滤波器芯片3可以是表面声波滤波器芯片(Surface Acoustic Wave，SAW)，但不局限于此，且可以是多个相同型号或不同型号的滤波器芯片集成。所述滤波器芯片3的第一表面的谐振区31需要在无外物接触或是覆盖情况下才能正常工作，也就是说，需要在滤波器芯片3的下方形成一个空腔1以保护该谐振区31。本发明的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构可将多款滤波器芯片与电感结构集成在一起，可避免额外的寄生效应，提高芯片性能的稳定性，电感结构制作在玻璃基板上使其Q值更好且损耗更小，并且可以有效利用玻璃基板的空间位置，缩小器件的体积，实现更高的集成度。

在具体的实施例中，所述玻璃基板2上设有贯穿第一表面和第二表面的通孔21，所述通孔21内填充金属并且所述金属延伸至所述玻璃基板2的第一表面和第二表面形成金属互连结构22，优选地，金属互连结构22在所述玻璃基板2的第一表面和第二表面所延伸的区域相互对称。所述玻璃基板2上设有与金属互连结构22连接的电感结构6。所述电感结构6为所述通孔21内填充的金属及其两端分别与在所述玻璃基板2的第一表面和第二表面延伸形成的金属层连接所构成的三维电感，将电感结构6制作在玻璃基板2上可避免额外的寄生效应，提高芯片性能的稳定性，且具备损耗小和Q值高的优势。并且所述滤波器芯片3的非谐振区上设有芯片焊盘32，所述金属互连结构22的表面设有基板焊盘23，金属互连结构22与基板焊盘23、导电键合物4及芯片焊盘32之间形成导电通路，因此将玻璃基板2和滤波器芯片3之间形成电性互连，通过金属互连结构22进一步电性连接至玻璃基板2的第二表面，最终通过玻璃基板2的第二表面上的基板焊盘23实现与外部的电性连接。也就是，所述玻璃基板2的第一表面上的基板焊盘23与所述滤波器芯片3的第一表面上的芯片焊盘32之间通过导电键合物4连接以实现所述滤波器芯片3与所述金属互连结构22之间的电性互连。不仅如此，金属互连结构22还将电感结构6和滤波器芯片3实现电性互连，使器件成为电感与滤波器集成的器件，并且所述电感结构6在所述滤波器芯片3上的投影区域位于所述空腔1在所述滤波器芯片3的投影区域内，因此不会额外占用器件的面积，可以有效缩小器件的体积。所述导电键合物4的厚度为5-50μm，使得玻璃基板2和滤波器芯片3之间形成空腔1。导电键合物4可以为锡球、金球、金属柱或者其他金属、金属间化合物、聚合物导电键合物。若导电键合物4为锡球、金球或金属柱，则通过回流实现焊接，若导电键合物4为其他金属、金属间化合物或聚合物导电键合物，则采用相应的键合方式进行键合，所述基板焊盘23和所述芯片焊盘32也可以根据导电键合物4的材料和键合方式进行选择。导电键合物4不仅起到粘接和支撑玻璃基板2和滤波器芯片3的作用，还能够起到电性连接的作用。另外，所述金属互连结构22在所述滤波器芯片3上的投影区域在所述谐振区31外，可以起到降低寄生电容的作用，并且避免影响滤波器芯片3的谐振区31的谐振滤波性能。由于采用玻璃基板2作为封装基板，因此可以做到超薄封装体。

具体地，在金属互连结构22上还设有钝化层24，所述钝化层24分别从所述玻璃基板2的第一表面和第二表面延伸覆盖至所述金属互连结构22表面的所述基板焊盘23以外的区域。具体地，所述钝化层24的材料为干膜或光刻胶。所述钝化层24的上表面比所述基板焊盘23的上表面高，两者的高度差至少为5μm，并且在所述玻璃基板2上形成对位区域。所述空腔1设在所述钝化层24的上表面与所述滤波器芯片3之间，所述空腔1的高度为5-20μm。所述钝化层24在所述基板焊盘23的周围与所述基板焊盘23形成具有一定高度差的台阶结构，因此可以形成对位区域以确保滤波器芯片3在键合过程中实现对位，使基板焊盘23、芯片焊盘32和导电键合物4之间一一对应，解决扇出型滤波器芯片键合时的偏移问题。不仅如此，钝化层24还可以避免水汽进入器件内部，起到避免金属互连结构22和导电键合物4被腐蚀的作用，从而提高器件的可靠性。在玻璃基板2与滤波器芯片3之间的金属互连结构22、基板焊盘23、导电键合物4和芯片焊盘32可以支撑玻璃基板2与滤波器芯片3，并且在玻璃基板2与滤波器芯片3之间构成谐振区31下方的空腔1，使封装结构的可靠性大大提升。

在具体的实施例中，所述滤波器芯片3的第二表面上设有保护层5，所述保护层的材料为塑封料。并且所述保护层5从所述滤波器芯片3的第二表面延伸覆盖至所述玻璃基板2的第一表面并且包覆住所述玻璃基板2的第一表面的钝化层24，因此所述玻璃基板2的第一表面的钝化层24不会从保护层5中裸露出来，器件的可靠性更高，并且避免保护层5流入到滤波器芯片3内部的功能区域从而导致滤波器性能变差。具体地，所述钝化层24在所述玻璃基板2的第一表面的覆盖范围超出所述滤波器芯片3在所述玻璃基板2上的投影区域，所述钝化层24在所述玻璃基板2的第一表面的投影边界超出所述滤波器芯片3在所述玻璃基板2上的投影边界。具体地，远离所述空腔1一侧的钝化层24的侧边超出所述滤波器芯片3的侧边，靠近所述空腔1一侧的钝化层24在所述滤波器芯片3的投影区域位于非谐振区内。所述钝化层24的覆盖范围位于所述保护层5在所述玻璃基板2上的投影区域内。所述滤波器芯片3的第一表面与所述玻璃基板2的第一表面上的钝化层24的上表面之间的距离为5-20μm。此时，保护层5可以将钝化层24完全包覆住，并且钝化层24对保护层5具有良好的隔绝作用，避免保护层5流入空腔1，从而影响滤波器芯片3的谐振性能。并且保护层5也可以起到保护滤波器芯片3不受外部环境污染，避免水汽侵蚀，从而提高器件可靠性。

与上述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构相对应地，参考图2a-2g和图1，本申请的实施例还提出一种基于上述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构的制作方法，包括以下步骤：

(1)参考图2a和2b，提供玻璃基板2，并在所述玻璃基板2上制作贯穿所述玻璃基板2的第一表面和第二表面的通孔21，具体地，该通孔21可以为采用激光诱导玻璃变性及湿法刻蚀形成的TGV通孔。

(2)参考图2c，采用光刻结合电镀工艺在所述通孔21内填充金属并且所述金属延伸至所述玻璃基板2的第一表面和第二表面上形成金属互连结构22，并且在所述玻璃基板2上的所述通孔21内填充的金属，并将所述通孔21内金属的两端分别与所述玻璃基板2的第一表面和第二表面延伸形成的金属层连接，所述电感结构6在所述滤波器芯片3上的投影区域位于所述空腔1在所述滤波器芯片3的投影区域内，因此不需要占用太大的面积，可以减小器件的体积。

(3)参考图2d，在所述金属互连结构22上制作基板焊盘23，在所述玻璃基板2的第一表面和第二表面上采用光刻工艺形成厚度为15-20μm的钝化层24，所述钝化层24的上表面比所述基板焊盘23高至少5μm，因此形成键合时候滤波器芯片3与玻璃基板2对合的对位区域，所述钝化层24从所述玻璃基板2的第一表面和第二表面延伸覆盖至所述金属互连结构22表面的所述基板焊盘23以外的区域。

(4)参考图2e和2f，提供多个滤波器芯片3，在所述滤波器芯片3的谐振区31以外的区域上焊盘32上制作高度为5-50μm的导电键合物4，导电键合物4可以为锡球、金球或金属柱，也可以是其他金属、金属间化合物或聚合物导电键合物。

(5)参考图2g，将步骤4制作的多个滤波器芯片3倒置后与步骤3制作的玻璃基板2对合，由于玻璃基板2上存在对位区域，因此所述滤波器芯片3的导电键合物4可以对位键合到所述玻璃基板2的基板焊盘23上，具体地，当导电键合物4为锡球、金球或金属柱，采用回流焊将所述锡球、金球或金属柱焊接到所述基板焊盘23上；若导电键合物4是其他金属、金属间化合物或聚合物导电键合物，则采用相应的键合方式，键合完成后，所述滤波器芯片3的第一表面与所述玻璃基板2的第一表面上的钝化层24的上表面之间的距离为5-20μm。本发明可将多款滤波器芯片与电感结构集成在一起，可避免额外的寄生效应，提高芯片性能的稳定性，电感结构制作在玻璃基板上使其Q值更好且损耗更小，并且可以有效利用玻璃基板的空间位置，缩小器件的体积，实现更高的集成度。

(6)参考图1，在所述玻璃基板2的第一表面、钝化层24和所述滤波器芯片3的第二表面上方制作保护层5，保护层5的材料是塑封料，可以起到保护滤波器芯片3不受外部环境污染，提高器件可靠性的作用。

本发明的滤波器芯片封装结构具有体积小、射频滤波性能好且可靠性高的优点，同时可以大幅优化生产工艺流程、降低产品成本。

实施例二

实施例二与实施例一的区别在于：参考图3，本申请的实施例二的电感结构6’为在所述玻璃基板2的第一表面和/或第二表面上设有的螺旋状平面电感。除了金属互连结构22所需要的通孔21，在玻璃基板2的其他位置不需要制作通孔21。该螺旋状平面电感可以设置在所述玻璃基板2的第一表面，也可以设置在所述玻璃基板2的第二表面，电感制作在玻璃基板2上能够具有非常好的Q值，并且与滤波器巧妙地集成在一起，并不占用太多的面积。

相应的，所述步骤2中于所述玻璃基板上制作与金属互连结构连接的电感结构6’，具体包括：于所述玻璃基板2的第一表面和/或第二表面上设有的螺旋状平面电感。其余与实施例一相同。

上述实施例仅用来进一步说明本发明的一种集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构及其制作方法，但本发明并不局限于实施例，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均落入本发明技术方案的保护范围内。

Claims (18)

1.一种集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：包括玻璃基板以及与所述玻璃基板相对设置并且中间存在空腔的多个滤波器芯片，所述玻璃基板和滤波器芯片靠近所述空腔的一面为第一表面，远离所述空腔的一面为第二表面，所述滤波器芯片的第一表面包括设置在所述空腔内的谐振区以及所述谐振区以外的非谐振区，所述玻璃基板上设有贯穿第一表面和第二表面的通孔，投影区域在所述滤波器芯片的所述非谐振区上的所述通孔内填充金属并且所述金属延伸至所述玻璃基板的第一表面和第二表面形成金属互连结构，所述玻璃基板上设有与所述金属互连结构连接的电感结构，所述金属互连结构的表面设有键合区以及设置在所述键合区以外的钝化层，所述钝化层延伸覆盖至所述玻璃基板的第一表面和第二表面，在所述玻璃基板的第一表面上方的所述键合区与所述滤波器芯片的所述非谐振区之间通过导电键合物连接，所述滤波器芯片的第二表面上设有保护层，并且所述保护层从所述滤波器芯片的第二表面延伸覆盖至所述玻璃基板的第一表面。

2.根据权利要求1所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述钝化层在所述玻璃基板的第一表面的覆盖范围超出所述滤波器芯片在所述玻璃基板上的投影区域。

3.根据权利要求1所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述滤波器芯片的第一表面与所述玻璃基板的第一表面上的钝化层的上表面之间的距离为5-20μm。

4.根据权利要求1所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述钝化层的覆盖范围位于所述保护层在所述玻璃基板上的投影区域内。

5.根据权利要求1所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述电感结构在所述滤波器芯片上的投影区域位于所述空腔在所述滤波器芯片的投影区域内。

6.根据权利要求5所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述电感结构为所述通孔内填充的金属及其两端分别与在所述玻璃基板的第一表面和第二表面延伸形成的金属层连接所构成的三维电感。

7.根据权利要求5所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述电感结构为在所述玻璃基板的第一表面和/或第二表面上设有的螺旋状平面电感。

8.根据权利要求1所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述导电键合物的厚度为5-50μm。

9.根据权利要求1所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述导电键合物为锡球、金球或金属柱，所述玻璃基板的第一表面上方的所述键合区上设有基板焊盘，所述滤波器芯片的所述非谐振区上设有芯片焊盘。

10.根据权利要求9所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述钝化层的上表面比所述基板焊盘的上表面高至少5μm。

11.根据权利要求10所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述空腔设在所述钝化层的上表面与所述滤波器芯片之间，所述空腔的高度为5-20μm。

12.根据权利要求1所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构，其特征在于：所述钝化层的材料为干膜或光刻胶，所述保护层的材料为塑封料。

13.一种基于权利要求1-12中任一项所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构的制作方法，其特征在于包括以下步骤：

1)提供玻璃基板，并在所述玻璃基板上制作贯穿所述玻璃基板的第一表面和第二表面的通孔；

2)于投影区域在所述滤波器芯片的非谐振区上的所述通孔内填充金属并且所述金属延伸至所述玻璃基板的第一表面和第二表面上形成金属互连结构，于所述玻璃基板上制作与所述金属互连结构连接的电感结构；

3)于所述金属互连结构的表面制作基板焊盘，于所述玻璃基板的第一表面和第二表面上制作钝化层，所述钝化层从所述玻璃基板的第一表面和第二表面延伸覆盖至所述金属互连结构表面的所述基板焊盘以外的区域；

4)提供多个滤波器芯片，在所述滤波器芯片的谐振区以外的区域焊盘上制作导电键合物；

5)将多个滤波器芯片的所述导电键合物对位键合到所述玻璃基板的基板焊盘上；

6)在所述玻璃基板的第一表面、钝化层和所述滤波器芯片的第二表面上方制作保护层。

14.根据权利要求13所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构的制作方法，其特征在于：所述步骤3中的钝化层的上表面比所述基板焊盘的上表面高至少5μm，并且在所述玻璃基板上形成对位区域。

15.根据权利要求13所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构的制作方法，其特征在于：所述导电键合物为锡球、金球或金属柱，所述步骤5中采用回流焊将所述锡球、金球或金属柱焊接到所述基板焊盘上。

16.根据权利要求13所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构的制作方法，其特征在于：所述电感结构在所述滤波器芯片上的投影区域位于所述空腔在所述滤波器芯片的投影区域内。

17.根据权利要求16所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构的制作方法，其特征在于：所述步骤2中于所述玻璃基板上制作与金属互连结构连接的电感结构，具体包括：于所述玻璃基板上的所述通孔内填充的金属，并将所述通孔内金属的两端分别与所述玻璃基板的第一表面和第二表面延伸形成的金属层连接。

18.根据权利要求16所述的集成电感的扇出型滤波器芯片封装结构的制作方法，其特征在于：所述步骤2中于所述玻璃基板上制作与金属互连结构连接的电感结构，具体包括：于所述玻璃基板的第一表面和/或第二表面上设有的螺旋状平面电感。

Images