CN114619514B - 一种二次钻孔工艺 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种二次钻孔工艺，二次钻孔工艺由钻孔设备实施，钻孔设备包括图像获取装置、控制器和钻机，控制器与图像获取装置和钻机分别信号连接。待二次钻孔结构需要进行二次钻孔的表面具有靶标，二次钻孔工艺具体包括：控制器根据待二次钻孔结构的靶标，通过图像获取装置确认待二次钻孔结构的待二次钻孔区域的位置；控制器再控制图像获取装置针对待二次钻孔工区域的形貌生成图像；控制器获取上述图像，并根据上述图像得到需要二次钻孔的一钻孔的实际孔位坐标；控制器根据上述实际孔位坐标来控制钻机的主轴对待二次钻孔结构的需要二次钻孔的一钻孔进行二次钻孔。该方案可以保证二次钻孔形成的孔与一钻孔之间的对准精度较高，提高产品质量。

Description

一种二次钻孔工艺

技术领域

本申请涉及电子设备技术领域，尤其涉及到一种二次钻孔工艺。

背景技术

随着科技的发展，电子设备的功能越来越丰富，也越来越趋于小型化，因此，单面电路板或者双面电路板已经无法满足需求。因此，多层电路板越来越多的应用到电子设备中，电路板内部也需要设置多层线路，以实现电路板的小型化。在多层电路板制备过程中，可以先制备具有电路图案的单层板，再将各个单层板叠压形成多层电路板。为了实现各个单层板之间电流的导通，需要在叠压后的多层电路板进行第一次钻孔，制作成导电通孔，即一钻孔。而上述一钻孔内可能具有多余的导电层，导致无需连通的电路连通，还可能存在多余的柱子结构(STUB)，影响信号的传输性能，因此需要对上述一钻孔进行二次钻孔，即背钻，以去除上述一钻孔内多余的导电层以及STUB。

而保证背钻形成的背钻孔与一钻孔之间的同轴度是保证多层板质量的重要因素。现有技术中，为了实现背钻孔与一钻孔的对准，通常利用销钉定位多层板，再利用背钻区域的靶标确定背钻区域，测量每个背钻区域的涨缩比，再根据上述涨缩比以及一钻孔原始位置信息，预估当前一钻孔的位置，之后在预估的一钻孔的位置进行背钻，形成背钻孔。该方案中，一钻孔是通过原始位置信息和涨缩比计算得到的，然而背钻区域的实际涨缩可能是不均匀的，也就是说上述涨缩比存在一定的误差，而且，一钻孔是根据原始位置信息在多层板制作的一钻孔，该一钻孔的实际位置与一钻孔的原始位置信息中的位置也存在一定的误差，导致预估到的一钻孔的位置与其实际位置存在较大的误差，背钻孔与一钻孔之间的对位也就存在较大的偏差。

发明内容

本申请提供了一种二次钻孔工艺，以提高二次钻孔形成的孔与一钻孔之间的对准精度，提高产品质量。

本申请提供了一种二次钻孔工艺，例如电路板的背钻工艺。该二次钻孔工艺针对已经具有一钻孔的待二次钻孔结构，在一钻孔的位置上进行二次钻孔的场景。上述二次钻孔工艺由钻孔设备实施，上述钻孔设备包括图像获取装置、控制器和钻机，上述控制器与图像获取装置和钻机分别信号连接，从而控制器可以用于根据图像获取装置获取的信息，来控制钻机对待二次钻孔结构进行二次钻孔。上述待二次钻孔结构需要进行二次钻孔的表面具有靶标，上述二次钻孔工艺具体包括：控制器根据待二次钻孔结构的靶标，通过图像获取装置确认待二次钻孔结构的待二次钻孔区域的位置；控制器再控制图像获取装置针对待二次钻孔工区域的形貌生成图像；控制器获取上述图像，并根据上述图像得到需要二次钻孔的一钻孔的实际孔位坐标；然后，控制器根据上述实际孔位坐标来控制钻机的主轴对待二次钻孔结构的需要二次钻孔的一钻孔进行二次钻孔。该方案中，二次钻孔设备通过获取一钻孔的实际位置，再在一钻孔的实际位置上进行二次钻孔，可以保证二次钻孔形成的孔与一钻孔之间的对准精度，提高产品质量。

上述图像获取装置的具体类型不做限制，例如图像获取装置可以为镜头，通过拍照的方式，获取待二次钻孔区域的形貌的图像；或者，图像获取装置还可以为二维扫描器，通过扫描的方式，获取待二次钻孔区域的形貌的图像。

上述靶标包括边缘靶标和待二次钻孔区域靶标，其中，边缘靶标位于待二次钻孔结构的边缘，待二次钻孔区域靶标位于待二次钻孔区域的周侧。边缘靶标用于确定待二次钻孔结构的位置，待二次钻孔区域靶标用于确定待二次钻孔区域的位置。

具体的实施例中，本申请技术方案中二次钻孔工艺，在控制器根据待二次钻孔结构的靶标，通过图像获取装置确认待二次钻孔结构的待二次钻孔区域的位置，之前，还包括在待二次钻孔结构制备靶标，或者在待二次钻孔结构定义靶标，也就是利用待二次钻孔结构本身具有的结构，来定义成靶标，从而简化二次钻孔工艺的流程。

上述图像获取装置和控制器可以设置于钻机，从而通过线上的方式获取需要二次钻孔的一钻孔的实际孔位坐标。具体的，可以先将带二次钻孔结构安装至钻机的工作台，控制器再利用图像获取装置得到需要二次钻孔的一钻孔的实际孔位坐标，以控制钻机对待二次钻孔结构进行二次钻孔。该方案中，钻孔设备的结构较为简单，控制过程较为简单。

或者，获取待二次钻孔区域的形貌的图像可以在线下完成，即待二次钻孔结构安装至钻机的工作台之前，已经通过图像获取装置获取待二次钻孔区域的形貌的图像。具体的，上述钻孔设备还包括离线测量机，控制器包括第一控制单元和第二控制单元，其中，第一控制单元和图像获取装置设置于离线测量机，第一控制单元与图像获取装置信号连接，用于控制图像获取装置获取待二次钻孔区域的形貌的图像。第二控制单元设置于钻机，且第二控制单元与钻机信号连接，以控制钻机对待二次钻孔区域的一钻孔进行二次钻孔。

具体实现上述线下测量的过程，可以先利用线下测量机仅仅针对待二次钻孔区域的形貌生成图像，第二控制单元再分析上述图像，并根据图像控制钻机进行二次钻孔。具体可以使第一控制单元根据待二次钻孔结构的靶标，通过图像获取装置确认待二次钻孔结构的待二次钻孔区域；第一控制单元控制图像获取装置针对待二次钻孔区域的形貌生成图像；第一控制单元将图像与对应的待二次钻孔结构的追溯信息关联。然后再将具有追溯信息的待二次钻孔结构安装至钻机的工作台；设置于钻机的第二控制单元读取上述追溯信息，通过追溯信息可以获取与当前待二次钻孔结构对应的图像；第二控制单元根据上述图像得到需要二次钻孔的一钻孔在钻机的系统孔位坐标，也就是第二控制单元根据图像，计算得到需要二次钻孔的一钻孔在钻机的系统孔位坐标；进而第二控制单元可以根据系统孔位坐标，控制钻机的主轴对待二次钻孔结构的需要二次钻孔的一钻孔进行二次钻孔。该方案中，可以线下获取待二次钻孔区域的形貌生成图像，从而有利于提高钻机的二次钻孔的效率。

另一种技术方案中，还可以通过离线测量机获取需要二次钻孔的一钻孔在待二次钻孔结构的实际孔位坐标，以进一步的提高二次钻孔的效率。具体的，上述第一控制单元根据待二次钻孔结构的靶标，通过图像获取装置确认待二次钻孔结构的待二次钻孔区域；第一控制单元控制图像获取装置针对待二次钻孔区域的形貌生成图像；此外，第一控制单元还可以根据图像得到需要二次钻孔的一钻孔在待二次钻孔结构的实际孔位坐标，并将上述实际孔位坐标与对应的待二次钻孔结构的追溯信息关联；然后再将待二次钻孔结构安装至钻机的工作台；第二控制单元读取追溯信息，直接获取上述实际孔位坐标；第二控制单元将实际孔位坐标映射为需要二次钻孔的一钻孔在钻机的系统孔位坐标；第二控制单元根据系统孔位坐标，控制钻机的主轴对待二次钻孔结构的需要二次钻孔的一钻孔进行二次钻孔。该方案中，较多的流程在离线测量机完成，有利于进一步提高钻机的效率。

上述追溯信息的具体类型不做限制，可以为条码、二维码或者编号信息，本申请不做限制，可以根据实际的钻孔设备来进行选择，只需能够传递信息即可。

上述二次钻孔工艺具体可以应用于电路板的背钻工艺，待二次钻孔结构即为电路板，二次钻孔工艺为背钻工艺，从而可以提高背钻孔和一钻孔之间的对准精度，提高电路板的走线密度，提高电路板的质量。

附图说明

图1为电路板的背钻结构示意图；

图2为二次钻孔出现偏差的一种结构图；

图3为二次钻孔出现偏差的另一种结构图；

图4为现有技术中二次钻孔工艺的板定位参考图；

图5为本申请实施例中二次钻孔工艺的一种流程图；

图6为本申请实施例中二次钻孔的一种结构流程图；

图7为本申请实施例中二次钻孔工艺的另一种流程图；

图8为本申请实施例中二次钻孔的另一种结构流程图；

图9为本申请实施例中二次钻孔工艺的另一种流程图；

图10为本申请实施例中二次钻孔的另一种结构流程图。

附图标记：

10-钻头； 20-主轴；

1-电路板； 11-待二次钻孔结构；

12-追溯信息； 2-一钻孔；

3-导电层； 4-孔环；

5-内层传输线路； 6-销钉；

7-待二次钻孔区域； 8-靶标；

81-边缘靶标； 82-待二次钻孔区域靶标；

9-图像获取装置。

具体实施方式

以下实施例中所使用的术语只是为了描述特定实施例的目的，而并非旨在作为对本申请的限制。如在本申请的说明书和所附权利要求书中所使用的那样，单数表达形式“一个”、“一种”、“所述”、“上述”、“该”和“这一”旨在也包括例如“一个或多个”这种表达形式，除非其上下文中明确地有相反指示。

在本说明书中描述的参考“一个实施例”或“具体的实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。

为了方便理解本申请实施例提供的二次钻孔工艺，下面首先介绍一下其应用场景。在加工工艺中，特别是电子设备中的电路板的加工工艺中，时常需要钻孔工艺，还需要在已经钻出的一钻孔的基础上，进行二次钻孔以进行扩孔或者去除孔内的部分结构。以多层板的背钻为例，背钻即为在板的一钻孔基础上，进行二次钻孔。图1为电路板背钻过程示意图，如图所示，电路板1已经具有一钻孔2，一钻孔2内部具有导电层3，钻头10对上述一钻孔2进行二次钻孔，即背钻，为了便于描述，以下统称背钻为二次钻孔。理想状态下，二次钻孔的孔的中心轴与一钻孔2的中心轴重叠，以保证二次钻孔之后电路板1的质量，例如使一钻孔2内的导电层3保留至需要的长度，以减少信号损耗，去除电路板1表面的孔环4。此外，电路板1内部具有内层传输线路5，控制二次钻孔之后孔壁到电路板内层传输线路5的距离。二次钻孔的精度直接影响了二次钻孔的孔径设计以及电路板高密出现设计时通孔之间的间距的设计，有利于提高电路板的走线密度。

图2和图3分别为二次钻孔出现偏差的后果图，如图2所示，二次钻孔相对一钻孔2偏差后，可能导致电路板1表面的孔环4存在残留，残留的孔环4附着力较差，容易脱落，可能会导致电路板1出现短路的问题。如图3所示，二次钻孔相对一钻孔2偏差较为严重时，还可能导致一钻孔2内存留导电层3，导致传输的信号受损，且二次钻孔可能钻到临近的内层传输线路5，影响内层传输线路5的完整性。

图4为现有技术中二次钻孔工艺的板定位参考图，如图4所示，现有技术中，电路板1周侧利用销钉将电路板1固定在设定位置，将电路板1划分出多个待二次钻孔区域7，每个待二次钻孔区域7具有靶标8，根据靶标8确定待二次钻孔区域7之后，测量每个待二次钻孔区域7的涨缩比，根据上述涨缩比以及原始一钻孔2的位置计算一钻孔2的位置，再根据上述计算的一钻孔2的位置进行二次钻孔。该方案中，如果一钻孔2在制备过程中出现偏差，则也会导致计算得到的一钻孔2的位置与一钻孔2的实际位置之间存在偏差。此外，待二次钻孔区域7内可能存在不均匀的涨缩比，因此，可能导致计算得到的一钻孔2的位置与一钻孔2的实际位置存在偏差，从而导致二次钻孔的孔的中心轴与一钻孔2的中心轴具有较大的偏差。

为了减少二次钻孔的孔的中心轴与一钻孔的中心轴之间的偏差，提高产品质量，本申请提供了一种二次钻孔工艺。具体的，上述二次钻孔工艺由钻孔设备实施，上述钻孔设备包括图像获取装置、控制器和钻机，上述控制器与图像获取装置和钻机分别信号连接。图5为本申请实施例中二次钻孔工艺的一种流程图，图6为本申请实施例中二次钻孔的一种结构流程图，如图5和图6所示，二次钻孔工艺的流程包括以下步骤：

步骤S101、控制器根据待二次钻孔结构11的靶标8，通过图像获取装置9确认待二次钻孔结构11的待二次钻孔区域7的位置；

具体的，靶标8可以为具有设定形状的标记，包括位于待二次钻孔结构11边缘的边缘靶标81，和位于待二次钻孔区域7的周侧的待二次钻孔区域靶标82，以便于识别待二次钻孔结构11的位置和待二次钻孔区域7的位置。控制器内存储有靶标8的信息以及理论的需要二次钻孔的一钻孔的信息，控制器根据图像获取装置9可以识别上述靶标8的位置，进而可以确定待二次钻孔结构11的待二次钻孔区域7的位置。

对于上述靶标的形成方式，本申请不做限制。可以在步骤S101之前，还包括在待二次钻孔结构11制备靶标8；或者，在待二次钻孔结构11定义靶标8，也就是利用待二次钻孔结构11本身具有的结构，来定义成靶标8，从而简化二次钻孔工艺的流程。

步骤S102、控制器控制图像获取装置9针对待二次钻孔区域7的形貌生成图像；

控制器在获取上述待二次钻孔区域7的位置之后，可以控制图像获取装置9针对生成待二次钻孔区域7的形貌形成图像，上述图像获取装置9可以为镜头，也可以为二维扫描器。其中，镜头对待二次钻孔区域7进行拍照，以获得待二次钻孔区域7的形貌图像。二维扫描器对待二次钻孔区域7进行扫描，以获得待二次钻孔区域7的形貌图像。

步骤S103、控制器获取图像，根据图像得到需要二次钻孔的一钻孔的实际孔位坐标；

上述图像中包括一钻孔的图形，控制器结合内部存储的理论的需要二次钻孔的一钻孔的信息，通过标定和计算可以得到需要二次钻孔的一钻孔的实际孔位坐标。

步骤S104、控制器根据实际孔位坐标控制钻机的主轴20对待二次钻孔结构11的一钻孔进行二次钻孔。

控制器获取上述实际孔位坐标，则可以根据实际孔位坐标控制主轴20运动至一钻孔的位置，主轴20安装有钻头10，上述钻头10具体对一钻孔进行二次钻孔。

该方案中，利用图像获取装置9生成待二次钻孔结构11的待二次钻孔区域7的图像，并对该图像进行分析处理，以获得待二次钻孔结构11的需要二次钻孔的一钻孔的实际孔位坐标，因此该方案可以获取一钻孔的实际位置，钻机对上述一钻孔的实际位置进行二次钻孔。由于直接获取了一钻孔的实际位置，因此本申请有利于减小二次钻孔的孔的中心轴与一钻孔的中心轴之间的偏差，提高二次钻孔的孔与一钻孔之间的对准精度，从而可以提高产品质量。该方案在具体应用图像获取装置9时，可以根据待二次钻孔区域7的尺寸，调节图像获取装置9的视野范围，使二次钻孔区域7的全部区域都位于图像获取装置9的视野范围内，从而有利于提高图像获取效率。

具体实施上述方案时，可以采用在线的方式获取待二次钻孔区域7的形貌的图像，也可以采用离线的方式获取待二次钻孔区域7的形貌的图像。当采用在线的方式时，上述图像获取装置9和控制器都位于钻机。在实施上述二次钻孔工艺时，在步骤S101之前，先将待二次钻孔结构11安装至钻机的工作台，从而直接在钻机一个钻孔设备上完成二次钻孔工艺，控制过程较为简单。

当采用离线的方式获取待二次钻孔区域7的形貌的图像时，上述钻孔设备还包括有离线测量机，控制器包括第一控制单元和第二控制单元。具体的，第一控制单元与图像获取装置9信号连接，且第一控制单元和图像获取装置9设置于上述离线测量机，用于采用和离线的方式获取待二次钻孔区域7的形貌的图像，从而可以获取一钻孔的实际位置。第二控制单元与钻机信号连接，且第二控制单元设置于钻机，则钻机可以在第二控制单元的控制下，在一钻孔的位置进行二次钻孔。该方案中，通过离线的方式获取待二次钻孔区域7的形貌的图像，则可以减少钻机在二次钻孔过程中消耗的时间，提高工作效率。

图7为本申请实施例中二次钻孔工艺的另一种流程图，图8为本申请实施例中二次钻孔的另一种结构流程图；如图7和图8所示，二次钻孔工艺的流程包括以下步骤：

步骤S201、第一控制单元根据待二次钻孔结构11的靶标8，通过图像获取装置9确认待二次钻孔结构11的待二次钻孔区域7；

步骤S202、第一控制单元控制图像获取装置9针对待二次钻孔区域7的形貌生成图像；

步骤S203、第一控制单元将图像与对应的待二次钻孔结构11的追溯信息12关联；

该方案中，先利用离线测量机获取待二次钻孔结构11的待二次钻孔区域7的形貌生成图像，然后将图像与待二次钻孔结构11的追溯信息12关联，则钻机读取上述待二次钻孔结构11的追溯信息12之后，就可以获取上述图像，对图像进行分析则可以获取一钻孔的位置，以进行二次钻孔。上述追溯信息12的具体形式不做限制，可以为条形码，也可以为二维码，或者，还可以为明码。上述明码即为编号信息(ID编码)。

步骤S204、将待二次钻孔结构11安装至钻机的工作台；

步骤S205、第二控制单元读取追溯信息12，获取与当前待二次钻孔结构11对应的图像；

步骤S206、第二控制单元根据图像得到需要二次钻孔的一钻孔在钻机的系统孔位坐标；

步骤S207、第二控制单元根据上述系统孔位坐标，控制钻机的主轴20对待二次钻孔结构11的一钻孔进行二次钻孔。

本流程中，与图5对应实施例中相同的部分此处不进行赘述。

图9为本申请实施例中二次钻孔工艺的另一种流程图，图10为本申请实施例中二次钻孔的另一种结构流程图；如图9和图10所示，二次钻孔工艺的流程包括以下步骤：

步骤S301、第一控制单元根据待二次钻孔结构11的靶标8，通过图像获取装置9确认待二次钻孔结构11的待二次钻孔区域7；

步骤S302、第一控制单元控制图像获取装置9针对待二次钻孔区域7的形貌生成图像；

步骤S303、第一控制单元根据图像得到需要二次钻孔的一钻孔在待二次钻孔结构11的实际孔位坐标；

步骤S304、第一控制单元将需要二次钻孔的一钻孔在待二次钻孔结构11的实际孔位坐标与对应的待二次钻孔结构11的追溯信息12关联；

步骤S305、将待二次钻孔结构11安装至钻机的工作台；

步骤S306、第二控制单元读取追溯信息12，获取当前待二次钻孔结构11的需要二次钻孔的一钻孔在待二次钻孔结构11的实际孔位坐标；

步骤S307、第二控制单元将需要二次钻孔的一钻孔在待二次钻孔结构11的实际孔位坐标映射为一钻孔在钻机的系统孔位坐标；

需要二次钻孔的一钻孔在待二次钻孔结构11的实际孔位坐标可以根据待二次钻孔结构11的靶标8来确定，具体的，可以根据待二次钻孔结构11的靶标8建立坐标系，上述需要二次钻孔的一钻孔在待二次钻孔结构11的实际孔位坐标即可以为一钻孔在上述坐标系的坐标。待二次钻孔结构11安装至钻机的工作台之后，钻机通过读取待二次钻孔结构11的靶标8相对于钻机的坐标系的关系，则可以形成待二次钻孔结构11的坐标系与钻机的坐标系之间的映射关系，通过上述映射关系，则利用需要二次钻孔的一钻孔在待二次钻孔结构11的实际孔位坐标可以计算得到一钻孔在钻机的系统孔位坐标。

步骤S308、第二控制单元根据系统孔位坐标，控制钻机的主轴20对待二次钻孔结构11的一钻孔进行二次钻孔。

本流程中，与图5和图7对应实施例中相同的部分此处不进行赘述。值得说明的是，本实施例与图7对应的实施例的区别在于，本实施例利用离线测量机的第一控制单元来对图像进行分析，从而根据图像获取需要二次钻孔的一钻孔在待二次钻孔结构11的实际孔位坐标，并将上述需要二次钻孔的一钻孔在待二次钻孔结构11的实际孔位坐标与待二次钻孔结构11的追溯信息12关联，则钻机的第二控制单元可以直接读取需要二次钻孔的一钻孔在待二次钻孔结构11的实际孔位坐标，进一步的提高钻机的工作效率。

具体应用上述二次钻孔工艺时，上述待二次钻孔结构11可以为电路板，二次钻孔可以为背钻，即利用上述二次钻孔工艺实现电路板的背钻，以提高电路板的背钻精度，提高电路板内走线的密度，有利于满足电路板的高密需求。

以上，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (17)

1.一种二次钻孔工艺，其特征在于，所述工艺包括：

控制器根据待二次钻孔结构的靶标，通过图像获取装置确认待二次钻孔结构的待二次钻孔区域的位置；

所述控制器控制所述图像获取装置针对所述待二次钻孔区域的形貌生成图像；

所述控制器获取所述图像，根据所述图像得到需要二次钻孔的一钻孔的实际孔位坐标；

所述控制器根据所述实际孔位坐标控制钻机的主轴对所述待二次钻孔结构的所述需要二次钻孔的一钻孔进行二次钻孔；

所述控制器包括第一控制单元和第二控制单元，所述第一控制单元与所述图像获取装置信号连接，且所述第一控制单元和所述图像获取装置设置于离线测量机；所述第二控制单元与所述钻机信号连接，且所述第二控制单元设置于所述钻机；

所述工艺具体包括：

所述第一控制单元根据待二次钻孔结构的靶标，通过所述图像获取装置确认所述待二次钻孔结构的待二次钻孔区域；

所述第一控制单元控制所述图像获取装置针对所述待二次钻孔区域的形貌生成图像；

所述第一控制单元将所述图像与对应的所述待二次钻孔结构的追溯信息关联；

将所述待二次钻孔结构安装至所述钻机的工作台；

所述第二控制单元读取所述追溯信息，获取与当前所述待二次钻孔结构对应的所述图像；

所述第二控制单元根据所述图像得到所述需要二次钻孔的一钻孔在所述钻机的系统孔位坐标；

所述第二控制单元根据所述系统孔位坐标，控制所述钻机的主轴对所述待二次钻孔结构的所述需要二次钻孔的一钻孔进行二次钻孔；

或者，所述工艺具体包括：

所述第一控制单元根据待二次钻孔结构的靶标，通过所述图像获取装置确认所述待二次钻孔结构的待二次钻孔区域；

所述第一控制单元控制所述图像获取装置针对所述待二次钻孔区域的形貌生成图像；

所述第一控制单元根据所述图像得到所述需要二次钻孔的一钻孔在所述待二次钻孔结构的实际孔位坐标；

所述第一控制单元将所述实际孔位坐标与对应的所述待二次钻孔结构的追溯信息关联；

将所述待二次钻孔结构安装至所述钻机的工作台；

所述第二控制单元读取所述追溯信息，获取当前所述待二次钻孔结构的所述实际孔位坐标；

所述第二控制单元将所述实际孔位坐标映射为所述需要二次钻孔的一钻孔在所述钻机的系统孔位坐标；

所述第二控制单元根据所述系统孔位坐标，控制所述钻机的主轴对所述待二次钻孔结构的所述需要二次钻孔的一钻孔进行二次钻孔。

2.根据权利要求1所述的二次钻孔工艺，其特征在于，所述图像获取装置和所述控制器设置于钻机。

3.根据权利要求1或2所述的二次钻孔工艺，其特征在于，所述追溯信息包括条码、二维码或者编号信息。

4.根据权利要求1或2所述的二次钻孔工艺，其特征在于，所述靶标包括边缘靶标和待二次钻孔区域靶标，其中，所述边缘靶标位于所述待二次钻孔结构的边缘，所述待二次钻孔区域靶标位于待二次钻孔区域的周侧。

5.根据权利要求3所述的二次钻孔工艺，其特征在于，所述靶标包括边缘靶标和待二次钻孔区域靶标，其中，所述边缘靶标位于所述待二次钻孔结构的边缘，所述待二次钻孔区域靶标位于待二次钻孔区域的周侧。

6.根据权利要求1或2所述的二次钻孔工艺，其特征在于，所述图像获取装置包括镜头或者二维扫描器。

7.根据权利要求3所述的二次钻孔工艺，其特征在于，所述图像获取装置包括镜头或者二维扫描器。

8.根据权利要求4所述的二次钻孔工艺，其特征在于，所述图像获取装置包括镜头或者二维扫描器。

9.根据权利要求1或2所述的二次钻孔工艺，其特征在于，所述待二次钻孔结构为电路板，所述二次钻孔工艺为背钻工艺。

10.根据权利要求3所述的二次钻孔工艺，其特征在于，所述待二次钻孔结构为电路板，所述二次钻孔工艺为背钻工艺。

11.根据权利要求4所述的二次钻孔工艺，其特征在于，所述待二次钻孔结构为电路板，所述二次钻孔工艺为背钻工艺。

12.根据权利要求6所述的二次钻孔工艺，其特征在于，所述待二次钻孔结构为电路板，所述二次钻孔工艺为背钻工艺。

13.根据权利要求1或2所述的二次钻孔工艺，其特征在于，所述控制器根据待二次钻孔结构的靶标，通过所述图像获取装置确认所述待二次钻孔结构的待二次钻孔区域的位置，之前包括：

在所述待二次钻孔结构制作靶标，或者，在所述待二次钻孔结构定义靶标。

14.根据权利要求3所述的二次钻孔工艺，其特征在于，所述控制器根据待二次钻孔结构的靶标，通过所述图像获取装置确认所述待二次钻孔结构的待二次钻孔区域的位置，之前包括：

在所述待二次钻孔结构制作靶标，或者，在所述待二次钻孔结构定义靶标。

15.根据权利要求4所述的二次钻孔工艺，其特征在于，所述控制器根据待二次钻孔结构的靶标，通过所述图像获取装置确认所述待二次钻孔结构的待二次钻孔区域的位置，之前包括：

在所述待二次钻孔结构制作靶标，或者，在所述待二次钻孔结构定义靶标。

16.根据权利要求6所述的二次钻孔工艺，其特征在于，所述控制器根据待二次钻孔结构的靶标，通过所述图像获取装置确认所述待二次钻孔结构的待二次钻孔区域的位置，之前包括：

在所述待二次钻孔结构制作靶标，或者，在所述待二次钻孔结构定义靶标。

17.根据权利要求9所述的二次钻孔工艺，其特征在于，所述控制器根据待二次钻孔结构的靶标，通过所述图像获取装置确认所述待二次钻孔结构的待二次钻孔区域的位置，之前包括：

在所述待二次钻孔结构制作靶标，或者，在所述待二次钻孔结构定义靶标。