CN114616522A - 激光源中的智能气体温度控制 - Google Patents

激光源中的智能气体温度控制 Download PDF

Info

Publication number
CN114616522A
CN114616522A CN202080074791.6A CN202080074791A CN114616522A CN 114616522 A CN114616522 A CN 114616522A CN 202080074791 A CN202080074791 A CN 202080074791A CN 114616522 A CN114616522 A CN 114616522A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
threshold
data
laser
determining
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080074791.6A
Other languages
English (en)
Inventor
M·米纳卡伊斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cymer LLC
Original Assignee
Cymer LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cymer LLC filed Critical Cymer LLC
Publication of CN114616522A publication Critical patent/CN114616522A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/131Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H01S3/1317Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation by controlling the temperature
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891Temperature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/131Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H01S3/134Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/04Arrangements for thermal management
    • H01S3/041Arrangements for thermal management for gas lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10069Memorized or pre-programmed characteristics, e.g. look-up table [LUT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/102Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H01S3/1028Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation by controlling the temperature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/102Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H01S3/104Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308Amplifier arrangements, e.g. MOPA
    • H01S3/2325Multi-pass amplifiers, e.g. regenerative amplifiers
    • H01S3/2333Double-pass amplifiers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

激光源包括被配置为生成第一激光束的第一激光腔室和被配置为接收第一激光束并放大第一激光束以生成第二激光束的第二激光腔室。激光源还包括第一温度致动器和第二温度致动器,第一温度致动器和第二温度致动器被配置为分别控制第一激光腔室中的气体的第一温度和第二激光腔室中的气体的第二温度。激光源还包括温度控制系统,温度控制系统被配置为从第一温度致动器和第二温度致动器接收数据并且基于接收到的数据确定与第一温度致动器和第二温度致动器相关联的阈值。该阈值被第一温度致动器和第二温度致动器用于控制第一温度和第二温度。

Description

激光源中的智能气体温度控制
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年10月25日提交的题为“SMART GAS TEMPERATURE CONTROL INA LASER SOURCE”的美国申请No.62/925,811的优先权,该美国申请通过引用被整体并入本文中。
技术领域
本公开涉及用于控制在例如光刻设备和系统中使用的激光源中的气体温度的系统和方法。
背景技术
光刻设备是将所需图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,图案形成装置(或者被称为掩模或掩模板)可以用于生成要在IC的单个层上形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一个或若干个裸片的部分)上。图案的转移通常经由成像到被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常,单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括:所谓的步进器,其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分;以及所谓的扫描仪,其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案同时同步地平行或反平行于该扫描方向扫描目标部分来照射每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成装置转移到衬底。
激光源可以与光刻设备一起使用,例如用于生成照射图案形成装置的照射辐射。激光源可以使用气体来生成用于光刻设备的激光。因此,需要一种系统和方法以用于控制影响由激光器产生的辐射的激光源中的气体的温度和其他方面。。
发明内容
在本公开中描述了气体温度控制系统和方法的实施例。
本公开的一个方面提供了一种激光源,该激光源包括:第一激光腔室,被配置为生成第一激光束;以及第二激光腔室,被配置为接收第一激光束并且放大第一激光束以生成第二激光束。激光源还包括:第一温度致动器,被配置为控制第一激光腔室中的气体的第一温度;以及第二温度致动器,被配置为控制第二激光腔室中的气体的第二温度。激光源还包括温度控制系统,该温度控制系统被配置为:从第一温度致动器和第二温度致动器接收数据,并且基于接收到的数据来确定与第一温度致动器和第二温度致动器相关联的阈值。该阈值被第一温度致动器和第二温度致动器用于控制第一温度和第二温度。
在一些实施例中,第一温度致动器和第二温度致动器中的每一者包括冷却系统和加热系统,并且来自第一温度致动器和第二温度致动器的数据包括与对应的冷却系统相关联的数据,并且阈值包括与加热系统相关联的阈值。
在一些实施例中,冷却系统包括水冷却系统,并且与冷却系统相关联的数据包括与水冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据。在一些实施例中,与加热系统相关联的阈值包括用于开启加热系统的下限阈值和用于关闭加热系统的上限阈值。
在一些实施例中,温度控制系统被配置为:在第一时间段期间监测与水冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据;确定激光源在第一时间段期间的状态;以及当激光源的状态指示激光源未处于接通状态时,通过滤出位置数据的与水冷却系统的一个或多个阀相关联的部分来确定第一滤除后的数据。
在一些实施例中,温度控制系统还被配置为:通过滤出第一滤除后的数据的野值部分来确定第二滤除后的数据。野值部分基于一个或多个数据阈值来确定。温度控制系统还被配置为:基于第二滤除后的数据,确定包络数据;通过对包络数据应用低通移动平均滤除器来确定滤除后的包络数据;以及基于滤除后的包络数据,确定下限阈值和上限阈值。
在一些实施例中,第一温度致动器包括与第一激光腔室相关联的第一冷却系统和第一加热系统。第二温度致动器包括与第二激光腔室相关联的第二冷却系统和第二加热系统。来自第一温度致动器和第二温度致动器的数据包括分别与第一冷却系统和第二冷却系统相关联的数据。阈值包括与第一加热系统相关联的第一阈值和与第二加热系统相关联的第二阈值。第一阈值被第一温度致动器用于控制第一温度,并且第二阈值被第二温度致动器用于控制第二温度。
在一些实施例中,温度控制系统被配置为:确定与第一激光腔室相关联的腔室击射计数。响应于确定腔室击射计数大于第一计数阈值,温度控制系统被配置为将与第一温度致动器和第二温度致动器相关联的阈值传达到第一温度致动器和第二温度致动器。响应于确定腔室击射计数大于第二计数阈值并且小于或等于第一计数阈值,温度控制系统被配置为调制与第一温度致动器和第二温度致动器相关联的阈值以确定经调制的阈值,其中经调制的阈值实现期望的占空比。温度控制系统被配置为向第一温度致动器传达经调制的阈值。响应于确定腔室击射计数小于或等于第二计数阈值,温度控制系统被配置为与第一温度致动器和第二温度致动器通信以使用与第一温度致动器和第二温度致动器相关联的默认阈值。
在一些实施例中,为了确定阈值,温度控制系统被配置为:基于接收到的数据,确定与第一温度致动器相关联的第一下限阈值和第一上限阈值。温度控制系统还被配置为:基于接收到的数据,确定与第二温度致动器相关联的第二下限阈值和第二上限阈值。第一下限阈值和第一上限阈值被第一温度致动器用于控制第一温度。第二下限阈值和第二上限阈值被第二温度致动器用于控制第二温度。
本公开的另一方面提供了一种光刻设备,该光刻设备包括:照射系统,被配置为调节辐射束;以及投影系统,被配置为将被赋予辐射束的图案投影到衬底上的。该照射系统包括激光源。激光源包括:第一激光腔室,被配置为生成第一激光束;以及第二激光腔室,被配置为接收第一激光束并且放大第一激光束以生成第二激光束。该激光源还包括:第一温度致动器,被配置为控制第一激光腔室中的气体的第一温度;以及第二温度致动器,被配置为控制第二激光腔室中的气体的第二温度。该激光源还包括温度控制系统,该温度控制系统被配置为:从第一温度致动器和第二温度致动器接收数据,并且基于接收到的数据来确定与第一温度致动器和第二温度致动器相关联的阈值。该阈值被第一温度致动器和第二温度致动器用于控制第一温度和第二温度。
本公开的另一方面提供了一种方法,该方法包括:在第一激光腔室处生成第一激光束;以及在第二激光腔室处放大第一激光束以生成第二激光束。该方法还包括:使用第一温度致动器控制第一激光腔室中的气体的第一温度;以及使用第二温度致动器控制第二激光腔室中的气体的第二温度。该方法还包括:在温度控制系统处接收来自第一温度致动器和第二温度致动器的数据;以及使用温度控制系统,基于接收到的数据,确定与第一温度致动器和第二温度致动器相关联的阈值。该阈值被第一温度致动器和第二温度致动器用于控制第一温度和第二温度。
本发明的另一方面提供了一种非瞬态计算机可读介质,该非瞬态计算机可读介质存储指令,该指令在由处理器执行时使处理器执行操作。该操作包括:在第一时间段期间接收与激光源的水冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据。该操作还包括:确定激光源在第一时间段期间的状态,并且当激光源的状态指示激光源未处于接通状态时,通过滤出位置数据的与水冷却系统的一个或多个阀相关联的部分来生成第一滤除后的数据。该方法还包括:通过滤出第一滤除后的数据的野值部分来生成第二滤除后的数据;以及基于第二滤除后的数据,确定包络数据。该方法还包括:通过对包络数据应用低通滤除器来确定滤除后的包络数据;以及基于滤除后的包络数据来确定与激光源的加热系统相关联的第一阈值和第二阈值。第一阈值和第二阈值用于控制至少一个激光器腔室中的气体温度。
本公开的另一方面提供了一种设备。该设备包括:第一温度致动器,被配置为控制第一激光腔中的气体的第一温度;以及第二温度致动器,被配置为控制第二激光腔中的气体的第二温度。该设备还包括温度控制系统,该温度控制系统被配置为:从第一温度致动器和第二温度致动器接收数据,并且基于接收到的数据来确定与该第一温度致动器和第二温度致动器相关联的阈值。该阈值被第一温度致动器和第二温度致动器用于控制第一温度和第二温度。
在一些实施例中,第一激光腔室被配置为生成第一激光束,并且第二激光腔室被配置为接收第一激光束并且放大第一激光束以生成第二激光束。
本发明的另一方面提供了一种激光源,该激光源包括:第一激光腔室,被配置为生成第一激光束;以及第二激光腔室,被配置为接收第一激光束并且放大第一激光束以生成第二激光束。该激光源还包括:第一温度致动器,被配置为控制第一激光腔室中的气体的第一温度;以及第二温度致动器,被配置为控制第二激光腔室中的气体的第二温度。激光源还包括温度控制系统。该温度控制系统被配置为:从第一温度致动器和第二温度致动器接收数据;以及基于接收到的数据,确定与第一温度致动器相关联的第一下限阈值和第一上限阈值。该温度控制系统还被配置为:基于接收到的数据,确定与第二温度致动器相关联的第二下限阈值和第二上限阈值。第一下限阈值和第一上限阈值被第一温度致动器用于控制第一温度,第二下限阈值和第二上限阈值被第二温度致动器用于控制第二温度。
本发明的另一方面提供了一种设备,该设备包括:第一温度致动器,被配置为控制第一腔室中的气体的第一温度;以及第二温度致动器,被配置为控制第二腔室中的气体的第二温度。该设备还包括温度控制系统。该温度控制系统被配置为:从第一温度致动器和第二温度致动器接收数据;以及基于接收到的数据,确定与第一温度致动器相关联的第一阈值。第一阈值被第一温度致动器用于控制第一温度。该温度控制系统还被配置为:基于接收到的数据,确定与第二温度致动器相关联的第二阈值。第二阈值被第二温度致动器用于控制第二温度。
下面参考附图详细描述各种实施例的其他特征以及结构和操作。应注意,本公开不限于本文中所描述的特定实施例。本文中所呈现的这些实施例仅用于说明的目的。基于本文中所包含的教导,额外实施例对于相关领域的技术人员而言将是明显的。
附图说明
被并入本文中且形成说明书的部分的附图图示了本公开,并且与描述一起进一步用于解释本公开的实施例的原理且使相关领域的技术人员能够制造和使用本公开的实施例。
图1是根据示例性实施例的反射式光刻设备的示意图。
图2是根据示例性实施例的透射式光刻设备的示意图。
图3是根据示例性实施例的光刻单元的示意图。
图4A示出了根据本公开的一些实施例的具有温度控制系统的激光源的示意图。
图4B示出了根据本公开的一些实施例的基于与冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据的加热系统状态。
图5示出了根据本公开的一些实施例的描绘了在某时间段期间与冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据和相关联的滤除后的包络数据的示例性图。
图6A和图6B示出了根据本公开的一些实施例的描绘了在某时间段期间与冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据以及与加热系统相关联的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值的示例性图。
图7是示出了根据本公开的一些实施例的用于确定与加热系统相关联的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值的方法的示例的流程图。
图8是示出了根据本公开的一些实施例的用于确定与加热系统相关联的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值的方法的示例的流程图。
图9是示出了根据本公开的一些实施例的用于传达与加热系统相关联的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值的方法的示例的流程图。
图10A示出了根据本公开的一些实施例的描绘了激光源在某时间段期间的状态的示例性图。
图10B示出了根据本公开的一些实施例的描绘了加热系统在该时间段期间的状态的示例性图。
图11是用于实现一些实施例或其(多个)部分的示例计算机系统。
从以下结合附图所阐述的详细描述中,本公开的特征将变得更加明显,在附图中相同的附图标记始终标识对应的元件。在附图中,除非另有说明,相同的附图标记通常表示相同的、功能类似的和/或结构类似的元件。另外,通常,附图标记中的最左边的(多个)数字标识附图标记首次出现的附图。除非另有说明,在整个公开中所提供的附图不应被解释为按比例绘制的附图。
具体实施方式
本说明书公开了包含本发明的特征的一个或多个实施例。所公开的(多个)实施例仅示例了本发明。本公开的范围不限于所公开的(多个)实施例。本公开的广度和范围由所附权利要求及其等效来限定。
所描述的(多个)实施例以及说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的引用指示所描述的(多个)实施例可以包括特定特征、结构或特性,但是每个实施例可以不必包括该特定特征、结构或特性。此外,这些短语未必是指同一实施例。另外,当结合实施例描述特定特征、结构或特性时,应理解,无论是否明确描述,结合其他实施例来影响该特征、结构或特性是在本领域技术人员的知识范围内。
为了便于描述,可以在本文中使用诸如“下方”、“下”、“下面”、“上方”、“上”、“上面”等空间相关术语来描述图中所示的一个元件或特征与另一(多个)元件或(多个)特征的关系。除了图中所描绘的取向之外,空间相对术语旨在涵盖设备在使用或操作中的不同取向。该设备可以以其他方式来取向(旋转90度或处于其他取向),并且本文中所使用的空间相对描述符同样可以被相应地解释。
如本文中所使用的术语“约”指示可以基于特定技术而变化的给定量的值。基于特定技术,术语“约”可以表示在例如值的10-30%(例如值的±10%、±20%或±30%)内变化的给定量的值。
本公开的实施例可以被实现在硬件、固件、软件或它们的任何组合中。本公开的实施例还可以被实现为被存储在机器可读介质上的指令,该指令可以由一个或多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以机器(例如,计算设备)可读的形式存储或传输信息的任何机制。例如,机器可读介质可以包括只读存储器(ROM);随机存取存储器(RAM);磁盘存储介质;光存储介质;闪存设备;电、光、声或其他形式的传播信号(例如,载波,红外信号,数字信号等)等。此外,固件、软件、例程和/或指令在本文中可以被描述为执行某些动作。然而,应了解,这种描述仅为方便起见,并且这种动作实际上由执行固件、软件、例程、指令等的计算设备、处理器、控制器或其他设备产生。
然而,在更详细地描述这些实施例之前,提供其中可以实现本公开的实施例的示例环境是有益的。
示例光刻系统
图1和图2分别示出了光刻设备100和光刻设备100’的示意图,其中可以实现本公开的实施例。光刻设备100和光刻设备100’各自包括以下:照射系统(照射器)IL,被配置为调节辐射束B(例如,深紫外线(DUV)辐射);支撑结构(例如,掩模台)MT,被配置为支撑图案形成装置(例如,掩模、掩模板或动态图案形成装置)MA,并且被连接到第一定位器PM,该第一定位器PM被配置为精确地定位图案形成装置MA;以及衬底保持器(诸如衬底态,例如,晶片台)WT,被配置为保持衬底(例如,涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且被连接到第二定位器PW,该第二定位器PW被配置为精确地定位衬底W。光刻设备100和100’还具有投影系统PS,投影系统PS被配置为将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分(例如,包括一个或多个裸片)C上。在光刻设备100中,图案形成装置MA和投影系统PS是反射式的。在光刻设备100’中,图案形成装置MA和投影系统PS是透射式的。
照射系统IL可以包括各种类型的光学组件,诸如折射式、反射式、反折射式、磁性、电磁式、静电式或其他类型的光学组件、或它们的任意组合,用于引导、成形或控制辐射束B。
支撑结构MT以某种方式保持图案形成装置MA,该方式取决于图案形成装置MA相对于参考框架的取向、光刻设备100和100’中至少一个的设计、以及其他条件,诸如图案形成装置MA是否被保持在真空环境中。支撑结构MT可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以是例如框架或工作台,其可以根据需要是固定的或可移动的。通过使用传感器,支撑结构MT可以确保图案形成装置MA处于例如相对于投影系统PS的期望位置。
术语“图案形成装置”MA应被广义地解释为是指可以用于将图案赋予在辐射束B的横截面上以便在衬底W的目标部分C中创建图案的任何装置。被赋予辐射束B的图案可以对应于在目标部分C中被创建以形成集成电路的器件中的特定功能层。
图案形成装置MA可以是透射式的(如在图2的光刻设备100’中)或反射式的(如在图1的光刻设备100中)。图案形成装置MA的示例包括掩模板、掩模、可编程反射镜阵列或可编程LCD面板。掩模在光刻中是公知的,并且包括诸如二元、交替相移或衰减相移的掩模类型、以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵排列,小反射镜中的每个小反射镜可以被单独倾斜,以便在不同方向上反射入射辐射束。倾斜的反射镜在辐射束B中赋予图案,该辐射束B被小反射镜的矩阵反射。
术语“投影系统”PS可以包括任何类型的投影系统,包括折射式、反射式、反折射式、磁性、电磁式和静电式的光学系统、或它们的任何组合,适合于所使用的曝光辐射,或适合于其他因素,诸如在衬底W上使用浸没液体或使用真空。因此可以借助于真空壁和真空泵来向整个射束路径提供真空环境。
光刻设备100和/或光刻设备100’可以是具有两个(双台)或更多衬底台WT(和/或两个或更多掩模台)的类型。在这种“多级”机器中,可以并行地使用附加的衬底台WT,或者可以在一个或多个台上执行准备步骤,同时使用一个或多个其他衬底台WT以用于曝光。在一些情况下,附加台可以不是衬底台WT。
光刻设备还可以是其中衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖以填充投影系统与衬底之间的空间的类型。还可以将浸没液体施加到光刻设备中的其他空间,例如掩模与投影系统之间的空间。浸没技术在本领域中是公知的,用于增加投影系统的数值孔径。本文中所使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底的结构必须被浸没在液体中,而是仅仅意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。
参考图1和图2,照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。例如,当源SO是准分子激光器时,源SO和光刻设备100、100’可以是分开的物理实体。在这种情况下,源SO不被认为形成光刻设备100或100’的部分,并且辐射束B借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD(在图2中)从源SO传递到照射器IL。在其他情况下,例如,当源SO是汞灯时,源SO可以是光刻设备100、100’的组成部分。如果需要,源SO和照射器IL与束传递系统BD一起可以被称为辐射系统。
照射器IL可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器AD(在图2中)。通常,至少可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的外部和/或内部径向范围(通常分别被称为“σ-外部”和“σ-内部”)。此外,照射器IL可以包括各种其他组件(在图2中),诸如积分器IN和聚光器CO。照射器IL可以用于调节辐射束B,以在辐射束B的横截面中具有期望的均匀性和强度分布。
参照图1,辐射束B入射到被保持在支撑结构(例如,掩模台)MT上的图案形成装置(例如,掩模)MA上,并且由图案形成装置MA进行图案化。在光刻设备100中,辐射束B从图案形成装置(例如掩模)MA被反射。在从图案形成装置(例如掩模)MA被反射之后,辐射束B通过投影系统PS,投影系统PS将辐射束B聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF2(例如,干涉测量装置,线性编码器或电容传感器),衬底台WT可以被精确地移动(例如,以便在辐射束B的路径中定位不同的目标部分C)。类似地,第一定位器PM和另一位置传感器IF1可以用于相对于辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如,掩模)MA和衬底W。
参照图2,辐射束B入射到被保持在支撑结构(例如,掩模台MT)上的图案形成装置(例如,掩模MA)上,并且由图案形成装置进行图案化。在穿过掩模MA之后,辐射束B通过投影系统PS,投影系统PS将射束聚焦到衬底W的目标部分C上。投影系统具有与照射系统光瞳IPU共轭的光瞳PPU。辐射的部分从照射系统光瞳IPU处的强度分布发出并穿过掩模图案而不受在掩模图案处的衍射影响,并且在照射系统光瞳IPU处产生强度分布的图像。
投影系统PS将掩模图案MP的图像MP’投影到被涂覆在衬底W上的光致抗蚀剂层上,其中图像MP’由通过来自强度分布的辐射从标记图案MP产生的衍射束形成。例如,掩模图案MP可以包括线和间隔的阵列。辐射在阵列处的衍射不同于零级衍射,生成在垂直于线的方向上具有方向变化的转向衍射束。未衍射束(即所谓的零阶衍射束)在传播方向上没有任何变化地穿过图案。零阶衍射束穿过投影系统PS中在投影系统PS的光瞳共轭PPU上游的上透镜或上透镜组,以到达光瞳共轭PPU。光瞳共轭PPU的平面中并与零阶衍射束相关联的强度分布的部分是照射系统IL的照射系统光瞳IPU中的强度分布的图像。孔径装置PD例如被设置在或基本上被设置在包括投影系统PS的光瞳共轭PPU的平面处。
投影系统PS被设置为通过透镜或透镜组L不仅捕获零阶衍射束,还捕获一阶或一阶和更高阶衍射束(未示出)。在一些实施例中,用于对在垂直于线的方向上延伸的线图案进行成像的偶极照射可以用于利用偶极照射的分辨率增强效应。例如,一阶衍射束在晶片W的水平处与对应的零阶衍射束干涉,以在最高可能的分辨率和工艺窗口(即,与可容忍的曝光剂量偏差相结合的可用焦深)处创建线图案MP的图像。
借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如,干涉测量装置,线性编码器或电容传感器),衬底台WT可以被精确地移动(例如,以便在辐射束B的路径中定位不同的目标部分C)。类似地,第一定位器PM和另一位置传感器(图2中未示出)可以用于相对于辐射束B的路径精确地定位掩模MA(例如,在从掩模库机械取回之后或在扫描期间)。
通常,掩模台MT的移动可以借助于长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精细定位)来实现,该长行程模块和短行程模块形成第一定位器PM的部分。类似地,可以使用长行程模块和短行程模块来实现衬底台WT的移动,该长行程模块和短行程模块形成第二定位器PW的部分。在步进机(与扫描仪相对)的情况下,掩模台MT可以仅被连接到短行程致动器或者可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管衬底对准标记(如图所示)占据了专用的目标部分,但是它们可以位于目标部分之间的空间中(称为划道对准标记)。类似地,在掩模MA上提供多于一个裸片的情况下,掩模对准标记可以位于裸片之间。
掩模台MT和图案形成装置MA可以在真空室V中,其中真空中机器人IVR可以用于将图案形成装置(例如掩模)移入和移出真空室。备选地,当掩模台MT和图案形成装置MA在真空室的外部时,真空外机器人可以被使用以用于各种运输操作,类似于真空中机器人IVR。真空中和真空外机器人都需要被校准,以用于将任何有效载荷(例如,掩模)平滑地传送到传送站的固定运动支座。
光刻设备100和100’可以用于以下模式中的至少一种:
1.在步进模式中,支撑结构(例如,掩模台)MT和衬底台WT被保持基本静止,同时被赋予辐射束B的整个图案被一次投影到目标部分C上(即,单次静态曝光)。然后衬底台WT在X和/或Y方向上进行移位,使得不同的目标部分C可以被暴露。
2.在扫描模式中,支撑结构(例如,掩模台)MT和衬底台WT被同步扫描,同时被赋予辐射束B的图案被投影到目标部分C上(即,单次动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如,掩模台)MT的速度和方向可以由投影系统PS的(去)放大率和图像反转特性来确定。
3.在另一模式中,支撑结构(例如,掩模台)MT被保持基本静止以保持可编程图案形成装置,并且在被赋予辐射束B的图案被投影到目标部分C上的同时移动或扫描衬底台WT。可以采用脉冲辐射源SO,并且在衬底台WT的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要更新可编程图案形成装置。这种操作模式可以很容易地应用于利用可编程图案形成装置(例如可编程反射镜阵列)的无掩模光刻。
也可以采用对所描述的使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变化。
示例性光刻单元
图3示出了光刻单元300,有时也称为光刻单元(lithocell)或簇。光刻设备100或100’可以形成光刻单元300的部分。光刻单元300还可以包括用于在衬底上执行曝光前和曝光后工艺的一个或多个设备。常规地,这些包括用于沉积抗蚀剂层的旋涂机SC、用于显影经曝光的抗蚀剂的显影剂DE、冷却板CH以及烘烤板BK。衬底处理器或机械手RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底,在不同的处理设备之间移动它们,并且将它们传送到光刻设备100或100’的装载舱LB。这些通常统称为轨道的装置处于轨道控制单元TCU的控制下,该轨道控制单元TCU本身由监督控制系统SCS控制,该监督控制系统SCS还经由光刻控制单元LACU控制光刻设备。因此,可以操作不同的设备以使生产量和处理效率最大化。
示例性温度控制系统和方法
图4A示出了根据本公开的一些实施例的具有温度控制系统430的激光源400的示意图。在一些实施例中,激光源400可以用作光刻设备100或100’的源SO的部分,或者还可以用作除了光刻设备100或100’的源SO之外的源。附加地或备选地,激光源400可以用于生成DUV辐射以用在光刻设备100或100’或其他DUV光刻设备中。
如图4A所示,激光源400可以包括双腔室激光源。例如,激光源400可以包括第一激光腔室403a和第二激光腔室403b。在一个示例性实施例中,第一激光腔室403a可以包括主振荡器或者是主振荡器的部分。例如,激光源400可以包括主振荡器,其中主源包含第一激光腔室403a。在该示例中,第二激光腔室403b可以包括功率放大器或者是功率放大器的部分。例如,激光源可以包括功率放大器,其中功率放大器包含第二激光腔室403b。尽管针对双腔室激光源讨论了一些实施例,但是本公开的实施例不限于这些示例。本公开的实施例可以被应用于具有一个腔室的激光源或具有多个激光腔室的激光源。
根据一些实施例,第一腔室403a生成第一激光束409,该第一激光束409被引导到第二激光腔室403b,其中第一激光束409被放大以产生第二激光束411。第二激光束411被输出到光刻设备(例如,光刻设备100和/或110’)。
根据一些实施例,每个激光腔室403a和403b包含气体混合物。例如,在受激准分子激光源中,第一激光腔室403a和第二激光腔室403b可以包含卤素(例如氟气)以及其他气体,诸如氩气、氖气、以及可能的其他气体,这些气体具有不同的分压,其合计为总压力。激光腔室403a和403b可以包括用于产生和放大激光束的其他气体。激光腔室403a和403b可以包括相同或不同的气体混合物。
在一些实施例中,激光源400可以包括(或可以被耦合到)气体源(例如,气瓶)420a和420b。例如,气体源420a可以被耦合到第一激光腔室403a以提供用于生成第一激光束409的气体混合物。另外,气体源420b可以被耦合到第二激光腔室403b以提供用于生成第二激光束411的气体混合物。在一些示例中,气体源420a和420b可以通过阀(未示出)分别被耦合到激光腔室403a和403b。控制系统(例如,控制系统410)可以被用来控制用于将气体从气体源420a和420b发送到激光腔室403a和403b的阀。
在一些实施例中,气体源420a可以包含气体混合物,该气体混合物包括但不限于氟气、氩气和氖气。根据一些实施例,气体源420b可以包含氩气、氖气和/或其他气体的混合物,但不包含氟气。然而,在气体源420a和420b中可以使用其他气体混合物。
根据一些实施例,激光腔室403a和403b中的气体的温度可以使用一个或多个温度致动器来控制。在一些示例中,一个或多个温度致动器可以包括加热系统405a和405b(统称为加热系统405)和冷却系统407a和407b(统称为冷却系统407)。在图4A所示的实施例中,第一激光腔室403a包括第一温度致动器,该第一温度致动器包括加热系统405a和冷却系统407a。包括加热系统405a和冷却系统407a的第一温度致动器可以控制第一激光腔室403a中的气体的温度。类似地,第二激光腔室403b包括第二温度致动器,该第二温度致动器包括加热系统405b和冷却系统407b。包括加热系统405b和冷却系统407b的第二温度致动器可以控制第一激光腔室403b中的气体的温度。
在一些实施例中,温度致动器(例如,加热系统405和冷却系统407)可以基于第一激光腔室403a中的气体温度并独立于第二激光腔室403b中的气体温度来控制第一激光腔室403a中的气体温度。备选地,温度致动器(例如,加热系统405和冷却系统407)可以基于第二激光腔室403b中的气体温度来控制第一激光腔室403a中的气体温度,反之亦然。在一些实施例中,温度致动器可以基于两个激光腔室中的气体温度来控制激光腔室中的一个激光腔室中的气体温度。
根据一些实施例,加热系统405可以包括一个或多个线圈,该一个或多个线圈被配置为加热在对应的激光腔室中的气体。在一些示例中,一个或多个线圈可以是电阻性负载,其可以生成与被施加到(多个)线圈的电压的平方成比例的热。然而,也可以使用其他加热系统。根据一些实施例,冷却系统407可以包括水冷却系统以冷却在对应的激光腔室中的气体。在一些示例中,水冷却系统可以包括管道或管道系列,该管道或管道系列可以跨对应的激光腔室输送冷水,使得传导性热传递发生,同时(或基本上同时)加热水和冷却激光腔室。然后,经加热的水被排出系统并且利用新鲜的冷水来替换。冷却量可以与进入(多个)管道的水的流量成比例,该流量由阀或一组阀控制。
根据一些实施例,控制系统410用于控制激光腔室403a和403b(统称为激光腔室403)中的气体温度。例如,控制系统410可以被连接到激光腔室403中的一个或多个温度传感器以检测气体温度。取决于例如针对激光腔室403中的气体温度以及感测到的温度而设置的设定点;控制系统410被配置为控制加热系统405和/或冷却系统407。
在一些示例中,冷却系统407a、407b是温度致动器中的主致动器。在这些示例中,冷却系统407将其对应的激光腔室(例如,用于第一激光腔室403a的冷却系统407a和用于第一激光腔室403b的冷却系统407b)中的气体温度维持在设定点的阈值内。在非限制性示例中,冷却系统407将其对应的激光腔室中的气体温度维持在该设定点的约1℃内。然而,也可以使用设定点的其他阈值。在一些示例中,冷却系统407被控制为逐渐增大或减小。另外,在一些示例中,加热系统405可以是温度致动器中的进程致动器。在这些示例中,加热系统405可以被配置为保持其对应的激光腔室足够热,使得冷却系统407具有足够的余量以适当地运行。在一些示例中,加热系统405开启(例如,至其最大容量)或关闭。
在一些示例中,加热系统405中的每个加热系统的开/关状态基于其对应的冷却系统407的状态来确定。在一些实施例中,冷却系统407可以包括水冷却系统。当冷却系统407包括水冷却系统时,冷却系统407的状态(例如,与冷却系统407相关联的数据)可以包括与冷却系统407的一个或多个阀相关联的位置数据。冷却系统407的阀可以由控制系统410监测和控制。例如,冷却系统407的阀可由控制系统410监测和控制以逐渐打开或闭合。根据一些实施例,与冷却系统407的一个或多个阀相关联的位置数据可以指示该一个或多个阀是如何打开的。例如,与冷却系统407的一个或多个阀相关联的位置数据可以指示该一个或多个阀的阀开度(例如,以百分比计)。
如上所提及的,加热系统405中的每个加热系统的开/关状态基于其对应的冷却系统407的状态(例如,与冷却系统407的一个或多个阀相关联的位置数据)来确定。例如,如果冷却系统407a的状态接近其极限之一,则加热系统405a可以改变状态以用于补偿。例如,如果控制系统410确定与冷却系统407a的一个或多个阀相关联的所监测的位置数据小于下限阀位置阈值(一个或多个阀几乎完全闭合),则控制系统410可以指示加热系统405a开启。这是因为控制系统410已经确定第一激光腔室403a相对较冷。
这例如在图4B中示出。图4B示出了根据本公开的一些实施例的基于与冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据的加热系统状态。图450包括x轴作为阀开度451(以百分比计-例如,与冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据)以及包括y轴作为加热系统453的状态(例如,开或关)。在一个示例中,如果控制系统410确定与冷却系统407的一个或多个阀相关联的所监测的位置数据(例如,阀开度451)小于下限阀位置阈值455,则控制系统410可以指示加热系统405开启。
在另一示例中,如果控制系统410确定与冷却系统407a的一个或多个阀相关联的所监测的位置数据超过上限阀位置阈值(该一个或多个阀几乎完全打开),则控制系统410可以指示加热系统405a关闭。这是因为控制系统410已经确定第一激光腔室403a相对较热。在一些示例中,控制系统410提供用于控制加热系统405和/或冷却系统407的这种滞后控制。例如,如图4B所示,如果控制系统410确定与冷却系统407的一个或多个阀相关联的所监测的位置数据(例如,阀开度451)超过上限阀位置阈值457,则控制系统410可以指示加热系统405关闭。
在一些示例中,下限阀位置阈值455和上限阀位置阈值457可以是固定的默认值。例如,下限阀位置阈值可以是大约30%的阀开度,上限阀位置阈值可以是大约70%的阀开度。然而,这些是示例性阈值,并且其他值可以用于这些下限阀位置阈值和上限阀位置阈值。在一些示例中,使用固定的默认下限阀位置阈值和上限阀位置阈值可能导致能量浪费。例如,激光腔室403可以被加热超过为冷却系统407提供足够余量所必需的量。在一些系统(例如,高利用率系统)中,因为腔室鼓风机(未示出)和高燃烧速率可以在激光腔室403内生成足够的热,所以浪费的能量甚至更高。
根据一些实施例,与控制系统410相关联的温度控制系统430被配置为动态地调整下限阀位置阈值455和上限阀位置阈值457。在这些实施例中,温度控制系统430被配置为:监测激光腔室403的气体温度、冷却系统407的性能、激光源400的状态、和/或激光源400的性能,以动态地控制与加热系统405相关联的一个或多个阈值(例如,下限阀位置阈值和上限阀位置阈值)。根据一些实施例,通过动态地控制与加热系统405相关联的一个或多个阈值,加热系统405可以在不必要时关闭,因此,节省了激光源400的能量和功耗。
根据一些实施例,温度控制系统430被配置为从温度致动器(例如,以上讨论的第一温度致动器和第二温度致动器)接收数据。如上所讨论的,第一温度致动器可以包括加热系统405a和冷却系统407a,第二温度致动器可以包括加热系统405b和冷却系统407b。在一些实施例中,温度控制系统430被配置为通过控制系统410(例如,通过连接433)从温度致动器接收数据。附加地或备选地,温度控制系统430可以直接从温度致动器接收数据。
在一些实施例中,从温度致动器接收的数据可以包括与冷却系统407相关联的数据。例如,与冷却系统407相关联的数据可以包括与冷却系统407的一个或多个阀相关联的位置数据(例如,阀开度数据)。在一些实施例中,与冷却系统407的一个或多个阀相关联的位置数据包括由温度控制系统430(和/或控制系统410)在某时间段内监测的位置数据。该时间段可以包括大约几小时,大约一天,大约10天,大约一个月,大约一年等。然而,本公开的实施例不限于这些示例,并且可以使用其他时间段来监测与冷却系统407的一个或多个阀相关联的位置数据。
根据一些实施例,使用从温度致动器接收的数据(例如,与冷却系统407的一个或多个阀相关联的位置数据),温度控制系统430被配置为确定与温度致动器相关联的一个或多个阈值。温度致动器可以使用所确定的阈值来控制激光腔室403中的气体温度。例如,温度控制系统430被配置为确定与温度致动器的加热系统405相关联的一个或多个阈值。该一个或多个阈值可以包括以上所讨论的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值。例如,下限阈值包括用于开启加热系统405的阈值(例如,上面讨论的下限阀位置阈值)。上限阈值可以包括用于关闭加热系统405的阈值(例如,上面讨论的上限阀位置阈值)。
在一些示例性实施例中,加热系统405a和405b都使用相同的下限阈值(例如,上面讨论的下限阀位置阈值)和相同的上限阈值(例如,上面讨论的上限阀位置阈值)。换言之,尽管第一激光腔室403a/冷却系统405a可以具有与第二激光腔室403b/冷却系统407b不同的要求、测量和性能,但是加热系统405a和405b使用相同的阈值。备选地,加热系统405a和405b可以使用不同的第一阈值和第二阈值。在一些实施例中,存在与第一加热系统相关联的第一阈值和与第二加热系统相关联的第二阈值,其中第一阈值被第一温度致动器用于控制第一温度,第二阈值被第二温度致动器用于控制第二温度。在一些实施例中,第一阈值包括与加热系统405a相关联的下限阈值和上限阈值,而第二阈值包括与加热系统405b相关联的下限阈值和上限阈值。
根据一些实施例,除了从温度致动器接收的数据(例如,与冷却系统407的一个或多个阀相关联的位置数据)之外,温度控制系统430被配置为使用激光源400的状态来确定与温度致动器的加热系统405相关联的一个或多个阈值。在该示例中,温度控制系统430被配置为:当激光源400的状态指示激光源400未处于接通状态时,通过滤出接收到的数据的部分(例如,与冷却系统407的一个或多个阀相关联的位置数据的一部分)来确定(例如,生成)第一滤除后的数据。换言之,根据一些实施例,当激光源400处于关断或待机状态时,温度控制系统430不考虑与冷却系统407的一个或多个阀相关联的位置数据。根据一些实施例,激光源400可以具有许多状态。例如,激光源400可以处于接通状态(例如,“激光器开”)、待机状态或关断状态(例如,“激光器关”)。在一些实施例中,在待机状态和/或关断状态期间,第一腔室403a不生成第一激光束409和/或第二激光腔室403b不产生第二激光束411。温度控制系统430可以滤出与关断状态和待机状态相关联的数据。
图5示出了根据本公开的一些实施例的描绘了在某时间段期间与冷却系统407的一个或多个阀相关联的位置数据和相关联的滤除后的包络数据的示例性图。图500包括指示以百分比表示的阀开度的y轴501和指示时间的x轴503。图500示出了与冷却系统407的一个或多个阀相关联的位置数据509。
在该示例性实施例中,如上所讨论的,根据一些实施例,当激光源400不处于接通状态(例如,处于关断或待机状态)时,温度控制系统430不考虑与冷却系统407的一个或多个阀相关联的位置数据。该位置数据被示为图500上的数据点513。
根据一些实施例,在温度控制系统430通过滤出当激光源400未处于接通状态时接收到的数据的部分来确定(例如,生成)第一滤除后的数据之后,温度控制系统430还通过滤出第一滤除后的数据的野值部分来确定(例如,生成)第二滤除后的数据。在一些示例中,温度控制系统430被配置为基于一个或多个数据阈值来确定野值部分。附加地或备选地,温度控制系统430被配置为执行一个或多个野值滤除方法以滤出第一滤除后的数据的野值部分。在一些示例中,确定野值部分可以包括:忽略高于数据阈值的值,忽略位于相对于平均值的一定数量的标准偏差之外的值,使用若干数据点的平均来减少单个野值的影响,忽略表示不切实际或物理上不可能的事件(例如,不在0和100之间的百分比)的值等。例如,如图5的图500所示,温度控制系统430被配置为滤出野值数据点511。
根据一些实施例,在确定第二滤除后的数据之后,温度控制系统430被配置为基于第二滤除后的数据来确定包络数据。在一些示例中,包络数据是描画第二滤除后的数据的轮廓并且可以概括第二滤除后的数据的幅度的概念的数据。例如,(通过温度控制系统430)确定包络数据从第二滤除后的数据的底部跨越到第二滤除后的数据的顶部的正下方。根据一些实施例,由于温度控制系统430基于第二滤除后的数据来确定包络数据,因此当激光源处于关断状态或处于待机状态时,包络数据排除从温度致动器接收的数据的部分(例如,与冷却系统407的一个或多个阀相关联的位置数据),并且还排除野值数据。
在一些实施例中,在确定包络数据之后,温度控制系统430还通过对包络数据应用滤除器来确定滤除后的包络数据。例如,温度控制系统430将滤除器应用于包络数据,使得滤除后的包络数据可以是鲁棒的并且对性能的临时偏移不敏感,并且滤除后的包络数据可以是鲁棒的并且对滤除后的包络数据内的数据上的噪声不敏感。在一些示例中,温度控制系统430将低通移动平均滤除器应用于包络数据。然而,本公开的实施例可以包括被应用于包络数据的其他滤除器,以使滤除后的包络数据对噪声和性能波动更鲁棒。例如,温度控制系统430被配置为生成如图5所示的滤除后的包络数据505和507。在该示例中,滤除后的包络数据包括下限值(例如,边缘)505和下限值(例如,边缘)507。
根据一些实施例,使用所确定的滤除后的包络数据,温度控制系统430被配置为确定温度致动器的一个或多个阈值(例如,与加热系统405相关联的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值)。
如上所讨论的,与加热系统405相关联的上限阀位置阈值可以是加热系统关断阈值。换言之,当与冷却系统407相关联的阀位置大于上限阀位置阈值时,关闭加热系统405。在一个实施例中,温度控制系统430被配置为确定(例如,设置)与加热系统405相关联的上限阀位置阈值(例如,加热系统关断阈值)刚好低于滤除后的包络数据的下限值(例如,边缘)。这例如在图6A和/或图6B中示出。
图6A和图6B示出了根据本公开的一些实施例的描绘了在某时间段期间与冷却系统407的一个或多个阀相关联的位置数据以及与加热系统405相关联的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值的示例性图。
图600(或620)包括指示以百分比表示的阀开度的y轴601(或621)和指示时间的x轴603(或623)。图600(或620)示出了与冷却系统407的一个或多个阀相关联的位置数据609(或629)。
在该示例中,图600(或620)还示出了与加热系统405相关联的上限阀位置阈值(例如,加热系统关闭阈值)607(或627)。此外,图600(或620)还示出了与加热系统405相关联的下限阀位置阈值(例如,加热系统开启阈值)605(或625)。在一个实施例中,温度控制系统430被配置为确定(例如,设置)与加热系统405相关联的上限阀位置阈值607(或627)刚好低于滤除后的包络数据的下限值(例如,边缘)(例如,图5的下限值505)。
可以看出,在图6A和图6B中,下限阀位置阈值605、625是相同的,并且上限阀位置阈值607、627也是相同的。如上所提及的,在一些实施例中,下限阀位置阈值605、625可以不同,并且在一些实施例中,上限阀位置阈值607、627可以不同。如此,可以存在与第一激光腔室403a和第一加热系统405a相关联的下限阈值和上限阈值、以及与第二激光腔室403b和第二加热系统405b相关联的单独的下限阈值和上限阈值。
附加地或备选地,温度控制系统430被配置为:确定(例如,设置)与加热系统405相关联的下限阀位置阈值605(或625),使得当激光源400转变为关闭或待机状态时加热系统405开启。如上所讨论的,与加热系统405相关联的下限阀位置阈值可以是加热系统开启阈值。换言之,当与冷却系统407相关联的阀位置小于下限阀位置阈值时,加热系统405开启。
应当注意,本公开不限于该方法,并且温度控制系统430可以使用其他方法,温度控制系统430被配置为:基于所确定的滤除后的包络数据来确定温度致动器的一个或多个阈值。例如,温度控制系统430可以使用滤除后的数据包络(例如,图5的507)的上限值(例如,边缘)来确定与加热系统405相关联的上限阀位置阈值(例如,加热系统关闭阈值)。例如,温度控制系统430可以确定(例如,设置)与加热系统405相关联的上限阀位置阈值等于或大于滤除后的数据包络的上限值(例如,边缘)。
如图6A和图6B所示,温度控制系统430可以从温度致动器接收两组数据-与第一激光腔室403a的冷却系统407a相关联的第一组数据(例如,位置数据609)和与第二激光腔室403b的冷却系统407b相关联的第二组数据(例如,位置数据629)。在一些实施例中,温度控制系统430可以确定用于第一激光腔室403a的第一下限阀位置阈值和第一上限阀位置阈值以及用于第二激光腔室403b的第二下限阀位置阈值和第二上限阀位置阈值。在这些示例中,温度控制系统430可以使用第一组阈值和第二组阈值来确定下限阀位置阈值和上限阀位置阈值。例如,温度控制系统430可以将上限阀位置阈值确定为第一上限阀位置阈值和第二上限阀位置阈值中的最小值。此外,作为一个示例,温度控制系统430可以将下限阀位置阈值确定为第一下限阀位置阈值和第二下限阀位置阈值中的最小值。附加地或备选地,第一下限阀位置阈值和第一上限阀位置阈值用于控制第一激光腔室403a中的气体温度,而第二下限阀位置阈值和第二上限阀位置阈值用于控制第二激光腔室403a中的气体温度。在一些示例中,第一下限阀位置阈值和第一上限阀位置阈值与第二下限阀位置阈值和第二上限阀位置阈值相同。备选地,第一下限阀位置阈值和第一上限阀位置阈值不同于第二下限阀位置阈值和第二上限阀位置阈值。
在确定与加热系统405相关联的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值之后,温度控制系统430可以将这些阈值传达到控制系统410(例如,通过连接431)。控制系统410使用这些阈值来控制第一激光腔室403a和第二激光腔室403b中的气体温度。备选地或附加地,温度控制系统430可以直接与温度致动器(包括加热系统405和冷却系统407)通信以监测(例如,接收)数据并发送控制数据/指令。根据一些实施例,通过动态地控制与加热系统405相关联的一个或多个阈值,可以节省激光源400中的能量和功耗。
根据一些实施例,温度控制系统430被配置为周期性地确定与加热系统405相关联的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值。在一个示例中,用于确定与加热系统405相关联的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值的时段可以由用户在温度控制系统430处设置。在另一示例中,温度控制系统430可以分析与温度致动器相关联的数据,并且根据数据的改变,温度控制系统430可以设置或改变用于确定与加热系统405相关联的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值的时段。在其他实施例中,用于确定与加热系统405相关联的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值的时段可以是固定时段或变化时段。在一些实施例中,温度控制系统430可以基于从用户、从控制系统401和/或光刻设备100和/或100’的其他部件接收的指令来确定与加热系统405相关联的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值。
图7示出了根据本公开的一些实施例的用于确定与加热系统405相关联的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值的示例方法700。为了方便而非限制,图7可以参考图1至图6的元件来描述。方法700可以表示温度控制系统403的操作,该操作用于确定与加热系统405相关联的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值。方法700可以由图4A的温度控制系统403和/或图11的计算机系统1100执行。但是方法700不限于这些图中所示的特定实施例,并且如本领域技术人员将理解的,可以使用其他系统来执行该方法。应当理解,不是所有的操作都是需要的,并且这些操作可以不以图7所示的相同顺序执行。
在702处,在第一时间段期间监测与激光源的第一激光腔室的第一冷却系统相关联的数据。例如,温度控制系统430(直接和/或通过控制系统410)在第一时间段期间监测与激光源400的第一激光腔室403a的冷却系统407a(例如水冷却系统)相关联的阀位置数据。
在704处,在第一时间段期间监测与激光源的第二激光腔室的第二冷却系统相关联的数据。例如,温度控制系统430(直接和/或通过控制系统410)在第一时间段期间监测与激光源400的第二激光腔室403b的冷却系统407b(例如水冷却系统)相关联的阀位置数据。
在706处,确定激光源在第一时间段期间的状态。例如,温度控制系统430(直接和/或通过控制系统410)确定激光源400在第一时间段期间是否和/或何时处于接通状态、关断状态或待机状态。
在708处,基于监测到的数据和激光源的状态来确定与第一激光腔室的第一加热系统以及与第二激光腔室的第二加热系统相关联的一个或多个阈值。例如,温度控制系统430使用监测到的与冷却系统405相关联的阀位置数据以及激光源400的状态来确定用于加热系统407的下限阀位置阈值(例如,加热系统开启阈值)并确定加热系统407的上限阀位置阈值(例如,加热系统关闭阈值)。
根据一些实施例,温度控制系统430使用监测到的与冷却系统405a相关联的阀位置数据以及激光源400的状态来确定用于加热系统407a的第一下限阀位置阈值和第一上限阀位置阈值。在该示例中,温度控制系统430使用监测到的与冷却系统405b相关联的阀位置数据以及激光源400的状态来确定用于加热系统407b的第二下限阀位置阈值和第二上限阀位置阈值。然后,温度控制系统430使用第一和第二下和上限阀位置阈值来确定用于两个加热系统407a和407b的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值。然而,也可以使用本公开中所讨论的用于确定下限阀位置阈值和上限阀位置阈值的其他方法。
根据一些实施例,在确定一个或多个阈值(例如,下限阀位置阈值和上限阀位置阈值)之后,这些阈值被传达到控制系统410,并且用于控制加热系统407,以用于控制激光腔室403中的气体温度。对于相应的激光系统可以有不同的阈值,或者对于两个激光系统可以有单组上限阈值和下限阈值。
图8示出了根据本公开的一些实施例的用于确定与加热系统405相关联的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值的示例方法800。为了方便而非限制,可以参考图1至图7的元件来描述图8。方法800可以表示温度控制系统403的操作,该操作用于确定与加热系统405相关联的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值。方法800可以由图4A的温度控制系统403和/或图11的计算机系统1100执行。但是方法800不限于这些图中所示的特定实施例,并且如本领域技术人员将理解的,可以使用其他系统来执行该方法。应当理解,不是所有的操作都是需要的,并且这些操作可以不以图8所示的相同顺序来执行。
根据一些实施例,方法800可以是图7的方法700的步骤708的部分。在一些实施例中,在802处,当激光源的状态指示激光源未处于接通状态(例如,其处于关断状态或处于待机状态)时,通过滤出与第一冷却系统和/或第二冷却系统相关联的数据的部分来确定第一滤除后的数据。如上所讨论的,在一个示例中,与第一冷却系统和/或第二冷却系统相关联的数据包括与冷却系统407相关联的阀位置数据。在802处,例如,当激光源400的状态指示激光源400未处于接通状态时,温度控制系统430通过滤出接收到的数据的部分(例如,阀位置数据的与冷却系统407的一个或多个阀相关联的部分)来确定(例如,生成)第一滤除后的数据。换言之,根据一些实施例,当激光源400处于关断状态或处于待机状态时,温度控制系统430不考虑与冷却系统407的一个或多个阀相关联的阀位置数据。
在804处,通过滤出第一滤除后的数据的野值部分来确定第二滤除后的数据。例如,温度控制系统430还通过滤出第一滤除后的数据的野值部分来确定(例如,生成)第二滤除后的数据。在一些示例中,温度控制系统430被配置为基于一个或多个数据阈值来确定野值部分。附加地或备选地,温度控制系统430被配置为执行一个或多个野值滤除方法以滤出第一滤除后的数据的野值部分。
在806处,确定基于第二滤除后的数据的包络数据。例如,温度控制系统430至少部分地基于第二滤除后的数据来确定包络数据。在一些示例中,包络数据是描画第二滤除后的数据的轮廓并且可以概括第二滤除后的数据的幅度的概念的数据。例如,(通过温度控制系统430)确定包络数据从第二滤除后的数据的底部跨越到第二滤除后的数据的顶部的正下方。
在808处,通过将低通移动平均滤除器应用于包络数据来确定滤除后的包络数据。例如,温度控制系统430对包络数据应用低通移动平均滤除器。虽然一些实施例利用低通移动平均滤除器来讨论,但是本公开的实施例可以包括被应用于包络数据的其他滤除器,以使滤除后的包络数据对噪声和性能波动更鲁棒。
在810处,至少部分地基于滤除后的包络数据来确定一个或多个阈值。例如,温度控制系统430至少部分地基于滤除后的包络数据来确定一个或多个阈值。在一个示例中,一个或多个阈值包括与加热系统405相关联的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值。在一个实施例中,温度控制系统430确定(例如,设置)与加热系统405相关联的上限阀位置阈值(例如,加热系统关闭阈值)刚好低于滤除后的包络数据的下限值(例如,边缘)。附加地或备选地,温度控制系统430确定(例如,设置)与加热系统405相关联的下限阀位置阈值,使得加热系统405在激光源400转变为关断或待机模式时开启。
图9示出根据本公开的一些实施例的用于传达与加热系统405相关联的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值的示例方法900。为了方便而非限制,图9可以参考图1至图8的元件来描述。方法900可以表示用于传达与加热系统405相关联的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值的温度控制系统403的操作。方法900可以由图4A的温度控制系统403和/或图11的计算机系统1100执行。但是方法900不限于这些图中所示的特定实施例,并且如本领域技术人员将理解的,可以使用其他系统来执行该方法。应当理解,不是所有的操作都是需要的,并且这些操作可以不以图9所示的相同顺序来执行。
根据一些实施例,除了确定与加热系统405相关联的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值之外,温度控制系统430还可以被配置为基于激光腔室403的年龄来控制加热系统405(通过控制系统410)。在一些实施例中,激光腔室403的年龄可以基于与该激光腔室相关联的腔室击射计数来确定。
例如,对于在早期腔室寿命下的激光腔室,温度控制系统430可以指示控制系统410使用默认的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值,而不是由温度控制系统430确定的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值。
对于在中间腔室寿命下的激光腔室,温度控制系统430可以指示控制系统410使用由温度控制系统430确定的经调制的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值。根据一些示例,温度控制系统430被配置为调制下限阀位置阈值和上限阀位置阈值以生成经调制的阈值来实现期望的占空比。
根据一些实施例,对于在中间腔室寿命之后下的激光腔室,温度控制系统430可以指示控制系统410使用由温度控制系统430确定的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值。
根据一些实施例,在902处,确定与激光源的第一激光腔室和/或第二激光腔室相关联的腔室击射计数。例如,温度控制系统430可以确定与激光源400的第一激光腔室403a相关联的第一腔室击射计数以及与激光源400的第二激光腔室403b相关联的第二腔室击射计数。在一些实例中,腔室击射计数可以指示自腔室安装到激光源中以来在腔室中生成的激光击射的数目。
在904处,将所确定的腔室击射计数与第一计数阈值进行比较。例如,温度控制系统430将所确定的腔室击射计数与第一计数阈值进行比较。单独的第一计数阈值可以与激光腔室中的每个激光腔室相关联,或者可以存在与组合的两个激光腔室相关联的第一计数阈值。如果所确定的腔室击射计数大于第一计数阈值,则温度控制系统430可以确定激光腔室处于寿命中期之后。在该示例中,该方法可以继续到906,其中温度控制系统430与控制系统410通信由温度控制系统430确定的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值中的一者或多者。附加地或备选地,温度控制系统430指示控制系统410使用下限阀位置阈值和上限阀位置阈值中的一者或多者。在一些示例中,第一计数阈值可以是大约或大于100亿脉冲(Bps)的值。在一些示例中,第一计数阈值可以是大约或大于15Bps的值。在一些示例中,第一计数阈值可以是大约或大于18Bps的值。在一些示例中,第一计数阈值可以是大约20Bps的值。然而,针对第一计数阈值的这些值是作为示例提供的,并且可以使用其他值。
如果在908处确定所确定的腔室击射计数不大于第一计数阈值,则方法900移动到908。在908处,确定所确定的腔室击射计数是否大于第二计数阈值。例如,温度控制系统430确定所确定的腔室击射计数是否大于第二计数阈值。如果温度控制系统430确定所确定的腔室击射计数小于第二计数阈值,则温度控制系统430可以确定激光腔室处于寿命早期。在该示例中,方法900移动到910。
在910处,温度控制系统430与控制系统410通信,使得控制系统410使用(多个)默认/原始阈值而不是由温度控制系统430确定的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值。在一个示例中,温度控制系统430可以向控制系统410传达由温度控制系统430确定的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值中的一者或多者,但是可以指示控制系统410不使用它们,而是使用(多个)默认/原始阈值。备选地,温度控制系统430不将由温度控制系统430和控制系统410确定的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值中的一个或多个传达到控制系统410,并且控制系统410使用(多个)默认/原始阈值。
根据一些实施例,通过使用默认/原始阈值而不是由温度控制系统430确定的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值,温度控制系统430可以避免或改善冷启动风险。冷启动风险可以是指长时间激光空闲后的系统效率的暂时损失,这可能与激光腔室气体温度和/或激光腔室老化有关。在一些示例中,第二计数阈值可以是大约或大于0.5Bps的值。在一些示例中,第二计数阈值可以是大约或大于1Bps的值。在一些示例中,第二计数阈值可以是大约2Bps的值。然而,用于第二计数阈值的这些值是作为示例提供的,并且可以使用其他值。
如果在908处确定所确定的腔室击射计数在第二计数阈值和第一计数阈值之间,则温度控制系统430可以确定激光腔室处于寿命中期。在该示例中,方法900移动到912。在912处,温度控制系统430被配置为调制下限阀位置阈值以生成经调制的下限阀位置阈值。温度控制系统430被配置为调制上限阀位置阈值以生成经调制的上限阀位置阈值。温度控制系统430被配置为生成经调制的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值以实现期望的占空比。在914处,温度控制系统430向控制系统410传达由温度控制系统430确定的经调制的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值中的一个或多个。
根据一些实施例,控制系统410使用经调制的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值来在(多个)默认/原始阈值与由温度控制系统430确定的(多个)阈值(例如,调制之前的阈值)之间切换对加热系统405的控制。换言之,温度控制系统430被配置为以某频率传达一组新的阈值以实现占空比。例如,该组阈值包括:(1)所确定的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值以及(2)默认/原始的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值。温度控制系统430以该频率在(1)所确定的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值与(2)默认/原始的下限阀位置阈值和上限阀位置阈值之间进行切换以实现占空比。例如,对于50%的占空比值,控制系统410可以在50%的时间使用默认/原始阈值,而在另外50%的时间使用由温度控制系统430确定的阈值,以用于控制加热系统405。在该示例中,温度控制系统430和/或控制系统410可以调制由温度控制系统430确定的(多个)阈值以维持有效占空比。
作为另一示例,为了实现40%的占空比,温度控制系统430和/或控制系统410可以调制由温度控制系统430确定的(多个)阈值,使得加热系统405开启10分钟,然后关闭15分钟,开启10分钟等。该示例在图10A和图10B中示出。
图10A示出了根据本公开的一些实施例的描绘了激光源400在某时间段期间的状态的示例性图。图10B示出了根据本公开的一些实施例的描述了加热系统405在该时间段期间的状态的示例性图。图1000包括指示激光源400的激光状态1001的y轴和指示时间的x轴1003。图1000示出了激光源400处于关断状态或处于待机状态的时间段1005。类似地,图1020包括指示加热系统405的加热系统状态1021的y轴和指示时间的x轴1023。
图1020示出了用于加热系统405a(例如,与第一激光腔室403a相关联的加热系统,该第一激光腔室403a与例如主振荡器(MO)相关联)和用于加热系统405b(例如,与第二激光腔室403b相关联的加热系统,该第二激光腔室403b与例如功率放大器(PA)相关联)的加热系统状态1021。图1020示出了加热系统开启的时间段1025。时间段1025对应于图10A的时间段1005,其中激光源400处于关断状态或处于待机状态。除了时间段1025之外,调制由温度控制系统430确定的(多个)阈值以实现40%的占空比,其中加热系统405开启10分钟,然后关闭15分钟,开启10分钟等等。
根据一些实施例,占空比值由用户提供给温度控制系统430。附加地或备选地,温度控制系统430基于例如激光腔室的腔室击射计数来确定占空比值。通过调制由温度控制系统430确定的阈值,温度控制系统430可以避免或改善冷启动风险。
根据一些实施例,对第一激光腔室403a和第二激光腔室403b执行方法900。在某些示例中,第一激光腔室403a和第二激光腔室403b可以在同一寿命周期。例如,两者均在寿命早期,两者均在寿命中期,或两者均在寿命中期之后。在其他示例中,第一激光腔室403a和第二激光腔室403b可以处于不同的寿命周期。根据一些实施例,如果第一激光腔室403a和第二激光腔室403b处于不同的寿命周期,则可以保守地执行方法900。例如,方法900可以基于具有较低腔室击射计数的激光腔室来执行。备选地,在一些实例中,方法900可以基于具有较高腔室击射计数的激光腔室来执行。
本公开的实施例可以被实施在硬件、固件、软件或它们的任何组合中。本公开的实施例还可以被实现为存储在机器可读介质上的指令,该指令可以由一个或多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以机器(例如,计算设备)可读的形式存储或传输信息的任何机制。例如,机器可读介质可以包括只读存储器(ROM);随机存取存储器(RAM);磁盘存储介质;光存储介质;闪存设备;电、光、声或其他形式的传播信号等。此外,固件、软件、例程和/或指令在本文中可以被描述为执行某些动作。然而,应理解,此类描述仅为方便起见,并且此类动作实际上由执行固件、软件、例程和/或指令的计算设备、处理器、控制器或其他设备产生。
例如,可以使用诸如图11所示的计算机系统1100的一个或多个计算机系统来实现各种实施例。计算机系统1100可以是能够执行本文中所描述的功能的任何公知的计算机,诸如图4A的控制系统410或温度控制系统430。计算机系统1100包括一个或多个处理器(也称为中央处理单元或CPU),诸如处理器1104。处理器1104被连接到通信基础设施1106(例如,总线)。计算机系统1100还包括通过(多个)用户输入/输出接口1102与通信基础设施1106通信的(多个)用户输入/输出设备1103,诸如显示器、键盘、指点设备等。计算机系统1100还包括主(main)或主(primary)存储器1108,诸如随机存取存储器(RAM)。主存储器1108可以包括一级或多级高速缓存。主存储器1108中存储有控制逻辑(例如计算机软件)和/或数据。
计算机系统1100还可以包括一个或多个辅存储设备或存储器1110。辅存储器1110可以包括例如硬盘驱动1112和/或可移除存储设备或驱动1114。可移除存储驱动1114可以是软盘驱动、磁带驱动、光盘驱动、光学存储设备、磁带备份设备和/或任何其他存储设备/驱动。
可移除存储驱动1114可以与可移除存储单元1118交互。可移除存储单元1118包括其上存储有计算机软件(控制逻辑)和/或数据的计算机可用或可读存储设备。可移除存储单元1118可以是软盘、磁带、光盘、DVD、光学存储盘和/或任何其他计算机数据存储设备。可移除存储驱动1114以已知的方式从可移除存储单元1118读取和/或向可移除存储单元1118写入。
根据一些实施例,辅存储器1110可以包括允许计算机系统1100访问计算机程序和/或其他指令和/或数据的其他部件、工具或其他方法。这种部件、工具或其他方法可以包括例如可移除存储单元1122和接口1120。可移除存储单元1122和接口1120的示例可以包括程序盒式存储器和盒式接口(诸如在视频游戏设备中找到的)、可移除存储器芯片(诸如EPROM或PROM)和相关联的插口、记忆棒和USB端口、存储卡和相关联的存储卡插槽、和/或任何其他可移除存储单元和相关联的接口。
计算机系统1100还可以包括通信或网络接口1124。通信接口1124使计算机系统1100能够与远程设备、远程网络、远程实体等的任何组合进行通信和交互(由附图标记1128单独地和共同地表示)。例如,通信接口1124可以允许计算机系统1100通过通信路径1126与远程设备1128通信,通信路径1126可以是有线的和/或无线的,并且可以包括LAN、WAN、因特网等的任何组合。控制逻辑和/或数据可以经由通信路径1126被传输到计算机系统1100和从计算机系统1100发送。
前述实施例中的操作可以在多种配置和架构中实现。因此,前述实施例中的一些或全部操作可以在硬件、软件或两者中执行。在一些实施例中,有形的非瞬态设备或制品包括其上存储有控制逻辑(软件)的有形的非瞬态计算机可用或可读介质,该有形的非瞬态计算机可用或可读介质在本文中也被称为计算机程序产品或程序存储设备。这包括但不限于计算机系统1100、主存储器1108、辅存储器1110和可移除存储单元1118和1122、以及体现前述的任何组合的有形制品。当由一个或多个数据处理设备(诸如计算机系统1100)执行时,这样的控制逻辑使这样的数据处理设备如本文所描述地进行操作。
基于被包含在本公开中的教导,对于相关领域的技术人员来说,如何使用不同于图11所示的数据处理设备、计算机系统和/或计算机架构来制造和使用本公开的实施例是显而易见的。特别地,实施例可以用不同于本文中所描述的软件、硬件和/或操作系统实现来操作。
尽管在本文中可以具体参考光刻设备在IC的制造中的使用,但是应当理解,本文中所描述的光刻设备可以具有其他应用,诸如集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、LCD、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员将理解,在这样的替代应用的上下文中,本文中术语“晶片””或“裸片”的任何使用可以被认为分别与更一般的术语“衬底”或“目标部分”同义。在曝光之前或之后,可以在例如跟踪单元(通常将抗蚀剂层施加到衬底并使被曝光的抗蚀剂显影的工具)、量测单元和/或检查单元中处理本文中所提到的衬底。在适用的情况下,本文中的公开内容可以应用于这种和其他衬底处理工具。此外,例如为了创建多层IC,可以不止一次地处理衬底,使得本文中所使用的术语衬底也可以是指已经包含多个被处理的层的衬底。
应理解,本文的措辞或术语是为了描述而非限制的目的,使得本公开的术语或措辞应由相关领域的技术人员根据本文的教导来解释。
本文中所使用的术语“衬底”描述了在其上添加材料层的材料。在一些实施例中,衬底本身可以被图案化,并且添加在其顶部的材料也可以被图案化,或者可以保持不图案化。
以下实施例说明但不限制本公开的实施例。所属领域中通常遇到的各种条件和参数的其他合适修改和调适(对于相关领域的技术人员来说将是显而易见的)在本公开的精神和范围内。
尽管在本文中可以具体参考根据实施例的设备和/或系统在IC制造中的使用,但是应当清楚地理解,这种设备和/或系统具有许多其他可能的应用。例如,它可以被采用在集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、LCD面板、薄膜磁头等的制造中。本领域技术人员将理解,在这种备选应用的上下文中,本文中的术语“掩模板”、“晶片”或“裸片”的任何使用应被认为分别由更通用的术语“掩模”、“衬底”和“目标部分”来替换。
虽然上面已经描述了本公开的特定实施例,但是应当理解,本公开可以以不同于所描述的方式来实践。该描述并不旨在限制本公开。
应当理解,具体实施方式部分而不是发明内容和摘要部分旨在用于解释权利要求。发明内容和摘要部分可以阐述发明人所预期的一个或多个但不是所有的示例性实施例,并且因此不旨在以任何方式限制本实施例和所附权利要求。
以上借助于说明特定功能及其关系的实现的功能构建块描述了一些实施例。为了便于描述,这些功能构建块的边界在本文中已被任意限定。只要适当地执行指定的功能及其关系,就可以限定替代边界。
具体实施例的上述描述将充分揭示实施例的一般性质,通过应用本领域的知识,其他人可以容易地修改和/或适应这些具体实施例的各种应用,而无需过多的实验,而不脱离本公开的一般概念。因此,基于本文给出的教导和指导,这样的适应和修改旨在处于所公开的实施例的等效的含义和范围内。
本发明的其他方面在以下编号的条款中阐述。
1.一种激光源,包括:
第一激光腔室,被配置为生成第一激光束;
第二激光腔室,被配置为:接收第一激光束,并且放大第一激光束以生成第二激光束;
第一温度致动器,被配置为控制第一激光腔室中的气体的第一温度;
第二温度致动器,被配置为控制第二激光腔室中的气体的第二温度;以及
温度控制系统,被配置为:从第一温度致动器和第二温度致动器接收数据,并且基于接收到的数据,确定与第一温度致动器和第二温度致动器相关联的阈值,
其中该阈值被第一温度致动器和第二温度致动器用于控制第一温度和第二温度。
2.根据条款1的激光源,其中第一温度致动器和第二温度致动器中的每一者包括冷却系统和加热系统。
3.根据条款2的激光源,其中来自第一温度致动器和第二温度致动器的数据包括与对应的冷却系统相关联的数据,并且阈值包括与加热系统相关联的阈值。
4.根据条款3的激光源,其中:
冷却系统中的每个冷却系统包括水冷却系统,
与对应的冷却系统相关联的数据包括与对应的水冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据,以及
与加热系统相关联的阈值包括用于开启加热系统的下限阈值和用于关闭加热系统的上限阈值。
5.根据条款4的激光源,其中温度控制系统被配置为:
在第一时间段期间监测与对应的水冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据;
确定激光源在第一时间段期间的状态;以及
当激光源的状态指示激光源未处于接通状态时,通过滤出位置数据的与水冷却系统的一个或多个阀相关联的部分来确定第一滤除后的数据。
6.根据条款5的激光源,其中温度控制系统还被配置为:
通过滤出第一滤除后的数据的野值部分来确定第二滤除后的数据,其中野值部分基于一个或多个数据阈值来确定;
基于第二滤除后的数据,确定包络数据;
通过对包络数据应用低通移动平均滤除器来确定滤除后的包络数据;以及
基于滤除后的包络数据,确定下限阈值和上限阈值。
7.根据条款6的激光源,其中温度控制系统被配置为:确定上限阈值等于或小于滤除后的包络数据的下限值。
8.根据条款6的激光源,其中温度控制系统被配置为:确定上限阈值等于或大于滤除后的包络数据的上限值。
9.根据条款6的激光源,其中温度控制系统被配置为:确定下限阈值,使得加热系统响应于第一激光腔室和第二激光腔室分别不生成第一激光束和第二激光束而开启。
10.根据条款1的激光源,其中:
第一温度致动器包括与第一激光腔室相关联的第一冷却系统和第一加热系统,
第二温度致动器包括与第二激光腔室相关联的第二冷却系统和第二加热系统,
来自第一温度致动器和第二温度致动器的数据包括分别与第一冷却系统和第二冷却系统相关联的数据,并且
阈值包括与第一加热系统相关联的第一阈值和与第二加热系统相关联的第二阈值,其中第一阈值被第一温度致动器用于控制第一温度,并且第二阈值被第二温度致动器用于控制第二温度。
11.根据条款1的激光源,其中温度控制系统被配置为:
确定与第一激光腔室相关联的腔室击射计数;
响应于确定腔室击射计数大于第一计数阈值,将与第一温度致动器和第二温度致动器相关联的阈值传达到第一温度致动器和第二温度致动器;
响应于确定腔室击射计数大于第二计数阈值并且小于或等于第一计数阈值:
调制与第一温度致动器和第二温度致动器相关联的阈值以确定经调制的阈值,其中经调制的阈值实现期望的占空比;以及
向第一温度致动器传达经调制的阈值;以及
响应于确定腔室击射计数小于或等于第二计数阈值,与第一温度致动器和第二温度致动器通信以使用与第一温度致动器和第二温度致动器相关联的默认阈值。
12.根据条款1的激光源,其中为了确定阈值,温度控制系统被配置为:
基于接收到的数据,确定与第一温度致动器相关联的第一下限阈值和第一上限阈值,其中第一下限阈值和第一上限阈值被第一温度致动器用于控制第一温度;以及
基于接收到的数据,确定与第二温度致动器相关联的第二下限阈值和第二上限阈值,其中第二下限阈值和第二上限阈值被第二温度致动器用于控制第二温度。
13.一种光刻设备,包括:
照射系统,被配置为调节辐射束;
投影系统,被配置为将被赋予辐射束的图案投影到衬底上,
其中,照射系统包括激光源,该激光源包括:
第一激光腔室,被配置为生成第一激光束;
第二激光腔室,被配置为:接收第一激光束,并且放大第一激光束以生成第二激光束;
第一温度致动器,被配置为控制第一激光腔室中的气体的第一温度;
第二温度致动器,被配置为控制第二激光腔室中的气体的第二温度;以及
温度控制系统,被配置为:从第一温度致动器和第二温度致动器接收数据,并且基于接收到的数据来确定与第一温度致动器和第二温度致动器相关联的阈值,其中阈值被第一温度致动器和第二温度致动器用于控制第一温度和第二温度。
14.根据条款13的光刻设备,其中:
第一温度致动器和第二温度致动器中的每一者包括水冷却系统和加热系统;
来自第一温度致动器和第二温度致动器的数据包括与对应的水冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据;以及
阈值包括用于开启加热系统的下限阈值和用于关闭加热系统的上限阈值。
15.根据条款14的光刻设备,其中针对激光腔室中的每个激光腔室,温度控制系统被配置为:
在第一时间段期间监测与对应的水冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据;
确定激光源在第一时间段期间的状态;
当激光源的状态指示激光源未处于接通状态时,通过滤出位置数据的与对应的水冷却系统的一个或多个阀相关联的部分来确定第一滤除后的数据;以及
通过滤出第一滤除后的数据的野值部分来确定第二滤除后的数据,其中野值部分基于一个或多个数据阈值来确定。
16.根据条款15的光刻设备,其中针对第一激光腔室和第二激光腔室中的每一者,温度控制系统还被配置为:
基于第二滤除后的数据,确定包络数据;
通过对包络数据应用低通移动平均滤除器来确定滤除后的包络数据;以及
基于滤除后的包络数据,确定下限阈值和上限阈值。
17.根据条款15的光刻设备,其中针对第一激光腔室和第二激光腔室中的每一者,温度控制系统被配置为:
确定下限阈值,使得加热系统响应于激光源关闭或转换到待机状态而开启;以及
确定上限阈值等于或小于滤除后的包络数据的下限值。
18.根据条款13的光刻设备,其中温度控制系统被配置为:
确定与第一激光腔室相关联的腔室击射计数;
响应于确定腔室击射计数大于第一计数阈值,将与第一温度致动器和第二温度致动器相关联的阈值传达到第一温度致动器和第二温度致动器;
响应于确定腔室击射计数大于第二计数阈值并且小于或等于第一计数阈值:
调制与第一温度致动器和第二温度致动器相关联的阈值以确定经调制的阈值,其中经调制的阈值实现期望的占空比;以及
向第一温度致动器传达经调制的阈值;以及
响应于确定腔室击射计数小于或等于第二计数阈值,与第一温度致动器和第二温度致动器通信以使用与第一温度致动器和第二温度致动器相关联的默认阈值。
19.根据条款13的光刻设备,其中:
第一温度致动器包括与第一激光腔室相关联的第一冷却系统和第一加热系统,
第二温度致动器包括与第二激光腔室相关联的第二冷却系统和第二加热系统,
来自第一温度致动器和第二温度致动器的数据包括分别与第一冷却系统和第二冷却系统相关联的数据,以及
阈值包括与第一加热系统相关联的第一阈值和与第二加热系统相关联的第二阈值,其中该第一阈值被第一温度致动器用于控制第一温度,并且该第二阈值被第二温度致动器用于控制第二温度。
20.一种方法,包括:
在第一激光腔室处生成第一激光束;
在第二激光腔室处放大第一激光束以生成第二激光束;
使用第一温度致动器控制第一激光腔室中的气体的第一温度;
使用第二温度致动器控制第二激光腔室中的气体的第二温度;
在温度控制系统处接收来自第一温度致动器和第二温度致动器的数据;以及
使用温度控制系统,基于接收到的数据,确定与第一温度致动器和第二温度致动器相关联的阈值,其中该阈值被第一温度致动器和第二温度致动器用于控制第一温度和第二温度。
21.根据条款20的方法,其中:
第一温度致动器和第二温度致动器中的每一者包括水冷却系统和加热系统;
来自第一温度致动器和第二温度致动器的数据包括与对应的水冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据;
阈值包括用于开启加热系统的下限阈值和用于关闭加热系统的上限阈值;
从第一温度致动器和第二温度致动器接收数据包括:在第一时间段期间监测与对应的水冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据;以及
确定阈值包括:
确定激光源在第一时间段期间的状态;
当激光源的状态指示激光源未处于接通状态时,通过滤出位置数据的与水冷却系统的一个或多个阀相关联的部分来确定第一滤除后的数据;以及
通过滤出第一滤除后的数据的野值部分来确定第二滤除后的数据,其中野值部分基于一个或多个数据阈值来确定。
22.根据条款21的方法,其中确定阈值还包括:
基于第二滤除后的数据,确定包络数据;
通过对包络数据应用低通移动平均滤除器来确定滤除后的包络数据;以及
基于滤除后的包络数据,确定下限阈值和上限阈值。
23.根据条款20的方法,其中:
第一温度致动器包括与第一激光腔室相关联的第一冷却系统和第一加热系统,
第二温度致动器包括与第二激光腔室相关联的第二冷却系统和第二加热系统,
来自第一温度致动器和第二温度致动器的数据包括分别与第一冷却系统和第二冷却系统相关联的数据,以及
确定阈值包括:
确定与第一加热系统相关联的第一阈值;以及
确定与第二加热系统相关联的第二阈值,
其中第一阈值被第一温度致动器用于控制第一温度,并且第二阈值被第二温度致动器用于控制第二温度。
24.一种非瞬态计算机可读介质,非瞬态计算机可读介质存储指令,该指令在由处理器执行时使处理器执行操作,该操作包括:
在第一时间段期间接收与激光源的水冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据;
确定激光源在第一时间段期间的状态;
当激光源的状态指示激光源未处于接通状态时,通过滤出位置数据的与水冷却系统的一个或多个阀相关联的部分来生成第一滤除后的数据;
通过滤出第一滤除后的数据的野值部分来生成第二滤除后的数据;
基于第二滤除后的数据,确定包络数据;
通过对包络数据应用低通滤除器来确定滤除后的包络数据;以及
基于滤除后的包络数据,确定与激光源的加热系统相关联的第一阈值和第二阈值,
其中第一阈值和第二阈值用于控制至少一个激光器腔室中的气体温度。
25.一种设备,包括:
第一温度致动器,被配置为控制第一激光腔室中的气体的第一温度;
第二温度致动器,被配置为控制第二激光腔室中的气体的第二温度;以及
温度控制系统,被配置为:从第一温度致动器和第二温度致动器接收数据,并且基于接收到的数据来确定与第一温度致动器和第二温度致动器相关联的阈值,其中该阈值被第一温度致动器和第二温度致动器用于控制第一温度和第二温度。
26.根据条款25的设备,其中:
第一激光腔室被配置为生成第一激光束,并且
第二激光腔室被配置为生成第二激光束,其中第二激光腔室被配置为:接收第一激光束,并且放大第一激光束以生成第二激光束。
27.根据条款25的设备,其中第一温度致动器和第二温度致动器中的每一者包括冷却系统和加热系统。
28.根据条款27的设备,其中来自第一温度致动器和第二温度致动器的数据包括与对应的冷却系统相关联的数据,并且阈值包括与加热系统相关联的阈值。
29.根据条款28的设备,其中:
冷却系统中的每个冷却系统包括水冷却系统,
与对应的冷却系统相关联的数据包括与对应的水冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据,以及
与加热系统相关联的阈值包括用于开启加热系统的下限阈值和用于关闭加热系统的上限阈值。
30.根据条款29的设备,其中温度控制系统被配置为:
在第一时间段期间监测与对应的水冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据;
确定设备在第一时间段期间的状态;以及
当设备的状态指示设备未处于接通状态时,通过滤出位置数据的与水冷却系统的一个或多个阀相关联的部分来确定第一滤除后的数据。
31.根据条款30的设备,其中温度控制系统还被配置为:
通过滤出第一滤除后的数据的野值部分来确定第二滤除后的数据,其中野值部分基于一个或多个数据阈值来确定;
基于第二滤除后的数据,确定包络数据;
通过对包络数据应用低通移动平均滤除器来确定滤除后的包络数据;以及
基于滤除后的包络数据,确定下限阈值和上限阈值。
32.根据条款25的设备,其中:
第一温度致动器包括与第一腔室相关联的第一冷却系统和第一加热系统,
第二温度致动器包括与第二腔室相关联的第二冷却系统和第二加热系统,
来自第一温度致动器和第二温度致动器的数据包括分别与第一冷却系统和第二冷却系统相关联的数据,以及
阈值包括与第一加热系统相关联的第一阈值和与第二加热系统相关联的第二阈值,其中第一阈值被第一温度致动器用于控制第一温度,并且第二阈值被第二温度致动器用于控制第二温度。
33.一种激光源,包括:
第一激光腔室,被配置为生成第一激光束;
第二激光腔室,被配置为:接收第一激光束,并且放大第一激光束以生成第二激光束;
第一温度致动器,被配置为控制第一激光腔室中的气体的第一温度;
第二温度致动器,被配置为控制第二激光腔室中的气体的第二温度;以及
温度控制系统,被配置为:
从第一温度致动器和第二温度致动器接收数据;
基于接收到的数据,确定与第一温度致动器相关联的第一下限阈值和第一上限阈值,其中第一下限阈值和第一上限阈值被第一温度致动器用于控制第一温度;以及
基于接收到的数据,确定与第二温度致动器相关联的第二下限阈值和第二上限阈值,其中第二下限阈值和第二上限阈值被第二温度致动器用于控制第二温度。
34.一种设备,包括:
第一温度致动器,被配置为控制第一腔室中的气体的第一温度;
第二温度致动器,被配置为控制第二腔室中的气体的第二温度;以及
温度控制系统,被配置为:
从第一温度致动器和第二温度致动器接收数据;
基于接收到的数据,确定与第一温度致动器相关联的第一阈值,其中第一阈值被第一温度致动器用于控制第一温度;以及
基于接收到的数据,确定与第二温度致动器相关联的第二阈值,其中第二阈值被第二温度致动器用于控制第二温度。
35.根据条款34的设备,其中:
第一腔室包括第一激光腔室,第一激光腔室被配置为生成第一激光束,以及
第二腔室包括第二激光腔室,第二激光腔室被配置为:接收第一激光束,并且放大第一激光束以生成第二激光束。
本公开的广度和范围不应受任何上述示例性实施例的限制,而应仅根据所附权利要求及其等效来定义。

Claims (35)

1.一种激光源,包括:
第一激光腔室,被配置为生成第一激光束;
第二激光腔室,被配置为:接收所述第一激光束,并且放大所述第一激光束以生成第二激光束;
第一温度致动器,被配置为控制所述第一激光腔室中的气体的第一温度;
第二温度致动器,被配置为控制所述第二激光腔室中的气体的第二温度;以及
温度控制系统,被配置为:从所述第一温度致动器和所述第二温度致动器接收数据,并且基于接收到的所述数据,确定与所述第一温度致动器和所述第二温度致动器相关联的阈值,
其中所述阈值被所述第一温度致动器和所述第二温度致动器用于控制所述第一温度和所述第二温度。
2.根据权利要求1所述的激光源,其中所述第一温度致动器和所述第二温度致动器中的每一者包括冷却系统和加热系统。
3.根据权利要求2所述的激光源,其中来自所述第一温度致动器和所述第二温度致动器的所述数据包括与对应的所述冷却系统相关联的数据,并且所述阈值包括与所述加热系统相关联的阈值。
4.根据权利要求3所述的激光源,其中:
冷却系统中的每个冷却系统包括水冷却系统,
与对应的所述冷却系统相关联的所述数据包括与对应的所述水冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据,以及
与所述加热系统相关联的所述阈值包括用于开启所述加热系统的下限阈值和用于关闭所述加热系统的上限阈值。
5.根据权利要求4所述的激光源,其中所述温度控制系统被配置为:
在第一时间段期间监测与对应的所述水冷却系统的所述一个或多个阀相关联的所述位置数据;
确定所述激光源在所述第一时间段期间的状态;以及
当所述激光源的所述状态指示所述激光源未处于接通状态时,通过滤出所述位置数据的与所述水冷却系统的所述一个或多个阀相关联的部分来确定第一滤除后的数据。
6.根据权利要求5所述的激光源,其中所述温度控制系统还被配置为:
通过滤出所述第一滤除后的数据的野值部分来确定第二滤除后的数据,其中所述野值部分基于一个或多个数据阈值来确定;
基于第二滤除后的数据,确定包络数据;
通过对所述包络数据应用低通移动平均滤除器来确定滤除后的包络数据;以及
基于所述滤除后的包络数据,确定所述下限阈值和所述上限阈值。
7.根据权利要求6所述的激光源,其中所述温度控制系统被配置为:确定所述上限阈值等于或小于所述滤除后的包络数据的下限值。
8.根据权利要求6所述的激光源,其中所述温度控制系统被配置为:确定所述上限阈值等于或大于所述滤除后的包络数据的上限值。
9.根据权利要求6所述的激光源,其中所述温度控制系统被配置为:确定所述下限阈值,使得所述加热系统响应于所述第一激光腔室和所述第二激光腔室分别不生成所述第一激光束和所述第二激光束而开启。
10.根据权利要求1所述的激光源,其中:
所述第一温度致动器包括与所述第一激光腔室相关联的第一冷却系统和第一加热系统,
所述第二温度致动器包括与所述第二激光腔室相关联的第二冷却系统和第二加热系统,
来自所述第一温度致动器和所述第二温度致动器的所述数据包括分别与所述第一冷却系统和所述第二冷却系统相关联的数据,并且
所述阈值包括与所述第一加热系统相关联的第一阈值和与所述第二加热系统相关联的第二阈值,其中所述第一阈值被所述第一温度致动器用于控制所述第一温度,并且所述第二阈值被所述第二温度致动器用于控制所述第二温度。
11.根据权利要求1所述的激光源,其中所述温度控制系统被配置为:
确定与所述第一激光腔室相关联的腔室击射计数;
响应于确定所述腔室击射计数大于第一计数阈值,将与所述第一温度致动器和所述第二温度致动器相关联的所述阈值传达到所述第一温度致动器和所述第二温度致动器;
响应于确定所述腔室击射计数大于第二计数阈值并且小于或等于所述第一计数阈值:
调制与所述第一温度致动器和所述第二温度致动器相关联的所述阈值以确定经调制的阈值,其中所述经调制的阈值实现期望的占空比;以及
向所述第一温度致动器传达所述经调制的阈值;以及
响应于确定所述腔室击射计数小于或等于所述第二计数阈值,与所述第一温度致动器和所述第二温度致动器通信以使用与所述第一温度致动器和所述第二温度致动器相关联的默认阈值。
12.根据权利要求1所述的激光源,其中为了确定所述阈值,所述温度控制系统被配置为:
基于接收到的所述数据,确定与所述第一温度致动器相关联的第一下限阈值和第一上限阈值,其中所述第一下限阈值和第一上限阈值被所述第一温度致动器用于控制所述第一温度;以及
基于接收到的数据,确定与所述第二温度致动器相关联的第二下限阈值和第二上限阈值,其中所述第二下限阈值和所述第二上限阈值被所述第二温度致动器用于控制所述第二温度。
13.一种光刻设备,包括:
照射系统,被配置为调节辐射束;
投影系统,被配置为将被赋予所述辐射束的图案投影到衬底上,
其中所述照射系统包括激光源,所述激光源包括:
第一激光腔室,被配置为生成第一激光束;
第二激光腔室,被配置为:接收所述第一激光束,并且放大所述第一激光束以生成第二激光束;
第一温度致动器,被配置为控制所述第一激光腔室中的气体的第一温度;
第二温度致动器,被配置为控制所述第二激光腔室中的气体的第二温度;以及
温度控制系统,被配置为:从所述第一温度致动器和所述第二温度致动器接收数据,并且基于接收到的所述数据来确定与所述第一温度致动器和所述第二温度致动器相关联的阈值,其中所述阈值被所述第一温度致动器和所述第二温度致动器用于控制所述第一温度和所述第二温度。
14.根据权利要求13所述的光刻设备,其中:
所述第一温度致动器和所述第二温度致动器中的每一者包括水冷却系统和加热系统;
来自所述第一温度致动器和所述第二温度致动器的所述数据包括与对应的所述水冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据;以及
所述阈值包括用于开启所述加热系统的下限阈值和用于关闭所述加热系统的上限阈值。
15.根据权利要求14所述的光刻设备,其中针对所述激光腔室中的每个激光腔室,所述温度控制系统被配置为:
在第一时间段期间监测与对应的所述水冷却系统的所述一个或多个阀相关联的所述位置数据;
确定所述激光源在所述第一时间段期间的状态;
当所述激光源的所述状态指示所述激光源未处于接通状态时,通过滤出所述位置数据的与对应的所述水冷却系统的所述一个或多个阀相关联的部分来确定第一滤除后的数据;以及
通过滤出所述第一滤除后的数据的野值部分来确定第二滤除后的数据,其中所述野值部分基于一个或多个数据阈值来确定。
16.根据权利要求15所述的光刻设备,其中针对所述第一激光腔室和第二激光腔室中的每一者,所述温度控制系统还被配置为:
基于所述第二滤除后的数据,确定包络数据;
通过对所述包络数据应用低通移动平均滤除器来确定滤除后的包络数据;以及
基于所述滤除后的包络数据,确定所述下限阈值和所述上限阈值。
17.根据权利要求15所述的光刻设备,其中针对所述第一激光腔室和所述第二激光腔室中的每一者,所述温度控制系统被配置为:
确定所述下限阈值,使得所述加热系统响应于所述激光源关闭或转换到待机状态而开启;以及
确定所述上限阈值等于或小于所述滤除后的包络数据的下限值。
18.根据权利要求13所述的光刻设备,其中所述温度控制系统被配置为:
确定与所述第一激光腔室相关联的腔室击射计数;
响应于确定所述腔室击射计数大于第一计数阈值,将与所述第一温度致动器和所述第二温度致动器相关联的所述阈值传达到所述第一温度致动器和所述第二温度致动器;
响应于确定所述腔室击射计数大于第二计数阈值并且小于或等于所述第一计数阈值:
调制与所述第一温度致动器和所述第二温度致动器相关联的所述阈值以确定经调制的阈值,其中所述经调制的阈值实现期望的占空比;以及
向所述第一温度致动器传达所述经调制的阈值;以及
响应于确定所述腔室击射计数小于或等于所述第二计数阈值,与所述第一温度致动器和所述第二温度致动器通信以使用与所述第一温度致动器和所述第二温度致动器相关联的默认阈值。
19.根据权利要求13所述的光刻设备,其中:
所述第一温度致动器包括与所述第一激光腔室相关联的第一冷却系统和第一加热系统,
所述第二温度致动器包括与所述第二激光腔室相关联的第二冷却系统和第二加热系统,
来自所述第一温度致动器和所述第二温度致动器的所述数据包括分别与所述第一冷却系统和所述第二冷却系统相关联的数据,以及
所述阈值包括与所述第一加热系统相关联的第一阈值和与所述第二加热系统相关联的第二阈值,其中所述第一阈值被所述第一温度致动器用于控制所述第一温度,并且该第二阈值被所述第二温度致动器用于控制所述第二温度。
20.一种方法,包括:
在第一激光腔室处生成第一激光束;
在第二激光腔室处放大所述第一激光束以生成第二激光束;
使用第一温度致动器控制所述第一激光腔室中的气体的第一温度;
使用第二温度致动器控制所述第二激光腔室中的气体的第二温度;
在温度控制系统处接收来自所述第一温度致动器和所述第二温度致动器的数据;以及
使用所述温度控制系统,基于接收到的所述数据,确定与所述第一温度致动器和所述第二温度致动器相关联的阈值,其中所述阈值被所述第一温度致动器和所述第二温度致动器用于控制所述第一温度和所述第二温度。
21.根据权利要求20所述的方法,其中:
所述第一温度致动器和所述第二温度致动器中的每一者包括水冷却系统和加热系统;
来自所述第一温度致动器和所述第二温度致动器的所述数据包括与对应的所述水冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据;
所述阈值包括用于开启所述加热系统的下限阈值和用于关闭所述加热系统的上限阈值;
从所述第一温度致动器和所述第二温度致动器接收数据包括:在第一时间段期间监测与对应的所述水冷却系统的所述一个或多个阀相关联的所述位置数据;以及
确定所述阈值包括:
确定所述激光源在所述第一时间段期间的状态;
当所述激光源的所述状态指示所述激光源未处于接通状态时,通过滤出所述位置数据的与所述水冷却系统的所述一个或多个阀相关联的部分来确定第一滤除后的数据;以及
通过滤出所述第一滤除后的数据的野值部分来确定第二滤除后的数据,其中所述野值部分基于一个或多个数据阈值来确定。
22.根据权利要求21所述的方法,其中所述确定所述阈值还包括:
基于所述第二滤除后的数据,确定包络数据;
通过对所述包络数据应用低通移动平均滤除器来确定滤除后的包络数据;以及
基于所述滤除后的包络数据,确定所述下限阈值和所述上限阈值。
23.根据权利要求20所述的方法,其中:
所述第一温度致动器包括与所述第一激光腔室相关联的第一冷却系统和第一加热系统,
所述第二温度致动器包括与所述第二激光腔室相关联的第二冷却系统和第二加热系统,
来自所述第一温度致动器和所述第二温度致动器的所述数据包括分别与所述第一冷却系统和所述第二冷却系统相关联的数据,以及
确定所述阈值包括:
确定与所述第一加热系统相关联的第一阈值;以及
确定与所述第二加热系统相关联的第二阈值,
其中所述第一阈值被所述第一温度致动器用于控制所述第一温度,并且所述第二阈值被所述第二温度致动器用于控制所述第二温度。
24.一种非瞬态计算机可读介质,所述非瞬态计算机可读介质存储指令,所述指令在由处理器执行时使所述处理器执行操作,所述操作包括:
在第一时间段期间接收与激光源的水冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据;
确定所述激光源在所述第一时间段期间的状态;
当所述激光源的所述状态指示所述激光源未处于接通状态时,通过滤出所述位置数据的与所述水冷却系统的所述一个或多个阀相关联的部分来生成第一滤除后的数据;
通过滤出所述第一滤除后的数据的野值部分来生成第二滤除后的数据;
基于所述第二滤除后的数据,确定包络数据;
通过对所述包络数据应用低通滤除器来确定滤除后的包络数据;以及
基于所述滤除后的包络数据,确定与所述激光源的加热系统相关联的第一阈值和第二阈值,
其中所述第一阈值和所述第二阈值用于控制至少一个激光器腔室中的气体温度。
25.一种设备,包括:
第一温度致动器,被配置为控制第一激光腔室中的气体的第一温度;
第二温度致动器,被配置为控制第二激光腔室中的气体的第二温度;以及
温度控制系统,被配置为:从所述第一温度致动器和所述第二温度致动器接收数据,并且基于接收到的所述数据来确定与所述第一温度致动器和所述第二温度致动器相关联的阈值,其中所述阈值被所述第一温度致动器和所述第二温度致动器用于控制所述第一温度和所述第二温度。
26.根据权利要求25所述的设备,其中:
所述第一激光腔室被配置为生成第一激光束,并且
所述第二激光腔室被配置为生成第二激光束,其中所述第二激光腔室被配置为:接收所述第一激光束,并且放大所述第一激光束以生成所述第二激光束。
27.根据权利要求25所述的设备,其中所述第一温度致动器和所述第二温度致动器中的每一者包括冷却系统和加热系统。
28.根据权利要求27所述的设备,其中来自所述第一温度致动器和所述第二温度致动器的所述数据包括与对应的所述冷却系统相关联的数据,并且所述阈值包括与所述加热系统相关联的阈值。
29.根据权利要求28所述的设备,其中:
所述冷却系统中的每个冷却系统包括水冷却系统,
与对应的所述冷却系统相关联的所述数据包括与对应的所述水冷却系统的一个或多个阀相关联的位置数据,以及
与所述加热系统相关联的所述阈值包括用于开启所述加热系统的下限阈值和用于关闭所述加热系统的上限阈值。
30.根据权利要求29所述的设备,其中所述温度控制系统被配置为:
在第一时间段期间监测与对应的所述水冷却系统的一个或多个阀相关联的所述位置数据;
确定所述设备在所述第一时间段期间的状态;以及
当所述设备的所述状态指示所述设备未处于接通状态时,通过滤出所述位置数据的与所述水冷却系统的所述一个或多个阀相关联的部分来确定第一滤除后的数据。
31.根据权利要求30所述的设备,其中所述温度控制系统还被配置为:
通过滤出所述第一滤除后的数据的野值部分来确定第二滤除后的数据,其中所述野值部分基于一个或多个数据阈值来确定;
基于所述第二滤除后的数据,确定包络数据;
通过对所述包络数据应用低通移动平均滤除器来确定滤除后的包络数据;以及
基于所述滤除后的包络数据,确定所述下限阈值和所述上限阈值。
32.根据权利要求25所述的设备,其中:
所述第一温度致动器包括与所述第一腔室相关联的第一冷却系统和第一加热系统,
所述第二温度致动器包括与所述第二腔室相关联的第二冷却系统和第二加热系统,
来自所述第一温度致动器和所述第二温度致动器的所述数据包括分别与所述第一冷却系统和所述第二冷却系统相关联的数据,以及
所述阈值包括与所述第一加热系统相关联的第一阈值和与所述第二加热系统相关联的第二阈值,其中所述第一阈值被所述第一温度致动器用于控制所述第一温度,并且所述第二阈值被所述第二温度致动器用于控制所述第二温度。
33.一种激光源,包括:
第一激光腔室,被配置为生成第一激光束;
第二激光腔室,被配置为:接收所述第一激光束,并且放大所述第一激光束以生成第二激光束;
第一温度致动器,被配置为控制所述第一激光腔室中的气体的第一温度;
第二温度致动器,被配置为控制所述第二激光腔室中的气体的第二温度;以及
温度控制系统,被配置为:
从所述第一温度致动器和所述第二温度致动器接收数据;
基于接收到的所述数据,确定与所述第一温度致动器相关联的第一下限阈值和第一上限阈值,其中所述第一下限阈值和所述第一上限阈值被所述第一温度致动器用于控制所述第一温度;以及
基于接收到的所述数据,确定与所述第二温度致动器相关联的第二下限阈值和第二上限阈值,其中所述第二下限阈值和所述第二上限阈值被所述第二温度致动器用于控制所述第二温度。
34.一种设备,包括:
第一温度致动器,被配置为控制第一腔室中的气体的第一温度;
第二温度致动器,被配置为控制第二腔室中的气体的第二温度;以及
温度控制系统,被配置为:
从所述第一温度致动器和所述第二温度致动器接收数据;
基于接收到的所述数据,确定与所述第一温度致动器相关联的第一阈值,其中所述第一阈值被所述第一温度致动器用于控制所述第一温度;以及
基于接收到的所述数据,确定与所述第二温度致动器相关联的第二阈值,其中所述第二阈值被所述第二温度致动器用于控制所述第二温度。
35.根据权利要求34所述的设备,其中:
所述第一腔室包括第一激光腔室,所述第一激光腔室被配置为生成第一激光束,以及
所述第二腔室包括第二激光腔室,所述第二激光腔室被配置为:接收所述第一激光束,并且放大所述第一激光束以生成第二激光束。
CN202080074791.6A 2019-10-25 2020-10-15 激光源中的智能气体温度控制 Pending CN114616522A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962925811P 2019-10-25 2019-10-25
US62/925,811 2019-10-25
PCT/US2020/055723 WO2021080842A1 (en) 2019-10-25 2020-10-15 Smart gas temperature control in a laser source

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114616522A true CN114616522A (zh) 2022-06-10

Family

ID=73131803

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080074791.6A Pending CN114616522A (zh) 2019-10-25 2020-10-15 激光源中的智能气体温度控制

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7393534B2 (zh)
CN (1) CN114616522A (zh)
WO (1) WO2021080842A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024035528A1 (en) * 2022-08-11 2024-02-15 Cymer, Llc Apparatus for and method of controlling cold start conditioning in a light source

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6034978A (en) * 1999-05-12 2000-03-07 Cymer, Inc. Gas discharge laser with gas temperature control
JP4393457B2 (ja) * 2002-07-31 2010-01-06 サイマー インコーポレイテッド 2室放電ガスレーザ用制御システム
US7164703B2 (en) * 2003-02-20 2007-01-16 Lambda Physik Ag Temperature control systems for excimer lasers
JP5382975B2 (ja) * 2004-07-06 2014-01-08 株式会社小松製作所 高出力ガスレーザ装置
US9209595B2 (en) * 2014-01-31 2015-12-08 Asml Netherlands B.V. Catalytic conversion of an optical amplifier gas medium

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021080842A1 (en) 2021-04-29
JP7393534B2 (ja) 2023-12-06
JP2023500572A (ja) 2023-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102269301B1 (ko) 리소그래피 방법 및 리소그래피 장치
US7468782B2 (en) Lithographic apparatus, position quantity controller and control method with feedforward signal
US8612045B2 (en) Optimization method and a lithographic cell
US10078272B2 (en) Lithographic method and apparatus
CN114616522A (zh) 激光源中的智能气体温度控制
US7616291B2 (en) Lithographic processing cell and device manufacturing method
KR20080033119A (ko) 리소그래피 장치, 리소그래피 장치 및 처리 모듈의 조합 및디바이스 제조 방법
US20230163551A1 (en) Conduit system, radiation source, lithographic apparatus, and methods thereof
US20220404711A1 (en) Process monitoring and tuning using prediction models
US9606457B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US11022895B2 (en) Lithographic apparatus adjustment method
WO2018215153A1 (en) Control system, method to increase a bandwidth of a control system, and lithographic apparatus
US20230017337A1 (en) Dual pulsed power system with independent voltage and timing control and reduced power consumption
NL2022609A (en) Control System and Method
US9811002B2 (en) Determination and application of non-monotonic dose sensitivity
WO2022243005A1 (en) Modular wafer table and methods of manufacturing thereof
JP2024521551A (ja) モジュール式ウェーハテーブル及びその製造方法
CN117546101A (zh) 用于光刻设备中的掩模版的热调节的系统、方法和装置
WO2023117611A1 (en) Systems and methods for generating multiple illumination spots from a single illumination source
CN117795429A (zh) 提高照射器透射率的光刻方法
CN114830463A (zh) 用于激光源的气体吹扫系统
JP2005191573A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination