CN114603477B - 对用于半导体元件制造装置的聚焦环的冷却片附着装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种对用于半导体元件制造装置的聚焦环的冷却片附着装置,包括:真空腔室,真空腔室在腔室本体内固定有供冷却片以使贴合面向上方露出的方式安放的片支撑环,在片支撑环的内周面或外周面以能升降的方式设置有定心夹具,以便借助于弹性支架而回归上方,聚焦环支撑于定心夹具,从而在冷却片的上侧以隔开的方式定位,在腔室本体的上侧,用于开闭的盖以借助于升降部而升降的方式设置,在盖上配备有加压部,加压部将聚焦环向下方加压,从而使冷却片借助于加压紧贴而附着于聚焦环的底面,为了真空吸入而在腔室本体连接有真空吸入管;及真空吸入部,真空吸入部借助于通过真空吸入管的吸入而使得在真空腔室内形成真空。
Description
技术领域
本发明涉及对用于半导体元件制造装置的聚焦环的冷却片附着装置,更详细而言,涉及一种不仅使冷却片附着于聚焦环的准确位置,而且使这种冷却片的附着作业轻松实现,从而不仅可以使冷却片的附着作业需要的时间和费用最小化,而且提高对聚焦环的冷却片的附着品质,即使是具有不同规格的聚焦环,也可轻松地变更而使用的对用于半导体元件制造装置的聚焦环的冷却片附着装置。
背景技术
一般而言,半导体元件通过实施诸如光刻(photolithography)工艺、扩散工艺、蚀刻工艺、化学气相沉积工艺、化学机械平坦化(CMP:Chemical Mechanical Planarization)等的多样单位工艺而制造。
在为了制造这种半导体元件而层叠微细的电路的过程中,当在半导体晶片表面发生高低差异时,将对半导体元件品质诱发致命的缺陷,而解决这种问题的工艺是CMP工艺。CMP工艺主要在薄膜沉积之后进行,在晶片上覆盖薄薄的膜的情况下,使其平坦化后,为了在其上重新形成电路而执行蚀刻及沉积等。
这种CMP工艺是使晶片位于由进行旋转的工作台、压迫器、浆料溶液喷射器等构成的研磨机后进行旋转。另外,在CMP工艺中,在晶片周围设置有聚焦环,这种聚焦环减小晶片在研磨过程中发生的热通过热发散而对晶片造成的热损伤。
CMP工艺中使用的聚焦环为了提高冷却效果而在一侧面附着有冷却片,这种冷却片需周期性更换。
以往的对聚焦环的冷却片的附着由操作者的手工作业进行,因而难以在聚焦环中准确地附着于既定位置,因此具有的问题是,冷却片附着的品质根据操作者的熟练度而不同,在聚焦环与冷却片之间形成气泡,从而诱发聚焦环的缺陷,甚至因冷却片的再附着作业而浪费费用及时间。
【现有技术文献】
【专利文献】
(专利文献0001)韩国授权专利第101744371号的“片附着装置及附着方法”(授权日:2017年5月31日)
发明内容
技术问题
为了解决如上所述的现有技术的问题,本发明目的在于提供一种如下的对用于半导体元件制造装置的聚焦环的冷却片附着装置:不仅使冷却片附着于聚焦环的准确位置,而且使这种冷却片的附着作业轻松实现,从而不仅可以使冷却片的附着作业需要的时间和费用最小化,而且不要求操作者的熟练度,可以提高对聚焦环的冷却片的附着品质,因此增大聚焦环的冷却效率,有助于增大半导体元件的收率,并防止聚焦环与冷却片之间发生气泡,从而使冷却片导致的聚焦环发生缺陷的情形最小化,即使是具有不同规格的聚焦环,也可轻松地变更使用。
本发明的其他目的是可以通过对以下实施例的说明而轻松理解的。
技术方案
为了达成如上所述目的,根据本发明的一方面提供一种对用于半导体元件制造装置的聚焦环的冷却片附着装置,作为在用于半导体元件制造装置的聚焦环附着冷却片的装置,包括:真空腔室,所述真空腔室在腔室本体内固定有供所述冷却片以使贴合面向上方暴露的方式安放的片支撑环,在所述片支撑环的内周面或外周面以能够进行升降的方式设置有定心夹具,以便所述定心夹具借助于弹性支架而回归上方,所述聚焦环支撑于所述定心夹具,从而所述聚焦环在所述冷却片的上侧以隔开的方式定位,在所述腔室本体的上侧,用于开闭的盖以借助于升降部而升降的方式设置,在所述盖配备有加压部,所述加压部将所述聚焦环向下方加压,从而使所述冷却片借助于加压紧贴而附着于所述聚焦环的底面,为了真空吸入而在所述腔室本体连接有真空吸入管;以及真空吸入部,所述真空吸入部借助于通过所述真空吸入管的吸入而使得在所述真空腔室内形成真空。
所述片支撑环可以在上面形成有定位销,所述定位销可以用于分别插入于在所述聚焦环的底面沿圆周方向设置间隔而以多个形成的定位槽,所述定位销以与定位槽分别对应而凸出的方式形成,所述片支撑环可以以被垂直于所述腔室本体的底面而配备的多个固定架支撑的方式固定,所述弹性支架可以以构成一体的方式配备于所述固定架。
所述定心夹具可以以构成同心的方式与所述片支撑环的内周面相接,在被所述弹性支架弹性支撑的状态下以能够进行上下升降的方式设置,并以卡台的形态沿外周面形成有支撑部,从而使所述聚焦环以从上侧向下方构成同心圆的方式安装,并卡接支撑于所述支撑部,可以在底面沿圆周方向设置间隔而以多个形成的各个定位槽分别安装所述弹性支架的升降销,从而可以以定位的方式安装于所述弹性支架上,以从中心部分离成多个并连接的方式配备有中心加强部。
所述弹性支架可以包括:支撑块,所述支撑块以构成一体的方式配备于固定所述片支撑环的各个固定架,从而以从所述腔室本体的底面向上方隔开的方式配备,垂直形成有向上方开放的滑动结合部,在所述滑动结合部,以分别上下相互隔开的方式配备有上部卡接部与下部卡接部;升降销,所述升降销以能够滑动的方式结合于所述滑动结合部,上端安装于在所述定心夹具的底面形成的定位槽,在外侧配备有卡接凸起,以便卡接于所述上部卡接部;及弹性构件,所述弹性构件插入于所述升降销,设置于所述卡接凸起与所述下部卡接之间,对所述升降销向上方提供弹力。
所述盖可以以借助于旋转轴而从旋转结合构件旋转的方式设置,当阻断所述腔室本体时,借助于在与所述腔室本体之间形成的真空而抑制开放,所述升降部可以包括:升降引导件,所述升降引导件设置于所述旋转结合构件与所述本体之间,引导使得所述旋转结合构件进行升降;以及升降驱动部,所述升降驱动部设置于所述旋转结合构件与所述本体之间,使所述旋转结合构件与所述盖一同进行升降;所述盖在借助于所述升降部而进行升降时,可以使所述旋转结合构件的相反侧被借助于均衡维持驱动部而进行升降的关闭阻挡器所支撑。
所述加压部可以包括:滑动轴,所述滑动轴以贯通所述盖并能够滑动的方式设置有多个;加压板,所述加压板固定于各个所述滑动轴的一端,当所述盖阻断所述腔室本体时插入于所述腔室本体内;连接板,所述连接板固定于各个所述滑动轴的另一端,从而将所述盖置于之间而位于所述加压板的相反侧;加压驱动部,所述加压驱动部设置于所述连接板与所述盖之间,使所述连接板移动,从而使所述加压板对所述定心夹具上的所述聚焦环加压或解除加压;加压片,所述加压片固定于所述加压驱动部,以便将所述加压驱动部的上下往复驱动力传递给所述连接板;及称重传感器,所述称重传感器介于所述加压片与所述连接板之间,测量由所述加压驱动部施加于所述连接板的下方加压力并输出为感知信号。
发明效果
根据本发明的对用于半导体元件制造装置的聚焦环的冷却片附着装置,具有的效果是,不仅使冷却片附着于聚焦环的准确位置,而且使这种冷却片的附着作业轻松实现,从而不仅可以使冷却片的附着作业需要的时间和费用最小化,而且不要求操作者的熟练度,可以提高对聚焦环的冷却片的附着品质,因此增大聚焦环的冷却效率,有助于增大半导体元件的收率,并防止聚焦环与冷却片之间发生气泡,从而可以使冷却片导致的聚焦环发生缺陷的情形最小化,仅通过变更定心夹具,即使是具有不同规格的聚焦环,也可轻松地变更使用。
附图说明
图1是示出根据本发明的一实施例的用于半导体元件制造的聚焦环的冷却片附着装置的立体图。
图2是示出根据本发明的一实施例的用于半导体元件制造的聚焦环的冷却片附着装置的背面立体图。
图3是示出根据本发明的一实施例的用于半导体元件制造的聚焦环的冷却片附着装置的主剖面图。
图4是示出根据本发明的一实施例的用于半导体元件制造的聚焦环的冷却片附着装置的腔室的立体图,示出了聚焦环分离的状态。
图5是示出根据本发明的一实施例的用于半导体元件制造的聚焦环的冷却片附着装置的腔室本体的主剖面图。
图6是示出根据本发明的一实施例的用于半导体元件制造的聚焦环的冷却片附着装置中的定心夹具的立体图。
图7是示出根据本发明的一实施例的用于半导体元件制造的聚焦环的冷却片附着装置中的聚焦环的底面立体图。
图8作为示出根据本发明的一实施例的用于半导体元件制造的聚焦环的冷却片附着装置的立体图,是示出腔室本体被盖关闭的状态的立体图。
图9是示出使根据本发明的一实施例的用于半导体元件制造的聚焦环的冷却片附着装置中的聚焦环加压紧贴冷却片的状态的主剖面图。
附图标记说明:
1:聚焦环 1a:定位槽
2:冷却片 110:腔室本体
111:隔开架 112:吸入口
113:窗 114:真空吸入管
120:片支撑环 121:定位销
122:固定架 130:定心夹具
131:定位槽 132:支撑部
133:中心加强部 134:开口部
140:弹性支架 141:支撑块
141a:滑动结合部 141b:上部卡接部
141c:下部卡接部 142:升降销
142a:卡接凸起 143:弹性构件
150:盖 151:旋转轴
152:旋转结合构件 153:滑动引导件
160:升降部 161:升降引导件
162:升降驱动部 170:加压部
171:滑动轴 172:加压板
172a:缓冲垫 173:连接板
174:加压驱动部 175:称重传感器
176:加压片 180:关闭阻挡器
181:第一竖直框架 182:水平框架
183:均衡维持驱动部 190:打开阻挡器
191:第二竖直框架 200:本体
210:脚轮 220:支架
230:门 300:真空吸入部
400:操作部 500:显示部
600:真空解除部
具体实施方式
本发明可以施加多样的变更,可以拥有多种实施例,在附图中列举特定实施例并详细说明。但是,这并非要针对特定实施形态来限定本发明,应理解为包括本发明的技术思想及技术范围包括的所有变更、等同物以及替代物,可以变形为多种其他形态,并非本发明的范围限定于下述实施例。
下面参照附图,详细说明根据本发明的实施例,对于相同或对应的构成要素,与图号无关,赋予相同的附图标记并省略对此的重复说明。
图1是示出根据本发明的一实施例的用于半导体元件制造的聚焦环的冷却片附着装置的立体图,图2是示出根据本发明的一实施例的用于半导体元件制造的聚焦环的冷却片附着装置的背面立体图,图3是示出根据本发明的一实施例的用于半导体元件制造的聚焦环的冷却片附着装置的主剖面图。
参照图1至图3,根据本发明的一实施例的对用于半导体元件制造装置的聚焦环的冷却片附着装置10作为将冷却片2(在图4中示出)附着于用于半导体元件制造装置的聚焦环1的装置,可以包括真空腔室100及真空吸入部300。在此,聚焦环1例如用于化学机械平坦化(CMP:Chemical Mechanical Planarization)装置,为了提高冷却效果而可以在一侧面附着有冷却片2(在图4中示出),此外,只要是加装于用于半导体元件制造的装置并需要附着冷却片的环构件,则均相当于此。
真空腔室100例如可以独立设置,又例如,可以像本实施例一样设置于本体200。本体200可以在上面提供设置真空腔室100所需的作业空间,并可以设置有使正面或背面或两者的内侧的存储空间开闭的门230。本体200为了移动而可以在底面配备有多个脚轮210,并可以螺纹结合有支架220,所述支架220通过调整与地面的隔开程度而能够实现固定在地面。这种支架220螺纹结合于本体200的底面,从而借助于旋转操作而可以调节本体200的倾斜度。
在真空腔室100中,在设置于本体200的腔室本体110内安放的冷却片2(在图9中示出)上以弹性支撑并隔开的方式设置有聚焦环1,并配备有盖150,以便阻断腔室本体110,且在内侧连接有用于形成真空的真空吸入管114,使聚焦环1加压贴合于冷却片2。
参照图1至图5,作为一个示例,真空腔室100可以在腔室本体110内固定有供所述冷却片2以使贴合面向上方暴露的方式安放的片支撑环120,在所述片支撑环120的内周面或外周面以能够进行升降的方式设置有定心夹具130,以便借助于弹性支架140而回归上方,聚焦环1支撑于所述定心夹具130,从而可以在冷却片2的上侧以隔开的方式定位,在腔室本体110的上侧,用于开闭的盖150可以以借助于升降部160而进行升降的方式设置,在盖150上配备有加压部170,所述加压部170将聚焦环1向下方加压,从而使冷却片2借助于加压紧贴而附着于聚焦环1的底面,为了真空吸入而在腔室本体110连接有真空吸入管114。
腔室本体110设置于本体200上,以上方开放的方式形成。腔室本体110可以借助于在底面以多个配备的隔开架111而以从本体200向上方隔开的方式设置,可以在前面和后面中任一个或全部以气密方式配备有透光性材质的窗113,以便能够观察内侧。腔室本体110为了真空吸入而可以在真空吸入管114所连接的一侧配备有吸入口112。可以在吸入口112设置有网或多孔板,或吸入口112可以以多孔结构构成,以使物体不会通过这种吸入口112而掉落。在此,真空吸入管114为了从真空吸入部300进行真空吸入而连接于腔室本体110,例如,可以连接于吸入口112,并从腔室本体110的底面向下方延长。
片支撑环120在腔室本体110内以使贴合面向上方暴露的方式安放有冷却片2,如上所述,可以在上面配备多个用于供冷却片2安放的片安放区域。冷却片2在每个片安放区域分别安放,在一面配备有用于与聚焦环1贴合的贴合层,由有助于冷却的薄膜材质构成,且每个聚焦环1例如可以以分割成8个~10个左右的结构构成。
片支撑环120可以在上面形成有定位销121,所述定位销121用于分别插入于在聚焦环1的底面沿圆周方向设置间隔而以多个形成的定位槽1a(参照图7),所述定位销121可以以与定位槽1a分别对应而凸出的方式形成,片支撑环120可以以被垂直于腔室本体110的底面而配备的多个固定架支撑122的方式固定,弹性支架140以构成一体的方式配备于固定架122。片支撑环120可以借助于固定架122而以从腔室本体110内的底面向上方隔开的方式设置。
参照图1至图6,定心夹具130可以以构成同心的方式与片支撑环120的内周面相接,在被弹性支架140弹性支撑的状态下以能够进行上下升降的方式设置,并以卡台的形态沿外周面形成有支撑部132,从而可以使聚焦环1以从上侧向下方构成同心圆的方式安装,并卡接支撑于支撑部132,在底面沿圆周方向设置间隔而以多个形成的各个定位槽131中分别安装弹性支架140的升降销142,从而可以以定位的方式安装于弹性支架140上,可以以从中心部分离成多个并连接的方式配备有中心加强部133。在此,作为一个示例,中心加强部133可以具有“+”字形态,但并非必须限定于此,显然可以从中心部形成除4个之外的多样的个数的分歧部。因此,定心夹具130在诸如聚焦环1向下方加压等施加外力时,可以使借助于中心加强部133而防止偏转等。另外,定心夹具130被中心加强部133加强,从而即使因形成多个开口部134而减轻了重量,也仍然可以保持希望的强度。
如本实施例所示,弹性支架140可以包括:支撑块141,所述支撑块141以构成一体的方式配备于各个固定架122,从而可以以从腔室本体110的底面向上方隔开的方式配备,可以垂直地形成向上方开放的滑动结合部141a,在滑动结合部141a以分别上下相互隔开的方式配备有上部卡接部141b和下部卡接部141c;升降销142,所述升降销142可以以能够滑动的方式结合于滑动结合部141a,上端可以安装于在定心夹具130的底面形成的定位槽131,在外侧配备有卡接凸起142a,以便卡接于上部卡接部141b;诸如螺旋压缩弹簧之类的弹性构件143,所述弹性构件143可以插入于升降销142并设置于卡接凸起142a与下部卡接部141c之间,对升降销142向上方提供弹力。
盖150借助于旋转而使腔室本体110的上侧开闭,如本实施例如示,可以以在本体200上位于腔室本体110一侧的方式设置。盖150可以以借助于旋转轴151而从旋转结合构件152旋转的方式设置,当阻断腔室本体110时,借助于在与腔室本体110之间形成的真空而抑制开放。即,盖150即使简单地安放于腔室本体110上,借助于在与腔室本体110之间形成的负压,后述的加压部170即使进行加压运转,也不允许腔室本体110开放。
升降部160使盖150进行升降,从而可以提供盖150从本体200向腔室本体110上侧轻松移动所需的路径。升降部160可以包括:升降引导件161,所述升降引导件161设置于旋转结合构件152与本体200之间,引导使得旋转结合构件152进行升降;以及升降驱动部162,所述升降驱动部162设置于旋转结合构件152与本体200之间,使旋转结合构件152与盖150一同进行升降。在此,如本实施例所示,升降引导件161可以使用直线滑动导轨(Linearmotion guide),但不限于此,可以使用引导轴和与之结合的滚珠轴承组合结构等多样的直线运转引导装置。如本实施例所示,升降驱动部162可以使用以流体的压力工作的压力缸,主体和活塞杆可以分别固定于旋转结合构件152与本体200中的一个和另一个,此外,也可以使用将旋转马达的旋转力转换成直线运动的驱动手段或提供直线运转的直线马达等。
另一方面,盖150在借助于升降部160而进行升降时,可以使旋转结合构件152的相反侧被借助于均衡维持驱动部183而进行升降的关闭阻挡器所支撑。关闭阻挡器180可以在本体200上以借助于第一竖直框架181而向上方凸出的方式设置,以便对阻断腔室本体110上侧的盖150进行支撑,第一竖直框架181以多个构成,各个第一竖直框架181通过水平框架182而相互连接,从而可以以使水平框架182借助于均衡维持驱动部183而与第一竖直框架181及关闭阻挡器180全部一同升降的方式构成。均衡维持驱动部183可以使用将压力缸或直线马达或者将旋转马达的旋转力转换成直线往复的驱动装置等。另外,在本体200上可以配备有打开阻挡器190,以便支撑使腔室本体110的上侧开放的盖150。这种打开阻挡器190可以设置于第二竖直框架191的上端,所述第二竖直框架191竖直设置于本体200,由此,使得可以在适当高度下支撑盖150。
加压部170设置于盖150,将定心夹具130上的聚焦环1向下方加压,从而使冷却片2借助于加压紧贴而附着于聚焦环1的底面。例如,如本实施所示,加压部170可以包括:滑动轴171,所述滑动轴171以贯通盖150并能够滑动的方式设置有多个;加压板172,所述加压板172可以固定于各个滑动轴171的一端,当盖150阻断腔室本体110时插入于腔室本体110内;连接板173,所述连接板173固定于各个滑动轴171的另一端,从而将盖150置于之间而位于加压板172的相反侧;加压驱动部174,所述加压驱动部174设置于连接板173与盖150之间,使连接板173移动,从而使加压板172对定心夹具130上的聚焦环1加压或解除加压;加压片176,所述加压片176固定于加压驱动部174,以便将加压驱动部174的上下往复驱动力传递给连接板173;及称重传感器175,所述称重传感器175可以介于加压片176与连接板173之间,测量由加压驱动部174施加于连接板173的下方加压力并输出为感知信号。
滑动轴171为了在盖150上顺畅滑动,在连接于盖150的贯通口侧的同时,可以以能够滑动的方式结合于内置有轴承的滑动引导件153。在对聚焦环1加压的一侧,加压板172为了防止对聚焦环1诱发划痕或损伤,可以在聚焦环1的外侧面设置有由硅树脂、橡胶等可缓冲的材质构成的缓冲垫172a。连接板173利用螺栓固定于各个滑动轴171的末端,从而使滑动轴171均可同时行动。如本实施例所示,加压驱动部174可以使用利用流体的压力进行工作的压力缸,主体和活塞杆可以分别固定于连接板173与盖150中某一个和另一个,此外,也可以使用将旋转马达的旋转力转换成直线运动的驱动手段或提供直线运转的直线马达等。如本实施例所示,加压片176以“匚”字形态构成,可以连接于加压驱动部174,并以能在限定范围内上下滑动的方式设置于连接板173。此时,如本实施例所示,称重传感器175可以以介于连接板173的上部与加压片176的内侧面之间的方式设置,以便从加压片176施加的力为了向下方加压而传递给连接板173。另一方面,由加压驱动部174产生的加压力作为称重传感器175的测量值,可以以通过后述的显示部500进行显示的方式构成。另外,为了借助于控制部等,将加压驱动部174的加压力控制为由后述的操作部400设定的加压力,称重传感器175可以用作实时测量加压驱动部174的加压力的用途。
真空吸入部300借助于吸入而使得在真空腔室100内形成真空,例如,可以使用诸如吸入泵的多样的真空供应装置。如本实施例所示,真空吸入部300可以设置于本体200内的借助于门230而开闭的存储空间内。另外,为了解除真空腔室100内的真空,用于向真空腔室100内侧注入空气的空气注入泵或用于注入外部气体的开闭阀等真空解除部600可以附加于真空注入路径,或以独立于真空注入路径的独立路径构成。
另一方面,根据本发明一实施例的对用于半导体元件制造装置的聚焦环的冷却片附着装置10为了控制升降部160、加压部170及真空吸入部300等的运转,可以在本体200上配备有用于将命令输入为信号的操作部400、用于向外部显示真空腔室100的真空压或此外需要的运转状态的显示部500等。另外,根据本发明的对用于半导体元件制造装置的聚焦环的冷却片附着装置10可以以通过手工操作分别执行根据操作部400的操作而确定的步骤的方式构成,或以根据由控制部确定的流程依次执行运转的方式构成。
下面说明根据本发明的这种对用于半导体元件制造装置的聚焦环的冷却片附着装置的作用。
首先,如图1及图4所示,在使盖150从腔室本体110开放的状态下,使冷却片2安放于片支撑环120上的每个片安放区域。此时,冷却片2使贴合面朝向上方。然后,以将聚焦环1套在定心夹具130的外周面并卡于支撑部132的状态被支撑,从而隔开地位于冷却片2的上侧。
而且,如图8所示,在因操作者转动盖150而使盖150位于腔室本体110上的状态下,在借助于升降部160而使盖150下降的同时,被关闭阻挡器180支撑的盖150与均衡维持驱动部183一同水平地构成均衡并下降,从而在使腔室本体110被盖150阻断后,借助于由真空吸入部300的驱动引起的真空吸入,使得在腔室本体110内形成既定真空压的真空。此时,真空压可以通过设置于腔室本体110内的真空压传感器进行测量,可以借助于以电气方式接收这种真空压传感器测量值的控制部(图上未示出)而控制真空吸入部300,使腔室本体110内的真空压具有设定的真空压。
如果在腔室本体110内形成真空,则借助于加压部170的运转,如图9所示,如果加压板172下降,更具体而言,如果加压板172的缓冲垫172a下降并对聚焦环1加压,则在弹性支架140的弹性构件143被压缩的同时,使得聚焦环1紧贴附着于冷却片2。
而且,如果冷却片2附着于聚焦环1,则使真空吸入部300停止运转,解除由加压部170引起的聚焦环1的加压,使聚焦环1借助于弹性支架140的弹力回归上方。然后,在借助于真空解除部600而使腔室本体110内的真空解除后,借助于升降部160与均衡维持驱动部183的上升运转而使盖150上升,操作者打开这种盖150后,从腔室本体110卸载聚焦环1。
根据本发明的这种对用于半导体元件制造装置的聚焦环的冷却片附着装置,不仅使冷却片附着于聚焦环的准确位置,而且使这种冷却片的附着作业轻松实现,从而不仅可以使冷却片的附着作业需要的时间和费用最小化,而且不要求操作者的熟练度。
另外,根据本发明,如上所述,可以提高对聚焦环的冷却片的附着品质,并由此增大聚焦环的冷却效率,可以有助于增大半导体元件收率,并防止聚焦环与冷却片之间发生气泡,从而使冷却片导致的聚焦环发生缺陷的情形最小化。
另外,根据本发明,仅通过变更定心夹具,即使是具有不同规格的聚焦环,也可轻松地变更使用。
如上所述,参照附图,对本发明进行了说明,但在不超出本发明技术思想的范围内,当然可以实现多样修改及变形。因此,本发明的范围不限定于说明的实施例,需根据后述的权利要求书以及与这种权利要求书均等的内容确定。
Claims (2)
1.一种对用于半导体元件制造装置的聚焦环的冷却片附着装置,作为在用于半导体元件制造装置的聚焦环附着冷却片的装置,包括:
真空腔室,所述真空腔室在腔室本体内固定有供所述冷却片以使贴合面向上方暴露的方式安放的片支撑环,在所述片支撑环的内周面或外周面以能够进行升降的方式设置有定心夹具,以便所述定心夹具借助于弹性支架而回归上方,所述聚焦环支撑于所述定心夹具,从而所述聚焦环在所述冷却片的上侧以隔开的方式定位,在所述腔室本体的上侧,用于开闭的盖以借助于升降部而升降的方式设置,在所述盖配备有加压部,所述加压部将所述聚焦环向下方加压,从而使所述冷却片借助于加压紧贴而附着于所述聚焦环的底面,为了真空吸入而在所述腔室本体连接有真空吸入管;以及
真空吸入部,所述真空吸入部借助于通过所述真空吸入管的吸入而使得在所述真空腔室内形成真空,
所述片支撑环在上面形成有定位销,所述定位销用于分别插入于在所述聚焦环的底面沿圆周方向设置间隔而以多个形成的定位槽,所述定位销以与定位槽分别对应而凸出的方式形成,所述片支撑环以被垂直于所述腔室本体的底面而配备的多个固定架支撑的方式固定,所述弹性支架以构成一体的方式配备于所述固定架,
所述定心夹具以构成同心的方式与所述片支撑环的内周面相接,在被所述弹性支架弹性支撑的状态下以能够进行上下升降的方式设置,并以卡台的形态沿外周面形成有支撑部,从而使所述聚焦环以从上侧向下方构成同心圆的方式安装,并卡接支撑于所述支撑部,在底面沿圆周方向设置间隔而以多个形成的各个定位槽分别安装所述弹性支架的升降销,从而以定位的方式安装于所述弹性支架上,以从中心部分离成多个并连接的方式配备有中心加强部,
所述弹性支架包括:
支撑块,所述支撑块以构成一体的方式配备于固定所述片支撑环的各个固定架,从而以从所述腔室本体的底面向上方隔开的方式配备,垂直形成有向上方开放的滑动结合部,在所述滑动结合部,以分别上下相互隔开的方式配备有上部卡接部与下部卡接部;
升降销,所述升降销以能够滑动的方式结合于所述滑动结合部,上端安装于在所述定心夹具的底面形成的定位槽,在外侧配备有卡接凸起,以便卡接于所述上部卡接部;及
弹性构件,所述弹性构件插入于所述升降销,设置于所述卡接凸起与所述下部卡接之间,对所述升降销向上方提供弹力,
所述盖以借助于旋转轴而从旋转结合构件旋转的方式设置,当阻断所述腔室本体时,借助于在与所述腔室本体之间形成的真空而抑制开放,
所述升降部包括:
升降引导件,所述升降引导件设置于所述旋转结合构件与所述本体之间,引导使得所述旋转结合构件进行升降;以及
升降驱动部,所述升降驱动部设置于所述旋转结合构件与所述本体之间,使所述旋转结合构件与所述盖一同进行升降;
所述盖在借助于所述升降部而进行升降时,使所述旋转结合构件的相反侧被借助于均衡维持驱动部而进行升降的关闭阻挡器所支撑。
2.根据权利要求1所述的对用于半导体元件制造装置的聚焦环的冷却片附着装置,其中,
所述加压部包括:
滑动轴,所述滑动轴以贯通所述盖并能够滑动的方式设置有多个;
加压板,所述加压板固定于各个所述滑动轴的一端,当所述盖阻断所述腔室本体时插入于所述腔室本体内;
连接板,所述连接板固定于各个所述滑动轴的另一端,从而将所述盖置于之间而位于所述加压板的相反侧;
加压驱动部,所述加压驱动部设置于所述连接板与所述盖之间,使所述连接板移动,从而使所述加压板对所述定心夹具上的所述聚焦环加压或解除加压;
加压片,所述加压片固定于所述加压驱动部,以便将所述加压驱动部的上下往复驱动力传递给所述连接板;及
称重传感器,所述称重传感器介于所述加压片与所述连接板之间,测量由所述加压驱动部施加于所述连接板的下方加压力并输出为感知信号。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6719851B1 (en) * | 2000-09-26 | 2004-04-13 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for opening a process chamber lid and uses therefor |
JP2006114598A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Tsubaki Seiko:Kk | テープ接着装置およびテープ接着方法 |
JP2014017380A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Tokyo Electron Ltd | 伝熱シート貼付装置及び伝熱シート貼付方法 |
CN108878247A (zh) * | 2017-05-12 | 2018-11-23 | 细美事有限公司 | 支撑单元和包括该支撑单元的基板处理设备 |
KR20190056188A (ko) * | 2017-11-16 | 2019-05-24 | 주식회사 야스 | 기체의 압력차를 이용한 점착 척과 기판 간의 합착 시스템 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4592916B2 (ja) * | 2000-04-25 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置装置 |
TW544879B (en) * | 2000-08-04 | 2003-08-01 | Hitachi Ltd | Mold cleaning sheet and method of producing semiconductor devices using the same |
KR100662498B1 (ko) * | 2002-11-18 | 2007-01-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 제조 공정용 기판 합착 장치 및 그 제어방법 |
JP4695606B2 (ja) * | 2007-01-09 | 2011-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基板の載置装置におけるフォーカスリングの熱伝導改善方法 |
JP5542583B2 (ja) | 2010-08-26 | 2014-07-09 | リンテック株式会社 | シート貼付装置および貼付方法 |
JP5981358B2 (ja) * | 2013-01-23 | 2016-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 伝熱シート貼付方法 |
JP7105666B2 (ja) * | 2018-09-26 | 2022-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
2020
- 2020-12-04 KR KR1020200168292A patent/KR102214048B1/ko active IP Right Grant
-
2021
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- 2021-10-15 CN CN202111202158.3A patent/CN114603477B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6719851B1 (en) * | 2000-09-26 | 2004-04-13 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for opening a process chamber lid and uses therefor |
JP2006114598A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Tsubaki Seiko:Kk | テープ接着装置およびテープ接着方法 |
JP2014017380A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Tokyo Electron Ltd | 伝熱シート貼付装置及び伝熱シート貼付方法 |
CN108878247A (zh) * | 2017-05-12 | 2018-11-23 | 细美事有限公司 | 支撑单元和包括该支撑单元的基板处理设备 |
KR20190056188A (ko) * | 2017-11-16 | 2019-05-24 | 주식회사 야스 | 기체의 압력차를 이용한 점착 척과 기판 간의 합착 시스템 |
Also Published As
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