CN114598979A - 一种双振膜mems麦克风及其制造方法 - Google Patents
一种双振膜mems麦克风及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114598979A CN114598979A CN202210500461.XA CN202210500461A CN114598979A CN 114598979 A CN114598979 A CN 114598979A CN 202210500461 A CN202210500461 A CN 202210500461A CN 114598979 A CN114598979 A CN 114598979A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- insulating layer
- diaphragm
- holes
- depositing
- mems microphone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 55
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 63
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 41
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 30
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/04—Microphones
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
本发明属于麦克风技术领域，公开了一种双振膜MEMS麦克风及其制造方法，包括背板单元、第一振膜、第二振膜和若干连接单元，背板单元绝缘支撑于第一振膜和第二振膜之间，背板单元开设有若干通孔，连接单元穿设于通孔，若干通孔与若干连接单元一一对应设置，通孔与连接单元形成第一环形孔；连接单元包括若干连接柱、连接块、连接板和立柱，连接柱一端连接于第一振膜朝向第二振膜的一侧；连接块一端连接于第二振膜朝向第一振膜的一侧，连接块具有容纳槽，容纳槽的槽口朝向第一振膜；连接板连接连接块和若干连接柱，容纳槽与连接板形成容纳腔；立柱填充于容纳腔。本发明在不增大振膜面积的情况下提高信噪比，降低工艺难度，提高结构可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及麦克风技术领域，尤其涉及一种双振膜MEMS麦克风及其制造方法。
背景技术
MEMS麦克风是一种电能换声器，如图1所示，为目前常见的MEMS麦克风，其主要结构由一个振膜2＇和一个背板1＇构成，振膜2＇与背板1＇间隔一定的距离，形成一近似平行的电容器，当振膜2＇在声波的作用下产生振动时，振膜2＇与背板1＇间的电容会随着两者之间距离的变化而改变，从而将声音信号转变为电信号，再经过ASIC电路放大后输出。
虽然目前单振膜单背板MEMS麦克风制造工艺已经比较成熟，且通过设计和工艺优化，其信噪比（SNR）可以达到68dB，但要在此基础上进一步提高信噪比，单振膜单背板MEMS麦克风往往只能通过增大芯片振膜面积的方式来实现，芯片振膜2＇面积的增大，一方面会降低振膜2＇的抗振能力容易破膜，降低其可靠性，导致使用过程中的失效概率大大增加，另一方面也会导致封装形式受限，很难采用较小尺寸的封装形式，因而应用市场会受到很大限制。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种双振膜MEMS麦克风，在不增大振膜面积的情况下提高信噪比。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
一种双振膜MEMS麦克风，包括背板单元、第一振膜和第二振膜，所述背板单元绝缘支撑于所述第一振膜和所述第二振膜之间，所述背板单元与所述第一振膜形成第一可变电容，所述背板单元与所述第二振膜形成第二可变电容，所述背板单元开设有若干通孔，所述双振膜MEMS麦克风还包括穿设于所述通孔的若干连接单元，若干所述通孔与若干所述连接单元一一对应设置，所述通孔与所述连接单元形成第一环形孔；所述连接单元包括：
若干连接柱，一端连接于所述第一振膜朝向所述第二振膜的一侧；
连接块，一端连接于所述第二振膜朝向所述第一振膜的一侧，所述连接块具有容纳槽，所述容纳槽的槽口朝向所述第一振膜；
连接板，连接所述连接块和若干所述连接柱，所述容纳槽与所述连接板形成容纳腔；
立柱，填充于所述容纳腔；
所述连接柱、所述连接板及所述连接块均为绝缘结构。
可选地，所述连接块上具有环形槽，所述环形槽与所述容纳槽的槽口方向相反，所述环形槽设置于所述容纳槽槽壁的四周，所述环形槽内设置有填充块。
本发明的另一个目的在于提供一种双振膜MEMS麦克风的制造方法，降低工艺难度，提高结构可靠性。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
一种双振膜MEMS麦克风的制造方法，包括：
衬底上设置有底层绝缘层，在所述底层绝缘层上沉积形成第一振膜；
在所述第一振膜上沉积第一绝缘层，在所述第一绝缘层上刻蚀若干组第一通孔组，每组所述第一通孔组包括至少两个间隔设置的第一通孔；
在所述第一绝缘层上沉积第一背板绝缘层，并填充若干所述第一通孔组形成若干连接柱；
在所述第一背板绝缘层上沉积中间导电层，在所述中间导电层上刻蚀若干个第二通孔和若干第三通孔，若干所述第三通孔与若干组所述第一通孔组一一对应设置；
在所述中间导电层上沉积第二背板绝缘层，并在所述第二通孔和所述第三通孔上沉积所述第二背板绝缘层的材料，在所述第二通孔对应的位置同时蚀刻沉积所述第二背板绝缘层和所述第一背板绝缘层时的材料形成声孔；预设最大外缘，使所述第一通孔组的各个所述第一通孔均位于所述最大外缘内，在所述第三通孔与所述最大外缘形成的第一环形孔的位置同时刻蚀沉积所述第二背板绝缘层和所述第一背板绝缘层时的材料，所述第一环形孔内的所述第一背板绝缘层材料和所述第二背板绝缘层材料形成连接板；
在所述第二背板绝缘层上沉积第二绝缘层，在所述连接板对应位置蚀刻第二环形孔并在所述连接板上形成立柱；
在所述第二环形孔内填充与所述第二绝缘层材质不同的第一种绝缘材料形成连接块；
在所述第二绝缘层上沉积第二振膜，在所述第二振膜沿厚度方向蚀刻释放孔；
在所述衬底上刻蚀背腔，通过所述释放孔对部分所述第一绝缘层和部分所述第二绝缘层进行释放，通过所述背腔对部分底层绝缘层进行释放，形成双振膜MEMS麦克风。
可选地，在所述底层绝缘层上沉积形成所述第一振膜之前，还包括：
在所述底层绝缘层上刻蚀第一凹槽，沉积形成所述第一振膜的同时填充所述第一凹槽形成第一褶皱结构。
可选地，在所述第一振膜上沉积所述第一绝缘层后，还包括：
在所述第一绝缘层上刻蚀若干第二凹槽，所述第二凹槽与所述第一通孔组错开设置；
在所述第一绝缘层上沉积所述第一背板绝缘层时，填充所述第二凹槽形成第一突起结构。
可选地，在所述中间导电层上沉积所述第二背板绝缘层时，所述中间导电层上沉积的所述第二背板绝缘层材料的厚度与所述第一背板绝缘层上沉积的所述第二背板绝缘层材料的厚度相同。
可选地，在所述第二背板绝缘层上沉积所述第二绝缘层之前，还包括：
在所述第二背板绝缘层上沉积与所述第一背板绝缘层和所述第二背板绝缘层均不同材质的第二种绝缘材料，使其填充于所述声孔和所述第一环形孔；
研磨绝缘材料使所述第二背板绝缘层露出，并使所述第二背板绝缘层与填充的所述第二种绝缘材料呈平面结构。
可选地，在所述第二背板绝缘层上沉积所述第二绝缘层之后，还包括：
在所述第二绝缘层上刻蚀若干第三凹槽，所述第三凹槽与所述第二环形孔错开设置；
在所述第二绝缘层上沉积所述第二振膜时，填充所述第三凹槽形成第二褶皱结构。
可选地，在所述第二环形孔内填充与所述第二绝缘层材质不同的所述第一种绝缘材料时，还包括：
在所述第二绝缘层上沉积一层所述第一种绝缘材料，刻蚀所述第一种绝缘材料，使其呈环形支撑结构设置于所述第二绝缘层和所述第二振膜的外边缘之间。
可选地，在所述第二绝缘层上蚀刻所述第三凹槽之前，还包括：
在所述第二绝缘层上蚀刻第四凹槽；
在所述第二绝缘层上沉积所述第一种绝缘材料时，填充所述第四凹槽形成第二突起结构。
可选地，所述连接块上具有环形槽，所述环形槽间隔设置于所述立柱的外周，在所述第二绝缘层上沉积所述第二振膜时，填充所述环形槽形成填充块。
可选地，在所述底层绝缘层上沉积形成第一振膜后，还包括：在第一振膜上刻蚀若干泄气孔，所述泄气孔与所述第一通孔组错开设置。
本发明的有益效果：
本发明提供的一种双振膜MEMS麦克风，通过设置两个振膜即第一振膜、第二振膜，以及背板单元，两个振膜分别位于背板单元的两侧，通过连接结构相连两个振膜，与背板单元组成两个近似平行的差分电容器。当该双振膜MEMS麦克风接受到声音信号时，两个振膜可以向同一方向一起振动，产生相同的位移，但两个振膜与背板单元间的距离之和保持不变，实现差分信号的输出，抵消掉噪声信号的干扰，因而可以在同样芯片面积的单振膜单背板MEMS麦克风的基础上，提高MEMS麦克风的信噪比3dB以上；或者实现同样的硅麦克风信噪比时，其振膜的面积可以减少一半，大大减少了芯片面积，从而在保证提高信噪比的同时，不增加芯片面积，提高了使用过程中的可靠性，便于封装。
在生产过程中，立柱、连接柱、连接板及连接块均通过沉积而成并连接。沉积过程中，如果连接柱的外径较大，孔的外周边等位置产生被释放掉的牺牲结构较大，难以去除，导致工艺难度大，而外径较小，则导致结构连接不稳定；因此本发明中，通过设置若干外径较小的连接柱，既能满足结构稳定的要求，又能降低工艺难度。具体地，容纳槽与连接板形成容纳腔；立柱填充于容纳腔。通过设置立柱，能减少连接块的沉积量，在生产过程中，降低工艺难度，且不会降低连接块的外径，提高了结构稳定性。
本发明提供的一种双振膜MEMS麦克风的制造方法，在衬底和底层绝缘层上依次形成了第一振膜、第一绝缘层、第一背板绝缘层、中间导电层、第二背板绝缘层、第二绝缘层及第二振膜，形成了上述的双振膜MEMS麦克风，第一背板绝缘层、中间导电层及第二背板绝缘层形成了背板单元，同时还依次形成了连接柱、连接板、立柱及连接块，形成了连接单元，使连接单元穿过背板单元连接了第一振膜和第二振膜，工艺过程简单，通过连接柱、立柱、连接块及连接板形成的“鼎”型连接单元结构稳定，提高了双振膜MEMS麦克风的结构稳定性，且生产过程中，避免连接单元的结构过大而产生较大的牺牲结构，降低了工艺难度。
附图说明
图1是现有技术中的MEMS麦克风的剖面图；
图2是本发明的具体实施方式提供的双振膜MEMS麦克风的剖面图；
图3是本发明的具体实施方式提供的连接单元的剖面图；
图4是本发明的具体实施方式提供的衬底上设置有底层绝缘层的剖面图；
图5是本发明的具体实施方式提供的在底层绝缘层上蚀刻第一凹槽的剖面图；
图6是本发明的具体实施方式提供的沉积第一振膜并同时填充第一凹槽形成第一褶皱结构的剖面图；
图7是本发明的具体实施方式提供的在第一振膜上刻蚀泄气孔的剖面图；
图8是本发明的具体实施方式提供的沉积第一绝缘层的剖面图；
图9是本发明的具体实施方式提供的在第一绝缘层上刻蚀第一通孔和第二凹槽的剖面图；
图10是本发明的具体实施方式提供的沉积第一背板绝缘层的剖面图；
图11是本发明的具体实施方式提供的沉积中间导电层的剖面图；
图12是本发明的具体实施方式提供的在中间导电层上刻蚀第二通孔和第三通孔的剖面图；
图13是本发明的具体实施方式提供的沉积第二背板绝缘层的剖面图；
图14是本发明的具体实施方式提供的蚀刻第二背板绝缘层和第一背板绝缘层形成声孔和第一环形孔的剖面图；
图15是本发明的具体实施方式提供的在第二背板绝缘层沉积第二种绝缘材料的剖面图；
图16是本发明的具体实施方式提供的研磨第二种绝缘材料后的剖面图；
图17是本发明的具体实施方式提供的沉积第二绝缘层的剖面图；
图18是本发明的具体实施方式提供的在第二绝缘层刻蚀第四凹槽和第二环形孔的剖面图；
图19是本发明的具体实施方式提供的沉积第一种绝缘材料的剖面图；
图20是本发明的具体实施方式提供的在第一种绝缘材料刻蚀形成环形支撑结构的剖面图；
图21是本发明的具体实施方式提供的在所述第二绝缘层刻蚀第三凹槽的剖面图；
图22是本发明的具体实施方式提供的沉积第二振膜的剖面图；
图23是本发明的具体实施方式提供的在第二振膜蚀刻释放孔的剖面图；
图24是本发明的具体实施方式提供的刻蚀背腔的剖面图；
图25是本发明的具体实施方式提供的分别释放部分底层绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层的剖面图。
图中：
1＇、背板；2＇、振膜；
300、衬底；3001、背腔；
301、底层绝缘层；3011、第一凹槽；
302、第一振膜；3021、泄气孔；3022、第一褶皱结构；
303、第一绝缘层；3031、第二凹槽；3032、第一通孔；
304、第一背板绝缘层；3041、第一突起结构；
305、中间导电层；3051、第二通孔；3052、第三通孔；
306、第二背板绝缘层；3061、声孔；3062、第一环形孔；
307、第二绝缘层；3071、第四凹槽；3072、第二环形孔；3073、第三凹槽；
308、环形支撑结构；3081、第二突起结构；
309、第二振膜；3091、释放孔；3092、第二褶皱结构；
310、第二种绝缘材料；
1、连接单元；11、连接柱；12、连接块；121、环形槽；13、连接板；14、立柱；15、填充块；
2、背板单元。
具体实施方式
为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本发明实施例的技术方案做进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
本实施例提供了一种双振膜MEMS麦克风，如图2和图3所示，其包括背板单元2、第一振膜302和第二振膜309和若干连接单元1；具体地，背板单元2绝缘支撑于第一振膜302和第二振膜309之间，背板单元2与第一振膜302形成第一可变电容，背板单元2与第二振膜309形成第二可变电容，背板单元2开设有若干通孔，连接单元1穿设于通孔，若干通孔与若干连接单元1一一对应设置，通孔与连接单元1形成第一环形孔3062，使背板单元2与连接单元1之间具有间隙。
通过设置两个振膜即第一振膜302、第二振膜309，以及背板单元2，两个振膜分别位于背板单元2的两侧，通过连接单元1相连，与背板单元2组成两个近似平行的差分电容器。当该双振膜MEMS麦克风接收到声音信号时，两个振膜可以向同一方向一起振动，产生相同的位移，但两个振膜与背板单元2间的距离之和保持不变，实现差分信号的输出，抵消掉噪声信号的干扰，因而可以在同样芯片面积的单振膜单背板MEMS麦克风的基础上，提高MEMS麦克风的信噪比3dB以上；或者实现同样的硅麦克风信噪比时，其振膜的面积可以减少一半，大大减少了芯片面积，从而在保证提高信噪比的同时，不增加芯片面积，提高了使用过程中的可靠性，便于封装。
具体地，连接单元1包括立柱14、连接块12、连接板13和若干连接柱11，连接柱11一端连接于第一振膜302朝向第二振膜309的一侧；连接块12一端连接于第二振膜309朝向第一振膜302的一侧，连接块12具有容纳槽，容纳槽的槽口朝向第一振膜302；连接板13连接连接块12和若干连接柱11；连接柱11通过连接板13连接于连接块12，连接柱11连接于第一振膜302，连接块12连接于第二振膜309，穿过背板单元2，从而实现了第一振膜302和第二振膜309通过连接单元1连接。
具体地，连接柱11、连接板13及连接块12均为绝缘材料制成的绝缘结构，可以均采用相同的绝缘材料制成，也可以分别采用不同的绝缘材料制成；具体地，可根据生产工艺决定，本实施例中，可均采用氮化硅材料制成。在生产过程中，立柱14、连接柱11、连接板13及连接块12均通过沉积而成并连接。沉积过程中，如果连接柱11的外径较大，孔的外周边等位置产生被释放掉的牺牲结构较大，难以去除，导致工艺难度大，而外径较小，则导致结构连接不稳定；因此本实施例中，通过设置若干外径较小的连接柱11，既能满足结构稳定的要求，又能降低工艺难度。具体地，容纳槽与连接板13形成容纳腔；立柱14填充于容纳腔。通过设置立柱14，能减少连接块12的沉积量，在生产过程中，降低工艺难度，且不会降低连接块12的外径，提高了结构稳定性。具体地，若干连接柱11均匀分布，圆柱直径1-4um，数量为3-5个。本实施例中，连接柱11、连接板13均通过背板单元2沉积过程中而成。
可选地，如图3所示，连接块12上具有环形槽121，环形槽121与容纳槽的槽口方向相反，环形槽121设置于容纳槽槽壁的四周，在沉积工艺过程中，在连接块12上不形成环形槽121而是直接填平的工艺难度较大，因此留有环形槽121可降低工艺难度，环形槽121内设置有填充块15，通过再次沉积填充形成，其整体结构类似于“鼎”型，结构更稳定；具体地，填充块15由多晶硅材质制成，在沉积第二振膜309时形成填充块15，减少工艺步骤。
本实施例中，立柱14由氧化硅沉积形成，连接单元1由氧化硅、多晶硅和氮化硅三种材料复合而成，一方面可以使制造工艺尽可能地简单化、可实行化；另一方面，通过不同材料之间应力的相互抵消，结合“鼎”型结构的轻盈性和稳定性，从而保证了该连接结构的可靠性。
具体地，如图2所示，若干通孔与若干连接单元1呈环状均匀分布，本实施例中，两个连接单元1之间的间距为50-100um。
可选地，如图2所示，双振膜MEMS麦克风还包括衬底300和设置于衬底300上的底层绝缘层301，第一振膜302设置于底层绝缘层301上，衬底300具有圆形背腔3001。本实施例中衬底300为单晶硅材质制成，厚度为300um-500um。
可选地，如图6所示，第一振膜302靠近底层绝缘层301的一侧设置有第一褶皱结构3022，以降低应力集中；本实施例中，第一振膜302采用多晶硅材质制成，厚度0.5 um -1.5um，第一褶皱结构3022设置在边缘部分。
可选地，如图7所示，第一振膜302上设置有泄气结构，作为泄气通道，在振动过程中，可以降低振动阻力；在对双振膜MEMS麦克风进行封装时或者双振膜MEMS麦克风发生较大振动等需要平衡内外气压情况时，第二振膜309两侧的气压可以通过泄气结构快速得到平衡，效果更好。可选地，泄气结构包括第一振膜302上开设的若干泄气孔3021，若干泄气孔3021间隔设置于连接单元1的四周。
充分考虑到第二振膜309容易受到各种因素的影响，特别是第二振膜309在受到外部高压振动冲击时，第二振膜309边缘部分所受到的应力最大，可选地，第二振膜309和背板单元2之间还设置有环形支撑结构308，环形支撑结构308支撑设置于第二振膜309和背板单元2的外边缘。具体地，第二振膜309由多晶硅制成，环形支撑结构308由氮化硅制成，形成氮化硅与多晶硅的复合结构，利用其良好的韧性，对第二振膜309起支撑和保护作用，总体厚度为1-2.5um；环形支撑结构308位于外边缘，厚度为0.5-1um，第二振膜309厚度为0.5-1.5um。
可选地，如图23所示，第二振膜309靠近背板单元2的一侧设置有第二褶皱结构3092，降低应力集中，具体地第二褶皱结构3092设置于第二振膜309的边缘位置。
可选地，如图23所示，第二振膜309上开设有释放结构，在形成双振膜MEMS麦克风过程中，用于释放牺牲层。具体地，释放结构包括第二振膜309上开设的若干释放孔3091，之后形成双振膜MEMS麦克风后，释放孔3091可以充当泄气结构，提高使用效果；具体地，若干释放孔3091均匀分布，直径为0.5um-1um不等的通孔。
可选地，如图19所示，第二振膜309靠近背板单元2的一侧连接有第二突起结构3081，第二突起结构3081与环形支撑结构308的材质相同，第二突起结构3081均匀分布于第二振膜309下方，防止第二振膜309振动过程中与背板单元2粘在一起，提高了第二振膜309的可靠性。
可选地，如图2所示，双振膜MEMS麦克风还包括第一绝缘层303和第二绝缘层307，第一绝缘层303支撑设置于第一振膜302和背板单元2之间，第二绝缘层307支撑设置于第二振膜309和背板单元2之间。
可选地，背板单元2包括第一背板绝缘层304、第二背板绝缘层306和设置于第一背板绝缘层304与第二背板绝缘层306之间的中间导电层305。可选地，第一背板绝缘层304和第二背板绝缘层306由相同绝缘材料制成，分别沉积，本实施例中，第一背板绝缘层304和第二背板绝缘层306均由氮化硅材质制成，氮化硅具有较高的硬度和强度，使得背板单元2作为固定电极，不易发生变形，从而提高结构的可靠性；具体地，中间导电层305由多晶硅制成。
具体地，如图14所示，第一背板绝缘层304和第二背板绝缘层306的厚度均为0.5-2um，中间导电层305的厚度为0.3-1um，背板单元2上均匀分布有声孔3061，背板单元2靠近第一振膜302的一侧设置有第一突起结构3041，本实施例中第一突起结构3041设置于第一背板绝缘层304上，防止第一振膜302振动过程中与背板单元2粘在一起；具体地，第一突起结构3041均匀分布。
本实施例还提供了一种双振膜MEMS麦克风的制造方法，如图4-图25所示，其包括以下步骤：
S1、衬底300上设置有底层绝缘层301，在底层绝缘层301上沉积形成第一振膜302；
S2、在第一振膜302上沉积第一绝缘层303，在第一绝缘层303上刻蚀若干组第一通孔组，每组第一通孔组包括至少两个间隔设置的第一通孔3032；
S3、在第一绝缘层303上沉积第一背板绝缘层304，并填充第一通孔3032形成连接柱11；
S4、在第一背板绝缘层304上沉积中间导电层305，在中间导电层305上刻蚀若干个第二通孔3051和若干第三通孔3052，若干第三通孔3052与若干组第一通孔组一一对应设置；
S5、在中间导电层305上沉积第二背板绝缘层306，并在第二通孔3051和第三通孔3052上沉积第二背板绝缘层306的材料，在第二通孔3051对应的位置同时蚀刻沉积第二背板绝缘层306和第一背板绝缘层304时的材料形成声孔3061；预设最大外缘，使第一通孔组的各个第一通孔3032均位于最大外缘内，在第三通孔3052与最大外缘形成的第一环形孔3062的位置同时刻蚀沉积第二背板绝缘层306和第一背板绝缘层304时的材料，第一环形孔3062内的第一背板绝缘层304材料和第二背板绝缘层306材料形成连接板13；
S6、在第二背板绝缘层306上沉积第二绝缘层307，在连接板13对应位置蚀刻第二环形孔3072并在连接板13上形成立柱14；
S7、在第二环形孔3072内填充与第二绝缘层307材质不同的第一种绝缘材料形成连接块12；
S8、在第二绝缘层307上沉积第二振膜309，在第二振膜309沿厚度方向蚀刻释放孔3091；
S9、在衬底300上刻蚀背腔3001，通过释放孔3091对部分第一绝缘层303和部分第二绝缘层307进行释放，通过背腔3001对部分底层绝缘层301进行释放，形成双振膜MEMS麦克风。
通过上述过程，在衬底300和底层绝缘层301上依次形成了第一振膜302、第一绝缘层303、第一背板绝缘层304、中间导电层305、第二背板绝缘层306、第二绝缘层307及第二振膜309，形成了上述的双振膜MEMS麦克风，第一背板绝缘层304、中间导电层305及第二背板绝缘层306形成了背板单元2，同时还依次形成了连接柱11、连接板13、立柱14及连接块12，形成了连接单元1，使连接单元1穿过背板单元2连接了第一振膜302和第二振膜309，工艺过程简单，通过连接柱11、立柱14、连接块12及连接板13形成的“鼎”型连接单元1结构稳定，提高了双振膜MEMS麦克风的结构稳定性，且生产过程中，避免连接单元1的结构过大而产生较大的牺牲结构，降低了工艺难度。
通过填充第一通孔3032形成连接柱11，工艺简单，结构可靠。
通过上述工艺生产的双振膜MEMS麦克风，保证提高信噪比的同时，不增加芯片面积，提高了使用过程中的可靠性，便于封装。
可选地，如图5和图6所示，在底层绝缘层301上沉积形成第一振膜302之前，还包括：
S100、在底层绝缘层301上刻蚀第一凹槽3011，沉积形成第一振膜302的同时填充第一凹槽3011形成第一褶皱结构3022，以降低应力集中。
可选地，如图7所示，在底层绝缘层301上沉积形成第一振膜302后，还包括：
S101、在第一振膜302上刻蚀若干泄气孔3021，通过设置泄气孔3021，提高使用效果。具体地，第一通孔组与泄气孔3021错开设置。
可选地，如图9和图10所示，在第一振膜302上沉积第一绝缘层303后，还包括：
S201、在第一绝缘层303上刻蚀若干第二凹槽3031，第二凹槽3031与第一通孔组错开设置；
在第一绝缘层303上沉积第一背板绝缘层304时，还包括：
S301、填充第二凹槽3031形成第一突起结构3041。
通过设置第二凹槽3031，在第二凹槽3031上形成第一突起结构3041，工艺简单，结构可靠，通过形成的第一突起结构3041，防止第一振膜302振动过程中与背板单元2粘在一起，即防止第一振膜302与第一背板绝缘层304粘在一起。
可选地，在中间导电层305上沉积第二背板绝缘层306时，主要保证中间导电层305上沉积的第二背板绝缘层306材料的厚度，与第一背板绝缘层304沉积的厚度相同，使背板单元2两侧对称，结构更稳定。
可选地，如图14所示，在第二背板绝缘层306上沉积第二绝缘层307之前，还包括：
S601、在第二背板绝缘层306上沉积与第一背板绝缘层304和第二背板绝缘层306均不同材质的第二种绝缘材料310，使其填充于声孔3061和第一环形孔3062；
S602、研磨绝缘材料使第二背板绝缘层306露出，并使第二背板绝缘层306与填充的第二种绝缘材料310呈平面结构。
通过第二种绝缘材料310填充声孔3061和第一环形孔3062，以便于后续沉积第二绝缘层307；具体地，通过化学机械研磨工艺进行第二背板绝缘层306磨平，便于后续沉积，提高结构可靠性和结构精度。
具体地，第二种绝缘材料310与第二绝缘层307材料相同，均为氧化硅，便于后续进行释放。
可选地，如图21和图23所示，在第二背板绝缘层306上沉积第二绝缘层307之后，还包括：
S603、在第二绝缘层307上刻蚀若干第三凹槽3073，第三凹槽3073与第二环形孔3072错开设置；
在第二绝缘层307上沉积第二振膜309时，还包括：
S801、填充第三凹槽3073形成第二褶皱结构3092。
通过先形成第三凹槽3073，填充第三凹槽3073形成第二褶皱结构3092，结构可靠，工艺简单。通过第二褶皱结构3092，降低应力集中。
可选地，如图18和图19所示，在第二环形孔3072内填充与第二绝缘层307材质不同的第一种绝缘材料时，还包括：
S701、在第二绝缘层307上沉积一层第一种绝缘材料，刻蚀第一种绝缘材料，使其呈环形支撑结构308设置于第二绝缘层307和第二振膜309的外边缘之间。
环形支撑结构308，支撑设置于第二振膜309和背板单元2的外边缘，由于第二振膜309会受到振动冲击作用，边缘部分所受的应力最大，环形支撑结构308能够对第二振膜309起到支撑和保护作用。具体地，第一种绝缘材料为氮化硅，氮化硅材质具有良好的韧性。
可选地，如图18和图19所示，在第二绝缘层307上蚀刻第三凹槽3073之前，还包括：
S6031、在第二绝缘层307上蚀刻第四凹槽3071；
可选地，在第二绝缘层307上沉积第一种绝缘材料时，还包括：
S702、填充第四凹槽3071形成第二突起结构3081。
通过设置第四凹槽3071，在第四凹槽3071上形成第二突起结构3081，结构可靠，工艺简单；第二突起结构3081能够防止第二振膜309振动时，与背板单元2粘在一起，提高可靠性。
可选地，如图21和图22所示，连接块12上具有环形槽121，环形槽121间隔设置于立柱14的外周，在第二绝缘层307上沉积第二振膜309时，还包括：
S802、填充环形槽121形成填充块15。
由于沉积过程中，将连接块12的表面沉积形成平面的工艺难度较大，因此在连接块12上留有环形槽121，之后再沉积第二振膜309时填充环形槽121形成填充块15，降低了工艺难度，且提高了结构可靠性。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为了清楚说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (12)
1.一种双振膜MEMS麦克风，其特征在于，包括背板单元（2）、第一振膜（302）和第二振膜（309），所述背板单元（2）绝缘支撑于所述第一振膜（302）和所述第二振膜（309）之间，所述背板单元（2）与所述第一振膜（302）形成第一可变电容，所述背板单元（2）与所述第二振膜（309）形成第二可变电容，所述背板单元（2）开设有若干通孔，所述双振膜MEMS麦克风还包括穿设于所述通孔的若干连接单元（1），若干所述通孔与若干所述连接单元（1）一一对应设置，所述通孔与所述连接单元（1）形成第一环形孔（3062）；所述连接单元（1）包括：
若干连接柱（11），一端连接于所述第一振膜（302）朝向所述第二振膜（309）的一侧；
连接块（12），一端连接于所述第二振膜（309）朝向所述第一振膜（302）的一侧，所述连接块（12）具有容纳槽，所述容纳槽的槽口朝向所述第一振膜（302）；
连接板（13），连接所述连接块（12）和若干所述连接柱（11），所述容纳槽与所述连接板（13）形成容纳腔；
立柱（14），填充于所述容纳腔；
所述连接柱（11）、所述连接板（13）及所述连接块（12）均为绝缘结构。
2.根据权利要求1所述的双振膜MEMS麦克风，其特征在于，所述连接块（12）上具有环形槽（121），所述环形槽（121）与所述容纳槽的槽口方向相反，所述环形槽（121）设置于所述容纳槽槽壁的四周，所述环形槽（121）内设置有填充块（15）。
3.一种双振膜MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，包括：
衬底（300）上设置有底层绝缘层（301），在所述底层绝缘层（301）上沉积形成第一振膜（302）；
在所述第一振膜（302）上沉积第一绝缘层（303），在所述第一绝缘层（303）上刻蚀若干组第一通孔组，每组所述第一通孔组包括至少两个间隔设置的第一通孔（3032）；
在所述第一绝缘层（303）上沉积第一背板绝缘层（304），并填充若干所述第一通孔组形成若干连接柱（11）；
在所述第一背板绝缘层（304）上沉积中间导电层（305），在所述中间导电层（305）上刻蚀若干个第二通孔（3051）和若干第三通孔（3052），若干所述第三通孔（3052）与若干组所述第一通孔组一一对应设置；
在所述中间导电层（305）上沉积第二背板绝缘层（306），并在所述第二通孔（3051）和所述第三通孔（3052）上沉积所述第二背板绝缘层（306）的材料，在所述第二通孔（3051）对应的位置同时蚀刻沉积所述第二背板绝缘层（306）和所述第一背板绝缘层（304）时的材料形成声孔（3061）；预设最大外缘，使所述第一通孔组的各个所述第一通孔（3032）均位于所述最大外缘内，在所述第三通孔（3052）与所述最大外缘形成的第一环形孔（3062）的位置同时刻蚀沉积所述第二背板绝缘层（306）和所述第一背板绝缘层（304）时的材料，所述第一环形孔（3062）内的所述第一背板绝缘层（304）材料和所述第二背板绝缘层（306）材料形成连接板（13）；
在所述第二背板绝缘层（306）上沉积第二绝缘层（307），在所述连接板（13）对应位置蚀刻第二环形孔（3072）并在所述连接板（13）上形成立柱（14）；
在所述第二环形孔（3072）内填充与所述第二绝缘层（307）材质不同的第一种绝缘材料形成连接块（12）；
在所述第二绝缘层（307）上沉积第二振膜（309），在所述第二振膜（309）沿厚度方向蚀刻释放孔（3091）；
在所述衬底（300）上刻蚀背腔（3001），通过所述释放孔（3091）对部分所述第一绝缘层（303）和部分所述第二绝缘层（307）进行释放，通过所述背腔（3001）对部分所述底层绝缘层（301）进行释放，形成双振膜MEMS麦克风。
4.根据权利要求3所述的双振膜MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，在所述底层绝缘层（301）上沉积形成所述第一振膜（302）之前，还包括：
在所述底层绝缘层（301）上刻蚀第一凹槽（3011），沉积形成所述第一振膜（302）的同时填充所述第一凹槽（3011）形成第一褶皱结构（3022）。
5.根据权利要求3所述的双振膜MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，在所述第一振膜（302）上沉积所述第一绝缘层（303）后，还包括：
在所述第一绝缘层（303）上刻蚀若干第二凹槽（3031），所述第二凹槽（3031）与所述第一通孔组错开设置；
在所述第一绝缘层（303）上沉积所述第一背板绝缘层（304）时，填充所述第二凹槽（3031）形成第一突起结构（3041）。
6.根据权利要求3所述的双振膜MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，在所述中间导电层（305）上沉积所述第二背板绝缘层（306）时，所述中间导电层（305）上沉积的所述第二背板绝缘层（306）材料的厚度与所述第一背板绝缘层（304）上沉积的所述第二背板绝缘层（306）材料的厚度相同。
7.根据权利要求3所述的双振膜MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，在所述第二背板绝缘层（306）上沉积所述第二绝缘层（307）之前，还包括：
在所述第二背板绝缘层（306）上沉积与所述第一背板绝缘层（304）和所述第二背板绝缘层（306）均不同材质的第二种绝缘材料（310），使其填充于所述声孔（3061）和所述第一环形孔（3062）；
研磨绝缘材料使所述第二背板绝缘层（306）露出，并使所述第二背板绝缘层（306）与填充的所述第二种绝缘材料（310）呈平面结构。
8.根据权利要求3所述的双振膜MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，在所述第二背板绝缘层（306）上沉积所述第二绝缘层（307）之后，还包括：
在所述第二绝缘层（307）上刻蚀若干第三凹槽（3073），所述第三凹槽（3073）与所述第二环形孔（3072）错开设置；
在所述第二绝缘层（307）上沉积所述第二振膜（309）时，填充所述第三凹槽（3073）形成第二褶皱结构（3092）。
9.根据权利要求8所述的双振膜MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，在所述第二环形孔（3072）内填充与所述第二绝缘层（307）材质不同的所述第一种绝缘材料时，还包括：
在所述第二绝缘层（307）上沉积一层所述第一种绝缘材料，刻蚀所述第一种绝缘材料，使其呈环形支撑结构（308）设置于所述第二绝缘层（307）和所述第二振膜（309）的外边缘之间。
10.根据权利要求9所述的双振膜MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，在所述第二绝缘层（307）上蚀刻所述第三凹槽（3073）之前，还包括：
在所述第二绝缘层（307）上蚀刻第四凹槽（3071）；
在所述第二绝缘层（307）上沉积所述第一种绝缘材料时，填充所述第四凹槽（3071）形成第二突起结构（3081）。
11.根据权利要求3所述的双振膜MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，所述连接块（12）上具有环形槽（121），所述环形槽（121）间隔设置于所述立柱（14）的外周，在所述第二绝缘层（307）上沉积所述第二振膜（309）时，填充所述环形槽（121）形成填充块（15）。
12.根据权利要求3所述的双振膜MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，在所述底层绝缘层（301）上沉积形成第一振膜（302）后，还包括：在第一振膜（302）上刻蚀若干泄气孔（3021），所述泄气孔（3021）与所述第一通孔组错开设置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210500461.XA CN114598979B (zh) | 2022-05-10 | 2022-05-10 | 一种双振膜mems麦克风及其制造方法 |
| PCT/CN2023/079374 WO2023216686A1 (zh) | 2022-05-10 | 2023-03-02 | 双振膜mems麦克风及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210500461.XA CN114598979B (zh) | 2022-05-10 | 2022-05-10 | 一种双振膜mems麦克风及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114598979A true CN114598979A (zh) | 2022-06-07 |
| CN114598979B CN114598979B (zh) | 2022-08-16 |
Family
ID=81812137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210500461.XA Active CN114598979B (zh) | 2022-05-10 | 2022-05-10 | 一种双振膜mems麦克风及其制造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114598979B (zh) |
| WO (1) | WO2023216686A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023216686A1 (zh) * | 2022-05-10 | 2023-11-16 | 迈感微电子(上海)有限公司 | 双振膜mems麦克风及其制造方法 |
Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101588529A (zh) * | 2009-06-30 | 2009-11-25 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 硅基电容麦克风及其制造方法 |
| CN102196352A (zh) * | 2011-05-19 | 2011-09-21 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 硅麦克风的制造方法 |
| JP2012196829A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Ricoh Co Ltd | 液滴吐出ヘッド、インクジェット記録装置 |
| CN103702268A (zh) * | 2013-12-31 | 2014-04-02 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | Mems麦克风 |
| CN105578369A (zh) * | 2014-10-17 | 2016-05-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems麦克风及其制备方法、电子装置 |
| CN105721997A (zh) * | 2015-04-08 | 2016-06-29 | 上海微联传感科技有限公司 | 一种mems硅麦克风及其制备方法 |
| CN107666645A (zh) * | 2017-08-14 | 2018-02-06 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 具有双振膜的差分电容式麦克风 |
| CN108702574A (zh) * | 2016-02-04 | 2018-10-23 | 美商楼氏电子有限公司 | 差分mems麦克风 |
| US20190028814A1 (en) * | 2017-05-15 | 2019-01-24 | Goertek Inc. | Mems microphone |
| CN110012409A (zh) * | 2018-12-31 | 2019-07-12 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | Mems麦克风制造方法 |
| CN110012410A (zh) * | 2018-12-31 | 2019-07-12 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | Mems麦克风制造方法 |
| CN110324770A (zh) * | 2019-08-01 | 2019-10-11 | 迈感微电子(上海)有限公司 | 一种麦克风及其集成电路、电子设备 |
| US20190394574A1 (en) * | 2016-12-05 | 2019-12-26 | Goertek, Inc. | Mems microphone chip and mems microphone |
| CN209897224U (zh) * | 2018-12-31 | 2020-01-03 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | 一种mems麦克风 |
| US20210168497A1 (en) * | 2019-12-02 | 2021-06-03 | Hangzhou Silan Integrated Circuit Co., Ltd. | Mems microphone and manufacturing method thereof |
| WO2021134334A1 (zh) * | 2019-12-30 | 2021-07-08 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 一种mems麦克风 |
| CN215924391U (zh) * | 2021-09-03 | 2022-03-01 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 微机电结构与晶圆、麦克风和终端 |
| CN216391412U (zh) * | 2021-11-26 | 2022-04-26 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | Mems麦克风 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104113810A (zh) * | 2014-07-18 | 2014-10-22 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | Mems麦克风及其制备方法与电子设备 |
| CN107835477B (zh) * | 2017-11-24 | 2020-03-17 | 歌尔股份有限公司 | 一种mems麦克风 |
| US10999684B1 (en) * | 2020-01-17 | 2021-05-04 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | MEMS microphone and method of manufacturing the MEMS microphone |
| CN216437481U (zh) * | 2020-07-06 | 2022-05-03 | 瑞声科技（南京）有限公司 | 用于mems麦克风的振膜及mems麦克风 |
| CN113691916A (zh) * | 2021-09-23 | 2021-11-23 | 瑶芯微电子科技(上海)有限公司 | Mems麦克风及其制备方法 |
| CN114598979B (zh) * | 2022-05-10 | 2022-08-16 | 迈感微电子(上海)有限公司 | 一种双振膜mems麦克风及其制造方法 |
-
2022
- 2022-05-10 CN CN202210500461.XA patent/CN114598979B/zh active Active
-
2023
- 2023-03-02 WO PCT/CN2023/079374 patent/WO2023216686A1/zh unknown
Patent Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101588529A (zh) * | 2009-06-30 | 2009-11-25 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 硅基电容麦克风及其制造方法 |
| JP2012196829A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Ricoh Co Ltd | 液滴吐出ヘッド、インクジェット記録装置 |
| CN102196352A (zh) * | 2011-05-19 | 2011-09-21 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 硅麦克风的制造方法 |
| CN103702268A (zh) * | 2013-12-31 | 2014-04-02 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | Mems麦克风 |
| CN105578369A (zh) * | 2014-10-17 | 2016-05-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems麦克风及其制备方法、电子装置 |
| CN105721997A (zh) * | 2015-04-08 | 2016-06-29 | 上海微联传感科技有限公司 | 一种mems硅麦克风及其制备方法 |
| CN108702574A (zh) * | 2016-02-04 | 2018-10-23 | 美商楼氏电子有限公司 | 差分mems麦克风 |
| US20190394574A1 (en) * | 2016-12-05 | 2019-12-26 | Goertek, Inc. | Mems microphone chip and mems microphone |
| US20190028814A1 (en) * | 2017-05-15 | 2019-01-24 | Goertek Inc. | Mems microphone |
| CN107666645A (zh) * | 2017-08-14 | 2018-02-06 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 具有双振膜的差分电容式麦克风 |
| CN110012409A (zh) * | 2018-12-31 | 2019-07-12 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | Mems麦克风制造方法 |
| CN110012410A (zh) * | 2018-12-31 | 2019-07-12 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | Mems麦克风制造方法 |
| CN209897224U (zh) * | 2018-12-31 | 2020-01-03 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | 一种mems麦克风 |
| CN110324770A (zh) * | 2019-08-01 | 2019-10-11 | 迈感微电子(上海)有限公司 | 一种麦克风及其集成电路、电子设备 |
| US20210168497A1 (en) * | 2019-12-02 | 2021-06-03 | Hangzhou Silan Integrated Circuit Co., Ltd. | Mems microphone and manufacturing method thereof |
| WO2021134334A1 (zh) * | 2019-12-30 | 2021-07-08 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 一种mems麦克风 |
| CN215924391U (zh) * | 2021-09-03 | 2022-03-01 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 微机电结构与晶圆、麦克风和终端 |
| CN216391412U (zh) * | 2021-11-26 | 2022-04-26 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | Mems麦克风 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 董健等: "电容式硅微机械麦克风的结构与动态特性", 《浙江大学学报(工学版)》 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023216686A1 (zh) * | 2022-05-10 | 2023-11-16 | 迈感微电子(上海)有限公司 | 双振膜mems麦克风及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114598979B (zh) | 2022-08-16 |
| WO2023216686A1 (zh) | 2023-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107666645B (zh) | 具有双振膜的差分电容式麦克风 | |
| US9266716B2 (en) | MEMS acoustic transducer with silicon nitride backplate and silicon sacrificial layer | |
| KR101761982B1 (ko) | Mems 디바이스 | |
| CN110267185B (zh) | 压电式与电容式相结合的mems麦克风 | |
| US20120091546A1 (en) | Microphone | |
| US11310606B2 (en) | MEMS microphone | |
| US20170339494A1 (en) | Mems acoustic transducer with combfingered electrodes and corresponding manufacturing process | |
| CN105721997A (zh) | 一种mems硅麦克风及其制备方法 | |
| KR20150002539A (ko) | 다이어프램과 카운터 전극 사이에 저압 영역을 갖는 mems 마이크로폰 | |
| WO2023202417A1 (zh) | 一种麦克风组件及电子设备 | |
| WO2023202418A1 (zh) | 一种麦克风组件及电子设备 | |
| WO2020140575A1 (zh) | Mems 麦克风制造方法 | |
| WO2014159552A1 (en) | Mems acoustic transducer with silicon nitride backplate and silicon sacrificial layer | |
| CN114598979B (zh) | 一种双振膜mems麦克风及其制造方法 | |
| WO2020140573A1 (zh) | Mems麦克风 | |
| CN115696158A (zh) | 差分mems芯片、麦克风及电子设备 | |
| US10623852B2 (en) | MEMS devices and processes | |
| Kasai et al. | Novel concept for a MEMS microphone with dual channels for an ultrawide dynamic range | |
| CN113545108B (zh) | 为达更高信噪比的电容式麦克风传感器设计及制造方法 | |
| CN112689229B (zh) | 硅基麦克风及其制造方法 | |
| CN201699978U (zh) | 一种电容式微型硅麦克风 | |
| CN114014254A (zh) | 一种mems结构 | |
| CN115942167A (zh) | 防污麦克风芯片和声音采集装置 | |
| CN219395044U (zh) | Mems麦克风 | |
| CN218634295U (zh) | 一种麦克风组件及电子设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240428 Address after: 214135 China Sensor Network International Innovation Park F2, 200 Linghu Avenue, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee after: SV SENSTECH (WUXI) CO.,LTD. Country or region after: China Address before: 2 / F, building 3, 439 Chunxiao Road, China (Shanghai) pilot Free Trade Zone, Pudong New Area, Shanghai, 201203 Patentee before: Maigan Microelectronics (Shanghai) Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
| TR01 | Transfer of patent right |