CN114573027B - 一种五氧化二钒纳米带及其制备方法 - Google Patents

一种五氧化二钒纳米带及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114573027B
CN114573027B CN202210229350.XA CN202210229350A CN114573027B CN 114573027 B CN114573027 B CN 114573027B CN 202210229350 A CN202210229350 A CN 202210229350A CN 114573027 B CN114573027 B CN 114573027B
Authority
CN
China
Prior art keywords
vanadium pentoxide
room temperature
nanobelt
hours
ultrasonic treatment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202210229350.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN114573027A (zh
Inventor
吴建栋
王泽晶
田家兴
卢辉
杨少林
范瑞娟
马金福
盛之林
侯春平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
North Minzu University
Original Assignee
North Minzu University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by North Minzu University filed Critical North Minzu University
Priority to CN202210229350.XA priority Critical patent/CN114573027B/zh
Publication of CN114573027A publication Critical patent/CN114573027A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114573027B publication Critical patent/CN114573027B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G31/00—Compounds of vanadium
    • C01G31/02—Oxides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/362—Composites
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/48—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides
    • H01M4/483—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides for non-aqueous cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种五氧化二钒纳米带及其制备方法，该方法包括以下步骤：将五氧化二钒加入去离子水中，室温下磁力搅拌，然后，加入模板剂和表面活性剂并继续搅拌，得到悬浊液；将悬浊液倒入烧杯中，置于超声清洗机中，在室温下超声处理；将超声处理过的材料离心干燥，即得五氧化二钒纳米带。本发明制备的五氧化二钒纳米带具有比原料更大的原子层间距，适合离子嵌入脱出，可以直接作为二次离子电池阴极材料。

Description

一种五氧化二钒纳米带及其制备方法
技术领域
本发明属于复合材料制备技术领域，具体地说，涉及一种五氧化二钒纳米带及其制备方法。
背景技术
五氧化二钒是一种重要的功能材料，可用作冶金、合金添加剂、有机化工的催化剂、储能材料等。其中，在催化和储能等领域的应用中，纳米化的五氧化二钒具有更优异的性能。通常，制备五氧化二钒纳米材料特别是纳米带、纳米线的制备方法都需要高温高压或微波辅助条件，制备工艺复杂，导致很难实现工业化生产。
专利一种五氧化二钒纳米带的制备方法(申请号：201910866878.6，申请日：20190912)将五氧化二钒在水浸泡处理后过滤，再分散于特定分散介质中形成悬浊液，最后通过微波辅助剥离制得五氧化二钒纳米带。其中，但该方法制备过程复杂，需要制备微波损耗角正切值小于0.1的特定液态介质；微波处理的功率要求较高，为150-400瓦；此外，在生产过程中还需要考虑防止微波辐射的问题。
因此，有必要开发出一种工艺简单、成本低廉的五氧化二钒纳米带的制备方法。
发明内容
有鉴于此，本发明针对上述的问题，提供了一种五氧化二钒纳米带及其制备方法。
为了解决上述技术问题，本发明公开了一种五氧化二钒纳米带的制备方法，包括以下步骤：
步骤1、将五氧化二钒加入去离子水中，室温下磁力搅拌，然后，加入模板剂和表面活性剂并继续搅拌，得到悬浊液；
步骤2、将步骤1制备得到的悬浊液倒入烧杯中，置于超声清洗机中，在室温下超声处理；
步骤3、将步骤2超声处理过的材料静置，将上层溶液离心并经过常压干燥，即得五氧化二钒纳米带。
可选地，所述步骤1中的五氧化二钒与去离子水的配比为10mmol：50ml～1g：500ml；五氧化二钒与模板剂和表面活性剂的摩尔比为10mmol:0.5～40mmol：2mmol。
可选地，所述步骤1中的将五氧化二钒加入去离子水中，室温下磁力搅拌时间为2～4h；加入模板剂和表面活性剂并继续搅拌时间为2～8h。
可选地，所述步骤1中的模板剂为甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、二甲胺、乙二胺中的一种。
可选地，所述步骤1中的表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠、十六烷基三甲基溴化铵、十八烷基硫酸钠中的一种。
可选地，所述步骤2中超声处理的时间为0.2～12小时。
可选地，所述步骤2中超声处理的功率为100～500W。
可选地，所述步骤3中静置时间为0.5h，干燥处理的温度为80～150℃。
本发明还公开了一种由上述制备方法制备得到的五氧化二钒纳米带。
与现有技术相比，本发明可以获得包括以下技术效果：
1)本发明只需要用超声辅助即可获得五氧化二钒纳米带，不需要通过水热反应等复杂工艺条件，本发明工艺更简单。
2)本发明反应温度为室温，制备过程中不需要额外加热，成本更低。
3)本发明制备的五氧化二钒纳米带具有比原料更大的原子层间距，适合离子嵌入脱出，可以直接作为二次离子电池阴极材料。
当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1是商业化五氧化二钒(a)和实施例1制备的五氧化二钒纳米带(b)的SEM图；
图2是商业化五氧化二钒(a)和实施例1制备的五氧化二钒纳米带(b)的XRD图谱。
具体实施方式
以下将配合实施例来详细说明本发明的实施方式，藉此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。
本发明公开了一种五氧化二钒纳米带的制备方法，包括以下步骤：
步骤1、将五氧化二钒加入去离子水中，室温下磁力搅拌2～4h，然后，加入模板剂和表面活性剂并继续搅拌2～8h，得到悬浊液；
其中，五氧化二钒与去离子水的配比为10mmol：50ml～1g：500ml；五氧化二钒与模板剂和表面活性剂的摩尔比为10mmol:0.5～40mmol：2mmol。
五氧化二钒与模板剂的摩尔比大于10:0.5会导致五氧化二钒纳米带的产率降低，小于10:40则会导致五氧化二钒溶解，无法形成五氧化二钒纳米带。
模板剂为甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、二甲胺、乙二胺中的至少一种。模板剂的作用是嵌入五氧化二钒的原子层中，并在超声波的作用下剥离出五氧化二钒纳米带。
表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠、十六烷基三甲基溴化铵、十八烷基硫酸钠中的至少一种，表面活性剂的作用是防止被剥离的五氧化二钒纳米带团聚。
步骤2、将步骤1制备得到的悬浊液倒入烧杯中，置于功率为100～500W的超声清洗机中，在室温下超声处理0.2～12h；
其中，超声处理功率小于100W无法制备出五氧化二钒纳米带。超声处理功率高于500W时，五氧化二钒纳米带的产率变低。超声处理时间少于0.1h时几乎没有产生五氧化二钒纳米带，超声处理时间大于12h时五氧化二钒纳米带的产率变化不大。
步骤3、将步骤2超声处理过的材料静置0.5h，将上层溶液离心并经过80～150℃常压干燥，即得五氧化二钒纳米带。
实施例1
将10mmol五氧化二钒加入50ml去离子水，在室温下磁力搅拌3小时后加入4mmol模板剂和2mmol表面活性剂并继续搅拌6小时得到悬浊液；将上述悬浊液转移至烧杯中，并置于功率为300W的超声清洗机中，在室温下超声处理4小时；静置0.5h，将上层溶液离心并经过120℃常压干燥，即可得五氧化二钒纳米带。经计算，五氧化二钒纳米带的产率为83％。五氧化二钒原料的颗粒尺寸大于1微米(附图1(a))，而本实施例制备的氧化钒纳米带的宽度仅为约20nm(附图1(b))。此外，本实施例制备的氧化钒纳米带的XRD图谱在9.9°出现了明显的衍射峰(附图2(b))，而其它衍射峰与五氧化二钒的XRD衍射图谱基本一致。位于9.9°的衍射峰对应的原子层间距为8.8埃，约为五氧化二钒原子层间距(4.4埃)的两倍。因此，本发明通过超声处理成功将乙二胺嵌入五氧化二钒中，有效增大了其层间距。同时，改变了五氧化二钒的微观形貌，获得了五氧化二钒纳米带。
其中，五氧化二钒原料的质量记为m0，超声处理后静置0.5h，将上层溶液离心并经过120℃常压干燥后称重记为m1，
实施例2
将10mmol五氧化二钒加入50ml去离子水，在室温下磁力搅拌3小时后加入4mmol模板剂和2mmol表面活性剂并继续搅拌6小时得到悬浊液；将上述悬浊液转移至烧杯中，并置于功率为100W的超声清洗机中，在室温下超声处理12小时；静置0.5h，将上层溶液离心并经过120℃常压干燥，即可得五氧化二钒纳米带。经计算，五氧化二钒纳米带的产率为50％。
实施例3
将10mmol五氧化二钒加入50ml去离子水，在室温下磁力搅拌3小时后加入4mmol模板剂和2mmol表面活性剂并继续搅拌6小时得到悬浊液；将上述悬浊液转移至烧杯中，并置于功率为500W的超声清洗机中，在室温下超声处理0.2小时；静置0.5h，将上层溶液离心并经过120℃常压干燥，即可得五氧化二钒纳米带。经计算，五氧化二钒纳米带的产率为41％。
实施例4
将10mmol五氧化二钒加入50ml去离子水，在室温下磁力搅拌3小时后加入40mmol模板剂和2mmol表面活性剂并继续搅拌8小时得到悬浊液；将上述悬浊液转移至烧杯中，并置于功率为200W的超声清洗机中，在室温下超声处理6小时；静置0.5h，将上层溶液离心并经过120℃常压干燥，即可得五氧化二钒纳米带。经计算，五氧化二钒纳米带的产率为52％。
实施例5
将10mmol五氧化二钒加入500ml去离子水，在室温下磁力搅拌4小时后加入0.5mmol模板剂和2mmol表面活性剂并继续搅拌2小时得到悬浊液；将上述悬浊液转移至烧杯中，并置于功率为300W的超声清洗机中，在室温下超声处理4小时；静置0.5h，将上层溶液离心并经过120℃常压干燥，即可得五氧化二钒纳米带。经计算，五氧化二钒纳米带的产率为26％。
对比例1
将10mmol五氧化二钒加入50ml去离子水，在室温下磁力搅拌3小时后加入4mmol模板剂和2mmol表面活性剂并继续搅拌6小时得到悬浊液；将上述悬浊液转移至烧杯中，并置于功率为300W的超声清洗机中，在室温下超声处理0.1小时；将上述超声处理过的材料离心并经过80℃常压干燥，即可得五氧化二钒纳米带。经计算，五氧化二钒纳米带的产率为12％。
对比例2
将10mmol五氧化二钒加入50ml去离子水，在室温下磁力搅拌3小时后加入60mmol模板剂和2mmol表面活性剂并继续搅拌6小时得到悬浊液；将上述悬浊液转移至烧杯中，并置于功率为300W的超声清洗机中，在室温下超声处理4小时；五氧化二钒完全溶解，无法得到五氧化二钒纳米带。因此，五氧化二钒纳米带的产率为0％。
对比例3
将10mmol五氧化二钒加入50ml去离子水，在室温下磁力搅拌3小时后加入4mmol模板剂和2mmol表面活性剂并继续搅拌6小时得到悬浊液；将上述悬浊液转移至烧杯中，并置于功率为50W的超声清洗机中，在室温下超声处理12小时；将上层溶液离心并经过120℃常压干燥，即可得五氧化二钒纳米带。经计算，五氧化二钒纳米带的产率为0.1％。
对比例4
将10mmol五氧化二钒加入50ml去离子水，在室温下磁力搅拌3小时后加入0.1mmol模板剂和2mmol表面活性剂并继续搅拌6小时得到悬浊液；将上述悬浊液转移至烧杯中，并置于功率为300W的超声清洗机中，在室温下超声处理4小时；将上层溶液离心并经过120℃常压干燥，即可得五氧化二钒纳米带。经计算，五氧化二钒纳米带的产率为5％。
上述说明示出并描述了发明的若干优选实施例，但如前所述，应当理解发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离发明的精神和范围，则都应在发明所附权利要求的保护范围内。

Claims (3)

1.一种五氧化二钒纳米带的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、将五氧化二钒加入去离子水中，室温下磁力搅拌，然后，加入模板剂和表面活性剂并继续搅拌，得到悬浊液；
步骤2、将步骤1制备得到的悬浊液倒入烧杯中，置于超声清洗机中，在室温下超声处理；
步骤3、将步骤2超声处理过的材料静置，将上层溶液离心并经过常压干燥，即得五氧化二钒纳米带；
所述步骤1中的模板剂为甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、二甲胺、乙二胺中的一种；
所述步骤1中的表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠、十六烷基三甲基溴化铵、十八烷基硫酸钠中的一种；
所述步骤2中超声处理的时间为0.2~12小时；
所述步骤2中超声处理的功率为100~500W；
所述步骤1中的五氧化二钒与去离子水的配比为10 mmol：50ml~1g：500ml；五氧化二钒与模板剂和表面活性剂的摩尔比为10 mmol: 0.5~40 mmol：2 mmol。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1中的将五氧化二钒加入去离子水中，室温下磁力搅拌时间为2~4h；加入模板剂和表面活性剂并继续搅拌时间为2~8h。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3中静置时间为0.5h，干燥处理的温度为80~150℃。
CN202210229350.XA 2022-03-09 2022-03-09 一种五氧化二钒纳米带及其制备方法 Active CN114573027B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210229350.XA CN114573027B (zh) 2022-03-09 2022-03-09 一种五氧化二钒纳米带及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210229350.XA CN114573027B (zh) 2022-03-09 2022-03-09 一种五氧化二钒纳米带及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114573027A CN114573027A (zh) 2022-06-03
CN114573027B true CN114573027B (zh) 2023-08-18

Family

ID=81778426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210229350.XA Active CN114573027B (zh) 2022-03-09 2022-03-09 一种五氧化二钒纳米带及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114573027B (zh)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104261472A (zh) * 2014-09-22 2015-01-07 安徽工业大学 一种五氧化二钒纳米带及其常温合成方法与应用
CN106935860A (zh) * 2017-03-24 2017-07-07 华中科技大学 一种碳插层v2o3纳米材料、其制备方法和应用
CN107779905A (zh) * 2017-09-19 2018-03-09 同济大学 一种氧化钒纳米带的制备方法
CN107827157A (zh) * 2017-12-01 2018-03-23 济南大学 一种单层二硫化钼的液相剥离方法
CN109437307A (zh) * 2018-12-19 2019-03-08 王子韩 一种高效制备高质量二硫化钼纳米线的方法
CN109461914A (zh) * 2018-10-26 2019-03-12 安阳工学院 一种五氧化二钒纳米片与石墨烯复合材料的制备方法
CN110003902A (zh) * 2019-05-09 2019-07-12 安徽大学 一种高亮MoS2量子点的制备方法
CN110306260A (zh) * 2019-06-18 2019-10-08 东华大学 一种宏观无机半导体纳米纤维及其制备方法和应用
CN110512260A (zh) * 2019-08-28 2019-11-29 青岛农业大学 一种复合光电极的制备方法
CN110803713A (zh) * 2019-09-12 2020-02-18 中南大学 一种五氧化二钒纳米带及其制备方法
CN113479849A (zh) * 2020-07-29 2021-10-08 宁波工程学院 一种纳米金属氧化物的制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013010211A1 (en) * 2011-07-19 2013-01-24 The Australian National University Exfoliating laminar material by ultrasonication in surfactant
WO2014071393A1 (en) * 2012-11-05 2014-05-08 University Of Washington Through Its Center For Commercialization Polycrystalline vanadium oxide nanosheets

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104261472A (zh) * 2014-09-22 2015-01-07 安徽工业大学 一种五氧化二钒纳米带及其常温合成方法与应用
CN106935860A (zh) * 2017-03-24 2017-07-07 华中科技大学 一种碳插层v2o3纳米材料、其制备方法和应用
CN107779905A (zh) * 2017-09-19 2018-03-09 同济大学 一种氧化钒纳米带的制备方法
CN107827157A (zh) * 2017-12-01 2018-03-23 济南大学 一种单层二硫化钼的液相剥离方法
CN109461914A (zh) * 2018-10-26 2019-03-12 安阳工学院 一种五氧化二钒纳米片与石墨烯复合材料的制备方法
CN109437307A (zh) * 2018-12-19 2019-03-08 王子韩 一种高效制备高质量二硫化钼纳米线的方法
CN110003902A (zh) * 2019-05-09 2019-07-12 安徽大学 一种高亮MoS2量子点的制备方法
CN110306260A (zh) * 2019-06-18 2019-10-08 东华大学 一种宏观无机半导体纳米纤维及其制备方法和应用
CN110512260A (zh) * 2019-08-28 2019-11-29 青岛农业大学 一种复合光电极的制备方法
CN110803713A (zh) * 2019-09-12 2020-02-18 中南大学 一种五氧化二钒纳米带及其制备方法
CN113479849A (zh) * 2020-07-29 2021-10-08 宁波工程学院 一种纳米金属氧化物的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
V_2O_5发泡材料的制备及电化学性能;李宁;马婷婷;梁浩彬;陈胜洲;;电池(第01期);第16-19页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN114573027A (zh) 2022-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2017128929A1 (zh) 一种制备石墨烯分散液的方法及其制品
CN103464065B (zh) 一种具有介孔壳磁性纳米球及快速制备方法
CN102756131B (zh) 一种微米级片状银粉的制备方法
WO2019237452A1 (zh) 一种制备二维片状Cu-MOF材料的方法
CN113477270B (zh) 一种铜铁双金属限域氮掺杂碳纳米管复合材料的制备方法
CN104846228A (zh) 一种石墨烯增强金属材料的方法
CN106186062A (zh) 一种均相水热法制备花状Cu2V2O7材料的方法及制备的Cu2V2O7材料
CN111082031A (zh) 一种磷酸锂包覆高镍三元正极材料的制备方法
WO2023197682A1 (zh) 一种高效制备氮化硼纳米片的方法
CN106129392B (zh) 一种常温液相搅拌法制备花状Cu3V2O8材料的方法及制备的Cu3V2O8材料
CN109665525A (zh) 一种“哑铃型”铁氮双掺杂多孔碳的制备方法
CN112786865A (zh) 一种MoS2准量子点/氮硫共掺杂生物质碳复合纳米材料的制备方法和应用
CN113896244B (zh) 用于盐湖提锂的多孔圆片状锰酸锂电极、及其制备方法
CN105524617A (zh) 一种硒化钼量子点的制备方法
CN114573027B (zh) 一种五氧化二钒纳米带及其制备方法
CN110963488A (zh) 一种小尺寸氧化石墨烯的制备方法
CN109231270B (zh) 一种钼酸铅树枝状晶体的制备方法
CN107128903A (zh) 以卷曲层状结构的埃洛石纳米管制备石墨烯的方法
CN115140743B (zh) 一种二维金属硼化物及水热辅助碱液刻蚀制备方法和应用
CN114538424B (zh) 一种有序介孔碳修饰的石墨烯材料的制备方法
CN105776197B (zh) 一种表面多孔石墨烯材料及其制备方法
CN114956044A (zh) 一种快速高效制备空心碳微球的方法
CN108928815A (zh) 一种用多步骤弱氧化-还原法制备高性能石墨烯的方法
CN111715209B (zh) 一种三氧化钨/石墨毡复合材料的气相制备方法
CN104628026A (zh) 一种制备纳米氧化铜的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant