CN114570365A - 一种单原子催化剂的制备方法和VOCs处理工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种单原子催化剂的制备方法和VOCs处理工艺。该制备方法如下:一、通过等离子体化学气相沉积法对CeO2载体进行预处理,得到密布缺陷的CeO2载体。二、经过步骤一处理的CeO2载体加入到银氨溶液中,并进行搅拌,使得Ag锚定至CeO2载体表面的缺陷中。三、对步骤二所得产物进行煅烧,得到Ag/CeO2单原子催化剂。本发明利用等离子体化学气相沉积法对载体进行预处理后制备单原子催化剂的方法。通入氩气对CeO2载体进行刻蚀,等离子体对CeO2载体起到调节缺陷位点和电子结构的改性作用,更利于有效提高单原子催化剂中贵金属单原子的负载率,提升了贵金属原子的利用率以及单原子催化剂的催化效果和稳定性。

Description

一种单原子催化剂的制备方法和VOCs处理工艺
技术领域
本发明属于废气处理技术领域,具体涉及一种单原子催化剂的制备方法和VOCs处理工艺。
背景技术
来源于工业制造、交通运输和室内的挥发性有机化合物(VOCs)是大气污染的主要来源。VOCs不仅是气溶胶、光化学烟雾以及臭氧的前体;同时也会对人体产生极大的危害,长期接触会导致许多人类疾病,包括癌症、心血管疾病和其他一些潜在的疾病。目前,为了减少VOCs的排放,已经发展了来源控制、过程控制和终端控制三种技术。虽然前两种技术可以减少VOCs的产生或排放,但目前常见的VOCs处理技术主要以末端治理为主。末端治理技术包括两类,第一类是非破坏性方法,即采用物理方法将VOC回收(吸收法,吸附法,冷凝法和膜分离法等);第二类是通过生化反应将VOC氧化分解为无毒或低毒物质的破坏性方法(燃烧法,催化氧化法和生物法等)。虽然以上工艺是减少VOCs的可行途径,但这些传统的技术有一些缺点,特别是低浓度VOC的处理。这些方法具有低的能量选择性以及高的运行成本,并且在实际情况下难以适应VOC浓度和气体流量的剧烈变化。因此需要一种有效、经济的减排技术来满足世界各国日益严格的排放法规。
目前,人们发现单一的治理技术难以满足日渐严格的VOCs排放法规,因此联合治理技术逐渐走入人们的视线。开发有效、经济的VOCs减排技术迫在眉睫。低温等离子体技术能在较低温度下处理VOCs并具有较高的处理效率,且与催化剂的结合能够进一步提升处理效率,可提高对目标产物的选择性,是一种极具前景的VOCs处理技术。
近年来,单原子催化剂(SACs)作为一种新兴的催化剂广泛地受到了关注。单原子催化剂是一种金属以单原子形式均匀分散在载体上形成的具有优异催化性能的催化剂。单原子催化剂材料由于其极大的原子利用率、均匀且可控的金属活性位点、以及其独特的金属载体间的相互作用,展现出明显优异于传统催化剂的性能。
鉴于此,本发明的目的在于提供一种等离子体协同单原子催化剂处理VOCs的方法及装置,特提出本发明。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新型等离子体制备单原子催化剂的方法以及等离子体协同该单原子催化剂处理VOCs的方法,本发明基于反向传播人工神经网络(BP-ANN)模型优化制备单原子催化剂合适的放电工艺参数,为等离子体协同单原子催化剂处理VOCs优化条件,提高VOCs转化率以及CO2选择性。
第一方面,本发明提供一种Ag/CeO2单原子催化剂的制备方法,其通过等离子体化学气相沉积法对CeO2载体进行预处理后,使Ag以单原子形式负载到CeO2载体上。
该制备方法的具体步骤如下:
步骤一、将CeO2载体放置于等离子体气相沉积设备中,抽真空,通入保护气体至稳定压强,等离子体气相沉积设备启动,在CeO2载体的表面形成用于负载Ag原子的缺陷。
步骤二、经过步骤一处理的CeO2载体加入到银氨溶液中,并进行搅拌,使得Ag以单原子形式锚定至CeO2载体表面的缺陷中。
步骤三、对步骤二所得产物进行煅烧,得到Ag/CeO2单原子催化剂。
作为优选,步骤一中所述的保护气体采用氩气。氩气流量控制在100sccm~200sccm,通过控制氩气流量调控CeO2载体表面的缺陷密度。
作为优选,步骤一中,等离子体气相沉积设备的工作功率为300W~500W。
作为优选,步骤二中所述的银氨溶液的制备过程为:将硝酸银溶于去离子水中,滴加过量氨水获得银氨溶液。
作为优选,步骤三所得Ag/CeO2单原子催化剂中,Ag负载量为1wt%~5wt%。
作为优选,步骤三中的煅烧条件为:在马弗炉中500℃煅烧4h~6h。
第二方面,本发明提供一种使用人工神经网络模型的单原子催化剂制备参数优化方法,其具体步骤为:
步骤一、设置多组不同的放电工艺参数,并分别根据各组放电工艺参数进行催化剂制备;放电工艺参数包括氩气流量、等离子体气相沉积设备功率、煅烧时间、Ag负载量;分别将所得催化剂置于DBD等离子体反应器中进行VOCs处理试验,并记录试验中催化剂的VOCs去除率和CO2选择性。
步骤二、以前述的各放电工艺参数作为4个输入变量,以VOCs去除率和CO2选择性作为2个输出变量,构建神经网络。以两个输出变量最高作为期望,对各个输入变量进行网格搜索,预测出在不同的输入变量下对应的输出变量;选取最符合期望的输出变量及其对应的放电工艺参数;根据所得的放电工艺参数进行催化剂制备。
第三方面,本发明提供一种利用等离子体协同单原子催化的VOCs处理工艺。该VOCs处理工艺使用的等离子体协同催化处理VOCs装置,包括低温等离子体电源,以及依次连接的湿度罐、混气罐和介质阻挡放电反应器。混气罐与介质阻挡放电反应器之间设置有进气阀。低温等离子体电源为介质阻挡放电反应器供电。
该VOCs处理工艺的具体步骤如下:
步骤一、将根据前述制备方法得到的Ag/CeO2单原子催化剂放置于介质阻挡放电反应器的等离子体放电区域内。将污染物气体输入混气罐或将污染物液体打入湿度罐后通过鼓泡后进入混气罐。
步骤二、开启进气阀使混气罐中废气进入介质阻挡放电反应器;介质阻挡放电反应器启动,进行等离子放电,产生的等离子体协同催化剂通过对废气中的VOCs进行降解。
作为优选,等离子体电源采用高压电源、直流电源、脉冲电源中的任意一种,且其输出功率能够调节。
作为优选,所述的介质阻挡放电反应器采用四通道双介质阻挡反应器。
作为优选,Ag/CeO2单原子催化剂与玻璃珠混合后铺设在介质阻挡放电反应器的等离子体放电区域中,以保证放电均匀。
作为优选,介质阻挡放电反应器每个通道中填充的Ag/CeO2单原子催化剂的质量为0.2g。
本发明具有的有益效果在于:
1.本发明利用等离子体化学气相沉积法对载体进行预处理后制备单原子催化剂的方法。通入氩气对CeO2载体进行刻蚀,等离子体对CeO2载体起到调节缺陷位点和电子结构的改性作用,更利于有效提高单原子催化剂中贵金属单原子的负载率,提升了贵金属原子的利用率以及单原子催化剂的催化效果和稳定性。
2.本发明在等离子体协同催化处理VOCs的应用中使用了单原子催化剂。与传统热催化相比,等离子体系由于具有可在较低温度下发生反应的优点而被广泛使用。而单原子催化剂在高温条件下会引起单原子的迁移,使催化剂发生团聚,进而烧结成纳米颗粒导致催化剂失活。因此,在等离子体较低温度的反应体系下,等离子体与单原子催化剂能够更好地产生协同作用。
3.本发明采用反向传播人工神经网络模型调控单原子催化剂的制备参数优化方法,通过构建以放电工艺参数为输入变量,VOCs去除率和CO2选择率为输出变量的神经网络,预测出在不同的放电工艺参数下对应的催化剂VOCs去除率和CO2选择率,选取最符合期望催化剂对应的放电工艺参数。
4.本发明采用的介质阻挡放电反应器为一段式四通道管式反应器,四个反应器通道可以同时处理气体,实现大气量VOCs的同时处理。该反应器具有放电区域与Ag/CeO2催化剂充分接触的优点,使催化剂暴露在反应物中的比表面积增大,提高催化活性。
附图说明
图1为本发明实施例1所得Ag/CeO2单原子催化剂的TEM图;
图2为本发明实施例2所得Ag/CeO2单原子催化剂的TEM图;
图3为本发明实施例2所得Ag/CeO2单原子催化剂的EDX图;
图4为本发明实施例4中的等离子体协同催化处理VOCs装置的示意图。
标号说明:
1-湿度罐;2-混气罐;3-介质阻挡放电反应器;4-低温等离子体电源。
具体实施方式
以下结合附图对本发明作进一步说明。
实施例1
一种Ag/CeO2单原子催化剂的制备方法,具体如下:
将1.5g CeCl3·7H2O溶解在蒸馏水中,在搅拌下快速加入4gNaOH。搅拌10min后,将所得溶液转移到衬有聚四氟乙烯的不锈钢高压釜中,温度为130℃,持续18h。通过过滤收集产物,用蒸馏水洗涤以除去任何可能的离子残留物,然后在室温下干燥20小时并在300℃下煅烧4小时,得到CeO2样品。将5g上述所得的CeO2样品放入等离子体气相沉积设备中,以100sccm的流速通入氩气,调节功率为300W,运行仪器30min后,得到改性CeO2样品。在改性CeO2样品上负载2wt%Ag后洗涤过滤,在马弗炉中500℃条件下煅烧4h,得到Ag/CeO2单原子催化剂。所得Ag/CeO2单原子催化剂的TEM图如图1所示,可以看出,所得Ag/CeO2单原子催化剂样品为纳米棒状,表面未发现明显的Ag纳米团簇,说明Ag有可能是以单原子形式负载在CeO2载体上。
实施例2
采用与实施例1中同样的操作条件获得CeO2样品。将5g上述所得的CeO2样品放入等离子体气相沉积设备中,以150sccm的流速通入氩气,调节功率为400W,运行仪器30min后,得到改性CeO2样品。在改性CeO2样品上负载3wt%Ag后洗涤过滤,在马弗炉中500℃条件下煅烧6h,得到Ag/CeO2单原子催化剂。所得Ag/CeO2单原子催化剂的TEM图如图2所示,EDX图如图3所示。与实施例1中所合成样品相比,煅烧6h样品产生了明显的晶格条纹。同样地,TEM图片中未发现Ag纳米团簇的存在,但EDX结果显示了Ag峰的存在,这说明Ag确实是以单原子的形式负载于CeO2纳米棒上,成功使用该方法制备Ag/CeO2单原子催化剂。
实施例3
一种使用人工神经网络模型的单原子催化剂制备参数优化方法,包括以下步骤:
步骤一、设置多组不同的放电工艺参数,并分别根据各组放电工艺参数进行催化剂制备;放电工艺参数包括氩气流量、等离子体气相沉积设备功率、煅烧时间、Ag负载量;分别将所得催化剂置于DBD等离子体反应器中进行VOCs处理试验,并记录试验中催化剂的VOCs去除率和CO2选择性。
步骤二、以前述的各放电工艺参数作为4个输入变量,以VOCs去除率和CO2选择性作为2个输出变量,构建反向传播人工神经网络。以两个输出变量最高作为期望,对各个输入变量进行网格搜索,预测出在不同的输入变量下对应的输出变量;选取最符合期望的输出变量及其对应的放电工艺参数;根据所得的放电工艺参数进行催化剂制备。
实施例4
如图4所示,一种Ag/CeO2单原子催化剂与等离子体协同催化处理VOCs的工艺采用的等离子体协同催化处理VOCs装置,包括湿度罐1、混气罐2、介质阻挡放电反应器3和低温等离子体电源4。湿度罐1有多个。所有湿度罐1的输入口分别通过输入泵与液体污染物的输出管道连接;所有湿度罐1的输出口均连接至混气罐2的输入口连接。混气罐2的输入口还与气体污染物通过进气泵连接。
介质阻挡放电反应器3的多个通道的输入接口均与混气罐2的输出口通过进气阀连接。介质阻挡放电反应器3的多个通道的输出接口均连接至输出管道。低温等离子体电源4为介质阻挡放电反应器3供电。等离子体电源4采用高压电源。
所述的介质阻挡放电反应器3采用四通道双介质阻挡反应器。介质阻挡放电反应器3每个通道中Ag/CeO2单原子催化剂的填充质量为0.2g。Ag/CeO2单原子催化剂与玻璃珠混合后铺设在介质阻挡放电反应器3的等离子体放电区域中。
将所得Ag/CeO2单原子催化剂放置于四通道双介质阻挡反应器中评价其对甲苯的转化率。设置反应条件为:甲苯初始浓度1000ppm,高纯空气作为载气,流速4L/min,放电功率20W。结果显示,甲苯去除率为94.7%,CO2转化率高达89.3%。

Claims (10)

1.一种Ag/CeO2单原子催化剂的制备方法,其特征在于:步骤一、将CeO2载体放置于等离子体气相沉积设备中,抽真空,通入保护气体至稳定压强,等离子体气相沉积设备启动,在CeO2载体的表面形成用于负载Ag原子的缺陷;
步骤二、经过步骤一处理的CeO2载体加入到银氨溶液中,并进行搅拌,使得Ag以单原子形式锚定至CeO2载体表面的缺陷中;
步骤三、对步骤二所得产物进行煅烧,得到Ag/CeO2单原子催化剂。
2.根据权利要求1所述的一种Ag/CeO2单原子催化剂的制备方法,其特征在于:步骤一中所述的保护气体采用氩气;氩气流量控制在100sccm~200sccm,通过控制氩气流量调控CeO2载体表面的缺陷密度。
3.根据权利要求1所述的一种Ag/CeO2单原子催化剂的制备方法,其特征在于:步骤一中,等离子体气相沉积设备的工作功率为300W~500W。
4.根据权利要求1所述的一种Ag/CeO2单原子催化剂的制备方法,其特征在于:步骤三所得Ag/CeO2单原子催化剂中,Ag负载量为1wt%~5wt%。
5.根据权利要求1所述的一种Ag/CeO2单原子催化剂的制备方法,其特征在于:步骤三中的煅烧条件为:在马弗炉中500℃煅烧4h~6h。
6.一种使用人工神经网络模型的单原子催化剂制备参数优化方法,其特征在于:步骤一、设置多组不同的放电工艺参数,并分别根据各组放电工艺参数,按照权利要求2所述的制备方法进行催化剂制备;放电工艺参数包括氩气流量、等离子体气相沉积设备功率、煅烧时间、Ag负载量;分别将所得催化剂置于DBD等离子体反应器中进行VOCs处理试验,并记录试验中催化剂的VOCs去除率和CO2选择性;
步骤二、以前述的各放电工艺参数作为4个输入变量,以VOCs去除率和CO2选择性作为2个输出变量,构建神经网络;以两个输出变量最高作为期望,对各个输入变量进行网格搜索,预测出在不同的输入变量下对应的输出变量;选取最符合期望的输出变量及其对应的放电工艺参数;根据所得的放电工艺参数进行催化剂制备。
7.一种利用等离子体协同单原子催化的VOCs处理工艺,其特征在于:使用的等离子体协同催化处理VOCs装置,包括低温等离子体电源,以及依次连接的湿度罐、混气罐和介质阻挡放电反应器;混气罐与介质阻挡放电反应器之间设置有进气阀;低温等离子体电源为介质阻挡放电反应器供电;
该VOCs处理工艺的具体步骤如下:
步骤一、将权利要求1-5中任意一项所述的制备方法得到的Ag/CeO2单原子催化剂放置于介质阻挡放电反应器中;将污染物气体输入混气罐或将污染物液体打入湿度罐后通过鼓泡后进入混气罐;
步骤二、开启进气阀使混气罐中废气进入介质阻挡放电反应器;介质阻挡放电反应器启动,进行等离子放电,产生的等离子体协同催化剂通过对废气中的VOCs进行降解。
8.如权利要求7所述的VOCs处理工艺,其特征在于:等离子体电源采用微波电源或脉冲电源,且其输出功率能够调节。
9.如权利要求7所述的VOCs处理工艺,其特征在于:所述的介质阻挡放电反应器采用四通道双介质阻挡反应器;介质阻挡放电反应器每个通道中填充的Ag/CeO2单原子催化剂的质量为0.2g。
10.如权利要求7所述的VOCs处理工艺,其特征在于:Ag/CeO2单原子催化剂与玻璃珠混合后铺设在介质阻挡放电反应器的等离子体放电区域中。
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