CN114556274A - 触控结构及显示设备 - Google Patents

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Abstract

提供一种触控结构。该触控结构包括多个第一网状电极以及多个第二网状电极。触控结构被限制于触控区域，而不存在于触控区域所围绕的窗口区域中。触控结构包括多个窗口相邻网格块以及多个电容补偿导电板。多个电容补偿板中的各个电容补偿板直接连接到多个窗口相邻网格块中的相应一个窗口相邻网格块的至少一个网格线。多个电容补偿板分别围绕窗口区域的周边的多个部分。

Description

触控结构及显示设备
技术领域
本发明涉及显示技术，尤其涉及一种触控结构及显示设备。
背景技术
已经开发了各种类型的触摸面板。触摸面板的示例包括一体化(one-glass-solution，OGS)触摸面板、单元上(on-cell)触摸面板和单元内(in-cell)触摸面板。on-cell触摸面板提供了高触控精度。on-cell触摸面板可分为单元上单层(single-layer-on-cell，SLOC)触摸面板和单元上多层(multi-layer-on-cell，MLOC)触摸面板。特别是，在具有优越的触控精度和消隐效果的MLOC触控面板中可以实现多点触控。
发明内容
在一个方面，本公开提供了一种触控结构，包括多个第一网状电极以及多个第二网状电极；其中，触控结构被限制于触控区域，而不存在于触控区域所围绕的窗口区域中；触控结构包括多个窗口相邻网格块以及多个电容补偿导电板；多个电容补偿板中的各个电容补偿板直接连接到多个窗口相邻网格块中的相应一个窗口相邻网格块的至少一个网格线；以及多个电容补偿板分别围绕窗口区域的周边的多个部分。
可选地，多个电容补偿板中的各个电容补偿板的占用面积与多个窗口相邻网格块中的所述相应一个窗口相邻网格块的占用面积相对于内部网格块的减少相关，该内部网格块电连接到多个窗口相邻网格块中的所述相应一个窗口相邻网格块且通过多个窗口相邻网格块中的所述相应一个窗口相邻网格块与窗口区域间隔开。
可选地，多个电容补偿导电板中的任意两个电容补偿导电板的占用面积的比在所述多个窗口相邻网格块中分别连接到多个电容补偿导电板中的所述任意两个电容补偿导电板的任意两个窗口相邻网格块的占用面积的减少的比的50％内；所述任意两个窗口相邻网格块的占用面积的减少是分别相对于分别电连接到多个窗口相邻网格块中的任意两个窗口相邻网格块的相应两个内部网格块而言的；以及两个内部网格块分别通过多个窗口相邻网格块中的所述任意两个窗口相邻网格块与窗口区域间隔开。
可选地，多个窗口相邻网格块包括作为多个第一网状电极的一部分的一个或多个第一类型窗口相邻网格块，以及作为多个第二网状电极的一部分的一个或多个第二类型窗口相邻网格块；以及多个电容补偿板包括分别连接到一个或多个第一类型窗口相邻网格块的一个或多个第一类型电容补偿板，以及分别连接到一个或多个第二类型窗口相邻网格块的一个或多个第二类型电容补偿板。
可选地，多个电容补偿板中的各个电容补偿板的占用面积与多个窗口相邻网格块中的各个窗口相邻网格块的占用面积的减少相关；关于一个或多个第一类型窗口相邻网格块中的各个第一类型窗口相邻网格块的占用面积的减少是该第一类型窗口相邻网格块的占用面积与多个第一网状电极中的与窗口区域和触控结构的边缘间隔开的网格块的平均占用面积之间的差；以及关于一个或多个第二类型窗口相邻网格块中的该个第二类型窗口相邻网格块的占用面积的减少是该第二类型窗口相邻网格块的占用面积与多个第二网状电极中的与窗口区域和触控结构的边缘间隔开的网格块的平均占用面积之间的差。
可选地，多个电容补偿导电板中的任意两个电容补偿导电板的占用面积的比在所述多个窗口相邻网格块中的分别连接到多个电容补偿导电板中的任意两个电容补偿导电板的任意两个窗口相邻网格块的占用面积的减少的比的50％内；关于一个或多个第一类型窗口相邻网格块中的各个第一类型窗口相邻网格块的占用面积的减少是该第一类型窗口相邻网格块的占用面积与多个第一网状电极中的与窗口区域和触控结构的边缘间隔开的网格块的平均占用面积之间的差；以及关于一个或多个第二类型窗口相邻网格块中的各个第二类型窗口相邻网格块的占用面积的减少是该第二类型窗口相邻网格块的占用面积与多个第二网状电极中的与窗口区域和触控结构的边缘间隔开的网格块的平均占用面积之间的差。
可选地，多个窗口相邻网格块包括围绕窗口区域的周边的第一部分的第一网格块，以及围绕窗口区域的周边的第二部分的第二网格块；第一部分和第二部分是窗口区域的周边的连续的非重叠部分；多个电容补偿导电板包括第一电容补偿导电板，第一电容补偿导电板直接连接到第一网格块的至少一个网格线并且与第二网格块间隔开；第一电容补偿导电板围绕窗口区域的周边的第三部分；以及第三部分与第一部分至少部分重叠并且与第二部分至少部分重叠。
可选地，触控结构还包括多个网格填充图案；其中，多个网格填充图案包括围绕窗口区域的周边的第四部分的窗口相邻网格填充图案。
可选地，在除了围绕窗口区域的周边的第四部分的边之外的边上，窗口相邻网格填充图案被第二网格块围绕；第三部分与第四部分至少部分重叠；以及第一部分、第二部分和第四部分是窗口区域的周边的连续的非重叠部分。
可选地，第二网格块还围绕窗口区域的周边的第五部分；第一部分、第二部分、第四部分和第五部分是窗口区域的周边的连续的非重叠部分；第三部分与第五部分不重叠；多个电容补偿导电板还包括直接连接到第二网格块的至少一个网格线的第二电容补偿导电板；以及第二电容补偿导电板围绕窗口区域的周边的第五部分。
可选地，多个窗口相邻网格块包括围绕窗口区域的周边的第六部分的第三网格块，和围绕窗口区域的周边的第七部分的第四网格块；多个电容补偿导电板包括第三电容补偿导电板，第三电容补偿导电板直接连接到第三网格块的至少一个网格线并且直接连接到第四网格块的至少一个网格线；第三电容补偿导电板围绕窗口区域的周边的第八部分；以及第八部分与第六部分至少部分重叠并且与第七部分至少部分重叠。
可选地，触控结构还包括围绕窗口区域的周边的第七部分的第一隔板；其中，第一隔板与第四网格块间隔开并且与第三电容补偿导电板间隔开；以及第七部分和第八部分彼此重叠处的窗口区域的周边的第九部分被第一隔板的一部分围绕，并且还被第三电容补偿导电板的一部分围绕。
可选地，多个窗口相邻网格块包括围绕窗口区域的周边的第十部分的第五网格块；第七部分、第十部分和第六部分是窗口区域的周边的连续的非重叠部分；第十部分是第八部分的子部分；以及第五网格块与围绕第十部分的第三电容补偿导电板间隔开。
可选地，多个窗口相邻网格块包括围绕窗口区域的周边的第一部分的第一网格块，和围绕窗口区域的周边的第十部分的第五网格块；以及触控结构还包括导电桥，该导电桥直接连接到第一网格块且直接连接到第五网格块。
可选地，触控结构还包括在第一网格块和导电桥之间且在第五网格块和导电桥之间的触摸绝缘层；第一网格块和第五网格块在同一层中；以及导电桥分别延伸穿过触摸绝缘层中的过孔以分别连接到第一网格块和第五网格块的网格线。
可选地，导电桥围绕窗口区域的周边的第十一部分；以及第十一部分与第一部分部分地重叠，并且与第十部分至少部分重叠。
可选地，多个窗口相邻网格块包括围绕窗口区域的周边的第十二部分的第六网格块；多个电容补偿导电板包括直接连接到第六网格块的至少一个网格线的第四电容补偿导电板；第四电容补偿导电板围绕窗口区域的周边的第十三部分；触控结构还包括第二隔板，该第二隔板围绕窗口区域的周边的第十四部分；第二隔板与第六网格块间隔开；以及第十三部分和第十四部分是第十二部分的子部分。
可选地，触控结构还包括在窗口区域和多个电容补偿板之间的遮光环；其中，遮光环实质上围绕窗口区域的周边。
可选地，多个窗口相邻网格块包括在窗口区域的第一侧上的第二网格块、在窗口区域的第二侧上的第三网格块、在窗口区域的第三侧上的第一网格块、以及在窗口区域的第四侧上的第六网格块；多个电容补偿导电板包括在窗口区域的第一侧上的第二电容补偿导电板、在窗口区域的第二侧上的第三电容补偿导电板、在窗口区域的第三侧上的第一电容补偿导电板、以及在窗口区域的第四侧上的第四电容补偿导电板；第二电容补偿导电板直接连接到第二网格块的至少一个网格线；第三电容补偿导电板直接连接到第三网格块的至少一个网格线；第一电容补偿导电板直接连接到第一网格块的至少一个网格线；以及第四电容补偿导电板直接连接到第六网格块的至少一个网格线。
可选地，第一电容补偿导电板具有在1.0x106μm2到1.2x106μm2的范围内的占用面积，第二电容补偿导电板具有在3.0x105μm2到4.0x105μm2的范围内的占用面积，第三电容补偿导电板具有在9.0x105μm2到1.1x106μm2的范围内的占用面积，且第四电容补偿导电板具有在3x105μm2到5.0x105μm2的范围内的占用面积。
可选地，多个电容补偿导电板中的各个电容补偿导电板具有沿一方向的板宽，该方向垂直于该电容补偿导电板与电连接至该电容补偿导电板的网格块之间的交界面；板宽在200μm至300μm的范围内；网格块的网格线具有在1μm到5μm的范围内的线宽；以及板宽与线宽之间的比大于10:1。
在另一方面，本公开提供了一种显示设备，包括根据权利要求1至21中任一项的触控结构、在窗口区域中具有孔的显示面板、以及连接到显示面板的集成电路；其中，显示面板的显示元件不设置在窗口区域中；以及显示面板被配置为在触控区域的至少一部分中显示图像。
可选地，显示设备在窗口区域中包括：层间电介质层；在层间电介质层上的钝化层；第一平坦化层，位于钝化层的远离层间电介质层的一侧；第二平坦化层，位于第一平坦化层的远离钝化层的一侧；像素限定层，位于第二平坦化层的远离第一平坦化层的一侧；窗口保护层，位于像素限定层的远离第二平坦化层的一侧；以及触摸绝缘层，位于窗口保护层的远离像素限定层的一侧。
附图说明
根据各个公开的实施例，以下附图仅是用于说明目的示例，并且不旨在限制本发明的范围。
图1A为示出根据本公开的一些实施例中的触控结构的示意图。
图1B示出了根据本公开的一些实施例中的在显示面板中具有窗口区域的若干示例性位置。
图2A为根据本公开的一些实施例中的触控结构在窗口区域周围的结构的局部示意图。
图2B示出了根据本公开的一些实施例中的触控结构中的窗口区域的周边的各个部分。
图3是图2A中的第一放大区域的放大视图。
图4是图2A中的第二放大区域的放大视图。
图5A是沿图4中的A-A'线的截面图。
图5B是沿图4中的B-B'线的截面图。
图5C是沿图4中的C-C'线的截面图。
图6A示出了根据本公开的一些实施例中的第一电容补偿板的占用面积与第一网格块的占用面积的减少之间的相关性。
图6B示出了根据本公开的一些实施例中的第二电容补偿板的占用面积与第二网格块的占用面积的减少之间的相关性。
图6C示出了根据本公开的一些实施例中的第三电容补偿板的占用面积与第三网格块的占用面积的减少之间的相关性。
图6D示出了根据本公开的一些实施例中的第四电容补偿板的占用面积与第六网格块的占用面积的减少之间的相关性。
图7A是根据本公开的一些实施例中的触控结构在窗口区域周围的结构的局部视图。
图7B是根据本公开的一些实施例中的触控结构在窗口区域周围的结构的局部视图。
图8A是示出根据本公开的一些实施例中的电容补偿导电板的结构的示意图。
图8B是示出根据本公开的一些实施例中的电容补偿导电板的结构的示意图。
图9A是根据本公开的一些实施例中的显示面板的平面图。
图9B是沿图9A中的D-D'线的截面图。
图9C是沿图9A中的E-E'线的截面图。
图10A示出了根据本公开的一些实施例中的显示面板中从显示区域向窗口区域过渡的区域中的详细结构。
图10B示出了根据本公开的一些实施例中的显示面板中的显示区域中的详细结构。
图10C示出了根据本公开的一些实施例中的显示面板中的显示区域中的详细结构。
具体实施方式
现在将参考以下实施例更具体地描述本公开。应当注意，本文中呈现的一些实施例的以下描述仅用于说明和描述的目的。其不是穷举的或限于所公开的精确形式。
本公开尤其提供了一种基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的触控结构和显示设备。在一个方面，本发明提供一种触控结构。在一些实施例中，触控结构包括多个第一网状电极和多个第二网状电极。触控结构被限制于触控区域，而不存在于触控区域所围绕的窗口区域中。可选地，触控结构包括多个窗口相邻网格块和多个电容补偿导电板。可选地，多个电容补偿板中的各个电容补偿板直接连接到多个窗口相邻网格块中的相应一个窗口相邻网格块的至少一个网格线。可选地，多个电容补偿板分别围绕窗口区域的周边的多个部分。
网状电极包括通常具有1μm至50μm范围内的线宽的网格线。因此，通过网格线连接相邻的网格块是特别困难的，并且经常导致差的连接性。本公开采用新颖且有利的触摸电极设计，其消除了相关触控结构中的问题。
图1为示出根据本公开的一些实施例中的触控结构的示意图。参照图1，在一些实施例中，触控结构包括多个第一网状电极TE1与多个第二网状电极TE2。可选地，触控结构为互电容式触控结构。可选地，多个第一网状电极TE1为多个触摸扫描电极，多个第二网状电极TE2为多个触摸感测电极。可选地，多个网状触摸电极TE1为多个触摸感测电极，多个第二网状电极TE2为多个触摸扫描电极。触控结构被限制在触控区域TCR内，而不在触控区域TCR所围绕的窗口区域WR内。例如，触控结构可以是显示面板中的触控结构，其中触控区域TCR与显示面板的显示区域基本上重叠，并且窗口区域WR是显示面板中的区域，其具有被配置用于安装诸如相机镜头或指纹传感器的附件的孔。显示面板被配置为在触控区域TCR的至少一部分中显示图像。在一个示例中，在窗口区域WR内，不存在显示面板的显示元件以及触控结构；在显示区域或触控区域TCR的至少一部分中，都存在显示面板的显示元件和触控结构。
参照图1，在一些实施例中，多个网状触摸电极TE1被布置成多行，其中的每行是多个网状触摸电极TE1中的相应一个；多个第二网状电极TE2被布置成多列，其中的每列是多个第二网状电极TE2中的相应一个。
图1B示出了在根据本公开的一些实施例中在显示面板中具有窗口区域的若干示例性位置。显示面板可以具有被配置用于在窗口区域WR中安装诸如相机镜头或指纹传感器的附件的孔。在一些实施例中，孔是不完全延伸穿过显示面板的至少一层的盲孔。在一些实施例中，孔是完全延伸穿过显示面板的通孔。
图2A为根据本公开的一些实施例中的触控结构在窗口区域周围的结构的局部示意图。参照图2A，在一些实施例中，触控结构包括多个窗口相邻网格块(例如第一网格块MB1、第二网格块MB2、第三网格块MB3、第六网格块MB6)以及多个电容补偿导电板(例如第一电容补偿导电板CCP1、第二电容补偿导电板CCP2、第三电容补偿导电板CCP3、以及第四电容补偿导电板CCP4)。多个电容补偿板分别围绕窗口区域WR的周边的多个部分。多个电容补偿板是基本上围绕窗口区域WR的周边的环结构的部分。如本文所用，术语“基本上围绕”是指围绕区域的周边的至少50％(例如，至少60％、至少70％、至少80％、至少90％、至少95％、至少99％和100％)。多个电容补偿板中的各个电容补偿板直接连接到多个窗口相邻网格块中的相应一个的至少一个网格线(例如，多个网格线)。例如，在图2A中，第一电容补偿导电板CCP1直接连接至第一网格块MB1的至少一个网格线(例如，多个网格线)；第二电容补偿导电板CCP2直接连接至第二网格块MB2的至少一个网格线(例如多个网格线)；第三电容补偿导电板CCP3直接连接至第三网格块MB3的至少一个网格线(例如多个网格线)；以及第四电容补偿导电板CCP4直接连接至第六网格块MB6的至少一个网格线(例如多个网格线)。
图2B示出了根据本公开的一些实施例中的触控结构中的窗口区域的周边的各个部分。参考图2A和图2B，在一些实施例中，多个窗口相邻网格块包括围绕窗口区域WR的周边的第一部分P1的第一网格块MB1和围绕窗口区域WR的周边的第二部分P2的第二网格块MB2。第一部分P1和第二部分P2是窗口区域WR的周边的连续非重叠部分。在一些实施例中，多个电容补偿导电板包括第一电容补偿导电板CCP1，该第一电容补偿导电板CCP1直接连接到第一网格块MB1的至少一个网格线(例如，多个网格线)(例如，沿着第一部分P1)并与第二网格块MB2间隔开(例如，沿着第二部分P2)。
在一些实施例中，第一电容补偿导电板CCP1围绕第一部分P1的至少一部分。例如可基于补偿第一网格块MB1的电容所需的电容值来确定第一电容补偿导电板CCP1的确切范围。例如，可基于补偿第一网格块MB1的电容所需的电容值来确定第一电容补偿导电板CCP1的宽度或长度或面积。在一个示例中，第一电容补偿导电板CCP1围绕窗口区域WR的周边的第一部分P1。在另一示例中，第一电容补偿导电板CCP1围绕窗口区域WR的周边的第三部分P3。第三部分P3与第一部分P1至少部分地重叠，并且与第二部分P2至少部分地重叠。如图2B所示，第一部分P1和第二部分P2是第三部分P3的子部分。在一些实施例中，第三部分P3与第一部分P1至少部分重叠。
在一些实施例中，触控结构还包括多个网格填充图案DE。可选地，多个网格填充图案DE中的各个网格填充图案是触摸电极的网格块内部的填充图案。在一个示例中，多个网格填充图案DE中的各个网格填充图案被网格块围绕，并且与周围的网格块间隔开。多个网格填充图案DE中的各个网格填充图案与周围的网格块隔离，例如，多个网格填充图案DE中的各个网格填充图案是浮置的。
图3是图2A中的第一放大区域的放大视图。参考图2A、图2B和图3，在一些实施例中，多个网格填充图案DE包括围绕窗口区域WR的周边的第四部分P4的窗口相邻网格填充图案DEw。在除了围绕窗口区域WR的周边的第四部分P4的边之外的边上，窗口相邻网格填充图案DEw被第二网格块MB2围绕。第三部分P3与第四部分P4至少部分重叠。第一部分P1、第二部分P2和第四部分P4是窗口区域WR的周边的连续非重叠部分。
参照图2A、图2B与图3，在一些实施例中，第二网格块MB2还围绕窗口区域WR的周边的第五部分P5。第一部分P1、第二部分P2、第四部分P4和第五部分P5是窗口区域WR的周边的连续非重叠部分。第三部分P3与第五部分P5不重叠。在一些实施例中，多个电容补偿导电板还包括第二电容补偿导电板CCP2，该第二电容补偿导电板CCP2直接连接到第二网格块MB2的至少一个网格线(例如，多个网格线)。
在一些实施例中，第二网格块MB2和窗口相邻网格填充图案DEw围绕窗口区域WR的周边的组合部分Pc。在一些实施例中，第二电容补偿导电板CCP2围绕组合部分Pc的至少一部分。例如可基于补偿第二网格块MB2的电容所需的电容值来确定第二电容补偿导电板CCP2的确切范围。例如，可基于补偿第二网格块MB2的电容所需的电容值来确定第二电容补偿导电板CCP2的宽度或长度或面积。在一个示例中，第二电容补偿导电板CCP2围绕窗口区域WR的周边的第二部分P2。在另一示例中，第二电容补偿导电板CCP2围绕窗口区域WR的周边的第五部分P5。在另一示例中，第二电容补偿导电板CCP2围绕窗口区域WR的周边的第四部分P4。组合部分Pc与第二部分P2至少部分重叠，并且与第五部分P5至少部分重叠。在一些实施例中，组合部分Pc与第四部分P4至少部分重叠。
在一些实施例中，多个窗口相邻网格块包括围绕窗口区域WR的周边的第六部分P6的第三网格块MB3和围绕窗口区域WR的周边的第七部分P7的第四网格块MB4。第六部分P6与第七部分P7为窗口区域WR的周边的连续非重叠部分。在一些实施例中，多个电容补偿导电板包括第三电容补偿导电板CCP3，该第三电容补偿导电板CCP3直接连接到第三网格块MB3的至少一个网格线(例如，多个网格线)并直接连接到第四网格块MB4的至少一个网格线(例如，多个网格线)。第三电容补偿导电板CCP3将第三网格块MB3与第四网格块MB4连接在一起，以形成跨越窗口区域WR的沿列方向Dcol的触摸信号的路径。第三电容补偿导电板CCP3围绕窗口区域WR的周边的第八部分P8。第八部分P8与第六部分P6至少部分地重叠，并且与第七部分P7至少部分地重叠。如图2B所示，在一些实施例中，第六部分P6是第八部分P8的子部分。第七部分P7与第八部分P8部分重叠，并且与第八部分P8部分不重叠。
图4是图2A中的第二放大区域的放大视图。图5A是沿图4中A-A'线的截面图。图5B是沿图4中的B-B'线的截面图。图5C为沿图4中C-C'线的截面图。参照图2A、图2B、图4以及图5A至图5C，在一些实施例中，触控结构还包括第一隔板(dummy plate)DP1，其围绕窗口区域WR周边的第七部分P7。第一隔板DP1与第四网格块MB4间隔开，并与第三电容补偿导电板CCP3间隔开。第一隔板DP1与第四网格块MB4绝缘，且与第三电容补偿导电板CCP3绝缘。例如，第一隔板DP1是浮置的。第七部分P7和第八部分P8彼此重叠处的窗口区域的周边的第九部分P9，被第一隔板DP1的一部分围绕，并且也被第三电容补偿导电板CCP3的一部分围绕。
在一些实施例中，多个窗口相邻网格块包括围绕窗口区域WR的周边的第十部分P10的第五网格块MB5。可选地，第七部分P7、第十部分P10和第六部分P6是窗口区域WR的周边的连续非重叠部分。如图2B所示，在一个示例中，第十部分P10是第八部分P8的子部分。在另一个示例中，第六部分P6、第九部分P9和第十部分P10分别是第八部分P8的子部分。第五网格块MB5与围绕第十部分P10的第三电容补偿导电板CCP3间隔开。
再参照图2A、图2B、图4以及图5A至图5C，在一些实施例中，触控结构还包括导电桥CB，其直接连接到第一网格块MB1且直接连接到第五网格块MB5。导电桥CB将第一网格块MB1与第五网格块MB5连接在一起，从而形成跨越窗口区域WR的沿行方向Drow的触摸信号的路径。触控结构还包括触摸绝缘层TI，其在第一网格块MB1与导电桥CB之间，且在第五网格块MB5与导电桥CB之间。如图5A至图5C所示，在一个示例中，第一网格块MB1与第五网格块MB5位于同一层。导电桥CB分别延伸穿过触摸绝缘层TI中的过孔v，分别连接到第一网格块MB1和第五网格块MB5的网格线。如在此所使用的，行方向Drow和列方向Dcol是两个非平行的方向，例如，行方向Drow和列方向Dcol彼此交叉。可选地，行方向Drow和列方向Dcol彼此垂直。可选地，行方向Drow和列方向Dcol以不是90度的倾斜角彼此交叉。
如本文所用，术语“同一层”是指在相同步骤中同时形成的层之间的关系。在一个示例中，当第一网格块MB1和第五网格块MB5是通过在同一沉积工艺中沉积的材料中执行的同一图案化工艺的一个或多个步骤而形成时，它们位于同一层中。在另一示例中，第一网格块MB1和第五网格块MB5位于同一层中，可通过同时执行形成第一网格块MB1的步骤和形成第五网格块MB5的步骤而在同一层中形成。术语“同一层”并不总是意味着在截面图中层的厚度或层的高度是相同的。
在一些实施例中，导电桥CB围绕窗口区域WR的周边的第十一部分P11。第十一部分P11与第一部分P1部分重叠，并且与第十部分P10至少部分重叠。如图2B所示，在一个示例中，第十部分P10是第十一部分P11的子部分。在另一个示例中，第七部分P7、第九部分P9和第十部分P10是第十一部分P11的相应子部分。
在一些实施例中，多个窗口相邻网格块包括围绕窗口区域WR的周边的第十二部分P12的第六网格块MB6。可选地，多个电容补偿导电板包括第四电容补偿导电板CCP4，该第四电容补偿导电板CCP4直接连接至第六网格块MB6的至少一个网格线(例如，多个网格线)。第四电容补偿导电板CCP4围绕窗口区域WR的周边的第十三部分P13。在一些实施例中，触控结构还包括第二隔板DP2，其围绕窗口区域WR的周边的第十四部分P14。第二隔板DP2与第六网格块MB6间隔开。例如，第二隔板DP2与第六网格块MB6绝缘，且为浮置的。第十三部分P13和第十四部分P14是第十二部分P12的子部分。
在一些实施例中，第一网格块MB1和第五网格块MB5是同一行中直接相邻的网格块，例如，多个第一网状电极TE1的第一相应网状电极中的直接相邻的网格块。可选地，第三网格块MB3和第四网格块MB4是同一列中直接相邻的网格块，例如，多个第二网状电极TE2的第一相应网状电极中的直接相邻的网格块。可选地，第六网格块MB6为多个第一网状电极TE1中的第二相应网状电极中的网格块。可选地，第二网格块MB2为多个第二网状电极TE2中的第二相应网状电极中的网格块。
在一些实施例中，第一网格块MB1、第二网格块MB2、第三网格块MB3、第四网格块MB4、第五网格块MB5、第六网格块MB6和窗口填充图案DEw在同一层中。可选地，多个第一网状电极TE1、多个第二网状电极TE2和多个网格填充图案DE的所有网格块在同一层中。可选地，第一电容补偿导电板CCP1、第二电容补偿导电板CCP2、第三电容补偿导电板CCP3、第四电容补偿导电板CCP4在同一层中。可选地，第一隔板DP1和第二隔板DP2在同一层中。在一个示例中，第一网格块MB1、第二网格块MB2、第三网格块MB3、第四网格块MB4、第五网格块MB5、第六网格块MB6、窗口填充图案DEw、第一电容补偿导电板CCP1、第二电容补偿导电板CCP2、第三电容补偿导电板CCP3、第四电容补偿导电板CCP4、第一隔板DP1和第二隔板DP2在同一层中。
参考图4，最小化导电桥CB与电容补偿导电板(例如，第一电容补偿导电板CCP1或第三电容补偿导电板CCP3)跨接的跨接面积，以实现增强的触摸性能。如图4所示，在一个示例中，导电桥CB包括第一跨接齿CT1，其跨接第一电容补偿导电板CCP1以连接至第一网格块MB1的至少一个网格线。在第一跨接齿CT1与第一电容补偿导电板CCP1跨接的区域，第一电容补偿导电板CCP1的一部分被切除以最小化跨接面积，从而在第一电容补偿导电板CCP1中形成凹部。可选地，凹部具有10μm至40μm范围内的最小线宽，例如，10μm至15μm、15μm至20μm、20μm至25μm、25μm至30μm、30μm至35μm或35μm至40μm。可选地，凹部具有21.4μm的最小线宽。类似地，在另一个示例中，导电桥CB包括第二跨接齿CT2，其与第三电容补偿导电板CCP3跨接以连接到第五网格块MB5的至少一个网格线。在第二跨接齿CT2与第三电容补偿导电板CCP3跨接的区域，第三电容补偿导电板CCP3的一部分被切除以使跨接面积最小化，从而在第三电容补偿导电板CCP3中形成凹部。可选地，凹部具有10μm至40μm范围内的最小线宽，例如，10μm至15μm、15μm至20μm、20μm至25μm、25μm至30μm、30μm至35μm或35μm至40μm。可选地，凹部具有21.4μm的最小线宽。可选地，导电桥CB在触摸绝缘层上的正投影与第一隔板DP1在触摸绝缘层上的正投影彼此部分重叠。可选地，导电桥CB还包括第三齿CT3，其电连接到第一网格块MB1的至少一个网格线，但是不与第一电容补偿导电板CCP1跨接。可选地，第三齿CT3和第一跨接齿CT1沿着基本上彼此平行的方向延伸。
参考图2A与图2B，在一些实施例中，第二网格块MB2位于窗口区域WR的第一侧S1，第三网格块MB3位于窗口区域WR的第二侧S2，第一网格块MB1位于窗口区域WR的第三侧S3，以及第六网格块MB6位于窗口区域WR的第四侧S4。可选地，第一侧S1与第二侧S2实质上沿着触控结构的网格块阵列的列方向Drow，而第三侧S3与第四侧S4实质上沿着触控结构的网格块阵列的行方向Dcol。可选地，触控结构的网格块阵列的行方向Drow与多个第一网状电极TE1中的各个第一网状电极的延伸方向实质上相同，且触控结构的网格块阵列的列方向Dcol与多个第二网状电极TE2中的各个第二网状电极的延伸方向实质上相同。可选地，第四网格块MB4位于窗口区域WR的第三侧S3。可选地，第五网格块MB5位于窗口区域WR的第二侧S2。
在一些实施例中，第二部分P2、第四部分P4和第五部分P5中的至少一个位于窗口区域WR的第一侧S1；第六部分P6和第十部分P10中的至少一个位于窗口区域WR的第二侧S2；第一部分P1、第七部分P7、第九部分P9中的至少一个位于窗口区域WR的第三侧S3；且第十二部分P12、第十三部分P13和第十四部分P14中的至少一个位于窗口区域WR的第四侧S4。
本公开的发明人发现，由于存在窗口区域WR，多个窗口相邻网格块中的一个或多个被部分地截断，导致电容减小。触摸性能会受到多个窗口相邻网格块中的截短的一个或多个窗口相邻网格块的电容减小的不利影响。本公开的发明人发现，令人惊讶且出乎意料地，通过具有围绕窗口区域WR的复杂的触控结构，多个窗口相邻网格块中的截短的一个或多个窗口相邻网格块的电容减小可以由多个电容补偿板补偿。此外，围绕窗口区域的多个部分的多个电容补偿板遮光，使光不能从窗口区域WR进入显示面板。
在一些实施例中，多个电容补偿板中的各个电容补偿板的占用面积与多个窗口相邻网格块中的相应一个窗口相邻网格块相对于参考网格块的占用面积的减少相关。在一些实施例中，参考网格块是电连接到多个窗口相邻网格块中的所述相应一个窗口相邻网格块的内部网格块，内部网格块通过多个窗口相邻网格块中的所述相应一个窗口相邻网格块与窗口区域间隔开。如本文所使用的，术语“内部网格块”是指不与触控结构的任何边缘直接相邻并且不与窗口区域直接相邻的网格块。如本文所用，术语“占用面积”是指由电极块或填充图案占据的面积。在电极块或填充图案是网状电极块或网格图案的情况下，“占用面积”指的是由电极块和填充图案各自的周边(由网格线中的断线形成)围绕的区域，不包括由电极块中的任何内部填充图案占用的面积。
图6A示出了根据本公开的一些实施例中的第一电容补偿板的占用面积与第一网格块的占用面积的减少之间的相关性。参考图6A，第一内部网格块Mbi-1电连接(直接或间接，且在同一行)到第一网格块MB1，并通过第一网格块MB1与窗口区域WR隔开。第一占用面积的减少RMB1被示出(由虚线围绕的面积)，并且第一电容补偿导电板CCP1也在图6A中示出。图6B示出了根据本公开的一些实施例中的第二电容补偿板的占用面积与第二网格块的占用面积的减少之间的相关性。参照图6B，第二内部网格块Mbi-2电连接(直接或间接，并且在同一列中)到第二网格块MB2，并且通过第二网格块MB2与窗口区域WR隔开。第二占用面积的减少RMB2被示出(由虚线围绕的面积)，并且第二电容补偿导电板CCP2也在图6B中示出。图6C示出了根据本公开的一些实施例中的第三电容补偿板的占用面积与第三网格块的占用面积的减少之间的相关性。参考图6C，第三内部网格块Mbi-3电连接(直接或间接，并且在同一行)到第三网格块MB3，并且通过第三网格块MB3与窗口区域WR隔开。第三占用面积的减少RMB3被示出(由虚线围绕的面积)，并且第三电容补偿导电板CCP3也在图6C中示出。图6D示出了根据本公开的一些实施例中第四电容补偿板的占用面积与第六网格块的占用面积的减少之间的相关性。参照图6D，第六内部网格块Mbi-6电连接(直接或间接，且在同一行)到第六网格块MB6，并通过第六网格块MB6与窗口区域WR隔开。第六占用面积的减少RMB6被示出(由虚线围绕的面积)，并且第四电容补偿导电板CCP4也在图6D中示出。
如图6A至图6D所示，多个电容补偿板(例如第一电容补偿板CCP1、第二电容补偿板CCP2、第三电容补偿板CCP3和第四电容补偿板CCP4)的占用面积与多个窗口相邻网格块(例如第一网格块MB1、第二网格块MB2、第三网格块MB3和第六网格块MB6)的占用面积(例如第一占用面积的减少RMB1、第二占用面积的减少RMB2、第三占用面积的减少RMB3和第六占用面积的减少RMB6)分别相对于参考网格块的减少相关。在一个示例中，参考网格块是内部网格块(例如，第一内部网格块Mbi-1、第二内部网格块Mbi-2、第三内部网格块Mbi-3和第六内部网格块Mbi-6)，其分别电连接至多个窗口相邻网格块。各个内部网格块通过相应的窗口相邻网格块与窗口区域间隔开。
在一些实施例中，多个电容补偿导电板中的任意两个的占用面积的比在分别连接到多个电容补偿导电板中的这任意两个的多个窗口相邻网格块中的任意两个窗口相邻网格块的占用面积的减少的比的50％内(例如，在45％内、在40％内、在35％内、在30％内、在25％内、在20％内、在18％内、在16％内、在14％内、在12％内、在10％内、在8％内、在6％内、在4％内、在2％内或在1％内)。可选地，多个电容补偿导电板中任意两个电容补偿导电板的占用面积的比在分别连接到多个电容补偿导电板中任意两个电容补偿导电板的多个窗口相邻网格块中任意两个窗口相邻网格块的占用面积的减少的比的10％内。占用面积的减少是分别相对于分别电连接到多个窗口相邻网格块中的任意两个窗口相邻网格块的相应两个内部网格块而言的。两个内部网格块分别通过多个窗口相邻网格块中的相应两个与窗口区域间隔开。参考图6A至图6D，在一个示例中，第一电容补偿板CCP1和第二电容补偿板CCP2的占用面积比在第一占用面积的减少RMB1与第二占用面积的减少RMB2的比的50％内(例如，在45％内、在40％内、在35％内、在30％内、在25％内、在20％内、在18％内、在16％内、在14％内、在12％内、在10％内、在8％内、在6％内、在4％内、在2％内或在1％内)。在另一个示例中，第一电容补偿板CCP1和第三电容补偿板CCP3的占用面积之比处于第一占用面积的减少RMB1和第三占用面积的减少RMB3之比的50％内(例如，在45％内、在40％内、在35％内、在30％内、在25％内、在20％内、在18％内、在16％内、在14％内、在12％内、在10％内、在8％内、在6％内、在4％内、在2％内或在1％内)。在另一个示例中，第一电容补偿板CCP1和第四电容补偿板CCP4的占用面积比在第一占用面积的减少RMB1和第六占用面积的减少RMB6的比的50％内(例如，在45％内、在40％内、在35％内、在30％内、在25％内、在20％内、在18％内、在16％内、在14％内、在12％内、在10％内、在8％内、在6％内、在4％内、在2％内或在1％内)。在另一个示例中，第二电容补偿板CCP2和第三电容补偿板CCP3的占用面积比在第二占用面积的减少RMB2和第三占用面积的减少RMB3的比的50％内(例如，在45％内、在40％内、在35％内、在30％内、在25％内、在20％内、在18％内、在16％内、在14％内、在12％内、在10％内、在8％内、在6％内、在4％内、在2％内或在1％内)。在另一个示例中，第二电容补偿板CCP2和第四电容补偿板CCP4的占用面积比在第二占用面积的减少RMB2和第六占用面积的减少RMB6的比的50％内(例如，在45％内、在40％内、在35％内、在30％内、在25％内、在20％内、在18％内、在16％内、在14％内、在12％内、在10％内、在8％内、在6％内、在4％内、在2％内或在1％内)。在另一个示例中，第三电容补偿板CCP3和第四电容补偿板CCP4的占用面积比在第三占用面积的减少RMB3和第六占用面积的减少RMB6的比的50％内(例如，在45％内、在40％内、在35％内、在30％内、在25％内、在20％内、在18％内、在16％内、在14％内、在12％内、在10％内、在8％内、在6％内、在4％内、在2％内或在1％内)。
在一些实施例中，多个窗口相邻网格块包括作为多个第一网状电极TE1的一部分的一个或多个第一类型窗口相邻网格块(例如，第一网格块MB1、第三网格块MB3和第六网格块MB6)，以及作为多个第二网状电极TE2的一部分的一个或多个第二类型窗口相邻网格块(例如，第二网格块MB2)。多个电容补偿板包括分别连接到一个或多个第一类型窗口相邻网格块的一个或多个第一类型电容补偿板(例如，第一电容补偿板CCP1、第三电容补偿板CCP3和第四电容补偿板CCP4)，以及分别连接到一个或多个第二类型窗口相邻网格块的一个或多个第二类型电容补偿板(例如，第二电容补偿板CCP2)。
在一些实施例中，多个电容补偿板中的各个电容补偿板的占用面积与多个窗口相邻网格块中的相应窗口相邻网格块的占用面积的减少相关。可选地，相对于一个或多个第一类型窗口相邻网格块中的各个第一类型窗口相邻网格块的占用面积的减少是一个或多个第一类型窗口相邻网格块中的各个第一类型窗口相邻网格块的占用面积与多个第一网状电极的网格块的平均占用面积之间的差，多个第一网状电极与触控结构的窗口区域和边缘间隔开。可选地，相对于一个或多个第二类型窗口相邻网格块中的各个第二类型窗口相邻网格块的占用面积的减少是一个或多个第二类型窗口相邻网格块中的各个第二类型窗口相邻网格块的占用面积与多个第二网状电极的网格块的平均占用面积之间的差，多个第二网状电极与触控结构的窗口区域和边缘间隔开。
在一些实施例中，多个电容补偿导电板中的任意两个的占用面积的比在分别连接到多个电容补偿导电板中的这任意两个的多个窗口相邻网格块中的任意两个的占用面积的减少的比的50％内(例如，在45％内、在40％内、在35％内、在30％内、在25％内、在20％内、在18％内、在16％内、在14％内、在12％内、在10％内、在8％内、在6％内、在4％内、在2％内或在1％内)。可选地，相对于一个或多个第一类型窗口相邻网格块中的各个第一类型窗口相邻网格块的占用面积的减少是一个或多个第一类型窗口相邻网格块中的各个第一类型窗口相邻网格块的占用面积与多个第一网状电极的网格块的平均占用面积之间的差，多个第一网状电极与触控结构的窗口区域和边缘间隔开。可选地，相对于一个或多个第二类型窗口相邻网格块中的各个第二类型窗口相邻网格块的占用面积的减少是一个或多个第二类型窗口相邻网格块中的各个第二类型窗口相邻网格块的占用面积与多个第二网状电极的网格块的平均占用面积之间的差，多个第二网状电极与触控结构的窗口区域和边缘间隔开。
参考图6A，在一些实施例中，第一电容补偿导电板CCP1的电极面积与第一占用面积的减少RMB1的电极面积基本相同。可选地，第一电容补偿导电板CCP1与第一网格块MB1的电极面积总和与第一内部网格块Mbi-1的电极面积基本相同。如本文所用，术语“基本相同”是指两个值之间的差不超过基值(例如，两个值中的一个)的10％，例如不超过基值的8％、不超过6％、不超过4％、不超过2％、不超过1％、不超过0.5％、不超过0.1％、不超过0.05％和不超过0.01％。如本文所用，术语“电极面积”是指电极块或填充图案的电极材料的实际表面积。在电极块或填充图案是网状电极块或网格图案的情况下，“电极面积”是指电极块和填充图案中的网格线的累积实际表面积。
参考图6B，在一些实施例中，第二电容补偿导电板CCP2的电极面积与第二占用面积的减少RMB2的电极面积基本相同。可选地，第二电容补偿导电板CCP2与第二网格块MB2的电极面积总和与第二内部网格块Mbi-2的电极面积基本相同。
参考图6C，在一些实施例中，第三电容补偿导电板CCP3的电极面积与第三占用面积的减少RMB3的电极面积基本相同。可选地，第三电容补偿导电板CCP3与第三网格块MB3的电极面积总和与第三内部网格块Mbi-3的电极面积基本相同。
参考图6D，在一些实施例中，第四电容补偿导电板CCP4的电极面积与第六占用面积的减少RMB6的电极面积基本相同。可选地，第四电容补偿导电板CCP4与第六网格块MB6的电极面积总和与第六内部网格块Mbi-6的电极面积基本相同。
在一个示例中，第一电容补偿导电板CCP1具有在1.0x106μm2到1.2x106μm2的范围内的电极面积或占用面积(例如，1109090μm2)，第二电容补偿导电板CCP2具有在3.0x105μm2到4.0x105μm2的范围内的电极面积或占用面积(例如，354669μm2)，第三电容补偿导电板CCP3具有在9.0x105μm2到1.1x106μm2的范围内的电极面积或占用面积(例如，992915μm2)，且第四电容补偿导电板CCP4具有在3x105μm2到5.0x105μm2的范围内的电极面积或占用面积(例如，420081μm2)。
在一个示例中，第一内部网格块Mbi-1具有在8.0x106μm2至1.0x107μm2的范围内的占用面积(例如，9041893μm2)，第二内部网格块Mbi-2具有在7.0x106μm2至9.0x106μm2的范围内的占用面积(例如，7756629μm2)，第三内部网格块Mbi-3具有在8.0x106μm2至1.0x107μm2的范围内的占用面积(例如，9041893μm2)，第六内部网格块Mbi-6具有在8.0x106μm2至1.0x107μm2的范围内的占用面积(例如，9041893μm2)。
在一个实施例中，第一网格块MB1具有在1.8×106μm2至2.0×106μm2范围内的占用面积(例如，1918554μm2)，第二网格块MB2具有在4.0×106μm2至5.0×106μm2范围内的占用面积(例如，4337580μm2)，第三网格块MB3具有在1.5×106μm2至1.7×106μm2范围内的占用面积(例如，1633200μm2)，第六网格块MB6具有在5.0×106μm2至7.0×106μm2范围内的占用面积(例如，6107887μm2)。
在一个实施例中，第一占用面积的减少RMB1在6.0×106μm2至8.0×106μm6的范围内(例如，7123340μm2)，第二占用面积的减少RMB2在2.5×106μm2至4.5×106μm2的范围内(例如，3419049μm2)，第三占用面积的减少RMB3在6.5×106μm2至8.5×106μm2的范围内(例如，7408693μm2)，第六占用面积的减少RMB6在2.0×106μm2至4.0×106μm2的范围内(例如，2934006μm2)。
在一个示例中，A:B的比在C:D的比的50％内(例如，在45％内、在40％内、在35％内、在30％内、在25％内、在20％内、在18％内、在16％内、在14％内、在12％内、在10％内、在8％内、在6％内、在4％内、在2％内或在1％内)，其中A和B为选自由第一电容补偿导电板CCP1、第二电容补偿导电板CCP2、第三电容补偿导电板CCP3和第四电容补偿导电板CCP4组成的组中的任意两个不同的电容补偿导电板的电极面积或占用面积；C和D是选自由第一占用面积的减少RMB1、第二占用面积的减少RMB2、第三占用面积的减少RMB3、第六占用面积的减少RMB6组成的组中的任意两个不同的占用面积的减少。
在一个示例中，电容补偿导电板(例如，第一电容补偿导电板CCP1、第二电容补偿导电板CCP2、第三电容补偿导电板CCP3或第四电容补偿导电板CCP4)具有沿一方向的板宽，该方向垂直于电容补偿导电板与电连接至该电容补偿导电板的网格块(例如，第一网格块MB1、第二网格块MB2、第三网格块MB3或第六网格块MB4)之间的交界面。可选地，板宽在50μm至750μm、例如50μm至75μm、75μm至100μm、100μm至125μm、125μm至150μm、150μm至175μm、175μm至200μm、200μm至225μm、225μm至250μm、250μm至275μm、275μm至300μm、300μm至325μm、325μm至350μm、350μm至375μm、375μm至400μm、400μm至425μm、425μm至450μm、450μm至475μm、475μm至500μm、500μm至550μm、550μm至600μm、600μm至650μm、650μm至700μm、或700μm至750μm。可选地，板宽为221μm。
在另一示例中，网格块的网格线具有线宽。可选地，线宽在1μm至5μm的范围内，例如，1μm至2μm、2μm至3μm、3μm至4μm或4μm至5μm。可选地，线宽为3μm。可选地，板宽与线宽之间的比率大于10:1，例如大于20:1、大于30:1、大于40:1、大于50:1、大于60:1、大于70:1、大于80:1、大于90:1或大于100:1。
图7A是根据本公开的一些实施例中的触控结构的在窗口区域周围的结构的局部视图。参照图7A，在一些实施例中，触控结构还包括遮光环LSR，其位于窗口区域WR与多个电容补偿板之间。该遮光环LSR实质上围绕该窗口区域WR的周边。遮光环LSR用于屏蔽光，防止其从窗口区域WR进入显示面板。可以实现各种格式来制造遮光环LSR。在一个示例中，遮光环LSR具有基本上围绕窗口区域WR的周边的整体结构(例如，完整的环结构)。在另一示例中，如图7A所示，遮光环LSR包括彼此间隔开并围绕窗口区域WR的周边的多个部分的多个遮光环块LSRB。
在一些实施例中，第一网格块MB1、第二网格块MB2、第三网格块MB3、第四网格块MB4、第五网格块MB5、第六网格块MB6和窗口填充图案DEw在同一层中。可选地，多个第一网状电极TE1、多个第二网状电极TE2和多个网格填充图案DE的所有网格块在同一层中。可选地，第一电容补偿导电板CCP1、第二电容补偿导电板CCP2、第三电容补偿导电板CCP3、第四电容补偿导电板CCP4在同一层中。可选地，第一隔板DP1和第二隔板DP2在同一层中。在一个示例中，第一网格块MB1、第二网格块MB2、第三网格块MB3、第四网格块MB4、第五网格块MB5、第六网格块MB6、窗口填充图案DEw、第一电容补偿导电板CCP1、第二电容补偿导电板CCP2、第三电容补偿导电板CCP3、第四电容补偿导电板CCP4、第一隔板DP1和第二隔板DP2在同一层中。可选地，遮光环LSR位于与第一网格块MB1、第二网格块MB2、第三网格块MB3、第四网格块MB4、第五网格块MB5、第六网格块MB6、窗口填充图案DEw、第一电容补偿导电板CCP1、第二电容补偿导电板CCP2、第三电容补偿导电板CCP3、第四电容补偿导电板CCP4、第一隔板DP1和第二隔板DP2不同的层中。
图7B是根据本公开的一些实施例中的触控结构的在窗口区域周围的结构的局部视图。参照图7B，在一些实施例中，触控结构还包括位于窗口区域WR中的窗口保护层OCw。
电容补偿导电板(例如，第一电容补偿导电板CCP1、第二电容补偿导电板CCP2、第三电容补偿导电板CCP3和第四电容补偿导电板CCP4中的每一者)可用各种适当形式的结构来实现。在一些实施例中，参考图5A、图5B、图5C，电容补偿导电板具有单层结构，其可选地与多个第一网状电极TE1和多个第二网状电极TE2的网格块的网格线在同一层中。
在一些实施例中，电容补偿导电板具有双子层结构，包括与多个第一网状电极TE1和多个第二网状电极TE2的网格块的网格线在同一层中的第一子层，以及与导电桥CB在同一层中的第二子层。图8A是示出根据本公开的一些实施例中的电容补偿导电板的结构的示意图。图8B是示出根据本公开的一些实施例中的电容补偿导电板的结构的示意图。参照图8A与图8B，双子层结构包括第一子层SUB-1与第二子层SUB-2。第一子层SUB-1通过延伸穿过触摸绝缘层TI的过孔v连接到第二子层SUB-2。在图8A中，第一子层SUB-1与第二子层SUB-2在触摸绝缘层TI上的正投影在电容补偿导电板的整个长度上至少部分地彼此重叠。在图8B中，第一子层SUB-1与第二子层SUB-2彼此交替。除了在第一子层SUB-1通过过孔v与第二子层SUB-2连接的位置周围之外，第一子层SUB-1与第二子层SUB-2在触摸绝缘层TI上的正投影基本上彼此不重叠。
在一些实施例中，不同的电容补偿导电板或不同的电容补偿导电板的部分在不同层中。可选地，不同的电容补偿导电板或不同的电容补偿导电板的部分分别在第一层和第二层中，其中，第一层与多个第一网状电极TE1和多个第二网状电极TE2的网格块的网格线在同一层中，并且第二层与导电桥CB在同一层中。在一个示例中，第一电容补偿导电板CCP1或其一部分在第一层中，第二电容补偿导电板CCP2或其一部分在第二层中。可选地，第一电容补偿导电板CCP1和第二电容补偿导电板CCP2在基底基板BS上的正投影彼此不重叠。可选地，第一电容补偿导电板CCP1和第二电容补偿导电板CCP2在基底基板BS上的正投影部分重叠。
在另一方面，本发明提供一种显示面板，包括本文或通过本文的方法制造的触控结构，以及窗口区域中的孔。显示面板被配置为在触控区域的至少一部分中显示图像。在一些实施例中，显示面板的显示元件不存在于窗口区域中。
图9A是根据本公开的一些实施例中的显示面板的平面图。图9B是沿图9A中的D-D'线的截面图。图9C是沿图9A中的E-E'线的截面图。参照图9A至图9C，在一些实施例中，显示面板包括被配置为检测触摸的触控区域TCR和被触控区域TCR围绕的窗口区域WR。触控结构限制于触控区域TCR中，而不存在于窗口区域WR中。可选地，触控区域TCR实质上与显示面板的显示区域重叠。显示面板被配置为在触控区域TCR的至少一部分中显示图像。在一个示例中，在窗口区域WR中，不存在显示面板的显示元件与触控结构；在显示区域或触控区域TCR的至少一部分中，存在显示面板的显示元件和触控结构。
参照图9B与图9C，在一些实施例中，显示面板在窗口区域WR中包括孔H。在一些实施例中，孔H是不完全延伸穿过显示面板的至少一层的盲孔。在一些实施例中，孔H是完全延伸穿过显示面板的通孔。在一些实施例中，显示面板还包括位于孔H中的附件，附件的示例包括相机镜头和指纹传感器。
参照图9B与图9C，在一些实施例中，触控结构还包括多个第一电极桥EB1，其分别连接多对相邻的第一网状电极；以及多个第二电极桥EB2，其分别连接多对相邻的第二网状电极。可选地，多个第一电极桥EB1、多个第一网状电极TE1的网格块以及多个第二网状电极TE2的网格块在同一层中。多个第二电极桥EB2通过触摸绝缘层TI与多个第一网状电极TE1的网格块以及多个第二网状电极TE2的网格块间隔开。
在一些实施例中，在窗口区域WR中没有显示元件和薄膜晶体管。可选地，例如，在有机发光二极管显示面板中，显示元件包括多个发光二极管。可选地，例如，在液晶显示面板中，显示元件包括多个子像素中的液晶层。参照图9B与图9C，在一些实施例中，显示面板包括基底基板BS、位于基底基板BS上的多个薄膜晶体管TFT、以及位于基底基板BS上且分别连接至多个薄膜晶体管TFT的多个发光元件LE。可选地，在窗口区域WR中不存在多个薄膜晶体管TFT。可选地，在窗口区域WR中不存在多个发光元件LE。
参照图9B与图9C，在一些实施例中，显示面板还包括封装层EN，其封装多个发光元件LE。可选地，封装层EN存在于触控区域TCR(或显示区域)中，而不存在于窗口区域WR中。在一些实施例中，对置基板CS包括缓冲层BUF和在缓冲层BUF上的触摸绝缘层TI。可选地，缓冲层BUF存在于触控区域TCR(或显示区域)中，而不存在于窗口区域WR中。可选地，触摸绝缘层TI存在于触控区域TCR和窗口区域WR两者中。
图10A示出了根据本公开的一些实施例中的显示面板中从显示区域向窗口区域过渡的区域中的详细结构。参考图10A，在一些实施例中，从显示区域向窗口区域WR(例如，第一窗口区域WR1或第二窗口区域WR2)过渡的区域包括基底基板BS(例如，柔性基底基板)；在基底基板BS上的绝缘层IN；位于绝缘层IN的远离底基板BS的一侧的第一栅极绝缘层GI1；位于第一栅极绝缘层GI1的远离绝缘层IN的一侧的第一栅极金属层GM1；位于第一栅极金属层GM1的远离第一栅极绝缘层GI1的一侧的第二栅极绝缘层GI2；位于第二栅极绝缘层GI2的远离第一栅极绝缘层GI1的一侧的第二栅极金属层GM2；位于第二栅极金属层GM2的远离第二栅极绝缘层GI2的一侧的层间电介质层ILD；位于层间电介质层ILD的远离第二栅极绝缘层GI2的一侧的第二SD金属层SD2；位于第二SD金属层SD2的远离层间电介质层ILD的一侧的第二平坦化层PLN2，限定多个发光元件LE的多个子像素区域的像素限定层PDL，像素限定层PDL位于第二平坦化层PLN2的远离基底基板BS的一侧；位于像素限定层PDL、第二平坦化层PLN2及第二SD金属层SD2的远离基底基板BS的一侧的阴极层CD；封装层EN，其封装多个发光元件，并且位于阴极层CD的远离基底基板BS的一侧。在一些实施例中，封装层EN包括位于阴极层CD的远离基底基板BS的一侧的第一无机封装子层CVD1、位于第一无机封装子层CVD1的远离基底基板BS的一侧的有机封装子层IJP、以及位于有机封装子层IJP的远离第一无机封装子层CVD1的一侧的第二无机封装子层CVD2。可选地，显示面板在从显示区域DR向窗口区域WR过渡的区域中，还包括位于层间电介质层ILD和第二平坦化层PLN2之间的钝化层。可选地，从显示区域向窗口区域WR过渡的区域还包括位于阴极层CD的更靠近基底基板BS的一侧的发光材料层。
在一些实施例中，显示面板在从显示区域DR向窗口区域WR过渡的区域中包括完全围绕孔H(例如，第一孔H1或第二孔H2)的阻挡结构DAM。在一些实施例中，阻挡结构DAM包括顺序围绕孔H的第一阻挡层BL1和第二阻挡层BL2。可选地，第一阻挡层BL1包括第一阻挡子层BL1-1和第二阻挡子层BL1-2。可选地，第二阻挡层BL2包括第三阻挡子层BL2-1和第四阻挡子层BL2-2。可选地，第一阻挡层BL1-1和第三阻挡子层BL2-1在同一层中并且在单个图案化工艺中形成。可选地，第二阻挡层BL1-2和第四阻挡子层BL2-2在同一层中且在单个图案化工艺中形成。可选地，第一阻挡子层BL1-1的厚度小于第三阻挡子层BL2-1的厚度。可选地，第一阻挡子层BL1-1、第三阻挡子层BL2-1以及平坦化层PLN在同一层中且在单个图案化工艺中形成。可选地，第二阻挡子层BL1-2、第四阻挡子层BL2-2、以及像素限定层PDL位于同一层中且在单个图案化工艺中形成。
在一些实施例中，显示面板在从显示区域DR向窗口区域WR过渡的区域中还包括位于像素限定层PDL的远离基底基板BS的一侧的间隔层。可选地，第一阻挡层BL1还包括与间隔层在同一层中的另一子层。可选地，第二阻挡层BL2还包括与间隔层在同一层中的另一子层。
在一些实施例中，第一阻挡层BL1仅包括第二阻挡子层BL1-2，而不包括第一阻挡子层BL1-1。
在一些实施例中，显示面板还包括位于阻挡结构DAM与显示区域DA之间的区域中的多个内部隔离壁IWi。多个内部隔离壁IWi中的各个内部隔离壁包括第一内部壁子层IWi-1和第二内部壁子层IWi-2。可选地，第一内部壁子层IWi-1为第二SD金属层SD2的一部分。可选地，第二内部壁子层IWi-2与阴极层CD在同一层中，并且可选地在单个图案化工艺中形成。可选地，多个内部隔离壁Iwi的总数在2至6的范围内，例如2、3、4、5或6。可选地，多个内部隔离壁IWi中的各个内部隔离壁进一步包括第三内部壁子层，第三内部壁子层在第一内部壁子层IWi-1与第二内部壁子层IWi-2之间。可选地，第三内部壁子层与发光材料层在同一层中，并且可选地在单个图案化工艺中形成。
在一些实施例中，显示面板还包括在阻挡结构DAM和窗口区域WR之间的区域中的多个外部隔离壁IWe。多个外部隔离壁IWe中的各个外部隔离壁包括第一外部壁子层IWe-1、第二外部壁子层IWe-2、第三外部壁子层IWe-3、以及第四外部壁子层IWe-4。可选地，第一外部壁子层IWe-1为第一栅极金属层GM1的一部分。可选地，第二外部壁子层IWe-2是第二栅极金属层GM2的一部分。可选地，第三外部壁子层IWe-3是第二SD金属层SD2的一部分。可选地，第四外部壁子层IWe-4与阴极层CD在同一层中，并且可选地在单个图案化工艺中形成。可选地，多个外部隔离壁IWe的总数在2至20的范围内，例如2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。可选地，多个外部隔离壁IWe中的各个外部隔离壁还包括第五外部壁子层，该第五外部壁子层在第三外部壁子层IWe-3与第四外部壁子层IWe-4之间。可选地，第五外部壁子层与发光材料层在同一层中，并且可选地在单个图案化工艺中形成。
在一些实施例中，显示面板还包括在从显示区域DR到窗口区域WR过渡的区域中的多个第一信号线SL1和多个第二信号线SL2。多个第一信号线SL1与多个第二信号线SL2位于多个内部隔离壁IWi的远离阻挡结构DAM的一侧。可选地，多个第一信号线SL1与第二栅极金属层GM2在同一层中。可选地，多个第二信号线SL2与第二SD金属层SD2在同一层中。在一些实施例中，显示面板在从显示区域DR到窗口区域WR过渡的区域中进一步包括与第一栅极金属层GM1在同一层中的多个第三信号线。
在窗口区域WR中，在一些实施例中，显示面板包括选自以下的一个或多个层：层间电介质层ILD，在层间电介质层ILD上的钝化层PVX，位于钝化层PVX的远离层间电介质层ILD的一侧的第一平坦化层PLN1，位于第一平坦化层PLN1的远离钝化层PVX的一侧的第二平坦化层PLN2，位于第二平坦化层PLN2的远离第一平坦化层PLN1的一侧的像素限定层PDL，位于像素限定层PDL的远离第二平坦化层PLN2的一侧的窗口保护层OCw，以及位于窗口保护层OCw的远离像素限定层PDL的一侧的触摸绝缘层TI。可选地，窗口保护层OCw从显示区域DR向窗口区域WR过渡的区域延伸到窗口区域WR的边缘。可选地，窗口保护层OCw进一步延伸到窗口区域WR的子区域中。可选地，窗口保护层OCw延伸贯穿窗口区域WR。
图10B示出了根据本公开的一些实施例中的显示面板中的显示区域中的详细结构。参照图10B，在一些实施例中，显示面板在显示区域中包括基底基板BS(例如，柔性基底基板)；在基底基板BS上的绝缘层IN；位于绝缘层IN的远离基底基板BS的一侧的多个薄膜晶体管TFT中的各个晶体管的有源层ACT；位于有源层ACT的远离基底基板BS的一侧的第一栅极绝缘层GI1；位于第一栅绝缘层GI1的远离绝缘层IN的一侧的栅极G和第一电容器电极Ce1(都是第一栅金属层的一部分)；位于栅极G和第一电容器电极Ce1的远离第一栅极绝缘层GI1的一侧的第二栅极绝缘层GI2；位于第二栅极绝缘层GI2的远离第一栅极绝缘层GI1的一侧的第二电容器电极Ce2(第二栅极金属层的一部分)；位于第二电容器电极Ce2的远离第二栅极绝缘层GI2的一侧的层间电介质层ILD；位于层间电介质层ILD的远离第二栅极绝缘层GI2的一侧的源极S和漏极D(第一SD金属层的一部分)；位于源极S和漏极D的远离层间电介质层ILD的一侧的钝化层PVX；位于钝化层PVX的远离层间电介质层ILD的一侧的第一平坦化层PLN1；位于第一平坦化层PLN1的远离钝化层PVX的一侧的第二平坦化层PLN2；位于第二平坦化层PLN2的远离第一平坦化层PLN1的一侧的中继电极RE(第二SD金属层的一部分)；像素限定层PDL，其限定子像素孔径并且位于第二平坦化层PLN2的远离基底基板BS的一侧；以及位于子像素孔径中的发光元件LE。发光元件LE包括位于第二平坦化层PLN2的远离第一平坦化层PLN1的一侧的阳极AD；位于阳极AD的远离第二平坦化层PLN2的一侧的发光层EL；以及位于发光层EL的远离阳极AD的一侧的阴极层CD。显示面板在显示区域中还包括封装层EN，其封装虚拟发光元件DLE，并且位于阴极层CD的远离基底基板BS的一侧。在一些实施例中，封装层EN包括位于阴极层CD的远离基底基板BS的一侧的第一无机封装子层CVD1、位于第一无机封装子层CVD1的远离基底基板BS的一侧的有机封装子层IJP、以及位于有机封装子层IJP的远离第一无机封装子层CVD1的一侧的第二无机封装子层CVD2。显示面板在显示区域中还包括位于封装层EN的远离基底基板BS的一侧的缓冲层BUF；位于缓冲层BUF的远离封装层EN的一侧的多个第二电极桥BR2；位于多个第二电极桥BR2的远离缓冲层BUF的一侧的触摸绝缘层TI；位于触摸绝缘层TI的远离缓冲层BUF的一侧的多个第一触摸电极TE1；以及位于多个第一触摸电极TE1的远离触摸绝缘层TI的一侧的保护层OC。可选地，显示面板在显示区域中不包括钝化层PVX，例如层间电介质层ILD与第一平坦化层PLN1直接接触。
图10C示出了根据本公开的一些实施例中的显示面板中的显示区域中的详细结构。参照图10C，在一些实施例中，显示面板在显示区域中包括基底基板BS(例如，柔性基底基板)；在基底基板BS上的绝缘层IN；位于绝缘层IN的远离基底基板BS的一侧的多个薄膜晶体管TFT中的各个晶体管的有源层ACT；位于有源层ACT的远离基底基板BS的一侧的第一栅极绝缘层GI1；位于第一栅绝缘层GI1的远离绝缘层IN的一侧的栅极G和第一电容器电极Ce1(都是第一栅金属层的一部分)；位于栅极G和第一电容器电极Ce1的远离第一栅极绝缘层GI1的一侧的第二栅极绝缘层GI2；位于第二栅极绝缘层GI2的远离第一栅极绝缘层GI1的一侧的第二电容器电极Ce2(第二栅极金属层的一部分)；位于第二电容器电极Ce2的远离第二栅极绝缘层GI2的一侧的层间电介质层ILD；位于层间电介质层ILD的远离第二栅极绝缘层GI2的一侧的源极S和漏极D；位于源极S和漏极D的远离层间电介质层ILD的一侧的钝化层PVX；像素限定层PDL，其限定子像素孔径并且位于第二平坦化层PLN2的远离基底基板BS的一侧；以及位于子像素孔径中的发光元件LE。发光元件LE包括位于第二平坦化层PLN2的远离层间电介质层ILD的一侧的阳极AD；位于阳极AD的远离平坦化层PLN的一侧的发光层EL；以及位于发光层EL的远离阳极AD的一侧的阴极层CD。显示面板在显示区域中还包括封装层EN，其封装虚拟发光元件DLE，并且位于阴极层CD的远离基底基板BS的一侧。在一些实施例中，封装层EN包括位于阴极层CD的远离基底基板BS的一侧的第一无机封装子层CVD1、位于第一无机封装子层CVD1的远离基底基板BS的一侧的有机封装子层IJP、以及位于有机封装子层IJP的远离第一无机封装子层CVD1的一侧的第二无机封装子层CVD2。显示面板在显示区域中还包括位于封装层EN的远离基底基板BS的一侧的缓冲层BUF；位于缓冲层BUF的远离封装层EN的一侧的多个第二电极桥BR2；位于多个第二电极桥BR2的远离缓冲层BUF的一侧的触摸绝缘层TI；位于触摸绝缘层TI的远离缓冲层BUF的一侧的多个第一触摸电极TE1；以及位于多个第一触摸电极TE1的远离触摸绝缘层TI的一侧的保护层OC。
在另一方面，本公开提供了一种显示设备，包括本文的或通过本文的方法制造的显示面板，以及连接到显示面板的一个或多个集成电路。适当的显示设备的示例包括但不限于电子纸、移动电话、平板计算机、电视、监视器、笔记本计算机、数码相框、GPS等。可选地，显示设备是有机发光二极管显示设备。可选地，显示设备是液晶显示设备。
在另一方面，本公开提供一种制造触控结构的方法。触控结构被形成为限制在触控区域中而不存在于由触控区域围绕的窗口区域中。在一些实施例中，形成触控结构包括形成多个第一网状电极以及形成多个第二网状电极。在一些实施例中，形成触控结构包括形成多个窗口相邻网格块以及形成多个电容补偿导电板。可选地，多个电容补偿板中的各个补偿板被形成为直接连接到多个窗口相邻网格块中的相应一个的至少一个网格线(例如，多个网格线)。可选地，多个电容补偿板被形成为分别围绕窗口区域的周边的多个部分。
在一些实施例中，多个电容补偿板中的各个电容补偿板的占用面积与多个窗口相邻网格块中的相应一个窗口相邻网格块的占用面积相对于内部网格块的减少相关，该内部网格块电连接到多个窗口相邻网格块中的相应一个窗口相邻网格块且通过多个窗口相邻网格块中的相应一个窗口相邻网格块与窗口区域间隔开。可选地，多个电容补偿导电板中的任意两个电容补偿导电板的占用面积的比在所述多个窗口相邻网格块中分别连接到多个电容补偿导电板中的任意两个电容补偿导电板的任意两个窗口相邻网格块的占用面积的减少的比的50％内(例如，在45％内、在40％内、在35％内、在30％内、在25％内、在20％内、在18％内、在16％内、在14％内、在12％内、在10％内、在8％内、在6％内、在4％内、在2％内或在1％内)。任意两个窗口相邻网格块的占用面积的减少是分别相对于分别电连接到多个窗口相邻网格块中的任意两个窗口相邻网格块的相应两个内部网格块而言的；以及两个内部网格块分别通过多个窗口相邻网格块中的所述任意两个窗口相邻网格块与窗口区域间隔开。
在一些实施例中，形成多个窗口相邻网格块包括形成作为多个第一网状电极的一部分的一个或多个第一类型窗口相邻网格块，以及形成作为多个第二网状电极的一部分的一个或多个第二类型窗口相邻网格块。可选地，形成多个电容补偿板包括形成分别连接到一个或多个第一类型窗口相邻网格块的一个或多个第一类型电容补偿板，以及形成分别连接到一个或多个第二类型窗口相邻网格块的一个或多个第二类型电容补偿板。可选地，多个电容补偿板中的各个电容补偿板的占用面积与多个窗口相邻网格块中的各个网格块的占用面积的减少相关；关于一个或多个第一类型窗口相邻网格块中的各个第一类型窗口相邻网格块的占用面积的减少是该第一类型窗口相邻网格块的占用面积与多个第一网状电极中的与窗口区域和触控结构的边缘间隔开的网格块的平均占用面积之间的差；并且关于一个或多个第二类型窗口相邻网格块中的各个第二类型窗口相邻网格块的占用面积的减少是该第二类型窗口相邻网格块的占用面积与多个第二网状电极中的与窗口区域和触控结构的边缘间隔开的网格块的平均占用面积之间的差。多个电容补偿导电板中的任意两个电容补偿导电板的占用面积的比在所述多个窗口相邻网格块中的分别连接到多个电容补偿导电板中的任意两个电容补偿导电板的任意两个窗口相邻网格块的占用面积的减少的比的50％内(例如，在45％内、在40％内、在35％内、在30％内、在25％内、在20％内、在18％内、在16％内、在14％内、在12％内、在10％内、在8％内、在6％内、在4％内、在2％内或在1％内)；关于一个或多个第一类型窗口相邻网格块中的各个第一类型窗口相邻网格块的占用面积的减少是该第一类型窗口相邻网格块的占用面积与多个第一网状电极中的与窗口区域和触控结构的边缘间隔开的网格块的平均占用面积之间的差；并且关于一个或多个第二类型窗口相邻网格块中的各个第二类型窗口相邻网格块的占用面积的减少是该第二类型窗口相邻网格块的占用面积与多个第二网状电极中的与窗口区域和触控结构的边缘间隔开的网格块的平均占用面积之间的差。
在一些实施例中，形成多个窗口相邻网格块包括形成围绕窗口区域的周边的第一部分的第一网格块和形成围绕窗口区域的周边的第二部分的第二网格块。可选地，第一部分和第二部分是窗口区域的周边的连续的非重叠部分。可选地，形成多个电容补偿导电板包括形成直接连接到第一网格块的至少一个网格线(例如，多个网格线)并且与第二网格块间隔开的第一电容补偿导电板。可选地，第一电容补偿导电板被形成为围绕窗口区域的周边的第三部分。可选地，第三部分与第一部分至少部分地重叠并且与第二部分至少部分地重叠。可选地，该方法还包括形成多个网格填充图案。可选地，形成多个网格填充图案包括形成围绕窗口区域的周边的第四部分的窗口相邻网格填充图案。可选地，窗口相邻网格填充图案被形成为在除了围绕窗口区域的周边的第四部分的边之外的边上，被第二网格块围绕。可选地，第三部分与第四部分至少部分地重叠。可选地，第一部分、第二部分和第四部分是窗口区域的周边的连续的非重叠部分。可选地，第二网格块被形成为进一步围绕窗口区域的周边的第五部分。可选地，第一部分、第二部分、第四部分和第五部分是窗口区域的周边的连续的非重叠部分。可选地，第三部分与第五部分不重叠。可选地，形成多个电容补偿导电板还包括形成直接连接到第二网格块的至少一个网格线(例如，多个网格线)的第二电容补偿导电板。可选地，第二电容补偿导电板被形成为围绕窗口区域的周边的第五部分。
在一些实施例中，形成多个窗口相邻网格块包括形成围绕窗口区域的周边的第六部分的第三网格块以及形成围绕窗口区域的周边的第七部分的第四网格块。可选地，形成多个电容补偿导电板包括形成直接连接到第三网格块的至少一个网格线(例如，多个网格线)并且直接连接到第四网格块的至少一个网格线(例如，多个网格线)的第三电容补偿导电板。可选地，第三电容补偿导电板被形成为围绕窗口区域的周边的第八部分。可选地，第八部分与第六部分至少部分重叠并且与第七部分至少部分重叠。可选地，该方法还包括形成围绕窗口区域的周边的第七部分的第一隔板。可选地，第一隔板被形成为与第四网格块间隔开并且与第三电容补偿导电板间隔开。可选地，第七部分和第八部分彼此重叠处的窗口区域的周边的第九部分，被第一隔板的一部分围绕，并且也被第三电容补偿导电板的一部分围绕。可选地，形成多个窗口相邻网格块包括形成围绕窗口区域的周边的第十部分的第五网格块。可选地，第七部分、第十部分和第六部分是窗口区域的周边的连续的非重叠部分。可选地，第十部分是第八部分的子部分。可选地，第五网格块被形成为与围绕第十部分的第三电容补偿导电板间隔开。
在一些实施例中，形成多个窗口相邻网格块包括形成围绕窗口区域的周边的第一部分的第一网格块和形成围绕窗口区域的周边的第十部分的第五网格块。可选地，该方法还包括形成直接连接到第一网格块且直接连接到第五网格块的导电桥。可选地，该方法还包括形成触摸绝缘层，该触摸绝缘层形成在第一网格块和导电桥之间以及第五网格块和导电桥之间。可选地，第一网格块和第五网格块采用相同的材料形成在同一层中。可选地，导电桥被形成为分别延伸穿过触摸绝缘层中的过孔，以分别连接至第一网格块和第五网格块的网格线。可选地，导电桥被形成为围绕窗口区域的周边的第十一部分。可选地，第十一部分与第一部分部分重叠，并且与第十部分至少部分重叠。
在一些实施例中，形成多个窗口相邻网格块包括形成围绕窗口区域的周边的第十二部分的第六网格块。可选地，形成多个电容补偿导电板包括形成直接连接到第六网格块的至少一个网格线(例如，多个网格线)的第四电容补偿导电板。可选地，第四电容补偿导电板被形成为围绕窗口区域的周边的第十三部分。可选地，方法还包括形成围绕窗口区域的周边的第十四部分的第二隔板。可选地，第二隔板被形成为与第六网格块间隔开。可选地，第十三部分和第十四部分是第十二部分的子部分。
在一些实施例中，该方法还包括在窗口区域和多个电容补偿板之间形成遮光环。可选地，遮光环被形成为基本上围绕窗口区域的周边。
在一些实施例中，该方法还包括在窗口区域中形成窗口保护层。
各种适当的材料和各种适当的制造方法可以用于制造电容补偿板、隔板和遮光层。例如，金属材料可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积在衬底上。用于制造电容补偿板、隔板和遮光层的适当金属材料的示例包括但不限于铝、铬、钨、钛、钽、钼、铜和包含它们的合金或叠层。
各种适当的导电电极材料可用来制造本公开的触控结构的网状电极图案。在一些实施例中，用于制造网状电极图案的导电电极材料是透明导电电极材料。用于制造触摸电极层的网状电极图案的导电电极材料的示例包括但不限于金属网、银纳米线、碳纳米管、纳米网、石墨烯和导电聚合物，例如聚(3，4-乙烯二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT：PSS)。可选地，网状电极图案由诸如纳米银网的金属网制成。
各种合适的导电电极材料可用于制造本公开中的保护层和窗口保护层。例如，金属材料可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积在衬底上，并且通过光刻来图案化。用于制造保护层和窗口保护层的导电电极材料的示例包括但不限于氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)。
在另一方面，本公开提供了一种制造显示设备的方法。在一些实施例中，该方法包括形成显示面板和在显示面板上形成触控结构；以及移除窗口区域中的触控结构和显示元件。可选地，在移除窗口区域中的触控结构和显示元件之后，显示设备在窗口区域中包括以下中的至少一个：层间电介质层；在层间电介质层上的钝化层；位于钝化层的远离层间电介质层的一侧的第一平坦化层；位于第一平坦化层的远离钝化层的一侧的第二平坦化层；位于第二平坦化层的远离第一平坦化层的一侧的像素限定层；位于像素限定层的远离第二平坦化层的一侧的窗口保护层；以及位于窗口保护层的远离像素限定层的一侧的触摸绝缘层。
为了说明和描述的目的，已经给出了本发明的实施例的上述描述。其不是穷举的，也不是要将本发明限制为所公开的精确形式或示例性实施例。因此，前面的描述应当被认为是说明性的而不是限制性的。显然，许多修改和变化对于本领域技术人员将是显而易见的。选择和描述实施例是为了解释本发明的原理及其最佳模式实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明的各种实施例以及适合于所考虑的特定使用或实现的各种修改。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等价物来限定，其中除非另有说明，否则所有术语都意味着其最广泛的合理意义。因此，术语“本发明(the invention、the presentinvention)”等不一定将权利要求范围限制为特定实施例，并且对本发明的示例性实施例的引用不意味着对本发明的限制，并且不应推断出这样的限制。本发明仅由所附权利要求的精神和范围来限定。此外，这些权利要求可能涉及使用“第一”、“第二”等，随后是名词或元素。这些术语应当被理解为命名法，并且不应当被解释为对由这些命名法所修改的元件的数量进行限制，除非已经给出了特定的数量。所描述的任何优点和益处可能不适用于本发明的所有实施例。应当理解，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，本领域技术人员可以对所描述的实施例进行改变。此外，本公开中的元件和组件都不是要贡献给公众，无论该元件或组件是否在所附权利要求中明确叙述。

Claims (23)

1.一种触控结构，包括多个第一网状电极以及多个第二网状电极；
其中，所述触控结构被限制于触控区域，而不存在于所述触控区域所围绕的窗口区域中；
所述触控结构包括多个窗口相邻网格块以及多个电容补偿导电板；
所述多个电容补偿板中的各个电容补偿板直接连接到所述多个窗口相邻网格块中的相应一个窗口相邻网格块的至少一个网格线；以及
所述多个电容补偿板分别围绕所述窗口区域的周边的多个部分。
2.根据权利要求1所述的触控结构，其中所述多个电容补偿板中的各个电容补偿板的占用面积与所述多个窗口相邻网格块中的所述相应一个窗口相邻网格块的占用面积相对于内部网格块的减少相关，该内部网格块电连接到所述多个窗口相邻网格块中的所述相应一个窗口相邻网格块且通过所述多个窗口相邻网格块中的所述相应一个窗口相邻网格块与所述窗口区域间隔开。
3.根据权利要求1或2所述的触控结构，其中所述多个电容补偿导电板中的任意两个电容补偿导电板的占用面积的比在所述多个窗口相邻网格块中分别连接到所述多个电容补偿导电板中的所述任意两个电容补偿导电板的任意两个窗口相邻网格块的占用面积的减少的比的50％内；
所述任意两个窗口相邻网格块的占用面积的减少是分别相对于分别电连接到所述多个窗口相邻网格块中的所述任意两个窗口相邻网格块的相应两个内部网格块而言的；以及
所述两个内部网格块分别通过所述多个窗口相邻网格块中的所述任意两个窗口相邻网格块与所述窗口区域间隔开。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的触控结构，其中，所述多个窗口相邻网格块包括作为所述多个第一网状电极的一部分的一个或多个第一类型窗口相邻网格块，以及作为所述多个第二网状电极的一部分的一个或多个第二类型窗口相邻网格块；以及
所述多个电容补偿板包括分别连接到所述一个或多个第一类型窗口相邻网格块的一个或多个第一类型电容补偿板，以及分别连接到所述一个或多个第二类型窗口相邻网格块的一个或多个第二类型电容补偿板。
5.根据权利要求4所述的触控结构，其中所述多个电容补偿板中的各个电容补偿板的占用面积与所述多个窗口相邻网格块中的各个窗口相邻网格块的占用面积的减少相关；
关于所述一个或多个第一类型窗口相邻网格块中的各个第一类型窗口相邻网格块的占用面积的减少是该第一类型窗口相邻网格块的占用面积与所述多个第一网状电极中的与所述窗口区域和所述触控结构的边缘间隔开的网格块的平均占用面积之间的差；以及
关于所述一个或多个第二类型窗口相邻网格块中的各个第二类型窗口相邻网格块的占用面积的减少是该第二类型窗口相邻网格块的占用面积与所述多个第二网状电极中的与所述窗口区域和所述触控结构的边缘间隔开的网格块的平均占用面积之间的差。
6.根据权利要求4或5所述的触控结构，其中所述多个电容补偿导电板中的任意两个电容补偿导电板的占用面积的比在所述多个窗口相邻网格块中的分别连接到所述多个电容补偿导电板中的所述任意两个电容补偿导电板的任意两个窗口相邻网格块的占用面积的减少的比的50％内；
关于所述一个或多个第一类型窗口相邻网格块中的各个第一类型窗口相邻网格块的占用面积的减少是该第一类型窗口相邻网格块的占用面积与所述多个第一网状电极中的与所述窗口区域和所述触控结构的边缘间隔开的网格块的平均占用面积之间的差；以及
关于所述一个或多个第二类型窗口相邻网格块中的各个第二类型窗口相邻网格块的占用面积的减少是该第二类型窗口相邻网格块的占用面积与所述多个第二网状电极中的与所述窗口区域和所述触控结构的边缘间隔开的网格块的平均占用面积之间的差。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的触控结构，其中，所述多个窗口相邻网格块包括围绕所述窗口区域的周边的第一部分的第一网格块，以及围绕所述窗口区域的周边的第二部分的第二网格块；
所述第一部分和所述第二部分是所述窗口区域的周边的连续的非重叠部分；
所述多个电容补偿导电板包括第一电容补偿导电板，所述第一电容补偿导电板直接连接到所述第一网格块的至少一个网格线并且与所述第二网格块间隔开；
所述第一电容补偿导电板围绕所述窗口区域的周边的第三部分；以及
所述第三部分与所述第一部分至少部分重叠并且与所述第二部分至少部分重叠。
8.根据权利要求7所述的触控结构，还包括多个网格填充图案；
其中，所述多个网格填充图案包括围绕所述窗口区域的周边的第四部分的窗口相邻网格填充图案。
9.根据权利要求8所述的触控结构，其中，在除了围绕所述窗口区域的周边的所述第四部分的边之外的边上，所述窗口相邻网格填充图案被所述第二网格块围绕；
所述第三部分与所述第四部分至少部分重叠；以及
所述第一部分、所述第二部分和所述第四部分是所述窗口区域的周边的连续的非重叠部分。
10.根据权利要求9所述的触控结构，其中所述第二网格块还围绕所述窗口区域的周边的第五部分；
所述第一部分、所述第二部分、所述第四部分和所述第五部分是所述窗口区域的周边的连续的非重叠部分；
所述第三部分与所述第五部分不重叠；
所述多个电容补偿导电板还包括直接连接到所述第二网格块的至少一个网格线的第二电容补偿导电板；以及
所述第二电容补偿导电板围绕所述窗口区域的周边的所述第五部分。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的触控结构，其中，所述多个窗口相邻网格块包括围绕所述窗口区域的周边的第六部分的第三网格块，和围绕所述窗口区域的周边的第七部分的第四网格块；
所述多个电容补偿导电板包括第三电容补偿导电板，所述第三电容补偿导电板直接连接到所述第三网格块的至少一个网格线并且直接连接到所述第四网格块的至少一个网格线；
所述第三电容补偿导电板围绕所述窗口区域的周边的第八部分；以及
所述第八部分与所述第六部分至少部分重叠并且与所述第七部分至少部分重叠。
12.根据权利要求11所述的触控结构，还包括围绕所述窗口区域的周边的所述第七部分的第一隔板；
其中，所述第一隔板与所述第四网格块间隔开并且与所述第三电容补偿导电板间隔开；以及
所述第七部分和所述第八部分彼此重叠处的所述窗口区域的周边的第九部分被所述第一隔板的一部分围绕，并且还被所述第三电容补偿导电板的一部分围绕。
13.根据权利要求11或12所述的触控结构，其中，所述多个窗口相邻网格块包括围绕所述窗口区域的周边的第十部分的第五网格块；
所述第七部分、所述第十部分和所述第六部分是所述窗口区域的周边的连续的非重叠部分；
所述第十部分是所述第八部分的子部分；以及
所述第五网格块与围绕所述第十部分的所述第三电容补偿导电板间隔开。
14.根据权利要求1至12中任一项所述的触控结构，其中，所述多个窗口相邻网格块包括围绕所述窗口区域的周边的第一部分的第一网格块，和围绕所述窗口区域的周边的第十部分的第五网格块；以及
所述触控结构还包括导电桥，该导电桥直接连接到所述第一网格块且直接连接到所述第五网格块。
15.根据权利要求14所述的触控结构，还包括在所述第一网格块和所述导电桥之间且在所述第五网格块和所述导电桥之间的触摸绝缘层；
所述第一网格块和所述第五网格块在同一层中；以及
所述导电桥分别延伸穿过所述触摸绝缘层中的过孔以分别连接到所述第一网格块和所述第五网格块的网格线。
16.根据权利要求14或15所述的触控结构，其中，所述导电桥围绕所述窗口区域的周边的第十一部分；以及
所述第十一部分与所述第一部分部分地重叠，并且与所述第十部分至少部分重叠。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的触控结构，其中，所述多个窗口相邻网格块包括围绕所述窗口区域的周边的第十二部分的第六网格块；
所述多个电容补偿导电板包括直接连接到所述第六网格块的至少一个网格线的第四电容补偿导电板；
所述第四电容补偿导电板围绕所述窗口区域的周边的第十三部分；
所述触控结构还包括第二隔板，该第二隔板围绕所述窗口区域的周边的第十四部分；
所述第二隔板与所述第六网格块间隔开；以及
所述第十三部分和所述第十四部分是所述第十二部分的子部分。
18.根据权利要求1至17中任一项所述的触控结构，还包括在所述窗口区域和所述多个电容补偿板之间的遮光环；
其中，所述遮光环实质上围绕所述窗口区域的周边。
19.根据权利要求1至18中任一项所述的触控结构，其中，所述多个窗口相邻网格块包括在所述窗口区域的第一侧上的第二网格块、在所述窗口区域的第二侧上的第三网格块、在所述窗口区域的第三侧上的第一网格块、以及在所述窗口区域的第四侧上的第六网格块；
所述多个电容补偿导电板包括在所述窗口区域的所述第一侧上的第二电容补偿导电板、在所述窗口区域的所述第二侧上的第三电容补偿导电板、在所述窗口区域的所述第三侧上的第一电容补偿导电板、以及在所述窗口区域的所述第四侧上的第四电容补偿导电板；
所述第二电容补偿导电板直接连接到所述第二网格块的至少一个网格线；
所述第三电容补偿导电板直接连接到所述第三网格块的至少一个网格线；
所述第一电容补偿导电板直接连接到所述第一网格块的至少一个网格线；以及
所述第四电容补偿导电板直接连接到所述第六网格块的至少一个网格线。
20.根据权利要求19所述的触控结构，其中所述第一电容补偿导电板具有在1.0x106μm2到1.2x106μm2的范围内的占用面积，所述第二电容补偿导电板具有在3.0x105μm2到4.0x105μm2的范围内的占用面积，所述第三电容补偿导电板具有在9.0x105μm2到1.1x106μm2的范围内的占用面积，且所述第四电容补偿导电板具有在3x105μm2到5.0x105μm2的范围内的占用面积。
21.根据权利要求1至20中任一项所述的触控结构，其中，所述多个电容补偿导电板中的各个电容补偿导电板具有沿一方向的板宽，该方向垂直于该电容补偿导电板与电连接至该电容补偿导电板的网格块之间的交界面；
所述板宽在200μm至300μm的范围内；
所述网格块的网格线具有在1μm到5μm的范围内的线宽；以及
所述板宽与所述线宽之间的比大于10:1。
22.一种显示设备，包括根据权利要求1至21中任一项所述的触控结构、在所述窗口区域中具有孔的显示面板、以及连接到所述显示面板的集成电路；
其中，所述显示面板的显示元件不设置在所述窗口区域中；以及
所述显示面板被配置为在所述触控区域的至少一部分中显示图像。
23.根据权利要求22所述的显示设备，其中所述显示设备在所述窗口区域中包括：
层间电介质层；
在所述层间电介质层上的钝化层；
第一平坦化层，位于所述钝化层的远离所述层间电介质层的一侧；
第二平坦化层，位于所述第一平坦化层的远离所述钝化层的一侧；
像素限定层，位于所述第二平坦化层的远离所述第一平坦化层的一侧；
窗口保护层，位于所述像素限定层的远离所述第二平坦化层的一侧；以及
触摸绝缘层，位于所述窗口保护层的远离所述像素限定层的一侧。
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