CN114551511A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示装置，包括：基底；像素，设置在所述基底上；薄膜封装层，设置在所述像素上；覆盖层，设置在所述薄膜封装层上，并且在所述覆盖层中限定有开口；以及感测部分，设置在所述覆盖层上。凹陷部分可以限定在所述薄膜封装层的与所述开口重叠的上表面上。

Description

显示装置

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2020年11月19日提交的第10-2020-0155986号韩国专利申请的优先权，上述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开的实施例涉及一种显示装置。

背景技术

诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航系统、智能电视等的向用户提供图像的电子装置包括用于显示图像的显示装置。显示装置产生图像并且通过显示屏幕将所产生的图像提供给用户。

显示装置可以包括用于产生图像的显示面板和设置在显示面板上的用于感测外部输入的输入传感器。显示面板可以包括用于显示图像的多个像素。像素可以产生光以显示图像。输入传感器可以包括用于感测外部输入的多个感测电极。

发明内容

本发明构思的实施例提供一种能够减小厚度并提高发光效率的显示装置。

本发明构思的实施例提供一种显示装置，包括：基底；像素，设置在所述基底上；薄膜封装层，设置在所述像素上；覆盖层，设置在所述薄膜封装层上，并且在所述覆盖层中限定有开口；以及感测部分，设置在所述覆盖层上。凹陷部分可以限定在所述薄膜封装层的与所述开口重叠的上表面上。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的实施例，本发明构思的以上和其它特征将变得更加明显，在附图中：

图1是根据本发明构思的实施例的显示装置的透视图；

图2示出了根据本发明构思的实施例的图1中示出的显示装置的截面；

图3示出了根据本发明构思的实施例的图2中示出的显示面板的截面；

图4是根据本发明构思的实施例的图2中示出的显示面板的平面图；

图5示出了根据本发明构思的实施例的图4中示出的一个像素的截面；

图6是根据本发明构思的实施例的图2中示出的输入传感器的平面图；

图7示出了根据本发明构思的实施例的图6中示出的一个第一感测部分和一个第二感测部分的配置；

图8是根据本发明构思的实施例的沿图7中示出的线I-I’截取的截面图；

图9是根据本发明构思的实施例的沿图7中示出的线II-II’截取的截面图；

图10示出了根据本发明构思的实施例的包括图2中示出的显示面板和输入传感器的部分的截面；

图11示出了根据本发明构思的实施例的图4和图6中示出的弯折区以及邻近于弯折区的第一区和第二区的截面；

图12是根据本发明构思的实施例的图11中示出的限定开口的覆盖层的平面图；

图13是示出根据本发明构思的实施例的第一信号线的连接结构的截面图，其中连接结构将第一信号线经由图6中示出的弯折区延伸到第二区；

图14是示出根据本发明构思的实施例的图6中示出的第二焊盘的连接结构的截面图；

图15A至图15D是示出根据本发明构思的实施例的图13中示出的邻近于弯折区的非显示区的截面图，并且在描述图13中使用的覆盖层的实现的效果时被参考；

图16示出了根据本发明构思的实施例的图1中示出的照相机和照相机的周围的截面；

图17示出了根据本发明构思的实施例的图1中示出的照相机和照相机的周围的截面；

图18示出了根据本发明构思的实施例的图1中示出的照相机和照相机的周围的截面；以及

图19是示出根据本发明构思的实施例的图18中示出的一个金属图案的放大图。

具体实施方式

在下文中将参照附图更充分地描述本发明构思的实施例。在整个附图中，同样的附图标记可以表示同样的元件。

将理解的是，当诸如膜、区、层或元件的组件被称为“在”另一组件“上”、“连接到”、“耦接到”或者“邻近于”另一组件时，所述组件可以直接在所述另一组件上、直接连接到、直接耦接到或直接邻近于所述另一组件，或者可以存在居间组件。还将理解的是，当组件被称为“在”两个组件“之间”时，所述组件可以是所述两个组件之间的唯一组件，或者也可以存在一个或多个居间组件。还将理解的是，当组件被称为“覆盖”另一组件时，所述组件可以是覆盖所述另一组件的唯一组件，或者一个或多个居间组件也可以覆盖所述另一组件。用于描述组件之间的关系的其它词语应当以类似方式解释。

如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关配置可以限定的任意组合和所有组合。

将理解的是，在本文中使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来区分一个元件与另一元件，并且这些元件不受这些术语的限制。因此，实施例中的“第一”元件可以被描述为另一示例性实施例中的“第二”元件。

如本文中所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。

为了便于描述，在本文中可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”等空间相对术语以描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将定向“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”可以涵盖上方和下方两种方位。所述装置可以以其它方式定向(旋转90度或在其它方位处)，并且相应地，本文中将使用空间相对描述语进行解释。

将进一步理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包含”和/或“具有”说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

在本文中，当两个或更多个元件或值被描述为彼此基本上相同或大约相等时，应当理解的是，所述元件或值彼此相同，所述元件或值在测量误差内彼此相等，或者如果可测量地不相等，则如本领域普通技术人员将理解的，所述元件或值在值上足够接近以在功能上彼此相等。例如，考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关的误差(例如，测量系统的局限性)，如本文中所使用的术语“大约”包括陈述值，并且意指在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以意指在由本领域普通技术人员理解的一个或多个标准偏差内。此外，应当理解的是，虽然参数在本文中可以被描述为具有“大约”某个值，但是根据示例性实施例，如本领域普通技术人员将理解的，参数可以恰好是该某个值或在测量误差内近似于该某个值。用于描述组件之间的关系的这些术语和类似术语的其它使用应当以类似方式解释。

图1是根据本发明构思的实施例的显示装置DD的透视图。

参考图1，根据本发明构思的实施例的显示装置DD可以具有矩形形状，所述矩形形状具有在第一方向DR1上延伸的长边和在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸的短边。然而，显示装置DD不限于此，并且可以具有各种形状，诸如以圆形或多边形为例。

在下文中，基本上垂直于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面的方向被限定为第三方向DR3。另外，在本说明书中，在平面上观察的含义被限定为在第三方向DR3上观察。

显示装置DD的上表面可以被限定为显示表面DS并且可以具有由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。通过显示装置DD的显示表面DS产生和显示的图像IM可以提供给用户。

显示表面DS可以包括显示区DA和在显示区DA周围的非显示区NDA。图像IM可以显示在显示区DA中，并且不显示在非显示区NDA中。非显示区NDA可以围绕显示区DA，并且可以限定显示装置DD的边界。非显示区NDA可以以预定颜色印刷。

显示装置DD可以包括至少一个照相机CAM。照相机CAM可以设置在显示区DA内。作为示例，照相机CAM可以邻近于显示区DA的上部边缘。然而，照相机CAM的定位不限于此。

显示装置DD可以用于大型电子装置，诸如以电视机、监视器或外部广告牌为例。此外，显示装置DD还可以用于小型或中型电子装置，诸如以个人计算机、膝上型计算机、个人数字终端、车辆导航单元、游戏机、智能电话、平板电脑或照相机为例。然而，这些仅作为示例呈现，并且根据本发明构思的实施例，显示装置DD也可以用于其它电子装置。

图2示出了根据本发明构思的实施例的图1中示出的显示装置DD的截面。

作为示例，图2示出了在第一方向DR1上观察到的显示装置DD的截面。

参考图2，显示装置DD可以包括显示面板DP、输入传感器ISP、反射防止层RPL、窗口WIN、面板保护膜PPF以及第一粘合层AL1至第三粘合层AL3。

显示面板DP可以是柔性显示面板。根据本发明构思的实施例的显示面板DP可以是发光显示面板，但是不具体地限于此。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包括有机发光材料。量子点发光显示面板的发光层可以包括量子点和量子棒等。在下文中，显示面板DP将被描述为有机发光显示面板。然而，本发明构思的实施例不限于此。

输入传感器ISP可以设置在显示面板DP上。输入传感器ISP可以包括通过电容方法感测外部输入的多个传感器。当制造显示装置DD时，可以在显示面板DP上直接制造输入传感器ISP。然而，本发明构思的实施例不限于此。例如，在实施例中，输入传感器ISP可以被制造为独立于显示面板DP的面板并且之后通过粘合层附接到显示面板DP。

反射防止层RPL可以设置在输入传感器ISP上。反射防止层RPL可以被限定为外部光反射防止膜。反射防止层RPL可以降低从显示装置DD上方朝向显示面板DP入射的外部光的反射率。

当朝向显示面板DP行进的外部光从显示面板DP反射并再次提供给外部用户时，对于用户而言，外部光可以在视觉上被识别。为了防止或减少这种现象，作为示例，反射防止层RPL可以包括多个滤色器，所述滤色器显示与显示面板DP的像素相同的颜色。

滤色器可以过滤外部光以显示与像素相同的颜色。在这种情况下，在实施例中，外部光对于用户而言是不可见的或者对于用户而言可以是不太可见的。然而，反射防止层RPL不限于此。例如，根据实施例，反射防止层RPL可以包括降低外部光的反射率的延迟器和/或偏振器。

窗口WIN可以设置在反射防止层RPL上。窗口WIN可以保护显示面板DP、输入传感器ISP和反射防止层RPL免受诸如以刮擦为例的外部冲击。

面板保护膜PPF可以设置在显示面板DP下方。面板保护膜PPF可以保护显示面板DP的下部部分。面板保护膜PPF可以包括诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的柔性塑料材料。

第一粘合层AL1可以设置在显示面板DP与面板保护膜PPF之间。显示面板DP和面板保护膜PPF可以通过第一粘合层AL1彼此粘附。

第二粘合层AL2可以设置在反射防止层RPL与输入传感器ISP之间。反射防止层RPL和输入传感器ISP可以通过第二粘合层AL2彼此粘附。

第三粘合层AL3可以设置在窗口WIN与反射防止层RPL之间。窗口WIN和反射防止层RPL可以通过第三粘合层AL3彼此粘附。

图3示出了根据本发明构思的实施例的图2中示出的显示面板DP的截面。

作为示例，图3示出了在第一方向DR1上观察到的显示面板DP的截面。

参考图3，显示面板DP可以包括基底SUB、设置在基底SUB上的电路元件层DP-CL、设置在电路元件层DP-CL上的显示元件层DP-OLED、以及设置在显示元件层DP-OLED上的薄膜封装层TFE。

基底SUB可以包括显示区DA和在显示区DA周围的非显示区NDA。基底SUB的显示区DA和非显示区NDA分别与显示表面DS的显示区DA和非显示区NDA对应。基底SUB可以包括柔性塑料材料，诸如以聚酰亚胺(PI)为例。显示元件层DP-OLED可以设置在显示区DA中。

多个像素可以设置在电路元件层DP-CL和显示元件层DP-OLED中。像素中的每一个可以包括设置在电路元件层DP-CL中的晶体管和设置在显示元件层DP-OLED中并连接到晶体管的发光二极管。在下文中，将详细描述像素的配置。

薄膜封装层TFE可以设置在电路元件层DP-CL上以覆盖显示元件层DP-OLED。薄膜封装层TFE可以包括无机层和在无机层之间的有机层。无机层可以保护像素PX(参见图4)免受湿气/氧的影响。有机层可以保护像素PX(参见图4)免受诸如以灰尘颗粒为例的外来物质的影响。

图4是根据本发明构思的实施例的图2中示出的显示面板DP的平面图。

参考图4，显示装置DD可以包括显示面板DP、扫描驱动器SDV、数据驱动器DDV、发光驱动器EDV、印刷电路板PCB、时序控制器T-CON和输入传感器控制器IS-IC。

显示面板DP可以是柔性显示面板。显示面板DP可以在第一方向DR1上比在第二方向DR2上延伸得更长。例如，显示面板DP可以具有矩形形状，所述矩形形状具有在第一方向DR1上延伸的长边和在第二方向DR2上延伸的短边。

显示面板DP可以包括第一区AA1、第二区AA2和设置在第一区AA1与第二区AA2之间的弯折区BA。弯折区BA可以在第二方向DR2上延伸，并且第一区AA1、弯折区BA和第二区AA2可以布置在第一方向DR1上。

第一区AA1可以在第一方向DR1上延伸并且可以具有在第二方向DR2上彼此相对的长边。第一区AA1可以包括显示区DA和在显示区DA周围的非显示区NDA。如上所述，在实施例中，非显示区NDA可以围绕显示区DA，图像可以显示在显示区DA中，并且图像不显示在非显示区NDA中。第二区AA2和弯折区BA可以是其中不显示图像的区。

显示面板DP可以包括多个像素PX、多条扫描线SL1至SLm、多条数据线DL1至DLn、多条发光线EL1至ELm、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2、第一电源线PL1、第二电源线PL2、连接线CNL和多个第一焊盘PD1。“m”和“n”是自然数。像素PX可以设置在显示区DA中并且可以连接到扫描线SL1至SLm、数据线DL1至DLn以及发光线EL1至ELm。

扫描驱动器SDV和发光驱动器EDV可以设置在非显示区NDA中。扫描驱动器SDV和发光驱动器EDV可以设置在分别邻近于第一区AA1的长边的非显示区NDA中。数据驱动器DDV可以设置在第二区AA2中。数据驱动器DDV可以以集成电路芯片的形式制造并且可以安装在第二区AA2中。

扫描线SL1至SLm可以在第二方向DR2上延伸以连接到扫描驱动器SDV。数据线DL1至DLn可以在第一方向DR1上从第一区AA1经由弯折区BA延伸到第二区AA2以连接到数据驱动器DDV。发光线EL1至ELm可以在第二方向DR2上延伸以连接到发光驱动器EDV。

第一电源线PL1可以在第一方向DR1上延伸以设置在非显示区NDA中。第一电源线PL1可以设置在显示区DA与发光驱动器EDV之间。然而，本发明构思的实施例不限于此。例如，在实施例中，第一电源线PL1可以设置在显示区DA与扫描驱动器SDV之间。

第一电源线PL1可以经由弯折区BA延伸到第二区AA2。当在平面上观察时，第一电源线PL1可以朝向第二区AA2的下端部延伸。第一电源线PL1可以接收第一电压。

第二电源线PL2可以设置在隔着显示区DA和弯曲区BA面向第二区AA2的非显示区NDA中且设置成在非显示区NDA中邻近于第一区AA1的长边。第二电源线PL2可以设置在扫描驱动器SDV和发光驱动器EDV外部。

第二电源线PL2可以经由弯折区BA延伸到第二区AA2。第二电源线PL2可以在第二区AA2中在第一方向DR1上延伸，数据驱动器DDV在第二电源线PL2之间。当在平面上观察时，第二电源线PL2可以朝向第二区AA2的下端部延伸。

第二电源线PL2可以接收第二电压，所述第二电压低于第一电压。在实施例中，第二电源线PL2可以延伸到显示区DA以连接到像素PX，并且第二电压可以通过第二电源线PL2提供给像素PX。

连接线CNL可以在第二方向DR2上延伸并且可以布置在第一方向DR1上。连接线CNL可以连接到第一电源线PL1和像素PX。第一电压可以通过彼此连接的第一电源线PL1和连接线CNL施加到像素PX。

第一控制线CSL1可以连接到扫描驱动器SDV并且可以经由弯折区BA朝向第二区AA2的下端部延伸。第二控制线CSL2可以连接到发光驱动器EDV并且可以经由弯折区BA朝向第二区AA2的下端部延伸。数据驱动器DDV可以设置在第一控制线CSL1与第二控制线CSL2之间。

第一焊盘区PDA1、第二焊盘区PDA2和第三焊盘区PDA3可以限定在第二区AA2的邻近于第二区AA2的下端部的部分中。第一焊盘区PDA1、第二焊盘区PDA2和第三焊盘区PDA3可以在第二方向DR2上延伸并且可以布置在第二方向DR2上。第一焊盘区PDA1可以设置在第二焊盘区PDA2与第三焊盘区PDA3之间。

第一焊盘PD1可以设置在第一焊盘区PDA1中。数据驱动器DDV、第一电源线PL1、第二电源线PL2、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2可以连接到第一焊盘PD1。

数据线DL1至DLn可以通过数据驱动器DDV连接到相应的第一焊盘PD1。例如，数据线DL1至DLn可以连接到数据驱动器DDV，并且数据驱动器DDV可以连接到分别与数据线DL1至DLn相对应的第一焊盘PD1。

时序控制器T-CON和输入传感器控制器IS-IC可以设置在印刷电路板PCB上。时序控制器T-CON和输入传感器控制器IS-IC中的每一个可以制造为集成电路芯片并且可以安装在印刷电路板PCB上。

第一连接焊盘区CPA1、第二连接焊盘区CPA2和第三连接焊盘区CPA3可以限定在印刷电路板PCB的部分中，其中所述部分邻近于印刷电路板PCB的一侧。第一连接焊盘区CPA1、第二连接焊盘区CPA2和第三连接焊盘区CPA3可以在第二方向DR2上延伸并且可以布置在第二方向DR2上。第一连接焊盘区CPA1可以设置在第二连接焊盘区CPA2与第三连接焊盘区CPA3之间。

第一印刷电路板焊盘PCB-PD1可以设置在第一连接焊盘区CPA1中，第二印刷电路板焊盘PCB-PD2可以设置在第二连接焊盘区CPA2中，并且第三印刷电路板焊盘PCB-PD3可以设置在第三连接焊盘区CPA3中。第一焊盘PD1可以连接到第一印刷电路板焊盘PCB-PD1。第一印刷电路板焊盘PCB-PD1可以连接到时序控制器T-CON。第二印刷电路板焊盘PCB-PD2和第三印刷电路板焊盘PCB-PD3可以连接到输入传感器控制器IS-IC。

时序控制器T-CON可以控制扫描驱动器SDV、数据驱动器DDV和发光驱动器EDV的操作。时序控制器T-CON可以响应于从时序控制器T-CON的外部接收的控制信号产生扫描控制信号、数据控制信号和发光控制信号。

扫描控制信号可以通过第一控制线CSL1提供给扫描驱动器SDV。发光控制信号可以通过第二控制线CSL2提供给发光驱动器EDV。数据控制信号可以提供给数据驱动器DDV。时序控制器T-CON可以从时序控制器T-CON的外部接收图像信号，可以转换图像信号的数据格式以满足与数据驱动器DDV的接口的规格，并且可以将所转换的图像信号提供给数据驱动器DDV。

扫描驱动器SDV可以响应于扫描控制信号产生多个扫描信号。扫描信号可以通过扫描线SL1至SLm施加到像素PX。扫描信号可以顺序地施加到像素PX。

数据驱动器DDV可以响应于数据控制信号产生与图像信号相对应的多个数据电压。数据电压可以通过数据线DL1至DLn施加到像素PX。发光驱动器EDV可以响应于发光控制信号产生多个发光信号。发光信号可以通过发光线EL1至ELm施加到像素PX。

像素PX可以响应于扫描信号接收数据电压。像素PX可以通过响应于发光信号发射具有与数据电压相对应的亮度的光来显示图像。像素PX的发光时间可以通过发光信号控制。

在实施例中，弯折区BA可以弯折以使得第二区AA2可以设置在第一区AA1下方。因此，数据驱动器DDV可以设置在第一区AA1下方，因此对于用户而言是视觉上不可识别的。

图5示出了根据本发明构思的实施例的图4中示出的一个像素PX的截面。

参考图5，像素PX可以设置在基底SUB上并且可以包括晶体管TR和发光二极管OLED。发光二极管OLED可以包括第一电极AE、第二电极CE、空穴控制层HCL、电子控制层ECL和发光层EML。第一电极AE可以是阳极电极，并且第二电极CE可以是阴极电极。发光二极管OLED可以是有机发光二极管，但本发明构思的实施例不限于此。

晶体管TR和发光二极管OLED可以设置在基底SUB上。虽然示出了一个晶体管TR作为示例，但是像素PX可以包括用于驱动发光二极管OLED的多个晶体管和至少一个电容器。

显示区DA可以包括与像素PX相对应的发光区PA和在发光区PA周围的非发光区NPA。发光二极管OLED可以设置在发光区PA中。

基底SUB可以包括柔性塑料基底。例如，基底SUB可以包括透明聚酰亚胺(PI)。缓冲层BFL可以设置在基底SUB上。缓冲层BFL可以是无机层。半导体图案可以设置在缓冲层BFL上。半导体图案可以包括多晶硅。然而，本发明构思的实施例不限于此。例如，根据实施例，半导体图案可以包括非晶硅或金属氧化物。

半导体图案可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。半导体图案的电性能可以依据半导体图案是否被掺杂而变化。半导体图案可以包括重掺杂区和轻掺杂区。重掺杂区的导电率可以大于轻掺杂区的导电率，并且可以基本上用作晶体管TR的源极S和漏极D。轻掺杂区可以基本上对应于晶体管TR的有源区(或沟道)A。

晶体管TR的源极S、有源区A和漏极D可以由半导体图案形成。第一绝缘层INS1可以设置在半导体图案上。晶体管TR的栅极G可以设置在第一绝缘层INS1上。第二绝缘层INS2可以设置在栅极G上。第三绝缘层INS3可以设置在第二绝缘层INS2上。

连接电极CNE可以设置在晶体管TR与发光二极管OLED之间以连接晶体管TR和发光二极管OLED。连接电极CNE可以设置在第三绝缘层INS3上并且可以通过限定在第一绝缘层INS1至第三绝缘层INS3中的第一接触孔CH1连接到漏极D。第四绝缘层INS4可以设置在连接电极CNE上。第五绝缘层INS5可以设置在第四绝缘层INS4上。

在实施例中，连接电极CNE可以是多个连接电极CNE中的一个。稍后将参照图16至图18描述其中提供有多个连接电极CNE的结构。

第一绝缘层INS1至第四绝缘层INS4可以是无机层，并且第五绝缘层INS5可以是有机层。

第一电极AE可以设置在第五绝缘层INS5上。第一电极AE可以通过限定在第四绝缘层INS4和第五绝缘层INS5中的第二接触孔CH2连接到连接电极CNE。暴露第一电极AE的预定部分的像素限定膜PDL可以设置在第一电极AE和第五绝缘层INS5上。暴露第一电极AE的预定部分的开口PX_OP可以限定在像素限定膜PDL中。

空穴控制层HCL可以设置在第一电极AE和像素限定膜PDL上。空穴控制层HCL可以共有地设置在发光区PA和非发光区NPA中。空穴控制层HCL可以包括空穴传输层和空穴注入层。

发光层EML可以设置在空穴控制层HCL上。发光层EML可以设置在与开口PX_OP相对应的区中。发光层EML可以包括有机材料和/或无机材料。发光层EML可以产生红光、绿光和蓝光中的任何一种。

电子控制层ECL可以设置在发光层EML和空穴控制层HCL上。电子控制层ECL可以共有地设置在发光区PA和非发光区NPA中。电子控制层ECL可以包括电子传输层和电子注入层。

第二电极CE可以设置在电子控制层ECL上。第二电极CE可以共有地设置在像素PX中。从缓冲层BFL到发光二极管OLED的第二电极CE的层可以被限定为像素层PXL。

薄膜封装层TFE可以设置在发光二极管OLED上。薄膜封装层TFE可以设置在第二电极CE上并且可以覆盖像素PX。薄膜封装层TFE可以包括设置在像素PX上的第一无机封装层ENI1、设置在第一无机封装层ENI1上的第二无机封装层ENI2以及设置在第一无机封装层ENI1与第二无机封装层ENI2之间的有机封装层ENO。

第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2可以包括无机材料并且可以保护像素免受湿气/氧的影响。有机封装层ENO可以包括有机材料并且可以保护像素PX免受诸如以灰尘颗粒为例的外来物质的影响。

第一电压可以通过晶体管TR施加到第一电极AE，并且低于第一电压的第二电压可以施加到第二电极CE。注入到发光层EML中的空穴和电子可以结合以形成激子，并且当激子跃迁至基态时，发光二极管OLED可以发射光。

图6是根据本发明构思的实施例的图2中示出的输入传感器ISP的平面图。

参考图6，显示装置DD可以包括输入传感器ISP。输入传感器ISP可以包括多个感测电极SE1和SE2、多条线SNL1和SNL2以及多个第二焊盘PD2和第三焊盘PD3。多个感测电极SE1和SE2、多条线SNL1和SNL2以及多个第二焊盘PD2和第三焊盘PD3可以设置在图5中示出的薄膜封装层TFE上。

与图4中示出的显示面板DP一样，输入传感器ISP的平面区可以包括第一区AA1、第二区AA2和弯折区BA。第一区AA1可以包括有源区AA和在有源区AA周围的非有源区NAA。有源区AA可以与显示区DA重叠，并且非有源区NAA可以与非显示区NDA重叠。

有源区AA可以比显示区DA延伸得更远。例如，有源区AA可以朝向输入传感器ISP的下端部在第一方向DR1上比显示区DA延伸得更远。

感测电极SE1和SE2可以设置在第一区AA1中，并且第二焊盘PD2和第三焊盘PD3可以设置在第二区AA2中。线SNL1和SNL2可以连接到感测电极SE1和SE2并且可以经由弯折区BA延伸到第二区AA2。线SNL1和SNL2可以连接到第二区AA2中的第二焊盘PD2和第三焊盘PD3。

第二焊盘PD2和第三焊盘PD3可以分别连接到图4中示出的第二印刷电路板焊盘PCB-PD2和第三印刷电路板焊盘PCB-PD3。图4中示出的输入传感器控制器IS-IC可以控制输入传感器ISP的操作。

感测电极SE1可以包括在第一方向DR1上延伸并且布置在第二方向DR2上的多个第一感测电极SE1，并且，感测电极SE2可以包括在第二方向DR2上延伸并且布置在第一方向DR1上的多个第二感测电极SE2。

第一方向DR1可以对应于列方向，并且第二方向DR2可以对应于行方向。作为示例，图6中示出了设置为三列的第一感测电极SE1和布置为四行的第二感测电极SE2。然而，第一感测电极SE1和第二感测电极SE2的数量不限于此。

线SNL1和SNL2可以包括分别连接到第一感测电极SE1的下端部的多条第一信号线SNL1和连接到第二感测电极SE2的多条第二信号线SNL2。第一信号线SNL1可以连接到第二焊盘PD2，并且第二信号线SNL2可以连接到第三焊盘PD3。

与图4中示出的显示面板DP一样，第一焊盘区PDA1、第二焊盘区PDA2和第三焊盘区PDA3可以限定在输入传感器ISP的第二区AA2的部分中，其中所述部分邻近于第二区AA2的下端部。第二焊盘PD2可以设置在第二焊盘区PDA2中，并且第三焊盘PD3可以设置在第三焊盘区PDA3中。

第一感测电极SE1中的每一个可以包括布置在第一方向DR1上的多个第一感测部分SP1和从第一感测部分SP1延伸的多个延伸单元EXP。延伸单元EXP中的每一个可以设置在第一方向DR1上彼此邻近的两个第一感测部分SP1之间。第一信号线SNL1中的每一条可以连接到设置在第一感测电极SE1之中的相应的第一感测电极SE1的下端部处的第一感测部分SP1。

第二感测电极SE2中的每一个可以包括布置在第二方向DR2上的多个第二感测部分SP2。第二信号线SNL2可以分别连接到第二感测部分SP2。分别连接到设置在相同的行中的第二感测部分SP2的第二信号线SNL2可以在有源区AA与弯折区BA之间彼此连接。因此，设置在相同的行中的第二感测部分SP2可以彼此电连接。

当在平面上观察时，第一信号线SNL1和第二信号线SNL2可以在有源区AA与弯折区BA之间彼此交叉。彼此交叉的第一信号线SNL1和第二信号线SNL2可以设置在不同的层中并且可以彼此绝缘。

在彼此不重叠的情况下，第一感测部分SP1和第二感测部分SP2可以彼此间隔开并且可以彼此交替地设置。静电电容器可以由第一感测部分SP1和第二感测部分SP2形成。第一感测部分SP1和第二感测部分SP2可以包括金属。第一感测部分SP1和第二感测部分SP2可以具有菱形形状，但是第一感测部分SP1和第二感测部分SP2的形状不限于此。

在实施例中，输入传感器ISP可以以互感测模式被驱动。例如，输入传感器控制器IS-IC可以将驱动信号施加到第二感测电极SE2并且可以从第一感测电极SE1接收感测信号。

在实施例中，输入传感器ISP可以以自感测模式被驱动。在这种情况下，输入传感器ISP可以包括多个感测部分和连接到感测部分以与感测部分一一对应的线。当输入传感器ISP以自感测模式被驱动时，驱动信号可以施加到感测部分并且感测信号可以从感测部分输出。

图7示出了根据本发明构思的实施例的图6中示出的一个第一感测部分SP1和一个第二感测部分SP2的配置。

作为示例，图7示出了发光区PA和非发光区NPA以及第一感测部分SP1和第二感测部分SP2。第一个感测部分SP1可以是多个第一感测部分SP1中的一个并且第二感测部分SP2可以是多个第二感测部分SP2中的一个。

参考图7，第一感测部分SP1和第二感测部分SP2可以具有网格形状。例如，第一感测部分SP1和第二感测部分SP2可以各自包括在第一对角线方向DDR1上延伸的多个第一分支部分BP1和在第二对角线方向DDR2上延伸的多个第二分支部分BP2。

第一对角线方向DDR1可以被限定为在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面上在第一方向DR1和第二方向DR2之间的方向。第二对角线方向DDR2可以被限定为在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面上与第一对角线方向DDR1交叉的方向。作为示例，第一方向DR1和第二方向DR2可以彼此形成大约90度角，并且第一对角线方向DDR1和第二对角线方向DDR2可以彼此形成大约90度角。

第一分支部分BP1和第二分支部分BP2可以彼此交叉并且可以彼此一体地形成。具有菱形形状的开口TOP可以由彼此交叉的第一分支部分BP1和第二分支部分BP2限定。第一分支部分BP1和第二分支部分BP2可以被限定为网格线，并且网格线中的每一条的线宽可以是几微米。第一分支部分BP1和第二分支部分BP2可以包括金属。

延伸单元EXP可以具有与第一感测部分SP1一样的网格形状并且可以从第一感测部分SP1延伸。第二信号线SNL2可以具有与第二感测部分SP2一样的网格形状并且可以从第二感测部分SP2延伸。

发光区PA可以具有菱形形状并且可以与开口TOP重叠。第一分支部分BP1和第二分支部分BP2可以与非发光区NPA重叠。图5中示出的发光区PA可以是图7中示出的发光区PA中的一个。

由于第一分支部分BP1和第二分支部分BP2设置在非发光区NPA中，因此在发光区PA中产生的光可以正常地发射而不受第一分支部分BP1和第二分支部分BP2的影响。

图8是根据本发明构思的实施例的沿图7中示出的线I-I’截取的截面图。图9是根据本发明构思的实施例的沿图7中示出的线II-II’截取的截面图。

参考图8和图9，输入传感器ISP可以包括覆盖层Y-OC、折射层HRF、以及第一感测部分SP1和第二感测部分SP2。

覆盖层Y-OC可以设置在薄膜封装层TFE上。例如，覆盖层Y-OC可以设置在薄膜封装层TFE的第二无机封装层ENI2上。覆盖层Y-OC可以包括有机层。覆盖层Y-OC可以直接接触第二无机封装层ENI2的上表面。覆盖层Y-OC也可以被称为绝缘层。

多个开口OP可以限定在覆盖层Y-OC中。当在平面上观察时，开口OP可以与发光区PA重叠。由于上述发光二极管OLED设置在发光区PA中，因此当在平面上观察时，开口OP可以与发光二极管OLED重叠。由于这种结构，在实施例中，覆盖层Y-OC可以设置在非发光区NPA上并且不设置在发光区PA上。

凹陷部分RES可以限定在薄膜封装层TFE的与开口OP中的每一个重叠的部分上。凹陷部分RES可以限定在薄膜封装层TFE的上表面上。由于这种结构，薄膜封装层TFE的与开口OP中的每一个重叠的部分的第一厚度TH1可以小于薄膜封装层TFE的与覆盖层Y-OC重叠的部分的第二厚度TH2。

凹陷部分RES可以限定在第二无机封装层ENI2的与开口OP中的每一个重叠的部分上。凹陷部分RES可以限定在第二无机封装层ENI2的上表面上。第二无机封装层ENI2的与开口OP中的每一个重叠的部分的第一厚度E-TH1可以小于第二无机封装层ENI2的与覆盖层Y-OC重叠的部分的第二厚度E-TH2。

凹陷部分RES可以通过蚀刻第二无机封装层ENI2的与开口OP中的每一个重叠的部分来限定在第二无机封装层ENI2的与开口OP中的每一个重叠的所述部分上。因此，薄膜封装层TFE的与开口OP中的每一个重叠的部分的高度(即第一厚度TH1)可以低于薄膜封装层TFE的与覆盖层Y-OC重叠的部分的高度(即第二厚度TH2)。

覆盖层Y-OC的限定开口OP的侧表面可以被限定为内侧表面IS并且可以具有倾斜表面SLP。倾斜表面SLP中的每一个可以延伸以相对于覆盖层Y-OC的下表面形成锐角。覆盖层Y-OC的下表面可以是面对第二无机封装层ENI2的表面。在实施例中，倾斜表面SLP的上部部分可以形成曲线并且可以朝向覆盖层Y-OC的上表面延伸。在实施例中，内侧表面IS不形成为弯曲形状，而是可以形成为线性形状。

第一感测部分SP1和第二感测部分SP2可以设置在相同的层上。例如，第一感测部分SP1和第二感测部分SP2可以设置在覆盖层Y-OC的上表面上。第一感测部分SP1和第二感测部分SP2可以设置在相同的层中。在实施例中，图7中示出的延伸单元EXP也可以与第一感测部分SP1和第二感测部分SP2设置在相同的层中。因此，第一感测部分SP1和第二感测部分SP2以及图7中示出的延伸单元EXP可以提供为设置在覆盖层Y-OC的上表面上的单层。例如，在实施例中，第一感测部分SP1和第二感测部分SP2可以直接形成在覆盖层Y-OC的上表面上，并且在实施例中，图7中示出的延伸单元EXP也可以与第一感测部分SP1和第二感测部分SP2一起形成在覆盖层Y-OC的的上表面上，从而形成单层。

参考比较示例，当第一感测部分SP1和第二感测部分SP2设置在不同的层中时，输入传感器ISP的厚度可以增加。此外，虽然第一感测部分SP1和第二感测部分SP2设置在相同的层中，但是用于连接第一感测部分SP1的桥可以单独地使用，由此使得感测部分设置在不同的层中。在这种情况下，输入传感器ISP的厚度可以增加。

在本发明构思的实施例中，由于第一感测部分SP1和第二感测部分SP2以及延伸单元EXP设置在覆盖层Y-OC上作为单层，因此输入传感器ISP的厚度可以减小，由此减小显示装置DD的厚度。

折射层HRF可以设置在薄膜封装层TFE上以覆盖覆盖层Y-OC以及第一感测部分SP1和第二感测部分SP2。折射层HRF可以包括有机层。折射层HRF可以具有比覆盖层Y-OC的折射率高的折射率。

覆盖层Y-OC的第一折射率的范围可以从大约1.3到大约1.6。在实施例中，覆盖层Y-OC的第一折射率可以在大约1.4至大约1.55的范围内。覆盖层Y-OC可以包括例如丙烯酸乙基己酯、丙烯酸五氟丙酯、聚(乙二醇)二甲基丙烯酸酯或乙二醇二甲基丙烯酸酯等。

在实施例中，覆盖层Y-OC可以包括具有大约1.5的折射率的丙烯酸基有机材料。在实施例中，覆盖层Y-OC可以由形成薄膜封装层TFE的有机封装层ENO的材料形成。在实施例中，覆盖层Y-OC可以包括环氧基有机材料，并且在一些情况下，可以包括光固化材料。

折射层HRF可以被限定为具有第二折射率的平坦化层。折射层HRF的第二折射率可以在大约1.65至大约1.85的范围内。折射层HRF可以包括例如聚二芳基硅氧烷、甲基三甲氧基硅烷或四甲氧基硅烷等。

在实施例中，折射层HRF可以包括具有大约1.6的折射率的丙烯酸基和/或硅氧烷基有机材料。在实施例中，折射层HRF可以包括用于高折射率的分散颗粒。折射层HRF可以包括金属氧化物颗粒，诸如以氧化锌(ZnO_x)、氧化钛(TiO₂)或氧化锆(ZrO₂)为例。

图10示出了根据本发明构思的实施例的包括图2中示出的显示面板DP和输入传感器ISP的部分的截面。

作为示例，在图10中，示出了第一感测部分SP1，并且部分地示出了显示面板DP。例如，在图10中，图5中示出的电路元件层DP-CL和显示元件层DP-OLED被简化为像素层PXL以被示出为单层。此外，示出了三个发光区PA和在发光区PA中的每一个周围的非发光区NPA。

参考图10，光L可以在像素层PXL中产生。光L可以在发光区PA中产生。例如，光L可以由上述发光二极管OLED产生。光L可以垂直向上行进，但是光L中的一些也可以朝向覆盖层Y-OC行进。

由于折射层HRF的折射率大于覆盖层Y-OC的折射率，因此在折射层HRF与覆盖层Y-OC之间的界面处可能发生全反射。因此，光L的朝向倾斜表面SLP行进的部分可以在从覆盖层Y-OC的倾斜表面SLP被反射之后向上行进。结果，在发光区PA中，正面亮度可以增加。

参考图8和图10，由于薄膜封装层TFE的与发光区PA重叠的部分的第一厚度TH1小于薄膜封装层TFE的与非发光区NPA重叠的部分的第二厚度TH2，因此发光效率可以提高。例如，光L的透射率可以由于第二无机封装层ENI2而提高。

在本发明构思的实施例中，第二无机封装层ENI2的与发光区PA重叠的部分的第一厚度E-TH1可以减小。因此，由于穿过第二无机封装层ENI2的光L的透射率增加，因此发光效率可以提高。

图11示出了根据本发明构思的实施例的图4和图6中示出的弯折区BA以及邻近于弯折区BA的第一区AA1和第二区AA2的截面。图12是根据本发明构思的实施例的图11中示出的限定开口OP的覆盖层Y-OC的平面图。

作为示例，图11示出了输入传感器ISP的第一感测部分SP1，并且图12示出了弯折区BA与第二坝DM2之间的覆盖层Y-OC的平面。

参考图11和图12，与显示面板DP一样，基底SUB可以包括第一区AA1、第二区AA2以及在第一区AA1与第二区AA2之间的弯折区BA，所述第一区AA1包括显示区DA和在所述显示区DA周围的非显示区NDA。

与连接电极CNE设置在相同的层中的多个线图案LIN可以设置在基底SUB上在像素PX周围。线图案LIN可以设置在第三绝缘层INS3上，并且第四绝缘层INS4可以设置在线图案LIN上。在实施例中，与栅极G设置在相同的层中的线图案可以进一步设置在基底SUB上。

线图案LIN可以形成图4中示出的第一控制线CSL1和第二控制线CSL2、数据线DL1至DLn以及电源线PL1和PL2。面板保护膜PPF可以设置在基底SUB下方。在实施例中，面板保护膜PPF未设置在基底SUB的弯折区BA下方。由于面板保护膜PPF未设置在弯折区BA下方，因此弯折区BA可以更容易地弯折。

缓冲层BFL和第一绝缘层INS1至第四绝缘层INS4可以设置在基底SUB的显示区DA中并且可以延伸到基底SUB的非显示区NDA、弯折区BA和第二区AA2。第五绝缘层INS5和像素限定膜PDL可以设置在基底SUB的显示区DA中。像素PX可以设置在基底SUB的显示区DA中。在本文中，诸如“元件设置在基底的某区中”的表述意指该元件在基底SUB上设置在该某区的范围内。

显示面板DP可以包括设置在基底SUB的非显示区NDA中的第一坝DM1和第二坝DM2。第一坝DM1和第二坝DM2可以设置在第四绝缘层INS4上并且可以彼此间隔开。第一坝DM1距离显示区DA可以比第二坝DM2距离显示区DA近。

第一坝DM1和第二坝DM2中的每一个可以包括堆叠在彼此上的多个层。例如，第二坝DM2的高度可以大于第一坝DM1的高度。然而，第二坝DM2的高度和第一坝DM1的高度不限于此。

薄膜封装层TFE可以设置在基底SUB的第一区AA1中。例如，设置在基底SUB的显示区DA中以覆盖像素PX的薄膜封装层TFE可以朝向非显示区NDA延伸。薄膜封装层TFE可以设置在第四绝缘层INS4上以覆盖第一坝DM1和第二坝DM2。

设置在像素PX上的第一无机封装层ENI1可以朝向非显示区NDA延伸。第一无机封装层ENI1可以在第四绝缘层INS4以及第一坝DM1和第二坝DM2上方延伸。第一无机封装层ENI1可以设置在第四绝缘层INS4上以覆盖第一坝DM1和第二坝DM2。

第二无机封装层ENI2可以设置在第一无机封装层ENI1上。当在平面上观察时，有机封装层ENO可以与显示区DA重叠，并且在截面图中，有机封装层ENO可以设置在第一无机封装层ENI1与第二无机封装层ENI2之间。

第一坝DM1和第二坝DM2可以限定其中形成包括有机材料的有机封装层ENO的区。具有流动性的有机材料可以被硬化以形成有机封装层ENO。虽然具有流动性的有机材料朝向非显示区NDA流动，但是有机材料可以被第一坝DM1阻挡。因此，有机封装层ENO可以设置到第一坝DM1。第二坝DM2可以额外地阻挡溢出第一坝DM1的有机材料。

第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2可以在基底SUB的非显示区NDA中彼此接触(例如，直接接触)。例如，第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2可以在显示区DA中通过有机封装层ENO彼此分离开，并且可以在非显示区NDA中彼此直接接触。彼此接触的第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2可以设置为邻近于弯折区BA。

在邻近于弯折区BA的第一区AA1中，第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2可以设置在第四绝缘层INS4上。作为示例，图12将第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2示出为斜线。

第一无机封装层ENI1的邻近于弯折区BA的部分和第二无机封装层ENI2的邻近于弯折区BA的部分中的每一个的第三厚度E-TH3可以小于设置在显示区DA中的第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2中的每一个的厚度。例如，第一无机封装层ENI1的邻近于弯折区BA的部分和第二无机封装层ENI2的邻近于弯折区BA的部分中的每一个的第三厚度E-TH3可以小于第二无机封装层ENI2的与覆盖层Y-OC重叠的部分的第二厚度E-TH2。

作为示例，第二厚度E-TH2可以是大约5000至大约6000埃，并且第三厚度E-TH3可以是大约100至大约500埃。此外，第三厚度E-TH3可以与第一厚度E-TH1不同。第一无机封装层ENI1的邻近于弯折区BA的部分和第二无机封装层ENI2的邻近于弯折区BA的部分的第三厚度E-TH3的总和可以小于第二无机封装层ENI2的第二无机封装层ENI2的与覆盖层Y-OC重叠的部分的第二厚度E-TH2。

为了形成第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2，在基底上可以提供包括无机材料的颗粒。理想地，无机材料可以提供给显示区DA和非显示区NDA的邻近于显示区DA的部分。可以使用用于沉积无机材料的掩模，并且无机材料可以通过掩模的开口提供给显示区DA和非显示区NDA的邻近于显示区DA的部分。

然而，由于工艺误差，无机材料中的一些可能被提供给非显示区NDA的邻近于弯折区BA的部分。例如，无机材料可能提供在掩模的开口的外部，使得在非显示区NDA的邻近于弯折区BA的部分中可能形成非预期的薄膜。

在这种情况下，提供给显示区DA和非显示区NDA的邻近于显示区DA的部分的无机材料可以以正常的厚度沉积，但是提供给非显示区NDA的邻近于弯折区BA的部分的无机材料可以以相对薄的厚度沉积。因此，第三厚度E-TH3可以小于第二厚度E-TH2。

如图8和图10中所示，可以蚀刻第二无机封装层ENI2的与开口OP中的每一个重叠的部分，以使得第二无机封装层ENI2的与开口OP中的每一个重叠的部分的厚度可以是较小的。在这种情况下，第三厚度E-TH3可以与第一厚度E-TH1不同。例如，第三厚度E-TH3可以大于或小于第一厚度E-TH1，或者可以与第一厚度E-TH1大约相同。

覆盖层Y-OC可以设置在第一区AA1中。设置在基底SUB的显示区DA中的覆盖层Y-OC可以延伸到非显示区NDA以邻近于弯折区BA。覆盖层Y-OC可以覆盖第一坝DM1和第二坝DM2。

覆盖层Y-OC可以在显示区DA和非显示区NDA的邻近于显示区DA的部分上提供基本上平坦的上表面。第一感测部分SP1可以设置在覆盖层Y-OC的平坦的上表面上。

因此，第一感测部分SP1可以设置在显示区DA和非显示区NDA的邻近于显示区DA的部分上。结果，与显示区DA相比，输入传感器ISP的有源区AA可以进一步扩展，并且第一感测部分SP1中的一些可以设置在第一坝DM1和第二坝DM2上。

多个第一开口OP1和第二开口OP2可以限定在覆盖层Y-OC的在弯折区BA与第二坝DM2之间的部分中。第一开口OP1可以布置为邻近于第二坝DM2并且沿着第二坝DM2。当在平面上观察时，第一开口OP1可以具有菱形形状。然而，第一开口OP1的形状不限于此。第一开口OP1可以以矩阵形式布置。

第二开口OP2可以邻近于弯折区BA。第二开口OP2可以在一个方向上延伸。第二开口OP2可以沿着第二坝DM2延伸。折射层HRF可以设置在覆盖层Y-OC上以覆盖第一感测部分SP1。折射层HRF可以设置在显示区DA中。折射层HRF可以与弯折区BA间隔开并且可以设置在非显示区NDA中。

第一开口OP1可以设置在第二开口OP2与第二坝DM2之间，并且第二开口OP2可以设置在弯折区BA与第一开口OP1之间。

有机材料可以被硬化以形成折射层HRF。当用于形成折射层HRF的有机材料过多地提供在覆盖层Y-OC上时，具有流动性的有机材料可能朝向弯折区BA流动。在这种情况下，有机材料可以容纳在第一开口OP1和第二开口OP2中并且可以不朝向弯折区BA流动。第一开口OP1和第二开口OP2可以用于阻挡提供在覆盖层Y-OC上的有机材料流到非预期的位置。

图13是示出根据本发明构思的实施例的第一信号线SNL1的连接结构的截面图，其中连接结构将第一信号线SNL1经由图6中示出的弯折区BA延伸到第二区AA2。图14是示出根据本发明构思的实施例的图6中示出的第二焊盘PD2的连接结构的截面图。

参考图13，连接电极CTE可以设置在第一区AA1的非显示区NDA中。连接电极CTE可以与图11中示出的像素PX以及第一坝DM1和第二坝DM2间隔开并且可以设置在非显示区NDA中。

连接电极CTE可以延伸到弯折区BA。连接电极CTE可以经由弯折区BA延伸到第二区AA2。例如，连接电极CTE可以延伸到第二区AA2的邻近于弯折区BA的部分。

连接电极CTE可以设置在第三绝缘层INS3上，并且第四绝缘层INS4可以设置在第三绝缘层INS3上以覆盖连接电极CTE的部分。连接电极CTE可以与图5中示出的连接电极CNE由相同的材料同时地形成，并且可以与连接电极CNE设置在相同的层中。连接电极CTE可以比第一坝DM1和第二坝DM2靠近弯折区BA。

第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2可以在连接电极CTE上方延伸并且可以设置为邻近于弯折区BA。如上所述，设置在连接电极CTE上的第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2中的每一个可以具有第三厚度E-TH3。

连接到第一感测部分SP1的第一信号线SNL1可以连接到连接电极CTE。因此，第一感测部分SP1可以通过第一信号线SNL1电连接到连接电极CTE。

第一信号线SNL1可以通过限定在第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2以及第四绝缘层INS4中的第一接触孔T-CH1连接到连接电极CTE。也就是说，第一感测部分SP1可以通过第一接触孔T-CH1连接到连接电极CTE。

连接线CTL可以设置在第二区AA2中。连接线CTL可以设置在第四绝缘层INS4上。连接线CTL可以通过在第二区AA2的邻近于弯折区BA的部分中限定在第四绝缘层INS4中的第二接触孔T-CH2连接到连接电极CTE。连接线CTL可以朝向图6中示出的第二焊盘PD2延伸。

连接电极CTE和连接线CTL可以是将第一信号线SNL1延伸到弯折区BA和第二区AA2的结构。因此，第一信号线SNL1可以通过连接电极CTE和连接线CTL经由弯折区BA延伸到第二区AA2。

参考图14，连接线CTL可以朝向第二焊盘PD2延伸并且可以连接到第二焊盘PD2。因此，连接电极CTE可以通过连接线CTL电连接到第二焊盘PD2。

第二焊盘PD2可以包括第一焊盘电极PDE1、设置在第一焊盘电极PDE1下方的第二焊盘电极PDE2、以及设置在第二焊盘电极PDE2下方的第三焊盘电极PDE3。第一焊盘电极PDE1可以被限定为连接线CTL的邻近于连接线CTL的端部的部分。

第二焊盘电极PDE2可以与图5中示出的连接电极CNE由相同的材料同时地形成，并且可以与连接电极CNE设置在相同的层中。第三焊盘电极PDE3可以与图5中示出的栅极G由相同的材料同时地形成，并且可以与栅极G设置在相同的层中。在实施例中，可以省略第三焊盘电极PDE3。

第二焊盘电极PDE2可以通过限定在第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3中的第一接触孔P-CH1连接到第三焊盘电极PDE3。第一焊盘电极PDE1可以通过限定在第四绝缘层INS4中的第二接触孔P-CH2连接到第二焊盘电极PDE2。

作为示例，已经描述了图6中示出的第一信号线SNL1和第二焊盘PD2的结构。根据实施例，第二信号线SNL2和第三焊盘PD3也可以具有与第一信号线SNL1和第二焊盘PD2基本上相同的连接结构。

图15A至图15D是示出根据本发明构思的实施例的图13中示出的邻近于弯折区BA的非显示区NDA的截面图，并且在描述图13中使用的覆盖层Y-OC的实现的效果时被参考。

参考图15A，如上所述，当制造显示装置DD时，由于工艺误差，第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2可能提供给非显示区NDA的邻近于弯折区BA的部分。在这种情况下，第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2可以封闭第一接触孔T-CH1。

由于第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2设置在第一接触孔T-CH1中，因此图13中示出的第一信号线SNL1可能不连接到连接电极CTE。为了防止这种情况发生，可以使用作为有机层的覆盖层Y-OC。

参考图15A和图15B，覆盖层Y-OC可以设置在邻近于弯折区BA的第一区AA1中的第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2上。覆盖层Y-OC的与限定在第四绝缘层INS4中的第一接触孔T-CH1重叠的部分可以被去除。因此，第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2的与第一接触孔T-CH1重叠的部分可以被暴露。

参考图15B和图15C，通过去除覆盖层Y-OC而暴露的第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2的部分可以使用覆盖层Y-OC作为掩膜通过干蚀刻方法去除。因此，第一接触孔T-CH1可以限定在覆盖层Y-OC、第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2以及第四绝缘层INS4中。

参考上面描述的图8和图11，第二厚度E-TH2可以大于第三厚度E-TH3，并且设置在连接电极CTE上的第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2的第三厚度E-TH3的总和可以小于第二厚度E-TH2。因此，虽然第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2的邻近于弯折区BA的部分被蚀刻和去除，但是第二无机封装层ENI2的设置在像素PX上并且与开口OP重叠的任何部分都可以不被蚀刻。

参考图15D，在已经去除第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2的与第一接触孔T-CH1重叠的部分之后，第一信号线SNL1可以提供在覆盖层Y-OC上并且可以通过第一接触孔T-CH1连接到连接电极CTE。

图16示出了根据本发明构思的实施例的图1中示出的照相机CAM和照相机CAM的周围的截面。

参考图16，晶体管TR可以通过第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2连接到发光二极管OLED。与图5中示出的结构不同，可以使用两个连接电极CNE1和CNE2。第一连接电极CNE1可以设置在第三绝缘层INS3上，并且第四绝缘层INS4可以设置在第一连接电极CNE1和第三绝缘层INS3上。

第五绝缘层INS5可以设置在第四绝缘层INS4上，并且第二连接电极CNE2可以设置在第五绝缘层INS5上。第六绝缘层INS6可以设置在第二连接电极CNE2和第五绝缘层INS5上。第五绝缘层INS5和第六绝缘层INS6可以是有机层。发光二极管OLED可以设置在第六绝缘层INS6上。

第一连接电极CNE1可以通过限定在第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3中的第一接触孔CH1连接到晶体管TR。第二连接电极CNE2可以通过限定在第四绝缘层INS4和第五绝缘层INS5中的第三接触孔CH3连接到第一连接电极CNE1。第二连接电极CNE2可以通过限定在第六绝缘层INS6中的第二接触孔CH2连接到发光二极管OLED。

孔H可以限定在显示面板DP和输入传感器ISP中，并且照相机CAM可以设置在孔H中。换言之，孔H可以限定在基底SUB中。凹槽GV可以限定于基底SUB的在孔H周围的上表面上。凹槽GV可以是多个凹槽GV中的一个。凹槽GV可以包括第一凹槽GV1和多个第二凹槽GV2。第一凹槽GV1和第二凹槽GV2可以具有围绕孔H的闭合线形状。

第一凹槽GV1和第二凹槽GV2中的每一个可以被限定为从基底SUB的上表面到基底SUB的下部部分压下预定深度。第一凹槽GV1和第二凹槽GV2中的每一个可以通过去除基底SUB的部分来形成。第一凹槽GV1可以邻近于像素PX，并且第二凹槽GV2可以邻近于孔H。

沉积图案ELP可以设置在第一凹槽GV1和第二凹槽GV2中。沉积图案ELP可以与图5中示出的发光二极管OLED的空穴控制层HCL、电子控制层ECL和第二电极CE包括相同的材料，并且可以在形成空穴控制层HCL、电子控制层ECL和第二电极CE时一起形成。例如，第二凹槽GV2中的沉积图案ELP可以被第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2覆盖，第一凹槽GV1中的沉积图案ELP可以被第一无机封装层ENI1、有机封装层ENO和第二无机封装层ENI2覆盖。

在实施例中，沉积图案ELP不与发光二极管OLED连续地设置。沉积图案ELP与发光二极管OLED之间的连续性可以被第一凹槽GV1和第二凹槽GV2阻挡。在实施例中，沉积图案ELP不彼此连续地设置，而是可以设置为彼此间隔开。

为了形成孔H，可以切除显示面板DP的一部分。在切割工艺期间，外部湿气或氧可能通过孔的切割表面被引入到显示面板DP中。当沉积图案ELP从发光二极管OLED延伸并且设置到孔H时，已经通过孔H进入的外部湿气或氧可以通过沉积图案ELP渗透到像素PX中。像素PX可能被这种湿气或氧损坏。

然而，在本发明构思的实施例中，沉积图案ELP与发光二极管OLED间隔开，并且由于沉积图案ELP也彼此间隔开，因此可以阻挡已经通过孔H进入的外部湿气或氧。

坝DM1_1可以设置在基底SUB上位于第一凹槽GV1与邻近于第一凹槽GV1的第二凹槽GV2之间。在实施例中，沉积图案ELP未设置在坝DM1_1上。坝DM1_1可以由缓冲层BFL、第一绝缘层INS1至第六绝缘层INS6、像素限定膜PDL和设置在像素限定膜PDL上的附加间隔件形成。

缓冲层BFL可以设置在基底SUB上位于第二凹槽GV2之间。在实施例中，沉积图案ELP未设置在第二凹槽GV2之间的缓冲层BFL上。

覆盖层Y-OC可以设置在沉积图案ELP上。覆盖层Y-OC可以设置在第一凹槽GV1和第二凹槽GV2上。折射层HRF可以设置在覆盖层Y-OC上。

图17示出了根据本发明构思的实施例的图1中示出的照相机CAM和照相机CAM的周围的截面。

在下文中，将主要描述图17中示出的配置与图16中示出的配置之间的不同之处，并且将省略先前描述的组件和技术方面的进一步描述。

参考图17，多个坝DM2_1和DM2_2可以设置在基底SUB上在孔H周围。坝DM2_1和DM2_2可以包括邻近于像素PX的第一坝DM2_1和邻近于孔H的第二坝DM2_2。第二坝DM2_2可以设置在孔H与第一坝DM2_1之间。

第二坝DM2_2的高度可以大于第一坝DM2_1的高度。例如，第一坝DM2_1可以由第五绝缘层INS5和第六绝缘层INS6以及像素限定膜PDL形成。第二坝DM2_2可以由第五绝缘层INS5和第六绝缘层INS6、像素限定膜PDL以及设置在像素限定膜PDL上的附加间隔件形成。

沉积图案ELP-1可以设置在第一坝DM2_1和第二坝DM2_2上。沉积图案ELP-1可以设置在基底SUB上以覆盖第一坝DM2_1和第二坝DM2_2。

沉积图案ELP-1可以与图5中示出的发光二极管OLED的空穴控制层HCL和电子控制层ECL包括相同的材料，并且可以在形成空穴控制层HCL和电子控制层ECL时一起形成。沉积图案ELP-1可以被第一无机封装层ENI1和第二无机封装层ENI2覆盖。覆盖层Y-OC可以设置在第一坝DM2_1、第二坝DM2_2和沉积图案ELP-1上。

沉积图案ELP-1可以与发光二极管OLED分离开。此外，沉积图案ELP-1可以在第一坝DM2_1与第二坝DM2_2之间以及孔H与第二坝DM2_2之间彼此分离和间隔开。在实施例中，沉积图案ELP-1不与发光二极管OLED连续地设置，并且沉积图案ELP-1也不彼此连续地设置。因此，可以阻挡已经通过孔H进入的外部湿气或氧。

图18示出了根据本发明构思的实施例的图1中示出的照相机CAM和照相机CAM的周围的截面。图19是示出根据本发明构思的实施例的图18中示出的一个金属图案的放大图。

在下文中，将主要描述图18中示出的配置与图16中示出的配置之间的不同之处，并且将省略先前描述的组件和技术方面的进一步描述。

参考图18，第一坝DM2_1和第二坝DM2_2可以设置在基底SUB上在孔H周围。由于第一坝DM2_1和第二坝DM2_2的结构与图17中示出的第一坝DM2_1和第二坝DM2_2的结构相同，因此将省略对其的进一步解释。

多个金属图案MP可以设置在基底SUB上在孔H周围。金属图案MP可以设置在第一坝DM2_1与像素PX之间。金属图案MP可以设置在第三绝缘层INS3上。金属图案MP可以通过与第一连接电极CNE1用相同的材料同时地图案化而形成。

多个沉积图案ELP-2可以设置在金属图案MP上。沉积图案ELP-2可以与图5中示出的发光二极管OLED的空穴控制层HCL、电子控制层ECL和第二电极CE包括相同的材料，并且可以在形成空穴控制层HCL、电子控制层ECL和第二电极CE时一起形成。沉积图案ELP-2可以被第一无机封装层ENI1、第二无机封装层ENI2和有机封装层ENO覆盖。

覆盖层Y-OC可以设置在第一坝DM2_1和第二坝DM2_2以及沉积图案ELP-2上。

多个子沉积图案ELP-2’可以设置在金属图案MP之间。子沉积图案ELP-2’可以与沉积图案ELP-2间隔开。在实施例中，子沉积图案ELP-2’与沉积图案ELP-2不连续，而是可以与沉积图案ELP-2分离开。沉积图案ELP-2可以彼此分离和间隔开。子沉积图案ELP-2’可以彼此分离和间隔开。

参考图19，金属图案MP可以包括第一金属层TI1、设置在第一金属层TI1上的第二金属层AL、以及设置在第二金属层AL上的第三金属层TI2。

第一金属层TI1可以包括钛，第二金属层AL可以包括铝，并且第三金属层TI2可以包括钛。基于水平方向，第一金属层TI1和第三金属层TI2中的每一个的宽度可以大于第二金属层AL的宽度。

沉积图案ELP-2可以设置在第三金属层TI2上。基于水平方向，沉积图案ELP-2的宽度可以大于第二金属层AL的宽度。

子沉积图案ELP-2’可以与沉积图案ELP-2由相同的材料形成。例如，子沉积图案ELP-2’可以包括与图5中示出的发光二极管OLED的空穴控制层HCL、电子控制层ECL和第二电极CE由相同的材料形成的第一子层HCL1、第二子层ECL1和第三子层CE1。

子沉积图案ELP-2’可以设置在第三金属层TI2下方并且可以设置为邻近于第二金属层AL的侧表面。子沉积图案ELP-2’可以与第二金属层AL的侧表面接触(例如，直接接触)。

子沉积图案ELP-2’的第一子层HCL1和第二子层ECL1可以与第二金属层AL的侧表面接触(例如，直接接触)，并且子沉积图案ELP-2’的第三子层CE1可以与第二金属层AL的侧表面间隔开。在实施例中，子沉积图案ELP-2’不与沉积图案ELP-2连续地设置以与沉积图案ELP-2分离开。

参考图18和图19，在实施例中，沉积图案ELP-2和子沉积图案ELP-2’不与发光二极管OLED连续地设置。由于沉积图案ELP-2和子沉积图案ELP-2’彼此分离和间隔开，因此可以阻挡已经通过孔H进入的外部湿气或氧。

参考比较示例，显示装置中的像素的发光效率可能由于各种因素而降低。此外，从像素产生的光可以行进到显示装置的左侧和右侧以及显示装置的正面。如上所述，本发明构思的实施例可以提高发光效率和正面亮度。

根据本发明构思的实施例，由于输入传感器的感测电极作为单层提供给显示装置，因此可以减小显示装置的厚度。

根据本发明构思的实施例，由于薄膜封装层的与发光区中的每一个重叠的部分的厚度小于薄膜封装层的与非发光区重叠的部分的厚度，因此可以提高显示装置的发光效率。

根据本发明构思的实施例，由于光从覆盖层的侧表面反射并且向上行进，所述覆盖层设置在像素上并且限定与发光区中的每一个重叠的开口，因此可以提高显示装置的正面亮度。

虽然已经参照本发明构思的实施例具体地示出和描述了本发明构思，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利范围限定的本发明构思的精神和范围的情况下，可以在其中作出形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：

基底；

像素，设置在所述基底上；

薄膜封装层，设置在所述像素上；

覆盖层，设置在所述薄膜封装层上，并且在所述覆盖层中限定有开口；以及

感测部分，设置在所述覆盖层上，

其中，凹陷部分限定在所述薄膜封装层的与所述开口重叠的上表面上。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：

折射层，设置在所述薄膜封装层上，

其中，所述折射层覆盖所述覆盖层和所述感测部分，

其中，所述折射层具有比所述覆盖层的折射率高的折射率，并且

其中，所述覆盖层和所述折射层包括有机层。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当在平面上观察时，所述像素包括与所述开口重叠的发光二极管，

其中，所述基底包括：

第一区，包括显示区和在所述显示区周围的非显示区；

第二区；以及

弯折区，在所述第一区与所述第二区之间，并且

其中，所述薄膜封装层设置在所述第一区中，并且所述像素设置在所述显示区中。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：

第一坝和第二坝，所述第一坝和所述第二坝设置在所述非显示区中并且彼此间隔开；和

连接电极，设置为比所述第一坝和所述第二坝靠近所述弯折区，

其中，所述第一坝比所述第二坝靠近所述显示区，所述感测部分连接到所述连接电极，所述连接电极经由所述弯折区延伸到所述第二区，在所述覆盖层的设置在所述弯折区与所述第二坝之间的部分中限定有多个第一开口和第二开口，并且所述第一开口设置在所述第二开口与所述第二坝之间，并且所述第二开口设置在所述弯折区与所述第一开口之间。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述薄膜封装层包括：

第一无机封装层，设置在所述像素上并且在所述第一坝和所述第二坝以及所述连接电极上方延伸；

第二无机封装层，设置在所述第一无机封装层上；以及

有机封装层，与所述显示区重叠并且设置在所述第一无机封装层与所述第二无机封装层之间，

其中，所述覆盖层设置在所述第二无机封装层上。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述感测部分通过限定在所述覆盖层以及所述第一无机封装层和所述第二无机封装层中的接触孔连接到所述连接电极，并且

其中，所述覆盖层以及所述第一无机封装层和所述第二无机封装层设置为邻近于所述弯折区。

7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述凹陷部分限定在所述第二无机封装层的与所述开口重叠的上表面上。

8.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二无机封装层的与所述开口重叠的部分的第一厚度小于所述第二无机封装层的与所述覆盖层重叠的部分的第二厚度，并且

其中，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层的设置在所述连接电极上的部分中的每一个的第三厚度小于所述第二厚度并且与所述第一厚度不同。

9.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述感测部分是多个感测部分中的一个，并且所述多个感测部分设置在所述显示区和邻近于所述显示区的所述非显示区中。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：

孔，限定在所述基底中；和

多个沉积图案，设置在凹槽中，所述凹槽限定于所述基底的在所述孔周围的上表面上，

其中，所述覆盖层设置在所述沉积图案上，并且所述沉积图案彼此分离和间隔开。

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