CN114521296A - 发光二极管阵列 - Google Patents

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Abstract

一种制造发光二极管(LED)阵列的方法，该方法包括：形成多个半导体材料层(100、101、103)；在该多个层上形成介电掩模层(104)，该介电掩模层具有穿过其的孔(106)的阵列，每个孔使半导体材料层中的一个半导体材料层的一区域暴露；以及在每个孔中生长LED结构(110、112、114)，该LED结构布置为发射在一波长范围内的光。多个层中的至少一些(101)形成分布式布拉格反射器(DBR)，该分布式布拉格反射器布置成反射所述波长范围中的至少一些波长的光。

Description

发光二极管阵列
技术领域
本发明涉及发光二极管(LED)阵列以及制造LED阵列的方法。具体地但非排他地，其涉及微米尺度的LED阵列。
背景技术
对于开发微米尺度的三族氮化物(Group III-nitride)发光二极管(LED)存在显著增加的需求，即，作为用于新一代显示器和可见光通信(VLC)应用的关键部件的微型尺寸LED(μLED)。与有机发光二极管(OLED)和液晶显示器(LCD)相比，三族氮化物μLED展示出用于显示器应用的许多独特特征。与LCD不同，其中μLED是主要部件的三族氮化物微型显示器是自发光的。使用μLED的单色显示器展示出高分辨率、高效率和高对比度。OLED通常在比半导体LED低几个数量级的电流密度下操作以保持合理的寿命。因此，OLED的亮度相当低，对于全色显示器通常为3000cd/m2，而三族氮化物μLED展示出高于105cd/m2的高亮度。当然，与OLED相比，三族氮化物μLED本质地展示出长的操作寿命和化学稳健性。因此，期望的是，在不久的将来，在宽范围的应用中，诸如智能电话，三族氮化物μLED可以潜在地代替LCD和OLED用于高分辨率和高亮度显示。除了显示器应用之外，由于与大面积LED相比减小的尺寸，μLED展示出显著减小的结电容，并且因此在VLC应用中潜在地引起具有GHz调制带宽的高速传输。目前，通过在标准三族氮化物LED晶片上组合标准光刻技术和随后的干法蚀刻工艺来专门制造三族氮化物μLED，这类似于具有300μm×300μm或甚至更大尺寸的典型装置面积的常规大面积LED的制造。大面积LED和μLED之间的装置制造中的唯一主要区别是由于装置尺寸。典型地，μLED的直径在从50μm下至几微米的范围内。例如，在以下内容中描述了现有技术：Z.Y.Fan、J.Y.Lin和H.X.Jiang，J.Phys.D：应用物理快报(Appl.Phys.)41，094001(2008)；H.X.Jiang和J.Y.Lin，光学快报(Optical Express)21，A476(2013)；以及J.Day、J.Li、D.Y.C.Lie、C.Bradford、J.Y.Lin和H.X.Jiang，应用物理快报(Appl.Phys.Lett)99，031116(2011)。
目前，由于所谓的串扰，在将当前的μLED用于VLC应用时存在主要挑战。当单个μLED照亮时，相邻的μLED和区域看起来同时照亮，从而产生串扰。例如，对于使用微型像素化μLED阵列作为发射器的多通道VLC系统来说，当从单个μLED沿着光通道向下发送信号时，相邻通道可能由于光串扰而承载相同的信号。产生串扰的机制是复杂的，并且仍然不是非常清楚。一般而言，已接受两种主要机制来负责这种串扰问题，如在以下内容中描述的：H-YLin、C-W Sher、D-H Hsieh、X-Y Chen、H-M Philip Chen、T-M Chen、K-M Lau、C-H Chen、C-CLin和H-C Kuo，光子学研究(Photonics Research)5，411(2017)；以及K.H.Li、Y.F.Cheung、W.S.Cheung和H.W.Choi，应用物理快报(Appl.Phys.Lett)107，171103(2015)。首先，μLED的发射机制是由于自发发射过程，这意味着从μLED发射的光分布在所有方向上。μLED的间距(即，像素)通常在从几微米至10微米范围内的尺度内。因此，可以预期的是，从一个μLED的侧壁发射的光与来自相邻μLED的光相互作用，从而导致干扰并且然后串扰。其次，即使阵列配置中的所有μLED的侧壁由不透明涂层完全覆盖，这意味着从μLED的侧壁发射的光应当被完全阻挡，但是串扰问题仍然存在。这意味着存在从一个μLED发射的光可以到达相邻μLED的另一个通道。
三族氮化物LED通常生长在蓝宝石上。GaN的折射率大于1(空气的折射率为1)，但小于蓝宝石的折射率，从而自然形成在夹在空气和蓝宝石之间的GaN层中的波导。由于全内反射(TIR)效应，只有小部分发射(大约6％)可以从GaN表面朝向顶部被提取到空气中，而其余大部分发射(大约66％)由于TIR被困在GaN层中。这由斯涅耳定律确定。对于μLED阵列，只有小部分发射从顶表面提取并且发散到具有由斯涅尔定律确定的有限立体角的发射锥中，而在激活区域下方，由于TIR，从激活区域向下发射的大部分发射将被限制在激活区域下方的GaN层内。因此，来自所有μLED的这些受限制的发射将在用作波导的GaN(也可能是蓝宝石)内传送。因此，来自所有μLED的发射将通过GaN波导形成相互作用或干扰。这对应于来自μLED的发射的主要部分，因此主导串扰问题。
发明内容
本发明提供一种制造发光二极管(LED)阵列的方法，该方法包括：形成多个半导体材料层；在该多个层上形成介电掩模层，该介电掩模层具有穿过其的孔的阵列，每个孔使半导体材料层中的一个半导体材料层的一区域暴露；以及在每个孔中生长LED结构，该LED结构布置为发射在一波长范围内的光，其中，该多个层中的至少一些形成分布式布拉格反射器(DBR)，该分布式布拉格反射器布置成反射所述波长范围中的至少一些波长的光。
所述多个层中的至少一个可以形成将LED结构中的至少一些连接在一起的电接触层。电接触层可以形成在DBR和介电层之间。接触层可以是半导体层的上部层。电接触层可以由掺杂的半导体材料形成，例如n掺杂的三族氮化物材料，例如n-GaN。
形成DBR可包括形成至少5对层，或者优选地至少10对层，每对包括第一材料的第一层和第二材料的第二层，其中，每对中的两个层展示出不同的折射率。例如，第一材料和第二材料均可以包括三族氮化物材料，但是具有不同的成分，例如不同的铝含量，从而导致折射率的对比度。
每对层中的一个层可以由掺杂的半导体材料(诸如n-GaN)形成，该掺杂的半导体材料可以被电化学蚀刻成多孔性的，并且因此展示出比GaN的折射率低得多的折射率。每对层中的另一个层可以由未掺杂的半导体材料形成，其在电化学蚀刻过程期间保持不受影响。
LED结构可生长在半导体层的上部层的暴露区域上。生长大致将在向上方向上，这是因为将不会发生从孔的介电侧壁的生长。因此，LED结构在孔内的向上生长可以产生分层的LED结构，其中每个层大致为平坦或平面的，并且具有基本上恒定的厚度。
半导体层可形成在例如三族氮化物(诸如GaN)或蓝宝石、硅(Si)、碳化硅(SiC)或玻璃的衬底上。
在每个孔中生长LED结构的步骤可包括生长n型层。在每个孔中生长LED结构的步骤可以包括在每个孔中生长前层。在每个孔中生长LED结构的步骤可包括在每个孔中生长至少一个激活层。在每个孔中生长LED结构的步骤可包括在每个孔中生长p型层。至少一个激活层可以包括至少一个量子阱层，并且可以包括多个量子阱层。这些层可由例如InGaN或其他合适的三族氮化物材料形成。例如，前层可以是具有低铟含量和＜100nm的典型厚度的InGaN层或者是具有低铟含量的InGaN/GaN超点阵(超点阵的总厚度典型地小于300nm)。n型层和p型层也可以是三族氮化物材料，诸如GaN、InGaN或AlGaN。
因为每个LED结构在相应的一个孔中生长，所以每个LED结构由均具有相同截面面积的多个层形成，该截面面积等于在LED结构在其中生长的孔的截面面积。
至少一个激活层可具有在介电层的顶部下方的上表面。在仅存在一个量子阱层的情况下，上表面是该量子阱层的上表面。在存在多个量子阱层的情况下，上表面是最上部的量子阱层的上表面。向上方向可以被限定为半导体层和/或LED结构的生长方向。
形成介电掩模层的步骤可以包括：生长介电材料层；以及将孔的阵列蚀刻到介电材料层中。可替代地，可围绕区域生长介电层，该区域则例如在介电层生长期间使用掩模形成孔。
该方法还可以包括在每个孔中生长LED结构之前蚀刻半导体层的每个暴露区域。
该接触层可以是掺杂的。例如，其可包括n型或p型三族氮化物材料的单个层。可替代地，该接触层可以包括第一和第二子层，其中在它们之间的异质界面布置成在该异质界面处形成二维电荷载体气。子层可形成缓冲层和势垒层。二维电荷载体气可以例如是二维电子气(2DEG)。还可以使用二维空穴气(2DHG)，但是其典型地具有较低的电荷载流子密度和/或迁移率。众所周知，例如包括GaN的层和AlGaN或InGaN的层、或者更一般地具有不同Al含量的AlGaN的两个层或者具有不同In含量的InGaN的两个层的异质结构可以在两个层之间的界面处形成2DEG，其中2DEG中的电子密度随着包括AlGaN层的Al含量或InGaN层的In含量的多个因素而变化。可以使用具有相同效果的其他三族氮化物异质界面。
本发明还提供一种LED阵列，其包括：多个半导体层；介电层，在半导体层上延伸，并且具有延伸穿过该介电层并布置为发射在一波长范围内的光的LED结构的阵列，其中，多个层中的至少一些形成分布式布拉格反射器(DBR)，该分布式布拉格反射器布置为反射所述波长范围中的至少一些波长的光。
电接触层可以位于DBR和介电层之间。这具有以下优点：为LED供电的电流不流经DBR结构，因此DBR结构不需要是导电的。
LED阵列还可包括形成在接触层上的电极。
所述方法或LED阵列还可以以任何可行的组合包括现将参考附图描述的本发明的优选实施例的任何一个或多个特征。
附图说明
图1a示出了在根据本发明的第一实施例的过程中形成的原生模板；
图1b示出了图1a的模板，其中在该模板的掩模层中形成有掩模图案；
图1c示出了图1a的模板，其中微型LED生长在掩模层的孔中以形成LED阵列；
图1d示出了图1c的LED阵列，其中在其上形成有电触点；
图2是穿过图1d的LED阵列的模板的LED结构的截面；
图3是穿过图1d的LED阵列的DBR形成部分的示意性截面；以及
图4是图3的DBR的反射率曲线。
具体实施方式
参考图1a，三族氮化物或其他适当的半导体的下部半导体层100(例如，标准未掺杂GaN(u-GaN)层)最初生长在衬底102上。衬底102可以是GaN衬底，或者可以是诸如蓝宝石、硅(Si)、碳化硅(SiC)或者甚至玻璃的任何异质衬底。下部半导体层100可以通过使用金属有机物气相外延(MOVPE)或分子束外延(MBE)的任何标准GaN生长方法或者任何其他合适的生长技术来生长。多个其他层101生长在下部层100上。这些层被布置成形成分布式布拉格反射器(DBR)，其中存在两种不同材料的交替层，如下文将更详细描述。上部半导体层103生长在DBR层101上。该层103布置成形成用于LED装置的电接触层，并且该层可例如为n型GaN(n-GaN)。该接触层可以具有从50nm至10μm的厚度。介电层104(诸如二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)或任何其他合适的介电材料)通过PECDV或任何其他合适的沉积技术沉积在上部半导体层103上。介电层的厚度可在20nm至500μm的范围内。
参考图1b，随后在介电层104中形成孔106的阵列。孔106典型地为微米尺度，因此称为微型孔。这可以通过光刻技术以及随后的蚀刻工艺(其可以是干法蚀刻或湿法蚀刻)来完成。在形成微型孔106的过程中，介电层104被向下蚀刻穿过其整个厚度至上部半导体层103的上表面。如果孔106是圆形的，则它们可以具有从1μm至500μm的直径，并且节距(即，相邻微型孔的中心之间的距离)可以为例如从5μm至500μm。可以使用作为掩模的剩余的介电层104执行仅在微型孔区域内的上部半导体层103的进一步蚀刻。取决于n-GaN层厚度，n-GaN蚀刻深度可以从零(意味着没有GaN蚀刻)到10μm。典型地，对于上部半导体层103，最佳的蚀刻方法或条件将不同于介电层104。例如，SF6蚀刻剂可以用于蚀刻介电层104，但是将不会蚀刻n-GaN层100。因此，完全蚀刻穿过介电层104并且停止在上部半导体层103的上表面处是易于实现的。这对于在孔106中生长的LED结构的质量也是有利的。
在所示实施例中，孔106具有圆形截面，但也可使用其他截面，例如椭圆形或方形。
接下来，参考图1c，标准的三族氮化物LED结构在上部半导体层103的暴露区域上生长。然而，因为仅有上部半导体层103的离散区域通过介电层或掩模中的微型孔106露出，所以LED结构被形成为由微型孔106之间的介电层104的剩余部分分隔开的离散LED108的阵列。LED结构108通过MOVPE或MBE技术或者任何其他合适的生长技术来生长。生长从上部层103的GaN(或其他半导体)的暴露区域向上发生，而不是从孔106的侧壁发生。因此，分层的LED结构可以在每个孔106的内部构建，其中每个层基本上是平坦的或平面的。LED结构可以包括n-GaN层110、InGaN前层、激活区域112、作为阻挡层的薄的p型AlGaN层(未示出)，然后是最终的p掺杂GaN层114。激活区域112可以包括基于InGaN的多个量子阱(MQW)。例如，前层可以是具有低铟含量和＜100nm的典型厚度的InGaN层或者是具有低铟含量的InGaN/GaN超点阵(superlattice)(超点阵的总厚度典型地小于300nm)。下面参考图2更详细地描述LED结构的实例。如上所述，由于介电掩模104，LED结构可以仅在微型孔106内生长，如图1c中所示，从而形成μLED阵列。
重要的是，InGaN MQW 112的最上部层不应在介电层104的上表面上方延伸，在模板制造成最终的μLED阵列之后，这可能导致短路效应。同样重要的是，在每个微型孔区域内的过度生长的n-GaN 110直接接触在介电掩模104下方的并在模板的未蚀刻部分内的上部半导体层103，使得所有单独的μLED通过介电掩模104下方的未蚀刻部分的上部半导体层103彼此电连接。
参考图1d，一旦完成LED阵列结构，就实施进一步的装置制造，这包括形成用于阵列的电触点。例如，上部接触层116可以形成在介电掩模层104上并且在单独的微型LED装置108的上部p-GaN层上。上部接触层116因此形成用于所有LED装置108的p触点。这可以是用于所有LED装置108的公共p接触层，或者可以形成为多个分离的区域，每个分离的区域接触一个或多个LED装置的相应组，并且具有形成在其上的单独的触点。这允许LED装置108成组地切换，从而形成可寻址阵列。上部接触层116可以由ITO或Ni/Au合金形成。然后阳极118可以形成在P接触层116上。例如，介电层104的一部分可被蚀刻掉，并且随后在被蚀刻的介电层区段上的LED结构的一部分也可被向下蚀刻到上部半导体层103，从而露出n-GaN上部半导体层103的区域122和形成在n-GaN的该暴露区域122上的阴极120。
在图1d所示的完成结构中，光从每个LED108沿所有方向发射，但是DBR将反射向下发射的光，从而大幅增加向上发射的光的比例。通常，DBR结构显示出非常高的反射率，通常高于90％。因此，这将显著地增强提取效率，这意味着将从表面提取来自单独的微型LED的发射的主要部分，而在理想情况下以下两者将减少或甚至消除：从微型LED的侧壁发射的发射部分；以及在激活区域下方被限制在作为波导的GaN中的发射部分。通过适当的设计(诸如通过适当地设计微型LED的层厚度和微型LED的节距)，由于光子晶体效应(参考光子晶体：模制光的流动(Photonic Crystals:Molding the Flow of Light)，J.D.Joannopoulos，R.D.Meade，J.N.Winn，S.G.Johnson，普林斯顿大学出版社(PrincetonUniversity Press)，1995)和微腔效应，可以获得接近100％的提取效率。因此可以显著减少或基本上消除串扰。
应当理解，可以对上述实施例进行各种修改。例如，在一个修改中，颠倒结构，其中p-GaN层生长在衬底上且由介电层覆盖，并且然后首先形成LED装置108的p-GaN层，接着形成多个量子阱层，再接着形成n-GaN层。然后在介电层的顶部上形成n-接触层代替p-接触层，并且阳极和阴极的位置颠倒。
在图1a至图1d的配置中，微型孔106内的过度生长的n-GaN 110必须匹配介电掩模104下方的n-GaN上部半导体层103的未蚀刻部分的n-GaN，使得所有单独的μLED 108通过n-GaN层103彼此电连接。代替使用介电掩模104下方的未蚀刻的n-GaN部分的n-GaN作为电连接通道，在另一实施例中，将在异质结处具有二维电子气(2DEG)的三族氮化物异质结构用作半导体层，而不用n-GaN层。在该实施例中，使用标准AlGaN/GaN HEMT结构。在高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的GaN缓冲和AlGaN势垒之间的界面处形成的具有高载片密度和高电子迁移率的电子气(2DEG)被用作电连接的通道。
为了制造这种装置，标准的AlGaN/GaN HEMT结构生长在DBR层之上。例如，形成缓冲层的GaN层可以在DBR层上生长，然后形成势垒层的AlGaN层在GaN层上生长。该结构在本文中称为“原生HEMT模板”。随后，通过使用PECVD或任何其他合适的沉积技术将介电层(诸如SiO2或SiN或任何其他介电材料，例如具有在2nm至500μm范围内的厚度)沉积在原生HEMT模板上。所得结构将与图1a中所示的结构相同，但HEMT结构取代了上部半导体层103。之后，通过光刻技术，然后通过蚀刻工艺(可以是干法蚀刻或湿法蚀刻)，将介电层向下蚀刻至HEMT结构的表面，以在介电层中形成微型孔阵列，其中微型孔直径可以从1μm至500μm，并且相邻孔中心之间的节距可以在5μm至500μm的范围内。可以使用介电层的剩余区域作为掩模来执行对微型孔区域内的原生HEMT的进一步蚀刻。根据原生HEMT模板的AlGaN势垒位置，原生HEMT蚀刻深度可以从零(意味着没有任何蚀刻)到10μm。然而，总体上，蚀刻将向下延伸至少远至在原生HEMT结构的两个层之间的异质界面，以便在每个LED结构与2DEG之间提供良好的电接触。
接下来，通过MOVPE或MBE技术或者任何其他外延技术(例如，如以上参考图1c所描述的)以及提供的触点(例如，如以上参考图1d所描述的)将标准三族氮化物LED结构生长在具有微型孔特征的介电掩模图案的HEMT模板上。与图1a至图1d的实施例一样，重点是InGaNMQW 212的上表面应当在介电层204的上表面下方，以便在制成最终的μLED阵列之后避免短路效应。
参考图2，图1a至图1d的LED阵列中的LED结构可以具有任何适当的结构，但是在一个实例中，它们可以包括n-GaN层210、形成在n-GaN层210上的InGaN前层216、形成在前层216上的多个InGaN量子阱层212、例如p-AlGaN的p掺杂阻挡层218以及随后的p-GaN层214。应当理解，该结构可以以多种方式改变。如上所述，优选的是，量子阱层212中的最上部一个的顶部在介电层的顶部的下方。同样优选的是，阻挡层218的顶部也在介电层的顶部的下方。
参考图3，如上所述，DBR层101包括具有不同折射率的两种不同材料的交替层101a、101b，使得来自LED的光在层101之间的界面处被反射。DBR的原理是众所周知的，因此将不再详细描述，但是层101a、101b具有大约相等的厚度，并且该厚度大约是待反射的光的波长(在DBR层的材料中)的四分之一，从而产生反射光的相长干涉和透射光的相消干涉。
DBR结构101可以基于Al(Ga)N/GaN系统，这意味着多对交替的Al(Ga)N和GaN层通过MOVPE或MBE或者任何其他生长技术生长。可替代地，DBR结构可包括多对交替的GaN和纳米多孔GaN层。为了产生该结构，多对交替的n掺杂GaN层和未掺杂GaN层可以通过MOVPE或MBE或者任何其他生长技术来制备，然后进行标准电化学(EC)蚀刻。EC蚀刻的机制基于在阳极偏压下氧化过程和随后在酸性溶液中的溶解过程的组合，如在以下内容中描述的：Y.Hou、Z.Ahmed Syed、L.Jiu、J.Bai和T.Wang，应用物理快报(Appl.Phys.Lett)111，203901(2017)。在正阳极偏压下，注入电流将流过导电的n-掺杂GaN部分，导致n-掺杂GaN氧化，然后将氧化层化学溶解在酸性电解质中，从而将n-掺杂GaN转换成纳米多孔GaN。因此，由于其良好的导电性，可仅对n型GaN执行EC蚀刻，而不导电的未掺杂GaN保持未蚀刻。
参考图4，DBR的反射率是波长的函数，但是典型地，DBR可以被布置为具有相对宽的波长范围，即阻带400，在该阻带上几乎实现了全反射。对于Al(Ga)N/GaN DBR或GaN和纳米多孔GaN DBR，可以调节阻带以覆盖从红外线到整个可见光再到紫外线的宽光谱范围。反射率也是光在DBR上的入射角的函数，但是在上述LED阵列中，DBR的主要功能是将向下发射的光经过180°反射回向上方向上，因此DBR可以被设计成实现这一点。
DBR的反射率随着层101a、101b的对的数量的增加而增加。因此，DBR结构可具有至少5对层，更优选至少10对层。
LED 108中的每个将发射在一波长范围内的光。此外，该波长范围可通过选择LED108的截面面积来选择。例如，已经表明，如果如上所述生长的LED的直径大约为30μm，那么该LED在光谱的红色部分中具有峰值波长，如果其直径大约为20μm，那么其在光谱的绿色部分中具有峰值波长，并且如果其直径大约为10μm，那么其在光谱的蓝色部分中具有峰值波长。如果LED全部具有相同的电致发光光谱，那么DBR可以被布置成具有以LED的峰值波长为中心或至少包括LED的峰值波长的阻带。如果LED被设计成具有不同的电致发光光谱且具有不同的峰值波长，那么DBR可以优化成为不同的LED提供最佳的整体反射率。

Claims (15)

1.一种制造发光二极管(LED)阵列的方法，所述方法包括：形成多个半导体材料层；在所述多个层上形成介电掩模层，所述介电掩模层具有穿过其的孔的阵列，每个孔使所述半导体材料层中的一个半导体材料层的一区域暴露；以及在每个孔中生长LED结构，所述LED结构布置成发射在一波长范围内的光，其中，所述多个层中的至少一些形成布置成反射所述波长范围中的至少一些波长的光的分布式布拉格反射器(DBR)。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个层中的至少一个形成将所述LED结构中的至少一些连接在一起的电接触件。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述电接触件形成在所述DBR和所述介电层之间。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述电接触件由掺杂的半导体材料形成。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，形成所述DBR包括形成至少两对层，每对层包括第一材料的第一层和第二材料的第二层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，每对层中的一个层由掺杂的半导体材料形成且被电化学蚀刻以增加其多孔性。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，每对层中的另一个层由未掺杂的半导体材料形成。
8.一种LED阵列，包括：多个半导体层；介电层，在所述半导体层上延伸并且具有LED结构的阵列，所述LED结构延伸穿过所述介电层并布置成发射在一波长范围内的光，其中，所述多个层中的至少一些形成布置成反射所述波长范围中的至少一些波长的光的分布式布拉格反射器(DBR)。
9.根据权利要求8所述的LED阵列，其中，所述多个层中的至少一个形成将所述LED结构中的至少一些连接在一起的电接触层。
10.根据权利要求9所述的LED阵列，其中，所述电接触层在所述DBR和所述介电层之间。
11.根据权利要求9或10所述的LED阵列，还包括形成在所述接触层上的电极。
12.根据权利要求8至11中任一项所述的LED阵列，其中，所述电接触层包括掺杂的半导体材料。
13.根据权利要求8至12中任一项所述的LED阵列，其中，所述DBR包括至少两对层，每对层包括第一材料的第一层和第二材料的第二层。
14.根据权利要求13所述的LED阵列，其中，每对层中的一个层由被电化学蚀刻以增加其多孔性的掺杂的半导体材料形成。
15.根据权利要求14所述的LED阵列，其中，每对层中的另一个层由未掺杂的半导体材料形成。
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