CN114518221B - 一种基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法及装置,检测方法包括:通过改变可移动工作台的运动位置来执行多次曝光,在每次曝光过程中曝光光源发射的光经由掩模板和物镜,照射到晶圆上;对执行多次曝光后的晶圆进行显影,获得与掩模板上的每个图形对应的多个曝光图形;针对每个图形,确定与该图形对应的多个曝光图形中的最清晰的曝光图形,将最清晰的曝光图形所在位置确定为该图形对应的最佳曝光位置;根据各图形对应的最佳曝光位置和可移动工作台在每次曝光过程中的运动位置,确定物镜的物镜焦平面倾斜值。本申请通过多次曝光得到最清晰的曝光图形所在位置来获得物镜焦平面倾斜值,简化焦面倾斜检测过程,提高检测效率。

Description

一种基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法及装置
技术领域
本申请涉及曝光技术领域,尤其涉及一种基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法及装置。
背景技术
随着曝光设备和曝光技术的不断发展,对曝光精度的要求也在不断提高。物镜焦面与晶圆的重合度直接影响曝光的成像质量,为了得到最佳的成像质量,需要精确检测物镜焦面的倾斜情况。
现有技术中,物镜焦面倾斜的检测算法,大多是借助其他装置,利用反射器件在物镜光轴移动得到的反射光强变化来检测焦面倾斜,这些方法增加了检测焦面倾斜复杂性,降低了检测效率。
发明内容
有鉴于此,本申请的目的在于至少提供一种基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法及装置,通过多次曝光得到最清晰的曝光图形所在位置来获得物镜焦平面倾斜值,简化焦面倾斜检测过程,提高检测效率。
本申请主要包括以下几个方面:
第一方面,本申请实施例提供一种基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法,曝光系统包括曝光光源、掩模板、物镜、晶圆和可移动工作台,晶圆设置在可移动工作台上,掩模板上形成有多个图形;其中,检测方法包括:(A)通过改变可移动工作台的运动位置来执行多次曝光,在每次曝光过程中曝光光源发射的光经由掩模板和物镜,照射到晶圆上;(B)对执行多次曝光后的晶圆进行显影,获得与掩模板上的每个图形对应的多个曝光图形;(C)针对每个图形,确定与该图形对应的多个曝光图形中的最清晰的曝光图形,将最清晰的曝光图形所在位置确定为该图形对应的最佳曝光位置;(D)根据各图形对应的最佳曝光位置和可移动工作台在每次曝光过程中的运动位置,确定物镜的物镜焦平面倾斜值。
在一种可能的实施方式中,可移动工作台的运动位置包括水平运动位置和垂向运动位置,其中,在每次曝光过程中通过以下方式改变可移动工作台的运动位置:控制可移动工作台在水平方向上移动第一预设步长,以改变可移动工作台的水平运动位置;在控制可移动工作台在水平方向上移动第一预设步长的同时,控制可移动工作台在物镜的垂向焦深范围内移动第二预设步长,以改变可移动工作台的垂向运动位置。
在一种可能的实施方式中,通过以下方式来执行每次曝光:在执行本次曝光之前,判断在可移动工作台处于执行本次曝光时的水平运动位置处、且执行本次曝光后晶圆上形成的多个曝光图形是否存在重叠;若不存在重叠,则执行本次曝光;若存在重叠,则不执行本次曝光。
在一种可能的实施方式中,步骤(D)包括:针对每个图形,确定获得该图形对应的最清晰的曝光图形时可移动工作台的垂向运动位置;针对每个图形,利用该图形对应的最佳曝光位置以及所对应的可移动工作台的垂向运动位置,形成一数据组;利用所有图形对应的多个数据组,确定物镜的物镜焦平面倾斜值。
在一种可能的实施方式中,物镜的物镜焦平面倾斜值包括第一水平偏移量、第二水平偏移量、垂向偏移量,其中,第一水平偏移量为物镜焦平面相对于可移动工作台零位置在水平Y轴方向上的偏移量,第二水平偏移量为物镜焦平面相对于可移动工作台零位置在水平X轴方向上的偏移量,垂向偏移量为物镜焦平面相对于可移动工作台零位置在Z轴方向上的偏移量,可移动工作台零位置为可移动工作台的垂向位置为零时,可移动工作台的水平面所在位置。
在一种可能的实施方式中,最佳曝光位置包括在水平X轴方向上的第一水平曝光坐标和在水平Y轴方向上的第二水平曝光坐标,其中,利用所有图形对应的多个数据组,确定物镜的物镜焦平面倾斜值的步骤包括:针对每个数据组,根据该数据组中的第一水平曝光坐标、第二水平曝光坐标、垂向运动位置以及第一水平偏移量、第二水平偏移量、垂向偏移量,构建一位置方程;对所构建的多个位置方程进行求解,获得第一水平偏移量、第二水平偏移量、垂向偏移量。
在一种可能的实施方式中,位置方程的表达式如下:
-Ry×Xi+Rx×Yi+H=Di
其中,Xi表示掩模板上的第i个图形对应的第一水平曝光坐标,Yi表示掩模板上的第i个图形对应的第二水平曝光坐标,Di表示获得掩模板上的第i个图形对应的最清晰的曝光图形时可移动工作台的垂向运动位置,1≤i≤n,n表示掩模板上形成的多个图形的个数,-Ry表示物镜的第一水平偏移量,Rx表示物镜的第二水平偏移量,H表示物镜的垂向偏移量。
在一种可能的实施方式中,检测方法还包括:根据物镜的物镜焦平面倾斜值,调整可移动工作台的位姿;在可移动工作台处于调整后的位姿时,执行曝光。
第二方面,本申请实施例还提供一种基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测装置,曝光系统包括曝光光源、掩模板、物镜、晶圆和可移动工作台,晶圆设置在可移动工作台上,掩模板上形成有多个图形;其中,检测装置包括:曝光模块,用于通过改变可移动工作台的运动位置来执行多次曝光,在每次曝光过程中曝光光源发射的光经由掩模板和物镜,照射到晶圆上;显影模块,用于对执行多次曝光后的晶圆进行显影,获得与掩模板上的每个图形对应的多个曝光图形;第一确定模块,用于针对每个图形,确定与该图形对应的多个曝光图形中的最清晰的曝光图形,将最清晰的曝光图形所在位置确定为该图形对应的最佳曝光位置;第二确定模块,用于根据各图形对应的最佳曝光位置和可移动工作台在每次曝光过程中的运动位置,确定物镜的物镜焦平面倾斜值。
第三方面,本申请实施例还提供一种电子设备,包括:处理器、存储器和总线,所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令,当电子设备运行时,所述处理器与所述存储器之间通过所述总线进行通信,所述机器可读指令被所述处理器运行时执行上述第一方面或第一方面中任一种可能的实施方式中所述的基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法的步骤。
本申请实施例提供的一种基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法及装置,曝光系统包括曝光光源、掩模板、物镜、晶圆和可移动工作台,晶圆设置在可移动工作台上,掩模板上形成有多个图形;其中,检测方法包括:(A)通过改变可移动工作台的运动位置来执行多次曝光,在每次曝光过程中曝光光源发射的光经由掩模板和物镜,照射到晶圆上;(B)对执行多次曝光后的晶圆进行显影,获得与掩模板上的每个图形对应的多个曝光图形;(C)针对每个图形,确定与该图形对应的多个曝光图形中的最清晰的曝光图形,将最清晰的曝光图形所在位置确定为该图形对应的最佳曝光位置;(D)根据各图形对应的最佳曝光位置和可移动工作台在每次曝光过程中的运动位置,确定物镜的物镜焦平面倾斜值。通过多次曝光得到最清晰的曝光图形所在位置来获得物镜焦平面倾斜值,简化焦面倾斜检测过程,提高检测效率。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1示出了本申请实施例所提供的一种基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法的步骤的流程图;
图2示出了本申请实施例所提供的多次曝光后获得的显影图像;
图3示出了本申请实施例所提供的一种基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测装置的结构示意图;
图4示出了本申请实施例所提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,应当理解,本申请中的附图仅起到说明和描述的目的,并不用于限定本申请的保护范围。另外,应当理解,示意性的附图并未按实物比例绘制。本申请中使用的流程图示出了根据本申请的一些实施例实现的操作。应当理解,流程图的操作可以不按顺序实现,没有逻辑的上下文关系的步骤可以反转顺序或者同时实施。此外,本领域技术人员在本申请内容的指引下,可以向流程图添加一个或多个其他操作,也可以从流程图中移除一个或多个操作。
另外,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此,以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的全部其他实施例,都属于本申请保护的范围。
现有技术的缺点物镜焦面倾斜的检测算法,大多是借助其他装置,利用反射器件在物镜光轴移动得到的反射光强变化来检测焦面倾斜,这些方法比较复杂,受限于装置本身的缺陷,降低了检测效率。
基于此,本申请实施例提供了一种基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法及装置,多次曝光得到最清晰的曝光图形所在位置来获得物镜焦平面倾斜值,简化焦面倾斜检测过程,提高检测效率,能够更加精确地获取物镜焦平面的倾斜值,从而在实际生产中能够得到更高质量的图形,具体如下:
请参阅图1,图1示出了本申请实施例所提供的一种基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法的步骤的流程图。如图1所示,本申请实施例提供的一种基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法,包括以下步骤:
(A)通过改变可移动工作台的运动位置来执行多次曝光。
具体的,曝光系统包括曝光光源、掩模板、物镜、晶圆和可移动工作台,晶圆设置在可移动工作台上,掩模板上形成有多个图形,这里图形的形状可以为矩形、圆形和三角形,这里对图形的形状不做具体限制,在每次曝光过程中曝光光源发射的光经由掩模板和物镜,照射到晶圆上。
在一优选实施例中,可移动工作台的运动位置包括水平运动位置和垂向运动位置,其中,在每次曝光过程中通过以下方式改变可移动工作台的运动位置:
控制可移动工作台在水平方向上移动第一预设步长,以改变可移动工作台的水平运动位置。
优选地,水平方向包括水平X轴方向和水平Y轴方向,这里可以控制可移动工作台沿水平X轴方向或水平Y轴方向移动第一预设步长,需要说明的是,在改变可移动工作台的运动位置执行多次曝光之前,需要先确定可移动工作台的水平运动方向以及第一预设步长,例如,可以设置可移动工作台始终沿水平Y轴方向按照第一预设步长进行移动,以改变可移动工作台在水平Y轴方向上的位置。
在控制可移动工作台在水平方向上移动第一预设步长的同时,控制可移动工作台在物镜的垂向焦深范围内移动第二预设步长,以改变可移动工作台的垂向运动位置。
在具体实施中,在可移动工作台在水平方向上移动过程中,也要控制可移动工作台在垂向进行移动,根据物镜的焦深范围,确定可移动工作台在垂向上的移动范围,即垂向焦深范围,也就是说,第二预设步长不能超过垂向焦深范围。
步骤(A)中,通过以下方式来执行每次曝光:
在执行本次曝光之前,判断在可移动工作台处于执行本次曝光时的水平运动位置处、且执行本次曝光后晶圆上形成的多个曝光图形是否存在重叠,若不存在重叠,则执行本次曝光;若存在重叠,则不执行本次曝光。
在一具体实施例中,在控制可移动工作台到达执行本次曝光时的水平运动位置处时,先不执行曝光操作,而是需要先判断若在该水平运动位置处执行曝光后,所获取的多个曝光图形是否存在重叠,具体的,可以通过掩模板上的两个相邻图形对应的两个相邻曝光图形之间的最短预设间隔长度和可移动工作台执行本次曝光对应的水平运动位置进行判断。
(B)对执行多次曝光后的晶圆进行显影,获得与掩模板上的每个图形对应的多个曝光图形。
在一优选实施例中,可以将执行多次曝光后的晶圆在涂胶显影机上显影,获的显影图像,显影图像上包括与掩模板上的每个图形对应的多个曝光图形,请参阅图2,图2示出了本申请实施例所提供的多次曝光后获得的显影图像,如图2所示,为可移动工作台沿水平Y轴方向改变可移动工作台的运动位置执行多次曝光后形成的显影图像,带有25个图形的掩模板执行5次曝光后,在晶圆上形成如图2所示的125个曝光图形,1表示掩模板上的其中一个图形经过5次曝光后在晶圆上得到的5个曝光图形。
(C)针对每个图形,确定与该图形对应的多个曝光图形中的最清晰的曝光图形,将最清晰的曝光图形所在位置确定为该图形对应的最佳曝光位置。
在一优选实施例中,可以通过显微镜观察每个曝光图形的清晰度,如图2所示,①表示掩模板上的其中一个图形经过5次曝光所获得的5个曝光图形中最清晰的曝光图形。
(D)根据各图形对应的最佳曝光位置和可移动工作台在每次曝光过程中的运动位置,确定物镜的物镜焦平面倾斜值。
在一优选实施例中,步骤(D)包括:
针对每个图形,确定获得该图形对应的最清晰的曝光图形时可移动工作台的垂向运动位置;针对每个图形,利用该图形对应的最佳曝光位置以及所对应的可移动工作台的垂向运动位置,形成一数据组;利用所有图形对应的多个数据组,确定物镜的物镜焦平面倾斜值。
在一具体实施例中,最佳曝光位置包括在水平X轴方向上的第一水平曝光坐标和在水平Y轴方向上的第二水平曝光坐标。
一示例中,物镜的物镜焦平面倾斜值包括第一水平偏移量、第二水平偏移量、垂向偏移量,其中,第一水平偏移量为物镜焦平面相对于可移动工作台零位置在水平Y轴方向上的偏移量,第二水平偏移量为物镜焦平面相对于可移动工作台零位置在水平X轴方向上的偏移量,垂向偏移量为物镜焦平面相对于可移动工作台零位置在Z轴方向上的偏移量,可移动工作台零位置为可移动工作台的垂向位置为零时,可移动工作台的水平面所在位置。
优选的,利用所有图形对应的多个数据组,确定物镜的物镜焦平面倾斜值的步骤包括:
针对每个数据组,根据该数据组中的第一水平曝光坐标、第二水平曝光坐标、垂向运动位置以及第一水平偏移量、第二水平偏移量、垂向偏移量,构建一位置方程。
在一具体实施例中,位置方程的表达式如下:
-Ry×Xi+Rx×Yi+H=Di
其中,Xi表示掩模板上的第i个图形对应的第一水平曝光坐标,Yi表示掩模板上的第i个图形对应的第二水平曝光坐标,Di表示获得掩模板上的第i个图形对应的最清晰的曝光图形时所述可移动工作台的垂向运动位置,1≤i≤n,n表示掩模板上形成的多个图形的个数,-Ry表示物镜的第一水平偏移量,Rx表示物镜的第二水平偏移量,H表示物镜的垂向偏移量。
在一具体实施例中,掩模板上形成的多个图形的个数大于3或等于3。
对所构建的多个位置方程进行求解,获得第一水平偏移量、第二水平偏移量、垂向偏移量。
具体的,检测方法还包括:
根据物镜的物镜焦平面倾斜值,调整可移动工作台的位姿;在可移动工作台处于调整后的位姿时,执行曝光。
在一优选实施例中,在获取到物镜的物镜焦平面倾斜值后,可以通过调整可移动工作台的位姿,使每次曝光过程中,晶圆的位置更接近物镜的焦平面,从而提高曝光质量。
基于同一申请构思,本申请实施例中还提供了与上述实施例提供的一种基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法对应的检测装置,由于本申请实施例中的装置解决问题的原理与本申请上述实施例的基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法相似,因此装置的实施可以参见方法的实施,重复之处不再赘述。
如图3所示,图3为本申请实施例提供的一种基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测装置的结构示意图。
如图3所示,检测装置包括:
曝光模块310,用于通过改变可移动工作台的运动位置来执行多次曝光,在每次曝光过程中曝光光源发射的光经由掩模板和物镜,照射到晶圆上;
显影模块320,用于对执行多次曝光后的晶圆进行显影,获得与掩模板上的每个图形对应的多个曝光图形;
第一确定模块330,用于针对每个图形,确定与该图形对应的多个曝光图形中的最清晰的曝光图形,将最清晰的曝光图形所在位置确定为该图形对应的最佳曝光位置;
第二确定模块340,用于根据各图形对应的最佳曝光位置和可移动工作台在每次曝光过程中的运动位置,确定物镜的物镜焦平面倾斜值。
可选地,可移动工作台的运动位置包括水平运动位置和垂向运动位置,其中,曝光模块310还用于:控制可移动工作台在水平方向上移动第一预设步长,以改变可移动工作台的水平运动位置;在控制可移动工作台在水平方向上移动第一预设步长的同时,控制可移动工作台在物镜的垂向焦深范围内移动第二预设步长,以改变可移动工作台的垂向运动位置。
可选地,曝光模块310还用于:在执行本次曝光之前,判断在可移动工作台处于执行本次曝光时的水平运动位置处、且执行本次曝光后晶圆上形成的多个曝光图形是否存在重叠;若不存在重叠,则执行本次曝光;若存在重叠,则不执行本次曝光。
可选地,第二确定模块340用于:针对每个图形,确定获得该图形对应的最清晰的曝光图形时可移动工作台的垂向运动位置;针对每个图形,利用该图形对应的最佳曝光位置以及所对应的可移动工作台的垂向运动位置,形成一数据组;利用所有图形对应的多个数据组,确定物镜的物镜焦平面倾斜值。
可选地,物镜的物镜焦平面倾斜值包括第一水平偏移量、第二水平偏移量、垂向偏移量,其中,第一水平偏移量为物镜焦平面相对于可移动工作台零位置在水平Y轴方向上的偏移量,第二水平偏移量为物镜焦平面相对于可移动工作台零位置在水平X轴方向上的偏移量,垂向偏移量为物镜焦平面相对于可移动工作台零位置在Z轴方向上的偏移量,可移动工作台零位置为可移动工作台的垂向位置为零时,可移动工作台的水平面所在位置。
可选地,最佳曝光位置包括在水平X轴方向上的第一水平曝光坐标和在水平Y轴方向上的第二水平曝光坐标,其中,第二确定模块340用于:针对每个数据组,根据该数据组中的第一水平曝光坐标、第二水平曝光坐标、垂向运动位置以及第一水平偏移量、第二水平偏移量、垂向偏移量,构建一位置方程;对所构建的多个位置方程进行求解,获得第一水平偏移量、第二水平偏移量、垂向偏移量。
可选地,位置方程的表达式如下:
-Ry×Xi+Rx×Yi+H=Di
其中,Xi表示掩模板上的第i个图形对应的第一水平曝光坐标,Yi表示掩模板上的第i个图形对应的第二水平曝光坐标,Di表示获得掩模板上的第i个图形对应的最清晰的曝光图形时可移动工作台的垂向运动位置,1≤i≤n,n表示掩模板上形成的多个图形的个数,-Ry表示物镜的第一水平偏移量,Rx表示物镜的第二水平偏移量,H表示物镜的垂向偏移量。
可选地,检测装置还包括调整模块(图中未示出),用于根据物镜的物镜焦平面倾斜值,调整可移动工作台的位姿;在可移动工作台处于调整后的位姿时,执行曝光。
基于同一申请构思,参见图4所示,为本申请实施例提供的一种电子设备400的结构示意图,包括:处理器410、存储器420和总线430,所述存储器420存储有所述处理器410可执行的机器可读指令,当电子设备400运行时,所述处理器410与所述存储器420之间通过所述总线430进行通信,所述机器可读指令被所述处理器410运行时执行如上述实施例中任一所述的基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法的步骤。
基于同一申请构思,本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器运行时执行上述实施例提供的基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法的步骤。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为描述的方便和简洁,上述描述的系统和装置的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应过程,在此不再赘述。在本申请所提供的几个实施例中,应所述理解到,所揭露的系统、装置和方法,可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,又例如,多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外,在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个处理器可执行的非易失的计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者所述技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来,所述计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory,ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory,RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (6)

1.一种基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法,其特征在于,所述曝光系统包括曝光光源、掩模板、物镜、晶圆和可移动工作台,所述晶圆设置在所述可移动工作台上,所述掩模板上形成有多个图形;
其中,所述检测方法包括:
(A)通过改变所述可移动工作台的运动位置来执行多次曝光,在每次曝光过程中所述曝光光源发射的光经由所述掩模板和所述物镜,照射到所述晶圆上;
(B)对执行多次曝光后的晶圆进行显影,获得与所述掩模板上的每个图形对应的多个曝光图形;
(C)针对每个图形,确定与该图形对应的多个曝光图形中的最清晰的曝光图形,将所述最清晰的曝光图形所在位置确定为该图形对应的最佳曝光位置;
(D)根据各图形对应的最佳曝光位置和所述可移动工作台在每次曝光过程中的运动位置,确定所述物镜的物镜焦平面倾斜值;
其中,步骤(D)包括:
针对每个图形,确定获得该图形对应的最清晰的曝光图形时所述可移动工作台的垂向运动位置;针对每个图形,利用该图形对应的最佳曝光位置以及所对应的所述可移动工作台的垂向运动位置,形成一数据组;利用所有图形对应的多个数据组,确定所述物镜的物镜焦平面倾斜值;
所述物镜的物镜焦平面倾斜值包括第一水平偏移量、第二水平偏移量、垂向偏移量,其中,第一水平偏移量为物镜焦平面相对于可移动工作台零位置在水平Y轴方向上的偏移量,第二水平偏移量为物镜焦平面相对于可移动工作台零位置在水平X轴方向上的偏移量,垂向偏移量为物镜焦平面相对于可移动工作台零位置在Z轴方向上的偏移量,所述可移动工作台零位置为所述可移动工作台的垂向位置为零时,所述可移动工作台的水平面所在位置;
所述最佳曝光位置包括在水平X轴方向上的第一水平曝光坐标和在水平Y轴方向上的第二水平曝光坐标;
其中,利用所有图形对应的多个数据组,确定所述物镜的物镜焦平面倾斜值的步骤包括:
针对每个数据组,根据该数据组中的第一水平曝光坐标、第二水平曝光坐标、垂向运动位置以及第一水平偏移量、第二水平偏移量、垂向偏移量,构建一位置方程;对所构建的多个位置方程进行求解,获得第一水平偏移量、第二水平偏移量、垂向偏移量;
所述位置方程的表达式如下:
-Ry×Xi+Rx×Yi+H=Di
其中,Xi表示掩模板上的第i个图形对应的第一水平曝光坐标,Yi表示掩模板上的第i个图形对应的第二水平曝光坐标,Di表示获得掩模板上的第i个图形对应的最清晰的曝光图形时所述可移动工作台的垂向运动位置,1≤i≤n,n表示掩模板上形成的多个图形的个数,-Ry表示物镜的第一水平偏移量,Rx表示物镜的第二水平偏移量,H表示物镜的垂向偏移量。
2.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述可移动工作台的运动位置包括水平运动位置和垂向运动位置;
其中,在每次曝光过程中通过以下方式改变所述可移动工作台的运动位置:
控制所述可移动工作台在水平方向上移动第一预设步长,以改变所述可移动工作台的水平运动位置;
在控制所述可移动工作台在水平方向上移动第一预设步长的同时,控制所述可移动工作台在所述物镜的垂向焦深范围内移动第二预设步长,以改变所述可移动工作台的垂向运动位置。
3.根据权利要求2所述的检测方法,其特征在于,通过以下方式来执行每次曝光:
在执行本次曝光之前,判断在所述可移动工作台处于执行本次曝光时的水平运动位置处、且执行本次曝光后所述晶圆上形成的多个曝光图形是否存在重叠;
若不存在重叠,则执行本次曝光;
若存在重叠,则不执行本次曝光。
4.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述检测方法还包括:
根据所述物镜的物镜焦平面倾斜值,调整所述可移动工作台的位姿;
在所述可移动工作台处于调整后的位姿时,执行曝光。
5.一种基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测装置,其特征在于,所述曝光系统包括曝光光源、掩模板、物镜、晶圆和可移动工作台,所述晶圆设置在所述可移动工作台上,所述掩模板上形成有多个图形;
其中,所述检测装置包括:
曝光模块,用于通过改变所述可移动工作台的运动位置来执行多次曝光,在每次曝光过程中所述曝光光源发射的光经由所述掩模板和所述物镜,照射到所述晶圆上;
显影模块,用于对执行多次曝光后的晶圆进行显影,获得与所述掩模板上的每个图形对应的多个曝光图形;
第一确定模块,用于针对每个图形,确定与该图形对应的多个曝光图形中的最清晰的曝光图形,将所述最清晰的曝光图形所在位置确定为该图形对应的最佳曝光位置;
第二确定模块,用于根据各图形对应的最佳曝光位置和所述可移动工作台在每次曝光过程中的运动位置,确定所述物镜的物镜焦平面倾斜值;
其中,第二确定模块还用于:
针对每个图形,确定获得该图形对应的最清晰的曝光图形时所述可移动工作台的垂向运动位置;针对每个图形,利用该图形对应的最佳曝光位置以及所对应的所述可移动工作台的垂向运动位置,形成一数据组;利用所有图形对应的多个数据组,确定所述物镜的物镜焦平面倾斜值;
所述物镜的物镜焦平面倾斜值包括第一水平偏移量、第二水平偏移量、垂向偏移量,其中,第一水平偏移量为物镜焦平面相对于可移动工作台零位置在水平Y轴方向上的偏移量,第二水平偏移量为物镜焦平面相对于可移动工作台零位置在水平X轴方向上的偏移量,垂向偏移量为物镜焦平面相对于可移动工作台零位置在Z轴方向上的偏移量,所述可移动工作台零位置为所述可移动工作台的垂向位置为零时,所述可移动工作台的水平面所在位置;
所述最佳曝光位置包括在水平X轴方向上的第一水平曝光坐标和在水平Y轴方向上的第二水平曝光坐标;
其中,第二确定模块还用于:
针对每个数据组,根据该数据组中的第一水平曝光坐标、第二水平曝光坐标、垂向运动位置以及第一水平偏移量、第二水平偏移量、垂向偏移量,构建一位置方程;对所构建的多个位置方程进行求解,获得第一水平偏移量、第二水平偏移量、垂向偏移量;
所述位置方程的表达式如下:
-Ry×Xi+Rx×Yi+H=Di
其中,Xi表示掩模板上的第i个图形对应的第一水平曝光坐标,Yi表示掩模板上的第i个图形对应的第二水平曝光坐标,Di表示获得掩模板上的第i个图形对应的最清晰的曝光图形时所述可移动工作台的垂向运动位置,1≤i≤n,n表示掩模板上形成的多个图形的个数,-Ry表示物镜的第一水平偏移量,Rx表示物镜的第二水平偏移量,H表示物镜的垂向偏移量。
6.一种电子设备,其特征在于,包括:处理器、存储器和总线,所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令,当电子设备运行时,所述处理器与所述存储器之间通过所述总线进行通信,所述机器可读指令被所述处理器运行时执行如权利要求1至4任一所述的基于曝光系统的物镜焦平面倾斜值的检测方法的步骤。
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Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09260259A (ja) * 1996-03-27 1997-10-03 Nikon Corp 投影露光方法及び装置
CN1673871A (zh) * 2005-04-21 2005-09-28 中国科学院上海光学精密机械研究所 光刻机成像质量的检测方法
CN102169294A (zh) * 2010-02-26 2011-08-31 上海微电子装备有限公司 一种测量扫描光刻机中掩模台扫描倾斜的方法
CN102455247A (zh) * 2010-11-03 2012-05-16 上海微电子装备有限公司 投影物镜最佳焦面检测装置及方法
CN103246169A (zh) * 2012-02-03 2013-08-14 上海微电子装备有限公司 一种焦面变化测量装置与方法
CN103885295A (zh) * 2012-12-19 2014-06-25 上海微电子装备有限公司 一种曝光装置及其调焦调平方法
CN105629668A (zh) * 2014-10-28 2016-06-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 测试装置、测试系统以及测试方法
CN106569390A (zh) * 2015-10-08 2017-04-19 上海微电子装备有限公司 一种投影曝光装置及方法
CN106814546A (zh) * 2015-11-30 2017-06-09 上海微电子装备有限公司 焦面检测装置、焦面标定方法与硅片曝光方法
CN106842830A (zh) * 2017-04-19 2017-06-13 广东工业大学 一种焦点探测侧面式光刻焦面位置的检测装置及方法
CN108614394A (zh) * 2018-05-02 2018-10-02 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) 一种自动曝光设备及其曝光方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109581827B (zh) * 2019-01-10 2020-06-09 中国科学院光电技术研究所 光刻投影物镜最佳焦面检测装置及方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09260259A (ja) * 1996-03-27 1997-10-03 Nikon Corp 投影露光方法及び装置
CN1673871A (zh) * 2005-04-21 2005-09-28 中国科学院上海光学精密机械研究所 光刻机成像质量的检测方法
CN102169294A (zh) * 2010-02-26 2011-08-31 上海微电子装备有限公司 一种测量扫描光刻机中掩模台扫描倾斜的方法
CN102455247A (zh) * 2010-11-03 2012-05-16 上海微电子装备有限公司 投影物镜最佳焦面检测装置及方法
CN103246169A (zh) * 2012-02-03 2013-08-14 上海微电子装备有限公司 一种焦面变化测量装置与方法
CN103885295A (zh) * 2012-12-19 2014-06-25 上海微电子装备有限公司 一种曝光装置及其调焦调平方法
CN105629668A (zh) * 2014-10-28 2016-06-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 测试装置、测试系统以及测试方法
CN106569390A (zh) * 2015-10-08 2017-04-19 上海微电子装备有限公司 一种投影曝光装置及方法
CN106814546A (zh) * 2015-11-30 2017-06-09 上海微电子装备有限公司 焦面检测装置、焦面标定方法与硅片曝光方法
CN106842830A (zh) * 2017-04-19 2017-06-13 广东工业大学 一种焦点探测侧面式光刻焦面位置的检测装置及方法
CN108614394A (zh) * 2018-05-02 2018-10-02 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) 一种自动曝光设备及其曝光方法

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Establishing a reference focal plane using beads for trypan-blue-based viability measurements;Peskin, A 等;JOURNAL OF MICROSCOPY;全文 *
单帘正交组合式焦平面快门的设计与性能测试;张洪文 等;光学精密工程;全文 *
基于倾斜摄像头的显微自动对焦方法;叶一青 等;光学学报;全文 *
尹作海 ; 刘世元 ; 史铁林 ; .基于线阵CCD的光刻机调焦调平系统的研究.半导体技术.2007,全文. *
廖飞红 ; 李小平 ; 陈学东 ; 李志丹 ; .调焦调平探测光斑位置误差对测量准确度影响的研究.光学学报.2010,全文. *

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