CN114501251A - 发声装置和电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种发声装置和电子设备，所述发声装置包括磁路系统和振动系统，所述磁路系统设有磁间隙，所述磁路系统呈中空设置，以限定出容纳空间，所述振动系统包括振膜组件、音圈及骨架，所述振膜组件位于所述容纳空间内，所述音圈插设于所述磁间隙内，所述骨架的一端与所述振膜组件相连，所述骨架的另一端伸入至所述磁间隙，并与所述音圈相连，所述音圈通过所述骨架带动所述振膜组件振动。本发明提供的发声装置将振动辐射面放置在磁路系统中间，并通过骨架将音圈与振动辐射面连接，传递运动载荷，不仅极大的降低了发声装置的厚度尺寸，还有效降低高频谐振，提高声学性能，且方便加工和装配。

Description

发声装置和电子设备

技术领域

本发明涉及电声转换技术领域，特别涉及一种发声装置和应用该发声装置的电子设备。

背景技术

随着科技的快速发展，人们对电子设备的音质要求越来越高，电子设备中的发声器件受到电子设备外观结构的影响，其体积也越来越小。而发声器件作为电子设备重要而又不可或缺的功能性部件，是电子设备轻薄化设计的重要一环，因此对发声器件的轻薄化设计极为重要。

在相关技术中，为了减小电子设备的体积，提出一种发声器件，发声器件包括磁路系统以及围绕磁路系统设置的振动系统，振动系统的振膜内侧与磁路系统固定连接，振膜的外侧与发声器件的壳体连接。上述结构可以在一定程度上降低发声器件的厚度，对电子设备起到减薄的作用。但是，上述结构设计比较复杂，不方便加工和装配，实用性较低。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种发声装置和电子设备，旨在提供一种有效减小产品厚度的发声装置，该发声装置将振动辐射面放置在磁路系统中间，并通过骨架将音圈与振动辐射面连接，传递运动载荷，不仅极大的降低了发声装置的厚度尺寸，还有效降低高频谐振，提高声学性能，且方便加工和装配。

为实现上述目的，本发明提出一种发声装置，所述发声装置包括：

磁路系统，所述磁路系统设有磁间隙，所述磁路系统呈中空设置，以限定出容纳空间；和

振动系统，所述振动系统包括振膜组件、音圈及骨架，所述振膜组件位于所述容纳空间内，所述音圈插设于所述磁间隙内，所述骨架的一端与所述振膜组件相连，所述骨架的另一端伸入至所述磁间隙，并与所述音圈相连，所述音圈通过所述骨架带动所述振膜组件振动。

在一实施例中，所述磁路系统包括：

中心磁路部分，所述中心磁路部分呈中空设置，以限定出所述容纳空间；

边磁路部分，所述边磁路部分设于所述中心磁路部分的外周，并与所述中心磁路部分间隔设置以限定出所述磁间隙；及

导磁轭，所述中心磁路部分和所述边磁路部分分别固定于所述导磁轭；

其中，所述中心磁路部分设有第一避让口，所述骨架穿过所述第一避让口伸入所述磁间隙，并与所述音圈相连。

在一实施例中，所述中心磁路部分包括顺序排布的第一长边部和第一短边部，所述第一长边部和所述第一短边部分体设置，并围合形成所述容纳空间，所述第一长边部与相邻的所述第一短边部间隔设置，以限定出所述第一避让口。

在一实施例中，所述边磁路部分包括顺序排布的第二长边部和第二短边部，所述第二长边部和所述第二短边部分体设置，所述第二长边部与相邻的所述第二短边部间隔设置，以限定出与所述第一避让口连通的第二避让口。

在一实施例中，所述边磁路部分包括依次叠放设置的第一边磁铁、边华司及第二边磁铁，所述第一边磁铁和所述第二边磁铁均沿竖直方向充磁且充磁方向相反，所述第二边磁铁固定于所述导磁轭；

所述发声装置还包括上盖，所述上盖包括金属盖板，所述金属盖板盖设于所述第一边磁铁远离所述边华司的一侧。

在一实施例中，所述振膜组件包括振膜和球顶，所述球顶与所述振膜相连，并位于所述振膜的中心位置，所述振膜的边缘部与所述上盖连接。

在一实施例中，所述中心磁路部分包括依次叠放设置的第一中心磁铁、中心华司及第二中心磁铁，所述第一中心磁铁和所述第二中心磁铁均沿竖直方向充磁且充磁方向相反，所述第二中心磁铁固定于所述导磁轭，所述金属盖板同时盖设于所述第一边磁铁和所述第一中心磁铁的远离所述导磁轭的一侧。

在一实施例中，所述边磁路部分包括依次叠放设置的第一边华司、第一边磁铁、第二边华司及第二边磁铁，所述第一边磁铁和所述第二边磁铁均沿竖直方向充磁且充磁方向相反，所述第二边磁铁固定于所述导磁轭。

在一实施例中，所述中心磁路部分包括依次叠放设置的第一中心华司、第一中心磁铁、第二中心华司及第二中心磁铁，所述第一中心磁铁和所述第二中心磁铁均沿竖直方向充磁且充磁方向相反，所述第二中心磁铁固定于所述导磁轭，所述振膜组件的外周沿固定于所述第一中心华司。

在一实施例中，所述振膜组件包括振膜和球顶，所述球顶与所述振膜相连，并位于所述振膜的中心位置，所述骨架的一端与所述球顶连接，所述骨架的另一端伸入至所述磁间隙，并与所述音圈相连。

在一实施例中，沿竖直方向，所述球顶的顶面与所述容纳空间底壁之间的间距小于所述磁路系统的顶面与所述容纳空间底壁之间的间距。

在一实施例中，所述球顶和所述骨架形成为一体成型的金属件。

在一实施例中，所述骨架包括支撑部和延伸部，所述支撑部呈环形设置，且所述支撑部的一端与所述振膜组件连接，所述延伸部设于所述支撑部的另一端，所述延伸部伸入至所述磁间隙，并与所述音圈相连。

在一实施例中，所述延伸部为两个，两个所述延伸部沿所述支撑部的周向方向间隔分布；

其中，所述磁路系统呈方形设置，两个所述延伸部分别通过所述磁路系统的一对对角位置分别伸入至所述磁间隙，并与所述音圈相连。

在一实施例中，所述延伸部为四个，四个所述延伸部沿所述支撑部的周向方向间隔分布；

其中，所述磁路系统呈方形设置，四个所述延伸部分别通过所述磁路系统的四个对角位置分别伸入至所述磁间隙，并与所述音圈相连。

在一实施例中，所述支撑部与所述延伸部形成为一体成型件；

或，所述支撑部和所述延伸部焊接或粘接连接。

本发明还提出一种电子设备，包括上述所述的发声装置。

本发明技术方案的发声装置通过在磁路系统内设置磁间隙，并将磁路系统设置为中空设置，从而在磁路系统的中间限定出容纳空间，利用磁路系统的容纳空间容置振动系统的振膜组件，也即将振动辐射面放置在磁路系统中间，从而使得磁路系统的厚度与振膜组件的振动高度平行，可以极大的降低发声装置的厚度尺寸，而且上述结构设置可以使发声装置的整体结构更加简单，方便加工和装配；通过骨架的一端与振膜组件相连，骨架的另一端伸入磁间隙，并与音圈相连，从而利用骨架将音圈与振膜组件的振动辐射面连接，传递运动载荷，利用骨架提高抗扭刚度，从而有效降低高频谐振，提高声学性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明一实施例中发声装置的结构示意图；

图2为本发明一实施例中发声装置的分解示意图；

图3为本发明一实施例中发声装置的剖面示意图；

图4为本发明一实施例中发声装置的部分结构示意图；

图5为本发明一实施例中振动系统的部分结构示意图；

图6为图5中A-A方向的剖面示意图；

图7为本发明一实施例中振动系统的部分分解示意图。

附图标号说明：

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

同时，全文中出现的“和/或”或“且/或”的含义为，包括三个方案，以“A和/或B”为例，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。

另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明提出一种发声装置100。可以理解的，发声装置100可应用于音箱、耳机、手机等电子设备中，在此不做限定。

请结合参照图1至图7所示，在本发明实施例中，该发声装置100包括磁路系统1和振动系统2，其中，磁路系统1设有磁间隙11，磁路系统1呈中空设置，以限定出容纳空间121，振动系统2包括振膜组件21、音圈22及骨架23，振膜组件21位于容纳空间121内，音圈22插设于磁间隙11内，骨架23的一端与振膜组件21相连，骨架23的另一端伸入至磁间隙11，并与音圈22相连，音圈22通过骨架23带动振膜组件21振动。

在本实施例中，磁路系统1和振动系统2构成发声装置100的主体结构，磁路系统1内设有磁间隙11，振动系统2的音圈22插设于该磁间隙11内，当音圈22与外部电源连通，利用音圈22将电能传递至磁路系统1的磁间隙11内，并在磁间隙11产生的磁力线作用下，使得音圈22做上下运动，也即利用磁路系统1产生的磁场将电能转换为机械能，从而使得音圈22发生振动。

可以理解的，磁路系统1呈中空设置，并限定出容纳空间121，通过将振动系统2的振膜组件21设于容纳空间121内，也即将振膜组件21的振动辐射面放置在磁路系统1中间，磁路系统1与振膜组件21平行设置，从而有效减小发声装置100的厚度尺寸，并利用骨架23的一端与振膜组件21相连，骨架23的另一端伸入磁间隙11，并与音圈22相连，如此在音圈22发生振动时，通过骨架23带动振膜组件21振动。

在本实施例中，通过设置于磁间隙11内的音圈22接收到外部变化的交流电信号后，在磁路系统1的磁场力的驱动下做往复切割磁力线的运动，使得音圈22做上下运动，并通过骨架23带动振动系统2的振膜组件21振动发声。可以理解的，通过骨架23将音圈22与振膜组件21的振动辐射面连接，传递运动载荷，利用骨架23提高抗扭刚度，从而有效降低高频谐振，提高声学性能。

本发明的发声装置100通过在磁路系统1内设置磁间隙11，并将磁路系统1设置为中空设置，从而在磁路系统1的中间限定出容纳空间121，利用磁路系统1的容纳空间121容置振动系统2的振膜组件21，也即将振动辐射面放置在磁路系统1中间，从而使得磁路系统1的厚度与振膜组件21的振动高度平行，可以极大的降低发声装置100的厚度尺寸，而且上述结构设置可以使发声装置100的整体结构更加简单，方便加工和装配；同时，将音圈22插设于磁间隙11内，通过骨架23的一端与振膜组件21相连，骨架23的另一端伸入磁间隙11，并与音圈22相连，从而利用骨架23将音圈22与振膜组件21的振动辐射面连接，传递运动载荷，利用骨架23提高抗扭刚度，从而有效降低高频谐振，提高声学性能，且方便发声装置100的加工和装配。

可以理解的，通过在磁路系统1的中间限定出容纳空间121，并将振膜组件21容置于该容纳空间121，可使得磁路系统1的厚度与振膜组件21的振动高度平行，而不是相加，可以极大的降低发声装置100的厚度尺寸。同时，振膜组件21与磁路系统1位于容纳空间121周围的部分形成一个较短的发声管道，有利于振动传播。而且，磁路系统1设于振膜组件21的外周，可以方便磁路系统1的安装和振膜组件21的固定，从而可以简化发声装置100的装配流程。

在一实施例中，磁路系统1包括中心磁路部分12、边磁路部分13及导磁轭14，其中，中心磁路部分12呈中空设置，以限定出容纳空间121，边磁路部分13设于中心磁路部分12的外周，并与中心磁路部分12间隔设置以限定出磁间隙11，中心磁路部分12和边磁路部分13分别固定于导磁轭14；其中，中心磁路部分12设有第一避让口122，骨架23穿过第一避让口122伸入磁间隙11，并与音圈22相连。

在本实施例中，如图2至图4所示，磁路系统1的中心磁路部分12和边磁路部分13均固定于导磁轭14面向振膜组件21的一侧，边磁路部分13位于中心磁路部分12的外周侧，且边磁路部分13与中心磁路部分12间隔设置以限定出磁间隙11，从而利用中心磁路部分12和边磁路部分13在磁间隙11内形成较强的磁场，以提高插设于磁间隙11内音圈22的驱动力。中心磁路部分12的中间呈中空设置，使得中心磁路部分12的中间形成容纳空间121，从而利用容纳空间121容置振膜组件21，使得磁路系统1的厚度与振膜组件21的振动高度平行，而不是相加，可以极大的降低发声装置100的厚度尺寸。

可以理解的，磁路系统1的中心磁路部分12可以是一个整体结构，中心磁路部分12可选为板状结构，并在板状结构的中间设置为中空结构，也即中心磁路部分12呈环形板状结构，在此不做限定。当然，在其他实施例中，中心磁路部分12也可以是分体结构，例如中心磁路部分12由多个部分组成，且多个部分围合形成中间呈中空结构的中心磁路部分12。

在本实施例中，通过在中心磁路部分12设有第一避让口122，使得第一避让口122与磁间隙11连通，从而方便骨架23穿过第一避让口122伸入磁间隙11，并与音圈22相连。可以理解的，第一避让口122可以是贯通中心磁路部分12，并连通容纳空间121和磁间隙11的通孔或开口或通槽结构，在此不做限定。

可以理解的，边磁路部分13可以是一个整体结构，边磁路部分13可选为环绕中心磁路部分12设置的环形结构，且边磁路部分13的内环与中心磁路部分12的外周壁间隔，以形成磁间隙11。当然，在其他实施例中，边磁路部分13也可以是分体结构，例如边磁路部分13由多个条状结构组成，且多个条状结构围绕中心磁路部分12设置，并与中心磁路部分12的外周壁间隔，在此不做限定。

在一实施例中，中心磁路部分12包括顺序排布的第一长边部123和第一短边部124，第一长边部123和第一短边部124分体设置，并围合形成容纳空间121，第一长边部123与相邻的第一短边部124间隔设置，以限定出第一避让口122。

在本实施例中，如图2和图4所示，磁路系统1的中心磁路部分12呈分体设置，中心磁路部分12包括顺序排布的第一长边部123和第一短边部124。可以理解的，第一长边部123和第一短边部124包括至少一个。可选地，第一长边部123和第一短边部124包括多个，多个第一长边部123和多个第一短边部124交替排布，并围合形成容纳空间121，也即多个第一长边部123和多个第一短边部124交替排布形成中空的环状结构。且相邻的第一长边部123和第一短边部124间隔设置，以限定出第一避让口122。

可以理解的，中心磁路部分12的第一长边部123和第一短边部124呈完全打断设置，限定出连通容纳空间121和磁间隙11的第一避让口122，使得骨架23的一端与位于容纳空间121内的振膜组件21相连，骨架23的另一端穿过第一避让口122伸入磁间隙11，并与音圈22相连。

可选地，中心磁路部分12的第一长边部123和第一短边部124围合形成圆形环、矩形环等多边形环状结构，在此不做限定。在本实施例中，第一长边部123的长度尺寸与第一短边部124的长度尺寸可以相同，也可以不同，在此不做限定。

在一实施例中，边磁路部分13包括顺序排布的第二长边部131和第二短边部132，第二长边部131和第二短边部132分体设置，第二长边部131与相邻的第二短边部132间隔设置，以限定出与第一避让口122连通的第二避让口133。

在本实施例中，如图2和图4所示，磁路系统1的边磁路部分13呈分体设置，边磁路部分13包括顺序排布的第二长边部131和第二短边部132。可以理解的，第二长边部131和第二短边部132包括至少一个。可选地，第二长边部131和第二短边部132包括多个，多个第二长边部131和多个第二短边部132交替排布，并围绕中心磁路部分12设置，也即多个第二长边部131和多个第二短边部132交替排布形成环状结构。且相邻的第二长边部131和第二短边部132间隔设置，以限定出第二避让口133。

可以理解的，边磁路部分13的第二长边部131和第二短边部132呈完全打断设置，限定出连通磁间隙11的第二避让口133。可选地，边磁路部分13的第二长边部131和第二短边部132围合形成圆形环、矩形环等多边形环状结构，在此不做限定。在本实施例中，第二长边部131的长度尺寸与第二短边部132的长度尺寸可以相同，也可以不同，在此不做限定。

在本实施例中，磁路系统1的边磁路部分13和中心磁路部分12均呈分体设置，此时中心磁路部分12的第一长边部123与边磁路部分13的第二长边部131对应且间隔设置，中心磁路部分12的第一短边部124与边磁路部分13的第二短边部132对应且间隔设置，以使得第二避让口133与第一避让口122对应连通。

在一实施例中，边磁路部分13包括依次叠放设置的第一边磁铁134、边华司135及第二边磁铁136，第一边磁铁134和第二边磁铁136均沿竖直方向充磁且充磁方向相反，第二边磁铁136固定于导磁轭14；发声装置100还包括上盖4，上盖4包括金属盖板41，金属盖板41盖设于第一边磁铁134远离边华司135的一侧。

在本实施例中，边磁路部分13可以是一体设置，也可以是分体设置，边磁路部分13为一体结构设置时，边磁路部分13包括依次叠放设置的第一边磁铁134、边华司135及第二边磁铁136；边磁路部分13为分体设置时，也即边磁路部分13包括顺序排布的第二长边部131和第二短边部132，此时第二长边部131和第二短边部132均包括依次叠放设置的第一边磁铁134、边华司135及第二边磁铁136，在此不做限定。

可以理解的，边磁路部分13的第一边磁铁134和第二边磁铁136可选为永磁铁，边磁路部分13的边华司135可选为导磁板。边华司135的形状轮廓结构与第一边磁铁134和第二边磁铁136的形状轮廓结构相适配。如此设置，可有效增大磁路系统1的磁场强度。可以理解的是，边磁路部分13包括依次叠放设置的第一边磁铁134、边华司135及第二边磁铁136，由此可以大大提升磁路系统1的磁场强度，在磁路系统1相同磁场强度的前提下，上述结构设置可以减小磁路系统1的体积，从而可以增大发声装置100的后腔体积，进而可以提升发声装置100的发声效果。

可选地，第一边磁铁134和第二边磁铁136均沿竖直方向充磁且充磁方向相反。如此设置，使得第二长边部131的第一边磁铁134和第二边磁铁136产生的磁通量通过位于第一边磁铁134和第二边磁铁136之间的边华司135与第二短边部132的第一边磁铁134和第二边磁铁136产生的磁通量通过位于第一边磁铁134和第二边磁铁136之间的边华司135和中心磁路部分12组成一个磁通密度较大的区域，使得第一边磁铁134和第二边磁铁136尽可能沿着音圈22而覆盖，提升BL值，并使得音圈22在此区域内产生很高的驱动力，驱动振动系统2运动。

在本实施例中，通过设置上盖4，从而利用上盖4实现磁路系统1和振动系统2的安装固定。可以理解的，上盖4包括金属盖板41，利用金属盖板41盖设于第一边磁铁134远离边华司135的一侧，一方面利用金属盖板41实现磁路系统1的安装固定，金属盖板41还可以起到华司聚磁的作用，另一方面，利用金属盖板41实现发声装置100的快速散热，提高散热效果。

在一实施例中，振膜组件21包括振膜211和球顶213，球顶213与振膜211相连，并位于振膜211的中心位置，振膜211的边缘部与上盖4连接。

在本实施例中，如图1至图3所示，通过将球顶213连接于振膜211的中心位置，使得振膜211的边缘部与上盖4连接，从而利用球顶213提高振膜211中心位置的强度。

如图1至图3所示，上盖4还包括与金属盖板41一体注塑的塑胶件42，上盖4的塑胶件42与振膜211的边缘部连接。可以理解的，振膜211的边缘部与塑胶件42一体注塑成型，从而提高振膜211与上盖4的塑胶件42的连接强度和密封性能。当然，在其他实施例中，振膜211的边缘部与塑胶件42一体热压成型；或者，振膜211的边缘部与塑胶件42胶粘连接，在此不做限定。

在一实施例中，中心磁路部分12包括依次叠放设置的中心华司126和第二中心磁铁127，第二中心磁铁127固定于导磁轭14，金属盖板41同时盖设于第一边磁铁134和中心华司126的远离导磁轭14的一侧。

如图2和图3所示，中心磁路部分12可以是一体设置，也可以是分体设置，中心磁路部分12为一体结构设置时，中心磁路部分12包括依次叠放设置的中心华司126和第二中心磁铁127；中心磁路部分12为分体设置时，也即中心磁路部分12包括顺序排布的第一长边部123和第一短边部124，此时第一长边部123和第一短边部124均包括依次叠放设置的中心华司126和第二中心磁铁127，在此不做限定。

可以理解的，中心磁路部分12的第二中心磁铁127可选为永磁铁，中心磁路部分12的中心华司126可选为导磁板。中心华司126的形状轮廓结构与第二中心磁铁127的形状轮廓结构相适配。如此设置，可有效增大磁路系统1的磁场强度。

在本实施例中，通过利用上盖4同时盖设于第一边磁铁134和中心华司126的远离导磁轭14的一侧，也即利用上盖4的金属盖板41和塑胶件42同时盖设于第一边磁铁134远离边华司135的一侧和中心华司126远离第二中心磁铁127的一侧，一方面利用金属盖板41实现磁路系统1的安装固定，还可起到华司聚磁的作用，另一方面，利用金属盖板41实现发声装置100的快速散热，提高散热效果。

在一实施例中，中心磁路部分12包括依次叠放设置的第一中心磁铁、中心华司126及第二中心磁铁127，第一中心磁铁和第二中心磁铁127均沿竖直方向充磁且充磁方向相反，第二中心磁铁127固定于导磁轭14，金属盖板41同时盖设于第一边磁铁134和第一中心磁铁的远离导磁轭14的一侧。

在本实施例中，中心磁路部分12可以是一体设置，也可以是分体设置，中心磁路部分12为一体结构设置时，中心磁路部分12包括依次叠放设置的第一中心磁铁、中心华司126及第二中心磁铁127；中心磁路部分12为分体设置时，也即中心磁路部分12包括顺序排布的第一长边部123和第一短边部124，此时第一长边部123和第一短边部124均包括依次叠放设置的第一中心磁铁、中心华司126及第二中心磁铁127，在此不做限定。

可以理解的，中心磁路部分12的第一中心磁铁和第二中心磁铁127可选为永磁铁，中心磁路部分12的中心华司126可选为导磁板。中心华司126的形状轮廓结构与第一中心磁铁和第二中心磁铁127的形状轮廓结构相适配。如此设置，可有效增大磁路系统1的磁场强度。可以理解的是，由于中心磁路部分12包括叠放设置的第一中心磁铁和第二中心磁铁127，由此可以增大磁路系统1的磁场强度，在磁路系统1相同磁场强度的前提下，上述结构设置可以减小磁路系统1的体积，从而可以增大发声装置100的后腔体积，进而可以提升发声装置100的发声效果。

可选地，第一中心磁铁和第二中心磁铁127均沿竖直方向充磁且充磁方向相反。如此设置，中心磁路部分12的第一中心磁铁和第二中心磁铁127产生的磁通量通过位于第一中心磁铁和第二中心磁铁127之间的中心华司126与边磁路部分13的第一边磁铁134和第二边磁铁136产生的磁通量通过位于第一边磁铁134和第二边磁铁136之间的边华司135组成一个磁通密度较大的区域，使得第一边磁铁134和第二边磁铁136以及第一中心磁铁和第二中心磁铁127尽可能沿着音圈22而覆盖，提升BL值，并使得音圈22在此区域内产生很高的驱动力，驱动振动系统2运动。

可以理解的，通过利用上盖4同时盖设于第一边磁铁134和第一中心磁铁的远离导磁轭14的一侧，也即利用上盖4的金属盖板41和塑胶件42同时盖设于第一边磁铁134远离边华司135的一侧和第一中心磁铁远离中心华司126的一侧，一方面利用金属盖板41实现磁路系统1的安装固定，还可以起到华司聚磁的作用，另一方面，利用金属盖板41实现发声装置100的快速散热，提高散热效果。

在一实施例中，边磁路部分13包括依次叠放设置的第一边华司、第一边磁铁134、第二边华司及第二边磁铁136，第一边磁铁134和第二边磁铁136均沿竖直方向充磁且充磁方向相反，第二边磁铁136固定于导磁轭14。

可以理解的，金属盖板41盖设于第一边华司远离第一边磁铁134的一侧。在本实施例中，边磁路部分13的第一边华司和第二边华司可选为导磁板，第一边磁铁134和第二边磁铁136可选为永磁铁，利用第一边磁铁134和第二边磁铁136产生磁通量，利用第一边华司和第二边华司均匀化第一边磁铁134和第二边磁铁136产生的磁通量，进一步提高磁路系统1的磁场强度。

在一实施例中，中心磁路部分12包括依次叠放设置的第一中心华司、第一中心磁铁、第二中心华司及第二中心磁铁127，第一中心磁铁和第二中心磁铁127均沿竖直方向充磁且充磁方向相反，第二中心磁铁127固定于导磁轭14，振膜组件21的外周沿固定于第一中心华司。

可以理解的，上盖4的塑胶件42盖设于第一中心华司远离第一中心磁铁的一侧。在本实施例中，中心磁路部分12的第一中心华司和第二中心华司可选为导磁板，第一中心磁铁和第二中心磁铁127可选为永磁铁，利用第一中心磁铁和第二中心磁铁127产生磁通量，利用第一中心华司和第二中心华司均匀化第一中心磁铁和第二中心磁铁127产生的磁通量，进一步提高磁路系统1的磁场强度。

在本实施例中，如图2至图4所示，为了避免中心磁路部分12的中心华司126影响振膜211的振动，中心华司126靠近振膜211的一端设有倒角。可以理解的，振膜组件21包括振膜211和球顶213，球顶213与振膜211相连，并位于振膜211的中心位置，骨架23的一端与球顶213连接，骨架23的另一端穿过第一避让口122伸入磁间隙11，并与音圈22相连。

可以理解的，振膜211具有向上凸起或向下凹陷的折环部，球顶213与振膜211的折环部内侧连接，振膜211的折环部外侧与上盖4的塑胶件42连接，在此不做限定。在本实施例中，振膜211的折环部可选为向下凹陷的折环部，也即折环部呈具有弹性恢复的U型结构，如此设置，使得振膜211在提供较大顺性的基础上，占用了很小的振动辐射面，有效增大了振动发声面积。

在本发明的一个具体实施例中，导磁轭14包括本体部和弯折部(图未示出)，边磁路部分13设于本体部，弯折部设于本体部靠近容纳空间121的一侧且相对本体部朝向靠近振膜组件21的方向弯折延伸，弯折部与边磁路部分13间隔设置以限定出磁间隙11。上盖4包括金属盖板41以及与金属盖板41一体注塑的塑胶件42，金属盖板41盖设于边磁路部分13，塑胶件42位于所述弯折部的上方并与振膜211的边缘部连接。由此，通过上述设置，可以简化磁路系统1的结构设计。

在本实施例中，振膜组件21的振膜211和球顶213可采用一体化成型技术加工成一体结构。可以理解的，振膜211的平面部分与球顶213紧密压合，且振膜211的外边沿与上盖4的塑胶件42耦合在一起，此一体成型的振膜组件21通过上盖4连接，三者的一体成型技术保证接触可靠耐用。

在一实施例中，沿竖直方向，球顶213的顶面与容纳空间121底壁之间的间距小于磁路系统1的顶面与容纳空间121底壁之间的间距。可以理解的，如此设置，使得磁路系统1的厚度与振膜组件21的振动高度平行，可以降低发声装置100的厚度尺寸。

在一实施例中，球顶213和骨架23形成为一体成型的金属件。可以理解的，如此设置，既可以提高球顶213和骨架23的连接强度，又可以提升音圈22通过骨架23将振动传动至振膜211的振动效果。

在一实施例中，骨架23包括支撑部231和延伸部232，支撑部231呈环形设置，且支撑部231的一端与振膜组件21连接，延伸部232设于支撑部231的另一端，延伸部232伸入至磁间隙11，并与音圈22相连。

在本实施例中，如图2、图4至图7所示，通过将骨架23设置为支撑部231和延伸部232，使得支撑部231呈环形设置，从而通过支撑部231与振膜组件21的球顶213连接，一方面实现振动传动，另一方面，节省骨架23的成本。可以理解的，延伸部232设于支撑部231的另一端，如此可方便延伸部232穿过第一避让口122伸入至磁间隙11，并与音圈22相连。

可以理解的，骨架23的环形支撑部231连接球顶213，有利于提高骨架23的抗扭刚度，降低高频谐振。可选地，支撑部231呈矩形环设置，支撑部231的四角对称设置有延伸部232，延伸部232折弯部连接固定音圈22。

在一实施例中，延伸部232为两个，两个延伸部232沿支撑部231的周向方向间隔分布；其中，磁路系统1呈方形设置，两个延伸部232分别通过磁路系统1的一对对角位置分别伸入至磁间隙11，并与音圈22相连。

可以理解的，磁路系统1的中心磁路部分12对应两个延伸部232分别设有第一避让口122，使得两个延伸部232分别通过磁路系统1的一对对角位置分别伸入至磁间隙11，并与音圈22相连。可选地，两个第一避让口122位于中心磁路部分12的一对对角位置，如此既可以实现骨架23的平衡放置，又可以实现音圈22通过骨架23带动振膜211平稳振动。

在一实施例中，延伸部232为四个，四个延伸部232沿支撑部231的周向方向间隔分布；其中，磁路系统1呈方形设置，四个延伸部232分别通过磁路系统1的四个对角位置分别伸入至磁间隙11，并与音圈22相连。

可以理解的，磁路系统1的中心磁路部分12的四个对角位置均设置有第一避让口122，四个延伸部232分别通过磁路系统1的四个对角位置分别伸入至磁间隙11，并与音圈22相连。如此设置，可有效提高音圈22通过骨架23与振膜211连接的稳定性。

在一实施例中，支撑部231与延伸部232形成为一体成型件。可以理解的，如此设置，有利于提高支撑部231与延伸部232的连接强度，从而可提高骨架23的结构强度。当然，支撑部231和延伸部232焊接或粘接连接，在此不做限定。

在一实施例中，发声装置100包括定心支片3，定心支片3的内端与骨架23远离振膜211一端的延伸部232相连，定心支片3设有内焊盘31，音圈22的引线部与内焊盘31焊接。

在本实施例中，如图2和图4所示，通过设置定心支片3，从而利用定心支片3有效避免音圈22在振动过程中出现的摆动限定，同时利用定心支片3实现音圈22与外部电路连接导通，且起到稳定骨架23振动的作用。可以理解的，定心支片3可以是一个整体结构，也可以包括多个。

在一实施例中，磁路系统1呈方形设置，骨架23的延伸部232为两个，两个延伸部232沿支撑部231的周向方向间隔分布，两个延伸部232分别通过磁路系统1的一对对角位置分别伸入磁间隙11，并与音圈22相连。

在另一实施例中，磁路系统1呈方形设置，骨架23的延伸部232为四个，四个延伸部232沿支撑部231的周向方向间隔分布，四个延伸部232分别通过磁路系统1的四个对角位置分别伸入磁间隙11，并与音圈22相连。

可选地，定心支片3的数量与延伸部232的数量相同，多个定心支片3与多个延伸部232一一对应设置。在本发明的一个具体示例中，定心支片3可选为四个，骨架23包括支撑部231和四个延伸部232，支撑部231呈环形设置，四个延伸部232沿支撑部231的周向方向间隔分布，四个延伸部232分别穿过磁路系统1的中心磁路部分12的四个对角位置的第一避让口122伸入磁间隙11，且部分伸入边磁路部分13的四个第二避让口133内，四个定心支片3对应设置于四个第二避让口133，且定心支片3的内端与对应的延伸部232连接，定心支片3的外端固定于发声装置100的壳体。

在一实施例中，如图2、图4至图7所示，延伸部232与音圈22连接的一端包括第一固定部2321和第二固定部2322，第一固定部2321形成为圆弧形，并与音圈22连接，第二固定部2322形成为长条形，定心支片3的内焊盘31固定于第二固定部2322。

可以理解的，骨架23的延伸部232为金属材质制成，或延伸部232的第二固定部2322内设有连接导通定心支片3的内焊盘31和音圈22的电路，在此不做限定。

本发明还提出一种电子设备，该包括上述的发声装置100。该发声装置100的具体结构参照前述实施例，由于本电子设备采用了前述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有前述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (17)

1.一种发声装置，其特征在于，所述发声装置包括：

磁路系统，所述磁路系统设有磁间隙，所述磁路系统呈中空设置，以限定出容纳空间；和

振动系统，所述振动系统包括振膜组件、音圈及骨架，所述振膜组件位于所述容纳空间内，所述音圈插设于所述磁间隙内，所述骨架的一端与所述振膜组件相连，所述骨架的另一端伸入至所述磁间隙，并与所述音圈相连，所述音圈通过所述骨架带动所述振膜组件振动。

2.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述磁路系统包括：

中心磁路部分，所述中心磁路部分呈中空设置，以限定出所述容纳空间；

边磁路部分，所述边磁路部分设于所述中心磁路部分的外周，并与所述中心磁路部分间隔设置以限定出所述磁间隙；及

导磁轭，所述中心磁路部分和所述边磁路部分分别固定于所述导磁轭；

其中，所述中心磁路部分设有第一避让口，所述骨架穿过所述第一避让口伸入所述磁间隙，并与所述音圈相连。

3.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述中心磁路部分包括顺序排布的第一长边部和第一短边部，所述第一长边部和所述第一短边部分体设置，并围合形成所述容纳空间，所述第一长边部与相邻的所述第一短边部间隔设置，以限定出所述第一避让口。

4.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述边磁路部分包括顺序排布的第二长边部和第二短边部，所述第二长边部和所述第二短边部分体设置，所述第二长边部与相邻的所述第二短边部间隔设置，以限定出与所述第一避让口连通的第二避让口。

5.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述边磁路部分包括依次叠放设置的第一边磁铁、边华司及第二边磁铁，所述第一边磁铁和所述第二边磁铁均沿竖直方向充磁且充磁方向相反，所述第二边磁铁固定于所述导磁轭；

所述发声装置还包括上盖，所述上盖包括金属盖板，所述金属盖板盖设于所述第一边磁铁远离所述边华司的一侧。

6.根据权利要求5所述的发声装置，其特征在于，所述振膜组件包括振膜和球顶，所述球顶与所述振膜相连，并位于所述振膜的中心位置，所述振膜的边缘部与所述上盖连接。

7.根据权利要求5所述的发声装置，其特征在于，所述中心磁路部分包括依次叠放设置的第一中心磁铁、中心华司及第二中心磁铁，所述第一中心磁铁和所述第二中心磁铁均沿竖直方向充磁且充磁方向相反，所述第二中心磁铁固定于所述导磁轭，所述金属盖板同时盖设于所述第一边磁铁和所述第一中心磁铁的远离所述导磁轭的一侧。

8.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述边磁路部分包括依次叠放设置的第一边华司、第一边磁铁、第二边华司及第二边磁铁，所述第一边磁铁和所述第二边磁铁均沿竖直方向充磁且充磁方向相反，所述第二边磁铁固定于所述导磁轭。

9.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述中心磁路部分包括依次叠放设置的第一中心华司、第一中心磁铁、第二中心华司及第二中心磁铁，所述第一中心磁铁和所述第二中心磁铁均沿竖直方向充磁且充磁方向相反，所述第二中心磁铁固定于所述导磁轭，所述振膜组件的外周沿固定于所述第一中心华司。

10.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述振膜组件包括振膜和球顶，所述球顶与所述振膜相连，并位于所述振膜的中心位置，所述骨架的一端与所述球顶连接，所述骨架的另一端伸入至所述磁间隙，并与所述音圈相连。

11.根据权利要求10所述的发声装置，其特征在于，沿竖直方向，所述球顶的顶面与所述容纳空间底壁之间的间距小于所述磁路系统的顶面与所述容纳空间底壁之间的间距。

12.根据权利要求10所述的发声装置，其特征在于，所述球顶和所述骨架形成为一体成型的金属件。

13.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述骨架包括支撑部和延伸部，所述支撑部呈环形设置，且所述支撑部的一端与所述振膜组件连接，所述延伸部设于所述支撑部的另一端，所述延伸部伸入至所述磁间隙，并与所述音圈相连。

14.根据权利要求13所述的发声装置，其特征在于，所述延伸部为两个，两个所述延伸部沿所述支撑部的周向方向间隔分布；

其中，所述磁路系统呈方形设置，两个所述延伸部分别通过所述磁路系统的一对对角位置分别伸入至所述磁间隙，并与所述音圈相连。

15.根据权利要求13所述的发声装置，其特征在于，所述延伸部为四个，四个所述延伸部沿所述支撑部的周向方向间隔分布；

其中，所述磁路系统呈方形设置，四个所述延伸部分别通过所述磁路系统的四个对角位置分别伸入至所述磁间隙，并与所述音圈相连。

16.根据权利要求13所述的发声装置，其特征在于，所述支撑部与所述延伸部形成为一体成型件；

或，所述支撑部和所述延伸部焊接或粘接连接。

17.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至16中任一项所述的发声装置。

Images