CN217904647U - 发声装置和电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种发声装置和电子设备，该发声装置包括外壳、磁路系统及振动系统，磁路系统包括导磁轭和至少一个共用磁路部分、至少两个中心磁路部分以及两个边磁路部分，至少一个共用磁路部分和至少两个中心磁路部分间隔设于两个边磁路部分之间，每一共用磁路部分间隔设于相邻两个中心磁路部分之间，振动系统包括振膜和连接于振膜的音圈组件，音圈组件包括至少两个音圈，每一音圈具有首尾相连的两个长边和两个短边，至少两个音圈沿短边的方向并行且间隔设置，每一音圈环绕一中心磁路部分设置，且每一共用磁路部分位于相邻两个音圈之间。本实用新型的发声装置不仅磁场利用率高，且提高了音圈的线圈利用率，从而提升产品的BL值和声学性能。

Description

发声装置和电子设备

技术领域

本实用新型涉及电声转换技术领域，特别涉及一种发声装置和应用该发声装置的电子设备。

背景技术

随着便携式消费类电子产品市场的发展，微型发声器件得到广泛的应用，并且随着便携式终端电子产品的多功能和小型化设计，对微型发声器的振动声学性能提出了更高的要求。

发声器件一般包括有磁路系统及振动系统，其中，振动系统包括振膜和结合在振膜一侧的音圈，通电的音圈在磁路系统的作用下可以带动振膜发生振动，进而实现发声装置的发声。但是，音圈对磁路系统产生的磁场利用率不高，且音圈中线圈在磁路系统中的利用率交底，从而降低了发声器件的BL值，影响发声器件的声学性能。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提供一种发声装置和电子设备，旨在提供一种磁场利用率高的发声装置，该发声装置不仅提高了音圈的线圈利用率，还有效提高了产品的BL值，从而提升产品的声学性能。

为实现上述目的，本实用新型提出一种发声装置，所述发声装置包括：

外壳；

磁路系统，所述磁路系统包括导磁轭和连接于所述导磁轭的至少一个共用磁路部分、至少两个中心磁路部分以及两个边磁路部分，两个所述边磁路部分分别与所述外壳连接，至少一个共用磁路部分和至少两个中心磁路部分间隔设于两个所述边磁路部分之间，每一所述共用磁路部分间隔设于相邻两个所述中心磁路部分之间；及

振动系统，所述振动系统包括振膜和连接于所述振膜的音圈组件，所述振膜连接于所述外壳，并与所述磁路系统相对设置，所述音圈组件包括至少两个音圈，每一所述音圈具有首尾相连的两个长边和两个短边，至少两个所述音圈沿所述短边的方向并行且间隔设置，每一所述音圈环绕一所述中心磁路部分设置，且每一所述共用磁路部分位于相邻两个所述音圈之间。

在一实施例中，所述边磁路部分、所述中心磁路部分及所述共用磁路部分沿所述短边的方向间隔设置，且所述边磁路部分、所述中心磁路部分及所述共用磁路部分均沿所述长边的方向延伸设置。

在一实施例中，所述边磁路部分与所述中心磁路部分间隔以形成第一磁间隙，所述中心磁路部分与所述共用磁路部分间隔以形成第二磁间隙，所述第一磁间隙和所述第二磁间隙均沿所述长边的方向延伸设置；

两个所述长边悬设于两个所述第二磁间隙内；或，一所述长边悬设于所述第一磁间隙内，另一所述长边悬设于所述第二磁间隙内。

在一实施例中，定义所述边磁路部分沿所述短边方向的宽度为a，定义所述中心磁路部分沿所述短边方向的宽度为b，定义所述共用磁路部分沿所述短边方向的宽度为c；

其中，b＝a+1/2*c；且/或，0.8≤(a+1/2*c)/b≤1.2。

在一实施例中，所述中心磁路部分的延伸长度大于或等于所述共用磁路部分的延伸长度；

且/或，所述共用磁路部分的延伸长度大于或等于所述边磁路部分的延伸长度；

且/或，所述短边的延伸长度为所述音圈周长的10.8％～19.6％。

在一实施例中，所述共用磁路部分、所述中心磁路部分及所述边磁路部分均沿竖直方向充磁；

其中，所述共用磁路部分和所述边磁路部分的充磁方向相同，所述共用磁路部分和所述中心磁路部分的充磁方向相反。

在一实施例中，所述共用磁路部分包括层叠设置的共用磁铁和共用华司，所述共用磁铁夹设于所述共用华司和所述导磁轭之间；

且/或，所述中心磁路部分包括层叠设置的中心磁铁和中心华司，所述中心磁铁夹设于所述中心华司和所述导磁轭之间；

且/或，所述边磁路部分包括层叠设置的边磁铁和边华司，所述边磁铁夹设于所述边华司和所述导磁轭之间。

在一实施例中，所述振动系统还包括定心支片，所述定心支片包括外固定部、内固定部以及连接于所述外固定部和所述内固定部之间的弹性部，所述外固定部与所述外壳连接，所述内固定部与至少两个所述音圈连接。

在一实施例中，所述外固定部设有外焊盘，所述外焊盘用于连接外部电路，所述内固定部设有至少两个内焊盘，每一所述内焊盘与一所述音圈焊接连接，多个所述音圈通过所述定心支片连接形成串联电路；

且/或，所述定心支片包括多个，多个所述定心支片呈对称设置。

在一实施例中，所述振膜面向所述磁路系统的一侧设有导电层，至少两个所述音圈通过所述导电层连接形成串联电路。

在一实施例中，所述导电层包括：

输入导电层，所述输入导电层与一所述音圈的输入引线电连接；

输出导电层，所述输出导电层与另一所述音圈的输出引线电连接；及

串联导电层，所述串联导电层与至少两个所述音圈的输出引线和输入引线电连接。

在一实施例中，所述振膜包括中央部、环绕所述中央部设置的折环部以及连接于所述折环部外侧的固定部，所述固定部与所述外壳连接；

所述输入导电层和所述输出导电层均包括相连接的第一导电部、连接部及第二导电部，所述第二导电部设于所述固定部，所述连接部设于所述折环部，所述第一导电部设于所述中央部，并与至少两个所述音圈的输入引线或输出引线电连接。

在一实施例中，所述串联导电层设于所述中央部；

且/或，所述导电层涂覆于所述振膜面向所述磁路系统的一侧；

且/或，所述第一导电部、所述连接部及所述第二导电部为一体成型结构；

且/或，所述外壳设有导电嵌件，所述导电嵌件与所述第二导电部电连接，所述导电嵌件用于与外部电路连接。

本实用新型还提出一种电子设备，包括设备壳体和上述所述的发声装置，所述发声装置设于所述设备壳体。

本实用新型技术方案的发声装置通过将磁路系统和振动系统设置于外壳上，以提高磁路系统和振动系统的安装稳定性，通过将磁路系统设置为导磁轭和连接于导磁轭的至少一个共用磁路部分、至少两个中心磁路部分以及两个边磁路部分，使得共用磁路部分和中心磁路部分间隔设于两个边磁路部分之间，且每一共用磁路部分间隔设于相邻所述中心磁路部分之间，并将振动系统中音圈组件设置为至少两个音圈，每一音圈具有首尾相连的两个长边和两个短边，使得至少两个音圈沿短边的方向并行且间隔设置，且使得每一音圈环绕一中心磁路部分设置，且每一共用磁路部分位于相邻两个音圈之间，从而利用多个并行的音圈充分利用磁路系统产生的磁场，以驱动振膜振动发声，从而提高磁场利用率，如此可提高发声装置的BL值和声学性能。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型一实施例中发声装置的结构示意图；

图2为本实用新型一实施例中发声装置的分解示意图；

图3为本实用新型一实施例中发声装置的剖面示意图；

图4为本实用新型一实施例中振动系统的结构示意图；

图5为本实用新型另一实施例中振动系统的结构示意图；

图6为本实用新型一实施例中音圈组件通过定心支片串联连接的结构示意图；

图7为本实用新型一实施例中磁路系统的结构示意图；

图8为本实用新型一实施例中磁路系统和音圈组件配合的剖面示意图；

图9为本实用新型另一实施例中磁路系统和音圈组件配合的结构示意图；

图10为图9的剖面示意图。

附图标号说明：

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

同时，全文中出现的“和/或”或“且/或”的含义为，包括三个方案，以“A和/或B”为例，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。

另外，在本实用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

随着便携式消费类电子产品市场的发展，微型发声器件得到广泛的应用，并且随着便携式终端电子产品的多功能和小型化设计，对微型发声器的振动声学性能提出了更高的要求。

发声器件一般包括有磁路系统及振动系统，其中，振动系统包括振膜和结合在振膜一侧的音圈，通电的音圈在磁路系统的作用下可以带动振膜发生振动，进而实现发声装置的发声。但是，音圈对磁路系统产生的磁场利用率不高，且音圈中线圈在磁路系统中的利用率交底，从而降低了发声器件的BL值，影响发声器件的声学性能。

基于上述构思和问题，本实用新型提出一种发声装置100。可以理解的，发声装置100应用于电子设备，电子设备可以是手机、音响、电脑、耳机、手表或电视等，在此不做限定。

请结合参照图1至图10所示，在本实用新型实施例中，该发声装置100包括外壳1、磁路系统2及振动系统3，其中，磁路系统2包括导磁轭21和连接于导磁轭21的至少一个共用磁路部分22、至少两个中心磁路部分23以及两个边磁路部分24，两个边磁路部分24分别与外壳1连接，至少一个共用磁路部分22和至少两个中心磁路部分23间隔设于两个边磁路部分24之间，每一共用磁路部分22间隔设于相邻两个中心磁路部分23之间，振动系统3包括振膜31和连接于振膜31的音圈组件32，振膜31连接于外壳1，并与磁路系统2相对设置，音圈组件32包括至少两个音圈321，每一音圈321具有首尾相连的两个长边322和两个短边323，至少两个音圈321沿短边323的方向并行且间隔设置，每一音圈321环绕一中心磁路部分23设置，且每一共用磁路部分22位于相邻两个音圈321之间。

在本实施例中，外壳1用于安装、固定、支撑和保护振动系统3、磁路系统2等部件，也即外壳1为振动系统3、磁路系统2等部件提供安装基础。可以理解的，外壳1可以是具有安装腔的安装壳、壳体或盒体等结构，也即外壳1限定出收容空间，在此不做限定。

可选地，外壳1呈长方形结构，外壳1具有相对的两个长轴边和两个短轴边，短轴边的两端分别与两个长轴边连接，长轴边的两端分别与两个短轴边连接，以使得外壳1限定出收容空间。当然，在其他实施例中，外壳1也可设置为正方形等结构，在此不做限定。

可以理解的，外壳1是金属件时，磁路系统2与外壳1采用粘接或焊接固定。在另外的实施例中，外壳1为塑料注塑成型时，磁路系统2的边导磁板先作为嵌件注塑在外壳1中，或者磁路系统2与外壳1采用粘接固定，然后其他部分再粘接固定，在此不做限定。

在本实施例中，如图2、图7至图10所示，磁路系统2包括导磁轭21和连接于导磁轭21的至少一个共用磁路部分22、至少两个中心磁路部分23以及两个边磁路部分24，磁路系统2通过两个边磁路部分24与外壳1连接。可以理解的，磁路系统2的共用磁路部分22、中心磁路部分23及边磁路部分24间隔设置于导磁轭21面向振动系统3的一侧，且边磁路部分24与中心磁路部分23间隔以形成第一磁间隙25，共用磁路部分22与中心磁路部分23间隔形成第二磁间隙26。

可以理解的，导磁轭21可选为导磁板或导磁盆架等结构，在此不做限定。导磁轭21用于支撑和安装固定共用磁路部分22、中心磁路部分23及边磁路部分24。磁路系统2通过边磁路部分24与外壳1实现固定连接。可选地，导磁轭21与共用磁路部分22、中心磁路部分23及边磁路部分24粘结连接，边磁路部分24与外壳1粘结连接。

在本实施例中，如图3、图8和图10所示，共用磁路部分22包括层叠设置的共用磁铁和共用华司，共用磁铁夹设于共用华司和导磁轭21之间。中心磁路部分23包括层叠设置的中心磁铁和中心华司，中心磁铁夹设于中心华司和导磁轭21之间。边磁路部分24包括层叠设置的边磁铁和边华司，边磁铁夹设于边华司和导磁轭21之间。可以理解的，边磁路部分24的边华司可以是与外壳1采用粘结连接。可选地，边华司与外壳1为一体成型结构。

可选地，共用磁铁和共用华司可选为导磁板结构共用磁铁和共用华司的结构轮廓相同，共用磁铁和共用华司可选为板状、条状或跑道型结构，在此不做限定。中心华司和边华司可选为导磁板结构，中心磁铁和中心华司的结构轮廓相同，中心磁铁和中心华司可选为板状、条状或跑道型结构，在此不做限定。边磁铁和边华司的结构轮廓相同，边磁铁和边华司可选为板状、条状或跑道型，在此不做限定。

可以理解的，振动系统3的振膜31连接于外壳1，并与磁路系统2相对设置，音圈组件32的一端与振膜31连接，音圈组件32的另一端分别悬设于第二磁间隙26或者第一磁间隙25和第二磁间隙26内。在本实施例中，音圈组件32包括并行且间隔设置的至少两个音圈321，每一音圈321具有首尾相连的两个长边322和两个短边323，至少两个音圈321沿短边323的方向并行且间隔设置，使得每一音圈321环绕一中心磁路部分23设置，且每一共用磁路部分22位于相邻两个音圈321之间，如此可利用并行且间隔设置的多个音圈321充分利用边磁路部分24与中心磁路部分23产生的磁场以及共用磁路部分22与中心磁路部分23产生的磁场，同时可使得音圈321的线圈能够得到充分利用，多个音圈321同时驱动振膜31振动发声，从而提高磁场利用率，如此可提高发声装置100的BL值和声学性能。

可选地，音圈321的两个长边322和两个短边323首尾相连形成环状结构或跑道型结构。

在本实施例中，音圈组件32的至少两个音圈321串联连接以形成串联电路，如此将外部电路与音圈组件32的音圈321连接导通，音圈321将电能传递至磁路系统2的第一磁间隙25和第二磁间隙26中，使得磁路系统2产生的磁场将电能转换为机械能，从而使得音圈组件32发生振动，并带动振膜31实现振动发声，进一步将机械能转换为声能。

可以理解的，音圈组件32的音圈321包括多个，多个音圈321可以是两个、三个、四个、五个、六个等，在此不做限定。在本实施例中，多个音圈32串联连接形成串联电路，也即通入多个音圈321中的电流呈串联连接。只要是能够实现多个音圈32串联连接并导电连通的结构均可，在此不做限定。

本实用新型的发声装置100通过将磁路系统2和振动系统3设置于外壳1上，以提高磁路系统2和振动系统3的安装稳定性，通过将磁路系统2设置为导磁轭21和连接于导磁轭21的至少一个共用磁路部分22、至少两个中心磁路部分23以及两个边磁路部分24，使得共用磁路部分22和中心磁路部分23间隔设于两个边磁路部分24之间，且每一共用磁路部分22间隔设于相邻所述中心磁路部分23之间，并将振动系统3中音圈组件32设置为至少两个音圈321，每一音圈321具有首尾相连的两个长边322和两个短边323，使得至少两个音圈321沿短边323的方向并行且间隔设置，且使得每一音圈321环绕一中心磁路部分23设置，且每一共用磁路部分22位于相邻两个音圈321之间，如此可利用共用磁路部分22分别为相邻的两个音圈321同时提供磁场，从而利用多个并行的音圈321充分利用磁路系统2产生的磁场，以驱动振膜31振动发声，从而提高磁场利用率，如此可提高发声装置100的BL值和声学性能。

在一实施例中，定义音圈321的数量为N，N≥2；共用磁路部分22的数量为N-1，中心磁路部分23的数量为N。可以理解的，共用磁路部分22与相邻的两个中心磁路部分23配合形成两个第二磁间隙26内，也即共用磁路部分22同时为相邻两个音圈321提供磁场。

可以理解的，音圈321呈环形结构，每一中心磁路部分23位于环形音圈321内，使得中心磁路部分23的数量与音圈321的数量相同，而共用磁路部分22数量比音圈321的数量少1个。

在一实施例中，定义音圈321的数量为N，N≥2；N个音圈321的电阻相同。可以理解的，音圈321包括多个，多个音圈321的电阻相同，如此可确保多个音圈321产生的振动均衡，从而有效提升振膜31的振动效果。

可选地，定义音圈321的数量为N，N≥2；N个音圈321的线圈线径相同。N个音圈321的线圈排布相同。如此设置，可确保多个音圈321产生的振动均衡，从而有效提升振膜31的振动效果。

可选地，N个音圈321内的电流方向相同。可以理解的，多个音圈321中的电流可以是同时呈逆时针或顺时针设置，如此可确保多个音圈321产生的振动均衡，从而有效提升振膜31的振动效果。

在一实施例中，边磁路部分24、中心磁路部分23及共用磁路部分22沿短边323的方向间隔设置，且边磁路部分24、中心磁路部分23及共用磁路部分22均沿长边322的方向延伸设置。

在本实施例中，如图3、图7和图9所示，通过将边磁路部分24、中心磁路部分23及共用磁路部分22均设置为沿音圈321的长边322的方向延伸设置，从而有效和合理分布磁路系统2的磁场，以使得音圈组件32的音圈321的长边322能够充分利用边磁路部分24与中心磁路部分23产生的磁场以及中心磁路部分23与共用磁路部分22产生的磁场。

可以理解的，边磁路部分24、中心磁路部分23及共用磁路部分22沿音圈321的短边323方向间隔排布设置。可选地，边磁路部分24、中心磁路部分23及共用磁路部分22沿短边323的方向间隔且并行设置。使得音圈组件32的多个音圈321沿短边323的方向并行且间隔设置。

在一实施例中，边磁路部分24与中心磁路部分23间隔以形成第一磁间隙25，中心磁路部分23与共用磁路部分22间隔以形成第二磁间隙26，第一磁间隙25和第二磁间隙26均沿长边322的方向延伸设置。

在本实施例中，如图2至图10所示，音圈321具有两个长边322和两个短边323，两个长边322和两个短边323首尾相连形成环状结构或跑道型结构。可以理解的，边磁路部分24、中心磁路部分23及共用磁路部分22均沿长边322方向延伸设置，使得边磁路部分24与中心磁路部分23间隔形成的第一磁间隙25沿长边322的方向延伸设置，中心磁路部分23与共用磁路部分22间隔形成的第二磁间隙26沿长边322的方向延伸设置。

可以理解的，当音圈321的数量为两个时，每一音圈321的一长边322悬设于第一磁间隙25内，另一长边322悬设于第二磁间隙26内。当音圈321的数量大于或等于三个时，音圈321的两个长边322均悬设于两个第二磁间隙26内，也即位于中间的音圈321的两个长边322均悬设于两个第二磁间隙26内，位于边缘的音圈321的一长边322悬设于第一磁间隙25内，另一长边322悬设于第二磁间隙26内。

在一实施例中，定义边磁路部分24沿短边323方向的宽度为a，定义中心磁路部分23沿短边323方向的宽度为b，定义共用磁路部分22沿短边323方向的宽度为c。

在本实施例中，如图2、图4至图8所示，边磁路部分24、中心磁路部分23及共用磁路部分22均设置为沿长边322的方向延伸设置，此时边磁路部分24沿短边323方向的宽度为a，中心磁路部分23沿短边323方向的宽度为b，共用磁路部分22沿短边323方向的宽度为c，也即边磁路部分24与中心磁路部分23沿短边323方向间隔设置，中心磁路部分23与共用磁路部分22沿短边323方向间隔设置。

在一实施例中，中心磁路部分23沿短边323方向的宽度b为边磁路部分24沿短边323方向的宽度a与1/2倍的共用磁路部分22沿短边323方向的宽度c之和，也即b＝a+1/2*c。

可以理解的，如此设置可优化磁路系统2中边磁路部分24、中心磁路部分23及共用磁路部分22的排布，从而有效提高音圈321在磁路系统2中的利用率，以提升发声装置100的BL值，也即利用更少的磁铁，得到更大的BL值，与现有的磁路系统排布方式相比BL值提升了7％。

在一实施例中，边磁路部分24沿短边323方向的宽度a和1/2倍的共用磁路部分22沿短边323方向的宽度c之和与中心磁路部分23沿短边323方向的宽度b的比值范围在0.8～1.2之间，也即0.8≤(a+1/2*c)/b≤1.2。如此设置，可有效优化磁路系统2中边磁路部分24、中心磁路部分23及共用磁路部分22的排布，使得磁路系统2利用更少的磁铁，得到更大的BL值。

为了进一步提高音圈321的磁场利用率，在一实施例中，中心磁路部分23的延伸长度大于或等于共用磁路部分22的延伸长度。可以理解的，如此设置，可有效降低音圈321环形倒圆角处磁场强度降低，以提高音圈321位于边磁路部分24和中心磁路部分23之间以及中心磁路部分23和共用磁路部分22之间的磁场利用率。同时，有效避免磁路系统2对定心支片33的布置产生干涉或阻碍。

在一实施例中，共用磁路部分22的延伸长度大于或等于边磁路部分24的延伸长度。中心磁路部分23的延伸长度大于或等于共用磁路部分22的延伸长度。可选地，中心磁路部分23的延伸长度大于边磁路部分24的延伸长度。可以理解的，过长的边磁路部分24将影响或阻碍定心支片33的布置，且不能带来明显的BL提高。

在一实施例中，短边323的延伸长度为音圈321周长的10.8％～19.6％。可以理解的，音圈321的周长为两个长边322与两个短边323的长度之和。通过将音圈321的短边323的长度控制在音圈321周长的10.8％～19.6％，从而有效增长音圈321的长边322的长度，如此可有效提高音圈321的长边322对第一磁间隙25和第二磁间隙26内形成的磁场利用率，同时也有效提高音圈321的线圈利用率。

可选地，短边323的延伸长度为音圈321周长的11％、12％、13％、14％、15％、16％、17％、18％、19％等，在此不做限定。

在一实施例中，如图8和图10所示，共用磁路部分22、中心磁路部分23及边磁路部分24均沿竖直方向充磁；其中，共用磁路部分22和边磁路部分24的充磁方向相同，共用磁路部分22和中心磁路部分23的充磁方向相反。可以理解的，如此设置可实现优化BL的平滑性。

在一实施例中，振动系统3还包括定心支片33，定心支片33包括外固定部331、内固定部332以及连接于外固定部331和内固定部332之间的弹性部333，外固定部331与外壳1连接，内固定部332与至少两个音圈321连接。

在本实施例中，如图2、图3、图5和图6所示，通过设置定心支片33，使得定心支片33的外固定部331与外壳1连接，定心支片33的内固定部332与音圈组件32的音圈321连接，从而利用定心支片33平衡和稳定音圈组件32带动振膜31的振动，避免音圈组件32带动振膜31发生摆动或偏振现象。

可选地，定心支片33包括多个，多个定心支片33呈对称设置。在本实施例中，定心支片33包括两个，两个定心支片33呈对称设置，且两个定心支片33位于共用磁路部分22、中心磁路部分23及边磁路部分24延长方向的两端。

需要说明的是，定心支片33可以是仅起到定心作用，也即避免音圈组件32带动振膜31发生摆动或偏振现象，如图5所示。当然，定心支片33不仅起到定心作用，避免音圈组件32带动振膜31发生摆动或偏振现象；同时，定心支片33还起到将外部电路与音圈组件32的音圈321导电连通的作用，如图6所示。

可以理解的，定心支片33可采用PI材质制成，在此不做限定。当然，在其他实施例中，定心支片33起到导通音圈组件32与外部电路时，定心支片33可采用FPCB制成，或者定心支片33内设置有导电电路，如此可利用定心支片33的一端与音圈组件32的引线导电连接，定心支片33的另一端固定在外壳1上，用于与外部电路连接导通，如此利用定心支片33将外部电路与音圈组件32连接导通，有效避免音圈组件32的引线在振动过程中发生断线风险。

在一实施例中，外固定部331设有外焊盘，外焊盘用于连接外部电路，内固定部332设有至少两个内焊盘，每一内焊盘与一音圈321焊接连接，多个音圈321通过定心支片33连接形成串联电路。

在本实施例中，如图6所示，定心支片33实现音圈组件32与外部电路导通。定心支片33的外固定部331的外焊盘可以与外部电路直接连接。当然，在其他实施例中，外壳1设有导电嵌件11，导电嵌件11与外固定部331的外焊盘电连接，利用导电嵌件11用于与外部电路连接。

可以理解的，定心支片33的内固定部332设置有多个内焊盘，内焊盘的数量与音圈321的数量相同。如此使得多个音圈321通过定心支片33连接形成串联电路。

在一实施例中，振膜31面向磁路系统2的一侧设有导电层311，至少两个音圈321通过导电层311连接形成串联电路。

在本实施例中，如图4和图5所示，导电层311能够实现导电，使得多个音圈321通过导电层311实现串联连接电路。可以理解的，导电层311可以通过粘结方式设置于振膜31上，也可通过喷涂方式设置于振膜31上。可选地，导电层311涂覆于振膜31面向磁路系统2的一侧，例如采用涂膜方式固化后形成涂层结构，在此不做限定。

可以理解的，导电层311采用能够导电的材质制成。当然，导电层311也可才基材中掺杂或混入或设置导电材质制作形成，在此不做限定。在本实施例中，音圈321的引线可通过导电胶连接于导电层311，为了提高连接效果，并实现与外部绝缘，在涂覆一层绝缘性的外固定胶，以提高连接稳定性的同时，避免音圈321的引线在振膜31振动过程中影响振膜31的振动效果和发声效果。

在一实施例中，导电层311包括输入导电层3111、输出导电层3112及串联导电层3113，输入导电层3111与一音圈321的输入引线电连接，输出导电层3112与另一音圈321的输出引线电连接，串联导电层3113与至少两个音圈321的输出引线和输入引线电连接。

在本实施例中，如图4和图5所示，通过将导电层311设置为输入导电层3111、输出导电层3112及串联导电层3113，从而使得输入导电层3111与一音圈321的输入引线电连接，以确保输入导电层3111可将外部电路引入音圈321，将输出导电层3112与另一音圈321的输出引线电连接，从而确保输出导电层3112将依次通过多个音圈321的电流引入外部电路，以实现音圈组件32内的电流流入和流出。

可以理解的，通过将多个音圈321的引线与串联导电层3113电连接，从而确保多个音圈321通过串联导电层3113实现串联电路连接，以确保外部电路的电流依次经过多个音圈321然后回到外部电路中，实现电流回路。

在本实施例中，导电层311具有极佳的顺性，不会影响振膜31折环的顺性。音圈321通过粘结工艺固定在到导电层311，实现电气连通。

在一实施例中，振膜31包括中央部312、环绕中央部312设置的折环部313以及连接于折环部313外侧的固定部314，固定部314与外壳1连接。

在本实施例中，如图1至图5所示，振膜31的中央部312、折环部313及固定部314为一体成型结构。折环部313环绕中央部312设置，并位于中央部312和固定部314之间，折环部313可以是向上或向下的凸起结构。振膜31通过固定部314与发声装置100的外壳1连接固定，以提高外壳1与振膜31的连接稳定性和密封性。

可以理解的，为了增大振膜31的有效振动面积，固定部314可以是折环部313的外侧向下或向上延伸形成，以使得固定部314与外壳1的内侧壁或外侧壁连接固定。

在一实施例中，如图4和图5所示，输入导电层3111和输出导电层3112均包括相连接的第一导电部3114、连接部3115及第二导电部3116，第二导电部3116设于固定部314，连接部3115设于折环部313，第一导电部3114设于中央部312，并与至少两个音圈321的输入引线或输出引线电连接。

在本实施例中，通过将导电层311的输入导电层3111和输出导电层3112从振膜31的中央部312延伸至固定部314，从而确保导电层311将音圈组件32与外部电路连接导通。

可以理解的，输入导电层3111和输出导电层3112的第一导电部3114设于中央部312，并与音圈321的输入引线或音圈321的输出引线电连接，输入导电层3111和输出导电层3112的第二导电部3116设于固定部314，用于连接外部电路。第一导电部3114和第二导电部3116通过设置于折环部313的连接部3115连接导通。

可选地，振膜31呈方形设置，导电层311可设置于振膜31的拐角部分，当然导电层311也可设置于振膜31的长轴边或短轴边等，在此不做限定。

在本实施例中，如图4和图5所示，串联导电层3113设于中央部312。可选地，第一导电部3114、连接部3115及第二导电部3116为一体成型结构。

可选地，中央部312设有镂空孔，振动系统3还包括球顶或补强件，球顶或补强件连接于中央部312，并遮盖镂空孔。

在本实施例中，通过在振膜31的中央部312设置镂空孔，如此可有效减小振膜31的整体重量。可选地，中央部312的中央位置设置有镂空孔，镂空孔可选为通孔或镂空孔或开口。可选地，镂空孔可以是一个或多个，在此不做限定。

为了加强振膜31的结构强度，避免振膜31在振动过程中会发生收缩变形量加剧，通过在振膜31的中央部312设置球顶或补强件，球顶或补强件连接于中央部312，并遮盖镂空孔，一方面加强振膜31的结构强度，另一方面也可避免外部杂质或灰尘通过镂空孔进入发声装置100的内部，同时避免振膜31在振动过程中会发生收缩变形量加剧，从而降低发声装置100的THD失真较高，提升音频效果。

在一实施例中，外壳1设有导电嵌件11，导电嵌件11与第二导电部3116电连接，导电嵌件11用于与外部电路连接。

在本实施例中，通过在外壳1内设置导电嵌件11，通过导电嵌件11将外部电路与导电层311的第二导电部3116实现导电连接，从而实现音圈组件32与外部电路导通。可选地，导电嵌件11与外壳1为一体注塑成型。

可以理解的，导电嵌件11设置有内焊盘和外焊盘，外焊盘用于与外部电路焊接连接，内焊盘与第二导电部3116焊接连接或粘结，在此不做限定。

本实用新型的发声装置100提高了音圈321的利用率，在音圈321具有同样的电阻、线径(即漆包线长度相同)的前提下，使得更多音圈321能够在充分的磁场强度的范围内，就能够更高的提高音圈321上漆包线的利用率。

将处于不同的磁场强度的音圈321进行分段区分，定义音圈321具有短边323、长边322以及连接于短边323和长边322的倒圆角部。可以理解的，在音圈321的单位漆包线长度下，音圈321的长边322利用率最高，主要原因是长边322两侧有充足的磁铁。音圈321的短边323和倒圆角部的漆包线利用较低。本申请将漆包线更多的集中在利用率高的音圈321的长边322。

本实用新型还提出一种电子设备，该电子设备包括设备壳体和上述的发声装置100，发声装置100设于设备壳体。该发声装置100的具体结构参照前述实施例，由于本电子设备采用了前述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有前述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

以上所述仅为本实用新型的可选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (14)

1.一种发声装置，其特征在于，所述发声装置包括：

外壳；

磁路系统，所述磁路系统包括导磁轭和连接于所述导磁轭的至少一个共用磁路部分、至少两个中心磁路部分以及两个边磁路部分，两个所述边磁路部分分别与所述外壳连接，至少一个共用磁路部分和至少两个中心磁路部分间隔设于两个所述边磁路部分之间，每一所述共用磁路部分间隔设于相邻两个所述中心磁路部分之间；及

振动系统，所述振动系统包括振膜和连接于所述振膜的音圈组件，所述振膜连接于所述外壳，并与所述磁路系统相对设置，所述音圈组件包括至少两个音圈，每一所述音圈具有首尾相连的两个长边和两个短边，至少两个所述音圈沿所述短边的方向并行且间隔设置，每一所述音圈环绕一所述中心磁路部分设置，且每一所述共用磁路部分位于相邻两个所述音圈之间。

2.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述边磁路部分、所述中心磁路部分及所述共用磁路部分沿所述短边的方向间隔设置，且所述边磁路部分、所述中心磁路部分及所述共用磁路部分均沿所述长边的方向延伸设置。

3.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述边磁路部分与所述中心磁路部分间隔以形成第一磁间隙，所述中心磁路部分与所述共用磁路部分间隔以形成第二磁间隙，所述第一磁间隙和所述第二磁间隙均沿所述长边的方向延伸设置；

两个所述长边悬设于两个所述第二磁间隙内；或，一所述长边悬设于所述第一磁间隙内，另一所述长边悬设于所述第二磁间隙内。

4.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，定义所述边磁路部分沿所述短边方向的宽度为a，定义所述中心磁路部分沿所述短边方向的宽度为b，定义所述共用磁路部分沿所述短边方向的宽度为c；

其中，b＝a+1/2*c；且/或，0.8≤(a+1/2*c)/b≤1.2。

5.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述中心磁路部分的延伸长度大于或等于所述共用磁路部分的延伸长度；

且/或，所述共用磁路部分的延伸长度大于或等于所述边磁路部分的延伸长度；

且/或，所述短边的延伸长度为所述音圈周长的10.8％～19.6％。

6.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述共用磁路部分、所述中心磁路部分及所述边磁路部分均沿竖直方向充磁；

其中，所述共用磁路部分和所述边磁路部分的充磁方向相同，所述共用磁路部分和所述中心磁路部分的充磁方向相反。

7.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述共用磁路部分包括层叠设置的共用磁铁和共用华司，所述共用磁铁夹设于所述共用华司和所述导磁轭之间；

且/或，所述中心磁路部分包括层叠设置的中心磁铁和中心华司，所述中心磁铁夹设于所述中心华司和所述导磁轭之间；

且/或，所述边磁路部分包括层叠设置的边磁铁和边华司，所述边磁铁夹设于所述边华司和所述导磁轭之间。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述振动系统还包括定心支片，所述定心支片包括外固定部、内固定部以及连接于所述外固定部和所述内固定部之间的弹性部，所述外固定部与所述外壳连接，所述内固定部与至少两个所述音圈连接。

9.根据权利要求8所述的发声装置，其特征在于，所述外固定部设有外焊盘，所述外焊盘用于连接外部电路，所述内固定部设有至少两个内焊盘，每一所述内焊盘与一所述音圈焊接连接，多个所述音圈通过所述定心支片连接形成串联电路；

且/或，所述定心支片包括多个，多个所述定心支片呈对称设置。

10.根据权利要求8所述的发声装置，其特征在于，所述振膜面向所述磁路系统的一侧设有导电层，至少两个所述音圈通过所述导电层连接形成串联电路。

11.根据权利要求10所述的发声装置，其特征在于，所述导电层包括：

输入导电层，所述输入导电层与一所述音圈的输入引线电连接；

输出导电层，所述输出导电层与另一所述音圈的输出引线电连接；及

串联导电层，所述串联导电层与至少两个所述音圈的输出引线和输入引线电连接。

12.根据权利要求11所述的发声装置，其特征在于，所述振膜包括中央部、环绕所述中央部设置的折环部以及连接于所述折环部外侧的固定部，所述固定部与所述外壳连接；

所述输入导电层和所述输出导电层均包括相连接的第一导电部、连接部及第二导电部，所述第二导电部设于所述固定部，所述连接部设于所述折环部，所述第一导电部设于所述中央部，并与至少两个所述音圈的输入引线或输出引线电连接。

13.根据权利要求12所述的发声装置，其特征在于，所述串联导电层设于所述中央部；

且/或，所述导电层涂覆于所述振膜面向所述磁路系统的一侧；

且/或，所述第一导电部、所述连接部及所述第二导电部为一体成型结构；

且/或，所述外壳设有导电嵌件，所述导电嵌件与所述第二导电部电连接，所述导电嵌件用于与外部电路连接。

14.一种电子设备，其特征在于，包括设备壳体和如权利要求1至13中任一项所述的发声装置，所述发声装置设于所述设备壳体。

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