CN217904652U - 发声装置和电子设备 - Google Patents

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CN217904652U CN202221978394.4U CN202221978394U CN217904652U CN 217904652 U CN217904652 U CN 217904652U CN 202221978394 U CN202221978394 U CN 202221978394U CN 217904652 U CN217904652 U CN 217904652U
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蔡晓东
郎贤忠
刘松
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Abstract

本实用新型公开一种发声装置和电子设备,该发声装置包括外壳、磁路系统及振动系统,磁路系统设有内磁间隙和环绕内磁间隙设置的外磁间隙,振动系统包括振膜和音圈组件,振膜连接于外壳背向磁路系统的一侧,并与磁路系统相对,振膜面向磁路系统的一侧设有导电层,音圈组件包括内音圈和环绕内音圈设置的外音圈,内音圈的一端与振膜连接,内音圈的另一端悬设于内磁间隙内,外音圈的一端与振膜连接,外音圈的另一端悬设于外磁间隙内,内音圈通过导电层与外音圈连接形成串联电路。本实用新型旨在提供一种提高振膜振动效果的发声装置,该发声装置不仅提高了磁场利用率,还有效提高了产品的BL值。

Description

发声装置和电子设备
技术领域
本实用新型涉及电声转换技术领域,特别涉及一种发声装置和应用该发声装置的电子设备。
背景技术
随着便携式消费类电子产品市场的发展,微型发声器件得到广泛的应用,并且随着便携式终端电子产品的多功能和小型化设计,对微型发声器的振动声学性能提出了更高的要求。
发声器件一般包括有磁路系统及振动系统,其中,振动系统包括振膜和结合在振膜一侧的音圈,通电的音圈在磁路系统的作用下可以带动振膜发生振动,进而实现发声装置的发声。但是,音圈对磁路系统产生的磁场利用率不高,且音圈驱动振膜的振动效果也不理想,从而降低了发声器件的BL值。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是提供一种发声装置和电子设备,旨在提供一种提高振膜振动效果的发声装置,该发声装置不仅提高了磁场利用率,还有效提高了产品的BL值。
为实现上述目的,本实用新型提出一种发声装置,所述发声装置包括:
外壳;
磁路系统,所述磁路系统连接于所述外壳,所述磁路系统设有内磁间隙和环绕所述内磁间隙设置的外磁间隙;及
振动系统,所述振动系统包括振膜和音圈组件,所述振膜连接于所述外壳背向所述磁路系统的一侧,并与所述磁路系统相对,所述振膜面向所述磁路系统的一侧设有导电层,所述音圈组件包括内音圈和环绕所述内音圈设置的外音圈,所述内音圈的一端与所述振膜连接,所述内音圈的另一端悬设于所述内磁间隙内,所述外音圈的一端与所述振膜连接,所述外音圈的另一端悬设于所述外磁间隙内,所述内音圈通过所述导电层与所述外音圈连接形成串联电路。
在一实施例中,所述导电层包括:
输入导电层,所述输入导电层与所述外音圈的输入引线电连接;
输出导电层,所述输出导电层与所述内音圈的输出引线电连接;及
共用导电层,所述共用导电层与所述外音圈的输出引线和所述内音圈的输入引线电连接。
在一实施例中,所述振膜包括中央部、环绕所述中央部设置的折环部以及设于所述折环部外侧的固定部,所述固定部与所述外壳连接;
所述输入导电层和所述输出导电层均包括依次相连接的第一导电部、连接部及第二导电部,所述第二导电部设于所述固定部,所述连接部设于所述折环部,所述第一导电部设于所述中央部,并与所述外音圈的输入引线或所述内音圈的输出引线电连接。
在一实施例中,所述共用导电层设于所述中央部;
且/或,所述中央部设有镂空孔,所述振动系统还包括球顶,所述球顶连接于所述中央部,并遮盖所述镂空孔。
在一实施例中,所述外音圈内的电流方向与所述内音圈内的电流方向相反;
且/或,所述外音圈的电阻阻值与所述内音圈的电阻阻值的比值范围为1~5;
且/或,所述导电层涂覆于所述振膜面向所述磁路系统的一侧。
在一实施例中,所述外壳设有导电嵌件,所述导电嵌件与所述导电层远离所述外音圈的一端电连接,所述导电嵌件用于与外部电路连接。
在一实施例中,所述振动系统还包括定心支片,所述定心支片包括外固定部、内固定部以及连接于所述外固定部和所述内固定部之间的弹性部,所述外固定部与所述外壳连接,所述内固定部与所述外音圈连接。
在一实施例中,所述定心支片包括多个,所述磁路系统设有连通所述外磁间隙的多个避让缺口,每一所述定心支片与一所述避让缺口对应设置。
在一实施例中,所述磁路系统包括:
导磁轭,所述导磁轭与所述振膜相对;
中心磁路部分,所述中心磁路部分设于所述导磁轭面向所述振膜的一侧;
内磁路部分,所述内磁路部分设于所述导磁轭面向所述振膜的一侧,并位于所述中心磁路部分的外侧,所述内磁路部分与所述中心磁路部分间隔以围合形成所述内磁间隙;及
外磁路部分,所述外磁路部分设于所述导磁轭面向所述振膜的一侧,并与所述外壳连接,所述外磁路部分位于所述内磁路部分背向所述中心磁路部分的一侧,并与所述内磁路部分间隔以围合形成所述外磁间隙。
在一实施例中,所述内磁路部分呈环形设置,所述内磁路部分环绕所述中心磁路部分设置;
且/或,所述外磁路部分包括多个,多个所述外磁路部分间隔设置,并环绕所述内磁路部分设置;
且/或,所述中心磁路部分、所述内磁路部分及所述外磁路部分均沿竖直方向充磁,所述内磁路部分与所述中心磁路部分和所述外磁路部分的充磁方向相反,所述中心磁路部分和所述外磁路部分的充磁方向相同。
在一实施例中,所述磁路系统包括:
导磁轭,所述导磁轭与所述振膜相对;
内磁路部分,所述内磁路部分设于所述导磁轭面向所述振膜的一侧,所述内磁路部分包括层叠设置的上磁路部分、导磁板和下磁路部分,所述内磁路部分还设有贯穿所述上磁路部分和所述下磁路部分的安装腔,所述安装腔形成所述内磁间隙;及
外磁路部分,所述外磁路部分设于所述导磁轭面向所述振膜的一侧,并与所述外壳连接,所述外磁路部分位于所述内磁路部分的外侧,并与所述内磁路部分间隔以围合形成所述外磁间隙。
在一实施例中,所述上磁路部分呈环形设置;
且/或,所述下磁路部分呈环形设置;
且/或,所述外磁路部分包括多个,多个所述外磁路部分间隔设置,并环绕所述内磁路部分设置。
在一实施例中,所述内磁路部分沿竖直方向充磁,所述外磁路部分沿水平方向充磁,所述上磁路部分和所述下磁路部分的充磁方向相反。
在一实施例中,所述上磁路部分沿竖直方向向下充磁,所述下磁路部分沿竖直方向向上充磁,所述外磁路部分沿水平方向向外充磁;
或,所述上磁路部分沿竖直方向向上充磁,所述下磁路部分沿竖直方向向下充磁,所述外磁路部分沿水平方向向内充磁。
本实用新型还提出一种电子设备,包括设备壳体和上述所述的发声装置,所述发声装置设于所述设备壳体。
本实用新型技术方案的发声装置通过将磁路系统和振动系统设置于外壳上,以提高磁路系统和振动系统的安装稳定性,通过在磁路系统上设置内磁间隙和外磁间隙,使得外磁间隙环绕内磁间隙设置,并将振动系统的音圈组件设置为内音圈和外音圈,使得外音圈环绕内音圈设置,如此利用内音圈和外音圈分别悬设于磁路系统的内磁间隙和外磁间隙中,从而有效提高磁路系统的磁场利用率;同时,在振膜面向磁路系统的一侧设有导电层,内音圈、外音圈通过引线粘结工艺粘结到导电层,使得内音圈、外音圈联系形成串联电路,从而利用内音圈、外音圈提高振膜的振动效果,以提升发声装置的声学性能和BL值,也避免音圈线之间的连接对振膜的振动产生影响以及发生断线等风险。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本实用新型一实施例中发声装置的结构示意图;
图2为本实用新型一实施例中发声装置的剖面示意图;
图3为本实用新型一实施例中发声装置的分解示意图;
图4为本实用新型一实施例中发声装置去掉振膜的结构示意图;
图5为本实用新型一实施例中音圈组件与磁路系统配合的剖面示意图;
图6为本实用新型另一实施例中音圈组件与磁路系统配合的剖面示意图;
图7为本实用新型一实施例中磁路系统的剖面示意图;
图8为本实用新型一实施例中振动系统的结构示意图;
图9为本实用新型另一实施例中振动系统的结构示意图;
图10为本实用新型一实施例中导电嵌件与振膜连接的结构示意图。
附图标号说明:
Figure BDA0003771412140000041
Figure BDA0003771412140000051
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
需要说明,本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
同时,全文中出现的“和/或”或“且/或”的含义为,包括三个方案,以“A和/或B”为例,包括A方案,或B方案,或A和B同时满足的方案。
另外,在本实用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本实用新型要求的保护范围之内。
随着便携式消费类电子产品市场的发展,微型发声器件得到广泛的应用,并且随着便携式终端电子产品的多功能和小型化设计,对微型发声器的振动声学性能提出了更高的要求。
发声器件一般包括有磁路系统及振动系统,其中,振动系统包括振膜和结合在振膜一侧的音圈,通电的音圈在磁路系统的作用下可以带动振膜发生振动,进而实现发声装置的发声。但是,音圈对磁路系统产生的磁场利用率不高,且音圈驱动振膜的振动效果也不理想,从而降低了发声器件的BL值。
基于上述构思和问题,本实用新型提出一种发声装置100。可以理解的,发声装置100应用于电子设备,电子设备可以是手机、音响、电脑、耳机、手表或电视等,在此不做限定。
请结合参照图1至图10所示,在本实用新型实施例中,该发声装置100包括外壳1、磁路系统2及振动系统3,其中,磁路系统2连接于外壳1,磁路系统2设有内磁间隙21和环绕内磁间隙21设置的外磁间隙22,振动系统3包括振膜31和音圈组件32,振膜31连接于外壳1背向磁路系统2的一侧,并与磁路系统2相对,振膜31面向磁路系统2的一侧设有导电层311,音圈组件32包括内音圈321和环绕内音圈321设置的外音圈322,内音圈321的一端与振膜31连接,内音圈321的另一端悬设于内磁间隙21内,外音圈322的一端与振膜31连接,外音圈322的另一端悬设于外磁间隙22内,内音圈321通过导电层311与外音圈322连接形成串联电路。
在本实施例中,外壳1用于安装、固定、支撑和保护振动系统3、磁路系统2等部件,也即外壳1为振动系统3、磁路系统2等部件提供安装基础。可以理解的,外壳1可以是具有安装腔的安装壳、壳体或盒体等结构,也即外壳1限定出收容空间,在此不做限定。可选地,外壳1呈长方形结构,外壳1具有相对的两个长边和两个短边,短边的两端分别与两个长边连接,长边的两端分别与两个短边连接,以使得外壳1限定出收容空间。
可以理解的,外壳1是金属件时,磁路系统2与外壳1采用粘接或焊接固定。在另外的实施例中,外壳1为塑料注塑成型时,磁路系统2的边导磁板先作为嵌件注塑在外壳1中,或者磁路系统2与外壳1采用粘接固定,然后其他部分再粘接固定,在此不做限定。
在本实施例中,磁路系统2设于收容空间内,并与外壳1连接。磁路系统2设置有内磁间隙21和环绕内磁间隙21设置的外磁间隙22,振动系统3包括振膜31和连接于振膜31的音圈组件32,音圈组件32中内音圈321的一端与振膜31连接,内音圈321的另一端悬设于内磁间隙21内,音圈组件32中外音圈322一端与振膜31连接,外音圈322另一端悬设于外磁间隙22内,通过在振膜31面向磁路系统2的一侧设有导电层311,使得内音圈321和外音圈322通过导电层311连接形成串联电路,如此使得外音圈322与外部电路导通,利用导电层311将外音圈322与内音圈321串联,由内音圈322将电流导出,从而使得内音圈321和外音圈322同时将电能传递至磁路系统2的内磁间隙21和外磁间隙22中,使得磁路系统2产生的磁场将电能转换为机械能,从而使得内音圈321和外音圈322发生振动,并同时带动振膜31实现振动发声,进一步将机械能转换为声能。
可以理解的,设置于内磁间隙21内的内音圈321接收到外部变化的交流电信号后,在磁路系统2的磁场力的驱动下做往复切割磁力线的运动,带动振动系统3的振膜31振动发声。外音圈322接收到传递的交流电信号后,充分利用磁路系统2在外磁间隙22处的磁场力的驱动下做往复切割磁力线的运动,从而实现充分利用磁路系统2的磁场,使得内音圈321和外音圈322配合提高对振膜31的驱动力,从而有效提高发声装置100的BL值以及提高振膜31的振动效果。
在本实施例中,导电层311能够实现导电,使得内音圈321和外音圈322通过导电层311实现串联连接电路。可以理解的,导电层311可以通过粘结方式设置于振膜31上,也可通过喷涂方式设置于振膜31上。可选地,导电层311涂覆于振膜31面向磁路系统2的一侧,例如采用涂膜方式固化后形成涂层结构,在此不做限定。
可以理解的,导电层311采用能够导电的材质制成。当然,导电层311也可才基材中掺杂或混入或设置导电材质(例如导电银等)制作形成,在此不做限定。可选地,导电层311的基材可以是环氧树脂、聚氨酯、有机硅、丙烯酸酯等,在此不做限定。
在本实施例中,内音圈321的引线和外音圈322的引线可通过导电胶连接于导电层311,为了提高连接效果,并实现与外部绝缘,在涂覆一层绝缘性的外固定胶,以提高连接稳定性的同时,避免内音圈321的引线和外音圈322的引线在振膜31振动过程中影响振膜31的振动效果和发声效果。
本实用新型的发声装置100通过将磁路系统2和振动系统3设置于外壳1上,以提高磁路系统2和振动系统3的安装稳定性,通过在磁路系统2上设置内磁间隙21和外磁间隙22,使得外磁间隙22环绕内磁间隙21设置,并将振动系统3的音圈组件32设置为内音圈321和外音圈322,使得外音圈322环绕内音圈321设置,如此利用内音圈321和外音圈322分别悬设于磁路系统2的内磁间隙21和外磁间隙22中,从而有效提高磁路系统2的磁场利用率;同时,通过在振膜31面向磁路系统2的一侧设有导电层311,使得内音圈321、外音圈322通过导电层311联系形成串联电路,从而利用内音圈321、外音圈322提高振膜31的振动效果,以提升发声装置100的声学性能和BL值,也避免音圈线之间的连接对振膜31的振动产生影响以及发生断线等风险。
在一实施例中,导电层311包括输入导电层3111、输出导电层3112及共用导电层3113,其中,输入导电层3111与外音圈322的输入引线电连接,输出导电层3112与内音圈321的输出引线电连接,共用导电层3113与外音圈322的输出引线和内音圈321的输入引线电连接。
在本实施例中,如图8至图10所示,通过将导电层311设置为输入导电层3111、输出导电层3112及共用导电层3113,从而使得输入导电层3111与外音圈322的输入引线电连接,以确保输入导电层3111可将外部电路引入外音圈322,将输出导电层3112与内音圈321的输出引线电连接,从而确保输出导电层3112将依次通过外音圈322和内音圈321的电流引入外部电路,以实现音圈组件32内的电流流入和流出。
可以理解的,通过将外音圈322的输出引线和内音圈321的输入引线与共用导电层3113电连接,从而确保外音圈322和内音圈321通过共用导电层3113实现串联电路连接,以确保外部电路的电流依次经过外音圈322和内音圈321然后回到外部电路中,实现电流回路。
可选地,输入导电层3111、输出导电层3112及共用导电层3113均涂覆于振膜31面向磁路系统2的一侧。
在一实施例中,振膜31包括中央部312、环绕中央部312设置的折环部313以及设于折环部313外侧的固定部314,固定部314与外壳1连接。
在本实施例中,如图1至图3、图8至图10所示,振膜31的中央部312、折环部313及固定部314为一体成型结构。折环部313环绕中央部312设置,并位于中央部312和固定部314之间,折环部313可以是向上或向下的凸起结构。振膜31通过固定部314与发声装置100的外壳1连接固定,以提高外壳1与振膜31的连接稳定性和密封性。
可以理解的,为了增大振膜31的有效振动面积,固定部314可以是折环部313的外侧向下或向上延伸形成,以使得固定部314与外壳1的内侧壁或外侧壁连接固定。
可选地,振膜31呈方形设置,导电层311可设置于振膜31的拐角部分,当然导电层311也可设置于振膜31的长轴边或短轴边等,在此不做限定。可以理解的,导电层311具有极佳的顺性,不会影响振膜31的顺性。内音圈321和外音圈322通过粘结工艺固定在到导电层311,实现电气连通。
在一实施例中,如图8至图10所示,输入导电层3111和输出导电层3112均包括依次相连接的第一导电部3114、连接部3115及第二导电部3116,第二导电部3116设于固定部314,连接部3115设于折环部313,第一导电部3114设于中央部312,并与外音圈322的输入引线或内音圈321的输出引线电连接。
在本实施例中,通过将导电层311的输入导电层3111和输出导电层3112从振膜31的中央部312延伸至固定部314,从而确保导电层311将音圈组件32与外部电路连接导通。
可以理解的,输入导电层3111和输出导电层3112的第一导电部3114设于中央部312,并与外音圈322的输入引线或内音圈321的输出引线电连接,输入导电层3111和输出导电层3112的第二导电部3116设于固定部314,用于连接外部电路。第一导电部3114和第二导电部3116通过设置于折环部313的连接部3115连接导通。
可选地,振膜31呈方形设置,导电层311可设置于振膜31的拐角部分,当然导电层311也可设置于振膜31的长轴边或短轴边等,在此不做限定。可选地,共用导电层3113设于中央部312。
在一实施例中,如图3所示,中央部312设有镂空孔3121,振动系统3还包括球顶34,球顶34连接于中央部312,并遮盖镂空孔3121。
在本实施例中,振膜31的中央部312包括连接于折环部313的内环部。可选地,内环部设有镂空孔3121,球顶34连接于内环部,并遮盖镂空孔3121。通过在振膜31的中央设置镂空孔3121,如此可有效减小振膜31的整体重量。可选地,镂空孔3121可选为通孔或镂空孔或开口。可选地,镂空孔3121可以是一个或多个,在此不做限定。
为了加强振膜31的结构强度,避免振膜31在振动过程中会发生收缩变形量加剧,通过在振膜31的中央部312设置球顶34,球顶34连接于中央部312,并遮盖镂空孔3121,一方面加强振膜31的结构强度,另一方面也可避免外部杂质或灰尘通过镂空孔3121进入发声装置100的内部,同时避免振膜31在振动过程中会发生收缩变形量加剧,从而降低发声装置100的THD失真较高,提升音频效果。
在一实施例中,外音圈322内的电流方向与内音圈321内的电流方向相反。可以理解的,外音圈322和内音圈321内的电流一个逆时针,一个顺时针,如此设置可确保内音圈321在内磁间隙21内产生的振动方向与外音圈322在外磁间隙22内产生的振动方向相同,从而确保同时对振膜31产生同向振动,以提高对振膜31的振动效果。
在一实施例中,外音圈322的电阻阻值与内音圈321的电阻阻值的比值范围为1~5。可以理解的,如此设置可确保外音圈322和内音圈32产生的振动均衡,从而有效提升振膜31的振动效果。
在一实施例中,外壳1设有导电嵌件11,导电嵌件11与导电层311远离外音圈322的一端电连接,导电嵌件11用于与外部电路连接。
在本实施例中,如图10所示,通过在外壳1内设置导电嵌件11,通过导电嵌件11将外部电路与导电层311的第二导电部3116实现导电连接,从而实现音圈组件32与外部电路导通。可选地,导电嵌件11与外壳1为一体注塑成型。
可以理解的,导电嵌件11设置有内焊盘和外焊盘,外焊盘用于与外部电路焊接连接,内焊盘与第二导电部3116焊接连接或粘结,在此不做限定。
在一实施例中,振动系统3还包括定心支片33,定心支片33包括外固定部331、内固定部332以及连接于外固定部331和内固定部332之间的弹性部333,外固定部331与外壳1连接,内固定部332与外音圈322连接。
在本实施例中,如图3和图9所示,通过设置定心支片33,使得定心支片33的外固定部331与外壳1连接,定心支片33的内固定部332与音圈组件32的外音圈322连接,从而利用定心支片33平衡和稳定音圈组件32带动振膜31的振动,避免音圈组件32带动振膜31发生摆动或偏振现象。
可以理解的,定心支片33可以是一个大的整体结构,外固定部331可选为环状结构,并与外壳1连接,内固定部332与外音圈322背向振膜31的一端连接,内固定部332通过弹性部333与外固定部331连接,如此音圈组件32在振动时,内固定部332带动弹性部333发生形变,以避免音圈组件32带动振膜31发生摆动或偏振现象。
当然,在其他实施例中,定心支片33也可是多个小部件,例如定心支片33包括两个或四个,定心支片33为两个时,两个定心支片33呈对称设置,两个定心支片33对称设置,并连接于外壳1的两个短轴或两个长轴,在此不做限定。定心支片33为四个时,四个定心支片33分部设置于外壳1的四个拐角位置,如此以确保对称性,从而确保发声装置100的音圈组件32振动的平衡性。
在本实施例中,定心支片33可采用PI材质制成,在此不做限定。当然,在其他实施例中,定心支片33可采用FPCB制成,或者定心支片33内设置有导电电路,如此可利用定心支片33的一端与音圈组件32的引线导电连接,定心支片33的另一端固定在外壳1上,用于与外部电路连接导通,如此利用定心支片33将外部电路与音圈组件32连接导通,有效避免音圈组件32的引线在振动过程中发生断线风险。
在一实施例中,磁路系统2设有连通外磁间隙22的多个避让缺口261,每一定心支片33与一避让缺口261对应设置。可以理解的,定心支片33的外固定部331与外壳1连接固定,定心支片33的弹性部333穿设于避让缺口261,使得定心支片33的内固定部332与外音圈322连接。
当然,定心支片33也可仅实现定心作用,也即避免音圈组件32的引线在振动过程中发生断线风险,此时定心支片33不起到将外部电路与音圈组件32连接导通。为了实现外部电路与音圈组件32连接导通,在一实施例中,振膜31的导电层311从中央部312和折环部313延伸至固定部314;外壳1设有导电嵌件11,导电嵌件11与导电层311的第二导电部3116电连接,导电嵌件11用于与外部电路连接。
在一实施例中,磁路系统2包括导磁轭23、中心磁路部分24、内磁路部分25及外磁路部分26,导磁轭23与振膜31相对,中心磁路部分24设于导磁轭23面向振膜31的一侧,内磁路部分25设于导磁轭23面向振膜31的一侧,并位于中心磁路部分24的外侧,内磁路部分25与中心磁路部分24间隔以围合形成内磁间隙21,外磁路部分26设于导磁轭23面向振膜31的一侧,并与外壳1连接,外磁路部分26位于内磁路部分25背向中心磁路部分24的一侧,并与内磁路部分25间隔以围合形成外磁间隙22。
在本实施例中,如图2至图5所示,导磁轭23可选为导磁板或导磁盆架等结构,在此不做限定。导磁轭23用于支撑和安装固定中心磁路部分24、内磁路部分25及外磁路部分26。磁路系统2通过外磁路部分26与外壳1实现固定连接。可选地,导磁轭23与中心磁路部分24、内磁路部分25及外磁路部分26粘结连接,外磁路部分26与外壳1粘结连接。
可以理解的,中心磁路部分24包括层叠设置的中心磁铁和中心华司,中心磁铁设置于中心华司和导磁轭23之间,内磁路部分25包括内磁铁和内华司,内磁铁设置于内华司和导磁轭23之间。外磁路部分26包括外磁铁和外华司,外磁铁设置于外华司和导磁轭23之间。可选地,外磁路部分26的外华司可以是与外壳1采用粘结连接。可选地,外华司与外壳1为一体成型结构。
需要说明的是,中心华司和边华司可选为导磁板结构。中心磁铁和中心华司的结构轮廓相同,中心磁铁和中心华司可选为板状结构或环状结构,在此不做限定。内磁铁和内华司的结构轮廓相同,内磁铁和内华司可选为板状结构或环状结构,在此不做限定。外磁铁和外华司的结构轮廓相同,外磁铁和外华司可选为板状结构或环状结构,在此不做限定。
在本实施例中,内磁路部分25呈环形设置,内磁路部分25环绕中心磁路部分24设置。内磁路部分25可以是环形结构,环形的内磁路部分25环绕中心磁路部分24,并与中心磁路部分24间隔以形成环形的内磁间隙21。可选地,内磁路部分25可以呈圆环形,或者呈四边形、五边形、六边形等等多边形状。当然,内磁路部分25包括多个,多个内磁路部分25间隔且环绕中心磁路部分24设置。
可以理解的,外磁路部分26可以是环形结构,环形的外磁路部分26环绕内磁路部分25,并与内磁路部分25间隔以形成环形的外磁间隙22。可选地,外磁路部分26可以呈圆环形,或者呈四边形、五边形、六边形等等多边形状。当然,外磁路部分26包括多个,多个外磁路部分26间隔且环绕内磁路部分25设置,在此不做限定。
可选地,外磁路部分26包括多个,多个外磁路部分26间隔设置,并环绕内磁路部分25设置。相邻两个外磁路部分26之间间隔以形成连通外磁间隙22的避让缺口261,以为定心支片33提供避让空间。
在一实施例中,中心磁路部分24、内磁路部分25及外磁路部分26均沿竖直方向充磁,内磁路部分25与中心磁路部分24和外磁路部分26的充磁方向相反,中心磁路部分24和外磁路部分26的充磁方向相同。
在本实施例中,如图5所示,中心磁路部分24的中心磁铁、内磁路部分25的内磁铁及外磁路部分26的外磁铁均沿竖直方向充磁,内磁铁与中心磁铁和外磁铁的充磁方向相反,且中心磁铁和外磁铁的充磁方向相同。如此设置可实现优化BL的非线性性能。
在另一实施例中,磁路系统2包括导磁轭23、内磁路部分25及外磁路部分26,导磁轭23与振膜31相对,内磁路部分25设于导磁轭23面向振膜31的一侧,内磁路部分25包括层叠设置的上磁路部分251、导磁板和下磁路部分252,内磁路部分25还设有贯穿上磁路部分251和下磁路部分252的安装腔,安装腔形成内磁间隙21,外磁路部分26设于导磁轭23面向振膜31的一侧,并与外壳1连接,外磁路部分26位于内磁路部分25的外侧,并与内磁路部分25间隔以围合形成外磁间隙22。
在本实施例中,如图6和图7所示,导磁轭23可选为导磁板或导磁盆架等结构,在此不做限定。导磁轭23用于支撑和安装固定内磁路部分25及外磁路部分26。磁路系统2通过外磁路部分26与外壳1实现固定连接。可选地,导磁轭23与内磁路部分25及外磁路部分26粘结连接,外磁路部分26与外壳1粘结连接。
可以理解的,通过将内磁路部分25设置为层叠设置的上磁路部分251和下磁路部分252,利用上磁路部分251和下磁路部分252配合以增强磁场强度,从而提高对内音圈321和外音圈322的驱动力。在本实施例中,上磁路部分251和下磁路部分252之间还设有导磁板,上磁路部分251和下磁路部分252可选为磁铁。下磁路部分252设置于导磁板和导磁轭23之间。
在本实施例中,通过在内磁路部分25上设置贯穿上磁路部分251和下磁路部分252的安装腔,利用安装腔形成内磁间隙21,以安装内音圈321。可选地,内磁路部分25为环形结构。外磁路部分26包括外磁铁和外华司,外磁铁设置于外华司和导磁轭23之间。可选地,外磁路部分26的外华司可以是与外壳1采用粘结连接。可选地,外华司与外壳1为一体成型结构。
可选地,上磁路部分251呈环形设置,也即上磁路部分251的内圈围合形成安装腔。下磁路部分252呈环形设置,也即上磁路部分251的内圈围合形成安装腔。上磁路部分251的安装腔与下磁路部分252的安装腔正对连通,以形成内磁间隙21,以安装内音圈321。
在一实施例中,外磁路部分26包括多个,多个外磁路部分26间隔设置,并环绕内磁路部分25设置。相邻两个外磁路部分26之间间隔以形成连通外磁间隙22的避让缺口261,以为定心支片33提供避让空间。
在一实施例中,如图7所示,内磁路部分25沿竖直方向充磁,外磁路部分26沿水平方向充磁,上磁路部分251和下磁路部分252的充磁方向相反。如此设置既可以确保对内音圈321和外音圈322充足的磁场,还可实现优化BL的非线性性能。
可选地,上磁路部分251沿竖直方向向下充磁,下磁路部分252沿竖直方向向上充磁,外磁路部分26沿水平方向向外充磁。
可选地,上磁路部分251沿竖直方向向上充磁,下磁路部分252沿竖直方向向下充磁,外磁路部分26沿水平方向向内充磁。
本实用新型还提出一种电子设备,该电子设备包括设备壳体和上述的发声装置100,发声装置100设于设备壳体。该发声装置100的具体结构参照前述实施例,由于本电子设备采用了前述所有实施例的全部技术方案,因此至少具有前述实施例的技术方案所带来的所有有益效果,在此不再一一赘述。
以上所述仅为本实用新型的可选实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是在本实用新型的构思下,利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (15)

1.一种发声装置,其特征在于,所述发声装置包括:
外壳;
磁路系统,所述磁路系统连接于所述外壳,所述磁路系统设有内磁间隙和环绕所述内磁间隙设置的外磁间隙;及
振动系统,所述振动系统包括振膜和音圈组件,所述振膜连接于所述外壳背向所述磁路系统的一侧,并与所述磁路系统相对,所述振膜面向所述磁路系统的一侧设有导电层,所述音圈组件包括内音圈和环绕所述内音圈设置的外音圈,所述内音圈的一端与所述振膜连接,所述内音圈的另一端悬设于所述内磁间隙内,所述外音圈的一端与所述振膜连接,所述外音圈的另一端悬设于所述外磁间隙内,所述内音圈通过所述导电层与所述外音圈连接形成串联电路。
2.根据权利要求1所述的发声装置,其特征在于,所述导电层包括:
输入导电层,所述输入导电层与所述外音圈的输入引线电连接;
输出导电层,所述输出导电层与所述内音圈的输出引线电连接;及
共用导电层,所述共用导电层与所述外音圈的输出引线和所述内音圈的输入引线电连接。
3.根据权利要求2所述的发声装置,其特征在于,所述振膜包括中央部、环绕所述中央部设置的折环部以及设于所述折环部外侧的固定部,所述固定部与所述外壳连接;
所述输入导电层和所述输出导电层均包括依次相连接的第一导电部、连接部及第二导电部,所述第二导电部设于所述固定部,所述连接部设于所述折环部,所述第一导电部设于所述中央部,并与所述外音圈的输入引线或所述内音圈的输出引线电连接。
4.根据权利要求3所述的发声装置,其特征在于,所述共用导电层设于所述中央部;
且/或,所述中央部设有镂空孔,所述振动系统还包括球顶,所述球顶连接于所述中央部,并遮盖所述镂空孔。
5.根据权利要求1所述的发声装置,其特征在于,所述外音圈内的电流方向与所述内音圈内的电流方向相反;
且/或,所述外音圈的电阻阻值与所述内音圈的电阻阻值的比值范围为1~5;
且/或,所述导电层涂覆于所述振膜面向所述磁路系统的一侧。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的发声装置,其特征在于,所述外壳设有导电嵌件,所述导电嵌件与所述导电层远离所述外音圈的一端电连接,所述导电嵌件用于与外部电路连接。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的发声装置,其特征在于,所述振动系统还包括定心支片,所述定心支片包括外固定部、内固定部以及连接于所述外固定部和所述内固定部之间的弹性部,所述外固定部与所述外壳连接,所述内固定部与所述外音圈连接。
8.根据权利要求7所述的发声装置,其特征在于,所述定心支片包括多个,所述磁路系统设有连通所述外磁间隙的多个避让缺口,每一所述定心支片与一所述避让缺口对应设置。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的发声装置,其特征在于,所述磁路系统包括:
导磁轭,所述导磁轭与所述振膜相对;
中心磁路部分,所述中心磁路部分设于所述导磁轭面向所述振膜的一侧;
内磁路部分,所述内磁路部分设于所述导磁轭面向所述振膜的一侧,并位于所述中心磁路部分的外侧,所述内磁路部分与所述中心磁路部分间隔以围合形成所述内磁间隙;及
外磁路部分,所述外磁路部分设于所述导磁轭面向所述振膜的一侧,并与所述外壳连接,所述外磁路部分位于所述内磁路部分背向所述中心磁路部分的一侧,并与所述内磁路部分间隔以围合形成所述外磁间隙。
10.根据权利要求9所述的发声装置,其特征在于,所述内磁路部分呈环形设置,所述内磁路部分环绕所述中心磁路部分设置;
且/或,所述外磁路部分包括多个,多个所述外磁路部分间隔设置,并环绕所述内磁路部分设置;
且/或,所述中心磁路部分、所述内磁路部分及所述外磁路部分均沿竖直方向充磁,所述内磁路部分与所述中心磁路部分和所述外磁路部分的充磁方向相反,所述中心磁路部分和所述外磁路部分的充磁方向相同。
11.根据权利要求1至5中任一项所述的发声装置,其特征在于,所述磁路系统包括:
导磁轭,所述导磁轭与所述振膜相对;
内磁路部分,所述内磁路部分设于所述导磁轭面向所述振膜的一侧,所述内磁路部分包括层叠设置的上磁路部分、导磁板和下磁路部分,所述内磁路部分还设有贯穿所述上磁路部分和所述下磁路部分的安装腔,所述安装腔形成所述内磁间隙;及
外磁路部分,所述外磁路部分设于所述导磁轭面向所述振膜的一侧,并与所述外壳连接,所述外磁路部分位于所述内磁路部分的外侧,并与所述内磁路部分间隔以围合形成所述外磁间隙。
12.根据权利要求11所述的发声装置,其特征在于,所述上磁路部分呈环形设置;
且/或,所述下磁路部分呈环形设置;
且/或,所述外磁路部分包括多个,多个所述外磁路部分间隔设置,并环绕所述内磁路部分设置。
13.根据权利要求11所述的发声装置,其特征在于,所述内磁路部分沿竖直方向充磁,所述外磁路部分沿水平方向充磁,所述上磁路部分和所述下磁路部分的充磁方向相反。
14.根据权利要求13所述的发声装置,其特征在于,所述上磁路部分沿竖直方向向下充磁,所述下磁路部分沿竖直方向向上充磁,所述外磁路部分沿水平方向向外充磁;
或,所述上磁路部分沿竖直方向向上充磁,所述下磁路部分沿竖直方向向下充磁,所述外磁路部分沿水平方向向内充磁。
15.一种电子设备,其特征在于,包括设备壳体和如权利要求1至14中任一项所述的发声装置,所述发声装置设于所述设备壳体。
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