CN114496910A - 双接触孔实现方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- -1 Al 2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76805—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics the opening being a via or contact hole penetrating the underlying conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76895—Local interconnects; Local pads, as exemplified by patent document EP0896365
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
- H01L29/66333—Vertical insulated gate bipolar transistors
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明提供一种双接触孔实现方法，提供衬底，衬底形成有隔离沟槽以形成台面结构，用于定义出衬底的有源区，有源区上形成有晶体管结构，晶体管结构包括多个电极，每个电极间均具有间隙；在衬底上形成覆盖多个电极的层间介质层；刻蚀层间介质层以及其下方相邻的两个电极，以形成两个电极共用的接触孔；填充接触孔形成导电层。本发明通过将基极接触孔和发射级接触孔集成为一个共用接触孔的方法，增加了接触孔至沟槽的间距。在此新工艺设计基础上，可以生产出台面更小的IGBT器件，得到更优的IGBT器件。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种双接触孔实现方法。
背景技术
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET(金属氧化物场效应管)的高输入阻抗和GTR(电力晶体管)的低导通压降两方面的优点。
IGBT是电力电子系统能量控制和转换的重要开关元器件之一，它的性能好坏直接影响着电力电子系统的转换效率、体积和重量。
电力电子器件性能始终是朝着更高的电流密度、更小的通态压降、更低关断损耗的方向发展。
IGBT原胞尺寸不断缩小，提升IGBT电流密度，通过精细化沟槽的控制来优化IGBT性能，提升短路能力，增加的无效沟道密度减少了有效导电沟通的数量。发射极沟槽直接接到发射级电位，无法形成导电沟通。另一方面，通过不同用途的沟槽设置，可以调节C(CG)-米勒电容，器件的可控性得到进一步提升。为了提升IGBT电流密度，IGBT的原胞尺寸在不断缩小中，但是越小的IGBT原胞尺寸，对IGBT工艺和良率的影响会越大。
为此，需要一种新型的接触孔设计方法，来增加接触孔至沟槽的间距。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种双接触孔实现方法，用于解决现有技术中为了提升IGBT电流密度，IGBT的原胞尺寸在不断缩小中，但是越小的IGBT原胞尺寸，接触孔至沟槽的间距对IGBT工艺和良率的影响较大的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种双接触孔实现方法，包括：
步骤一、提供衬底，所述衬底形成有隔离沟槽，用于定义出所述衬底的有源区，所述有源区上形成有晶体管结构，所述晶体管结构包括多个电极以及用于引出每个所述电极的台面结构，每个所述台面结构间均具有间隙；
步骤二、在所述衬底上形成覆盖多个所述台面结构的层间介质层；
步骤三、刻蚀所述层间介质层以及其下方相邻的两个所述台面结构，以形成两个所述台面结构共用的接触孔；
步骤四、填充所述接触孔形成导电层。
优选地，步骤一中的所述晶体管结构为绝缘栅双极型晶体管。
优选地，步骤一中的所述晶体管结构为双极型三极管或绝缘栅型场效应管中的至少一种。
优选地，步骤一中多个所述电极包括基极、集电极和发射极。
优选地，步骤三中的相邻的两个所述电极分别为用于引出所述基极的第一台面结构和用于引出所述发射极的第二台面结构。
优选地，所述第一台面结构和所述第二台面结构的宽度均为0.6微米。
优选地，步骤三中的所述接触孔到所述第一台面结构和所述第二台面结构相对一侧的所述间隙距离均为0.3微米。
优选地，步骤二中的所述层间介质层的材料为单层结构或多层结构。
优选地，步骤二中的所述层间介质层的材料为SiO2、SiN、SiON、Al 2O3和TiO2中的一种或多种。
优选地，所述导电层为自下而上依次形成的钛层、氮化钛层和钨层。
如上所述，本发明的双接触孔实现方法，具有以下有益效果：
本发明通过将基极接触孔和发射级接触孔集成为一个共用接触孔的方法，增加了接触孔至沟槽的间距。在此新工艺设计基础上，可以生产出台面更小的IGBT器件，得到更优的IGBT器件。
附图说明
图1显示为本发明的方法流程示意图；
图2显示为现有技术中一种IGBT器件示意图；
图3显示为本发明的衬底示意图；
图4显示为本发明形成层间介质层后的示意图；
图5显示为本发明形成共用接触孔的示意图；
图6显示为本发明形成导电层后的示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1，本发明提供一种双接触孔14实现方法，包括：
步骤一，请参阅图3，提供衬底10，衬底10形成有隔离沟槽，用于定义出衬底的有源区，有源区上形成有晶体管结构，晶体管结构包括多个电极以及用于引出每个电极的台面结构，台面结构用于导电，可为掺杂过的多晶硅，每个台面结构间均具有间隙；
在一种可能的实施方式中，请参阅图2，步骤一中的晶体管结构为绝缘栅双极型晶体管。
图2所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极(即发射极E)。N基极称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极(即门极G)。沟道在紧靠栅区边界形成。在C、E两极之间的P型区(包括P+和P-区)(沟道在该区域形成)，称为亚沟道区(Subchannel region)。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Drain injector)，它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极(即集电极)。
IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴(少子)，对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。
在一种可能的实施方式中，步骤一中的晶体管结构为双极型三极管或绝缘栅型场效应管中的至少一种。
在一种可能的实施方式中，在例如IGBT中，步骤一中多个电极包括基极、集电极和发射极，在后段工艺中需要在不同的电极间形成金属互连线，但随着IGBT的原胞尺寸在不断缩小中，但是越小的IGBT原胞尺寸，接触孔14至沟槽的间距对IGBT工艺和良率的影响较大。
步骤二，请参阅图4，步骤二、在衬底10上形成覆盖多个台面结构的层间介质层13；
在一种可能的实施方式中，步骤二中的层间介质层13的材料为单层结构或多层结构。
在一种可能的实施方式中，步骤二中的层间介质层13的材料为SiO2、SiN、SiON、Al2O3和TiO2中的一种或多种，此处不作具体限定。
步骤三，请参阅图5，步骤三、刻蚀层间介质层13以及其下方相邻的两个台面结构，以形成两个台面结构共用的接触孔14；，相对于现有技术中在不同的台面结构上分别形成接触孔14，通过将两个电极的接触孔14集成为一个共用接触孔14的方法，增加了接触孔14至沟槽的间距；可通过光刻在层间介质层13上形成光刻胶，再通过干法刻蚀形成其接触孔14。
在一种可能的实施方式中，步骤三中的相邻的两个电极分别为用于引出基极的第一台面结构11和用于引出发射极的第二台面结构12。
在一种可能的实施方式中，现有技术中的IGBT会分别形成第一台面结构11接触孔和第二台面结构12接触孔，通过精细化沟槽的控制来使IGBT性能更具有优势。另一方面希望台面可以越小越好，通常1.6um IGBT的台面仅仅只有0.6um，接触孔14至沟槽的距离仅仅只有0.15um，这对IGBT产品工艺和良率都具有非常大的挑战，在一种优选方案中，第一台面结构11的宽度为0.6微米，此处的第一台面结构11宽度根据实际生产需要决定，此处不作具体限定。
在一种可能的实施方式中，步骤三中的接触孔14到第一台面结构11和第二台面结构12相对一侧的间隙距离均为0.3微米。
步骤四，请参阅图6，填充接触孔14形成导电层15。
在一种可能的实施方式中，导电层15为自下而上依次形成的钛层、氮化钛层和钨层，也可为其他类型的导电材料。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
综上所述，本发明通过将基极接触孔和发射级接触孔集成为一个共用接触孔的方法，增加了接触孔至沟槽的间距。在此新工艺设计基础上，可以生产出台面更小的IGBT器件，得到更优的IGBT器件。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种双接触孔实现方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供衬底，所述衬底形成有隔离沟槽，用于定义出所述衬底的有源区，所述有源区上形成有晶体管结构，所述晶体管结构包括多个电极以及用于引出每个所述电极的台面结构，每个所述台面结构间均具有间隙；
步骤二、在所述衬底上形成覆盖多个所述台面结构的层间介质层；
步骤三、刻蚀所述层间介质层以及其下方相邻的两个所述台面结构，以形成两个所述台面结构共用的接触孔；
步骤四、填充所述接触孔形成导电层。
2.根据权利要求1所述的双接触孔实现方法，其特征在于：步骤一中的所述晶体管结构为绝缘栅双极型晶体管。
3.根据权利要求1所述的双接触孔实现方法，其特征在于：步骤一中的所述晶体管结构为双极型三极管或绝缘栅型场效应管中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的双接触孔实现方法，其特征在于：步骤一中多个所述电极包括基极、集电极和发射极。
5.根据权利要求4所述的双接触孔实现方法，其特征在于：步骤三中的相邻的两个所述电极分别为用于引出所述基极的第一台面结构和用于引出所述发射极的第二台面结构。
6.根据权利要求5所述的双接触孔实现方法，其特征在于：所述第一台面结构和所述第二台面结构的宽度均为0.6微米。
7.根据权利要求6所述的双接触孔实现方法，其特征在于：步骤三中的所述接触孔到所述第一台面结构和所述第二台面结构相对一侧的所述间隙距离均为0.3微米。
8.根据权利要求1所述的双接触孔实现方法，其特征在于：步骤二中的所述层间介质层的材料为单层结构或多层结构。
9.根据权利要求1所述的双接触孔实现方法，其特征在于：步骤二中的所述层间介质层的材料为SiO2、SiN、SiON、Al 2O3和TiO2中的一种或多种。
10.根据权利要求1所述的双接触孔实现方法，其特征在于：所述导电层为自下而上依次形成的钛层、氮化钛层和钨层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210022076.9A CN114496910A (zh) | 2022-01-10 | 2022-01-10 | 双接触孔实现方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210022076.9A CN114496910A (zh) | 2022-01-10 | 2022-01-10 | 双接触孔实现方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114496910A true CN114496910A (zh) | 2022-05-13 |
Family
ID=81510872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210022076.9A Pending CN114496910A (zh) | 2022-01-10 | 2022-01-10 | 双接触孔实现方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114496910A (zh) |
-
2022
- 2022-01-10 CN CN202210022076.9A patent/CN114496910A/zh active Pending
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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