CN114481017B - 一种镀膜装置及清洗工艺 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种镀膜装置及清洗工艺，涉及材料表面处理技术领域。镀膜装置包括装置本体、工件转架、弧靶、挡板、辅助弧靶、脉冲偏压电源、脉冲弧电源、阳极电源及弧电源；工件转架转动设于装置本体中，弧靶及辅助弧靶分别设于装置本体内，且位于工件转架的同一侧，辅助弧靶位于弧靶的上方，挡板设于弧靶朝向工件转架的一侧，脉冲偏压电源与工件转架连接，脉冲弧电源连接弧靶，阳极电源与弧电源分别与辅助弧靶连接，脉冲偏压电源与脉冲弧电源脉冲同步。本申请镀膜装置辅助弧靶既可作为辅助阳极，还可作为正常的电弧靶沉积靶材使用，节省了镀膜装置内部零件的设置，降低了成本，提高了镀膜装置空间的利用率，脉冲同步可以在短时间对基底进行清洗。
Description
技术领域
本发明涉及材料表面处理技术领域，尤其涉及一种镀膜装置及清洗工艺。
背景技术
传统的PVD技术在工件镀膜之前，通常采用偏压辉光放电氩离子轰击或者弧光金属离子轰击的方法来清洗刻蚀工件表面，以提高膜基结合力。用偏压辉光放电主要依靠偏压电源负极连接工件转架，通入氩气在高压启辉产生氩离子来轰击工件。由于简单偏压辉光放电的等离子体较弱，其气体离化率低，离子浓度都较低，对工件的轰击能量弱，需要长时间轰击清洗还不能达到较好的效果。
近年来出现弧光电子增强辉光放电表面活化的工艺，由于弧光放电中电子数量呈数量级增加，其辅助增强辉光放电强度大大增强，可以在短时间内对工件表面达到刻蚀清洗的作用，但是需要在真空腔体上布置弧靶以产生弧光，还需要在腔体内部单独增加辅助阳极来吸引电子，这样导致腔体面积利用率下降，成本增加。
发明内容
本发明的目的在于提供一种镀膜装置及清洗工艺，以解决上述问题。
为实现以上目的，本发明特采用以下技术方案：
一种镀膜装置，包括装置本体、工件转架、弧靶、挡板、辅助弧靶、脉冲偏压电源、脉冲弧电源、阳极电源及弧电源；
所述工件转架转动设于所述装置本体中，且所述工件转架的转轴方向为竖直方向，所述弧靶及所述辅助弧靶分别设于所述装置本体内，且位于所述工件转架的同一侧，所述辅助弧靶位于所述弧靶的上方，所述挡板设于所述弧靶朝向所述工件转架的一侧，所述脉冲偏压电源的负极与所述工件转架连接，以向放置于所述工件转架上的工件提供负偏压，所述脉冲弧电源的负极连接所述弧靶，以使所述弧靶产生弧光，所述阳极电源与所述弧电源分别与所述辅助弧靶连接，所述脉冲偏压电源的脉冲与所述脉冲弧电源脉冲同步。
优选地，所述镀膜装置还包括切换件，所述阳极电源与所述弧电源分别与所述切换件连接，所述切换件则与所述辅助弧靶连接。
优选地，所述辅助弧靶为平面弧靶。
优选地，所述辅助弧靶为圆形平板弧靶。
一种清洗工艺，采用上述的镀膜装置，包括：
抽气加热，将工件放置于所述工件转架上，对所述装置本体进行抽真空及加热除气；
通入惰性气体并进行刻蚀清洗工件，向所述装置本体中充入氩气，打开所述脉冲偏压电源，以所述工件为阴极，施加负偏压，开启所述脉冲弧电源，使所述阳极电源与所述辅助弧靶连接，打开所述阳极电源，对所述工件进行弧光电子增强辉光放电清洗。
优选地，所述抽气加热的步骤中，使所述装置本体内的温度加热至200℃-500℃，所述装置本体本底真空度低于5*10-3Pa。
优选地，所述通入惰性气体并进行刻蚀清洗工件的步骤中，向所述装置本体中充入氩气至真空气压达到0.5-2Pa，所述脉冲偏压电源的负偏压为100V-600V，所述脉冲弧电源的电流在60-100A，所述阳极电源的电流在20-80A。
优选地，调整氩气流量使所述装置本体的压力至1Pa，所述脉冲偏压电源的偏压为100V，频率为1000Hz，脉宽为500us，同时脉冲信号与所述脉冲弧电源脉冲同步；所述脉冲弧电源的弧电流为70A，频率为1000Hz，脉宽为500us，所述阳极电源的电流在30A。
优选地，按以下工艺逐步增加所述脉冲偏压电源的偏压值：偏压为100V，进行2min；偏压为150V，进行2min；偏压为200V，进行36min。
优选地，所述抽气加热的步骤之前，所述清洗工艺还包括对工件进行预处理的步骤，将所述工件放入水、酒精、丙酮溶剂中，进行清洗，去除所述工件表面的污渍。
与现有技术相比，本发明的有益效果包括：
本申请提供的镀膜装置及清洗工艺，可以在不增加额外硬件成本的情况下，通过弧电源与阳极电源的切换，实现弧光电子增强辉光，可以显著增强对气体的离化率，Ar离子浓度增加，离子清洗流量大，从而提高对工件表面的刻蚀清洗程度，进而在后续的沉积镀膜中，提高镀膜涂层的致密性及结合力。脉冲偏压电源与脉冲弧电源脉冲同步，可以在脉冲弧启动工作脉冲下，即在Ar离子产生的高峰期间，对其施加偏压，对工件轰击的离子束流增大，且保持稳定，可以在短时间内达到对基底进行清洗的效果，达到更高的膜基结合力，同时可以避免偏流波动引起的工件起弧现象。并且可以在相对降低偏压的条件下，达到清洗工件的效果，从而避免对工件造成损伤；而且，由于清洗流量大，清洗时间短、能耗低，还能够保证清洗表面的洁净光滑。同时，由于辅助弧靶既可作为辅助阳极，还可作为正常的电弧靶沉积靶材使用，节省了镀膜装置内部零件的设置，降低了成本，提高了镀膜装置空间的利用率。辅助弧靶当做阳极使用时，背部还设计有水冷装置，可以有效降低阳极温度，有利于工艺稳定。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对本发明范围的限定。
图1为本发明实施例1提供的一种镀膜装置的结构示意图；
图2为本发明实施例1提供的一种清洗工艺的流程图；
图3为本发明实施例1中清洗工艺的原理图；
图4为通过本发明提供的清洗工艺的镀膜方法的流程图；
图5为经过本发明实施例1提供的清洗工艺后高速钢基底溅镀TiN镀膜的压痕图；
图6为通过传统清洗工艺的镀膜方法的流程图；
图7为经过传统偏压清洗工艺后高速钢基底溅镀TiN镀膜的压痕图。
附图标记：
100-镀膜装置；1-装置本体；2-工件转架；3-弧靶；4-挡板；5-辅助弧靶；6-脉冲偏压电源；7-脉冲弧电源；8-阳极电源；9-弧电源；10-切换件。
具体实施方式
如本文所用之术语：
“由……制备”与“包含”同义。本文中所用的术语“包含”、“包括”、“具有”、“含有”或其任何其它变形，意在覆盖非排它性的包括。例如，包含所列要素的组合物、步骤、方法、制品或装置不必仅限于那些要素，而是可以包括未明确列出的其它要素或此种组合物、步骤、方法、制品或装置所固有的要素。
连接词“由……组成”排除任何未指出的要素、步骤或组分。如果用于权利要求中，此短语将使权利要求为封闭式，使其不包含除那些描述的材料以外的材料，但与其相关的常规杂质除外。当短语“由……组成”出现在权利要求主体的子句中而不是紧接在主题之后时，其仅限定在该子句中描述的要素；其它要素并不被排除在作为整体的所述权利要求之外。
当量、浓度、或者其它值或参数以范围、优选范围、或一系列上限优选值和下限优选值限定的范围表示时，这应当被理解为具体公开了由任何范围上限或优选值与任何范围下限或优选值的任一配对所形成的所有范围，而不论该范围是否单独公开了。例如，当公开了范围“1～5”时，所描述的范围应被解释为包括范围“1～4”、“1～3”、“1～2”、“1～2和4～5”、“1～3和5”等。当数值范围在本文中被描述时，除非另外说明，否则该范围意图包括其端值和在该范围内的所有整数和分数。
在这些实施例中，除非另有指明，所述的份和百分比均按质量计。
“质量份”指表示多个组分的质量比例关系的基本计量单位，1份可表示任意的单位质量，如可以表示为1g，也可表示2.689g等。假如我们说A组分的质量份为a份，B组分的质量份为b份，则表示A组分的质量和B组分的质量之比a：b。或者，表示A组分的质量为aK，B组分的质量为bK(K为任意数，表示倍数因子)。不可误解的是，与质量份数不同的是，所有组分的质量份之和并不受限于100份之限制。
“和/或”用于表示所说明的情况的一者或两者均可能发生，例如，A和/或B包括(A和B)和(A或B)。
下面将结合具体实施例对本发明的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
本申请提供了一种镀膜装置及清洗工艺，所述镀膜装置用于对工件基材表面镀膜前的清洗及镀膜。所述清洗工艺尤其是用于对金属表面(例如刀具)进行清洗。本申请提供的一种镀膜装置及清洗工艺能够提高工件表面的清洗质量，提高后续镀膜的致密性、结合力及硬度性能。本申请提供的清洗工艺基于弧光电子辅助阳极增强氩气的离化率，使氩气离子的浓度提高，从而改善离子清洗的流量大，使得清洗的效率提高及清洗效果更佳，使得膜基结合力明显提高。通过结合PVD沉积金属镀膜可以得到高硬度的镀膜，适用于大规模工业化生产。
请参阅图2，所述清洗工艺包括以下步骤：
S101：抽气加热。
具体的，请参阅图1，提供一种镀膜装置100，将待清洗的工件放置于镀膜装置100中，通过抽气泵组进行抽气，并通过辅助加热，使得除气更彻底。
所述镀膜装置100包括装置本体1、工件转架2、弧靶3、挡板4、辅助弧靶5、脉冲偏压电源6、脉冲弧电源7、阳极电源8、弧电源9及切换件10。工件转架2转动设于装置本体1中，且工件转架2的转轴方向为竖直方向。工件转架2与装置本体1的内壁相互电绝缘。弧靶3及辅助弧靶5分别设于装置本体1内，且位于所述工件转架2的同一侧。所述辅助弧靶5位于所述弧靶3的上方。所述挡板4设于所述弧靶3朝向所述工件转架2的一侧，所述挡板4与所述弧靶3构成弧光电子源。脉冲偏压电源6的负极与工件转架2的转轴连接，以向放置于工件转架2上的工件提供负偏压。脉冲偏压电源6的正极连接装置本体1。脉冲弧电源7的负极连接弧靶3，以使弧靶3产生弧光。脉冲弧电源7的正极连接装置本体1。所述阳极电源8与弧电源9分别与切换件10连接。所述切换件10则与所述辅助弧靶5连接。其中，所述辅助弧靶5可在切换件10的切换下，分别与阳极电源8或弧电源9连接。
脉冲偏压电源6的脉冲与脉冲弧电源7脉冲同步，可以在脉冲弧启动工作脉冲下，即在Ar离子产生的高峰期间，对其施加偏压，对工件轰击的离子束流增大，且保持稳定，可以在短时间内达到对基底进行清洗的效果，达到更高的膜基结合力，同时可以避免偏流波动引起的工件起弧现象。
辅助弧靶5与阳极电源8连接时，可作为辅助阳极，进而增强弧光电子辉光，提高气体的离化率。辅助弧靶5与弧电源9连接时，则作为普通的弧靶进行使用。
所述辅助弧靶5为平面形弧靶，其吸引的电子比较集中，在相同电流情况下，离化气体产生的离子局部浓度较高，本实施例中采用圆形平板弧靶。并且，由于弧靶3及辅助弧靶5为上下设置在工件转架2的一侧，因此，在等离子体蚀刻清洗时，等离子体的分布区域及位置集中在工件基材的一侧，能提高蚀刻清洗的程度；而工件转架2是带动工件绕工件转架2的转轴转动的，并且由于蚀刻清洗是对工件转架2的一侧进行清洗，因此，清洗是间歇式的，不会使基材温度升高过快。
将工件放置于工件转架2上，对装置本体1通过抽气泵组进行抽真空，使装置本体1的本底真空度低于5*10-3Pa，并进行加热除气，使装置本体1内的温度加热至200℃-500℃。
在一些实施例中，步骤S101之前，所述清洗工艺还包括对工件进行预处理的步骤，将工件放入水、酒精、丙酮等溶剂中，进行清洗，去除工件表面的污渍。
具体的，预处理步骤为将工件依次放入酒精及丙酮中，经超声清洗10-30min后，放入工件转架2上。
其中，超声清洗的时长在10-30min，以便于对污渍进行完全去除。
S102：通入惰性气体并进行刻蚀清洗工件。
具体的，将惰性气体如氩气(Ar)通入装置本体1的腔体中，使装置本体1的压力至0.5-2Pa，启动工件转架2连接的脉冲偏压电源6，设置偏压电源为100V-600V；启动弧靶3连接的脉冲弧电源7，设置弧电流为60-100A，同时将辅助弧靶5通过切换件10与阳极电源8相连接，并调整阳极电源8的电流在20-80A，进行弧光电子增强辉光放电清洗。
请参阅图3，弧靶3弧光放电过程中，从弧靶面上溅射出的金属离子和原子，被挡板4遮挡，不能到达工件表面。而作为弧光电子源的弧靶3产生的电子，质量远低于金属原子和离子，被做为阳极的辅助弧靶5吸引，从弧靶3与挡板4之间流出，产生强大电子流。在电子流向辅助弧靶5的运动过程中会与Ar原子碰撞，在工件转架2靠近弧靶3与辅助弧靶5的一侧，产生大量Ar离子，并伴随产生二次电子，直到电子到达辅助弧靶5，通过工件转架2上施加的偏压，吸引离子到工件转架2上，对工件进行清洗。
为避免Ar离子对工件转架2上工件的冲击过大，一般逐步提高脉冲偏压电源6的偏压值，以避免工件的表面及尖端出现弧光放电。同时将脉冲偏压电源6的脉冲与脉冲弧电源7实现脉冲同步，实现电子产生，Ar离子产生与偏压加速时间实现同步，降低对工件基底的损伤，提高清洗效率，进一步增强清洗效果。
本申请提供的镀膜装置100可以在不增加额外硬件成本的情况下，通过弧电源9与阳极电源8的切换，实现弧光电子增强辉光，可以显著增强对气体的离化率，Ar离子浓度增加，离子清洗流量大，从而提高对工件表面的刻蚀清洗程度，进而在后续的沉积镀膜中，提高镀膜涂层的致密性及结合力。并且可以在相对降低偏压的条件下，达到清洗工件的效果，从而避免对工件造成损伤；而且，由于清洗流量大，清洗时间短、能耗低，还能够保证清洗表面的洁净光滑。同时，由于辅助弧靶5既可作为辅助阳极，还可作为正常的电弧靶沉积靶材使用，节省了镀膜装置100内部零件的设置，降低了成本，提高了镀膜装置100空间的利用率。辅助弧靶5当做阳极使用时，背部还设计有水冷装置，可以有效降低阳极温度，有利于工艺稳定。
根据不同工件镀膜的需要，在上述弧光电子增强辉光放电清洗10-60min之后，结束，关闭脉冲弧电源7、脉冲偏压电源6及阳极电源8，最后调整工艺气体进入后续镀膜阶段。
以下通过采用本申请清洗工艺的镀膜方法及采用传统清洗工艺的镀膜方法，对本申请清洗工艺的优点进行进一步的说明。具体的，靶材为Ti，在抛光高速钢片上镀TiN膜。
实施例1
请参阅图4，本实施例提供一种通过采用本申请清洗工艺进行的镀膜方法。包括以下步骤：
S201：抽气加热。
具体的，将抛光高速钢片经酒精，丙酮分别超声清洗20min之后，放置在工件转架2上。通过抽气泵组进行抽气，使装置本体1的本底真空度低于5*10-3Pa，并加热装置本体1至温度为400℃，保温30min。
S202：通入惰性气体并进行刻蚀清洗工件。
具体的，将惰性气体氩气通入装置本体1的腔体中，调整氩气流量使装置本体1的压力至1Pa，启动工件转架2连接的脉冲偏压电源6，设置偏压电源为100V，频率为1000Hz，脉宽为500us，同时脉冲信号与脉冲弧电源7实现脉冲同步；启动弧靶3连接的脉冲弧电源7，设置弧电流为70A，频率为1000Hz，脉宽为500us，同时将辅助弧靶5通过切换件10与阳极电源8相连接，并调整阳极电源8的电流在30A，进行弧光电子增强辉光放电清洗。
待所有电源启动之后，按以下工艺逐步增加脉冲偏压电源6的偏压值：偏压为100V，进行2min；偏压为150V，进行2min；偏压为200V，进行36min。总共清洗时间为40min。
S203：溅射Ti打底层。
具体的，调整氩气流量，使腔体压力至0.5Pa，调整脉冲偏压电源6的偏压值为200V，脉冲为80％；开启Ti靶电源，调整功率到1KW，溅射10min。
S204：溅射Ti过渡层。
具体的，将脉冲偏压电源6的偏压值降低至120V，同时增加Ti靶的溅射功率至5kw，溅射时间为20min。
S205：溅射TiN层。
具体的，保持Ar气体流量不变，保持Ti靶功率不变，将偏压电源偏压值降低至100V，打开N2流量计，设置氮气流量为20sccm保持2min，25sccm保持1min，最后设定至30sccm，总共溅射时间为40min。
待TiN层沉积完毕，关闭进气和电源，待装置本体1的温度降低至100℃后，取出高速钢样片。
对产品进行测试：将镀完TiN镀膜的高速钢样品放置在洛氏硬度计载台，并选择150KG载荷，旋转把手台式载台至仪器指针指示红点为止，启动开始按钮通过金刚石压头加载150kg作用在测试片上。记录测试样片的洛氏硬度值，并将测试样片使用金相显微镜观察压痕外观，并根据VDI3198标准判定结合力等级。
请参阅图5，为本实施例中，在高速钢基底上溅镀TiN镀膜的压痕图。其测试硬度值为：65.4HRc，判定高速钢基底上溅镀TiN镀膜的结合力等级为HF1级。
对比例
请参阅图6，对比例提供一种通过采用传统清洗工艺进行的镀膜方法。包括以下步骤：
S301：抽气加热。
具体的，将抛光高速钢片经酒精，丙酮分别超声清洗20min之后，放置在转架上。通过抽气泵组进行抽气，使装置的本底真空度低于5*10-3Pa，并加热至温度为400℃，保温30min。
S302：通入惰性气体并进行传统偏压刻蚀清洗工件。
具体的，通入惰性气体，并调整氩气流量使压力至1Pa，启动转架连接的脉冲偏压电源，设置偏压电源为700V，占空比为80％；在腔体与转架之间产生Ar离子辉光，偏压电流为0.08A，进行传统偏压清洗30min。
S303：溅射Ti打底层。
具体的，调整氩气流量，使腔体压力至0.5Pa，调整脉冲偏压电源的偏压值为200V，脉冲为80％；开启Ti靶电源，调整功率到1KW，溅射10min。
S304：溅射Ti过渡层。
具体的，将脉冲偏压电源的偏压值降低至120V，同时增加Ti靶的溅射功率至5kw，溅射时间为20min。
S305：溅射TiN层。
具体的，保持Ar气体流量不变，保持Ti靶功率不变，将偏压电源偏压值降低至100V，打开N2流量计，设置氮气流量为20sccm保持2min，25sccm保持1min，最后设定至30sccm，总共溅射时间为40min。
待TiN层沉积完毕，关闭进气和电源，待温度降低至100℃后，取出高速钢样片。
对对比例中的产品进行测试：将镀完TiN镀膜的高速钢样品放置在洛氏硬度计载台，并选择150KG载荷，旋转把手台式载台至仪器指针指示红点为止，启动开始按钮通过金刚石压头加载150kg作用在测试片上。记录测试样片的洛氏硬度值，并将测试样片使用金相显微镜观察压痕外观，并根据VDI 3198标准判定结合力等级。
请参阅图7为对比例中，在高速钢基底上溅镀TiN镀膜的压痕图。其测试硬度值为：65.3HRc，判定高速钢基底上溅镀TiN镀膜的结合力等级为HF6级。
通过测试结果的对比可以发现，经过本申请清洗工艺后溅镀的TiN镀膜，压痕周围无涂层剥落，表明膜基结合良好，对比例中，压痕周围有明显的涂层剥落现象。本申请提供的清洗工艺能明显提升工件的清洗效果，提升镀层与基底的结合力。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本发明的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在上面的权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明的总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
Claims (9)
1.一种镀膜装置，其特征在于，包括装置本体、工件转架、弧靶、挡板、辅助弧靶、脉冲偏压电源、脉冲弧电源、阳极电源及弧电源；
所述工件转架转动设于所述装置本体中，且所述工件转架的转轴方向为竖直方向，所述弧靶及所述辅助弧靶分别设于所述装置本体内，且位于所述工件转架的同一侧，所述辅助弧靶位于所述弧靶的上方，所述挡板设于所述弧靶朝向所述工件转架的一侧，所述脉冲偏压电源的负极与所述工件转架连接，以向放置于所述工件转架上的工件提供负偏压，所述脉冲弧电源的负极连接所述弧靶，以使所述弧靶产生弧光，所述阳极电源与所述弧电源分别与所述辅助弧靶连接，所述脉冲偏压电源的脉冲与所述脉冲弧电源脉冲同步；
所述镀膜装置还包括切换件，所述阳极电源与所述弧电源分别与所述切换件连接，所述切换件则与所述辅助弧靶连接。
2.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述辅助弧靶为平面弧靶。
3.根据权利要求2所述的镀膜装置，其特征在于，所述辅助弧靶为圆形平板弧靶。
4.一种清洗工艺，其特征在于，采用如权利要求1-3任一项所述的镀膜装置，包括：
抽气加热，将工件放置于所述工件转架上，对所述装置本体进行抽真空及加热除气；
通入惰性气体并进行刻蚀清洗工件，向所述装置本体中充入氩气，打开所述脉冲偏压电源，以所述工件为阴极，施加负偏压，开启所述脉冲弧电源，使所述阳极电源与所述辅助弧靶连接，打开所述阳极电源，对所述工件进行弧光电子增强辉光放电清洗。
5.根据权利要求4所述的清洗工艺，其特征在于，所述抽气加热的步骤中，使所述装置本体内的温度加热至200℃-500℃，所述装置本体本底真空度低于5*10-3Pa。
6.根据权利要求4所述的清洗工艺，其特征在于，所述通入惰性气体并进行刻蚀清洗工件的步骤中，向所述装置本体中充入氩气至真空气压达到0.5-2Pa，所述脉冲偏压电源的负偏压为100V-600V，所述脉冲弧电源的电流在60-100A，所述阳极电源的电流在20-80A。
7.根据权利要求6所述的清洗工艺，其特征在于，调整氩气流量使所述装置本体的压力至1Pa，所述脉冲偏压电源的偏压为100V，频率为1000Hz，脉宽为500us，同时脉冲信号与所述脉冲弧电源脉冲同步；所述脉冲弧电源的弧电流为70A，频率为1000Hz，脉宽为500us，所述阳极电源的电流在30A。
8.根据权利要求7所述的清洗工艺，其特征在于，按以下工艺逐步增加所述脉冲偏压电源的偏压值：偏压为100V，进行2min；偏压为150V，进行2min；偏压为200V，进行36min。
9.根据权利要求4所述的清洗工艺，其特征在于，所述抽气加热的步骤之前，所述清洗工艺还包括对工件进行预处理的步骤，将所述工件放入水、酒精、丙酮溶剂中，进行清洗，去除所述工件表面的污渍。
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