CN114442389B - 一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置，阵列基板包括位于非显示区的电源信号线、位于电源信号线远离衬底一侧的平坦化层、位于平坦化层远离衬底一侧的公共电极层以及位于公共电极层远离衬底一侧的介电绝缘层；电源信号线围绕显示区设置；平坦化层包括位于非显示区的多个第一凹槽结构和第二凹槽结构，公共电极层通过第一凹槽结构与电源信号线电连接；沿电源信号线指向公共电极层的方向，第二凹槽结构与至少一个第一凹槽结构相互连通，且位于第一凹槽结构远离衬底的一侧；第二凹槽结构在衬底上的正投影覆盖第一凹槽结构在衬底上的正投影。本发明实施例的技术方案可以改善介电绝缘层剥落的现象，提高阵列基板的品质。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置。
背景技术
液晶显示器因其低功耗、无辐射、画质高以及寿命长等优点在显示技术领域有着广泛的应用。
通常，液晶显示面板由阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层组成。其中，阵列基板用于通过形成电场来控制液晶分子的偏转角度，进而实现不同子像素的出光亮度的控制。阵列基板包括多个金属层以及位于金属层上方的绝缘层，例如，金属层包括像素电极、公共电极以及薄膜晶体管的源极、栅极和漏极等结构所在的金属层，绝缘层可以根据不同需求可以选择不同的材质。
研究发现，在阵列基板制备过程中，由于金属层在镀膜后需要进行高温烘烤，导致绝缘层上产生内在应力(表现为膨胀或收缩)，而不同材质的绝缘层的膨胀系数不同，导致应力不平衡，容易引发绝缘层剥落(peeling)的不良，影响阵列基板的品质。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置，以改善介电绝缘层剥落的现象，提高阵列基板的品质。
第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：
衬底，衬底包括显示区和围绕显示区的非显示区；
电源信号线，位于衬底的一侧且位于非显示区，电源信号线围绕显示区设置；
平坦化层，位于电源信号线远离衬底的一侧；平坦化层包括位于非显示区的多个第一凹槽结构，第一凹槽结构贯穿平坦化层且露出电源信号线；
公共电极层，位于平坦化层远离衬底的一侧，且通过第一凹槽结构与电源信号线电连接；
介电绝缘层，位于公共电极层远离衬底的一侧；
平坦化层还包括位于非显示区的第二凹槽结构，沿第一方向，第二凹槽结构与至少一个第一凹槽结构相互连通，且位于第一凹槽结构远离衬底的一侧；第二凹槽结构在衬底上的正投影覆盖第一凹槽结构在衬底上的正投影；第一方向为电源信号线指向公共电极层的方向。
第二方面，本发明实施例还提供了一种液晶显示面板，包括第一方面提供的阵列基板，还包括：
位于阵列基板一侧的彩膜基板，以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。
第三方面，本发明实施例还提供了一种液晶显示装置，包括第二方面提供液晶显示面板以及位于液晶显示面板的非出光侧的背光模组。
本发明实施例通过对应电源信号线所在区域，设置平坦化层包括第一凹槽结构和第二凹槽结构，使第二凹槽结构位于第一凹槽结构远离衬底的一侧并且与至少一个凹槽结构相互连通，并设置第二凹槽结构在衬底上的正投影覆盖第一凹槽结构在衬底上的正投影，至少可以利用第二凹槽结构形成台阶，起到释放介电绝缘层的应力的作用，使介电绝缘层和平坦化层达到应力平衡，避免应力破坏膜层稳定性导致介电绝缘层剥落。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；
图2是图1中S1区域的一种剖面结构示意图；
图3是图1所示阵列基板在显示区的局部剖面结构示意图；
图4是图1中S1区域的另一种剖面结构示意图；
图5是图1中S1区域的一种俯视结构示意图；
图6是沿图5中AA’截取的阵列基板的剖面结构示意图；
图7是沿图5中BB’截取的阵列基板的剖面结构示意图；
图8是图1中S1区域的另一种俯视结构示意图；
图9是沿图8中EE’截取的阵列基板的剖面结构示意图；
图10是图1中S1区域的另一种俯视结构示意图；
图11是沿图10中JJ’截取的阵列基板的剖面结构示意图；
图12是图1中S1区域的另一种俯视结构示意图；
图13是图1中S1区域的另一种俯视结构示意图；
图14是沿图13中MM’截取的阵列基板的剖面结构示意图；
图15是沿图13中OO’截取的阵列基板的剖面结构示意图；
图16是阵列基板中介电绝缘层在S1区域的局部俯视结构示意图；
图17是本发明实施例提供的一种液晶显示面板的结构示意图；
图18是本发明实施例提供的一种液晶显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图，图2是图1中S1区域的一种剖面结构示意图，结合图1和图2所示，本发明实施例提供的阵列基板10包括衬底1、电源信号线2、平坦化层3、公共电极层4以及介电绝缘层5；其中，衬底1包括显示区AA和围绕显示区AA的非显示区NA；电源信号线2位于衬底1的一侧且位于非显示区NA，电源信号线2围绕显示区 AA设置；平坦化层3位于电源信号线2远离衬底1的一侧；平坦化层3包括位于非显示区NA的多个第一凹槽结构31，第一凹槽结构31贯穿平坦化层3且露出电源信号线2；公共电极层4位于平坦化层3远离衬底1的一侧，且通过第一凹槽结构31与电源信号线2电连接；介电绝缘层5位于公共电极层4远离衬底1的一侧；平坦化层3还包括位于非显示区NA的第二凹槽结构32，沿第一方向z，第二凹槽结构32与至少一个第一凹槽结构31相互连通，且位于第一凹槽结构31远离衬底1的一侧；第二凹槽结构32在衬底1上的正投影覆盖第一凹槽结构31在衬底1上的正投影；第一方向z为电源信号线2指向公共电极层 4的方向。
近年来，随着消费者对液晶显示器的要求越来越高，液晶显示器逐渐向着大尺寸的方向发展。对于中大尺寸液晶显示面板而言，本实施例通过在非显示区NA内围绕显示区AA设置电源信号线2，使公共电极层4与电源信号线2 搭接，可以通过电源信号线2为公共电极层4传输公共电压，改善公共电极层 4上不同位置处的电压均一性，进而改善显示品质。
图3是图1所示阵列基板在显示区的局部剖面结构示意图，如图3所示，阵列基板10还包括多个薄膜晶体管6和像素电极层，像素电极层位于介电绝缘层5远离衬底1的一侧，像素电极层包括多个像素电极7，像素电极7与薄膜晶体管6一一对应电连接。具体的，显示区AA内包括阵列排布的薄膜晶体管6，像素电极7同样阵列排布且与薄膜晶体管6一一对应电连接，如此，在显示过程中通过选通各个薄膜晶体管6，并分别向对应的像素电极7施加像素电压，可以利用像素电压与公共电压之间的电压差形成电场，进而调整液晶分子的偏转角度，实现对各个子像素的出光量的控制。
如图3所示，薄膜晶体管6包括栅极61、源极62和漏极63，平坦化层3 位于源极62和漏极63所在膜层与公共电极层4之间，可以起到绝缘和将膜层平坦化的作用，以使公共电极层4形成于平坦的绝缘层上；在本实施中，可选电源信号线2与源极62和漏极63同层设置，如此，在非显示区NA中，公共电极层4与电源信号线2之间只间隔平坦化层3，便于降低打孔难度。
继续参见图3，介电绝缘层5位于公共电极层4与像素电极7所在膜层之间，可以起到绝缘的作用，此外，在非显示区NA中，介电绝缘层5还可以起到保护下方金属膜层(例如公共电极层4和电源信号线2)的作用，保证产品的使用寿命。此外，本实施例中，公共电极层4位于像素电极7所在膜层靠近衬底1的一侧(换言之，公共电极层4位于像素电极7所在膜层远离液晶层的一侧)，可以避免整层的公共电极层4屏蔽信号。
需要说明的是，图3仅示意出位于显示区AA的一个薄膜晶体管6的结构，在阵列基板10中，除显示区AA内阵列排布的薄膜晶体管以外，非显示区NA 亦可根据需求设置薄膜晶体管，例如在非显示区NA形成薄膜晶体管用于构建栅极驱动电路、多路复用电路等电路结构，本发明实施例对此不作限定。
示例性的，平坦化层3可以选用有机绝缘材料，介电绝缘层5可以选用无机绝缘材料，公共电极层4和像素电极7均可以采用透明的氧化铟锡(ITO)。在像素电极7完成镀膜后通常需要进行烘烤，在此工艺制程中，介电绝缘层5 和平坦化层3会产生内在应力，具体表现为在升温过程中由中心向四周膨胀(张应力的传导方向)，在降温过程中由四周向中心收缩(缩应力的传导方向)。由于介电绝缘层5和平坦化层3的材质不同，因此二者的膨胀系数不同，导致二者的应力不平衡，在应力的传导过程中，当应力积累到一定程度时，容易引发介电绝缘层5剥落(peeling)的不良现象。例如，在高温环境下，由于介电绝缘层5和平坦化层3的应力不平衡，容易在外围走线(如本实施例中的电源信号线2)等较为脆弱的位置附近出现介电绝缘层5剥落(peeling)的现象。
参考图2，为解决此问题，本实施例设置平坦化层3还包括位于非显示区 NA的第二凹槽结构32，沿第一方向z，第二凹槽结构32与至少一个第一凹槽结构31相互连通，且位于第一凹槽结构31远离衬底1的一侧；第二凹槽结构 32在衬底1上的正投影覆盖第一凹槽结构31在衬底1上的正投影。
可以理解的，本实施例中，需要同时具有第一凹槽结构31和第二凹槽结构 32，才可以将平坦化层3完全贯穿，实现公共电极层4与电源信号线2的搭接。示例性的，可以采用half-tone(半色调)工艺在平坦化层3的不同位置形成不同深度的挖槽，以形成由至少一个第一凹槽结构31和第二凹槽结构32构成的挖槽。
为便于区分，本实施例采用“第一凹槽结构”和“第二凹槽结构”的描述方式，从相对位置的角度对平坦化层3在非显示区NA中的挖槽进行了划分，其中，至少第二凹槽结构32可以起到释放介电绝缘层5的应力的作用，使介电绝缘层5和平坦化层3达到应力平衡，避免应力破坏膜层稳定性导致介电绝缘层5剥落，第一凹槽结构31则可以贯穿第二凹槽结构32下方剩余的平坦化层 3，实现公共电极层4与电源信号线2的电连接。
示例性的，第一凹槽结构31可以是通孔，只要能够实现公共电极层4与电源信号线2电连接即可，本实施例对第一凹槽结构31的具体形状不作限定。
进一步地，第二凹槽结构32可以起到应力释放作用的原理如下：如图2所示，由于第二凹槽结构32在衬底1上的正投影覆盖第一凹槽结构31在衬底1 上的正投影，因而可以利用第二凹槽结构32的内壁(如3201)和与内壁连接的底面(如3203)构成台阶，利用该台阶释放介电绝缘层5的应力(张应力/ 缩应力)，使介电绝缘层5和平坦化层3达到应力平衡，避免应力破坏膜层稳定性导致介电绝缘层5剥落。
具体的，第二凹槽结构32在衬底1上的正投影覆盖第一凹槽结构31在衬底1上的正投影，可以是第二凹槽结构32的底面在衬底1上的正投影的至少部分边缘位于第一凹槽结构31在衬底1上的正投影中对应边缘的外围，如此至少可以释放与该边缘延伸方向相交的方向上的应力，降低介电绝缘层5剥落的风险。示例性的，如图2所示，以第二凹槽结构32在S1区域的设置方式为例，沿x方向，第二凹槽结构32的底面的边缘位于第一凹槽结构31的对应边缘的外围，从而可以沿x方向形成台阶，释放介电绝缘层5沿x方向的应力，降低介电绝缘层5剥落的风险。
综上，本发明实施例通过对应电源信号线所在区域，设置平坦化层包括第一凹槽结构和第二凹槽结构，使第二凹槽结构位于第一凹槽结构远离衬底的一侧并且与至少一个凹槽结构相互连通，并设置第二凹槽结构在衬底上的正投影覆盖第一凹槽结构在衬底上的正投影，至少可以利用第二凹槽结构形成台阶，起到释放介电绝缘层的应力的作用，使介电绝缘层和平坦化层达到应力平衡，避免应力破坏膜层稳定性导致介电绝缘层剥落。
在上述实施例的基础上，下面对第二凹槽结构32的具体结构做进一步详细说明。
图4是图1中S1区域的另一种剖面结构示意图，具体为x方向和z方向构成的平面的剖面结构示意图，如图4所示，可选第二凹槽结构32包括至少两个沿第一方向z相互连通的第二子凹槽结构321(“321-”后面的数字仅表示编号)，沿第一方向z，第i+1个第二子凹槽结构321的第一宽度D大于第i个第二子凹槽结构321的第一宽度D，i为大于或等于1的整数；第一宽度D为第二子凹槽结构321的相对边缘之间的距离。
具体的，第二子凹槽结构321的相对边缘可以理解为第二子凹槽结构321 在衬底1上的正投影中相对的边缘，该边缘可以是直线也可以是曲线，本发明实施例对此不作限定。从图4可以看出，本发明实施例通过设置第二凹槽结构 32包括至少两个沿第一方向z相互连通的第二子凹槽结构321，并使第i+1个第二子凹槽结构321的第一宽度D大于第i个第二子凹槽结构321的第一宽度D，可以形成多个台阶，从而可以提高应力释放效果，进一步平衡介电绝缘层5 和平坦化层3的应力，降低介电绝缘层5的剥落风险。
示例性的，图4示意性地示出了第二凹槽结构32包括两个第二子凹槽结构，即第二子凹槽结构321-1和第二子凹槽结构321-2，第二子凹槽结构321-2位于第二子凹槽结构321-1远离衬底的一侧，且二者相互连通，第二子凹槽结构321-2 中沿x方向相对的边缘之间的距离D2大于第二子凹槽结构321-1中沿x方向相对的边缘之间的距离D1，如此设置，可以沿x方向形成两个台阶，进一步提高应力释放效果，降低介电绝缘层5的剥落风险。
需要说明的是，图4仅以第二凹槽结构32包括两个第二子凹槽结构321为例进行示意(图2所示剖面结构可以理解为第二凹槽结构32仅包括一个第二子凹槽结构321)，本发明实施例对第二凹槽结构32中第二子凹槽结构321的数量不作限定，其数量为一个或多个均可，当第二凹槽结构32包括多个第二子凹槽结构321时，可以设置多个第二子凹槽结构321的第一宽度沿第一方向z依次递增，以提高应力释放效果，进一步降低介电绝缘层5的剥落风险。后续均以第二凹槽结构32包括多个沿第一方向z相互连通的第二子凹槽结构321为例进行说明。
还需要说明的是，第二子凹槽结构321可以具有至少两组相对边缘，其中至少一组相对边缘之间的距离(即第一宽度)沿第一方向z递增(即第i+1个第二子凹槽结构321的第一宽度大于第i个第二子凹槽结构321的第一宽度)即可，本发明实施例对此不作限定。
进一步地，可选第二子凹槽结构321沿第一方向z的深度大于介电绝缘层5 沿第一方向z的厚度。如此设置可以为释放介电绝缘层5的应力提供充足的空间，保证应力释放效果。
图5是图1中S1区域的一种俯视结构示意图(为便于展示仅示出部分膜层结构)，图6是沿图5中AA’截取的阵列基板的剖面结构示意图，图7是沿图5中BB’截取的阵列基板的剖面结构示意图，参照图5、图6和图7所示，可选的，第二凹槽结构32包括至少两个相对设置的第一台阶壁3201，第一台阶壁3201的延伸方向与电源信号线2的延伸方向相同，第一台阶壁3201所在平面与衬底1所在平面相交；和/或，第二凹槽结构32包括至少两个相对设置的第二台阶壁3202，第二台阶壁3202的延伸方向与电源信号线2的延伸方向相交，第二台阶壁3202所在平面与衬底1所在平面相交。
具体的，第二凹槽结构32包括几个第二子凹槽结构321，则包括几对第一台阶壁3201和/或第二台阶壁3202，其中，一对第一台阶壁为相对设置的两个第一台阶壁3201，一对第二台阶壁为相对设置的两个第二台阶壁3202。为便于区分，附图标记中“3201-”后方数字编号相同的属于同一对第一台阶壁3201，附图标记中“3202-”后方数字编号相同的属于同一对第二台阶壁3202，而且，该“3201-”(第一台阶壁)和“3202-”(第二台阶壁)的编号与“321-”(第一台阶壁和第二台阶壁所属的第二子凹槽结构)的编号对应，后续附图标记方式与此相同，不再赘述。
作为一种可行的实施方式，图5-图7以第二凹槽结构32既包括第一台阶壁 3201又包括第二台阶壁3202为例进行示意，即，第二凹槽结构32包括至少两个相对设置的第一台阶壁3201以及至少两个相对设置的第二台阶壁3202，第一台阶壁3201的延伸方向与电源信号线2的延伸方向相同，第一台阶壁3201 所在平面与衬底1所在平面相交，第二台阶壁3202的延伸方向与电源信号线2 的延伸方向相交，第二台阶壁3202所在平面与衬底1所在平面相交。由于第一台阶壁3201和第二台阶壁3202的延伸方向相交，因此，二者端部相接后在俯视图上可形成口字型。
示例性的，参照图5-图7，本示例中，第二凹槽结构32包括两个第二子凹槽结构321，因此，第二凹槽结构32包括两对第一台阶壁3201和两对第二台阶壁3202，两对第一台阶壁分别标识为3201-1和3201-2，两对第二台阶壁分别标识为3202-1和3202-2。
根据上述可知，台阶壁和台阶面(第二子凹槽结构321的底面)可以形成台阶，用于释放介电绝缘层5的应力。在本实例中，结合图5和图6，每个第一台阶壁3201和与其底部连接的第一台阶面3203可以构成一个台阶，介电绝缘层5中沿x方向传导的应力在经过第一台阶壁3201和第一台阶面3203时，可以得到有效的释放；同理，结合图5和图7，每个第二台阶壁3202和与其底部连接的第二台阶面3204可以构成一个台阶，介电绝缘层5中沿y方向传导的应力在经过第二台阶壁3202和第二台阶面3204时，可以得到有效的释放，因此，本实施例的方案可以释放介电绝缘层5中沿各个方向传导的应力，使介电绝缘层5和平坦化层3达到应力平衡，避免应力破坏膜层稳定性导致介电绝缘层5剥落。
参照图5，上述“第一台阶面3203”的延伸方向平行于电源信号线2的延伸方向，其所在平面与衬底所在平面平行；上述“第二台阶面3204”的延伸方向与电源信号线2的延伸方向相交，其所在平面与衬底所在平面平行；位于同一平面的两个第一台阶面3203以及两个第二台阶面3204的端部依次连接，并且边缘可构成回字形。
进一步的，如图5和图6所示，当第二凹槽结构32包括第一台阶壁3201 时，可选任意两个相对的第一台阶壁3201之间的距离大于电源信号线2的宽度。示例性的，如图6所示，在S1区域，电源信号线2的宽度即电源信号线2沿x 方向的长度，两个相对的第一台阶壁3201之间的距离即为二者沿x方向的距离，从图6可以看出，通过设置任意两个相对的第一台阶壁(如距离最小的第一台阶壁3201-1)之间的距离大于电源信号线2的宽度，可以避免压缩第一凹槽结构31的设置空间，同时还可以保证第一台阶面3203沿垂直于电源信号线2的延伸方向(在S1区域为x方向)具有足够的宽度，以便为释放应力提供足够的路径，保证应力释放效果。
作为另一种可行的实施方式，图8是图1中S1区域的另一种俯视结构示意图，图9是沿图8中EE’截取的阵列基板的剖面结构示意图，沿图8中CC’截取的阵列基板的剖面结构示意图可以参照图6。如图8、图6和图9所示，在本示例中，第二凹槽结构32包括至少两个相对设置的第一台阶壁3201，第一台阶壁3201的延伸方向与电源信号线2的延伸方向相同，第一台阶壁3201所在平面与衬底1所在平面相交。
具体的，在本示例中，第二凹槽结构32类似沿平行于电源信号线的延伸方向延伸的沟渠，其第一台阶壁3201和第一台阶面3203的延伸方向与电源信号线2的延伸方向相同，如此，介电绝缘层5中沿垂直于电源信号线2延伸方向进行传导的应力，在经过第一台阶壁3201和第一台阶面3203时，可以得到有效的释放，从而可以降低介电绝缘层5的剥落风险。
作为又一种可行的实施方式，图10图1中S1区域的另一种俯视结构示意图，图11是沿图10中JJ’截取的阵列基板的剖面结构示意图，沿图10中KK’截取的阵列基板的剖面结构示意图可以参照图7。如图10、图7和图11所示，在本示例中，第二凹槽结构32包括至少两个相对设置的第二台阶壁3202，第二台阶壁3202的延伸方向与电源信号线2的延伸方向相交，第二台阶壁3202 所在平面与衬底1所在平面相交。
具体的，在本示例中，第二凹槽结构32类似沿垂直于电源信号线2的延伸方向延伸的短沟渠，其第二台阶壁3202和第二台阶面3204的延伸方向与电源信号线2的延伸方向相交，如此，介电绝缘层5中沿电源信号线2延伸方向进行传导的应力，在经过第二台阶壁3202和第二台阶面3204时，可以得到有效的释放，从而可以降低介电绝缘层5的剥落风险。此外，如图10和图11所示，第二台阶壁3202和第二台阶面3204具有延伸边界3205，如此可以避免第二凹槽结构32延伸至显示区AA，对显示效果产生影响。
需要说明的是，第二台阶壁3202和第二台阶面3204的延伸边界3205不限于图10所示位置，可以继续向两侧延伸，本发明实施例对此不作限定，只要延伸边界3205不进入显示区即可。
上述实施例提供了第二凹槽结构32的三种可行的设置方式，可以根据释放应力的不同需求选择所需的设置方式，本发明实施例对此不作限定。需要说明的是，上述实施例仅以图1中S1区域为例示出了第二凹槽结构32的三种设置方式，各设置方式对于图1中的S2区域同样适用。S2区域和S1区域的区别仅在于电源信号线2的延伸方向不同，在S1区域内，电源信号线2沿y方向延伸，在S2区域内，电源信号线2沿x方向延伸，本领域技术人员可以根据第一台阶壁3201和第二台阶壁3202与电源信号线2的延伸方向的关系确定不同位置处的第二凹槽结构32中台阶的设置方式，在此不再过多赘述，仅以S1区域为例进行示意。
综上，上述实施例对第二凹槽结构32做了进一步详细说明，在上述任一实施例的基础上，下面对第一凹槽结构31做进一步说明。
如图5或图8或图10所示，可选的，第一凹槽结构31包括至少一个第一子凹槽结构311，第一子凹槽结构311在衬底1上的正投影形状为口字型。
示例性的，图5以第一凹槽结构31包括两个第一子凹槽结构311为例进行示意，两个第一子凹槽结构311在衬底1上的正投影形状均为口字型。此外，在其他实施例中，第一凹槽结构31可以仅包括一个第一子凹槽结构311，或者可以包括更多数量的第一子凹槽结构311，本发明实施例对此不作限定。本实施例通过设置第一子凹槽结构311在衬底1上的正投影形状为口字型，可以辅助第二凹槽结构32进一步提高对介电绝缘层5的应力释放效果，降低剥落风险。
具体的，结合图5和图6以及结合图5和图7，由于第一子凹槽结构311 为回字形，因此可使公共电极层4在第一凹槽结构31内形成“台阶”，使介电绝缘层5形成于台阶之上，根据对第二凹槽结构32释放应力的原理解释可知：如此设置可以利用沿垂直于电源信号线2的延伸方向延伸的局部第一子凹槽结构(如第一子凹槽结构311中沿x方向延伸的部分)，对沿电源信号线2的延伸方向(如沿y方向)进行传导的应力进行释放，同时可以利用沿平行于电源信号线2的延伸方向延伸的局部第一子凹槽结构(如第一子凹槽结构311中沿y 方向延伸的部分)，对沿垂直于电源信号线2的延伸方向(如沿x方向)进行传导的应力进行释放，进一步提高应力释放效果，降低介电绝缘层5的剥落风险。
进一步地，继续参考图5，可选第一凹槽结构31包括多个第一子凹槽结构311，多个第一子凹槽结构311在衬底1上的正投影依次围绕。如此设置，可以增加由第一凹槽结构31构成的台阶数量，进一步提高对介电绝缘层5的应力释放效果，降低介电绝缘层5的剥落风险。
图12是图1中S1区域的另一种俯视结构示意图，如图12所示，可选第一子凹槽结构311包括多个分立设置的第一子凹槽分部3111，各第一子凹槽分部 3111的中心依次相连形成虚拟连接线(如图中虚线)，虚拟连接线在衬底1上的正投影形状为口字型。通过设置第一子凹槽结构311包括多个分立设置的第一子凹槽分部3111，可以在保证方应力释放效果的同时，避免公共电极层4与电源信号线2的接触面积过大而对公共电极层4的稳定性造成不良影响。
进一步地，可选第一子凹槽分部3111在衬底1上的正投影形状包括多边形、圆形和椭圆形中的至少一种。示例性的，图12以第一子凹槽分部3111在衬底1 上的正投影形状为矩形为例进行示意，在其他实施例中，其投影形状还可以是圆形、椭圆形、其他多边形中的一种或多种，本发明实施例对此不作限定。
综上，上述实施例对第一凹槽结构31做了进一步详细说明，需要说明的是，第一凹槽结构31的主要作用是实现公共电极层4与电源信号线2电连接，因此，只要保证第一凹槽结构31可以贯穿第二凹槽结构32下方的平坦化层即可，第一凹槽结构31可以是任意形状，本发明实施例对此不作限定。采用本发明实施例提供的方案，设计第一子凹槽结构311在衬底1上的正投影的整体形状构成口字型，可以辅助第二凹槽结构32，起到进一步释放介电绝缘层5应力的作用，平衡介电绝缘层5和平坦化层3的应力，降低介电绝缘层5的剥落风险。
在上述任一实施例的基础上，图13是图1中S1区域的另一种俯视结构示意图，图14是沿图13中MM’截取的阵列基板的剖面结构示意图，图15是沿图13中OO’截取的阵列基板的剖面结构示意图，结合图13-图15所示，可选介电绝缘层5包括位于非显示区NA的至少一条刻缝51，刻缝51贯穿介电绝缘层5，且刻缝51在衬底1上的正投影与电源信号线2在衬底1上的正投影交叠。如此设置，可以增加应力释放方式，通过介电绝缘层5中的刻缝51进一步释放应力，平衡介电绝缘层5和平坦化层3的应力，降低介电绝缘层5的剥落风险。
进一步地，继续参见图13-图15，第二凹槽结构32包括平行于衬底1所在平面的第一台阶面3203和第二台阶面3204，第一台阶面3203的延伸方向平行于电源信号线2的延伸方向，第二台阶面3204的延伸方向与电源信号线2的延伸方向相交，位于同一平面的两个第一台阶面3203以及两个第二台阶面3204 的端部依次连接；可选刻缝51包括第一刻缝511和/或第二刻缝512；其中，第一刻缝511的延伸方向与电源信号线2的延伸方向平行，第一刻缝511在衬底1 上的正投影与第一台阶面3203在衬底1上的正投影不交叠；第二刻缝512的延伸方向与电源信号线2的延伸方向相交，第二刻缝512在衬底1上的正投影与第二台阶面3204在衬底1上的正投影不交叠。
示例性的，图13以刻缝51包括第一刻缝511和第二刻缝512为例进行示意。结合图13和图14所示，通过设置第一刻缝511，可以进一步释放沿垂直于电源信号线2的延伸方向(在S1区域为x方向)进行传导的应力，此外，第一台阶面3203可以为沿垂直于电源信号线2的延伸方向进行传导的应力提供应力释放路径，通过设置第一刻缝511在衬底1上的正投影与第一台阶面3203在衬底1上的正投影不交叠，可以避免削弱第二凹槽结构32的应力释放效果；同理，结合图13和图15所示，通过设置第二刻缝512，可以进一步释放沿平行于电源信号线2的延伸方向(在S1区域为y方向)进行传导的应力，此外，第二台阶面3204可以为沿平行于电源信号线2的延伸方向进行传导的应力提供应力释放路径，通过设置第二刻缝512在衬底1上的正投影与第二台阶面3204在衬底 1上的正投影不交叠，可以避免削弱第二凹槽结构32的应力释放效果。
需要说明的是，本实施例仅在第二凹槽结构32包括第一台阶壁3201、第二台阶壁3202以及第一台阶面3203和第二台阶面3204的基础上，介绍介电绝缘层5中刻缝51的设置方式，对于上述提供的对第二凹槽结构32的另外两种设置方式，即第二凹槽结构32仅包括第一台阶壁3201和第一台阶面3203，或者第二凹槽结构32仅包括第二台阶壁3202和第二台阶面3204，本实施例提供的刻缝51的设置方式同样适用，在此不再赘述。
还需要说明的是，图13仅以刻缝51同时包括第一刻缝511和第二刻缝512 为例进行示意，无论第二凹槽结构32采用何种设置方式，刻缝51还可以仅包括第一刻缝511或者仅包括第二刻缝512，本发明实施例对此不作限定，本领域技术人员可以根据需求选择设置方式。
图16是阵列基板中介电绝缘层在S1区域的局部俯视结构示意图，如图16所示，在一实施例中，可选沿刻缝51的延伸方向，刻缝51由多个间隔设置的刻孔5101构成。如此设置，既可以起到释放应力的作用，又可以保证介电绝缘层5的稳定性。
进一步地，可选刻孔5101在衬底1上的投影形状包括多边形、圆形和椭圆形中的至少一种。示例性的，图16以刻孔5101在衬底1上的正投影形状为矩形为例进行示意，在其他实施例中，其投影形状还可以是圆形、椭圆形、其他多边形中的一种或多种，本发明实施例对此不作限定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种液晶显示面板，图17是本发明实施例提供的一种液晶显示面板的结构示意图，如图17所示，液晶显示面板100包括上述任一实施例提供的阵列基板10，位于阵列基板10一侧的彩膜基板20，以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层30。由于该液晶显示面板 100具有上述任一实施例提供的阵列基板10，因此其阵列基板10中的介电绝缘层5的剥落风险很低，具有较高的品质，从而可以提升液晶显示面板100的品质。由于液晶显示技术较为成熟，因此液晶显示面板中的其余结构在此不再过多说明。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种液晶显示装置，图18是本发明实施例提供的一种液晶显示装置的结构示意图，如图18所示，液晶显示装置1000包括上述实施例提供的液晶显示面板100以及位于液晶显示面板100的非出光侧的背光模组200，因而同样具有较高的品质。本发明实施例提供的液显示装置1000可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：手机、电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、医疗设备、工控设备、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (16)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；
电源信号线，位于所述衬底的一侧且位于所述非显示区，所述电源信号线围绕所述显示区设置；
平坦化层，位于所述电源信号线远离所述衬底的一侧；所述平坦化层包括位于所述非显示区的多个第一凹槽结构，所述第一凹槽结构贯穿所述平坦化层且露出所述电源信号线；
公共电极层，位于所述平坦化层远离所述衬底的一侧，且通过所述第一凹槽结构与所述电源信号线电连接；
介电绝缘层，位于所述公共电极层远离所述衬底的一侧；
所述平坦化层还包括位于所述非显示区的第二凹槽结构，沿第一方向，所述第二凹槽结构与至少一个所述第一凹槽结构相互连通，且位于所述第一凹槽结构远离所述衬底的一侧；所述第二凹槽结构在所述衬底上的正投影覆盖所述第一凹槽结构在所述衬底上的正投影；所述第一方向为所述电源信号线指向所述公共电极层的方向；
所述第二凹槽结构的内壁和与内壁连接的底面构成台阶。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二凹槽结构包括至少两个沿所述第一方向相互连通的第二子凹槽结构，沿所述第一方向，第i+1个所述第二子凹槽结构的第一宽度大于第i个所述第二子凹槽结构的第一宽度，i为大于或等于1的整数；
所述第一宽度为所述第二子凹槽结构的相对边缘之间的距离。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二子凹槽结构沿所述第一方向的深度大于所述介电绝缘层沿所述第一方向的厚度。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二凹槽结构包括至少两个相对设置的第一台阶壁，所述第一台阶壁的延伸方向与所述电源信号线的延伸方向相同，所述第一台阶壁所在平面与所述衬底所在平面相交；和/或，
所述第二凹槽结构包括至少两个相对设置的第二台阶壁，所述第二台阶壁的延伸方向与所述电源信号线的延伸方向相交，所述第二台阶壁所在平面与所述衬底所在平面相交。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，任意两个相对的所述第一台阶壁之间的距离大于所述电源信号线的宽度。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凹槽结构包括至少一个第一子凹槽结构，所述第一子凹槽结构在所述衬底上的正投影形状为口字型。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凹槽结构包括多个所述第一子凹槽结构，多个所述第一子凹槽结构在所述衬底上的正投影依次围绕。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子凹槽结构包括多个分立设置的第一子凹槽分部，各所述第一子凹槽分部的中心依次相连形成虚拟连接线，所述虚拟连接线在所述衬底上的正投影形状为口字型。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子凹槽分部在所述衬底上的正投影形状包括多边形、圆形和椭圆形中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述介电绝缘层包括位于所述非显示区的至少一条刻缝，所述刻缝贯穿所述介电绝缘层，且所述刻缝在所述衬底上的正投影与所述电源信号线在所述衬底上的正投影交叠。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第二凹槽结构包括平行于所述衬底所在平面的第一台阶面和第二台阶面，所述第一台阶面的延伸方向平行于所述电源信号线的延伸方向，所述第二台阶面的延伸方向与所述电源信号线的延伸方向相交，位于同一平面的两个所述第一台阶面以及两个所述第二台阶面的端部依次连接；
所述刻缝包括：
第一刻缝，所述第一刻缝的延伸方向与所述电源信号线的延伸方向平行，所述第一刻缝在所述衬底上的正投影与所述第一台阶面在所述衬底上的正投影不交叠；和/或，
第二刻缝，所述第二刻缝的延伸方向与所述电源信号线的延伸方向相交，所述第二刻缝在所述衬底上的正投影与所述第二台阶面在所述衬底上的正投影不交叠。
12.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，沿所述刻缝的延伸方向，所述刻缝由多个间隔设置的刻孔构成。
13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，所述刻孔在所述衬底上的投影形状包括多边形、圆形和椭圆形中的至少一种。
14.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
多个薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括源极和漏极，所述电源信号线与所述源极和所述漏极同层设置；
像素电极层，所述像素电极层位于所述介电绝缘层远离所述衬底的一侧，所述像素电极层包括多个像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管一一对应电连接。
15.一种液晶显示面板，其特征在于，包括权利要求1-14任一项所述的阵列基板，还包括：
位于所述阵列基板一侧的彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
16.一种液晶显示装置，其特征在于，包括权利要求15所述的液晶显示面板以及位于所述液晶显示面板的非出光侧的背光模组。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080065373A (ko) * | 2007-01-09 | 2008-07-14 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 패널 |
| CN105093763A (zh) * | 2015-08-19 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置 |
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| CN110928092A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-03-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
| KR20210098584A (ko) * | 2020-01-31 | 2021-08-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
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|---|---|---|---|---|
| JP5299768B2 (ja) * | 2009-01-26 | 2013-09-25 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
| KR102089074B1 (ko) * | 2013-11-07 | 2020-03-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시패널용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
-
2022
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080065373A (ko) * | 2007-01-09 | 2008-07-14 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 패널 |
| CN105093763A (zh) * | 2015-08-19 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置 |
| CN106896556A (zh) * | 2017-02-28 | 2017-06-27 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板以及显示装置 |
| CN110928092A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-03-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
| KR20210098584A (ko) * | 2020-01-31 | 2021-08-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
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