KR20080065373A - 액정 표시 패널 - Google Patents

액정 표시 패널 Download PDF

Info

Publication number
KR20080065373A
KR20080065373A KR1020070002438A KR20070002438A KR20080065373A KR 20080065373 A KR20080065373 A KR 20080065373A KR 1020070002438 A KR1020070002438 A KR 1020070002438A KR 20070002438 A KR20070002438 A KR 20070002438A KR 20080065373 A KR20080065373 A KR 20080065373A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
common electrode
color filter
thin film
film transistor
substrate
Prior art date
Application number
KR1020070002438A
Other languages
English (en)
Inventor
채종철
전백균
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020070002438A priority Critical patent/KR20080065373A/ko
Publication of KR20080065373A publication Critical patent/KR20080065373A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background

Abstract

본 발명은 도전 물질을 씰패턴 내부에 포함하고, 도전층을 형성하여 접촉 면적을 확대할 수 있는 액정 표시 패널에 관한 것이다.
본 발명은 박막 트랜지스터 어레이가 형성된 표시 영역과 그 외의 비표시 영역으로 구분되는 박막 트랜지스터 기판, 컬러 필터 어레이 및 공통 전극이 형성된 컬러 필터 기판, 상기 비표시 영역 중 제1 영역에 형성되며 외부 신호를 상기 박막 트랜지스터에 공급하는 신호 라인, 상기 비표시 영역 중 상기 제1 영역과 다른 제2 영역에 형성된 공통 전극 배선부, 상기 신호 라인 및 상기 공통 전극 배선부 상에 형성되며, 상기 신호 라인 및 상기 공통 전극 배선부를 절연하는 절연층, 상기 절연층 상에 상기 신호 라인 및 상기 공통 전극 배선부와 중첩되도록 형성되며 상기 공통 전극 배선부와 전기적으로 연결되는 도전층, 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 컬러 필터 기판 사이에 상기 비표시 영역과 중첩되어 형성되며, 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 컬러 필터 기판을 합착시키는 씰패턴, 상기 씰패턴은, 상기 도전층과 상기 공통 전극을 전기적으로 연결하는 분산된 형태의 도전 물질을 포함하는 액정 표시 패널에 관한 것이다.
씰패턴, 도전 물질, 도전층, 접촉 면적

Description

액정 표시 패널{LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL}
도 1은 본 발명에 따른 액정 표시 패널을 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 신호 라인이 형성된 제1 영역을 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 공통 전극 배선부가 형성된 제2 영역을 나타낸 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 신호 라인 상부에 형성된 도전층을 도시한 평면도이다.
도 4b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 신호 라인 상부에 형성된 도전층을 도시한 평면도이다.
<도면 부호의 간단한 설명>
90, 290 : 기판 100 : 박막 트랜지스터 기판
110 : 신호 라인 120 : 절연층
130 : 도전층 140 : 도전 물질
150 : 씰패턴 160 : 공통 전극 배선부
170 : 콘택홀 210 : 제1 영역
220 : 제2 영역 300 : 컬러 필터 기판
340 : 공통 전극 P1 : 표시 영역
P2 : 비표시 영역
본 발명은 액정 표시 패널에 관한 것으로, 특히 도전 물질을 씰패턴 내부에 포함하고, 도전층을 형성하여 접촉 면적을 확대할 수 있는 액정 표시 패널에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 이용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전계 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 개재되어 있는 액정층으로 이루어진다. 두 기판의 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 액정층을 통과하는 빛의 투과율을 조절하는 표시 장치이다.
이와 같은 액정 표시 장치의 제조 공정은 기판 제작 공정, 셀(Cell) 제조 공정 및 모듈(Module) 공정의 세 가지 공정으로 나눌 수 있다.
먼저, 기판 제작 공정은 박막 트랜지스터 기판 제작 공정과 컬러 필터 기판 제작 공정으로 나누어진다. 따라서, 박막 트랜지스터 기판 제작 공정은 기판 상에 복수의 박막 트랜지스터와 화소 전극을 제작하는 공정이다. 한편, 컬러 필터 기판 제작 공정은 블랙 매트릭스가 형성된 기판 상에 염료나 안료를 사용하여 R, G, B 색사으이 컬러 필터를 형성하고, 공통 전극을 형성하는 공정이다.
다음으로, 셀 공정은 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터 기판의 두 기판 사이에 일정한 간격이 유지되도록 스페이서(Spacer)를 형성하고, 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터 기판을 씰패턴을 이용하여 합착한다. 그런 다음, 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터 기판 상에 형성된 복수 개의 셀을 각각 분리시키는 공정이다.
마지막으로 모듈 공정은 신호 처리를 위한 회로부를 제작하고 액정 표시 패널과 신호 처리 회로부를 연결시켜 모듈을 제작하는 공정이다.
여기서, 셀 공정의 일부인 박막 트랜지스터 기판 및 컬러 필터 기판을 합착하는 과정을 좀더 자세히 살펴보면, 박막 트랜지스터 기판 및 컬러 필터 기판은 표시 영역과 비표시 영역으로 나누어진다. 박막 트랜지스터 기판 및 컬러 필터 기판을 합착할 경우, 비표시 영역에 씰패턴을 형성하고 씰패턴 외곽에 쇼트 포인트를 형성하여 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터 기판을 전기적으로 연결한다.
그러나, 씰패턴과 쇼트 포인트를 각각의 영역에 형성하게 되면, 비표시 영역의 사이즈가 늘어나게 되어 결국에는 액정 표시 패널의 사이즈가 증가하게 된다.
따라서, 씰패턴에 도전 성분을 갖는 도전볼 등을 포함하여 쇼트 포인트 형성 영역만큼 액정 표시 패널의 사이즈를 줄일 수 있었으나, 두 기판을 합착시 도전볼이 압력에 의하여 하부의 절연막을 파고들어 신호 배선부와 접촉되면 액정 표시 패널 전체가 쇼트 불량이 발생하는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 도전 물질을 씰패턴 내부에 포함하고, 도전층을 형성하여 접촉 면적을 확대할 수 있는 액정 표시 패널을 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정 표시 패널은 박막 트랜지스터 어레이가 형성된 표시 영역과 그 외의 비표시 영역으로 구분되는 박막 트랜지스터 기판; 컬러 필터 어레이 및 공통 전극이 형성된 컬러 필터 기판; 상기 비표시 영역 중 제1 영역에 형성되며 외부 신호를 상기 박막 트랜지스터에 공급하는 신호 라인; 상기 비표시 영역 중 상기 제1 영역과 다른 제2 영역에 형성된 공통 전극 배선부; 상기 신호 라인 및 상기 공통 전극 배선부 상에 형성되며, 상기 신호 라인 및 상기 공통 전극 배선부를 절연하는 절연층; 상기 절연층 상에 상기 신호 라인 및 상기 공통 전극 배선부와 중첩되도록 형성되며 상기 공통 전극 배선부와 전기적으로 연결되는 도전층; 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 컬러 필터 기판 사이에 상기 비표시 영역과 중첩되어 형성되며, 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 컬러 필터 기판을 합착시키는 씰패턴; 상기 씰패턴은, 상기 도전층과 상기 공통 전극을 전기적으로 연결하는 분산된 형태의 도전 물질을 포함한다.
상기 절연층은 상기 공통 전극 배선부의 상부를 일부 노출시키는 형태의 콘택홀을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 콘택홀은 상기 공통 전극 배선부와 상기 도전층을 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 한다.
상기 신호 라인은 다수 개가 서로 평행하게 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 신호 라인 상에 형성된 도전층은 각각의 신호 라인 상에 형성되거나, 다수 개의 신호 라인을 커버하도록 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 도전층은 도전성을 갖는 투명 금속 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 도전 물질은 구 형태의 탄성체이고 도전성을 갖는 금속 물질로 코팅된 것을 특징으로 한다.
상기 도전 물질의 단면의 크기는 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 컬러 필터 기판이 합착된 후, 상기 씰패턴의 높이와 서로 같은 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제 외에 본 발명의 다른 기술적 과제 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 도 1 내지 도 4b를 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 액정 표시 패널을 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 액정 표시 패널은 액정(미도시)을 사이에 두고 서로 대향하여 합착된 박막 트랜지스터 기판(100)과 컬러 필터 기판(300)을 포함한다. 여기서, 컬러 필터 기판(300)은 공통 전극(340)을 포함하고, 박막 트랜지스터 기판(100)은 신호 라인(110), 공통 전극 배선부(160), 도전층(130)을 포함한다.
이러한, 박막 트랜지스터 기판(100)과 컬러 필터 기판(300)은 씰패턴(150)에 의해 합착된다. 이때, 씰패턴(150)에 도전 물질(140)이 포함된다.
액정은 유전율 이방성 및 굴절률 이방성을 갖는 물질로 이루어짐과 아울러 박막 트랜지스터 기판(100)의 화소 전극으로부터의 화소 전압과 컬러 필터 기판(300)의 공통 전극(340)으로부터의 공통 전압의 차이에 의해 회전하여 광투과량을 조절한다.
박막 트랜지스터 기판(100)은 절연 기판(90) 상에 서로 교차하게 형성된 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과, 그 교차부에 인접한 박막 트랜지스터(TFT)와, 그 교차 구조로 마련된 화소 영역에 형성된 화소 전극을 구비한다.
게이트 라인(GL)은 박막 트랜지스터 기판(100)의 게이트 전극에 스캔 신호를 인가한다. 데이터 라인(DL)은 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극에 데이터 전압을 인가한다.
박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 라인(GL)으로부터 공급되는 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인(DL)으로부터 공급되는 데이터 전압을 화소 전극에 인가한다. 이를 위하여 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 라인(GL)과 접속된 게이트 전극과, 데이터 라인(DL)과 접속된 소스 전극과, 소스 전극과 대향하게 위치하여 화소 전극과 접속된 드레인 전극과, 소스 전극과 드레인 전극 사이에 채널을 형성하는 활성층과, 소스 전극 및 드레인 전극과의 오믹 접촉을 위한 오믹 접촉층을 구비한다.
화소 전극은 박막 트랜지스터(TFT)로부터 공급된 데이터 전압에 따라 자신에게 화소 전압을 충전하여 컬러 필터 기판(300)에 형성되는 공통 전극(340)과 전위 차를 발생시키게 된다. 이 전위차에 의해 박막 트랜지스터 기판(100)과 컬러 필터 기판(300) 사이에 위치하는 액정이 유전율 이방성에 의해 회전하게 되며 광량을 조절하여 컬러 필터 기판(300) 쪽으로 투과시키게 된다.
컬러 필터 기판(300)은 절연 기판(290) 상에 순차적으로 형성된 블랙 매트릭스, 컬러 필터, 공통 전극(340)을 구비한다.
블랙 매트릭스는 절연 기판(290)을 컬러 필터가 형성될 다수의 셀 영역들로 나누고, 인접한 셀들 간의 광 간섭 및 외부 광 반사를 방지한다. 이를 위하여 블랙 매트릭스는 박막 트랜지스터 기판(100) 상에 형성된 데이터 라인(DL), 게이트 라인(GL) 및 박막 트랜지스터(TFT) 중 적어도 어느 하나와 중첩되게 형성된다.
컬러 필터는 블랙 매트릭스에 의해 구분된 셀 영역에 적(Red), 녹(Green), 청(Blue)으로 구분되게 형성되어 적, 녹, 청색 광을 각각 투과시킨다.
공통 전극(340)은 투명 도전층으로 액정 구동시 기준이 되는 공통 전압(Vcom)을 공급한다. 여기서, 공통 전극(340)은 투명한 금속 물질로 형성될 수 있는데, 예를 들어, IZO(Induim Zinc Oxide), ITO(Induim Tin Oxide) 등으로 형성되는 것이 바람직하다.
신호 라인(110)은 박막 트랜지스터 기판(100)의 비표시 영역(P2)에 형성되어 외부로부터 입력된 신호를 박막 트랜지스터(TFT)에 공급한다.
이러한 신호 라인(110)은 게이트 라인(GL)에 신호를 공급하는 게이트 신호 라인(110)과 데이터 라인(DL)에 신호를 공급하는 데이터 신호 라인(110)을 포함한다.
공통 전극 배선부(160)는 박막 트랜지스터 기판(100)의 비표시 영역(P2)에 형성되어 컬러 필터 기판(300) 상의 공통 전극(340)과 전기적으로 연결되어 접촉 면적을 극대화할 수 있다.
신호 라인(110) 및 공통 전극 배선부(160) 상에 절연층(120)이 형성된다.
그리고 절연층(120) 상에 도전층(130)이 형성된다. 도전층(130)은 비표시 영역(P2)의 제1 영역(210)에 형성된 신호 라인(110) 및 비표시 영역(P2)의 제2 영역(220)에 형성된 공통 전극 배선부(160)와 중첩되어 형성된다. 여기서, 도전층(130)은 투명한 금속 물질로 형성될 수 있는데, 예를 들어, IZO(Induim Zinc Oxide), ITO(Induim Tin Oxide) 등으로 형성되는 것이 바람직하다.
박막 트랜지스터 기판(100)과 컬러 필터 기판(300)의 비표시 영역(P2)이 중첩되는 제1 및 제2 영역(210,220)에 씰패턴(150)이 형성된다. 이러한 씰패턴(150)은 박막 트랜지스터 기판(100)과 컬러 필터 기판(300) 중 어느 하나의 기판(100,300) 상에 형성된다.
이때, 씰패턴(150) 내에 도전 물질(140)이 포함된다. 도전 물질(140)은 구 형태의 탄성체이고, 도전성을 갖는 금속 물질로 코팅된다. 예를 들어, 금(Au), 은(Ag) 등으로 코팅되어 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 도전 물질(140)은 씰패턴(150) 내부에 분산되어 형성된다. 그리고 도전 물질(140)의 크기는 씰패턴(150) 높이보다 크거나 같게 형성될 수 있는데, 이는 탄성을 가지고 있어서 박막 트랜지스터 기판(100)과 컬러 필터 기판(300)이 가압에 의해 합착된 후, 씰패턴(150)의 높이와 서로 같게 된다.
본 발명의 실시예에서와 같이 도전층(130)이 신호 라인(110) 상에 형성되고, 씰패턴(150) 내부에 도전 물질(140)이 포함됨으로써 박막 트랜지스터 기판(100)과 컬러 필터 기판(300)을 전기적으로 연결하는 쇼트 포인트 공정이 별도로 필요하지 않게 된다. 따라서, 쇼트 포인트 형성 영역만큼의 마진을 확보할 수 있게 된다. 그리고, 박막 트랜지스터 기판(100)과 컬러 필터 기판(300)의 합착시 가압으로 인해 도전 물질(140)이 절연층(120)을 뚫고 들어가 신호 라인(110)과 쇼트 불량이 발생할 수 있는데, 도전층(130)이 형성됨으로써 이를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서와 같이 도전층(130)이 공통 전극 배선부(130) 상에 형성되어 박막 트랜지스터 기판(100)과 컬러 필터 기판(300)이 합착되면, 도전층(130)은 박막 트랜지스터 기판(100) 상의 공통 전극 배선부(160)와 컬러 필터 기판(300) 상의 공통 전극(340)을 전기적으로 연결하는 역할을 하게 되어, 접촉 면적을 극대화할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 신호 라인이 형성된 제1 영역을 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 제1 영역은 박막 트랜지스터 기판(100) 상에 형성된 신호 라인(110), 절연층(120) 및 도전층(130)과 공통 전극(340)이 형성된 컬러 필터 기판(300)을 포함한다. 그리고, 박막 트랜지스터 기판(100)과 컬러 필터 기판(300)은 도전 물질(140)이 포함된 씰패턴(150)에 의해 합착된다.
박막 트랜지스터 기판(100)과 컬러 필터 기판(300)은 서로 대향되고, 컬러 필터 기판(300) 상에 공통 전극(340)이 형성된다. 박막 트랜지스터 기판(100) 상에는 신호 라인(110), 절연층(120) 및 도전층(130)이 형성된다. 이러한 박막 트랜 지스터 기판(100)과 컬러 필터 기판(300) 사이에 도전 물질(140)을 포함한 씰패턴(150)이 형성된다. 여기서, 도전층(130)은 IZO(Induim Zinc Oxide), ITO(Induim Tin Oxide) 등으로 형성되는 것이 바람직하고, 도전 물질(140)은 금(Au), 은(Ag) 등으로 코팅되어 형성되는 것이 바람직하다.
씰패턴(150)에 포함된 도전 물질(140)을 통해, 박막 트랜지스터 기판(100)과 컬러 필터 기판(300)이 전기적으로 연결된다.
도 3은 도 1에 도시된 공통 전극 배선부가 형성된 제2 영역을 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 제2 영역은 박막 트랜지스터 기판(100) 상에 형성된 공통 전극 배선부(160), 절연층(120) 및 도전층(130)과 공통 전극(340)이 형성된 컬러 필터 기판(300)을 포함한다. 그리고, 박막 트랜지스터 기판(100)과 컬러 필터 기판(300)은 도전 물질(140)이 포함된 씰패턴(150)에 의해 합착된다.
박막 트랜지스터 기판(100)과 컬러 필터 기판(300)은 서로 대향되고, 컬러 필터 기판(300) 상에 공통 전극(340)이 형성된다. 박막 트랜지스터 기판(100) 상에는 공통 전극 배선부(160), 절연층(120) 및 도전층(130)이 형성된다. 이때, 절연층(120)은 일부가 노출되어 공통 전극 배선부(160)와 도전층(130)이 전기적으로 연결되는 콘택홀(170)을 갖는다. 이러한 박막 트랜지스터 기판(100)과 컬러 필터 기판(300) 사이에 도전 물질(140)이 포함된 씰패턴(150)이 형성된다.
씰패턴(150)에 포함된 도전 물질(140) 및 도전층(130)과 공통 전극 배선부(160)를 연결하는 콘택홀(170)을 통해, 박막 트랜지스터 기판(100)과 컬러 필터 기판(300)이 전기적으로 연결된다. 따라서, 접촉 면적을 극대화할 수 있다.
도 4a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 신호 라인 상부에 형성된 도전층을 도시한 평면도이고, 도 4b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 신호 라인 상부에 형성된 도전층을 도시한 평면도이다. 신호 라인(110)은 다수 개가 서로 평행하게 형성된다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 도 4a는 신호 라인(110) 각각에 도전층(130)이 형성된 경우를 나타내고, 도 4b는 다수 개의 신호 라인(110) 전면에 도전층(130)이 형성된 경우를 나타낸다.
이러한 신호 라인(110)은 절연층(120)을 사이에 두고 도전층(130)과 중첩되어 형성됨으로써, 도전층(130) 상에 형성되는 씰패턴(150)과의 쇼트 불량을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 패널은 도전 물질이 씰패턴 내부에 포함되고 도전층을 형성하는 것으로 접촉 면적을 극대화할 수 있다.
도전 물질을 씰패턴 내부에 포함함으로써, 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터 기판을 전기적으로 연결하기 위한 쇼트 포인트 공정이 불필요하다. 또한, 쇼트 포인트 형성 영역만큼의 마진을 확보할 수 있는 장점이 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상 의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음이 자명하다.

Claims (8)

  1. 박막 트랜지스터 어레이가 형성된 표시 영역과 그 외의 비표시 영역으로 구분되는 박막 트랜지스터 기판;
    컬러 필터 어레이 및 공통 전극이 형성된 컬러 필터 기판;
    상기 비표시 영역 중 제1 영역에 형성되며 외부 신호를 상기 박막 트랜지스터에 공급하는 신호 라인;
    상기 비표시 영역 중 상기 제1 영역과 다른 제2 영역에 형성된 공통 전극 배선부;
    상기 신호 라인 및 상기 공통 전극 배선부 상에 형성되며, 상기 신호 라인 및 상기 공통 전극 배선부를 절연하는 절연층;
    상기 절연층 상에 상기 신호 라인 및 상기 공통 전극 배선부와 중첩되도록 형성되며 상기 공통 전극 배선부와 전기적으로 연결되는 도전층;
    상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 컬러 필터 기판 사이에 상기 비표시 영역과 중첩되어 형성되며, 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 컬러 필터 기판을 합착시키는 씰패턴;
    상기 씰패턴은, 상기 도전층과 상기 공통 전극을 전기적으로 연결하는 분산된 형태의 도전 물질을 포함하는 액정 표시 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 공통 전극 배선부의 상부를 일부 노출시키는 형태의 콘택홀을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 콘택홀은 상기 공통 전극 배선부와 상기 도전층을 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 신호 라인은 다수 개가 서로 평행하게 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 신호 라인 상에 형성된 도전층은 각각의 신호 라인 상에 형성되거나, 다수 개의 신호 라인을 커버하도록 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 도전층은 도전성을 갖는 투명 금속 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전 물질은 구 형태의 탄성체이고 도전성을 갖는 금속 물질로 코팅된 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 도전 물질의 단면의 크기는 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 컬러 필터 기판이 합착된 후, 상기 씰패턴의 높이와 서로 같은 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
KR1020070002438A 2007-01-09 2007-01-09 액정 표시 패널 KR20080065373A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070002438A KR20080065373A (ko) 2007-01-09 2007-01-09 액정 표시 패널

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070002438A KR20080065373A (ko) 2007-01-09 2007-01-09 액정 표시 패널

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080065373A true KR20080065373A (ko) 2008-07-14

Family

ID=39816255

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070002438A KR20080065373A (ko) 2007-01-09 2007-01-09 액정 표시 패널

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20080065373A (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110045804A (ko) * 2009-10-27 2011-05-04 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR20110046843A (ko) * 2009-10-29 2011-05-06 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
US8264656B2 (en) 2008-12-02 2012-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and manufacturing method thereof
US8830410B2 (en) 2009-11-18 2014-09-09 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display with electrostatic-resistant wirings
KR20170015014A (ko) * 2015-07-31 2017-02-08 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20190013138A (ko) * 2017-07-31 2019-02-11 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN114442389A (zh) * 2022-02-17 2022-05-06 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8264656B2 (en) 2008-12-02 2012-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and manufacturing method thereof
KR20110045804A (ko) * 2009-10-27 2011-05-04 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR20110046843A (ko) * 2009-10-29 2011-05-06 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
US8830410B2 (en) 2009-11-18 2014-09-09 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display with electrostatic-resistant wirings
KR20170015014A (ko) * 2015-07-31 2017-02-08 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20220044263A (ko) * 2015-07-31 2022-04-07 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20190013138A (ko) * 2017-07-31 2019-02-11 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN114442389A (zh) * 2022-02-17 2022-05-06 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置
CN114442389B (zh) * 2022-02-17 2023-12-22 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9281320B2 (en) Array substrate and liquid crystal display apparatus having the same
KR101307260B1 (ko) 라인 온 글라스형 액정표시장치 및 그 제조방법
US11126044B1 (en) Display device comprising a flip chip film connected to a connecting surface of a plurality of bonding pins and manufacturing method thereof
US7564533B2 (en) Line on glass type liquid crystal display device
US7852451B2 (en) Manufacturing method of liquid display device having touch screen function
US20100109993A1 (en) Liquid crystal display and method of manufacturing the same
US7446826B2 (en) Display panel and method of manufacture
US20070164948A1 (en) Liquid crystal display
KR20080065373A (ko) 액정 표시 패널
WO2004017128A1 (en) Liquid crystal display
KR101153299B1 (ko) 액정표시소자 및 그 제조방법
US9261734B2 (en) Display apparatus with uniform cell gap
KR100652049B1 (ko) 액정표시장치
US20070019137A1 (en) Display substrate and liquid crystal display panel having the same
KR100971386B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조방법
WO2021179380A1 (zh) 显示面板及显示模组
KR101140020B1 (ko) 정전기 방지를 위한 액정표시소자 및 그 제조방법
US10700101B2 (en) Display panel and display device
KR20070044918A (ko) 액정패널 및 그 제조방법
US11543713B2 (en) Display device
KR100947536B1 (ko) 박막 트랜지스터-액정표시장치
KR100841629B1 (ko) 횡전계모드 액정표시소자
KR20040090082A (ko) 수평 전계 인가형 액정 표시패널
JP4862455B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
CN112305797A (zh) 反射式显示面板及其像素结构

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination