CN114420777B - 雪崩光电二极管及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开一种雪崩光电二极管及其制作方法，包括：第一导电类型的硅晶片；自硅晶片表面延伸至硅晶片中的第一导电类型的电荷阻挡区；形成在电荷阻挡区上的第一导电类型的第一外延层；自第一外延层远离硅晶片的表面延伸至第一外延层中的第二导电类型的欧姆接触区，其中欧姆接触区在硅晶片上的正投影与电荷阻挡区在硅晶片上的正投影交叠；形成在欧姆接触区上的抗反射层；形成在抗反射层中的过孔和形成在过孔中的阳极；以及形成在硅晶片远离电荷阻挡区的表面上的阴极。该实施方式通过提供延伸进入硅晶片中的电荷阻挡区和形成在电荷阻挡区上的第一外延层，欧姆接触区形成在第一外延层中，降低了产品工艺难度和成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域。更具体地，涉及一种雪崩光电二极管及其制作方法。
背景技术
雪崩光电二极管（APD）是一种具有内部增益，能将光信号放大后转化为电能的有源器件。这种将光信号放大的工作方式可以提高探测器的灵敏度，工作电压高于击穿电压的雪崩倍增二极管具有探测极微弱光信号的能力，因此雪崩倍增二极管在例如，医学影像、激光测距、高能物理、天文测光等各种应用领域均具有广泛的应用，因此雪崩倍增二极管的研制和产业化越来越受到重视。
然而现有技术中，如图1所示，雪崩光电二极管包括：载片、形成在载片上的外延层、作为埋层形成在外延层中的电荷阻挡区、自外延层远离载片的表面延伸至外延层中的欧姆接触层、阴极和阳极。电荷阻挡区和欧姆接触区之间为雪崩倍增区，为了得到合适的雪崩倍数，需要增加器件工作条件下雪崩倍增区的电场强度，因此电荷阻挡区的深度需要尽可能深，这要求以几百KeV的注入能量进行离子注入形成埋层，这种器件和制作方法对离子注入设备能力要求非常高，可行性低，生产成本高，产业化程度低。
因此，需要提供一种能够降低器件制作工艺成本，有利于产业化的雪崩光电二极管。
发明内容
为了解决以上问题，本发明采用下述技术方案：
本发明第一方面提供了一种雪崩光电二极管，包括：
第一导电类型的硅晶片；
自硅晶片表面延伸至硅晶片中的第一导电类型的电荷阻挡区；
形成在电荷阻挡区上的第一导电类型的第一外延层；
自第一外延层远离硅晶片的表面延伸至第一外延层中的第二导电类型的欧姆接触区，其中欧姆接触区在硅晶片上的正投影落入电荷阻挡区在硅晶片上的正投影中；
形成在欧姆接触区上的抗反射层；
形成在抗反射层中的过孔和形成在过孔中的阳极；以及
形成在硅晶片远离电荷阻挡区的表面上的阴极。
在一些可选的实施例中，电荷阻挡区覆盖硅晶片的表面或者部分覆盖硅晶片的表面。
在一些可选的实施例中，
第一导电类型为N型，第二导电类型为P型，并且
电荷阻挡区的注入离子为砷离子或锑离子。
在一些可选的实施例中，还包括：自第一外延层远离硅晶片的表面延伸至第一外延层中的、围绕欧姆接触区的第二导电类型的保护环。
在一些可选的实施例中，
硅晶片包括：单晶硅衬底和形成在单晶硅衬底上的第二外延层；或者
硅晶片为：体硅片。
本申请第二方面提供一种制作上文所述的雪崩光电二极管的方法，包括：
提供第一导电类型的硅晶片；
离子注入形成自硅晶片表面延伸至硅晶片中的第一导电类型的电荷阻挡区；
在电荷阻挡区上形成第一导电类型的第一外延层，
离子注入形成自第一外延层远离硅晶片的表面延伸至第一外延层中的第二导电类型的欧姆接触区，其中欧姆接触区在硅晶片上的正投影落入电荷阻挡区在硅晶片上的正投影中；
在欧姆接触区上形成抗反射层；
在抗反射层中形成过孔并在过孔中形成阳极；以及
在硅晶片远离电荷阻挡区的表面上形成阴极。
在一些可选的实施例中，
离子注入形成自硅晶片表面延伸至硅晶片中的第一导电类型的电荷阻挡区进一步包括：
在硅晶片上形成光刻胶层；
对光刻胶层图案化露出硅晶片中待形成电荷阻挡区的区域，图案化的光刻胶层作为离子注入的阻挡层；
基于阻挡层进行离子注入形成电荷阻挡区；以及
去除阻挡层，或者
离子注入形成自硅晶片表面延伸至硅晶片中的第一导电类型的电荷阻挡区进一步包括：
对硅晶片进行整面离子注入形成电荷阻挡区。
在一些可选的实施例中，在离子注入形成自第一外延层远离硅晶片的表面延伸至第一外延层中的第二导电类型的欧姆接触区之后，在欧姆接触区上形成抗反射层之前，方法还包括：
离子注入形成自第一外延层远离硅晶片的表面延伸至第一外延层中的、围绕欧姆接触区的第二导电类型的保护环。
在一些可选的实施例中，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型，并且
电荷阻挡区的注入离子为砷离子或锑离子。
在一些可选的实施例中，提供第一导电类型的硅晶片进一步包括：
在单晶硅衬底上形成第二外延层以形成硅晶片；或者
提供体硅片作为硅晶片。
本发明的有益效果如下：
本发明针对目前现有的问题，提供一种雪崩光电二极管及其制作方法。本申请实施例提供的雪崩光电二极管通过提供自硅晶片的表面延伸至其中的电荷阻挡区、形成在电荷阻挡区上的第一外延层以及自第一外延层远离硅晶片的表面延伸进入第一外延层中的欧姆接触区，从而使得能够以低能量浅注入方式形成满足与欧姆接触区之间所要求的距离差的电荷阻挡区，从而能够以现有常规CMOS产线设备制作雪崩光电二极管，降低了工艺难度和生产成本，提高了产业化，具有广泛的应用前景。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
图1示出现有技术中雪崩光电二极管的示意性剖视图；
图2示出根据本发明实施例的雪崩光电二极管的示意性剖视图；
图3示出根据本发明另一实施例的雪崩光电二极管的示意性剖视图；
图4示出根据本发明另一实施例的雪崩光电二极管的示意性剖视图；
图5示出根据本发明另一实施例的雪崩光电二极管的示意性剖视图；
图6至图11示出跟本发明实施例的雪崩光电二极管的制作方法的示意性流程图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明，下面结合实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同或相似的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发明的保护范围。
需要说明的是，本发明中“第一”、“第二”和“第三”等序数词并不旨在限定具体的顺序，而仅在于区分各个部分。
本发明中的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”等类似表述可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。
为了解决以上技术问题，本发明的实施例提供了一种雪崩光电二极管，包括：
第一导电类型的硅晶片；
自硅晶片表面延伸至硅晶片中的第一导电类型的电荷阻挡区；
形成在电荷阻挡区上的第一导电类型的第一外延层；
自第一外延层远离硅晶片的表面延伸至第一外延层中的第二导电类型的欧姆接触区，其中欧姆接触区在硅晶片上的正投影与电荷阻挡区在硅晶片上的正投影交叠；
形成在欧姆接触区上的抗反射层；
形成在抗反射层中的过孔和形成在过孔中的阳极；以及
形成在硅晶片远离电荷阻挡区的表面上的阴极。
在本实施例中，通过提供自硅晶片的表面延伸至其中的电荷阻挡区、形成在电荷阻挡区上的第一外延层以及自第一外延层远离硅晶片的表面延伸进入第一外延层中的欧姆接触区，从而使得能够以低能量浅注入方式形成满足与欧姆接触区之间所要求的距离差的电荷阻挡区，从而能够以现有常规CMOS产线设备制作雪崩光电二极管，降低了工艺难度和生产成本，提高了产业化，具有广泛的应用前景。
在一具体的示例中，参照图2所示，雪崩光电二极管包括层叠设置的第一导电类型的硅晶片100、第一导电类型的电荷阻挡区101-1、第一导电类型的第一外延层102、第二导电类型的欧姆接触区103、抗反射层104。当然，雪崩光电二极管还包括阳极105和与之相对的阴极106。
在本示例中，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。
具体地，硅晶片100包括单晶硅衬底100-1和形成在单晶硅衬底100-1上的第二外延层100-2。单晶硅衬底100-1的厚度可以为300µm～600µm，第二外延层100-2的掺杂类型为N型，厚度可以为电阻率可以为700ohm.cm～2000ohm.cm。第二外延层100-2作为雪崩光电二极管的光吸收区。
应注意，硅晶片100的结构并不局限于在单晶硅衬底上进行一次外延的双层结构外延片，如图3所示，当硅晶片为体硅片时，硅晶片为单层结构100'，体硅片的电阻率例如可以为100ohm·cm～3000ohm·cm。
然而，当硅晶片为单晶硅衬底和第二外延层的双层结构时，器件层在第二外延层中，而体硅片的器件层为体硅片整体，电子需要穿过整个体硅片，因此，采用在单晶硅衬底上设置第二外延层的双层结构能够提供更高的器件响应速度。下文中，在不区分单层结构和双层结构时，均以100表示硅晶片。
进一步具体地，电荷阻挡区101-1自硅晶片100的表面延伸进入硅晶片100中。具体地，本领域技术人员应理解，如图2所示，当硅晶片100包括单晶硅衬底100-1和第二外延层100-2时，电荷阻挡区101-1自第二外延层100-2的远离单晶硅衬底100-1的表面延伸进入第二外延层100-2中；如图3所示，当硅晶片100为体硅片时，电荷阻挡区101-1自体硅片的表面延伸进入体硅片中。
具体地，电荷阻挡区101-1的注入类型为N型，离子浓度小于硅晶片100的离子浓度。优选地，电荷阻挡区101-1的注入离子为砷（As）或者锑（Sb）。砷或者锑的扩散系数小于磷（P），与传统的磷源相比，注入后不会外扩，有利于控制雪崩倍增区的宽度，从而能够获得更高的雪崩倍增因子。
电荷阻挡区既可以如图2和图3所示，部分覆盖硅晶片100，形成电荷阻挡区101-1，也可以如图4和图5所示覆盖硅晶片100，形成电荷阻挡区101-2。相比于部分覆盖的电荷阻挡区101-1，当覆盖硅晶片100时，电荷阻挡区101-2无需进行光刻步骤，仅整面注入即可。
然而，整体覆盖硅晶片100的电荷阻挡区101-2则可能使得电场在电荷阻挡区101-2中耗尽而无法到达吸收区；当选择部分覆盖硅晶片100的电荷阻挡区101-1时，形成于雪崩区中的电场能够利用电荷阻挡区101-1周围的区域进入电荷阻挡区101-1下的吸收区，因此，从这方面考虑，优选地是，选择电荷阻挡区部分覆盖硅晶片100。
继续参照图2和图3所示，雪崩光电二极管还包括形成在电荷阻挡区101-1上的第一外延层102。第一外延层102的掺杂类型为N型，厚度可以为1µm～5µm；电阻率可以为80ohm·cm～200ohm·cm，当然这仅是示例性的，本申请并不限于此，具体的厚度、掺杂浓度和电阻率可以根据具体的器件特性和设计指标而变化。
继续参照图2和图3所示，雪崩光电二极管还包括自第一外延层102的远离硅晶片100的表面延伸进入第一外延层102中的欧姆接触区103，欧姆接触区103在硅晶片100上的正投影落入电荷阻挡区101-1在硅晶片100上的正投影，使得欧姆接触区103和电荷阻挡区101-1之间的第一外延层102将作为雪崩倍增区。欧姆接触区103的掺杂类型为P型。
通过以上设置，通过提供自硅晶片的表面延伸进入其中的电荷阻挡区、形成在电荷阻挡区上的第一外延层、并提供自该第一外延层的远离硅晶片的表面延伸进入第一外延层中的欧姆接触区，从而利用外延生长的第一外延层提供雪崩倍增区，无需制作内嵌入硅晶片内部的埋层形式的电荷阻挡区，因此，可以采用CMOS器件的常规离子注入设备，以较低的注入能量，例如10Kev，进行离子注入就可以制作出满足要求的电荷阻挡区，降低了工艺难度。
参照图2和图3所示，本示例的雪崩光电二极管还包括形成在欧姆接触区103上的抗反射层104，抗反射层104中包括过孔，阳极105形成在过孔中，阳极105覆盖过孔即可，以提高对光的吸收率，阴极106形成在硅晶片100远离第一外延层102的表面。
当然，如图2和图3所示，雪崩光电二极管还包括形成在阳极105上的保护层108，保护层108覆盖露出的抗反射层104，并露出或者部分露出阳极105，保护层108可以作为雪崩光电二极管的封装层为器件整体提供保护。
另外，本领域技术人员可以理解，在欧姆接触区103上还可以包括氧化层109，该氧化层109可以在欧姆接触区103形成之前形成在第一外延层102上作为注入掩模层，并在之后与抗反射层一起用于光的抗反射，在此不再赘述。
可选地，参照图2至图5所示，雪崩光电二极管还包括围绕欧姆接触区103的保护环107，保护环107自第一外延层102远离硅晶片100的表面延伸至第一外延层102中，掺杂类型与欧姆接触区103同为P型，但保护环107的掺杂浓度小于欧姆接触区103且注入深度小于欧姆接触区103。
通过该设置，能够防止欧姆接触区的边缘提前击穿，避免提前击穿影响雪崩光电二极管的正常工作，提高了器件稳定性。
基于同一发明构思，本发明的实施例还提供一种制作上文各实施例所述雪崩光电二极管的方法。
下面参照图6至图11，以制作图2所示实施例的雪崩光电二极管为例，描述具体制作流程。以下实施例中，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。
参照图6所示，在步骤S1中，提供第一导电类型的硅晶片100，在该示例中，硅晶片100为外延片，包括单晶硅衬底100-1和第二外延层100-2。具体地，步骤S1进一步包括：在单晶硅衬底100-1上形成第二外延层100-2以形成硅晶片100，更具体地，通过在具有高掺杂浓度的N型单晶硅衬底100-1上外延生长N型的第二外延层100-2形成硅晶片100。
可选地，单晶硅衬底100-1的厚度为300µm～600µm，第二外延层100-2的厚度为5µm～15µm，电阻率为700ohm.cm～2000ohm.cm。
参照图7所示，在步骤S2中，离子注入形成自硅晶片100表面延伸至硅晶片100中的第一导电类型的电荷阻挡区101-1。
具体地，离子注入形成自硅晶片表面延伸至硅晶片中的第一导电类型的电荷阻挡区进一步包括：可以首先在硅晶片100上涂覆光刻胶层，对光刻胶层图案化露出硅晶片100中待形成电荷阻挡区101-1的区域，具体地，基于掩模板对光刻胶层进行曝光和显影处理，作为离子注入的阻挡层；然后，基于阻挡层界定的离子注入区域对硅晶片100进行离子注入，形成自硅晶片100表面延伸至硅晶片100中的第一导电类型的电荷阻挡区101-1；去除阻挡层。
优选地，离子注入的离子采用砷或者锑。离子注入的能量可以采用例如10Kev，退火后表面掺杂浓度为1E16～5E18/cm-3。砷或者锑的扩散系数小于磷，与传统的磷源相比，注入后不会外扩，从而使得能够准确控制雪崩倍增区的宽度，进而获得更高的雪崩倍增因子。
参照图8所示，在步骤S3中，在电荷阻挡区101-1上形成第一导电类型的第一外延层102。
具体地，通过外延生长形成第一外延层102，外延掺杂类型与硅晶片100相同，通过第一外延层102可以形成雪崩倍增区。第一外延层102的厚度可以为1µm～5µm；电阻率可以为80ohm·cm～200ohm·cm。
参照图9所示，在步骤S4中，离子注入形成自第一外延层102远离硅晶片100的表面延伸至第一外延层102中的第二导电类型的欧姆接触区103，其中欧姆接触区103在硅晶片100上的正投影落入电荷阻挡区101-1在硅晶片上的正投影中。
具体地，可以首先在第一外延层102上淀积厚度为200～2000Å的氧化层109，氧化层109的材料为二氧化硅（SiO2），氧化层109作为欧姆接触区103的注入掩模层。
然后，在氧化层109上形成光刻胶层，并对其图案化形成离子注入形成欧姆接触区103的阻挡层。具体地，基于掩模板对光刻胶层进行曝光和显影处理，作为离子注入的阻挡层；然后，基于阻挡层界定的离子注入区域对第一外延层102进行离子注入，形成自第一外延层102的表面延伸至第一外延层102中的第二导电类型的欧姆接触区103；最后，去除阻挡层。
可选地，离子注入的离子可以采用硼。离子注入退火后表面掺杂浓度为6E18～8E18/cm-3。
进一步可选地，继续参照图9所示，还可以继续进行第二次离子注入形成围绕欧姆接触区103的保护环107。具体地，可以再次涂覆光刻胶层，并基于另一掩模板对光刻胶进行曝光显影得到限定出保护环107对应区域的阻挡层，然后，基于阻挡层界定的离子注入区域对第一外延层102进行第二次离子注入，离子注入的能量低注入面积大，形成自第一外延层102远离硅晶片100的表面延伸至第一外延层102中的、围绕欧姆接触区103的第二导电类型的保护环107；最后，去除阻挡层。形成保护环107的注入离子依然可采用硼，离子注入退火后表面掺杂浓度为1E17～2E17/cm-3。
通过该设置，能够防止欧姆接触区的边缘提前击穿，避免提前击穿影响雪崩光电二极管的正常工作，提高了器件稳定性。
参照图10所示，在步骤S5中，在欧姆接触区103上形成抗反射层104。具体地，在欧姆接触区103上淀积100～2000Å氮化硅或者二氧化钛。
参照图11所示，在步骤S6中，在抗反射层104中形成过孔并在过孔中形成阳极105。具体地，可以通过溅镀金属的方式形成阳极105，阳极105为透明金属，阳极105在硅晶片100上的正投影覆盖过孔在硅晶片100上的正投影。具体地，本领域技术人员应理解，当包括氧化层109时，过孔应穿透氧化层109，即在抗反射层104和氧化层109中均形成过孔。
在步骤S7中，在硅晶片100远离电荷阻挡区101-1的表面上形成阴极106。同样地，可以通过溅镀金属的方式形成阴极。
在步骤S7之后，还可以在阳极105上形成覆盖阳极105和抗反射层104的保护层108，以形成雪崩光电二极管。
需要说明的是，以上方法流程具体针对图2所示的实施例。在一些可选的实施中，当硅晶片100如图3和图5所示为单层结构时，步骤S1具体为提供体硅片作为硅晶片，更具体地可以形成高掺杂的体硅片，而不需要外延，电阻率控制在100～3000ohm·cm即可。
以上设置，通过在硅晶片上以低能量离子注入形成自硅晶片表面延伸进入其中的电荷阻挡区、再外延生长第一外延层、并在该第一外延层远离硅晶片的表面进行离子注入形成从该表面延伸进入第一外延层的欧姆接触区，从而能够通过逐层外延生长的方式，以第一外延层作为器件的雪崩倍增区，从而免去形成埋层的步骤，进而能够以现有的CMOS离子注入设备，通过小能量浅注入制作雪崩光电二极管，降低了制作成本，具有广泛的应用前景。
在另一些可选的实施例中，如图4和图5所示，电荷阻挡区101-2覆盖硅晶片的一整面，此时，离子注入形成自硅晶片表面延伸至硅晶片中的第一导电类型的电荷阻挡区具体包括：对硅晶片进行整面离子注入形成电荷阻挡区，而不需要借助阻挡层。而这些实施例其他步骤与以上实施例一致，在此不再赘述。
本发明针对目前现有的问题，提供一种雪崩光电二极管及其制作方法。本申请实施例提供的雪崩光电二极管通过提供自硅晶片的表面延伸至其中的电荷阻挡区、形成在电荷阻挡区上的第一外延层以及自第一外延层远离硅晶片的表面延伸进入第一外延层中的欧姆接触区，从而使得能够以低能量浅注入方式形成满足与欧姆接触区之间所要求的距离差的电荷阻挡区，从而能够以现有常规CMOS产线设备制作雪崩光电二极管，降低了工艺难度和生产成本，提高了产业化，具有广泛的应用前景。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于本领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。
Claims (10)
1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，包括：
第一导电类型的硅晶片；
自所述硅晶片表面延伸至所述硅晶片中的第一导电类型的电荷阻挡区，所述电荷阻挡区的注入离子为砷离子或锑离子；
形成在所述电荷阻挡区上的第一导电类型的第一外延层；
自所述第一外延层远离所述硅晶片的表面延伸至所述第一外延层中的第二导电类型的欧姆接触区，其中欧姆接触区在所述硅晶片上的正投影落入所述电荷阻挡区在所述硅晶片上的正投影中；
形成在所述欧姆接触区上的抗反射层；
形成在所述抗反射层中的过孔和形成在所述过孔中的阳极；以及
形成在所述硅晶片远离所述电荷阻挡区的表面上的阴极。
2.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述电荷阻挡区覆盖所述硅晶片的表面或者部分覆盖所述硅晶片的表面。
3.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，
所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
4.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，还包括：自所述第一外延层远离所述硅晶片的表面延伸至所述第一外延层中的、围绕所述欧姆接触区的第二导电类型的保护环。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的雪崩光电二极管，其特征在于，
所述硅晶片包括单晶硅衬底和形成在所述单晶硅衬底上的第二外延层；或者
所述硅晶片为：体硅片。
6.一种制作权利要求1-5中任一项所述的雪崩光电二极管的方法，其特征在于，包括：
提供第一导电类型的硅晶片；
离子注入形成自所述硅晶片表面延伸至所述硅晶片中的第一导电类型的电荷阻挡区，所述电荷阻挡区的注入离子为砷离子或锑离子；
在所述电荷阻挡区上形成第一导电类型的第一外延层，
离子注入形成自所述第一外延层远离所述硅晶片的表面延伸至所述第一外延层中的第二导电类型的欧姆接触区，其中欧姆接触区在所述硅晶片上的正投影落入所述电荷阻挡区在所述硅晶片上的正投影中；
在所述欧姆接触区上形成抗反射层；
在所述抗反射层中形成过孔并在所述过孔中形成阳极；以及
在所述硅晶片远离所述电荷阻挡区的表面上形成阴极。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，
所述离子注入形成自所述硅晶片表面延伸至所述硅晶片中的第一导电类型的电荷阻挡区进一步包括：
在所述硅晶片上形成光刻胶层；
对所述光刻胶层图案化露出所述硅晶片中待形成所述电荷阻挡区的区域，所述图案化的光刻胶层作为离子注入的阻挡层；
基于所述阻挡层进行离子注入形成所述电荷阻挡区；以及
去除所述阻挡层，或者
所述离子注入形成自所述硅晶片表面延伸至所述硅晶片中的第一导电类型的电荷阻挡区进一步包括：
对所述硅晶片进行整面离子注入形成所述电荷阻挡区。
8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述离子注入形成自所述第一外延层远离所述硅晶片的表面延伸至所述第一外延层中的第二导电类型的欧姆接触区之后，所述在所述欧姆接触区上形成抗反射层之前，所述方法还包括：
离子注入形成自所述第一外延层远离所述硅晶片的表面延伸至所述第一外延层中的、围绕所述欧姆接触区的第二导电类型的保护环。
9.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
10.根据权利要求6-9中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述提供第一导电类型的硅晶片进一步包括：
在单晶硅衬底上形成第二外延层以形成所述硅晶片；或者
提供体硅片作为所述硅晶片。
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