CN114400282A - 一种无磁陶瓷封装体 - Google Patents
一种无磁陶瓷封装体 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114400282A CN114400282A CN202111656805.8A CN202111656805A CN114400282A CN 114400282 A CN114400282 A CN 114400282A CN 202111656805 A CN202111656805 A CN 202111656805A CN 114400282 A CN114400282 A CN 114400282A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nonmagnetic
- ceramic body
- metal
- ceramic
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 53
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000004021 metal welding Methods 0.000 claims abstract description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 15
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000011896 sensitive detection Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种无磁陶瓷封装体，包括陶瓷体以及盖板，所述陶瓷体与盖板连接；所述陶瓷体内侧底面设有通电导体以及多个内金属焊盘；所述陶瓷体上设有多个金属连接件以及两个电极，所述陶瓷体底部设有多个外金属焊盘；两个所述电极均连接至所述通电导体，所述电极的截面图为凸字形；所述内金属焊盘通过所述金属连接件连接至所述外金属焊盘，所述内金属焊盘的个数、金属连接件的个数以及外金属焊盘的个数均相等，使得降低了热耗散功率，并保证了芯片与电流通路能够贴近而保证电流传感的精度。
Description
【技术领域】
本发明涉及一种无磁陶瓷封装体。
【背景技术】
现有电流电压传感器基本采用塑封小外形封装(如PSOP08、SOIC08等)，芯片压点通过金属丝与铜或铜合金引线框架键合形成互联，或者倒扣于引线框架上形成互联，然后采用环氧塑封料(EMC)包封料，受限于环氧塑封料(EMC)包封料玻璃转化温度以及铜引线框架、硅芯片等热膨胀系数失配而使键合引线抗温变应力及次数相对短而使用温度相对于气密性陶瓷封装的要低，使用可靠性相对弱；并且现有的封装体上带有磁性，使得在芯片工作时产生干扰，降低了器件的精度，影响芯片的正常发挥，针对上述问题，目前尚未提出有效的解决方案。
【发明内容】
本发明要解决的技术问题，在于提供一种无磁陶瓷封装体，使得降低了热耗散功率，并保证了芯片与电流通路能够贴近而保证电流传感的精度。
本发明是这样实现的：一种无磁陶瓷封装体，用于封装芯片，包括陶瓷体以及盖板，所述陶瓷体与盖板连接；
所述陶瓷体内侧底面设有通电导体以及多个内金属焊盘；所述陶瓷体上设有多个金属连接件以及两个电极，所述陶瓷体底部设有多个外金属焊盘；
两个所述电极均连接至所述通电导体，所述电极的截面图为凸字形；
所述内金属焊盘通过所述金属连接件连接至所述外金属焊盘，所述内金属焊盘的个数、金属连接件的个数以及外金属焊盘的个数均相等。
进一步地，所述通电导体侧面上设有多个对准凸起；所述对准凸起关于所述通电导体中线左右对称。
进一步地，所述陶瓷体上设有封接环，所述陶瓷体通过所述封接环连接至盖板。
进一步地，所述盖板包括第一合金内层以及第一无磁镀层。
进一步地，还包括多个引出端，所述引出端连接至所述外金属焊盘。
进一步地，所述引出端包括第二合金内层以及第二无磁镀层。
进一步地，每个所述电极包括第三合金内层以及第三无磁镀层。
进一步地，所述通电导体包括第四合金内层以及第四无磁镀层。
本发明的优点在于：本发明的一种无磁陶瓷封装体，使得降低了热耗散功率，并保证了芯片与电流通路能够贴近而保证电流传感的精度；并且通过合金内层与无磁镀层，使得陶瓷封装体整个的磁性大大降低至可以忽略，保证了芯片的运行精度，使其功能得到全部发挥；通过设置对准凸起，使得通电导体位于陶瓷封装体的设定位置，在芯片倒扣之后，使得霍尔板与通电导体的相对位置得到控制，使得霍尔板处于通电导体的电流通路中心区域，使得霍尔板可以灵敏的检测到通电导体中的电磁场。
【附图说明】
下面参照附图结合实施例对本发明作进一步的说明。
图1是本发明一种无磁陶瓷封装体中陶瓷体的俯视图。
图2是图1中A-A剖视图。
图3是本发明一种无磁陶瓷封装体中陶瓷体的仰视图。
图4是本发明一种无磁陶瓷封装体中陶瓷体的封装芯片后的剖视图。
图5是本发明一种无磁陶瓷封装体封装后的侧视图。
图6是本发明一种无磁陶瓷封装体封装后的俯视图。
图7是本发明中引出端或者金属连接件的剖视图。
图8是本发明中盖板的剖视图。
图9是本发明中电极的剖视图。
【具体实施方式】
请参阅图1至图9所示，本发明的一种无磁陶瓷封装体，用于封装芯片a，包括陶瓷体1以及盖板2，所述陶瓷体1与盖板2连接；
所述陶瓷体1上设有腔体11，所述腔体11用于放置芯片a，所述陶瓷体1内侧底面设有通电导体12以及多个内金属焊盘13，所述内金属焊盘13穿过陶瓷体1底面；所述陶瓷体1上设有多个金属连接件14以及两个电极15，所述陶瓷体1底部设有多个外金属焊盘16；所述通电导体12与内金属焊盘13共面；
两个所述电极15均连接至所述通电导体12，所述电极15的截面图为凸字形；
所述内金属焊盘13通过所述金属连接件14连接至所述外金属焊盘16，所述内金属焊盘13的个数、金属连接件14的个数以及外金属焊盘16的个数均相等；通过上述的设置，使得整个陶瓷体1可以很好的散热，并且保证无磁性；所述通电导体12侧面上设有多个对准凸起121，所述对准凸起121关于所述通电导体12的中线b左右对称。
在本发明的另一个实施例中，所述陶瓷体1上设有封接环17，所述陶瓷体1通过所述封接环17连接至盖板2，通过银铜钎料、铜钎料或者银钎料等无磁钎料进行钎焊密封，使得腔体11密封，所述盖板2包括第一合金内层21以及第一无磁镀层22；所述第一合金内层21可以是4J80金属、4J78金属或4J82金属等等；所述第一无磁镀层22为镍、银、铜等等，通过上述方式，使得盖板2的磁性大大降低至可以忽略，通过上述方式，使得盖板2的材料选材上更加广阔。
在本发明的另一个实施例中，还包括多个引出端3，所述引出端3连接至所述外金属焊盘16，所述引出端3包括第二合金内层31以及第二无磁镀层32；所述第二合金内层31可以是4J80金属、4J78金属或4J82金属等等；所述第二无磁镀层32为镍、银、铜等等，通过上述方式，使得引出端3的磁性大大降低至可以忽略，通过上述方式，使得引出端3的材料选材上更加广阔。
在本发明的另一个实施例中，每个所述电极15包括第三合金内层151以及第三无磁镀层152；所述第三合金内层151可以是4J80金属、4J78金属或4J82金属等等；所述第三无磁镀层152为镍、银、铜等等，通过上述方式，使得电极15的磁性大大降低至可以忽略，通过上述方式，使得电极15的材料选材上更加广阔。
在本发明的另一个实施例中，所述通电导体12包括第四合金内层(图中未示)以及第四无磁镀层(图中未示)；所述第四合金内层可以是4J80金属、4J78金属或4J82金属等等；所述第四无磁镀层为镍、银、铜等等，通过上述方式，使得通电导体12的磁性大大降低至可以忽略，通过上述方式，使得通电导体12的材料选材上更加广阔。
无磁陶瓷封装体的工作原理：芯片与无磁陶瓷封装体的互联采用倒扣焊(即FC)。无磁陶瓷封装体芯腔中钎焊有通电导体12、内金属焊盘13，芯片a上的压点上带有SAC305等焊料凸点，芯片a倒扣在无磁陶瓷封装体腔体11内，经过高温回流(通常采用无助焊剂的焊接工艺)，实现芯片a压点与无磁陶瓷封装体的焊盘互联，这时倒扣着的芯片a的霍尔板区刚好是绕着通电导体12，通电导体12中流过电流形成的电磁场就能被霍尔板很好地检测到，之后在腔体11内充入填充胶4。最后采用Au80Sn20焊环将盖板2密封起来；当然也可以采用盖板平行缝焊，但需要在封口区钎焊封接环17。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是熟悉本技术领域的技术人员应当理解，我们所描述的具体的实施例只是说明性的，而不是用于对本发明的范围的限定，熟悉本领域的技术人员在依照本发明的精神所作的等效的修饰以及变化，都应当涵盖在本发明的权利要求所保护的范围内。
Claims (8)
1.一种无磁陶瓷封装体，用于封装芯片，其特征在于：包括陶瓷体以及盖板，所述陶瓷体与盖板连接；
所述陶瓷体内侧底面设有通电导体以及多个内金属焊盘；所述陶瓷体上设有多个金属连接件以及两个电极，所述陶瓷体底部设有多个外金属焊盘；
两个所述电极均连接至所述通电导体，所述电极的截面图为凸字形；
所述内金属焊盘通过所述金属连接件连接至所述外金属焊盘，所述内金属焊盘的个数、金属连接件的个数以及外金属焊盘的个数均相等。
2.如权利要求1所述的一种无磁陶瓷封装体，其特征在于：所述通电导体侧面上设有多个对准凸起；所述对准凸起关于所述通电导体中线左右对称。
3.如权利要求1所述的一种无磁陶瓷封装体，其特征在于：所述陶瓷体上设有封接环，所述陶瓷体通过所述封接环连接至盖板。
4.如权利要求1所述的一种无磁陶瓷封装体，其特征在于：所述盖板包括第一合金内层以及第一无磁镀层。
5.如权利要求1所述的一种无磁陶瓷封装体，其特征在于：还包括多个引出端，所述引出端连接至所述外金属焊盘。
6.如权利要求5所述的一种无磁陶瓷封装体，其特征在于：所述引出端包括第二合金内层以及第二无磁镀层。
7.如权利要求1所述的一种无磁陶瓷封装体，其特征在于：每个所述电极包括第三合金内层以及第三无磁镀层。
8.如权利要求1所述的一种无磁陶瓷封装体，其特征在于：所述通电导体包括第四合金内层以及第四无磁镀层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111656805.8A CN114400282A (zh) | 2021-12-30 | 2021-12-30 | 一种无磁陶瓷封装体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111656805.8A CN114400282A (zh) | 2021-12-30 | 2021-12-30 | 一种无磁陶瓷封装体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114400282A true CN114400282A (zh) | 2022-04-26 |
Family
ID=81228353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111656805.8A Pending CN114400282A (zh) | 2021-12-30 | 2021-12-30 | 一种无磁陶瓷封装体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114400282A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103681593A (zh) * | 2013-12-02 | 2014-03-26 | 江苏省宜兴电子器件总厂 | 一种无引线陶瓷片式载体封装结构及其制备工艺 |
| CN111370572A (zh) * | 2020-02-28 | 2020-07-03 | 浙江长兴电子厂有限公司 | 一种气密性电流传感器倒扣焊封装结构 |
| CN111370373A (zh) * | 2020-02-28 | 2020-07-03 | 浙江长兴电子厂有限公司 | 一种气密性表面安装型电流传感器封装结构 |
| CN216872012U (zh) * | 2021-12-30 | 2022-07-01 | 福建闽航电子有限公司 | 一种无磁陶瓷封装体 |
-
2021
- 2021-12-30 CN CN202111656805.8A patent/CN114400282A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103681593A (zh) * | 2013-12-02 | 2014-03-26 | 江苏省宜兴电子器件总厂 | 一种无引线陶瓷片式载体封装结构及其制备工艺 |
| CN111370572A (zh) * | 2020-02-28 | 2020-07-03 | 浙江长兴电子厂有限公司 | 一种气密性电流传感器倒扣焊封装结构 |
| CN111370373A (zh) * | 2020-02-28 | 2020-07-03 | 浙江长兴电子厂有限公司 | 一种气密性表面安装型电流传感器封装结构 |
| CN216872012U (zh) * | 2021-12-30 | 2022-07-01 | 福建闽航电子有限公司 | 一种无磁陶瓷封装体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5028987A (en) | High current hermetic package having a lead extending through the package lid and a packaged semiconductor chip | |
| JP6121692B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US6310395B1 (en) | Electronic component with anodically bonded contact | |
| US8242615B2 (en) | Semiconductor chip on film package with dummy patterns and manufacturing method thereof | |
| US20140179063A1 (en) | Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same, and lead frame | |
| US8410618B2 (en) | Microelectronic assembly with joined bond elements having lowered inductance | |
| CN108155157B (zh) | 包括引线框的集成电路封装体 | |
| JPH05508259A (ja) | 改善された電磁障害抵抗を有する金属電子パッケージ | |
| JPH04233262A (ja) | 脱熱体及び多重取付パッド・レードフレームのパッケージ及び半導体ダイの電気的絶縁方法 | |
| KR20170086828A (ko) | 메탈범프를 이용한 클립 본딩 반도체 칩 패키지 | |
| CN107084815A (zh) | 压力检测单元以及采用该压力检测单元的压力传感器 | |
| US5105536A (en) | Method of packaging a semiconductor chip in a low inductance package | |
| CN216872012U (zh) | 一种无磁陶瓷封装体 | |
| US20230187223A1 (en) | Semiconductor package with flip chip solder joint capsules | |
| JP5233853B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN114400282A (zh) | 一种无磁陶瓷封装体 | |
| JP2001110845A (ja) | フリップチップの実装構造 | |
| CN111370572B (zh) | 一种气密性电流传感器倒扣焊封装结构 | |
| KR20000033885A (ko) | 금속 터미널을 구비하는 전력 반도체 모쥴, 전력 반도체 모쥴의금속 터미널 제조방법 및 전력 반도체 모쥴의 제조방법 | |
| CN112424919B (zh) | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | |
| JP2007027645A (ja) | 半導体装置 | |
| US20110147928A1 (en) | Microelectronic assembly with bond elements having lowered inductance | |
| US10541194B2 (en) | Semiconductor package with interconnected leads | |
| US10978364B2 (en) | Semiconductor module | |
| CN107017221B (zh) | 集成电路组合件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |