CN114388595A - 显示面板以及包括显示面板的显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及显示面板以及包括显示面板的显示装置。提供了一种显示面板，其包括：显示区域，其包括第一像素区，在该第一像素区中设置有多个像素；以及图像捕获区域，其包括第二像素区，在该第二像素区中设置有多个像素组；以及多个透光部，其设置在像素组之间。透光部沿着从图像捕获区域的中心向外螺旋延伸的虚拟螺旋参考线设置，并且透光部的尺寸随着距图像捕获区域的中心的距离增加而增加。

Description

显示面板以及包括显示面板的显示装置
技术领域
本公开内容涉及显示面板和包括该显示面板的显示装置，该显示面板包括其中设置有用于显示图像的像素的图像捕获区域。
背景技术
根据发光层的材料，发光显示装置被分类为无机发光显示装置和有机发光显示装置。有源矩阵型有机发光显示装置包括其自身发射光的有机发光二极管(OLED)，并具有高响应速度、高亮度和大视角的优点。在OLED显示装置中，在每个像素中形成OLED。由于OLED显示装置不仅具有高响应速度、优异的发光效率、优异的亮度和优异的视角，而且能够以纯黑显示黑色灰度级，因此对比度和色域是优异的。
同时，移动终端的多媒体功能正在改进。例如，相机基本上被嵌入在智能电话中，并且相机的分辨率正在提高到现有数码相机的分辨率。然而，智能电话的前置相机对屏幕设计施加了限制，从而使屏幕设计变得困难。为了减少相机占用的空间，智能电话已经采用了包括凹口或穿孔的屏幕设计，但是屏幕大小仍然受到相机的限制，使得不能实现全屏显示。
为了实现全屏显示，提出了如下方法：提供其中低分辨率像素被设置在显示面板的屏幕中的图像捕获区域，并且将相机放置在显示面板下方与图像捕获区域相对的位置处。屏幕中的图像捕获区域作为用于显示图像的透明显示器来操作。由于干涉条纹出现在通过这样的图像捕获区域捕获的图像中，因此图像质量可能需要改善。
发明内容
本公开内容的目的是解决与背景技术相关联的上述问题和/或其他限制。
本公开内容提供了能够提高由成像装置捕获的图像的质量的显示面板及包括该显示面板的显示装置。
本公开内容的实施方式中要解决或处理的问题不限于此，并且还可以包括可以从下述问题的解决方案或体现形式中识别的目的和效果。
在根据本公开内容的实施方式的显示面板中，该显示面板包括：显示区域，该显示区域包括第一像素区，在该第一像素区中设置有多个像素；以及图像捕获区域，该图像捕获区域包括：第二像素区，在该第二像素区中设置有多个像素组；以及透光部，其设置在像素组之间，其中，透光部沿着从图像捕获区域的中心向外螺旋延伸的虚拟螺旋参考线设置，并且透光部的尺寸随着距图像捕获区域的中心的距离增加而增加。
虚拟螺旋参考线可以包括斐波那契螺旋。
透光部中的每一个可以呈圆形形状或椭圆形形状。
第一像素区和第二像素区中的每一个可以包括：遮光层；以及金属层，该金属层相对于激光束的特定波长具有比遮光层高的吸收系数。遮光层可以包括金属膜或无机膜，并且遮光层可以从图像捕获区域中的透光区移除以使透光部暴露。可以从图像捕获区域中的透光区去除金属层，以使透光部暴露。
透光部中的至少一个可以包括与像素组交叠的交叠区。遮光层可以不从交叠区去除。
透光部中的至少一些可以包括与像素组交叠的交叠区，并且金属层可以不从交叠区去除。
遮光层可以包括钼(Mo)或非晶硅(a-Si)，并且金属层可以包括镁(Mg)。
第一像素区和第二像素区可以包括基板上的电路层和电路层上的发光元件层。遮光层可以设置在电路层中。
电路层可以包括连接到发光元件层的发光元件的晶体管，并且遮光层可以设置在晶体管下方的无机绝缘层之间。
显示区域和图像捕获区域的像素区中的每一个还可以包括设置在遮光层与晶体管之间的遮光图案，并且遮光图案可以包括金属。
第一像素区可以具有比第二像素区高的每英寸像素(PPI)。
在根据本公开内容的另一实施方式的显示装置中，显示装置包括：显示面板，该显示面板包括：显示区域，显示区域包括第一像素区，在该第一像素区中设置有多个像素；以及图像捕获区域，其包括：第二像素区，在第二像素区中设置有多个像素组；以及透光部，其设置在像素组之间；盖玻璃，其被配置成覆盖显示面板；以及成像元件模块，其设置在显示面板下方并且与图像捕获区域相对，其中，透光部沿着从图像捕获区域的中心向外螺旋延伸的虚拟螺旋参考线设置，并且透光部的尺寸随着距图像捕获区域的中心的距离增加而增加。
虚拟螺旋参考线可以包括斐波那契螺旋。
透光部中的每一个可以呈圆形形状或椭圆形形状。
第一像素区和第二像素区中的每一个可以包括：遮光层；以及金属层，该金属层相对于激光束的特定波长具有比遮光层高的吸收系数。遮光层可以包括金属膜或无机膜，并且可以从图像捕获区域中的透光区移除，以使透光部暴露。金属层可以从图像捕获区域中的透光区去除，以使透光部暴露。
透光部中的至少一个可以包括与像素组交叠的交叠区，并且遮光层和金属层可以不从交叠区去除。
第一像素区和第二像素区可以包括基板上的电路层和电路层上的发光元件层。遮光层可以在电路层中。
电路层可以包括连接到发光元件层的发光元件的晶体管，并且遮光层被设置在晶体管下方的无机绝缘层之间。
显示区域和图像捕获区域的像素区中的每一个还可以包括设置在遮光层与晶体管之间的遮光图案，并且遮光图案可以包括金属。
第一像素区可以具有比第二像素区高的每英寸像素(PPI)。
本公开内容旨在通过随机地布置透光部来去除可能出现在被捕获的图像中的干涉条纹。
本公开内容还旨在有效实现全屏显示。
本公开内容的效果不限于上述效果，并且本领域普通技术人员将根据权利要求清楚地理解未描述的其他效果。
附图说明
为了提供对本公开内容的进一步理解而包括的并且被并入且构成本说明书的一部分的附图示出了本公开内容的实施方式，并且与说明书一起用于解释本公开内容的原理。在附图中：
图1是根据本公开内容的实施方式的显示面板的示意性截面视图；
图2是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置中的传感器区域和主显示区域的一部分的平面视图；
图3是示出显示区域(DA)中的像素布置的示例的图；
图4是示出图像捕获区域(CA)中的像素和透光部的示例的图；
图5是示出透光部(AG)和像素组(PG)的布置的图；
图6是示出图5中的透光部(AG)的布置的图；
图7是示出图5的透光部(AG)与像素组(PG)交叠的部分的图；
图8是示出根据本公开内容的实施方式的显示面板的截面结构和在激光烧蚀过程中发射的激光束的图；
图9至图11是示出根据本公开内容的实施方式的各种激光射束点的图；
图12是出现干涉条纹的被捕获的图像的图片；
图13是从其去除了干涉条纹的被捕获的图像的图片；
图14是示出根据本公开内容的实施方式的显示面板和显示面板驱动器的框图；
图15是示意性地示出驱动集成电路(IC)的配置的框图；
图16是示出像素电路的示例的电路图；
图17是示出像素电路的另一示例的电路图；
图18是示出图16和图17所示的像素电路的操作方法的定时图；
图19是详细示出根据本公开内容的实施方式的显示面板中的像素区的结构的截面视图；
图20和图21是示出根据本公开内容的各种实施方式的显示面板的结构中的像素区的遮光层和图像捕获区域的透光部的截面视图；
图22是示出能够从图像捕获区域的透光部移除的绝缘层的示例的截面视图；以及
图23是示出布置在图像捕获区域中的多个传感器模块的示例的图。
具体实施方式
参照以下详细描述的实施方式连同附图一起，本公开内容的优点和特征以及如何实现优点和特征将变得明显。然而，本公开内容不限于下面公开的实施方式，并且可以以各种形式实现。提供这些实施方式以使本公开内容将被详尽和完整地描述，并将本公开内容的范围完全传达给本公开内容所属领域的技术人员。本公开内容仅由权利要求的范围限定。
附图中所示的用于描述本公开内容的实施方式的形状、大小、比率、角度、数目等仅是示例性的，并且本公开内容不限于此。贯穿全文，相同的附图标记指定相同的元件。在以下描述中，当与本文档相关的公知的功能或配置的详细描述被确定为不必要地模糊了本公开内容的要点时，可能省略其详细描述或可能简要提供其描述。
在本公开内容中，当使用术语“包括”、“具有”、“组成”等时，除非使用“仅”，否则可以添加其他部件。只要单数表达在上下文中不具有明显不同的含义，则该单数表达可以包括复数表达。
在部件的解释中，即使没有单独说明，也被理解为包含误差范围。
在位置关系的描述中，当结构被描述为位于另一结构“上或之上”、“下或之下”、“旁边”时，该描述应当被解释为包括结构彼此接触的情况以及第三结构被设置在其间的情况。
术语“第一”、“第二”等可以用来描述各种部件，但是部件不受这样的术语的限制。术语仅用于将一个部件与其他部件区分的目的。例如，在不偏离本公开内容的范围的情况下，第一部件可以被指定为第二部件。
本公开内容的各种实施方式的特征可以彼此部分地组合或完全地组合，并且可以以各种方式在技术上联锁驱动。实施方式可以被独立地实现，或者可以被彼此结合地实现。
在下文中，将参照附图详细描述本公开内容的各种实施方式。根据本公开内容的所有实施方式的每个显示面板和每个显示装置的所有组件都可操作地耦合和配置。
图1是根据本公开内容的实施方式的显示面板的示意性截面视图。
图2是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置中的传感器区域和主显示区域的一部分的平面视图。
参照图1和图2，显示装置1包括显示面板100和设置在显示面板100下方的成像元件模块30。更具体地，显示面板100可以包括图像捕获区域CA，并且成像元件模块30可以位于图像捕获区域CA下方。
显示区域DA和图像捕获区域CA包括像素阵列，在该像素阵列中布置有像素P，像素数据被写入到像素P。为了确保图像捕获区域CA的透射率，图像捕获区域CA的每单位面积的像素数目例如每英寸像素(PPI)小于显示区域DA的每单位面积的像素数目。
显示区域DA的像素阵列包括其中多个像素以高PPI布置的像素区(第一像素区)。图像捕获区域CA的像素阵列包括如下像素区(第二像素区)，在该第二像素区中，因为像素通过透光部彼此间隔开，所以多个像素以相对低的PPI布置。在图像捕获区域CA中，外部光可以通过具有高透射率的透光部穿过显示面板100，以入射到显示面板100下方的成像元件模块30上。
由于显示区域DA和图像捕获区域CA包括像素P，因此输入图像被显示在显示区域DA和图像捕获区域CA中。
显示区域DA和图像捕获区域CA中的像素P中的每一个像素包括不同颜色的子像素以显示图像颜色。子像素包括红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素。像素P中的每个像素还可以包括白色(W)子像素。每个子像素可以包括像素电路和发光元件(有机发光二极管(OLED))。
图像捕获区域CA包括像素和设置在显示面板100的屏幕下方的成像元件模块30。在显示模式中，输入图像的像素数据被写入图像捕获区域CA中的像素P，并且像素P显示输入图像。在图像捕获模式中，成像元件模块30捕获外部图像并输出图片或视频图像数据。成像元件模块30与图像捕获区域CA相对。换句话说，当从显示装置的正面观看时，成像元件模块30可以与图像捕获区域CA交叠。外部光通过图像捕获区域CA入射到成像元件模块30上，并且成像元件模块30将光聚集到图像传感器上。
可以应用图像质量补偿算法来确保透射率，该图像质量补偿算法用于补偿由于从图像捕获区域CA移除的像素而导致的图像捕获区域CA中的像素P的亮度和颜色坐标。
由于低分辨率像素被布置在图像捕获区域CA中，所以屏幕的显示区域不受成像元件模块的限制。因此，本公开内容使得可以实现全屏显示。
显示面板100具有X轴方向上的宽度、Y轴方向上的长度和Z轴方向上的厚度。显示面板100包括设置在基板10上的电路层12和设置在电路层12上的发光元件层14。偏振板18可以设置在发光元件层14上，并且盖玻璃20可以设置在偏振板18上。
电路层12可以包括：连接到诸如数据线、栅极线和电力线的互连的像素电路、连接到栅极线的栅极驱动器等。电路层12可以包括电路元件，诸如被实现为薄膜晶体管(TFT)的晶体管和电容器。可以使用多个绝缘层、两个或更多个金属层以及包括半导体材料的有源层来实现互连和电路元件，所述两个或更多个金属层利用其间插入的绝缘层来被分离。
发光元件层14可以包括由像素电路驱动的发光元件。发光元件可以实现为OLED。OLED包括形成在阳极与阴极之间的有机化合物层。有机化合物层可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)，但不限于此。当电压被施加到OLED的阳极和阴极时，穿过HTL的空穴和穿过ETL的电子移动到EML并形成激子，使得可见光从EML发射。发光元件层14可以设置在选择性地透射红色波长、绿色波长和蓝色波长的像素上，并且还可以包括滤色器阵列。
发光元件层14可以被保护膜覆盖，该保护膜可以被封装层覆盖。保护膜和封装层可以具有通过交替地沉积有机膜和无机膜获得的结构。无机膜防止水分或氧气的渗透。有机膜使无机膜的表面平整。当有机膜和无机膜被重复堆叠时，与单个层的情况相比，水分或氧气的路径变长。因此，可以有效地防止影响发光元件层14的水分或氧气的渗透。
偏振板18可以粘附到封装层上。偏振板18提高了显示装置的室外可见度。偏振板18通过减少从显示面板100的表面反射的光并阻挡从电路层12的金属反射的光来增加像素的亮度。偏振板18可以实现为其中线性偏振板和相位延迟膜被接合在一起的偏振板或者可以实现为圆形偏振板。
在本公开内容的显示面板中，显示区域DA和图像捕获区域CA的像素区中的每个像素区包括遮光层。从图像捕获区域CA的透光部去除遮光层以限定透光部。遮光层包括与透光部对应的开孔。从开孔移除遮光层。遮光层由金属或无机膜形成，关于用于去除透光部中存在的金属层的激光烧蚀过程中使用的激光束的波长，该金属或无机膜具有比从透光部去除的金属更低的吸收系数。
图3是示出显示区域DA中的像素布置的示例的图。
图4是示出图像捕获区域CA中的像素和透光部的示例的图。
在图3和图4中，省略了连接到像素的互连以便专注于所描述的特征。
下面将参照图3和图4描述根据本公开内容的实施方式的显示装置的像素布置。
参照图3，显示区域DA包括以高PPI布置的像素PIX1和PIX2。像素PIX1和PIX2中的每一个像素可以被实现为包括R子像素、G子像素和B子像素的实型像素(real-typepixel)，所述R、G、B是三原色。像素PIX1和PIX2中的每一个像素还可以包括W子像素。此外，像素渲染算法可以用于构成具有两个子像素的一个像素。例如，像素渲染算法可以用于构成具有R子像素和G子像素的第一像素PIX1，以及构成具有B子像素和G子像素的第二像素PIX2。像素渲染算法可以用相邻像素的颜色数据的平均值来补偿像素PIX1和PIX2中的每一个像素缺少的颜色表示。
参照图4，图像捕获区域CA包括彼此相距一定距离的像素组PG和设置在相邻像素组PG之间的透光部AG。外部光通过透光部AG入射到传感器模块的透镜上。透光部AG可以包括不含金属的具有高透射率的透明介质，使得光可以以最小的光损耗入射。换句话说，透光部AG可以不包括金属互连或像素，并且可以由透明绝缘材料制成。由于透光部AG，图像捕获区域CA可以具有比显示区域DA低的PPI。透光部AG越大，图像捕获区域CA的透射率越高。
图像捕获区域CA中的像素组PG可以包括一个或两个像素。像素组PG的像素中的每个像素可以包括两个子像素至四个子像素。例如，像素组PG中的一个像素可以包括R子像素、G子像素和B子像素或者两个子像素，并且还可以包括W子像素。在图4的示例中，第一像素PIX1可以包括R子像素和G子像素，并且第二像素PIX2包括B子像素和G子像素。然而，第一像素PIX1和第二像素PIX2不限于该示例。
在图4中，透光部AG被示出为圆形形状，但不限于此。例如，透光部AG可以被设计成各种形状，例如圆形、椭圆形和多边形。
为了使光学损耗最小化，可以从透光部AG去除所有金属电极材料。根据显示面板制造方法，用于阴极的金属可以均匀地沉积在整个屏幕上，然后可以在激光烧蚀过程中从图像捕获区域CA的透光区去除阴极层。下面将详细描述激光烧蚀过程。
下面将参照图5至图7描述透光部的具体布置。
图5是示出透光部AG和像素组PG的布置的图。
图6是示出图5中的透光部AG的布置的图。
图7是示出图5的透光部AG和像素组PG交叠的部分的图。
参照图5，根据实施方式的显示面板可以包括被规则地布置的像素组PG和被随机地布置的透光部AG。像素组PG可以以规则的间隔进行规则地布置。透光部AG可以设置在像素组PG之间。透光部AG可以与像素组PG部分地交叠。
如图6所示，透光部AG可以基于图像捕获区域的中心O随机地布置。作为实施方式，透光部AG可以基于图像捕获区域的中心O沿着斐波那契(Fibonacci)螺旋L布置。每个斐波那契螺旋L是用于引导透光部AG的布置的虚拟线，并且实际上在产品中可能看不到。从斐波那契螺旋L的起始点到图像捕获区域的中心O的距离可能彼此不同。此外，沿着斐波那契螺旋L形成的透光部AG随着透光部AG被设置得更远离中心O，可以具有更大的直径，但是透光部AG的直径不限于此。透光部AG可以具有圆形形状，但如上所述不限于此。
斐波那契方程是
Figure BDA0003314558990000091
此处，a是任意的正实数，n是正整数，以及b是137.5°的常数值。
参照图7，透光部AG可以包括与像素组PG交叠的交叠区OAG。图7的阴影线的交叠区OAG中存在的金属材料可以不被去除。换句话说，阴极等的金属材料可以不从用于光发射的交叠区OAG去除。当诸如阴极层的金属材料被去除时，不发射光。金属材料可以通过激光烧蚀过程去除，这将在下面描述。
下面将参照图8至图11描述形成透光部的过程。作为示例，下面将描述通过激光烧蚀过程形成透光部的过程，但是本公开内容不限于此。
图8是示出根据本公开内容的实施方式的显示面板100的截面结构和在激光烧蚀过程中发射的激光束的图。
参照图8，显示面板100包括阻挡激光束的遮光层LS和通过由去除遮光层LS获得的开孔OP而暴露于激光束的金属层ML。
遮光层LS被沉积在显示区域DA和图像捕获区域CA的全部上，然后在光刻工艺中图案化。遮光层LS被形成在显示区域DA和图像捕获区域CA的全部上或者至少显示区域DA和图像捕获区域CA的像素区上，并且从使图像捕获区域CA的透光部AG暴露的开孔区域被去除，以限定开孔OP。开孔OP可以不形成在图7所示的遮光层LS的交叠区OAG——例如透光部AG与像素组PG交叠的区域——中。这是因为金属层ML不应当从交叠区OAG去除。像素区意指如下区域：其中像素PIX1和PIX2被布置在显示区域DA和图像捕获区域CA中的每一个中。
金属层ML是显示面板100的像素驱动所需的金属层中的任何一个，并且应当从图像捕获区域CA的透光部AG移除。例如，金属层ML可以形成在阴极材料层或另一层中。当金属层ML是在激光烧蚀过程中应当被部分地去除的金属时，在金属具有高吸收系数的波长带中确定激光束LB的波长。
遮光层LS保护屏幕中存在的除图像捕获区域CA的透光区之外的金属层ML免受在激光烧蚀过程中生成的激光束LB的影响。为此，从在激光束LB的波长下具有低吸收系数的材料中选择金属层ML。
当金属层ML是用作阴极材料的Mg-Ag合金薄膜层时，Mg在1064nm的波长下具有高吸收系数。另一方面，非晶硅(a-Si)或钼(Mo)在1064nm的波长下具有低吸收系数。因此，当使用具有1064nm的波长的激光束LB来去除Mg-Ag合金薄膜层时，用于保护除透光区之外的区域中的Mg-Ag合金层免受激光束LB的影响的遮光层LS包括在1064nm的波长下具有低吸收系数的材料，诸如a-Si或Mo。
由于形成在显示面板100中的遮光层LS，激光束LB可以在激光烧蚀过程中以线束(line beam)或块束(block beam)的形式发射。线束或块束的长度大于图像捕获区域CA。以线束或块束的形式发射到显示面板100的激光束LB的射束点BSPOT可以在至少一个方向(X轴或Y轴)上比图像捕获区域CA长。当射束点BSPOT大于图像捕获区域CA时，仅透光区中的金属层ML的部分通过不存在遮光层LS的开孔OP暴露于激光束LB，并且被遮光层LS覆盖的其他区域中的金属层ML可以被保护免受激光束LB的影响。
激光烧蚀装置可以使用束整形器(或束均化器)BSH来生成均匀强度的线形束或块形束。可以根据束整形器BSH的结构生成线束或块束，并且可以根据束整形器BSH与显示面板100的基板10之间的距离来调整激光束LB的大小。
当在使用显示面板100中形成的遮光层LS的激光烧蚀过程中将激光束LB发射到整个图像捕获区域CA时，金属层ML可以同时并完全地从图像捕获区域CA中的透光部AG去除。在此，除了透光部AG之外的像素阵列中存在的金属层ML被遮光层LS保护以免受激光束LB的影响，并且因此在激光烧蚀过程中没有被去除。通过仅将激光束LB发射一次，可以仅从屏幕中的图像捕获区域CA的透光部AG去除金属层ML。因此，本公开内容可以使激光烧蚀过程时间最小化，并且使显示区域DA与图像捕获区域CA之间的余量最小化。此外，由于金属层ML从透光部AG完全去除而没有任何残留膜，所以本公开内容可以增加图像捕获区域CA的透射率并减少被捕获的图像的数据中的噪声。
图9至图11是示出根据本公开内容的实施方式的各种激光束点的图。
参照图9，在激光烧蚀过程中，激光束LB以穿过图像捕获区域CA的线束的形式发射。由于只有通过不存在遮光层LS的开孔OP而暴露于激光束LB的金属层ML被去除，所以允许激光束LB足够长。激光束LB的宽度Wb可以大于透光部AG的直径或最大长度，并且还可以是图像捕获区域CA的直径或最大长度或更大。
激光束LB的长度L可以大于或等于图像捕获区域CA的最大长度。以线束的形式发射到显示面板100的激光束LB在第一方向(X轴或Y轴方向)上移动的同时扫描显示面板100。激光束LB具有大的射束点，并因此不仅可以发射到图像捕获区域CA，还可以发射到显示区域DA的靠近图像捕获区域CA的一部分或整个显示区域DA。当激光束LB在第一方向上移动时，前一次射击的激光束LB与当前射击的激光束LB可以至少部分地交叠，使得任何残留的金属膜没有保留在图像捕获区域CA的透光部AG中。
在沿第一方向(X轴或Y轴方向)扫描显示面板100之后，激光束LB可以在第二方向(X轴或Y轴方向)上扫描显示面板100，以仅从透光区去除金属层ML，使得残留膜可以被完全去除。由于金属层ML是薄膜，所以金属层ML通常可以通过仅在一个方向上进行激光扫描被去除而没有任何残留膜。
参照图10，在激光烧蚀过程中，激光束LB可以被发射为具有比透光部AG以及进一步的图像捕获区域CA更大的尺寸的块束。由于以块束的形式发射的激光束LB具有大的射束点，所以激光束LB的单次射击被发射到所有的透光部AG，并且进一步被发射到整个图像捕获区域CA。块束的射束点覆盖整个图像捕获区域CA，并且因此可以通过激光束LB的单次射击来从图像捕获区域CA的所有透光部AG去除被选择的金属层例如阴极。
块束的形状、大小等由束整形器BSH确定，并且激光束LB的强度在块中是均匀的。块束可以是圆形束或四边形束，但不限于具体形状。
由于只有通过开孔OP暴露于激光束LB的金属层ML被去除，所以激光束LB可以具有大的尺寸。例如，指向显示面板100的块形激光束不仅可以发射到图像捕获区域CA，还可以发射到显示区域DA的靠近图像捕获区域CA的至少一部分或整个显示区域DA。因此，所有透光部AG的金属层ML可以仅通过激光束LB的单次射击从屏幕上去除。
参照图11，可以通过多面板工艺同时制造多个显示面板100。
在母基板MSUBS上的多个单元CELL上同时执行形成薄膜的过程。此处，一个单元是显示面板100的单个产品。单元CELL的电路层12被同时形成在母基板MSUBS上。电路层12包括使透光区暴露的遮光层LS。当从在透光区中形成的电路层12去除金属时，可以执行激光烧蚀过程。
在电路层12的制造过程中，在形成发光元件OLED的阳极之后，开始沉积发光元件层14的有机化合物层，并且在母基板MSUBS上同时形成单元CELL的发光元件层。在发光元件层14涂覆有保护膜和封装层之后，母基板MSUBS在划片过程(scribing process)中被划片轮沿着划片线切割，并且因此母基板MSUBS被分成单元CELL。在划片过程之后，在修整过程(trimming process)中通过激光切割设备修整显示面板100中的每个显示面板的轮廓。
在激光烧蚀过程中，激光束LB可以以线束或块束的形式发射到母基板MSUBS上。此处，射束点可以具有比图像捕获区域CA的透光部AG更大的尺寸。此外，射束点的大小可以完全覆盖图像捕获区域CA，或者可以更大以覆盖单位单元CELL。
下面将参照图12和图13描述根据本公开内容的实施方式的透光部布置的优点。
图12是出现干涉条纹的被捕获的图像的图片。
图13是从其去除了干涉条纹的被捕获的图像的图片。
参照图12，当在图像捕获区域中采用一般的透光部布置例如规则的透光部布置时，干涉条纹可能出现在如附图中所示的被捕获的图像中。这可能是由于规则的透光部布置导致的规则的光路差异所造成的问题。
参照图13，当透光部被随机布置时，更具体地，当使用斐波那契序列对透光部随机布置时，入射到成像模块上的外部光的光路被随机布置的透光部随机分布，使得可能不出现干涉条纹。因此，当使用根据本公开内容的实施方式的透光部布置时，重影图像(ghostimage)或干涉条纹可以被去除，因此可以提高被捕获的图像的质量。
图14是示出根据本公开内容的实施方式的显示面板和显示面板驱动器的框图。图15是示意性地示出驱动集成电路(IC)的配置的框图。
参照图14和图15，显示装置包括显示面板100(具有其上设置有像素阵列的屏幕)、显示面板驱动器等。
显示面板100的像素阵列包括：数据线DL、与数据线DL交叉的栅极线GL以及以由数据线DL和栅极线GL限定的矩阵形式布置的像素P。像素阵列还包括电力线，诸如图16中所示的VDD线PL1、Vini线PL2和VSS线PL3。
像素阵列可以被分成如图1中所示的电路层12和发光元件层14。触摸传感器阵列可以设置在发光元件层14上。如上所述，像素阵列中的像素中的每个像素可以包括两个子像素至四个子像素。子像素中的每个子像素包括设置在电路层12中的像素电路。
显示输入图像的显示面板100的屏幕包括显示区域DA和图像捕获区域CA。
显示区域DA和图像捕获区域CA中的每一个中的子像素包括像素电路。像素电路可以包括：驱动元件，其向发光元件提供电流；多个开关元件，所述多个开关元件对驱动元件的阈值电压进行采样并切换像素电路的电流路径；电容器，其维持驱动元件的栅极电压等。像素电路被设置在发光元件下方。
图像捕获区域CA包括设置在像素组之间的透光部AG和设置在图像捕获区域CA下方的成像元件模块400。在图像捕获模式中，成像元件模块400使用图像传感器对通过图像捕获区域CA入射的光进行光电转换，将从图像传感器输出的图像的像素数据转换成数字数据，并输出被捕获的图像数据。
显示面板驱动器将输入图像的像素数据写入像素P。像素P可以被理解为包括多个子像素的像素组。
显示面板驱动器包括数据驱动器306和栅极驱动器120，该数据驱动器306向数据线DL提供像素数据的数据电压，该栅极驱动器120依次向栅极线GL提供栅极脉冲。数据驱动器306可以集成到驱动IC 300中。显示面板驱动器还可以包括触摸传感器驱动器。
驱动IC 300可以粘附到显示面板100上。驱动IC 300从主系统200接收输入图像的像素数据和定时信号，向像素P提供像素数据的数据电压，并使数据驱动器306和栅极驱动器120彼此同步。
驱动IC 300通过数据输出通道连接到数据线DL，并将像素数据的数据电压提供给数据线DL。驱动IC 300可以通过栅极定时信号输出通道输出用于控制栅极驱动器120的栅极定时信号。由定时控制器303生成的栅极定时信号可以包括栅极起始脉冲GVST、栅极移位时钟GCLK等。栅极起始脉冲GVST和栅极移位时钟GCLK在栅极导通电压VGL与栅极截止电压VGH之间摆动。从电平移位器(level shifter)307输出的栅极定时信号GVST和GCLK被施加到栅极驱动器120，并控制栅极驱动器120的移位操作。
栅极驱动器120可以包括与像素阵列一起形成在显示面板100的电路层12中的移位寄存器。栅极驱动器120的移位寄存器在定时控制器303的控制下顺序地向栅极线GL提供栅极信号。栅极信号可以包括发光信号的电磁(EM)脉冲和扫描脉冲。移位寄存器可以包括输出扫描脉冲的扫描驱动器和输出EM脉冲的EM驱动器。在图15中，GVST和GCLK指示输入到扫描驱动器的栅极定时信号。EVST和ECLK指示输入到EM驱动器的栅极定时信号。
驱动IC 300可以连接到主系统200、第一存储器301和显示面板100。驱动IC 300可以包括数据接收和计算部分308、定时控制器303、数据驱动器306、伽马补偿电压生成器305、电源304、第二存储器302等。
数据接收和计算部分308包括：接收器，其从主系统200接收作为数字信号输入的像素数据；以及数据计算部分，其对通过接收器输入的像素数据进行处理以提高图像质量。数据计算部分可以包括：数据恢复部分(其通过对压缩的像素数据进行解码来恢复像素数据)、光学补偿器(其向像素数据添加预设光学补偿值)等。光学补偿值可以被设置为用于基于屏幕亮度来校正每条像素数据的亮度的值，屏幕亮度基于在制造过程中捕获的相机图像而测量。
定时控制器303将从主系统200接收的输入图像的像素数据提供给数据驱动器306。定时控制器303通过生成用于控制栅极驱动器120的栅极定时信号和用于控制数据驱动器306的源极定时信号来控制栅极驱动器120和数据驱动器306的操作定时。
数据驱动器306通过数模转换器(DAC)将包括从定时控制器303接收的像素数据的数字数据转换成伽马补偿电压，并输出数据电压。从数据驱动器306输出的数据电压通过连接到驱动IC 300的数据通道的输出缓冲器而被提供给像素阵列的数据线DL。
伽马补偿电压生成器305通过分压电路对来自电源304的伽马参考电压进行分压来生成特定灰度的伽马补偿电压。伽马补偿电压是根据像素数据的灰度级设置的模拟电压。从伽马补偿电压生成器305输出的伽马补偿电压被提供给数据驱动器306。
电源304使用DC(直流)-DC转换器生成用于驱动显示面板100的像素阵列、栅极驱动器120和驱动IC 300所需的电力。DC-DC转换器可以包括电荷泵、调节器、降压转换器(buck converter)、升压转换器等。电源304可以通过调节来自主系统200的DC输入电压来生成DC电力，诸如伽马参考电压、栅极导通电压VGL、栅极截止电压VGH、像素驱动电压VDD、低电位电力电压VSS和初始化电压Vini。伽马参考电压被提供给伽马补偿电压生成器305。栅极导通电压VGL和栅极截止电压VGH被提供给电平移位器307和栅极驱动器120。诸如像素驱动电压VDD、低电位电力电压VSS和初始化电压Vini的像素电力被共同提供给像素P。初始化电压Vini被设置为低于像素驱动电压VDD和发光元件OLED的阈值电压的DC电压，对像素电路的主节点初始化，并且抑制发光元件OLED的光发射。
当电力被输入到驱动IC 300时，第二存储器302存储从第一存储器301接收的补偿值、寄存器设置数据等。补偿值可以应用于各种算法以提高图像质量。补偿值可以包括光学补偿值。寄存器设置数据定义了数据驱动器306、定时控制器303、伽马补偿电压生成器305等的操作。第一存储器301可以包括快闪存储器。第二存储器302可以包括静态随机存取存储器(SRAM)。
主系统200可以被实现为应用处理器(AP)。主系统200可以通过移动工业处理器接口(MIPI)将输入图像的像素数据发送到驱动IC 300。主系统200可以通过例如柔性印刷电路(FPC)连接到驱动IC 300。
同时，显示面板100可以实现为适用于柔性显示器的柔性面板。柔性显示器的屏幕大小可以通过卷曲、折叠或弯曲柔性面板来改变，并且柔性显示器可以以各种设计容易地制造。柔性显示器可以实现为可卷曲显示器、可折叠显示器、可弯曲显示器、可滑动显示器等。柔性面板可以被制造成所谓的“塑料OLED面板”。塑料OLED面板可以包括背板和接合到该背板上的有机薄膜上的像素阵列。触摸传感器阵列可以形成在像素阵列上。
背板可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板。像素阵列和触摸传感器阵列可以形成在有机薄膜上。背板可以防止水分渗透到有机薄膜中，使得像素阵列可以不暴露于水分。有机薄膜可以是聚酰亚胺(PI)基板。多层缓冲膜可以由有机薄膜上的绝缘材料制成。电路层12和发光元件层14可以堆叠在有机薄膜上。
在本公开内容的显示装置中，设置在电路层12中的像素电路、栅极驱动器120等可以包括多个晶体管。晶体管可以实现为包括氧化物半导体的氧化物TFT、包括低温多晶硅(LTPS)的LTPS TFT等。晶体管中的每个晶体管可以实现为p沟道TFT或n沟道TFT。在实施方式中，主要描述了像素电路的晶体管被实现为p沟道TFT的示例，但是本公开内容不限于此。
晶体管是包括栅极、源极和漏极的三电极元件。源极是通过其将载流子提供给晶体管的电极。在晶体管中，载流子开始从源极流出。漏极是通过其载流子移出晶体管的电极。在晶体管中，载流子从源极流向漏极。在n沟道晶体管的情况下，载流子是电子，因此源极电压低于漏极电压。在n沟道晶体管中，电流从源极流向漏极。在p沟道晶体管(p沟道金属氧化物半导体(PMOS))的情况下，载流子是空穴，因此源极电压高于漏极电压，使得空穴可以从源极流到漏极。由于p沟道晶体管中空穴从源极流向漏极，因此电流从源极流向漏极。应当注意，晶体管的源极和漏极不是固定的。例如，源极和漏极可以根据施加的电压而改变。因此，本公开内容不受晶体管的源极和漏极的限制。在下面的描述中，晶体管的源极和漏极将被称为第一电极和第二电极。
栅极脉冲在栅极导通电压与栅极截止电压之间摆动。栅极导通电压被设置为比晶体管的阈值电压高的值，而栅极截止电压被设置为比晶体管的阈值电压低的值。晶体管响应于栅极导通电压而导通，以及响应于栅极截止电压而截止。在n沟道晶体管的情况下，栅极导通电压可以是栅极高电压VGH，并且栅极截止电压可以是栅极低电压VGL。在p沟道晶体管的情况下，栅极导通电压可以是栅极低电压VGL，并且栅极截止电压可以是栅极高电压VGH。
像素电路的驱动元件可以被实现为晶体管。所有像素的驱动元件应当具有相同的电气特性。然而，所有像素的驱动元件的电气特性可能由于工艺偏差或元件特性偏差而彼此不同，并且可能随着显示器操作时间而变化。为了补偿驱动元件的这样的电气特性偏差，显示装置可以包括内部补偿电路和外部补偿电路。内部补偿电路被添加到每个子像素中的像素电路，以对驱动元件的根据驱动元件的电气特性而变化的阈值电压Vth和/或迁移率μ进行采样，并实时补偿阈值电压Vth和/或迁移率μ的变化。外部补偿电路将通过连接到每个子像素的感测线感测的驱动元件的阈值电压和/或迁移率发送到外部补偿器。外部补偿电路的补偿器对输入图像的像素数据进行调制以反映感测结果，从而补偿驱动元件的电气特性。外部补偿电路感测根据驱动元件的电气特性变化的像素的电压，并基于感测到的电压调制输入图像的数据，使得像素的驱动元件的电气特性偏差可以被补偿。
图16和图17是示出对其应用内部补偿电路的像素电路CPIX的示例的电路图。图18是示出图16和图17中所示的像素电路的操作方法的定时图。应当注意，本公开内容的像素电路不限于图16和图17。图16和图17所示的像素电路可以共同应用于图像捕获区域CA和显示区域DA的像素电路。适用于本公开内容的像素电路可以实现为图16和图17所示的电路，但不限于此。
参照图16至图18，像素电路包括：发光元件；驱动元件DT，其向发光元件提供电流；以及内部补偿电路，其使用多个开关元件M1至M6对驱动元件DT的阈值电压Vth进行采样并通过驱动元件DT的阈值电压Vth来补偿驱动元件DT的栅极电压。驱动元件DT和开关元件M1至M6中的每一个可以实现为p沟道TFT。
如图18中所示，采用内部补偿电路的像素电路的操作时段可以分为初始化时段Tini、采样时段Tsam、数据写入时段Twr和发射时段Tem。
在初始化时段Tini期间，生成第(N-1)个扫描信号SCAN(N-1)作为栅极导通电压VGL的脉冲，并且第N个扫描信号SCAN(N)和发射信号EM(N)中的每一个的电压是栅极截止电压VGH。在采样时段Tsam期间，生成第N个扫描信号SCAN(N)作为栅极导通电压VGL的脉冲，并且第(N-1)个扫描信号SCAN(N-1)和发射信号EM(N)中的每一个的电压是栅极截止电压VGH。在数据写入时段Twr期间，第(N-1)个扫描信号SCAN(N-1)、第N个扫描信号SCAN(N)和发射信号EM(N)中的每一个的电压是栅极截止电压VGH。在发射时段Tem的至少一部分期间，发射信号EM(N)在栅极导通电压VGL处生成，并且第(N-1)个扫描信号SCAN(N-1)和第N个扫描信号SCAN(N)中的每一个的电压在栅极截止电压VGH处生成。
在初始化时段Tini期间，第五开关元件M5根据第(N-1)个扫描信号SCAN(N-1)的栅极导通电压VGL导通，以对像素电路初始化。在采样时段Tsam期间，第一开关元件M1和第二开关元件M2根据第N个扫描信号SCAN(N)的栅极导通电压VGL导通，并且因此驱动元件DT的阈值电压被采样并存储在电容器Cst1中。此外，第六开关元件M6在采样时段Tsam期间导通，并且因此第四节点n4的电压降低到参考电压Vref，使得可以抑制发光元件的光发射。在数据写入时段Twr期间，第一开关元件M1至第六开关元件M6保持在它们的截止状态。在发射时段Tem期间，第三开关元件M3和第四开关元件M4导通，使得发光元件发射光。在发射时段Tem期间，为了用发射信号EM(N)的占空比精确地表示低灰度级的亮度，发射信号EM(N)以一定的占空比在栅极导通电压VGL与栅极截止电压VGH之间摆动，使得第三开关元件M3和第四开关元件M4可以重复地导通和截止。
发光元件可以实现为OLED或无机发光二极管。下面将描述发光元件被实现为OLED的示例。
发光元件(OLED)可以包括形成在阳极与阴极之间的有机化合物层。有机化合物层可以包括HIL、HTL、EML、ETL和EIL，但不限于此。当电压被施加到OLED的阳极和阴极时，穿过HTL的空穴和穿过ETL的电子被移动到EML并形成激子，使得可见光从EML发射。
发光元件OLED的阳极被连接到第四开关元件M4与第六开关元件M6之间的第四节点n4。第四节点n4被连接到发光元件OLED的阳极、第四开关元件M4的第二电极以及第六开关元件M6的第二电极。发光元件OLED的阴极被连接到施加有低电位电力电压VSS的VSS线PL3。发光元件OLED通过根据驱动元件DT的栅极-源极电压Vgs流动的电流Ids来发射光。发光元件OLED的电流路径由第三开关元件M3和第四开关元件M4切换。
存储电容器Cst1被连接在VDD线PL1与第一节点n1之间。存储电容器Cst1由数据电压Vdata充电，该数据电压Vdata由驱动元件DT的阈值电压Vth补偿。由于数据电压Vdata由每个子像素中的驱动元件DT的阈值电压Vth补偿，因此子像素中的驱动元件DT的特性偏差被校正。
第一开关元件M1响应于第N个扫描脉冲SCAN(N)的栅极导通电压VGL而导通，并且连接第二节点n2和第三节点n3。第二节点n2连接到驱动元件DT的栅极电极、存储电容器Cst1的第一电极以及第一开关元件M1的第一电极。第三节点n3连接到驱动元件DT的第二电极、第一开关元件M1的第二电极以及第四开关元件M4的第一电极。第一开关元件M1的栅极电极连接到第一栅极线GL1，并被提供第N个扫描脉冲SCAN(N)。第一开关元件M1的第一电极连接到第二节点n2，并且第一开关元件M1的第二电极连接到第三节点n3。
在一个帧时段期间，第一开关元件M1仅导通非常短的一个水平时段(1H)并因此维持在其截止状态中达几乎一个帧时段，在所述一个水平时段(1H)中，在栅极导通电压VGL处生成第N个扫描信号SCAN(N)。因此，在第一开关元件M1的截止状态下，可能出现漏电流。如图17所示，为了抑制第一开关元件M1的漏电流，第一开关元件M1可以实现为具有双栅极结构的晶体管，在双栅极结构中，两个晶体管M1a和M1b串联连接。
第二开关元件M2响应于第N个扫描脉冲SCAN(N)的栅极导通电压VGL而导通，并将数据电压Vdata提供给第一节点n1。第二开关元件M2的栅极电极被连接到第一栅极线GL1，并被提供第N个扫描脉冲SCAN(N)。第二开关元件M2的第一电极被连接到第一节点n1。第二开关元件M2的第二电极被连接到施加有数据电压Vdata的数据线DL。第一节点n1被连接到第二开关元件M2的第一电极、第三开关元件M3的第二电极和驱动元件DT的第一电极。
第三开关元件M3响应于发射信号EM(N)的栅极导通电压VGL而导通，并将VDD线PL1连接到第一节点n1。第三开关元件M3的栅极电极被连接到第三栅极线GL3，并被提供发射信号EM(N)。第三开关元件M3的第一电极被连接到VDD线PL1。第三开关元件M3的第二电极被连接到第一节点n1。
第四开关元件M4响应于发射信号EM(N)的栅极导通电压VGL而导通，并将第三节点n3连接到发光元件(OLED)的阳极。第四开关元件M4的栅极电极被连接到第三栅极线GL3，并被提供发射信号EM(N)。第四开关元件M4的第一电极被连接到第三节点n3，并且第二电极被连接到第四节点n4。
第五开关元件M5响应于第(N-1)个扫描脉冲SCAN(N-1)的栅极导通电压VGL而导通，并将第二节点n2连接到Vini线PL2。第五开关元件M5的栅极电极被连接到第二栅极线GL2，并被提供第(N-1)个扫描脉冲SCAN(N-1)。第五开关元件M5的第一电极被连接到第二节点n2，并且第二电极被连接到Vini线PL2。如图17所示，为了抑制第五开关元件M5的漏电流，第五开关元件M5可以实现为具有双栅极结构的晶体管，在双栅极结构中，两个晶体管M5a和M5b串联连接。
第六开关元件M6响应于第N个扫描脉冲SCAN(N)的栅极导通电压VGL而导通，并将Vini线PL2连接到第四节点n4。第六开关元件M6的栅极电极被连接到第一栅极线GL1，并被提供第N个扫描脉冲SCAN(N)。第六开关元件M6的第一电极被连接到Vini线PL2，并且第二电极被连接到第四节点n4。
驱动元件DT通过根据栅极-源极电压Vgs调节流向发光元件OLED的电流Ids来驱动发光元件OLED。驱动元件DT包括连接到第二节点n2的栅极、连接到第一节点n1的第一电极以及连接到第三节点n3的第二电极。
在初始化时段Tini期间，在栅极导通电压VGL处生成第(N-1)个扫描脉冲SCAN(N-1)。第N个扫描脉冲SCAN(N)和发射信号EM(N)在初始化时段Tini期间维持在栅极截止电压VGH。因此，在初始化时段Tini期间，第五开关元件M5导通，并且第二节点n2和第四节点n4被初始化为初始化电压Vini。可以在初始化时段Tini与采样时段Tsam之间设置保持时段Th。在保持时段Th期间，栅极脉冲SCAN(N-1)、SCAN(N)和EM(N)维持在它们先前的状态。
在采样时段Tsam期间，在栅极导通电压VGL处生成第N个扫描脉冲SCAN(N)。第N个扫描脉冲SCAN(N)与第N条像素线的数据电压Vdata同步。第(N-1)个扫描脉冲SCAN(N-1)和发射信号EM(N)在采样时段Tsam期间维持在栅极截止电压VGH。因此，在采样时段Tsam期间，第一开关元件M1和第二开关元件M2导通。
在采样时段Tsam期间，驱动元件DT的栅极电压DTG通过流经第一开关元件M1和第二开关元件M2的电流而增加。当驱动元件DT截止时，栅极电压DTG等于Vdata–|Vth|。在这种情况下，第一节点n1的电压也等于Vdata–|Vth|。在采样时段Tsam期间，驱动元件DT的栅极-源极电压Vgs对应于|Vgs|＝Vdata–(Vdata–|Vth|)＝|Vth|。
在数据写入时段Twr期间，第N个扫描脉冲SCAN(N)被反转为栅极截止电压VGH。第(N-1)个扫描脉冲SCAN(N-1)和发射信号EM(N)在数据写入时段Twr期间维持在栅极截止电压VGH。因此，在数据写入时段Twr期间，所有开关元件M1至M6维持在它们的截止状态。
在发射时段Tem期间，发射信号EM(N)可以在栅极导通电压VGL处生成。在发射时段Tem期间，为了提高表示低灰度级的能力，发射信号EM(N)可以以一定的占空比被导通和截止，从而在栅极导通电压VGL与栅极截止电压VGH之间摆动。在发射时段Tem的至少一部分期间，发射信号EM(N)可以在栅极导通电压VGL处生成。
当发射信号EM(N)处于栅极导通电压VGL时，电流可以在VDD与发光元件(OLED)之间流动，使得发光元件(OLED)可以发射光。在发射时段Tem期间，第(N-1)个扫描脉冲SCAN(N-1)和第N个扫描脉冲SCAN(N)维持在栅极截止电压VGH。在发射时段Tem期间，第三开关元件M3和第四开关元件M4根据发射信号EM(N)的电压重复地导通和截止。当发射信号EM(N)处于栅极导通电压VGL时，第三开关元件M3和第四开关元件M4导通，使得电流流向发光元件(OLED)。在这种情况下，驱动元件DT的栅极-源极电压Vgs对应于|Vgs|＝VDD–(Vdata–|Vth|)，并且流向发光元件(OLED)的电流等于K(VDD–Vdata)2。K是由驱动元件DT的电荷迁移率、寄生电容、沟道容量等确定的常数。
图19是详细示出根据本公开内容的实施方式的显示面板中的像素区的结构的截面视图。应当注意，显示面板100的截面结构不限于图19。在图19中，TFT代表像素电路的驱动元件DT。
参照图19，电路层12、发光元件层14等可以堆叠在基板PI1和PI2上。基板PI1和PI2可以包括第一PI基板PI1和第二PI基板PI2。无机膜IPD可以形成在第一PI基板PI1与第二PI基板PI2之间。无机膜IPD防止水分渗透。
第一缓冲层BUF1可以形成在第二PI基板PI2上。第一缓冲层BUF1可以形成为多层绝缘膜，在该多层绝缘膜中堆叠有两层或更多层氧化物(SiO2)和氮化物(SINx)膜。第一金属层可以形成在第一缓冲层BUF1上，并且第二缓冲层BUF2可以形成在第一金属层上。第一金属层在光刻工艺中被图案化。第一金属层可以包括遮光图案BSM。遮光图案BSM阻挡外部光，使得TFT的有源层没有被照射，从而防止形成在像素区中的TFT的光电流。当遮光图案BSM由相对于在激光烧蚀过程中使用的激光波长具有比要从图像捕获区域CA移除的金属层ML低的吸收系数的金属制成时，遮光图案BSM也可以用作在激光烧蚀过程中阻挡激光束LB的遮光层LS。
第一缓冲层BUF1和第二缓冲层BUF2中的每一个可以由无机绝缘材料制成，并且可以包括一个或更多个绝缘层。
有源层ACT可以由沉积在第二缓冲层BUF2上并在光刻工艺中被图案化的半导体材料制成。有源层ACT包括栅极驱动器中的TFT和像素电路中的TFT的有源图案。有源层ACT的一部分可以通过离子掺杂而被金属化。被金属化的部分可以用作连接像素电路中的一些节点处的金属层的跳线(jumper)图案，并且可以连接像素电路的元件。
栅极绝缘层GI可以形成在第二缓冲层BUF2上以覆盖有源层ACT。栅极绝缘层GI可以由无机绝缘材料制成。第二金属层可以形成在栅极绝缘层GI上。第二金属层可以在光刻工艺中被图案化。第二金属层可以包括栅极线和栅极电极图案GATE、存储电容器Cst1的下电极、连接第一金属层的图案和第三金属层的图案的跳线图案等。
第一层间绝缘层ILD1可以形成在栅极绝缘层GI上以覆盖第二金属层。第三金属层可以形成在第一层间绝缘层ILD1上，并且第二层间绝缘层ILD2可以覆盖第三金属层。第三金属层可以在光刻工艺中被图案化。第三金属层可以包括金属图案TM，诸如存储电容器Cst1的上电极。第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2可以包括无机绝缘材料。
第四金属层可以形成在第二层间绝缘层ILD2上，并且无机绝缘层PAS1和第一平坦化层PLN1可以堆叠在第四金属层上。第五金属层可以形成在第一平坦化层PLN1上。
第四金属层的部分图案可以通过穿过第一平坦化层PLN1和无机绝缘层PAS1的接触孔连接到第三金属层。第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2可以由使表面平坦化的有机绝缘材料制成。
第四金属层可以包括TFT的第一电极和第二电极，所述TFT的第一电极和第二电极通过穿过第二层间绝缘层ILD2的接触孔连接到TFT的有源图案。数据线DL和电力线PL1、PL2和PL3可以使用第四金属层的图案SD1和第五金属层的图案SD2来实现。
发光元件(OLED)的阳极AND可以形成在第二平坦化层PLN2上。阳极AND可以通过穿过第二平坦化层PLN2的接触孔连接到用作开关元件或驱动元件的TFT的电极。阳极AND可以由透明或半透明的电极材料制成。
像素限定膜BNK可以覆盖发光元件OLED的阳极AND。像素限定膜BNK形成为限定发光区(或开孔区)的图案，光在像素中的每个像素中从外部穿过该发光区(或开孔区)。间隔体SPC可以形成在像素限定膜BNK上。像素限定膜BNK和间隔体SPC可以由相同的有机绝缘材料制成，以彼此集成。间隔体SPC确保了精细金属掩模(FMM)与阳极AND之间的间隙，使得在有机化合物(电致发光(EL))沉积工艺中，FMM可以不与阳极AND接触。
在由像素限定膜BNK限定的像素中的每个像素的发光区域中形成有机化合物EL。发光元件OLED的阴极CAT被形成在显示面板100的整个表面上，以覆盖像素限定膜BNK、间隔体SPC和有机化合物EL。阴极CAT可以连接到使用其下的金属层中的任意一个金属层形成的VSS线PL3。封顶层CPL可以覆盖阴极CAT。封顶层CPL由无机绝缘材料制成，并且通过防止空气渗透和从施加到封顶层CPL的有机绝缘材料除气(outgass)来保护阴极CAT。无机绝缘层PAS2可以覆盖封顶层CPL，并且平坦化层PCL可以形成在无机绝缘层PAS2上。平坦化层PCL可以包括有机绝缘材料。封装层的无机绝缘层PAS3可以形成在平坦化层PCL上。
图20和图21是示出根据本公开内容的各种实施方式的显示面板的结构中的像素区的遮光层LS和图像捕获区域CA的透光部AG的截面视图。在图20和图21中，与图19中所示的元件基本相同的元件由相同的附图标记指示，并且将省略其详细描述或可能简要提供其描述。
参照图20，在激光烧蚀过程中，遮光层LS保护显示区域DA和图像捕获区域CA中的像素区PIX免受发射到显示面板100的激光束LB的影响。
从透光部AG的区域中去除遮光层LS，以限定使透光部暴露于激光束LB的开孔OP。在激光烧蚀过程中生成的激光束LB通过遮光层LS的开孔OP去除要去除的金属层例如透光区的阴极材料。遮光层LS可以设置在像素区PIX中的TFT下方，以防止TFT的光电流。在这种情况下，遮光层LS应当由相对于激光束LB的波长具有比要去除的金属层低的吸收系数的金属制成。当要去除的金属层是Mg-Ag合金的阴极材料时，遮光层LS可以由相对于波长为1064nm的激光束LB具有比Mg低的吸收系数的Mo制成。由于Mo是具有低吸收系数的金属，所以可以通过反射外部光来防止TFT的光电流。
图20中所示的遮光层LS设置在像素区PIX中的TFT下方的第一缓冲层BUF1与第二缓冲层BUF2之间。
图21所示的遮光层LS是由a-Si制成的示例。由于a-Si相对于波长为1064nm的激光束LB具有比Mg低的吸收系数，因此可以保护a-Si上的金属层免受用于在激光烧蚀过程中去除Mg和Ag的激光束LB的影响。在这种情况下，遮光层LS不能阻挡影响像素区PIX中的TFT的外部光，并且因此可以向像素区PIX添加另外的遮光图案BSM。图21中所示的遮光层LS被设置在像素区PIX中的TFT下方的无机绝缘层BUF2与无机绝缘层BUF3之间。在图21中，第二缓冲层BUF2是像素区PIX中形成在遮光层LS与遮光图案BSM之间的无机绝缘层。第三缓冲层BUF3是像素区PIX中形成在遮光层LS与有源层ACT之间的无机绝缘层。
像素区PIX中的所有金属层从透光部AG移除。因此，在透光部AG中可以仅存在透明绝缘层。
图22是示出能够从图像捕获区域的透光部移除的绝缘层的示例的截面视图。
参照图22，PI基板PI1和PI2中的任何一个可以从透光部AG移除。可以从透光部AG去除无机绝缘层BUF1、BUF2、GI、ILD1、ILD2和PAS1中的一个或更多个，并且可以进一步去除有源层ACT、像素限定膜BNK和间隔体SPC中的一个或更多个。由于从透光部AG去除绝缘层而凹陷的部分可以用第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2填充。
图23是根据本公开内容的示例的示出布置在图像捕获区域中的多个传感器模块的示例的图。
如图23所示，多个传感器模块可以设置在图像捕获区域CA中。例如，红外传感器模块可以与成像元件模块400一起另外地设置在图像捕获区域CA中。另一传感器诸如照度传感器或接近传感器可以另外设置在图像捕获区域CA中。像素可以与成像元件模块400的光接收表面401和红外传感器模块的光接收表面402中的透光部AG一起以高PPI布置。由于在图像捕获区域CA中的薄膜处红外波长的透射率高于可见光波长的透射率，所以红外传感器模块的光接收表面402中的透光部AG的数目和/或尺寸可以小于成像元件模块400的光接收表面中的透光部AG的数目和/或尺寸，或者透光部AG可以不存在于红外传感器模块的光接收表面402中。同时，红外传感器模块可以感测红外光，并且可以用于面部识别。
遮光层LS可以根据图像捕获区域CA中的区域由多种不同的材料制成。例如，如图22所示，当红外传感器模块以及成像元件模块400被设置在图像捕获区域CA中时，设置有成像元件模块400的区域的遮光层LS可以具有比设置有红外传感器模块的区域的遮光层LS高的透射率。遮光层LS的透射率可以根据遮光层LS的区域中设置的电子模块的种类而变化。例如，a-Si可以用作红外传感器模块的光接收表面402中的遮光层LS，并且Mo可以用作成像元件模块400的光接收表面401中的遮光层LS。
虽然上面已经参照附图详细描述了本公开内容的实施方式，但是本公开内容不限于这些实施方式，并且在不偏离本公开内容的技术精神的情况下，可以进行各种改变和修改。因此，本文中公开的实施方式被认为是描述性的，而不是对本公开内容的技术精神的限制，并且本公开内容的技术精神的范围不受实施方式的限制。因此，应当理解，本文中阐述的实施方式在所有方面都是说明性的，而不是限制性的。本公开内容的范围应当根据权利要求来解释，并且其等同物的所有技术精神应当被解释为落入本公开内容的范围内。

Claims (20)

1.一种显示面板，包括：
显示区域，其包括第一像素区，在所述第一像素区中设置有多个像素；以及
图像捕获区域，其包括：第二像素区，在所述第二像素区中设置有多个像素组；以及多个透光部，其设置在所述像素组之间，
其中，所述透光部沿着从所述图像捕获区域的中心向外螺旋延伸的虚拟螺旋参考线设置，并且
所述透光部的尺寸随着距所述图像捕获区域的中心的距离增加而增加。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述虚拟螺旋参考线包括斐波那契螺旋。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述透光部中的每一个呈圆形形状或椭圆形形状。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一像素区和所述第二像素区中的每一个包括：
遮光层；以及
金属层，所述金属层相对于激光束的特定波长具有比所述遮光层高的吸收系数，
其中，所述遮光层包括金属膜或无机膜，并且所述遮光层从所述图像捕获区域中的透光区移除，以使所述透光部暴露，并且
从所述图像捕获区域中的所述透光区去除所述金属层，以使所述透光部暴露。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述透光部中的至少一个包括与所述像素组交叠的交叠区，并且
所述遮光层没有从所述交叠区移除。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述透光部中的至少一些包括与所述像素组交叠的交叠区，并且
所述金属层没有从所述交叠区移除。
7.根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述遮光层包括钼Mo或非晶硅a-Si，并且
所述金属层包括镁Mg。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述第一像素区和所述第二像素区包括：
基板上的电路层；以及
所述电路层上的发光元件层，并且
所述遮光层设置在所述电路层中。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述电路层包括连接到所述发光元件层的发光元件的晶体管，并且
所述遮光层被设置在所述晶体管下方的无机绝缘层之间。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述显示区域和所述图像捕获区域的像素区中的每一个还包括设置在所述遮光层与所述晶体管之间的遮光图案，并且
所述遮光图案包括金属。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一像素区具有比所述第二像素区高的每英寸像素PPI。
12.一种显示装置，包括：
显示面板，其包括：显示区域，其包括第一像素区，在所述第一像素区中设置有多个像素；以及图像捕获区域，其包括：第二像素区，在所述第二像素区中设置有多个像素组；以及多个透光部，其设置在所述像素组之间；
盖玻璃，其被配置成覆盖所述显示面板；以及
成像元件模块，其设置在所述显示面板下方并与所述图像捕获区域相对，
其中，所述透光部沿着从所述图像捕获区域的中心向外螺旋延伸的虚拟螺旋参考线设置，并且
所述透光部的尺寸随着距所述图像捕获区域的中心的距离增加而增加。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述虚拟螺旋参考线包括斐波那契螺旋。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述透光部中的每一个呈圆形形状或椭圆形形状。
15.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一像素区和所述第二像素区中的每一个包括：
遮光层；以及
金属层，所述金属层相对于激光束的特定波长具有比所述遮光层高的吸收系数，
其中，所述遮光层包括金属膜或无机膜，并且所述遮光层从所述图像捕获区域中的透光区移除，以使所述透光部暴露，并且
从所述图像捕获区域中的所述透光区去除所述金属层，以使所述透光部暴露。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述透光部中的至少一个包括与所述像素组交叠的交叠区，并且
所述遮光层和所述金属层没有从所述交叠区移除。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第一像素区和所述第二像素区包括：
基板上的电路层；以及
所述电路层上的发光元件层，并且
所述遮光层设置在所述电路层中。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述电路层包括连接到所述发光元件层的发光元件的晶体管，并且
所述遮光层被设置在所述晶体管下方的无机绝缘层之间。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述显示区域和所述图像捕获区域的像素区中的每一个还包括设置在所述遮光层与所述晶体管之间的遮光图案，并且
所述遮光图案包括金属。
20.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一像素区具有比所述第二像素区高的每英寸像素PPI。
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