CN114388273B - 一种花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料的制备方法及其应用 - Google Patents

一种花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料的制备方法及其应用 Download PDF

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Abstract

本发明属于纳米光电材料技术领域，公开了一种花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料的制备方法及其应用。该制备方法包括如下步骤：(1)含有吲哚‑5‑甲醛的乙腈溶液的制备；(2)P5FIn/ITO电极复合材料的制备；(3)花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料的制备：将所述P5FIn/ITO电极复合材料放入所述花青素溶液中浸泡，最终得到花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料。本发明制备的花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料具有良好光电性能；花青素敏化的P5FIn/ITO复合材料具有较高的氧化还原活性和电化学稳定性。

Description

一种花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料的制备方法及其 应用
技术领域
本发明涉及纳米光电材料技术领域，特别涉及一种花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料的制备方法及其应用。
背景技术
光电活性材料是光电化学(PEC)传感的重要要素之一，其光电转换效率直接反应光电流的大小，对传感器的灵敏度有重要影响。目前用于PEC分析的光电材料主要集中于无机半导体材料，包括金属氧化物及CdS、CdTe等量子点，但这些材料具有禁带宽度大、电子-空穴复合率高、光稳定性差等缺点；另一类为有机分子材料，主要包括卟啉类、酞菁类等有机染料，有机金属配合物和导电聚合物，有机染料和有机金属配合物具有稳定性好的优点，但光电转化效率低，而导电聚合物由于具有较高的载流子迁移率、稳定性好、光电性能可控等优点越来越受到研究者的关注。
国内外一些课题组报道了一些将导电聚合物应用于PEC传感器的研究，主要集中于聚芳香杂环化合物方面。聚芳香杂环化合物在导电聚合物的研究中有重要研究价值，其中含氮杂环导电聚合物，如聚咔唑、聚吡咯、聚吲哚等在电池领域有着广泛应用。吲哚由吡咯环和苯环构成，同时具备聚吡咯、聚苯两种结构的性质。聚(5-醛基吲哚)(P5FIn)是一种容易通过电化学聚合方法获得的p型有机导电聚合物材料，具有很好的物理稳定性，具有窄带隙(约2.5eV)的P5FIn在可见光激发下可以产生良好的光电流响应；然而这类材料还存在着光电活性相对较低，光吸收较弱的问题，使其光电转化效率相对较低。另一方面，现有光电活性复合材料的氧化还原活能力不能满足需求，不利于光电活性材料充分发挥其光电性能，现有电化学稳定性较差使光电活性材料应用于传感器时导致传感器稳定性较差，复合材料仍然存在电阻过高的技术问题，从而影响电子的传导效率，进而影响材料的光电性能。因此，设计合成具有良好光电性能的电极材料对于PEC生物传感器的发展至关重要。
发明内容
为了解决现有技术中光电活性复合材料光吸收较弱使其光电转化效率相对较低、光电活性复合材料的氧化还原活性和电化学稳定性不能满足需求以及复合材料仍然存在电阻过高等技术问题，本发明提供了一种花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料的制备方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：
一种花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)乙腈溶液的制备
将吲哚-5-甲醛、四丁基四氟硼酸胺溶于乙腈中，制得含有吲哚-5-甲醛的乙腈溶液，乙腈溶液吲哚-5-甲醛的质量浓度为0.05mol/L；电解液四丁基四氟硼酸胺的摩尔浓度范围为0.1mol/L；
(2)P5FIn/ITO电极复合材料的制备
将配置好的乙腈溶液置入ITO导电玻璃电极作为工作电极、Pt作为对电极、Ag/Agcl作为参比电极的电化学反应装置中，在ITO导电玻璃修饰电极上电化学沉积聚5-醛基-吲哚层，得到沉积有聚5-醛基-吲哚层的ITO，即P5FIn/ITO电极复合材料；
(3)花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料的制备
取花青素溶于水中并混匀，得到制备好的花青素溶液，花青素溶液的摩尔浓度为0.1-0.5mol/L；将所述P5FIn/ITO电极复合材料放入所述花青素溶液中浸泡，最终得到花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料。
进一步的，电化学反应装置中的电极体系的制备方法如下：
将符合尺寸规格的导电玻璃ITO依次使用水和无水乙醇超声清洗，并于室温下进行干燥得到处理好的ITO导电玻璃，作为工作电极；
铂丝在燃烧的酒精灯上烧熔融，冷却得到的Pt作为对电极；
Ag丝在盐酸溶液中经恒电位电解后，表面形成AgCl附着层，将得到的Ag/Agcl作为参比电极；具体的，本发明采用电解法在银表面制备氯化银薄膜，步骤为：对银丝进行表面预处理，包括去除表面硫化物、除油、活化和清洗等处理；以铂丝与电源负极连接，处理好的银丝与电源正极连接；把银丝与铂电极至于配置好的HCl溶液中，通直流电150s，氯化过程不断摇动银丝；电解氯化结束后，银丝表面形成灰色致密的AgCl附着膜层，均匀无明显斑点即可。
进一步的，步骤(2)中，电化学沉积的方法可以采用常用的循环伏安法、恒电流法、恒电位法、阶跃电位法、阶跃电流法等。
进一步的，步骤(2)中，电沉积的电位范围为1.35-2.0V；沉积时间为60-80s。
进一步的，步骤(2)得到的P5FIn/ITO电极复合材料晾干后置于0-4℃冷藏，并采用磷酸盐缓冲溶液PBS和水清洗，最后置于室温下干燥。
进一步的，步骤(3)中，所述P5FIn/ITO电极复合材料放入所述花青素溶液中浸泡时间为8-12h，浸泡后取出晾干，得到花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料。
本发明的另一发明目的是提供一种花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料，所述P5FIn/ITO纳米复合材料是采用上述制备方法得到的。
其次，本发明还提供了上述花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料在制备光电活性材料中的应用。
花青素是一种具有3-羟基色原烯结构的黄酮类化合物，是一种水溶性的植物色素，花青素分子中高度共轭，有多重互变异构形式。花青素具有来源广泛、制备方法简易、成本合适、避免环境污染等优势。本发明利用花青素分子作为敏化剂敏化聚吲哚材料，可以发挥花青素分子与聚吲哚类材料的协同作用，进一步扩展光谱吸收波长范围；同时，复合材料如形成异质结等结构可加快电子注入速率，减少了电子-空穴的复合，复合材料的光电强度呈倍数提高，有效提高聚吲哚材料的光电转换效率，制备得到的花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料具有良好光电性能，可在制备光电活性材料中进行应用。另外，发明人意外的发现，本发明得到的P5FIn/ITO纳米复合材料在进一步提高材料的光电转换效率的同时，花青素分子与聚吲哚类材料的协同可提高复合材料的氧化还原活能力和电化学稳定性，氧化还原活性的提高可促进材料光电活性的提升，电化学稳定性的提高可使P5FIn/ITO纳米复合材料在作为光电活性材料应用于传感器时提高传感器的稳定性。其次，花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料可进一步降低材料的电阻，电阻的进一步减低可提升电子的传导效率，进而进一步影响材料的光电性能。
附图说明
图1为材料P5FIn/ITO修饰电极(A)及敏化后的P5FIn/ITO修饰电极(B)的电子显微镜扫描图；
图2为材料P5FIn/ITO修饰电极(a)及敏化后的P5FIn/ITO修饰电极(b)的紫外光谱图；
图3为材料P5FIn/ITO修饰电极(a)及敏化后的P5FIn/ITO修饰电极(b)的光电流响应图；
图4为材料P5FIn/ITO修饰电极(A)及敏化后的P5FIn/ITO修饰电极(B)的循环伏安图；
图5为材料P5FIn/ITO修饰电极(A)及敏化后的P5FIn/ITO修饰电极(B)的阻抗图。
具体实施方式
本发明公开了一种花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料的制备方法及其应用，本领域技术人员可以借鉴本文内容，适当改进工艺参数实现。特别需要指出的是，所有类似的替换和改动对本领域技术人员来说是显而易见的，它们都被视为包括在本发明当中。本发明的方法及应用已经通过较佳实施例进行了描述，相关人员明显能在不脱离本发明内容、精神和范围内对本文所述的方法和应用进行改动或适当变更与组合，来实现和应用本发明技术。
为了使本领域技术人员能够更好的理解本发明，下面结合具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。
实施例1
(1)乙腈溶液的制备
将0.0363g吲哚-5-甲醛、0.1646g四丁基四氟硼酸胺溶于5mL乙腈中，制得含有吲哚-5-甲醛的乙腈溶液，乙腈溶液吲哚-5-甲醛的摩尔浓度为0.05mol/L，电解液四丁基四氟硼酸胺的摩尔浓度范围为0.1mol/L；
(2)P5FIn/ITO电极复合材料的制备
将配置好的乙腈溶液置入ITO导电玻璃电极作为工作电极、Pt作为对电极、Ag/Agcl作为参比电极的电化学反应装置中，在ITO导电玻璃修饰电极上电化学沉积聚5-醛基-吲哚层，得到沉积有聚5-醛基-吲哚层的ITO，即P5FIn/ITO电极复合材料；
本实施例中的电极材料的制备方法如下：
将符合尺寸规格的导电玻璃ITO依次使用水和无水乙醇超声清洗，并于室温下进行干燥得到处理好的ITO导电玻璃，作为工作电极；
铂丝在燃烧的酒精灯上烧熔融，冷却得到的Pt作为对电极；
Ag丝在盐酸溶液中经恒电位电解后，表面形成AgCl附着层，将得到的Ag/Agcl作为参比电极；具体的，本发明采用电解法在银表面制备氯化银薄膜，步骤为：对银丝进行表面预处理，包括去除表面硫化物、除油、活化和清洗等处理；以铂丝与电源负极连接，处理好的银丝与电源正极连接；把银丝与铂电极至于配置好的HCl溶液中，通直流电150s，氯化过程不断摇动银丝；电解氯化结束后，银丝表面形成灰色致密的AgCl附着膜层，均匀无明显斑点即可。
具体的，本实施例中采用恒电位法制备P5FIn/ITO电极材料：选择LSV(线性扫描伏安法)的技术方法进行聚合电位的测量，需要重新输入的参数有：终点电位2.0V、灵敏度设为1.e-0.02，白色接口接银/氯化银电极，红色接口接铂电极，绿色接口接导电玻璃ITO，将电极与ITO放入5-醛基-吲哚溶液中，导电面应面向电极，启动程序得到聚合电位，然后改模式为i-t(电流-时间曲线)进行吲哚的聚合，更改参数：初始电位1.35V、运行时间60s，聚合结束后取出，P5FIn/ITO纳米复合材料晾干后4℃冷藏保存。将制好的电极材料用PBS溶液和二次水清洗，借以除去电极表面残留的电解质和一些杂质，然后置于室温下干燥，得到P5FIn/ITO电极复合材料。
(3)花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料的制备
取0.2g花青素溶于5mL水中并混匀，得到制备好的花青素溶液，花青素溶液的摩尔浓度为0.1mol/L；将所述P5FIn/ITO电极复合材料放入所述花青素溶液中浸泡8h，取出后晾干，最终得到花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料。
对实施例1制备得到的花青素敏化聚吲哚纳米材料进行如下各种电化学表征，首先，对复合材料表征时需要的电解液进行选择，在含有电解质0.1mol L-1四氟化硼四丁基铵(TBATFB)的乙腈有机溶液中比其他电解液和溶液附着在电极上的效果最好，为电化学性能的稳定打下了基础，故电化学表征的电解液从有机溶液、碱性溶液、酸性溶液或中性溶液中选择了含有电解质0.1mol L-1四氟化硼四丁基铵(TBATFB)的乙腈有机溶液。
主要微观形貌表征(SEM)：对实施例制备的材料P5FIn/ITO修饰电极以及敏化后的P5FIn/ITO修饰电极进行电子显微镜(SEM)扫描，扫描结果如图1所示，图1(A)为P5FIn/ITO修饰电极的微观形貌，为均匀的多孔状结构。图1(B)为敏化后的P5FIn/ITO修饰电极的微观形貌，材料表面孔洞被比较完整的覆盖和包裹。根据微观形貌可以看出，制备的MoO3/P6ICA复合材料具有纳米级别的微观形貌，增大了材料的比表面积，比表面积的增大增加了电子的传输效率，从而可改善材料的电化学性能。
紫外-可见光谱(UV-vis)表征：对实施例1制备的P5FIn/ITO修饰电极、敏化后的P5FIn/ITO修饰电极进行紫外光谱扫描，扫描图见图2，图2显示，敏化前后的材料都在372nm处出现吸收峰，这表示吲哚-5-甲醛被成功地聚合到了ITO修饰电极上，材料制备成功。花青素敏化后的P5FIn/ITO纳米复合材料在542nm处出现一个新的吸收峰，这表示花青素对材料成功敏化，证明了敏化可以使材料在紫外-可见吸收光范围内的吸收强度明显增强，进一步扩展光谱吸收波长范围。
材料的电化学表征：使用PEAC 200A型光电化学反应仪时，花青素敏化前后的P5FIn/ITO纳米复合材料的电解质溶液均为0.1mol/L的Pbs溶液，在得到的光电流响应的图像见图3，图3显示，经花青素敏化后的P5FIn/ITO纳米复合材料光电强度提高1.5倍，敏化后的材料对光能的利用率有了明显进步，有效提高了聚吲哚材料的光电转换效率，使最终制备得到的花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料具有良好光电性能，可在制备光电活性材料中进行应用。
实施例2
(1)乙腈溶液的制备
将0.0363g吲哚-5-甲醛、0.1646g四丁基四氟硼酸胺溶于5mL乙腈中，制得含有吲哚-5-甲醛的乙腈溶液，乙腈溶液吲哚-5-甲醛的摩尔浓度为0.05mol/L，电解液四丁基四氟硼酸胺的摩尔浓度范围为0.1mol/L；
(2)P5FIn/ITO电极复合材料的制备
将配置好的乙腈溶液置入ITO导电玻璃电极作为工作电极、Pt作为对电极、Ag/Agcl作为参比电极的电化学反应装置中，在ITO导电玻璃修饰电极上电化学沉积聚5-醛基-吲哚层，得到沉积有聚5-醛基-吲哚层的ITO，即P5FIn/ITO电极复合材料；本实施例中的电极材料的制备方法与实施例1中相同；
本实施例中电沉积的方法可采用现有技术的循环伏安法，沉积时间可调整为80S，其他参数可随具体沉积方法具体调整，在此不再赘述。聚合结束后取出，P5FIn/ITO纳米复合材料晾干后0℃冷藏保存。将制好的电极材料用PBS溶液和二次水清洗，借以除去电极表面残留的电解质和一些杂质，然后置于室温下干燥，得到P5FIn/ITO电极复合材料。
(3)花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料的制备
取0.3g花青素溶于5mL水中并混匀，得到制备好的花青素溶液，花青素溶液的质量浓度为0.15mol/L；将所述P5FIn/ITO电极复合材料放入所述花青素溶液中浸泡12h，取出后晾干，最终得到花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料。
循环伏安稳定性表征：通过循环伏安扫描法可直接清晰检测电化学活性中在氧化还原反应中的电极电位的大小，以及电化学反应的可逆程度。选用0.1mol/L的Pbs溶液作为电解质溶液对实施例2制备P5FIn/ITO修饰电极、敏化后的P5FIn/ITO修饰电极进行循环伏安扫描，发现在进行多次扫描时循环伏安曲线扫描轨迹基本一致。扫描图4，图4(A)，(B)分别为P5FIn/ITO修饰电极、敏化后的P5FIn/ITO修饰电极随机选取的扫描曲线，图4显示，P5FIn/ITO纳米复合材料有在0.67V到1.36V之间形成了两个形状的对称氧化还原峰，经花青素敏化后的扫描曲线电流密度明显变大、表示经花青素敏化后P5FIn/ITO纳米复合材料的氧化还原活性有了显著提升，除此之外从图中还可以得知，经过花青素敏化后的聚吲哚材料其循环伏安图积分面积显著增大，这表明了材料经过花青素的敏化后活性面积也变大了，这些都有助于其电化学稳定性的提升，应用于传感器时导致传感器稳定性也会提高。其次，花青素分子结构中的羟基群赋予了花青素的高导电性，使得花青素敏化后的聚吲哚材料与电极之间的电子传输变得更加容易。
实施例3
(1)乙腈溶液的制备
将0.0363g吲哚-5-甲醛、0.1646g四丁基四氟硼酸胺溶于5mL乙腈中，制得含有吲哚-5-甲醛的乙腈溶液，乙腈溶液吲哚-5-甲醛的摩尔浓度为0.05mol/L，电解液四丁基四氟硼酸胺的摩尔浓度范围为0.1mol/L；
(2)P5FIn/ITO电极复合材料的制备
将配置好的乙腈溶液置入ITO导电玻璃电极作为工作电极、Pt作为对电极、Ag/Agcl作为参比电极的电化学反应装置中，在ITO导电玻璃修饰电极上电化学沉积聚5-醛基-吲哚层，得到沉积有聚5-醛基-吲哚层的ITO，即P5FIn/ITO电极复合材料；各个电极的处理方法与实施例1相同；
本实施例中电沉积的方法可采用现有技术的阶跃电位法，沉积时间可调整为70S，其他参数可随具体沉积方法具体调整，在此不再赘述。聚合结束后取出，P5FIn/ITO纳米复合材料晾干后2℃冷藏保存。将制好的电极材料用PBS溶液和二次水清洗，借以除去电极表面残留的电解质和一些杂质，然后置于室温下干燥，得到P5FIn/ITO电极复合材料。
(3)花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料的制备
取1g花青素溶于5mL水中并混匀，得到制备好的花青素溶液，花青素溶液的质量浓度为0.5mol/L；将所述P5FIn/ITO电极复合材料放入所述花青素溶液中浸泡12h，取出后晾干，最终得到花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料。
对实施例3制备P5FIn/ITO修饰电极、敏化后的P5FIn/ITO修饰电极进行抗阻试验，图5为材料P5FIn/ITO修饰电极、敏化后的P5FIn/ITO修饰电极的阻抗图。图5显示，花青素敏化前后的电化学性能，从中可以看出花青素敏化后高频区域的半圆面积变小，花青素吸附在其表面使材料的结构发生了变化，这表明材料的电阻降低，使电子转移效率得到提升，证明材料的敏化效果显著，为光电活性的提高奠定了基础。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）乙腈溶液的制备
将吲哚-5-甲醛、四丁基四氟硼酸胺溶于乙腈中，制得含有吲哚-5-甲醛的乙腈溶液，乙腈溶液吲哚-5-甲醛的摩尔浓度为0.05mol/L，电解液四丁基四氟硼酸胺的摩尔浓度范围为0.1mol/L；
（2）P5FIn/ITO电极复合材料的制备
将配置好的乙腈溶液置入ITO导电玻璃电极作为工作电极、Pt作为对电极、Ag/Agcl作为参比电极的电化学反应装置中，在ITO导电玻璃修饰电极上电化学沉积聚5-醛基-吲哚层，得到沉积有聚5-醛基-吲哚层的ITO，即P5FIn/ITO电极复合材料；
（3）花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料的制备
取花青素溶于水中并混匀，得到制备好的花青素溶液，花青素溶液的摩尔浓度为0.1-0.5mol/L；将所述P5FIn/ITO电极复合材料放入所述花青素溶液中浸泡，最终得到花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，电化学反应装置中的电极体系的制备方法如下：
将符合尺寸规格的导电玻璃ITO依次使用水和无水乙醇超声清洗，并于室温下进行干燥得到处理好的ITO导电玻璃，作为工作电极；
Ag丝在盐酸溶液中经恒电位电解后，表面形成AgCl附着层，将得到的Ag/AgCl作为参比电极；
铂丝在燃烧的酒精灯上烧熔融，冷却得到的Pt作为对电极。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，电沉积的电位范围为1.35-2.0V；沉积时间为60-80S。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）得到的P5FIn/ITO电极复合材料先晾干后并置于0-4 ℃冷藏，然后采用磷酸盐缓冲溶液PBS和水清洗，最后置于室温下干燥。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述P5FIn/ITO电极复合材料放入所述花青素溶液中浸泡时间为8-12h；浸泡后取出晾干，得到花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料。
6.花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料，其特征在于，采用权利要求1-5任一所述的制备方法得到的。
7.权利要求6所述的花青素敏化的P5FIn/ITO纳米复合材料在制备光电活性材料中的应用。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5732095A (en) * 1996-09-20 1998-03-24 Hewlett-Packard Company Dual harmonic-wavelength split-frequency laser
JP2012253012A (ja) * 2011-05-09 2012-12-20 Asahi Kasei Corp 光電変換素子及びπ共役型有機ラジカル化合物
WO2014157941A1 (ko) * 2013-03-26 2014-10-02 성균관대학교산학협력단 염료감응 태양전지 및 이의 제조 방법
CN106955738A (zh) * 2017-04-24 2017-07-18 西北师范大学 一种花青素敏化纳米复合材料及其制备方法与应用
CN107501528A (zh) * 2017-09-06 2017-12-22 烟台智本知识产权运营管理有限公司 石墨烯聚(5‑醛基吲哚)纳米复合材料的制备
CN108806991A (zh) * 2018-07-23 2018-11-13 青海大学 用于染料敏化太阳能电池的花青素改性方法
CN109337408A (zh) * 2018-11-29 2019-02-15 武汉职业技术学院 一种玫瑰茄天然染料的提取方法及其应用
CN110790695A (zh) * 2019-11-13 2020-02-14 齐鲁工业大学 苯偶酰腙-n-甲基-3-吲哚甲醛的合成及用途

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2011267765B2 (en) * 2010-06-17 2013-10-03 Polymers Crc Ltd. Electrode and dye-sensitized solar cell
KR101635758B1 (ko) * 2014-06-18 2016-07-04 한국과학기술연구원 감광성 염료 용액, 이를 이용해서 제조된 염료감응 태양전지의 광전극, 및 이를 포함하는 염료감응 태양전지

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5732095A (en) * 1996-09-20 1998-03-24 Hewlett-Packard Company Dual harmonic-wavelength split-frequency laser
JP2012253012A (ja) * 2011-05-09 2012-12-20 Asahi Kasei Corp 光電変換素子及びπ共役型有機ラジカル化合物
WO2014157941A1 (ko) * 2013-03-26 2014-10-02 성균관대학교산학협력단 염료감응 태양전지 및 이의 제조 방법
CN106955738A (zh) * 2017-04-24 2017-07-18 西北师范大学 一种花青素敏化纳米复合材料及其制备方法与应用
CN107501528A (zh) * 2017-09-06 2017-12-22 烟台智本知识产权运营管理有限公司 石墨烯聚(5‑醛基吲哚)纳米复合材料的制备
CN108806991A (zh) * 2018-07-23 2018-11-13 青海大学 用于染料敏化太阳能电池的花青素改性方法
CN109337408A (zh) * 2018-11-29 2019-02-15 武汉职业技术学院 一种玫瑰茄天然染料的提取方法及其应用
CN110790695A (zh) * 2019-11-13 2020-02-14 齐鲁工业大学 苯偶酰腙-n-甲基-3-吲哚甲醛的合成及用途

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
有机染料敏化纳米晶太阳能电池;郑冰等;《化学进展》;20080624(第06期);全文 *
染料敏化纳米晶TiO_2太阳能电池研究进展;郝三存等;《材料导报》;20030715(第07期);全文 *

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