CN114361265A - 一种perc电池的减反射层及其制作方法和电池 - Google Patents
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Abstract
本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种PERC电池的减反射层及其制作方法和电池。PERC电池的减反射层包括依次设于PERC电池的硅衬底的正面的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和氧化硅膜。如此，由于设计为第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和氧化硅膜的三层结构，故可以在实现较好的减反射效果的同时，使得减反射层的总厚度较小，从而可以降低减反射层对电极接触的影响。这样，可以提高PERC电池的光电转换效率，且不会对PERC电池的可靠性产生负面影响，可以实现大规模生产。
Description
技术领域
本申请属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种PERC电池的减反射层及其制作方法和电池。
背景技术
相关技术中，PERC电池的减反射层通常包括折射率不同的三层氮化硅膜，以降低反射率并提高PERC太阳能电池的光电转换效率。
根据Bouhafs等人的报告，硅衬底上三层氮化硅膜的设计可以用下列公式优化：
其中，n1st、n2nd和n3rd是第一层氮化硅膜、第二层氮化硅膜和第三层氮化硅膜的折射率，且，nSi>n1st>n2nd>n3rd>n空气。当设计波长，即空气的波长λ，为550nm时，第一层氮化硅膜的最佳折射率和厚度分别为2.52和55nm，第二层氮化硅膜的最佳折射率和厚度分别为1.85和74nm，第三层氮化硅膜的最佳折射率和厚度分别为1.36和101nm。
折射率的增加虽然可以改善氮化硅膜的表面钝化效果，但是会导致寄生吸收更加严重。因此，为了平衡钝化效果和寄生吸收，第一层氮化硅膜、第二层氮化硅膜和第三层氮化硅膜的折射率通常约为2.37、1.85和1.44。当设计波长，即空气的波长λ，为550nm时，第一层氮化硅膜、第二层氮化硅膜和第三层氮化硅膜的最佳厚度分别确定为58nm、74nm和95nm。
然而如此，整个减反射层厚度高达230nm，显著增加了减反射层的成本。此外，在采用烧穿银触点金属化的工艺时，厚度高达230nm的减反射层必然会影响银和硅之间的接触。
基于此，如何设计PERC电池的减反射层以兼顾总层厚和减反射效果，成为了亟待解决的问题。
发明内容
本申请提供一种PERC电池的减反射层及其制作方法和电池，旨在解决如何设计PERC电池的减反射层以兼顾总层厚和减反射效果的问题。
第一方面，本申请提供的PERC电池的减反射层，包括依次设于PERC电池的硅衬底的正面的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和氧化硅膜。
可选地，所述减反射层的总折射率的范围为2.05-2.15，所述减反射层的总厚度的范围为70nm-80nm。
可选地，所述第一氮化硅膜的折射率的范围为2.2-2.4；和/或，所述第二氮化硅膜的折射率的范围为2.10-2.16；和/或，所述氧化硅膜的折射率的范围为1.4-1.5。
可选地，所述氧化硅膜的折射率为1.46。
可选地，所述第一氮化硅膜的厚度的范围为8nm-15nm；和/或，所述第二氮化硅膜的厚度的范围为40nm-50nm；和/或，所述氧化硅膜的厚度的范围为4nm-20nm。
第二方面，本申请提供的PERC电池的减反射层的制作方法，包括：
在硅衬底的正面上沉积第一氮化硅膜；
在所述第一氮化硅膜上沉积第二氮化硅膜；
在所述第二氮化硅膜上沉积氧化硅膜。
可选地，在硅衬底的正面上沉积第一氮化硅膜，包括：
在PECVD设备中通入SiH4和NH3，以在硅衬底的正面上沉积第一氮化硅膜；
在所述第一氮化硅膜上沉积第二氮化硅膜，包括：
在PECVD设备中通入SiH4和NH3，以在所述第一氮化硅膜上沉积所述第二氮化硅膜；
在所述第二氮化硅膜上沉积氧化硅膜，包括：
在PECVD设备中通入SiH4和N2O，以在所述第二氮化硅膜上沉积所述氧化硅膜。
可选地，在所述在PECVD设备中通入SiH4和NH3以在硅衬底的正面上沉积第一氮化硅膜的步骤中，SiH4的流量的范围为1600sccm-2600sccm，NH3的流量的范围为6slm-12slm，射频功率的范围为8000W-12000W，压力的范围为1400mTorr-1800mTorr，占空比的范围为5:50-5:120，镀膜时长的范围为100s-150s；
和/或，在所述在PECVD设备中通入SiH4和NH3，以在所述第一氮化硅膜上沉积所述第二氮化硅膜的步骤中，SiH4的流量的范围为1600sccm-2600sccm，NH3的流量的范围为6slm-20slm，射频功率的范围为8000W-17000W，压力的范围为1400mTorr-1800mTorr，占空比的范围为5:50-5:120，镀膜时长的范围为500s-700s；
和/或，在所述在PECVD设备中通入SiH4和N2O，以在所述第二氮化硅膜上沉积所述氧化硅膜的步骤中，SiH4的流量的范围为900sccm-1200sccm，N2O的流量的范围为8slm-14slm，射频功率的范围为8000W-10000W，压力的范围为1200mTorr-1600mTorr，占空比的范围为5:50-5:120，镀膜时长的范围为60s-300s。
第三方面，本申请提供的PERC电池的减反射层，采用上述任一项的PERC电池的减反射层的制作方法制成。
第四方面，本申请提供的PERC电池，包括上述的PERC电池的减反射层。
本申请实施例的PERC电池的减反射层及其制作方法和电池中，由于设计为第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和氧化硅膜的三层结构，故可以在实现较好的减反射效果的同时，使得减反射层的总厚度较小，从而可以降低减反射层对电极接触的影响。这样，可以提高PERC电池的光电转换效率，且不会对PERC电池的可靠性产生负面影响，可以实现大规模生产。
附图说明
图1是本申请实施例的PERC电池的减反射层的结构示意图；
图2是本申请实施例的PERC电池的减反射层的制作方法的流程示意图；
图3是本申请另一实施例的PERC电池的减反射层的制作方法的流程示意图。
主要元件符号说明：
硅衬底20、减反射层10、第一氮化硅膜11、第二氮化硅膜12和氧化硅膜13。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
相关技术中的PERC电池的减反射层通常包括折射率不同的三层氮化硅膜，难以兼顾总层厚和减反射效果。本申请由于将减反射层设计为第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和氧化硅膜的三层结构，故可以兼顾总层厚和减反射效果。
实施例一
请参阅图1，本申请实施例的PERC电池的减反射层10，包括依次设于PERC电池的硅衬底20的正面的第一氮化硅膜11、第二氮化硅膜12和氧化硅膜13。
本申请实施例的PERC电池的减反射层10，由于设计为第一氮化硅膜11、第二氮化硅膜12和氧化硅膜13的三层结构，故可以在实现较好的减反射效果的同时，使得减反射层10的总厚度较小，从而可以降低减反射层10对电极接触的影响。这样，可以提高PERC电池的光电转换效率，且不会对PERC电池的可靠性产生负面影响，可以实现大规模生产。
具体地，“依次设于PERC电池的硅衬底20的正面的第一氮化硅膜11、第二氮化硅膜12和氧化硅膜13”是指，第一氮化硅膜11设于硅衬底20的正面，第二氮化硅膜12设于第一氮化硅膜11背离硅衬底20的一侧，氧化硅膜13设于第二氮化硅膜12背离第一氮化硅膜11的一侧。
具体地，第一氮化硅膜11在硅衬底20的正投影覆盖硅衬底20正面的全部区域，第二氮化硅膜12在硅衬底20的正投影覆盖硅衬底20正面的全部区域，氧化硅膜13在硅衬底20的正投影覆盖硅衬底20正面的全部区域。如此，使得硅衬底20正面的全部区域被第一氮化硅膜11、第二氮化硅膜12和氧化硅膜13覆盖，没有遗漏，从而使得减反射的效果更好。
可以理解，在其他的实施例中，也可以第一氮化硅膜11在硅衬底20的正投影覆盖硅衬底20正面的部分区域，或，第二氮化硅膜12在硅衬底20的正投影覆盖硅衬底20正面的部分区域，或，氧化硅膜13在硅衬底20的正投影覆盖硅衬底20正面的部分区域。
具体地，第一氮化硅膜11、第二氮化硅膜12和氧化硅膜13的折射率不同。如此，可以形成折射率梯度，实现梯度消光的效果。
可以理解，在其他的实施例中，第一氮化硅膜11、第二氮化硅膜12和氧化硅膜13的折射率也可以部分相同或全部相同。
关于该实施例的其他解释和说明可参照本文的其他部分，为避免冗余，在此不再赘述。
实施例二
在一些可选实施例中，减反射层10的总折射率的范围为2.05-2.15，减反射层10的总厚度的范围为70nm-80nm。
如此，减反射层10的总厚度较小，在采用烧穿银触点金属化的工艺时，不会影响银和硅之间的接触。同时，由于厚度较小，故可以减少制作减反射层10所需的材料，从而降低成本。这样，可以平衡成本、电极接触和减反射效果，便于批量生产。
具体地，减反射层10的总折射率例如为2.05、2.06、2.07、2.08、2.09、2.10、2.11、2.12、2.13、2.14、2.15。
具体地，减反射层10的总厚度例如为70nm、71nm、72nm、73nm、74nm、75nm、76nm、77nm、78nm、79nm、80nm。
关于该实施例的其他解释和说明可参照本文的其他部分，为避免冗余，在此不再赘述。
实施例三
在一些可选实施例中，第一氮化硅膜11的折射率的范围为2.2-2.4；和/或，第二氮化硅膜12的折射率的范围为2.10-2.16；和/或，氧化硅膜13的折射率的范围为1.4-1.5。
如此，第一氮化硅膜11、第二氮化硅膜12和氧化硅膜13的折射率均处于合适范围，可以提高减反射的效果。而且，由于减反射层10的第三层为氧化硅膜13，故可以实现氮化硅膜不能实现的1.4-1.5的折射率。
具体地，第一氮化硅膜11的折射率例如为2.2、2.21、2.25、2.28、2.3、2.32、2.35、2.39、2.4。
具体地，第二氮化硅膜12的折射率例如为2.10、2.11、2.12、2.13、2.14、2.15、2.16。
具体地，氧化硅膜13的折射率例如为1.4、1.41、1.42、1.43、1.44、1.45、1.46、1.47、1.48、1.49、1.5。
关于该实施例的其他解释和说明可参照本文的其他部分，为避免冗余，在此不再赘述。
实施例四
在一些可选实施例中，氧化硅膜13的折射率为1.46。如此，减反射的效果最好。而且，由于减反射层10的第三层为氧化硅膜13，故可以实现氮化硅膜不能实现的1.46的折射率。
关于该实施例的其他解释和说明可参照本文的其他部分，为避免冗余，在此不再赘述。
实施例五
在一些可选实施例中，第一氮化硅膜11的厚度的范围为8nm-15nm。例如为8nm、9nm、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、15nm。
在一些可选实施例中，第二氮化硅膜12的厚度的范围为40nm-50nm。例如为40nm、41nm、42nm、43nm、44nm、45nm、46nm、47nm、48nm、49nm、50nm。
在一些可选实施例中，氧化硅膜13的厚度的范围为4nm-20nm。例如为4nm、5nm、7nm、10nm、12nm、15nm、18nm、20nm。
如此，第一氮化硅膜11、第二氮化硅膜12和氧化硅膜13的厚度均处于合适范围，可以使得第一氮化硅膜11、第二氮化硅膜12和氧化硅膜13具备目标的折射率，从而提高减反射的效果。而且，这样可以在实现较好的减反射效果的同时，使得减反射层10的总厚度较小，从而可以降低减反射层10对电极接触的影响。
关于该实施例的其他解释和说明可参照本文的其他部分，为避免冗余，在此不再赘述。
实施例六
请参阅图2，一种PERC电池的减反射层10的制作方法，包括：
步骤S11：在硅衬底20的正面上沉积第一氮化硅膜11；
步骤S12：在第一氮化硅膜11上沉积第二氮化硅膜12；
步骤S13：在第二氮化硅膜12上沉积氧化硅膜13。
本申请实施例的PERC电池的减反射层10的制作方法，由于设计为第一氮化硅膜11、第二氮化硅膜12和氧化硅膜13的三层结构，故可以在实现较好的减反射效果的同时，使得减反射层10的总厚度较小，从而可以降低减反射层10对电极接触的影响。这样，可以提高PERC电池的光电转换效率，且不会对PERC电池的可靠性产生负面影响，可以实现大规模生产。
具体地，在步骤S11中，在硅衬底20的正面上整面沉积第一氮化硅膜11，以使第一氮化硅膜11在硅衬底20的正投影覆盖硅衬底20正面的全部区域。在步骤S12中，在第一氮化硅膜11上整面沉积第二氮化硅膜12，以使第二氮化硅膜12在硅衬底20的正投影覆盖硅衬底20正面的全部区域。在步骤S13中，在第二氮化硅膜12上整面沉积氧化硅膜13，以使氧化硅膜13在硅衬底20的正投影覆盖硅衬底20正面的全部区域。如此，使得硅衬底20正面的全部区域被第一氮化硅膜11、第二氮化硅膜12和氧化硅膜13覆盖，没有遗漏，从而使得减反射的效果更好。
可以理解，在其他的实施例中，也可在硅衬底20的正面的部分区域沉积第一氮化硅膜11，在第一氮化硅膜11的部分区域沉积第二氮化硅膜12，在第二氮化硅膜12的部分区域沉积氧化硅膜13。
具体地，第一氮化硅膜11、第二氮化硅膜12和氧化硅膜13的折射率不同。如此，可以形成折射率梯度，实现梯度消光的效果。
可以理解，在其他的实施例中，第一氮化硅膜11、第二氮化硅膜12和氧化硅膜13的折射率也可以部分相同或全部相同。
关于该实施例的其他解释和说明可参照本文的其他部分，为避免冗余，在此不再赘述。
实施例七
请参阅图3，在一些可选实施例中，步骤S11，包括：
步骤S111：在PECVD设备中通入SiH4和NH3，以在硅衬底20的正面上沉积第一氮化硅膜11；
步骤S12，包括：
步骤S121：在PECVD设备中通入SiH4和NH3，以在第一氮化硅膜11上沉积第二氮化硅膜12；
步骤S13，包括：
步骤S131：在PECVD设备中通入SiH4和N2O，以在第二氮化硅膜12上沉积氧化硅膜13。
如此，通过PECVD设备沉积第一氮化硅膜11、第二氮化硅膜12和氧化硅膜13，成膜质量较好，效率较高。
具体地，在步骤S111前，可将PECVD设备的工艺腔中的气体抽空；在步骤S121前，可将PECVD设备的工艺腔中的SiH4和NH3抽空；在步骤S131前，可将PECVD设备的工艺腔中的SiH4和N2O抽空。如此，可以避免PECVD设备的工艺腔中的残留的气体影响后续的镀膜。
关于该实施例的其他解释和说明可参照本文的其他部分，为避免冗余，在此不再赘述。
实施例八
在一些可选实施例中，在步骤S111中，SiH4的流量的范围为1600sccm-2600sccm，NH3的流量的范围为6slm-12slm，射频功率的范围为8000W-12000W，压力的范围为1400mTorr-1800mTorr，占空比的范围为5:50-5:120，镀膜时长的范围为100s-150s。
如此，使得第一氮化硅膜11具备目标的厚度和折射率，从而提高减反射的效果。
具体地，SiH4的流量例如为1600sccm、1602sccm、1610sccm、1700sccm、1900sccm、2000sccm、2200sccm、2500sccm、2600sccm。
具体地，NH3的流量例如为6slm、7slm、8slm、9slm、10slm、11slm、12slm。
具体地，射频功率例如为8000W、8100W、8500W、9000W、9500W、10000W、11000W、11500W、12000W。
具体地，压力例如为1400mTorr、1450mTorr、1500mTorr、1600mTorr、1650mTorr、1700mTorr、1750mTorr、1800mTorr。
具体地，占空比例如为5:50、5:52、5:55、5:60、5:70、5:80、5:90、5:95、5:100、5:115、5:120。
具体地，镀膜时长例如为100s、105s、110s、120s、125s、130s、137s、140s、148s、150s。
在一些可选实施例中，在步骤S121中，SiH4的流量的范围为1600sccm-2600sccm，NH3的流量的范围为6slm-20slm，射频功率的范围为8000W-17000W，压力的范围为1400mTorr-1800mTorr，占空比的范围为5:50-5:120，镀膜时长的范围为500s-700s。
如此，使得第二氮化硅膜12具备目标的厚度和折射率，从而提高减反射的效果。
具体地，SiH4的流量例如为1600sccm、1602sccm、1610sccm、1700sccm、1900sccm、2000sccm、2200sccm、2500sccm、2600sccm。
具体地，NH3的流量例如为6slm、7slm、10slm、12slm、15slm、18slm、20slm。
具体地，射频功率例如为8000W、8100W、9000W、9500W、10000W、11000W、12500W、15000W、16500W、17000W。
具体地，压力例如为1400mTorr、1450mTorr、1500mTorr、1600mTorr、1650mTorr、1700mTorr、1750mTorr、1800mTorr。
具体地，占空比例如为5:50、5:52、5:55、5:60、5:70、5:80、5:90、5:95、5:100、5:115、5:120。
具体地，镀膜时长例如为500s、505s、530s、550s、580s、600s、620s、650s、680s、700s。
在一些可选实施例中，在步骤S131中，SiH4的流量的范围为900sccm-1200sccm，N2O的流量的范围为8slm-14slm，射频功率的范围为8000W-10000W，压力的范围为1200mTorr-1600mTorr，占空比的范围为5:50-5:120，镀膜时长的范围为60s-300s。
如此，使得氧化硅膜13具备目标的厚度和折射率，从而提高减反射的效果。
具体地，SiH4的流量例如为900sccm、902sccm、910sccm、950sccm、1000sccm、1100sccm、1150sccm、1180sccm、1200sccm。
具体地，N2O的流量例如为8slm、9slm、10slm、11slm、12slm、13slm、14slm。
具体地，射频功率例如为8000W、8100W、8500W、8800W、9000W、9200W、9500W、9800W、10000W。
具体地，压力例如为1200mTorr、1250mTorr、1300mTorr、1400mTorr、1550mTorr、1580mTorr、1600mTorr。
具体地，占空比例如为5:50、5:52、5:55、5:60、5:70、5:80、5:90、5:95、5:100、5:115、5:120。
具体地，镀膜时长例如为60s、65s、70s、82s、100s、150s、200s、230s、280s、300s。
关于该实施例的其他解释和说明可参照本文的其他部分，为避免冗余，在此不再赘述。
实施例九
本申请实施例的PERC电池的减反射层10，采用实施例六-九任一项的PERC电池的减反射层10的制作方法制成。
本申请实施例的PERC电池的减反射层10，由于设计为第一氮化硅膜11、第二氮化硅膜12和氧化硅膜13的三层结构，故可以在实现较好的减反射效果的同时，使得减反射层10的总厚度较小，从而可以降低减反射层10对电极接触的影响。这样，可以提高PERC电池的光电转换效率，且不会对PERC电池的可靠性产生负面影响，可以实现大规模生产。
实施例十
本申请实施例的PERC电池，包括实施例一或实施例九的PERC电池的减反射层10。
本申请实施例的PERC电池，由于减反射层10设计为第一氮化硅膜11、第二氮化硅膜12和氧化硅膜13的三层结构，故可以在实现较好的减反射效果的同时，使得减反射层10的总厚度较小，从而可以降低减反射层10对电极接触的影响。这样，可以提高PERC电池的光电转换效率，且不会对PERC电池的可靠性产生负面影响，可以实现大规模生产。
关于该实施例的其他解释和说明可参照本文的其他部分，为避免冗余，在此不再赘述。
综合以上，相较于相关技术中采用三层氮化硅膜作为正面减反射层的PERC电池，本申请提供的PERC电池的减反射层及其制作方法和电池，把第三层氮化硅膜用氧化硅膜13取代，使得氧化硅膜13可以实现更合适的1.46的折射率，并且可以将减反射层10的制作容易地集成到采用PECVD方法的沉积工艺中。而且，用氧化硅膜13代替氮化硅膜作为第三层抗反射涂层，可以带来0.05％以上的效率增益，这源于波长低于550nm的光线的反射率的降低和光谱响应的增强。LID和PID测试结果表明，本申请提供的PERC电池的减反射层及其制作方法和电池，不会对太阳能电池组件的可靠性产生负面影响，可以大规模生产。
另外，下表1是相关技术中采用三层氮化硅膜作为正面减反射层的PERC电池，与本申请中减反射层10设计为第一氮化硅膜11、第二氮化硅膜12和氧化硅膜13的三层结构的PERC电池，的电性能参数对比。
显然，相较于相关技术中采用三层氮化硅膜作为正面减反射层的PERC电池，本申请提供的PERC电池，正面光电转换效率提升0.05％以上，LID和PID测试合格，不会对太阳能电池组件的可靠性产生负面影响，可以实现大规模生产。
以上仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种PERC电池的减反射层，其特征在于，包括依次设于PERC电池的硅衬底的正面的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和氧化硅膜。
2.根据权利要求1所述的PERC电池的减反射层，其特征在于，所述减反射层的总折射率的范围为2.05-2.15，所述减反射层的总厚度的范围为70nm-80nm。
3.根据权利要求1所述的PERC电池的减反射层，其特征在于，所述第一氮化硅膜的折射率的范围为2.2-2.4；和/或，所述第二氮化硅膜的折射率的范围为2.10-2.16；和/或，所述氧化硅膜的折射率的范围为1.4-1.5。
4.根据权利要求3所述的PERC电池的减反射层，其特征在于，所述氧化硅膜的折射率为1.46。
5.根据权利要求1所述的PERC电池的减反射层，其特征在于，所述第一氮化硅膜的厚度的范围为8nm-15nm；和/或，所述第二氮化硅膜的厚度的范围为40nm-50nm；和/或，所述氧化硅膜的厚度的范围为4nm-20nm。
6.一种PERC电池的减反射层的制作方法，其特征在于，包括：
在硅衬底的正面上沉积第一氮化硅膜；
在所述第一氮化硅膜上沉积第二氮化硅膜；
在所述第二氮化硅膜上沉积氧化硅膜。
7.根据权利要求6所述的PERC电池的减反射层的制作方法，其特征在于，在硅衬底的正面上沉积第一氮化硅膜，包括：
在PECVD设备中通入SiH4和NH3，以在硅衬底的正面上沉积第一氮化硅膜；
在所述第一氮化硅膜上沉积第二氮化硅膜，包括：
在PECVD设备中通入SiH4和NH3，以在所述第一氮化硅膜上沉积所述第二氮化硅膜；
在所述第二氮化硅膜上沉积氧化硅膜，包括：
在PECVD设备中通入SiH4和N2O，以在所述第二氮化硅膜上沉积所述氧化硅膜。
8.根据权利要求7所述的PERC电池的减反射层的制作方法，其特征在于，在所述在PECVD设备中通入SiH4和NH3以在硅衬底的正面上沉积第一氮化硅膜的步骤中，SiH4的流量的范围为1600sccm-2600sccm，NH3的流量的范围为6slm-12slm，射频功率的范围为8000W-12000W，压力的范围为1400mTorr-1800mTorr，占空比的范围为5:50-5:120，镀膜时长的范围为100s-150s；
和/或，在所述在PECVD设备中通入SiH4和NH3，以在所述第一氮化硅膜上沉积所述第二氮化硅膜的步骤中，SiH4的流量的范围为1600sccm-2600sccm，NH3的流量的范围为6slm-20slm，射频功率的范围为8000W-17000W，压力的范围为1400mTorr-1800mTorr，占空比的范围为5:50-5:120，镀膜时长的范围为500s-700s；
和/或，在所述在PECVD设备中通入SiH4和N2O，以在所述第二氮化硅膜上沉积所述氧化硅膜的步骤中，SiH4的流量的范围为900sccm-1200sccm，N2O的流量的范围为8slm-14slm，射频功率的范围为8000W-10000W，压力的范围为1200mTorr-1600mTorr，占空比的范围为5:50-5:120，镀膜时长的范围为60s-300s。
9.一种PERC电池的减反射层，其特征在于，采用权利要求6-8任一项所述的PERC电池的减反射层的制作方法制成。
10.一种PERC电池，其特征在于，包括权利要求1或9所述的PERC电池的减反射层。
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