CN103618022A - 一种太阳能电池减反射膜的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种太阳能电池减反射膜的制作方法，具体步骤如下：（1）沉积氮化硅膜层：将完成酸制绒、磷扩散和刻蚀清洗的P型多晶硅片置于镀膜设备中，通入反应气体NH3和SiH4，在硅片表面沉积至少一层均匀的氮化硅膜层；所述SiH4和NH3气体标准状态下的流量比例为1∶1～40；（2）沉积二氧化硅膜层：然后在镀膜设备中通入反应气体为N2O和SiH4，在硅片表面沉积一层均匀的二氧化硅膜层，所述SiH4和N2O气体标准状态下的流量比例为1∶1～40。本发明通过减反射膜膜层的组合方式和优化减反射膜镀膜气体的配方，以提高增透强度、减少色差，从而提高转换效率，且与传统太阳能电池生产线兼容，适合于大规模生产。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池的作方法，具体涉及一种太阳能电池减反射膜的制作方法。
背景技术
目前，传统的晶体硅太阳能电池片的镀膜技术即在晶体硅电池表面镀上一层氮化硅减反射膜，以增加光的投射，提高太阳能电池的光利用率。但是由于镀膜设备及技术的局限，完成镀膜的电池外观上呈现出不同的颜色分布，常见的颜色有发白色、浅蓝色、蓝色、深蓝色和大红色。电池片颜色外观种类繁多，造成电池片分检繁复性，同时部分颜色外观无法满足客户需求导致电池片降级出售造成损失。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种太阳能电池减反射膜的制作方法，通过减反射膜膜层的组合方式和优化减反射膜镀膜气体的配方，以提高增透强度、减少色差，从而提高转换效率，且与传统太阳能电池生产线兼容，适合于大规模生产。
本发明解决技术问题所采用的技术方案是：一种太阳能电池减反射膜的制作方法，其特征在于：在硅片表面依次沉积至少一层氮化硅膜层并再沉积一层二氧化硅膜层，通过优化各膜层沉积时气体配比使之增透和减少色差，具体步骤如下：
（1）沉积氮化硅膜层：将完成酸制绒、磷扩散和刻蚀清洗的P型多晶硅片置于镀膜设备中，通入反应气体NH3和SiH4，在硅片表面沉积至少一层均匀的氮化硅膜层；所述SiH4和NH3气体标准状态下的流量比例为1∶1～40；
（2）沉积二氧化硅膜层：然后在镀膜设备中通入反应气体为N2O和SiH4，在硅片表面沉积一层均匀的二氧化硅膜层，所述SiH4和N2O气体标准状态下的流量比例为1∶1～40。
作为一种优选，在步骤（1）沉积氮化硅膜层时，所述SiH4和NH3气体标准状态下的流量比例为1∶3～15；在步骤（2）沉积二氧化硅膜层时，所述SiH4和NH3气体标准状态下的流量比例为1∶10～20。
作为一种优选，所述氮化硅膜层的厚度为10nm～100nm，折射率为1.9～2.4；所述二氧化硅膜层的厚度为1nm～100nm，折射率为1.4～1.9。
本发明的有益效果是:减反射膜采用一层二氧化硅膜层和一层氮化硅膜层或一层二氧化硅膜层和多层氮化硅膜层的组合形式，且采用相应的镀膜气体配方，使膜层增透强度提高，色差减小，色系变窄，由原来的五种颜色变为三色甚至单色，且提高转换效率，还能与传统太阳能电池生产线兼容，适合于大规模生产。
附图说明
图1为本发明实施例1制作的减反射膜的结构示意图，其中：1-太阳能电池硅片，2-氮化硅膜层，3-二氧化硅膜层。
图2为本发明实施例2制作的减反射膜的结构示意图，其中：1-太阳能电池硅片，21-氮化硅膜层I，22-氮化硅膜层II，3-二氧化硅膜层。
下面结合附图对本发明做进一步说明。
具体实施方式
实施例1~5：具有一层氮化硅膜层和一层二氧化硅膜层的太阳能电池减反射膜的制作方法，包括如下步骤：
（1）沉积氮化硅膜层：将完成酸制绒、磷扩散和刻蚀清洗的P型多晶硅片置于镀膜设备中，通入反应气体NH3和SiH4，在硅片表面沉积一层均匀的氮化硅膜层2；控制NH3和SiH4气体的流量，SiH4和NH3气体标准状态下的流量比例如表1所示；
（2）沉积二氧化硅膜层：然后在镀膜设备中通入反应气体为N2O和SiH4，在硅片表面沉积一层均匀的二氧化硅膜层3，控制SiH4和N2O气体的流量，并使SiH4和N2O气体标准状态下的流量比例如表1所示。
以上述方法制作的减反射膜的结构如图1所示。
表1 气体流量控制及膜层厚度和折射率
实施例6~10：具有二层氮化硅膜层和一层二氧化硅膜层的太阳能电池减反射膜的制作方法，包括如下步骤：
（1）沉积第一层氮化硅膜层：将完成酸制绒、磷扩散和刻蚀清洗的P型多晶硅片置于镀膜设备中，通入反应气体NH3和SiH4，在硅片表面沉积一层均匀的氮化硅膜层I 21；控制NH3和SiH4气体的流量，SiH4和NH3气体标准状态下的流量比例如表2所示；
（2）沉积第二层氮化硅膜层：完成氮化硅膜层I沉积后，再次在镀膜设备中通入反应气体NH3和SiH4，在硅片表面沉积一层均匀的氮化硅膜层II 22；控制NH3和SiH4气体的流量，SiH4和NH3气体标准状态下的流量比例如表2所示；
（3）沉积二氧化硅膜层：然后在镀膜设备中通入反应气体为N2O和SiH4，在硅片表面沉积一层均匀的二氧化硅膜层3，控制SiH4和N2O气体的流量，并使SiH4和N2O气体标准状态下的流量比例如表2所示。
以上述方法制作的减反射膜的结构如图2所示。
表2 气体流量控制及膜层厚度和折射率
Claims (3)
1.一种太阳能电池减反射膜的制作方法，其特征在于：在硅片表面依次沉积至少一层氮化硅膜层并再沉积一层二氧化硅膜层，通过优化各膜层沉积时气体配比使之增透和减少色差，具体步骤如下：
（1）沉积氮化硅膜层：将完成酸制绒、磷扩散和刻蚀清洗的P型多晶硅片置于镀膜设备中，通入反应气体NH3和SiH4，在硅片表面沉积至少一层均匀的氮化硅膜层；所述SiH4和NH3气体标准状态下的流量比例为1∶1～40；
（2）沉积二氧化硅膜层：然后在镀膜设备中通入反应气体为N2O和SiH4，在硅片表面沉积一层均匀的二氧化硅膜层，所述SiH4和N2O气体标准状态下的流量比例为1∶1～40。
2.如权利要求1所述的一种太阳能电池减反射膜的制作方法，其特征在于：在步骤（1）沉积氮化硅膜层时，所述SiH4和NH3气体标准状态下的流量比例为1∶3～15；在步骤（2）沉积二氧化硅膜层时，所述SiH4和NH3气体标准状态下的流量比例为1∶10～20。
3.如权利要求1或2所述的一种太阳能电池减反射膜的制作方法，其特征在于：所述氮化硅膜层的厚度为10nm～100nm，折射率为1.9～2.4；所述二氧化硅膜层的厚度为1nm～100nm，折射率为1.4～1.9。
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