CN114345826B - 用于晶圆清洗的兆声发射装置及声波清洗系统 - Google Patents

用于晶圆清洗的兆声发射装置及声波清洗系统 Download PDF

Info

Publication number
CN114345826B
CN114345826B CN202111622810.7A CN202111622810A CN114345826B CN 114345826 B CN114345826 B CN 114345826B CN 202111622810 A CN202111622810 A CN 202111622810A CN 114345826 B CN114345826 B CN 114345826B
Authority
CN
China
Prior art keywords
oscillator
megasonic
wafer
cleaning
transmitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202111622810.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114345826A (zh
Inventor
咸威
咸寿荣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siansonic Technology Co ltd
Original Assignee
Siansonic Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siansonic Technology Co ltd filed Critical Siansonic Technology Co ltd
Priority to CN202111622810.7A priority Critical patent/CN114345826B/zh
Publication of CN114345826A publication Critical patent/CN114345826A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114345826B publication Critical patent/CN114345826B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

本发明涉及半导体清洗技术领域,提供一种用于晶圆清洗的兆声发射装置及声波清洗系统。兆声发射装置包括:壳体,设有内部连通的开口;振荡器,与壳体连接并盖合于开口,振荡器与壳体围成用于容纳传导液的容纳腔,壳体上设有进液口和排液口;换能装置,用于将电能转换为声能,换能装置连接于壳体远离振荡器一侧的内壁,并且换能装置与振荡器之间设有间隔。一方面,换能装置与振荡器不会出现脱离的问题,可提高兆声发射装置的功率。另一方面,兆声发射装置的工艺简单,避免了胶水的均匀性难以把控的问题,便于制造大面积的兆声发射装置。同时,容纳腔内的传导液可以对换能装置进行降温,从而提高了换能器的冷却效率。

Description

用于晶圆清洗的兆声发射装置及声波清洗系统
技术领域
本发明涉及半导体清洗技术领域,尤其涉及一种用于晶圆清洗的兆声发射装置及声波清洗系统。
背景技术
超声波清洗技术是最为常用的工业清洗技术之一,传统的超声波清洗技术是通过20kHz-100kHz的超声波在液体中产生的空化作用,对物体表面的污渍进行去除而达到清洗的目的。但超声波空化作用过强会对物体表面造成一定损伤,如在半导体器件、光学精密件等精密元器件的清洗中,由于器件表面有微结构,传统高频超声波清洗会对其表面造成损坏。另外,超声频率越高,清洗的杂质颗粒粒径越小,最高频率100kHz的传统超声波清洗很难清洗1微米以下的杂质颗粒。
频率高于400kHz的超声波在液体中传播时,能使被清洗件表面附近形成速度梯度很大且极薄的声学边界层,其杂质粒子受到液体兆赫频的震荡作用从器件表面脱落,能够清洗掉元器件表面微米、亚微米级的杂质颗粒,实现超精密清洗过程。此外,高频超声波清洗过程由于极低的空化效应,对被清洗件表面不会产生损伤,能够有效解决精密元器件清洗后造成的腐蚀或损伤破坏等现象。所以能发射兆赫兹级别的兆声装置被广泛应用于半导体制造领域,并且除了有清洗作用外,还可以在化学机械抛光、显影、除胶、金属剥离、刻蚀等关键工艺中起到重要作用。
现有的兆声清洗技术主要分为槽式、喷淋式、贴合式三种。槽式与传统超声波清洗相似,将兆声发射装置置于水槽底部,清洗时晶圆放置在水槽中。该种方式的缺陷是晶圆表面接收到的兆声声场从下到上是逐渐减弱的,分布不均匀而清洗效果受到影响,另外清洗液在槽中容易二次污染。喷淋式是将兆声发射器做成喷嘴形式,兆声随着水流下落到晶圆上,相对于放置在处理槽底部的槽式兆声装置有更高的声传输效率,并可避免二次污染。但缺陷是兆声发生器距离晶圆较远,声能传输效率依然受损,且需要大流量的清洗液才可以工作,清洗液浪费很多。贴合式是目前现有技术中最优化的方式,通常将兆声发射装置非常靠近与晶圆表面,只留不超过3mm的间隙,清洗液从间隙流过完成清洗。由于兆声发射面与晶圆很近,所以能量传输效率很高,兆声发射面的功率密度只需要2W/cm2即可达到效果,而喷淋式和槽式兆声装置通常需要5W/cm2甚至更高的功率密度。另外贴合式仅需要很少的清洗液即可完成清洗,相比另外两种方式可大大节省清洗液的使用。为了使晶圆旋转时整个晶圆面获得的声场是均匀的,兆声发射装置可通过制成扇形结构的兆声装置实现,这样保证在晶圆旋转时边缘向圆心收到的兆声能量线性减弱,从而获得正面均匀的声能。
现有技术三种方式的兆声装置其均将压电陶瓷与振荡器通过粘结剂作为耦合剂粘接或焊接的方式紧密连接成一个整体,这种方式要求振荡器与压电陶瓷的大小相近,对于大尺寸晶圆的处理,振荡器加大压电陶瓷也需要随之加大,从而使实际制造难度加大。并且在压电陶瓷功率很大时,由于压电陶瓷的振动幅度加大,粘接牢固性会下降,容易造成压电陶瓷与振荡器脱离的问题。
同时对压电陶瓷的散热冷却也是一大难题,由于振荡器部分多采用石英、蓝宝石等硬质非金属材料,其热传导较差,所以通常需要引入气冷的方式,而气冷的冷却效率较低。随着近年来半导体技术的发展,晶圆尺寸越来越大,清洗时所需的声功率也越来越大,压电陶瓷与振荡器粘接的稳定性问题以及对压电陶瓷冷却的问题就变得越加重要起来。
发明内容
本发明提供一种用于晶圆清洗的兆声发射装置及声波清洗系统,用以解决现有技术中换能器与振荡器容易脱离,以及兆声发射装置不易散热的缺陷,实现提高兆声发射装置的功率并提高兆声发射装置的散热效率的效果。
本发明提供的一种用于晶圆清洗的兆声发射装置,包括:
壳体,设有与所述壳体的内部连通的开口;
振荡器,与所述壳体连接并盖合于所述开口,所述振荡器与所述壳体围成用于容纳传导液的容纳腔,所述壳体上设有供所述传导液进入所述容纳腔的进液口和供所述容纳腔内的所述传导液排出的排液口;
换能装置,用于将电能转换为声能,所述换能装置连接于所述壳体远离所述振荡器一侧的内壁,并且所述换能装置与所述振荡器之间设有间隔。
根据本发明提供的一种用于晶圆清洗的兆声发射装置,所述换能装置设置为曲面结构,且所述换能装置凸起的一端朝向所述振荡器。
根据本发明提供的一种用于晶圆清洗的兆声发射装置,所述壳体在垂直于所述壳体与所述振荡器的排布方向上的横截面设置为梯形或者扇形。
根据本发明提供的一种用于晶圆清洗的兆声发射装置,所述换能装置的数量设置为多个;
其中,多个所述换能装置沿所述壳体的窄端至宽端的方向分布,并在沿所述壳体的窄端至所述壳体的宽端的方向上,所述换能装置的数量增多。
根据本发明提供的一种用于晶圆清洗的兆声发射装置,所述壳体远离所述振荡器的一侧的内壁倾斜设置,并且在沿所述壳体的第一端至所述壳体的第二端的方向上,所述内壁向靠近所述振荡器的方向倾斜;
所述换能装置的数量设置为多个,多个所述换能装置沿所述壳体的第一端至第二端的方向分布。
根据本发明提供的一种用于晶圆清洗的兆声发射装置,还包括用于固定所述换能装置的卡簧;
所述壳体远离所述振荡器一侧的内壁设有与所述容纳腔相连通的安装孔,所述安装孔的孔壁上设有环形凸块和环形槽,所述卡簧套装于所述环形槽内,所述换能装置的第一端面与所述环形凸块相抵,所述换能装置的第二端面与所述卡簧相抵。
根据本发明提供的一种用于晶圆清洗的兆声发射装置,所述换能装置包括压电陶瓷片、第一电极层和第二电极层;
所述压电陶瓷片的两个端面分别设置有所述第一电极层和所述第二电极层,所述第一电极层朝向所述振荡器。
根据本发明提供的一种用于晶圆清洗的兆声发射装置,所述壳体与所述振荡器可拆卸地相连接。
根据本发明提供的一种用于晶圆清洗的兆声发射装置,所述壳体与所述振荡器通过卡扣结构可拆卸地相连接;
所述卡扣结构包括公扣和与所述公扣卡接连接的母扣;
所述壳体设有所述公扣,所述振荡器设有所述母扣。
根据本发明提供的一种用于晶圆清洗的兆声发射装置,还包括盖板、电路板和导线,所述壳体的外壁上设有凹槽;
所述安装孔贯通设置,且所述安装孔的第一端与所述容纳腔连通,所述安装孔的第二端与所述凹槽连通,所述电路板设置于所述凹槽,所述导线的第一端与所述换能装置相连接,所述导线的第二端穿过所述安装孔并与所述电路板连接,所述盖板与所述壳体连接并盖合于所述凹槽的槽口。
本发明还提供一种声波清洗系统,包括驱动机构、液体驱动装置及如上所述的用于晶圆清洗的兆声发射装置;
所述驱动机构用于驱动晶圆转动;
所述用于晶圆清洗的兆声发射装置的所述振荡器与所述晶圆相对;
所述液体驱动装置包括供清洗液排出的排液口,且所述排液口朝向所述晶圆。
本发明提供用于晶圆清洗的兆声发射装置,换能装置设置于壳体内且与振荡器之间具有间隔,换能器通过传导液将声能传递至振荡器,激发振荡器以同样频率振荡最终作用于晶圆上。
相对于现有技术中的换能器与振荡器粘接的形式,本发明提供的用于晶圆清洗的兆声发射装置换能装置与振荡器之间不需要利用粘接剂粘接,一方面,换能装置与振荡器不会出现脱离的问题,可提高兆声发射装置的功率。另一方面,相对于现有技术中换能器与振荡器粘接的形式,本发明中的兆声发射装置的工艺更简单,避免了胶水的均匀性难以把控及易受胶水耐温性能影响的问题,更便于制造大面积的兆声发射装置。
同时,容纳腔内的传导液可以对换能装置进行降温,从而提高了换能器的冷却效率,如此可以进一步提高用于晶圆清洗的兆声发射装置的功率。
进一步,本发明提供的声波清洗系统,由于包含了上述的用于晶圆清洗的兆声发射装置,因此同时也就具有了用于晶圆清洗的兆声发射装置上述的所有优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的实施例中用于晶圆清洗的兆声发射装置的爆炸结构示意图;
图2是本发明提供的实施例中用于晶圆清洗的兆声发射装置的内部结构示意图;
图3是本发明提供的实施例中用于晶圆清洗的兆声发射装置的传导液的流动方形示意图;
图4是本发明提供的实施例中用于晶圆清洗的兆声发射装置的换能装置的分布状态示意图
图5是本发明提供的实施例中换能装置的结构示意图;
图6是本发明提供的实施例中声波清洗系统的结构示意图;
附图标记:
1、壳体;2、振荡器;3、容纳腔;4、进液口;5、排液口;6、换能装置;7、安装孔;8、凸起;9、卡簧;10、压电陶瓷片;11、第一电极层;12、第二电极层;13、第一倾斜段;14、第二倾斜段;15、盖板;16、电路板;17、导线;18、凹槽;19、第一密封件;20、第二密封件;21、第三密封件;22、晶圆;23、液体驱动装置;24、电路接头;25、窄端;26、宽端;27、公扣;28、母扣。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明中的附图,对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
下面结合图1-图6描述本发明的实施例中的用于晶圆清洗的兆声发射装置。
具体来说,用于晶圆清洗的兆声发射装置包括壳体1、振荡器2及换能装置6。
壳体1设有与壳体1的内部连通的开口。
可选地,壳体1设置为非金属材质,包括但不限于PEEK、PCTFE、PTFE或PVDF。
振荡器2与壳体1连接并盖合于开口。振荡器2与壳体1围成用于容纳传导液的容纳腔3。壳体1上设有供传导液进入容纳腔3的进液口4和供容纳腔3内的传导液排出的排液口5。
可选地,传导液包括但不限于水。
可选地,振荡器2设置为石英、蓝宝石或者红宝石材质。
换能装置6用于将电能转换为声能。换能装置6连接于壳体1远离振荡器2一侧的内壁,并且换能装置6与振荡器2之间设有间隔,以使传导液能够填充于换能器与振荡器2之间。
本发明提供的实施例中的用于晶圆清洗的兆声发射装置,换能装置6设置于壳体1内且与振荡器2之间具有间隔,传导液充盈于换能器与振荡器2之间。换能器通过传导液将声能传递至振荡器2,激发振荡器2以同样频率振荡最终作用于晶圆22上。本文所述的声波包括超声波和/或兆声波。
相对于现有技术中的换能器与振荡器2粘接的形式,本发明提供的用于晶圆清洗的兆声发射装置换能装置6与振荡器2之间不需要利用粘接剂粘接,一方面,换能装置6与振荡器2不会出现脱离的问题,可提高用于晶圆清洗的兆声发射装置的功率。另一方面,相对于现有技术中换能器与振荡器2粘接的形式,本发明中的用于晶圆清洗的兆声发射装置的工艺更简单,避免了胶水的均匀性难以把控及易受胶水耐温性能影响的问题,更便于制造大面积的用于晶圆清洗的兆声发射装置。
同时,容纳腔3内的传导液可以对换能装置6进行降温,从而提高了换能器的冷却效率,如此可以进一步提高用于晶圆清洗的兆声发射装置的功率。
参考图1-图3所示,本发明提供的一些实施例中,用于晶圆清洗的兆声发射装置还包括用于固定换能装置6的卡簧9。
壳体1远离振荡器2一侧的内壁设有与容纳腔3相连通的安装孔7。安装孔7的孔壁上设有环形凸块8和环形槽,卡簧9套装于环形槽内。换能装置6的第一端面与环形凸块8相抵,换能装置6的第二端面与卡簧9相抵。
如此设置,能够简单方便地将换能装置6与壳体1进行连接。
参考图5所示,在本发明提供的一些实施例中,换能装置6包括压电陶瓷片10、第一电极层11和第二电极层12。
压电陶瓷片10的两个端面分别设置有第一电极层11和第二电极层12,第一电极层11朝向振荡器2。
压电陶瓷片10具有压电效应,通过声波电源,例如兆声电源向压电陶瓷片10两个端面的第一电极层11和第二电极层12通入兆声频率的电流时,压电陶瓷片10产生频率与电流变化频率相同的振动,即所谓的将电能转换为声能。声能通过传导液传递至振荡器2驱动振荡器2以相同频率振动,并将声能作用于晶圆22的待清洁面。
进一步地,参考图5所示,第一电极层11靠近压电陶瓷片10边沿的部分翻折于压电陶瓷片10的第二端面上,并且第一电极层11与第二电极层12之间具有环形间隙。这样,可以将与第一电极层11连接的引线,以及与第二电极层12连接的引线均从压电陶瓷片10的第二端引出,以降低换能装置6的加工难度,使换能器更便于加工。
进一步地,第一电极层11和第二电极层12均可设置为镍、钛、氮化钛或金材质,从而防水防腐蚀。
在本发明提供的一些实施例中,换能装置6设置为曲面结构,且换能装置6凸起的一端朝向振荡器2。
由于,现有技术中压电陶瓷多为平面形状,其发射出的兆声波在待清洗界面,如晶圆22的待清洁面会有一定的聚焦效果,即在晶圆22局部某处出现较强的声强,此时的兆声空化作用较强,容易对晶圆22表面会造成一定的破坏。并且由于兆声波的干涉、叠加作用,在整个发射面的远端声场会出现波峰叠加和波谷叠加导致的高点和低点,声场的分布均匀性差。
本实施例中的用于晶圆清洗的兆声发射装置,通过将换能装置6凸起的一端朝向振荡器2,用以形成相对散射的声场,以抵消换能装置6发射出的声场的聚焦效果,使待清洁面的声场分布均匀,避免对晶圆22表面造成破坏。其次,从换能装置6散射出的声能辐射面积更大,从而可以使用小的换能装置6制作大面积的用于晶圆清洗的兆声发射装置。
在本发明提供的一些实施例中,换能装置的发射的兆声频率为0.4MHz~3.0MHz。
现有技术中的兆声清洗装置的振动频率通常限定在2MHz以下。这是因为频率越高要求压电陶瓷片越薄,因此在2MHz以上频率的大面积的陶瓷片很难生产,所以对于大尺寸晶圆高频率的兆声清洗较难实现。而频率越高对晶圆破坏性越小,随着对芯片精度的提高,要求清洗过程对晶圆的破坏性也要进一步降低,故此更高频率且大尺寸的兆声发射装置是一个技术难题。
本发明提供的兆声发射装置通过利用传导液传递兆声,以及通过将换能装置设置为曲面结构,从而实现利用小面积的压电陶瓷片驱动大面积的振荡器以放大发射面,从而解决现有技术中大面积的压电陶瓷片难以生产的问题。
参考图4、图6所示,在本发明提供的一些实施例中,壳体1在垂直于壳体1与振荡器2的排布方向上的横截面设置为梯形或者扇形。
如图6所示,在对晶圆22进行清洗时,晶圆22需要转动。在转动时,晶圆22的外周侧的线速度大于其中心的线速度,所以在对晶圆22进行清洗时,晶圆22的外周侧需要较高的兆声能量,晶圆22的中心需要较弱的兆声能量,从而使清洗过程中,晶圆22的待清洁面能够受到均匀的声场作用。本实施例中的用于晶圆清洗的兆声发射装置在使用时,可以将用于晶圆清洗的兆声发射装置的宽端26与晶圆22的外周侧相对,将用于晶圆清洗的兆声发射装置的窄端25与晶圆22的圆心相对,以使晶圆22的待清洁面能够受到均匀的声场作用。
进一步地,换能装置6的数量设置为多个。
其中,多个换能装置6沿壳体1的窄端25至宽端26的方向分布,并在沿壳体1的窄端25至壳体1的宽端26的方向上,换能装置6的数量增多。换能装置6数量较多的宽端26能够发射相对较强的声能,换能装置6数量较少的窄端25能够发射相对较弱的声能。
如此设置,可使晶圆22的待清洁面在清洗过程中受到的声能更加均匀。
参考图3所示,在本发明提供的一些实施例中,壳体1远离振荡器2的一侧的内壁倾斜设置,并且在沿壳体1的第一端至壳体1的第二端的方向上,内壁向靠近振荡器2的方向倾斜。
换能装置6的数量设置为多个,多个换能装置6沿壳体1的第一端至第二端的方向分布。
在利用本实施例中的用于晶圆清洗的兆声发射装置对晶圆22进行清洗时,可使壳体1的第一端与晶圆22的圆心相对,使壳体1的第二端与晶圆22的外周侧相对,从而使壳体1的第一端的换能装置6离晶圆22较远,同时壳体1的第二端的换能装置6距离晶圆22更近,从而使晶圆22的外周侧能够接收更多的声能,同时圆周的中心部分接收的声能较少,以保证清洗过程中,晶圆22的待清洁面收到均匀的声场作用。
进一步地,壳体1远离振荡器2的一侧的内壁可以设置为多个倾斜段,各个倾斜段均设置有换能装置6,如此可调整换能装置6的声能发射方向,从而避免不同倾斜段上的换能装置6发射的声场相互干涉影响,达到使用于晶圆清洗的兆声发射装置发射均匀声场的作用。
例如,如图3所示,图中所示壳体1远离振荡器2的一侧的内壁包括第一倾斜段13和第二倾斜段14。
例如,第一倾斜段13与振荡器2之间的夹角设置为12°,第二倾斜段14与振荡器2之间的夹角设置为5°。
在本发明提供的一些实施例中,壳体1与振荡器2可拆卸地相连接。
进一步地,壳体1与振荡器2通过卡扣结构的可拆卸地相连接。
例如,卡扣结构包括公扣27和与公扣27配合卡接的母扣28。振荡器2的内壁上设有母扣28,壳体1上设有公扣27。如此设置,振荡器与壳体之间的间隙设置于振荡器远离晶圆的一侧,使得清洗液不容易进入到壳体与振荡器之间的间隙内。
参考图2、图3所示,在本发明提供的一些实施例中,振荡器远离壳体一侧的端面设有凸台,且凸台的外边沿轮廓小于振荡器的外边沿轮廓。使用过程中,凸台与晶圆表面相对,清洗液流经凸台与晶圆之间的间隙。由于凸台的外边沿轮廓小于振荡器的外边沿轮廓,所以振荡器的外边沿轮廓能够阻挡清洗液上行进入到振荡器与壳体之间的间隙内。
在本发明提供的一些实施例中,用于晶圆清洗的兆声发射装置还包括盖板15、电路板16和导线17。壳体1的外壁上设有凹槽18。
安装孔7贯通设置,且安装孔7的第一端与容纳腔3连通,安装孔7的第二端与凹槽18连通。电路板16设置于凹槽18,并可以通过螺钉固定。导线17的第一端与换能装置6相连接,导线17的第二端穿过安装孔7并与电路板16连接。盖板15与壳体1连接并盖合于凹槽18的槽口。
进一步地,用于晶圆清洗的兆声发射装置还包括电路接头24。电路接头24设置于盖板15上,电路板16与电路接头24连接,电路接头24用于与兆声电源连接。
进一步地,用于晶圆清洗的兆声发射装置还包括第一密封件19。第一密封件19套装于安装孔7内,且第一密封件19的第一端与环形凸块8相抵,第一密封件19的第二端与换能装置6相抵,以避免传导液从第一换能装置6与环形凸块8之间的缝隙经过进入到凹槽18内侵蚀电路板16。
在本发明提供的一些实施例中,用于晶圆清洗的兆声发射装置还包括第二密封件20。第二密封件20设置于壳体1与振荡器2之间,以防止传导液从壳体1与振荡器2之间的缝隙流出。
在本发明提供的一些实施例中,用于晶圆清洗的兆声发射装置还包括第三密封件21。第二密封件20可以设置于盖体与壳体1之间,从而将电路板16密封于凹槽18内,避免电路板16受潮腐蚀。
进一步地,第一密封件19、第二密封件20及第二密封件20可以设置为密封圈,包括但不限于橡胶密封圈。
本发明提供的实施例中还提供一种声波清洗系统。
具体而言,声波清洗系统包括驱动机构、液体驱动装置23及如上的用于晶圆清洗的兆声发射装置。
驱动机构用于驱动晶圆22转动。例如,驱动机构可以包括电机和与电机的输出轴连接的吸盘。吸盘用于吸附晶圆22,电机驱动吸盘带动晶圆22转动。
用于晶圆清洗的兆声发射装置的振荡器2与晶圆22相对。例如,振荡器2与晶圆22之间的间隙可设置为0.5mm-3mm。
液体驱动装置23包括供清洗液排出的排液口,且排液口朝向晶圆22,以使清洗过程中,清洗液能够充盈于振荡器2与晶圆22之间。
可选地,液体驱动装置23可以包括液泵和管路。液泵通过管路将清洗液输送至晶圆22表面。
需要说明的是,声波清洗系统包含了用于晶圆清洗的兆声发射装置也就包含了其所有优点,此处不再赘述。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (9)

1.一种用于晶圆清洗的兆声发射装置,其特征在于,包括:
壳体,设有与所述壳体的内部连通的开口;
振荡器,与所述壳体连接并盖合于所述开口,所述振荡器与所述壳体围成用于容纳传导液的容纳腔,所述壳体上设有供所述传导液进入所述容纳腔的进液口和供所述容纳腔内的所述传导液排出的排液口;
换能装置,用于将电能转换为声能,所述换能装置连接于所述壳体远离所述振荡器一侧的内壁,并且所述换能装置与所述振荡器之间设有间隔,所述换能装置设置为曲面结构,且所述换能装置凸起的一端朝向所述振荡器。
2.根据权利要求1所述的用于晶圆清洗的兆声发射装置,其特征在于,所述壳体在垂直于所述壳体与所述振荡器的排布方向上的横截面设置为梯形或者扇形。
3.根据权利要求2所述的用于晶圆清洗的兆声发射装置,其特征在于,所述换能装置的数量设置为多个;
其中,多个所述换能装置沿所述壳体的窄端至宽端的方向分布,并在沿所述壳体的窄端至所述壳体的宽端的方向上,所述换能装置的数量增多。
4.根据权利要求1-3任一项所述的用于晶圆清洗的兆声发射装置,其特征在于,所述壳体远离所述振荡器的一侧的内壁倾斜设置,并且在沿所述壳体的第一端至所述壳体的第二端的方向上,所述内壁向靠近所述振荡器的方向倾斜;
所述换能装置的数量设置为多个,多个所述换能装置沿所述壳体的第一端至第二端的方向分布。
5.根据权利要求1所述的用于晶圆清洗的兆声发射装置,其特征在于,还包括用于固定所述换能装置的卡簧;
所述壳体远离所述振荡器一侧的内壁设有与所述容纳腔相连通的安装孔,所述安装孔的孔壁上设有环形凸块和环形槽,所述卡簧套装于所述环形槽内,所述换能装置的第一端面与所述环形凸块相抵,所述换能装置的第二端面与所述卡簧相抵。
6.根据权利要求1所述的用于晶圆清洗的兆声发射装置,其特征在于,所述换能装置包括压电陶瓷片、第一电极层和第二电极层;
所述压电陶瓷片的两个端面分别设置有所述第一电极层和所述第二电极层,所述第一电极层朝向所述振荡器。
7.根据权利要求1所述的用于晶圆清洗的兆声发射装置,其特征在于,所述壳体与所述振荡器可拆卸地相连接。
8.根据权利要求7所述的用于晶圆清洗的兆声发射装置,其特征在于,所述壳体与所述振荡器通过卡扣结构可拆卸地相连接;
所述卡扣结构包括公扣和与所述公扣卡接连接的母扣;
所述壳体设有所述公扣,所述振荡器设有所述母扣。
9.一种声波清洗系统,其特征在于,包括驱动机构、液体驱动装置及如权利要求1-8任一项所述的用于晶圆清洗的兆声发射装置;
所述驱动机构用于驱动晶圆转动;
所述用于晶圆清洗的兆声发射装置的所述振荡器与所述晶圆相对;
所述液体驱动装置包括供清洗液排出的排液口,且所述排液口朝向所述晶圆。
CN202111622810.7A 2021-12-28 2021-12-28 用于晶圆清洗的兆声发射装置及声波清洗系统 Active CN114345826B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111622810.7A CN114345826B (zh) 2021-12-28 2021-12-28 用于晶圆清洗的兆声发射装置及声波清洗系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111622810.7A CN114345826B (zh) 2021-12-28 2021-12-28 用于晶圆清洗的兆声发射装置及声波清洗系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114345826A CN114345826A (zh) 2022-04-15
CN114345826B true CN114345826B (zh) 2023-01-03

Family

ID=81102546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111622810.7A Active CN114345826B (zh) 2021-12-28 2021-12-28 用于晶圆清洗的兆声发射装置及声波清洗系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114345826B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114871182B (zh) * 2022-05-27 2023-08-04 宁波润华全芯微电子设备有限公司 一种用于液体防护的晶圆清洗装置
CN117299666A (zh) * 2022-06-23 2023-12-29 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 基板处理设备

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002233837A (ja) * 2001-02-06 2002-08-20 Honda Electronic Co Ltd 超音波洗浄方法及びその装置
CN102468117A (zh) * 2010-11-05 2012-05-23 北京七星华创电子股份有限公司 一种清洁晶片装置
CN102509713A (zh) * 2011-11-10 2012-06-20 北京七星华创电子股份有限公司 用于湿法腐蚀及清洗工艺的兆声波换能装置
CN102873020A (zh) * 2012-10-12 2013-01-16 北京七星华创电子股份有限公司 兆声波换能器的连接盖
CN102974563A (zh) * 2011-09-06 2013-03-20 台湾积体电路制造股份有限公司 用于可移动兆声晶圆喷头的装置和方法
CN103008282A (zh) * 2012-11-29 2013-04-03 北京七星华创电子股份有限公司 清洗兆声波换能器的装置
CN203002555U (zh) * 2012-12-21 2013-06-19 浙江嘉康电子股份有限公司 压电陶瓷雾化换能片
CN103691655A (zh) * 2014-01-02 2014-04-02 福州市台江区振斌高效电磁聚能科技研究所 超声波换能器主体结构
CN106340477A (zh) * 2016-08-26 2017-01-18 北京七星华创电子股份有限公司 一种能量均匀分布的超声波/兆声波清洗装置
CN111974662A (zh) * 2020-08-06 2020-11-24 韶关东阳光自动化设备有限公司 一种模块拼接式相控阵换能器

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002233837A (ja) * 2001-02-06 2002-08-20 Honda Electronic Co Ltd 超音波洗浄方法及びその装置
CN102468117A (zh) * 2010-11-05 2012-05-23 北京七星华创电子股份有限公司 一种清洁晶片装置
CN102974563A (zh) * 2011-09-06 2013-03-20 台湾积体电路制造股份有限公司 用于可移动兆声晶圆喷头的装置和方法
CN102509713A (zh) * 2011-11-10 2012-06-20 北京七星华创电子股份有限公司 用于湿法腐蚀及清洗工艺的兆声波换能装置
CN102873020A (zh) * 2012-10-12 2013-01-16 北京七星华创电子股份有限公司 兆声波换能器的连接盖
CN103008282A (zh) * 2012-11-29 2013-04-03 北京七星华创电子股份有限公司 清洗兆声波换能器的装置
CN203002555U (zh) * 2012-12-21 2013-06-19 浙江嘉康电子股份有限公司 压电陶瓷雾化换能片
CN103691655A (zh) * 2014-01-02 2014-04-02 福州市台江区振斌高效电磁聚能科技研究所 超声波换能器主体结构
CN106340477A (zh) * 2016-08-26 2017-01-18 北京七星华创电子股份有限公司 一种能量均匀分布的超声波/兆声波清洗装置
CN111974662A (zh) * 2020-08-06 2020-11-24 韶关东阳光自动化设备有限公司 一种模块拼接式相控阵换能器

Also Published As

Publication number Publication date
CN114345826A (zh) 2022-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN114345826B (zh) 用于晶圆清洗的兆声发射装置及声波清洗系统
CN114054429B (zh) 大尺寸晶圆兆声清洗系统
US6892738B2 (en) Apparatus and methods for reducing damage to substrates during megasonic cleaning processes
KR101226071B1 (ko) 음향 에너지를 발생시키기 위한 장치, 및 그것을 만드는 방법
US20080264442A1 (en) Method of cleaning substrates utilizing megasonic energy
US7145286B2 (en) Wedge shaped uniform energy megasonic transducer
KR101431643B1 (ko) 정합된 트랜스듀서들 및 마운팅 플레이트를 구비한 메가소닉 다중주파수 장치
WO2008085258A1 (en) Megasonic precision cleaning of semiconductor process equipment components and parts
KR100473475B1 (ko) 기판 세정 장치
US7105985B2 (en) Megasonic transducer with focused energy resonator
CN202290654U (zh) 兆声波清洗头及具有该清洗头的兆声波清洗系统
US9987666B2 (en) Composite transducer apparatus and system for processing a substrate and method of constructing the same
US9815092B2 (en) Ultrasonic cleaning apparatus
JP2003093984A (ja) ウエット処理ノズルおよびウエット処理装置
KR101688455B1 (ko) 횡파 발생 방지가 가능한 압전소자를 가진 초음파 진동자 및 이를 포함하는 초음파 세정 장치
CN102327883B (zh) 兆声波清洗头及具有该清洗头的兆声波清洗系统
TWI225659B (en) Apparatus and method for cleaning electronic components
US6955727B2 (en) Substrate process tank with acoustical source transmission and method of processing substrates
US20080029125A1 (en) Method and apparatus for damage-free, single wafer, sonic boundary layer, megasonic cleaning
KR100986585B1 (ko) 방열몸체를 갖는 초음파 진동자 및 그것을 구비한 초음파 세정장치
JP2005093968A (ja) 真空チャック
JP3338175B2 (ja) 噴射型超音波洗浄装置
KR100938249B1 (ko) 초음파 발생 장치 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
JP3390497B2 (ja) 超音波発生装置および超音波洗浄装置
JP3783174B2 (ja) 流水式超音波洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant