KR101431643B1 - 정합된 트랜스듀서들 및 마운팅 플레이트를 구비한 메가소닉 다중주파수 장치 - Google Patents

Abstract

메가소닉 프로세싱 장치는 메가소닉 두께-모드 트랜스듀서들의 기본 공진 주파수 또는 더 높은-레벨 하모닉 주파수를 상기 트랜스듀서들이 마운팅된 플레이트나 다른 마운팅 구조의 기본 공진 주파수 또는 더 높은-레벨 하모닉 주파수에 정합한다. 상기 다중주파수 트랜스듀서들은 두께 모드에서 서로 다른 동작 주파수들에서 동작하는 압전 트랜스듀서들이다. 상기 트랜스듀서 위치들에서 상기 마운팅 플레이트의 두께는 상응하는 트랜스듀서의 공진 또는 하모닉 주파수에 정합된 공진 또는 하모닉 주파수를 제공하기 위해서 선택된다. 둘 또는 그 이상의 메가소닉 트랜스듀서들은 동일한 방사 표면에 본딩된다.

Description

정합된 트랜스듀서들 및 마운팅 플레이트를 구비한 메가소닉 다중주파수 장치 {Megasonic multifrequency apparatus with matched transducers and mounting plate}

본 발명은 적어도 300 KHz 또는 더 높은 상이한 메가소닉 주파수들에서 두께 (thickness) 모드에서 동작하는 둘 이상의 압전 트랜스듀서들을 포함하는 메가소닉 (megasonic) 프로세싱 장치 및 연관된 방법에 일반적으로 관련되며, 그리고 더 상세하게는, 다중주파수 트랜스듀서들의 기본 공진 주파수 또는 더 높은-레벨 하모닉 (harmonic) 주파수를 트랜스듀서들이 마운팅된 플레이트나 다른 마운팅 구조의 기본 공진 주파수 또는 더 높은-레벨 하모닉 주파수에 정합함으로써 성능을 향상시키는 것에 관련된다.

메가소닉 프로세싱은 300 KHz를 넘는 주파수들에서 고주파수 에너지를 생성하고 이용하는 것을 포함한다. 많은 메가소닉 시스템들은 1,000 KHz (1 MHz)에서 또는 거의 1,000 KHz (1 MHz)의 주파수들에서 동작한다. 비록 1 MHz가 합의된 것이지만, 많은 애플리케이션들을 위한 바람직한 주파수의 주파수 범위는 아주 더 높이, 10 MHz 만큼 높은 주파수로 간다. 메가소닉 시스템들을 위한 전형적인 이용은 반도체 웨이퍼들 그리고 디스크 드라이브 매체와 같은 섬세한 물체들을 깨끗하게 하는 것을 포함한다. 그런 메가소닉 클리닝 프로세스는 깨끗하게 할 물체들을 액체로 채워진 탱크 내에 위치하게 하고, 그리고 메가소닉 주파수들에서의 진동 에너지를 상기 탱크의 방사 표면 또는 표면들로 인가하는 것을 포함한다. 상기 진동 에너지를 생성하기 위해서 하나 또는 그 이상의 압전 트랜스듀서 (piezoelectric transducers (PZT))들이 사용된다. 상기 PZT들은 외부의 압력이나 압축없이 플레이트나 탱크에 본딩되거나 그렇지 않으면 부착된다. 제너레이터는 상기 트랜스듀서들에게 교류 전류의 구동 신호를 공급한다. 메가소닉 트랜스듀서들은 두께 모드 (thickness mode)에서 동작하며, 그 경우에 트랜스듀서의 교대의 확장 및 수축, 주로 상기 트랜스듀서의 두께를 확장시키고 그리고 수축시키는 원인이 되는 교류 전류 구동 신호에 의해서 압전 엘리먼트가 여기된다. 0.080 인치의 두께를 가진 압전 트랜스듀서는 1,000 KHz의 기본 (fundamental), 두께 모드의, 공진 주파수를 가진다. 더 얇은 PZT는 두께 모드에서 더 높은 공진 주파수를 가질 것이며, 더 두꺼운 PZT는 두께 모드에서 더 낮은 공진 주파수를 가질 것이다. 고 주파수 에너지의 분배 및 균일함을 향상시키기 위해서, 본 출원인의 미국 특허 7,598,654에서 개시된 것과 같이 주파수들의 범위에 걸쳐서 상기 구동 주파수를 스윕 (sweep)하는 것이 알려져 있다.

메가소닉 프로세싱은 울트라소닉 프로세싱보다 아주 더 높은 주파수들에서 일어나며, 울트라소닉 프로세싱은 보통은 25 KHz 내지 40 KHz 범위 내의 기본 주파수들 그리고 약 300 KHz를 향한 상단-레벨 하모닉스들을 포함한다. 울트라소닉 트랜스듀서들은 압전 엘리먼트의 어느 한 쪽의 측면 상의 비활성 질량들을 구비하여 보통은 질량 밸런스 (mass-balance)인 것이 보통이며, 그리고 상기 두께에 우측 각도들에서 이동의 커다란 방사상 (radial) 성분을 가진다. 상기 PZT들은 중심이 잘려 나간 원형의 링들이며, 그것들의 주파수는 내부 직경의 외부 직경에 대한 관계에 의해서 결정된다. 울트라소닉 트랜스듀서의 하나의 공통적인 구성은 두 질량들 사이에 하나 또는 그 이상의 링-모습의 압전 엘리먼트들을 쌓고, 그리고 그 어셈블리를 축 방향의 압박 볼트로 함께 보유하는 것이다. 방사상 (radial) PZT를 압축하는 것은 그것의 진동 진폭을 증가시키며, 이는 두께 모드 PZT에서 발생한 것과는 반대이다. 울트라소닉 클리닝은 공동화 (cavitation)를 기반으로 하며, 이는 액체 내의 기포들의 형성 및 붕괴이다.

메가소닉 클리닝을 위해서 사용되는 주파수들에서, 의미있는 기포들은 발생하지 않으며, 그래서 클리닝 동작은 마이크로-스트리밍 (micro-streaming)이라고 알려진 다른 메커니즘을 기반으로 하며, 마이크로-스트리밍은 메가소닉 트랜스듀서들로부터 멀리 흐르는 분리된 입자들의 보통의 흐름이다. 이 흐름은 상기 트랜스듀서들이 마운트된 표면에서 시작하는 평면 파형들로 구성된다. 상기 트랜스듀서들이 상기 탱크의 바닥에 마운트되면, 그러면 상기 평면 파형들은 수직 방향에서 위로 이동한다. 이런 마이크로-스트림들의 평면의 속성은 상기 탱크에 걸친 메가소닉 에너지의 분배에 영향을 미친다. 상기 메가소닉 트랜스듀서들 사이의 빈 점들이나 간격들 맞은편에는 활동이 거의 없거나 전혀 없다. 상기 분배를 최대화하는 한가지 방법은 상기 탱크의 표면 영역의 높은 비율 (예를 들면, 80-90%)을 트랜스듀서들로 덮는 것이다. 다른 그러나 덜 효율적인 방법은 프로세싱될 부품들을 상기 탱크에 걸쳐서 왕복시키거나 이동시켜서, 모든 표면들이 높은 메가소닉 에너지에 충분하게 노출되도록 하는 것이다.

예를 들면 미국 특허 6,019,852에서 보여지는 것처럼, 울트라소닉 장치들에서 상이한 주파수들의 다중의 트랜스듀서들을 사용하는 것이 알려져 있다. 이 특허는 더 낮은 주파수 트랜스듀서들을 더 높은 주파수 트랜스듀서들의 경우보다 더 두꺼운 플레이트 상에 마운트하는 것을 개시하며, 이는 상기 더 낮은 주파수 트랜스듀서들에 의해서 초래된 과도한 부식에 반격하기 위한 것이다.

미국 특허 7,598,654 미국 특허 6,019,852

본 발명은 메가소닉 주파수 장치에 있어서 성능을 향상시키기 위해서, 다중주파수 트랜스듀서들의 기본 공진 주파수 또는 더 높은-레벨 하모닉 (harmonic) 주파수를 트랜스듀서들이 마운팅된 플레이트나 다른 마운팅 구조의 기본 공진 주파수 또는 더 높은-레벨 하모닉 주파수에 정합시키는 구조를 제공하려고 한다.

본 발명은 적어도 300 KHz의 기본 공진 주파수 (fundamental resonant frequency)에서 두께 모드 (thickness mode)에서 동작하는 두 개의 압전 트랜스듀서 (piezoelectric transducers (PZT))를 구비한 메가소닉 (megasonic) 프로세싱 장치에 관한 것이다. 제1 트랜스듀서 및 제2 트랜스듀서는 대응하는 제1 동작 주파수 및 제2 동작 주파수를 가지며 이 주파수들은 서로 상이하다. 상기 트랜스듀서들을 마운팅하기 위해서 마운팅 플레이트가 제공된다. 상기 제1 트랜스듀서의 위치에서 상기 마운팅 플레이트는 제1 두께를 가지며 그리고 상기 제1 동작 주파수와 실질적으로 동일한 기본 공진 주파수 또는 하모닉 주파수를 가진다. 상기 제2 트랜스듀서의 위치에서 상기 마운팅 플레이트는 제2 두께를 가지며 그리고 상기 제2 동작 주파수와 실질적으로 동일한 기본 공진 주파수 또는 하모닉 주파수를 가진다. 상기 장치는 액체 그리고 하나 또는 그 이상의 프로세싱될 부품들을 포함하는 탱크를 또한 포함한다. 상기 마운팅 플레이트는 상기 탱크에 작동적으로 연결되어, 상기 트랜스듀서들이 상기 탱크과 탱크의 내용물들에게 진동들을 제공하도록 한다. 상기 장치는 상기 트랜스듀서들에 연결되어 상기 제1 동작 주파수 및 제2 동작 주파수에서 구동 신호들을 공급하기 위한 하나 또는 그 이상의 제너레이터들을 또한 포함한다.

상기 마운팅 플레이트는 상기 트랜스듀서들의 동작 주파수에 정합되는 공진 주파수를 갖는다. 본 발명의 일 실시예에서, 상기 트랜스듀서들은 모두 실질적으로 동일한 디맨젼 (dimension)들을 가지며, 그러나 트랜스듀서들은 기본 공진 주파수에서 동작하며 다른 트랜스듀서들은 3차 하모닉 주파수에서 동작한다. 상기 마운팅 플레이트는 균일한 두께를 가지며 그리고 상기 트랜스듀서들의 기본 공진 주파수와 실질적으로 동일한 기본 공진 주파수를 가지며, 상기 트랜스듀서들의 3차 하모닉 주파수와 실질적으로 동일한 3차 하모닉 주파수를 갖는다. 예를 들면, 상기 트랜스듀서들은 470 KHz의 기본 공진 주파수 그리고 약 1560 KHz의 3차 하모닉 주파수를 가진다. 따라서, 상기 마운팅 플레이트는 470 KHz의 기본 공진 주파수 그리고 약 1560 KHz의 3차 하모닉 주파수를 가지며, 그래서 상기 트랜스듀서들에 정합한다.

이 실시예는 상기 마운팅 플레이트가 균일한 두께를 가지며 그리고 3차-하모닉 트랜스듀서들은 상기 기본 공진 주파수 트랜스듀서들과 동일한 디맨젼들을 가진다는 이점을 가진다. 대안으로, 더 높은 주파수 트랜스듀서들은 더 높은 차수의 하모닉 대신에 자신의 기본 공진 주파수에서 구동된 더 얇은 PZT를 기반으로 할 수 있을 것이다. 예를 들면, 0.23 인치 두께의 PZT는 470 KHz의 기본 공진 주파수 그리고 1560 KHz의 3차 하모닉 주파수를 가질 것이며, 반면에 1560 KHz의 기본 공진 주파수를 획득하기 위해서 상기 PZT 두께는 0.05 인치로 줄어들어야만 한다. 3차 하모닉에서 동작된 더 두꺼운 PZT는 자신의 기본 공진 주파수에서 동작된 더 얇은 PZT보다 크랙 생성에 대해 더욱 튼튼하고 그리고 더 내성이 있다.

바람직하게는, (기본 공진 주파수에서 동작하는) 다중의 제1 트랜스듀서들 그리고 (3차 하모닉 주파수에서 동작하는) 다중의 제2 트랜스듀서들이 존재하며 그리고 그 트랜스듀서들은 상기 마운팅 플레이트 상에 교번하는 시퀀스 (alternating sequence)로 배치된다. 상기 트랜스듀서들은 두께 모드에서 동작하며 그리고 바람직하게는 상기 마운팅 플레이트의 한 디맨젼을 가로질러 뻗는 길이를 가지는 긴 직사각형들이다.

다른 실시예들에서, 상기 마운팅 플레이트는 비-균일 두께를 가진다. 예를 들면, 상기 마운팅 플레이트는 상기 트랜스듀서들의 기본 주파수 및 하모닉 주파수 둘 모두에 정합하지 않을 수 있을 것이다. 상기 마운팅 플레이트와 상기 트랜스듀서들의 기본 공진 주파수들은 정합될 수 있을 것이지만, 3차 하모닉들은 정합되지 않는다. 이런 상황에서, 상기 마운팅 플레이트의 두께는 제2 트랜스듀서의 마운팅 위치에서 조절되어서, 3차 하모닉들이 정합되도록 한다. 대안으로, 상기 마운팅 플레이트 및 상기 트랜스듀서들의 상기 3차 하모닉 주파수들은 정합될 수 있을 것이지만, 상기 기본 공진 주파수들은 정합되지 않는다. 이 기본 공진 주파수들을 정합시키기 위해서, 상기 마운팅 플레이트의 두께는 상기 제1 트랜스듀서의 마운팅 위치에서 조절된다.

다른 실시예에서, 상기 마운팅 플레이트는 선택된 상이한 두께들을 가져서, 자신의 기본 공진 주파수들이 대응하는 제1 트랜스듀서 및 제2 트랜스듀서의 동작 주파수들에 정합되도록 한다. 트랜스듀서의 마운팅 위치에서의 상기 마운팅 플레이트의 두께는, 상기 트랜스듀서의 동작 주파수에서 상기 마운팅 프레이트가 자신의 기본 공진 모드로 공진하는 것을 허용하도록 선택된다. 상기 마운팅 플레이트의 두께는 더 높은 주파수 트랜스듀서의 위치에서 더 얇을 것이다. 상기 더 높은 주파수 트랜스듀서들의 위치에서 상기 마운팅 플레이트의 줄어든 두께는 과도한 재료를 제거하기 위해서 더 두꺼운 플레이트를 기계 가공함으로써 만들어질 수 있다. 대안으로, 상기 플레이트는 상기 트랜스듀서들의 더 높은 동작 주파수에 정합된 기본 공진 주파수를 가지는 얇은 플레이트로 시작할 수 있을 것이며, 그리고 그 두께를 상기 더 낮은 동작 주파수의 기본 공진 주파수와 정합하기 위해서 필요한 두께까지 가져가기 위해서 부가적인 재료가 추가될 수 있을 것이다. 다른 대안은 패턴이 형성된 다이 또는 몰드 내의 마운팅 플레이트를 다이캐스팅하거나 몰딩하여 그 결과 원하는 두께의 마운팅 플레이트로 귀결되게 하는 것이다. 상기 다이캐스팅 또는 몰딩 프로세스는 알루미늄이나 다른 금속들을 이용할 수 있다. 상기 마운팅 플레이트를 조립하기 위한 재료들로서 분말 금속들이 사용될 수 있을 것이다. 바람직하게는, 기본 공진 주파수에서 동작하는 다중의 제1 트랜스듀서들 그리고 상이한 기본 공진 주파수에 동작하는 다중의 제2 트랜스듀서들이 존재한다. 이 트랜스듀서들은 상기 마운팅 플레이트 상에 교번하는 시퀀스로 배치된다. 상기 트랜스듀서들은 두께 모드에서 동작하며 그리고 바람직하게는 상기 마운팅 플레이트의 한 디맨젼을 가로질러 뻗는 길이를 가지는 긴 직사각형들이다.

다른 실시예에서, 여러 트랜스듀서들의 어레이가 제공되어, 주파수들의 범위 내에서 많은 상이한 동작 주파수들을 가진다. 상기 트랜스듀서들은 가장 낮은 동작 주파수로부터 가장 높은 동작 주파수로의 시퀀스로 배치될 수 있을 것이며, 또는 다른 비-순차적 배열로 또한 배치될 수 있을 것이다. 이 실시예는 탱크 내에서 프로세싱될 부품들을 그 탱크의 한 말단으로부터 다른 말단까지 운반하기 위한 수송 메커니즘을 포함하는 탱크와 함께 사용되어, 그래서 그 부품들이 상기 트랜스듀서들에 의해서 방사되는 다양한 모든 주파수들을 받게 하려는 의도이다.

본 명세서에서 설명된 특징들 및 이점들은 모두를 포함하는 것이 아니며, 특히, 상기 도면들, 명세서 및 청구 범위를 참조한 본 발명이 속한 기술분야에서의 통상의 지식을 가진 자에게는 많은 추가적인 특징들 및 이점들이 명확할 것이다. 더욱이, 본 명세서에서 사용된 언어는 가독성 및 교육적인 목적들을 위해서 중요하게 선택된 것이며, 그리고 특허성이 있는 대상을 묘사하거나 한정하고 그런 특허성이 있는 대상을 결정하기 위해서 필요한 청구범위에 의지하기 위해서 선택된 것은 아니라는 것에 유의해야만 한다.

본 발명의 효과는 본 명세서의 해당되는 부분들에 개별적으로 명시되어 있다.

도 1은 본 발명에 따른 메가소닉 다중주파수 프로세싱 시스템의 전반적인 원근 모습이다.
도 2는 본 발명의 메가소닉 다중주파수 프로세싱 시스템에서 사용되는 탱크를 위에서 본 원근 모습이다.
도 3은 탱크를 밑에서 본 원근 모습이다.
도 4는 상기 탱크를 측면 위에서 본 모습이다.
도 5는 탱크를 밑에서 본 모습이다.
도 6은 메가소닉 다중주파수 프로세싱 시스템의 개략적인 모습이며 그리고 탱크 그리고 부착된 메가소닉 트랜스듀서의 단면 모습이고, 메가소닉 트랜스듀서는 탱크 내의 액체에 메가소닉 진동들을 생성하기 위해서 트랜스듀서에 구동 신호들을 공급하는 제너레이터를 구비한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에서 사용된 구동 신호의 주파수 대 시간의 그래프이다.
도 8a 및 도 8b는 금속 마운팅 플레이트를 통해서 전파된 울트라소닉 신호에 대한 주파수의 함수로서의 신호 임피던스의 그래프이다.
도 9는 균일한 두께의 마운팅 플레이트 그리고 1차 및 3차 하모닉 주파수로 동작하는 트랜스듀서들을 채택한 본 발명의 일 실시예의 측면 모습이다.
도 10은 두 마운팅 플레이트들의 측면 모습이다.
도 11은 트랜스듀서 마운팅 위치들에서 두 두께들을 가진 마운팅 플레이트를 채택한 본 발명의 다른 실시예의 측면 모습이다.
도 12는 도 11의 마운팅 플레이트의 원근적인 모습이다.
도 13은 마운팅 플레이트의 측면 모습이다.
도 14는 트랜스듀서 마운팅 위치들에서 두 두께들을 구비한 마운팅 플레이트를 채택한 본 발명의 다른 실시예의 측면 모습이다.
도 15는 트랜스듀서들의 어레이를 채택한 본 발명의 다른 실시예의 측면 모습이다.

상기 도면들은 본 발명의 다양한 바람직한 실시예들을 예시의 목적으로만 도시한다. 본 발명이 속한 기술분야에서의 통상의 지식을 가진 자는 다음의 설명으로부터 여기에서 설명된 본 발명의 원칙들로부터 벗어나지 않으면서도 여기에서 예시된 방법들 및 구조들의 대안의 실시예들이 채택될 수 있을 것이라는 것을 쉽게 알 것이다.

본 발명의 하나의 모습은 트랜스듀서 마운팅 플레이트의 기본 공진 주파수나 고차의 하모닉 주파수를 그 플레이트 상에 마운트된 다중주파수 트랜스듀서들의 동작 주파수들에 정합 (match)시키는 것이다. 상기 트랜스듀서들은 상기 탱크와 그 탱크 내의 프로세싱될 부품들에게 메가소닉 주파수들의 혼합을 공급하기 위해서 기본 공진 주파수 또는 고차의 하모닉 주파수 중 어느 하나인 상이한 동작 주파수들을 가진다. 상기 트랜스듀서들은 적어도 300 KHz의 기본 공진 주파수들을 갖는 두께 모드 메가소닉 트랜스듀서들이다. 상기 메가소닉 트랜스듀서들은 탱크의 바닥이나 측면들에 마운트되거나 또는 부착되거나 또는 상기 탱크 내의 침수 가능한 컨테이너 내에 넣어질 수 있을 것이다. 바람직하게는, 상기 트랜스듀서들은 두께 모드에서 동작하는 압전 수정 또는 바륨 티탄산염 (barium titanate) 또는 납 지르콘산염 티탄산염 (lead zirconate titanate)과 같이 (PZT들로서도 알려진) 압전 세라믹이다. 마운팅 플레이트의 두께-모드 공진 주파수 또는 하모닉 주파수를 메가소닉 트랜스듀서들의 동작 주파수들에 정합하는 것은 상기 트랜스듀서들로부터 상기 탱크로의 에너지 전달을 향상시킨다.

상기 트랜스듀서들은 마운팅 플레이트, 탱크의 표면 또는 다른 구조 상에 마운트된다. 편이를 위해서, 상기 트랜스듀서들이 그 위에 마운트되는 어떤 구조도 여기에서는 마운팅 플레이트로 언급될 것이지만, 이 용어는 탱크 구조에 통합된 것이건 또는 탱크 구조와는 별개의 것이건, 트랜스듀서 마운팅 구조를 모두 포함하는 것으로 의도된다. 상기 마운팅 플레이트의 재료는 금속, 하이-테크 세라믹, 카본, 석영 또는 사운드를 전송하기 위한 고도의 기능을 가진 다른 물질들일 수 있다. 참조된 주파수들은 예시만의 목적인 스테인레스 스틸을 기반으로 한다. 상기에서 참조된 재료들 각각은 그 자신의 두께 모드 주파수들을 가진다.

도 1 내지 도 6에서 보이는 것처럼, 본 발명의 일 실시예는 클리닝 액체나 용액 (14)을 포함하는 클리닝 탱크 (12) 및 클리닝될 하나 또는 그 이상의 조각들 (15)을 포함하는 클리닝 시스템 (10)이다. 메가소닉 에너지는 상기 탱크 (12)의 바닥에 첨부되거나 또는 상기 탱크에 부착되거나 통합된 (integrated) 마운팅 플레이트 (20)에 첨부된 메가소닉 주파수 트랜스듀서들 (16, 18)에 의해서 상기 클리닝 액체 (14)로 공급된다. 대안으로, 메가소닉 트랜스듀서들은 상기 탱크의 하나 또는 그 이상의 측면들에 첨부되거나 또는 상기 탱크 내에 잠길 수 있다. 바람직하게는, 상기 메가소닉 트랜스듀서들 (16, 18)은, 상기 탱크 (12)나 마운팅 플레이트 (20)에 들러붙어 본딩되거나 또는 그렇지 않다면 부착된 압전 엘리먼트들 (PZT)을 구비한다. 상기 트랜스듀서들 (16, 18)은 상기 탱크 (12)나 마운팅 플레이트 (20)에 연이어 부착된 실리콘 탄화 (carbide) 플레이트에 들러붙어 본딩되거나 또는 그렇지 않다면 부착될 수 있을 것이다. 바람직하게는, 상기 트랜스듀서들 (16, 18)과 상기 탱크 (12)나 마운팅 플레이트 (20) 사이의 본딩 레이어들 (22)은 기공이 뚫린 구리 포일 (foil)과 임피던스 정합 점착물로 구성된다. 대안으로, 상기 본딩 레이어들은 에폭시로 구성되거나 또는 반도체 칩들을 패키지 기판들에 접착시키는 다이 (die) 용으로 사용된 다른 점착물로 구성될 수 있을 것이다.

상기 압전 엘리먼트는 균일한 두께를 가진 정사각형, 직사각형 또는 원형 디스크나 다른 모습일 수 있다. 예를 들면, 1,000 KHz의 공칭 (nominal) 주파수에서 동작하기 위해서, 상기 압전 엘리먼트는 약 0.08 인치의 두께를 가질 것이며 그리고 석영 탱크 (12)의 바닥은 약 0.20 인치의 두께를 가질 것이다. 트랜스듀서들 (16, 18) 그리고 클리닝 시스템 (10)은 본 발명을 통합하는 장치와 트랜스듀서의 일 예일 뿐이다.

도 3 내지 도 6에서 보이는 것처럼, 상기 트랜스듀서들 (16, 18)은 바람직하게는 직사각형의 모습이고 그리고 교번하는 시퀀스 (alternating sequence)로 서로에게 평행하게 배치되며, 상기 시퀀스는 각각의 트랜스듀서의 여러 개를 포함한다. 바람직하게는, 상기 트랜스듀서들 (16, 18)은 상기 탱크 (12)의 바닥 표면의 많은 부분, 바람직하게는 적어도 80%를 커버한다. 메가소닉 에너지를 생성하여 그 에너지를 상기 트랜스듀서들 (16, 18)이 부착된 표면의 전체 영역에 걸쳐서 상기 탱크 (12) 및 액체 (14)로 균일하게 전달하는 것이 바람직하다. 트랜스듀서들을 구비한 탱크 바닥 표면 영역의 높은 비율을 커버하는 것은 상기 액체 (14)로 전달된 메가소닉 에너지가 상대적으로 균일한 것을 보장한다.

도 6에서 보이는 것처럼, 상기 트랜스듀서들 (16, 18)은 프로그램 가능한 제너레이터 (26)에 의해서 전기 와이어들 (24)을 통해서 공급된 구동 신호에 의해서 구동된다. 상기 제너레이터 (26)는 상기 제너레이터에 의한 구동 신호 출력의 특성들을 설정하기 위해서 사용자 입력이나 인터페이스 (28)를 통해서 사용자에 의해 프로그램된다.

메가소닉 주파수 압전 트랜스듀서는 두께 모드에서 동작하여, 인가된 전압들은 상기 트랜스듀서로 하여금 두께에 있어서 확장하고 그리고 수축하도록 한다. 이런 확장들 및 수축들은 상기 탱크 (12)나 마운팅 플레이트 (20)를 통해서 그 탱크 내의 액체 (14) 및 물체들 (15)에게 전달된다. 도 6에서 점선들에 의해서 보여진 것처럼, 상기 트랜스듀서들 (16, 18)이 상기 탱크 (12)의 바닥 위에 위치한다고 가정했을 때에 이 메가소닉-주파수 진동들은 주로 수평 파형들이다. 이 파형들은 도 6에서 화살표들로 지시된 것처럼 위로 전파되며 (propagate) 그리고 상기 탱크 내의 물체들 (15)로부터 분리된 또는 깨끗하게 된 입자들을 운반한다. 이것은 마이크로-스트리밍으로서 알려진 프로세스이며, 이때에 메가소닉 에너지의 소스로부터 멀어지는 위쪽으로의 최종적인 움직임이 존재한다. 도 1 및 도 2에서 도시된 것처럼, 상기 탱크는 둑 (21)을 구비하여, 과도한 액체와 입자들이 이 둑을 넘어서 흐르며, 그리고 펌프 (23) 및 필터 (25)는 상기 액체를 순환시키고 깨끗하게 하기 위한 것이다.

일반적으로 상기 기본 공진 주파수 (fundamental resonant frequency)는 트랜스듀서의 기계적인 성질 및 전기적인 성질이 가장 효율적으로 사운드 파형들을 전달할 수 있는 경우의 주파수이다. 두께 모드에서 동작하는 메가소닉 트랜스듀서들에서, 상기 트랜스듀서의 두께는 상기 기본 공진 주파수를 결정한다. 예를 들면, 0.08 인치 두께의 트랜스듀서는 약 1,000 KHz의 기본 공진 주파수를 가질 것이다. 0.065 인치 두께인 트랜스듀서는 약 1230 KHz의 기본 공진 주파수를 가질 것이다. 0.05 인치 두께의 트랜스듀서는 약 1600 KHz의 기본 공진 주파수를 가질 것이다. 여기에서 사용된 "공진 주파수"의 용어는, 설치된 트랜스듀서가 때로는 1차 하모닉 주파수로서 언급되는 고유 공진을 가지는 경우인 가장 낮은 기본 주파수를 의미하기 위해서 사용된다.

트랜스듀서들 및 마운팅 플레이트와 유사한 구조들은 기본 공진 주파수의 약 3배인 3차-하모닉 주파수와 같이 더 높은 차수의 하모닉 주파수들에서 또한 고유 공진들을 가진다. 트랜스듀서는 메가소닉 에너지를 생성하는데 있어서 충분하게 강하고 효율적인 기본 공진 주파수 및 3차 하모닉 주파수 둘 모두를 가질 수 있을 것이다. 마찬가지로, 마운팅 프레이트는 트랜스듀서들로부터 탱크 내의 내용물들로 메가소닉 에너지를 전달할 때에 효과적인 기본 공진 주파수 및 3차 하모닉 주파수 둘 모두를 가질 수 있을 것이다. 도 8a 및 도 8b는 신호 임피던스를 균일한 두께를 가진 스테인레스 스틸 마운팅 플레이트에 대한 주파수의 함수로서 예시한다. 도 8a는 낮은 임피던스 그리고 470 KHz의 1차 하모닉 주파수 또는 기본 공진 주파수에서 상기 마운팅 플레이트에 의한 양호한 전송을 보여준다. 도 8b는 동일한 스테인레스 스틸 마운팅 플레이트가 1560 KHz라는 자신의 3차 하모닉 주파수에서 낮은 임피던스를 가지는 것을 보여준다. 상기 낮은 임피던스들은 상기 마운팅 플레이트의 공진을 나타낸다.

도 9는 마운팅 플레이트가 균일한 두께를 가지며 그리고 트랜스듀서들 (16, 18)이 자신들의 기본 공진 주파수 (1차 하모닉 주파수) 및 3차-하모닉 주파수에서 각각 동작하는 본 발명의 일 실시예를 예시한다. 상기 트랜스듀서들 (16, 18)은 동일한 구조이지만, 하나는 자신의 기본 (1차 하모닉) 공진 주파수에서 구동되고 그리고 다른 하나는 자신의 3차 하모닉 주파수에서 구동된다. 예를 들면, 0.23 인치 두께인 PZT는 470 KHz의 1차 하모닉 주파수 그리고 1560 KHz의 3차 하모닉 주파수를 가질 것이다. 바람직하게는, 더 낮은-주파수 트랜스듀서들 (16)은 하나의 제너레이터에 의해서 구동되며, 그리고 더 높은-주파수 트랜스듀서들 (18)은 다른 제너레이터에 의해서 구동된다.

대안으로, 참조번호 18의 트랜스듀서들은 균일한 두께 마운팅 플레이트의 3차 하모닉 주파수의 기본 공진 (1차 하모닉) 주파수에서 동작하도록 설계될 수 있다. 1560 KHz의 1차 하모닉은 0.23 인치보다는 상당히 더 얇은 0.05 인치 두께인 PZT를 필요로 할 것이다. 더 얇은 PZT는 동작에 있어서 더 두꺼운 PZT보다 덜 신뢰성이 있을 것이며, 이는 더 두꺼운 PZT가 크랙 형성과 파손에 더욱 내성이 있기 때문이다.

상기 트랜스듀서들 및 마운팅 플레이트의 기본 공진 (1차 하모닉) 주파수들을 정합시킴으로써, 3차 하모닉 주파수들 역시 정합되거나 또는 정합된 것에 가까워야만 한다. 상기 트랜스듀서들 및 마운팅 플레이트들의 1차 하모닉 주파수들이 정합되지만 3차 하모닉들이 충분하게 정합되지 않으면, 상기 마운팅 플레이트의 두께는 조절될 수 있다. 3차 하모닉 트랜스듀서들의 마운팅 위치들에서 마운팅 플레이트의 두께를 변경함으써, 상기 마운팅 플레이트의 3차 하모닉 주파수는 상기 트랜스듀서들의 3차 하모닉 주파수에 정합하도록 상응하여 조절될 수 있다. 두께를 증가시키는 것은 상기 마운팅 플레이트의 하모닉 주파수를 낮출 것이며, 그리고 그 두께를 증가시키는 것은 상기 하모닉 주파수를 증가시킬 것이다.

다른 실시예에서, 상기 마운팅 플레이트는 자신의 기본 공진 (1차 하모닉) 주파수에서 참조번호 18의 트랜스듀서의 동작 주파수로 정합될 수 있다. 본 발명의 이 실시예는 도 10 및 도 11에 예시된다. 두 개의 마운팅 플레이트들이 도 10에 도시된다; 더 두꺼운 플레이트 (32)는 470 KHz의 기본 공진 (1차 하모닉) 주파수를 가지며 그리고 더 얇은 플레이트 (34)는 1000 KHz (1 Meg)의 기본 공진 주파수를 가진다. 상기 더 두꺼운 플레이트 (32)는 470 KHz 트랜스듀서들 (16)로 공진 정합되며 그리고 더 얇은 플레이트는 1000 KHz 트랜스듀서들 (18)로 공진 정합된다. 두 트랜스듀서들 (16, 18) 모두를 이용하기 위해서, 마운팅 플레이트 (36)는 두 개의 두께들을 가진다 - 더 낮은-주파수 트랜스듀서 (16)의 마운팅 위치 (38)에서는 더 두껍고 그리고 더 높은-주파수 트랜스듀서 (18)의 마운팅 위치 (40)에서는 더 얇다. 이는 도 11에 도시된다. 더 높은 주파수에 대한 마운팅 플레이트의 정확한 두께를 얻기 위해서, 상기 더 낮은-주파수 트랜스듀서들 (16)로 정합된 두꺼운 플레이트 공진에서 시작할 수 있으며, 그래서 상기 플레이트의 머신 영역들은 상기 더 높은-주파수 트랜스듀서들 (18)을 위해서 필요한 두께까지 내려간다. 도 12에 도시된 것처럼, 상기 더 높은-주파수 트랜스듀서들 (18)의 마운팅 위치들 (40)은 더 얇은 두께로 기계 가공되었다. 상기 더 낮은-주파수 트랜스듀서들 (16)을 위한 마운팅 위치들 (38)은 기계 가공되지 않았다.

도 13 및 도 14에 도시된 것처럼, 상기 프로세스를 반대로 함으로써 유사한 결과가 얻어질 수 있다. 상기 더 높은-주파수 트랜스듀서들 (18)에 정합된 더 얇은 플레이트 (34)에서 시작하여, 상기 더 낮은-주파수 트랜스듀서들 (16)의 마운팅 위치 (38)에 재료 (42)가 부가되어 더 낮은 동작 주파수로 공진 정합하기 위해서 필요한 두께를 증가시키도록 한다. 재료 (42) 블록들이 용접, 납땜, 접착제나 다른 점착물을 이용한 본딩, 소결 (sintering) 또는 다른 프로세스에 의해서 상기 더 얇은 플레이트 (34)에 추가될 수 있을 것이다.

다른 대안은 패턴이 형성된 다이 또는 몰드 내의 마운팅 플레이트를 다이캐스팅하거나 몰딩하여 그 결과 원하는 두께의 마운팅 플레이트로 귀결되게 하는 것이다. 상기 다이캐스팅 또는 몰딩 프로세스는 알루미늄이나 다른 금속들을 이용할 수 있다. 상기 마운팅 플레이트를 조립하기 위한 재료들로서 분말 금속들이 사용될 수 있을 것이다.

상기 마운팅 플레이트 상의 두께의 허용 오차는 공칭 (nominal) 두께의 0.0005 인치 이내인 것이 바람직하며, 이런 두께는 상기 트랜스듀서들에 정합하는 공진 또는 하모닉 주파수를 제공할 것이다. 큰 크기의 애플리케이션들에 가장 적합한 다이캐스팅이나 몰딩에 의해서 더 엄격한 허용 오차들이 얻어질 수 있을 것이다.

상기에서 설명된 본 발명은 두 그룹의 트랜스듀서들을 포함하며, 그 그룹들 각각은 서로 다른 동작 주파수를 가진다. 그러나, 본 발명은 단 두 주파수들만으로 한정되는 것은 아니며, 이는 상기 마운팅 플레이트와 상기 트랜스듀서들의 공진 주파수 또는 하모닉 주파수를 정합하는 기본적인 개념이 단 두 개의 주파수들로 한정되지 않기 때문이다. 도 15는 여섯 개의 서로 다른 트랜스듀서들의 어레이를 구비하며, 그 트랜스듀서들 각각은 자신의 위치에서 상기 마운팅 플레이트에 정합된, 일 실시예를 예시한다. 상기 트랜스듀서들 (44)은 10 KHz의 스텝들로 470 KHz 내지 1060 KHz까지 범위이다. 마운팅 플레이트 (46)는 변하는 두께를 가지며, 그 두께는 트랜스듀서 어레이의 저-주파수 말단에서 상대적으로 두꺼운 것부터, 상기 트랜스듀서 어레이의 고-주파수 말단에서 상대적으로 얇은 것까지 정렬된다. 상기 마운팅 플레이트 (46)의 기본 공진 (1차 하모닉) 주파수는 그 마운팅 플레이트의 대응 트랜스듀서의 동작 주파수에 정합된다. 그런 다중-주파수 어레이는 탱크 내에 메가소닉 주파수들의 시퀀스를 제공한다. 이는 연속적인 클리닝 프로세스를 위해서 사용될 수 있으며, 그 프로세스에서 프로세싱될 부품들이 자동적으로 또는 수동으로 상기 탱크 내에서 한 끝부터 다른 끝까지 운반되어 그 부품들이 상기 트랜스듀서 어레이에 의해서 생성된 모든 주파수들을 받도록 한다. 주파수가 상승하면서 진행될 수 있고 또는 주파수가 감소하면서 진행될 수 있다. 대안으로, 상기 어레이는 다른 주파수들로 점진적으로 진행하는 교대로 낮은 그리고 높은 주파수 트랜스듀서들을 가질 수 있다. 본 발명의 이 실시예에 따른 구현을 가능하게 하기 위해서 다른 시퀀스들 또는 진행들이 가능할 것이다. 이 다중-주파수 어레이의 이점은, 여전히 상기 부품들을 많은 서로 다른 메가소닉 주파수들에 노출시키지만, 프로세싱되고 있는 부품들을 핸들링하는데 있어서의 위험을 실질적으로 줄인다는 것이다. 민감한 부품들을 핸들링하는 것으로부터의 위험을 감소시키는 것은 수율을 또한 향상시킨다.

본 발명은 본원에 참조로 편입된 본 출원인의 미국 특허 7,598,654에서 설명된 것과 같이 구동 주파수들을 스윕 (sweep)한다는 이점들을 누릴 수 있다. 도 7에 도시된 것처럼, 상기 제너레이터 (26)는 상기 구동 신호의 주파수를 시간의 함수로서 변경할 수 있다. 예를 들면, 상기 구동 신호의 주파수는 프로그램된 스윕 (sweep) 주파수 범위 (30)를 넘어서 톱니 패턴으로 선형적으로 변할 수 있을 것이다. 상기 제너레이터의 스윕 주파수 범위 또는 대역폭은 사용자에 의해서 프로그램되어 상기 제너레이터 (26)와 연관된 메모리 디바이스에 저장된다. 상기 주파수가 변하는 레이트 (rate)는 상기 사용자에 의해서 프로그램되어 상기 제너레이터의 메모리 디바이스에 저장된 스윕 레이트에 의해서 결정된다. 상기 제너레이터는 다른 함수들이나 프로그램들에 따라서 상기 구동 신호의 주파수들을 변경하도록 프로그램될 수 있으며, 도 7에서 도시된 것과 같은 톱니 패턴이나 삼각형 파형을 형성하는 선형의 함수들로 한정될 필요는 없다. 주파수에 있어서의 변이는, 예를 들면, 사인파, 지수 함수, 그리고 다른 함수들일 수 있다. 상기 구동 신호 그 자체는 사인파, 사각형, 삼각형, 또는 다른 파형 모습일 수 있을 것이다. 상기 스윕 레이트들은 상향으로 스위핑 (증가하는 주파수) 그리고 하향으로 스위핑 (감소하는 주파수)에 대해서 동일할 필요는 없다. 바람직하게는, 사용자는 주기들의 개수를 또한 설정할 수 있고 그리고 상기 제너레이터가 상기 구동 신호를 차단했을 때의 휴식 시간들을 확립할 수 있다.

보통, 동일한 동작 주파수의 다중의 메가소닉 트랜스듀서들은 주어진 태스크나 프로세스를 위해서 사용되며, 이 경우 모든 그런 트랜스듀서들을 동일한 제너레이터와 구동 신호로 구동하는 것이 일반적이다. 그러나 다중의 트랜스듀서들이 사용되는 경우에, 그 트랜스듀서들 사이에서의 성능의 변이들 및 제조 허용 오차들로 인해서 단일의 최적 주파수가 존재하지 않을 수 있을 것이다. 제조 허용 오차로 인해서 3% 내지 4% 범위 내의 공진 주파수들을 구비한 메가소닉 트랜스듀서들이라는 결과가 된다. 예를 들면, 1000 KHz에서, 4% 범위는 공칭 1000KHz로부터 플러스 또는 마이너스 20 KHz, 또는 980 내지 1020 KHz의 범위일 것이다.

그런 애플리케이션들에서, 본 발명에 따라서, 적어도 일부의 시간에서 상기 트랜스듀서들 (16, 18)이 자신의 공진 주파수나 하모닉 주파수에서 또는 그 주파수 가까이에서 동작하는 것을 보장하기 위해서 상기 구동 신호의 주파수를 반복적으로 스윕하는 것이 적절하다. 각 트랜스듀서가 자신의 공진 주파수나 하모닉 주파수에서 또는 그 주파수 근방에서 동작하도록 하기 위해서, 상기 제너레이터는 트랜스듀서들의 그룹의 가장 낮은 공진 주파수와 가장 높은 공진 주파수에 도달하고 그리고 그것들을 초과하도록 설계된 주파수 범위를 통해서 스윕한다. 상기 제너레이터 (26)의 주파수 스위핑 (sweeping) 기능은 변이의 그 범위를 커버한다. 상기 주파수 스위핑 기능은 고정될 수 있으며 또는 그것은 속도 (초당 스윕 회수)나 범위 (죄소 주파수 및 최대 주파수)에 관하여 가변이도록 프로그램될 수 있다.

본 발명은 상기 탱크에 통합된 마운팅 플레이트들이나 구조들로 한정되지 않는다. 상기 트랜스듀서들은 침수 가능한 박스나 컨테이너 내에 포함되어 탱크 내에 위치될 수 있다. 상기 박스나 컨테이너는, 여기에서 설명된 것처럼, 상기 트랜스듀서에 주파수 정합된 마운팅 플레이트로 구성된 하나의 표면을 가진다.

본 발명의 애플리케이션은 클리닝 동작들로 한정되지 않는다. 상기 마운팅 플레이트를 상기 메가소닉 멀티주파수 트랜스듀서들의 동작 주파수들에 정합하는 것과 동일한 원칙이, 비파괴 검사 또는 적어도 300 KHz의 기본 공진 주파수들을 갖는 두께 모드 트랜스듀서들을 이용하는 다른 애플리케이션들과 같은 메가소닉 에너지의 멀티-스트리밍의 다른 이용들에 적용될 수 있다. 마운팅 플레이트 주파수들을 멀티주파수 트랜스듀서들에 정합시키는 것은 에너지를 전달하는 효율적인 방식이며, 이는 마이크로-스트리밍 클리닝 및 마이크로-스트리밍의 다른 이용들의 효율을 향상시키는 개선된 그리고 더 강한 마이크로-스트리밍 활동을 생성한다. 마이크로-스트리밍은 공동화 (cavitation)를 초래하기에는 너무 약한 울트라소닉 에너지를 방출함으로써 생성된 에너지 가득한 액체의 흐름이다. 300 KHz를 초과하는 주파수들에서, 공동화들은 존속하는 것을 멈추지만 상기 메가소닉 주파수 에너지는 상기 액체의 흐름을 생성한다.

상기의 설명으로부터, 여기에서 개시된 본 발명은 정합된 주파수 마운팅 플레이트를 활용하는 신규하며 그리고 유리한 메가소닉 프로세싱 장치 및 방법을 제공한다는 것이 명백할 것이다. 전술한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 방법들과 실시예들을 개시하고 설명한다. 본 발명이 속한 기술 분야에 친숙한 자들에 의해서 이해될 것처럼, 본 발명은 본 발명의 사상이나 본질적인 특성들로부터 벗어나지 않으면서 다양한 다른 모습들로 구현될 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 개시는 다음의 청구 범위에서 제시된 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니라 예시하도록 의도된 것이다.

Claims (23)

1. 300 KHz 이상의 기본 공진 주파수 (fundamental resonant frequency)를 가지며 그리고 제1 동작 주파수를 갖는 제1 압전 트랜스듀서;
   300 KHz 이상의 기본 공진 주파수를 가지며 그리고 상기 제1 동작 주파수와는 다른 제2 동작 주파수를 갖는 제2 압전 트랜스듀서;
   상기 제1 압전 트랜스듀서 및 제2 압전 트랜스듀서가 위에 설치된 마운팅 플레이트로서, 상기 제1 압전 트랜스듀서의 위치에서 상기 마운팅 플레이트는 상기 제1 동작 주파수와 동일한 기본 공진 주파수 또는 하모닉 (harmonic) 주파수를 가지고, 그리고 상기 제2 압전 트랜스듀서의 위치에서 상기 마운팅 플레이트는 그리고 상기 제2 동작 주파수와 동일한 기본 공진 주파수 또는 하모닉 주파수를 가지는, 마운팅 플레이트;
   액체 및 프로세싱될 하나 이상의 부품들을 포함하도록 구성된 탱크로서, 상기 마운팅 플레이트는 상기 탱크에 연결되어 상기 압전 트랜스듀서들이 상기 탱크 및 탱크의 내용물들에 진동들을 제공하도록 하는, 탱크; 및
   상기 압전 트랜스듀서들에 연결되어 상기 제1 동작 주파수 및 제2 동작 주파수에서 구동 신호들을 공급하는 제너레이터;를 포함하는 메가소닉 (megasonic) 프로세싱 장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 제1 트랜스듀서의 제1 동작 주파수는 자신의 기본 공진 주파수이며, 그리고 상기 제2 트랜스듀서의 제2 동작 주파수는 그 자신의 3차 하모닉 주파수인, 메가소닉 프로세싱 장치.
3. 제2항에 있어서,
   상기 제1 트랜스듀서 및 제2 트랜스듀서는 동일한 디멘젼을 가지며,
   상기 마운팅 플레이트는 균일한 두께를 가지며,
   상기 마운팅 플레이트의 균일한 두께는 상기 제1 트랜스듀서의 기본 공진 주파수와 동일한 기본 공진 주파수를 가지며, 그리고
   상기 마운팅 플레이트의 균일한 두께는 상기 제2 트랜스듀서의 3차 하모닉 주파수와 동일한 3차 하모닉 주파수를 갖는, 메가소닉 프로세싱 장치.
4. 제2항에 있어서,
   상기 마운팅 플레이트는 상기 제1 트랜스듀서의 기본 공진 주파수와 동일한 기본 공진 주파수를 가지며, 그리고 상기 마운팅 플레이트는 상기 제2 트랜스듀서의 3차 하모닉 주파수와 동일한 3차 하모닉 주파수를 갖는, 메가소닉 프로세싱 장치.
5. 제2항에 있어서,
   복수의 제1 트랜스듀서들 및 복수의 제2 트랜스듀서들을 더 포함하며,
   상기 트랜스듀서들은 상기 마운팅 플레이트 상에 교번하는 시퀀스 (alternating sequence)로 배치되는, 메가소닉 프로세싱 장치.
6. 제1항에 있어서,
   상기 제1 트랜스듀서의 제1 동작 주파수는 자신의 기본 공진 주파수이며,
   상기 제2 트랜스듀서의 제2 동작 주파수는 그 자신의 기본 공진 주파수이며, 그리고
   상기 제1 트랜스듀서 및 제2 트랜스듀서의 기본 공진 주파수들은 서로 다른, 메가소닉 프로세싱 장치.
7. 제6항에 있어서,
   상기 제1 트랜스듀서의 위치에서 상기 마운팅 플레이트는 제1 두께를 가지며 그리고 상기 제1 트랜스듀서의 기본 공진 주파수와 동일한 기본 공진 주파수를 가지며, 그리고
   상기 제2 트랜스듀서의 위치에서 상기 마운팅 플레이트는 제2 두께를 가지며 그리고 상기 제2 트랜스듀서의 기본 공진 주파수와 동일한 기본 공진 주파수를 가지는, 메가소닉 프로세싱 장치.
8. 제7항에 있어서,
   상기 마운팅 플레이트의 제2 두께는 상기 마운팅 플레이트의 제1 두께보다 작으며, 그리고
   상기 제2 두께는 상기 마운팅 플레이트로부터 상기 마운팅 플레이트의 표면 재료를 제거함으로써 형성되는, 메가소닉 프로세싱 장치.
9. 제7항에 있어서,
   상기 마운팅 플레이트의 제2 두께는 상기 마운팅 플레이트의 제1 두께보다 작으며, 그리고
   상기 제1 두께는 상기 마운팅 플레이트의 표면에 표면 재료를 추가함으로써 형성되는, 메가소닉 프로세싱 장치.
10. 제6항에 있어서,
    복수의 제1 트랜스듀서들 및 복수의 제2 트랜스듀서들을 더 포함하며,
    상기 트랜스듀서들은 상기 마운팅 플레이트 상에 교번하는 시퀀스 (alternating sequence)로 배치되는, 메가소닉 프로세싱 장치.
11. 제1항에 있어서,
    상기 마운팅 플레이트는 상기 탱크에 통합된, 메가소닉 프로세싱 장치.
12. 제1항에 있어서,
    상기 마운팅 플레이트는 상기 탱크에 부착된, 메가소닉 프로세싱 장치.
13. 제1항에 있어서,
    상기 마운팅 플레이트는, 상기 마운팅 플레이트가 상기 제1 동작 주파수 및 제2 동작 주파수들 중 더 낮은 동작 주파수와 동일한 기본 공진 주파수 또는 하모닉 주파수를 가지도록 선택된 균일한 두께를 가지는, 메가소닉 프로세싱 장치.
14. 제1항에 있어서,
    상기 마운팅 플레이트는 한 개를 넘는 두께들을 가지며,
    이 경우 각 두께는, 상기 마운팅 플레이트가 동작 주파수와 동일한 기본 공진 주파수 또는 하모닉 주파수를 가지도록 선택되는, 메가소닉 프로세싱 장치.
15. 제1항에 있어서,
    상기 마운팅 플레이트는 상기 탱크에 가라앉은, 메가소닉 프로세싱 장치.
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