CN114340772A - 稀溶液制造装置 - Google Patents

稀溶液制造装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114340772A
CN114340772A CN202080060382.0A CN202080060382A CN114340772A CN 114340772 A CN114340772 A CN 114340772A CN 202080060382 A CN202080060382 A CN 202080060382A CN 114340772 A CN114340772 A CN 114340772A
Authority
CN
China
Prior art keywords
liquid
pipe
dilute solution
degassing
pump
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080060382.0A
Other languages
English (en)
Inventor
小川祐一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kurita Water Industries Ltd
Original Assignee
Kurita Water Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kurita Water Industries Ltd filed Critical Kurita Water Industries Ltd
Publication of CN114340772A publication Critical patent/CN114340772A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/68—Treatment of water, waste water, or sewage by addition of specified substances, e.g. trace elements, for ameliorating potable water
    • C02F1/685—Devices for dosing the additives
    • C02F1/686—Devices for dosing liquid additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/68—Treatment of water, waste water, or sewage by addition of specified substances, e.g. trace elements, for ameliorating potable water
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/008—Control or steering systems not provided for elsewhere in subclass C02F
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/20—Treatment of water, waste water, or sewage by degassing, i.e. liberation of dissolved gases
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B23/00—Pumping installations or systems
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B53/00—Component parts, details or accessories not provided for in, or of interest apart from, groups F04B1/00 - F04B23/00 or F04B39/00 - F04B47/00
    • F04B53/06—Venting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2103/00—Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated
    • C02F2103/02—Non-contaminated water, e.g. for industrial water supply
    • C02F2103/04—Non-contaminated water, e.g. for industrial water supply for obtaining ultra-pure water
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2209/00—Controlling or monitoring parameters in water treatment
    • C02F2209/005—Processes using a programmable logic controller [PLC]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2209/00—Controlling or monitoring parameters in water treatment
    • C02F2209/04—Oxidation reduction potential [ORP]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2209/00—Controlling or monitoring parameters in water treatment
    • C02F2209/05—Conductivity or salinity
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2209/00—Controlling or monitoring parameters in water treatment
    • C02F2209/40—Liquid flow rate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Water Supply & Treatment (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Hydrology & Water Resources (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Accessories For Mixers (AREA)
  • Details Of Reciprocating Pumps (AREA)

Abstract

本发明提供一种稀溶液制造装置，向超纯水等第一液体中微量添加含导电性赋予物质或氧化还原电位调整物质的第二液体，能够稳定制造规定浓度的稀溶液。稀溶液制造装置通过向第一液体添加含导电性赋予物质和氧化还原电位调整物质中的至少一方的第二液体来制造该第二液体的稀溶液，其中，具备：第一配管(1)，流过所述第一液体；泵(6)，经由第二配管(5)向所述第一配管(1)内添加所述第二液体；脱气配管(8)，从该泵(6)脱气；水质传感器(11)，由导电率计、电阻率计或氧化还原电位计构成；以及控制装置(12)，在该水质传感器(11)的水质检测值变动规定值以上时打开脱气阀(9)。

Description

稀溶液制造装置
技术领域
本发明涉及一种向超纯水等第一液体中少量添加含导电性赋予物质或氧化还原电位调整物质等的第二液体，以制造该物质的稀溶液的稀溶液制造装置。
背景技术
作为电子产业领域的晶片处理中使用的洗涤溶液，使用向超纯水中添加导电性赋予物质、氧化还原电位调整物质的溶液。
此时，用泵向超纯水中添加导电性赋予物质、氧化还原电位调整物质(专利文献1、2)。
在导电性赋予物质或氧化还原电位调整物质是易汽化的物质的情况下，物质的气泡易积存于泵内。尤其是，极低流量的泵容易因气泡而堵塞，当气泡积存时，不能够由泵定量排出。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-171610号公报；
专利文献2：日本特开2018-206998号公报。
发明内容
发明要解决的课题
本发明的目的是提供一种稀溶液制造装置，向超纯水等第一液体中微量添加含导电性赋予物质或氧化还原电位调整物质的第二液体，能够稳定制造规定浓度的稀溶液。
解决课题的技术方案
第一发明的稀溶液制造装置，是通过向第一液体添加含导电性赋予物质和氧化还原电位调整物质中的至少一方的第二液体来制造该第二液体的稀溶液的稀溶液的制造装置，其特征在于，在具备流过所述第一液体的第一配管、经由第二配管向所述第一配管内添加所述第二液体的泵以及对该泵进行脱气的脱气机构的稀溶液制造装置中，具备：设置在所述第一配管中比所述第二配管的连接部更位于下游侧的位置且由导电率计、电阻率计或氧化还原电位计构成的水质检测计；以及在该水质检测计的水质检测值变动规定值以上时使所述脱气机构动作的脱气机构控制机构。
第二发明的稀溶液制造装置，是通过向第一液体添加含导电性赋予物质和氧化还原电位调整物质中的至少一方的第二液体以制造该第二液体的稀溶液的稀溶液的制造装置，其特征在于，在具备流过所述第一液体的第一配管、经由第二配管向所述第一配管内添加所述第二液体的泵以及对该泵进行脱气的脱气机构的稀溶液制造装置中，具备：设置在所述第二配管中比所述泵更位于下游侧的位置的流量计；以及在该流量计的检测值变动规定值以上时使所述脱气机构动作的脱气机构控制机构。
在本发明的一方案中，具备贮留所述第二液体的罐，所述第二配管与该罐连接，所述脱气机构具备脱气配管和设置于该脱气配管的阀，该脱气配管用于将混入有气体的第二液体从所述泵导向该罐，所述控制机构控制该阀的开闭。
在本发明中，作为导电性赋予物质、氧化还原电位调整物质，列举出氨、二氧化碳、过氧化氢、臭氧等，但不限定于这些。
发明效果
根据本发明的稀溶液制造装置，在用于向超纯水等第一液体中添加第二液体的泵积存有气体而使得泵的排出量降低，或由此，稀溶液的导电率、电阻率或氧化还原电位从持续的稳定值到变动规定值以上的情况下，脱气机构工作，对泵进行脱气，从而恢复泵排出量。由此，能稳定供给规定浓度的稀溶液。
附图说明
图1是实施方式的稀溶液制造装置的构成图。
图2是另一实施方式的稀溶液制造装置的构成图。
图3是比较例的稀溶液制造装置的构成图。
具体实施方式
以下，参照附图说明实施方式。
图1示出第一发明的实施方式。
作为第一液体的超纯水经由具有流量计2和阀3的第一配管1向使用点送水，在途中，罐4内的第二液体经由第二配管5、泵6和流量调整阀7被添加其中。设置脱气配管8，以使包含在泵6中产生的气体的第二液体返回罐4。脱气配管8上设置有脱气阀9。脱气阀9可以设置于脱气配管8的中途，也可以设置于上游端或下游端。
罐4内贮留有前述导电性赋予物质或氧化还原电位调整物质的溶液。
在第一配管1中，在比第二配管5的连接部(汇合部)更位于下游侧的位置设置作为由导电率计、电阻率计或氧化还原电位计(ORP计)构成的水质检测计的水质传感器11。该水质传感器11的检测信号被输入到控制装置(在该实施方式中为PLC(可编程控制器))12中。由控制装置12控制泵6、流量调整阀7和脱气阀9。
在这样构成的稀溶液制造装置中，在稳定时，超纯水以一定流量在第一配管1内流动，第二液体以一定流量在第二配管5内流动，添加有规定浓度的第二液体的稀溶液被送到使用点。
当泵6中积存有氨、碳酸气体、过氧化氢、臭氧等从第二液体分离的气体、空气等气体时，泵6的排出量减少，传感器11的检测值从持续的稳定值(与目标值同样的值)变动规定以上(例如5％以上)。在检测到这样的水质变动的情况下，控制装置12将脱气阀9打开规定时间，使混有气体的第二液体从泵6返回到罐4，经过该规定时间后，使脱气阀9恢复关闭。由此，泵6的排出量恢复为稳定量，含有规定浓度的第二液体的超纯水被送到使用点。
在上述说明中，作为例子举出传感器检测值变动5％以上的情况，但不限定于此。传感器检测值的变动值通常可以采用从1～10％、尤其是3～7％的范围选择的值。
在下面说明的第二发明的实施方式的流量计13中也相同。
图2示出第二发明的实施方式。在该实施方式中，在第二配管5中，在比所述泵6更位于下游侧(在该实施方式中为流量调节阀7的下游侧)的位置设置流量计13。流量计13的检测信号被输入到控制装置12中。
控制装置12在该流量计13的检测流量从持续的稳定值变动5％以上的情况下，将脱气阀9打开规定时间，以进行脱气。其他构成和作用与图1相同，相同符号表示相同部分。
在该实施方式中，含规定浓度的第二液体的超纯水被稳定地送到使用点。
实施例
以下，说明实施例和比较例。
[实施例1]
使用图1所示的稀溶液制造装置，利用泵6从罐4送出29％NH3溶液，添加到以60L/min流通的配管1内的超纯水中，以制作导电率3μS/cm的溶液。使用的传感器11为导电率计。在导电率从设定值下降5％的时刻打开5秒钟脱气阀9以脱气，此后关闭脱气阀9以恢复至通常状态。持续30天本试验，由导电率计11检测的导电率没有从设定值降低10％以上。
[实施例2]
除了以导电率为1500μS/cm的方式添加29％NH3溶液以外，与实施例1相同地运行。持续30天本试验，由导电率计11检测的导电率没有从设定值降低10％以上。
[实施例3]
除了使超纯水的通水量为3L/min以外，与实施例1相同地运行。持续30天本试验，由导电率计11检测的导电率没有从设定值降低10％以上。
[实施例4]
使用图2所示的稀溶液制造装置，以与实施例1相同的超纯水流量(60L/min)和目标导电率(3μS/cm)添加29％NH3溶液。
在该实施例4中进行如下控制：在流量计13的检测流量检测到流量为0的时刻打开5秒钟脱气阀9以脱气，此后关闭脱气阀9以恢复至通常状态。持续30天本试验，由导电率计11检测的导电率没有从设定值降低10％以上。
[实施例5]
使用图1的装置，使罐4内的液体为60％H2O2溶液，超纯水流量为60L/min，作为传感器11使用氧化还原电位计，将H2O2浓度为0.5ppb的含H2O2超纯水送到使用点。进行如下控制：在氧化还原电位计11的检测氧化还原电位从设定值下降5％的时刻打开5秒钟脱气阀9以脱气，此后关闭脱气阀9以恢复至通常状态。
持续30天本试验，由氧化还原电位计11检测的氧化还原电位没有从设定值降低10％以上。
[实施例6]
除了以超纯水中的H2O2浓度为1000ppb的方式添加H2O2以外，与实施例5相同地运行。持续30天本试验，由氧化还原电位计11检测的氧化还原电位没有从设定值降低10％以上。
[实施例7]
除了使超纯水流量为3L/min以外，与实施例5相同地运行。持续30天本试验，由氧化还原电位计11检测的氧化还原电位没有从设定值降低10％以上。
[实施例8]
使用图2所示的稀溶液制造装置，以与实施例5相同的超纯水流量和目标氧化还原电位送出H2O2浓度0.5ppb的超纯水的方式运行。在该实施例8中，以在流量计13的检测流量检测到流量为0的时刻打开5秒钟脱气阀9以脱气，此后关闭脱气阀9以恢复至通常状态的方式控制。持续30天本试验，由氧化还原电位计11检测的氧化还原电位没有从设定值降低10％以上。
[比较例1～3]
如图3所示，除了使用省略了脱气配管8和阀9的装置以外，分别以与实施例1～3相同的条件运行。测量直到导电率降低了设定值的10％为止的时间。将结果示于表1。
[比较例4～6]
如图3所示，除了使用省略了脱气配管8和阀9的装置以外，分别以与实施例5～7相同的条件运行。测量直到H2O2浓度降低了设定值的10％为止的时间。将结果示于表1。
[表1]
Figure BDA0003520618070000061
由表1可知，根据本发明，能够向使用点稳定地输送以规定稀浓度含有NH3或H2O2的超纯水。
虽然使用特定的实施方式详细说明了本发明，但在不偏离本发明的意图和范围的情况下，可进行各种变更，这对本领域技术人员来说是显而易见的。
本申请基于2020年3月13日申请的日本专利申请2020-044474，其全部内容通过引用而援用于本申请。
附图标记的说明
1 第一配管
2 流量计
4 罐
5 第二配管
6 泵
7 流量调节阀
8 脱气配管
9 脱气阀
11 水质传感器
12 控制装置
13 流量计

Claims (3)

1.一种稀溶液制造装置，用于通过向第一液体添加含导电性赋予物质和氧化还原电位调整物质中的至少一方的第二液体来制造该第二液体的稀溶液，其特征在于，
在具备流过所述第一液体的第一配管、经由第二配管向所述第一配管内添加所述第二液体的泵以及对该泵进行脱气的脱气机构的稀溶液制造装置中，
具备：
水质检测计，设置在所述第一配管中比所述第二配管的连接部更位于下游侧的位置，且由导电率计、电阻率计或氧化还原电位计构成；以及
脱气机构控制机构，在该水质检测计的水质检测值变动规定值以上时使所述脱气机构动作。
2.一种稀溶液制造装置，用于通过向第一液体添加含导电性赋予物质和氧化还原电位调整物质中的至少一方的第二液体来制造该第二液体的稀溶液，其特征在于，
在具备流过所述第一液体的第一配管、经由第二配管向所述第一配管内添加所述第二液体的泵以及对该泵进行脱气的脱气机构的稀溶液制造装置中，
具备：
流量计，设置在所述第二配管中比所述泵更位于下游侧的位置；以及
脱气机构控制机构，在该流量计的检测值变动规定值以上时使所述脱气机构动作。
3.如权利要求1或2所述的稀溶液制造装置，其特征在于，
具备贮留所述第二液体的罐，所述第二配管与该罐连接，
所述脱气机构具备脱气配管和设置于该脱气配管的阀，该脱气配管用于将混入有气体的第二液体从所述泵导向该罐，
所述控制机构控制该阀的开闭。
CN202080060382.0A 2020-03-13 2020-09-15 稀溶液制造装置 Pending CN114340772A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-044474 2020-03-13
JP2020044474A JP6863498B1 (ja) 2020-03-13 2020-03-13 希薄溶液製造装置
PCT/JP2020/034828 WO2021181729A1 (ja) 2020-03-13 2020-09-15 希薄溶液製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114340772A true CN114340772A (zh) 2022-04-12

Family

ID=75520946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080060382.0A Pending CN114340772A (zh) 2020-03-13 2020-09-15 稀溶液制造装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230142129A1 (zh)
JP (1) JP6863498B1 (zh)
KR (1) KR20220151153A (zh)
CN (1) CN114340772A (zh)
TW (1) TW202200511A (zh)
WO (1) WO2021181729A1 (zh)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07227593A (ja) * 1994-02-18 1995-08-29 Funai Electric Co Ltd 強酸性水生成装置
JP2000126752A (ja) * 1998-10-27 2000-05-09 Tookemi:Kk 薬液注入装置
JP4965084B2 (ja) * 2005-04-20 2012-07-04 株式会社エイチ・エス・ピー 気泡除去装置
JP5410767B2 (ja) * 2009-01-15 2014-02-05 株式会社エイチ・エス・ピー 次亜塩素酸水溶液の連続自動生成器
JP6911546B2 (ja) 2017-06-06 2021-07-28 栗田工業株式会社 希薄薬液製造装置
JP6471816B2 (ja) 2018-02-14 2019-02-20 栗田工業株式会社 ｐＨ・酸化還元電位調整水の製造装置
JP7104320B2 (ja) * 2018-08-14 2022-07-21 東亜ディーケーケー株式会社 次亜塩素酸ナトリウム活性化装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021181729A1 (ja) 2021-09-16
KR20220151153A (ko) 2022-11-14
TW202200511A (zh) 2022-01-01
JP6863498B1 (ja) 2021-04-21
US20230142129A1 (en) 2023-05-11
JP2021142511A (ja) 2021-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3539149B1 (en) Systems and method for generating a conductive liquid comprising deionized water with ammonia gas dissolved therein
EP2104648B1 (en) System and method for carbonation of deionized water
KR101664217B1 (ko) 탈이온수의 탄산화를 위한 장치, 시스템 및 방법
KR20050005459A (ko) 오존수 유량 및 농도 조절 장치 및 방법
KR20190128617A (ko) 수질 조정수 제조 장치
AU3511501A (en) Plant for transferring a gas into a liquid
CN110180416B (zh) 气体溶解液制造装置
US11319226B2 (en) Cleaning water supply device
JP2006305428A (ja) 殺菌水の製造方法および製造装置
CN114272776A (zh) 气体溶解液供给装置及由气体溶解液供给装置执行的方法
CN114340772A (zh) 稀溶液制造装置
US10654014B2 (en) Functional water producing apparatus and functional water producing method
KR102275626B1 (ko) 희석액 제조장치 및 희석액 제조방법
JP6777534B2 (ja) 希釈液製造装置および希釈液製造方法
JP6738726B2 (ja) 希釈液製造装置および希釈液製造方法
JP6777533B2 (ja) 希釈液製造装置および希釈液製造方法
US5869342A (en) Method and system for continuously monitoring and controlling a process stream for dechlorination residual
KR20210038980A (ko) 오존수 전달 시스템 및 사용 방법
US20240025785A1 (en) Production device for ph/redox potential-adjusted water
US20220410090A1 (en) Dilute chemical supply device
KR20240060785A (ko) 반도체 제조용 액체 공급 장치
WO2022192777A1 (en) Chemical systems apparatus and methods
CN106980260A (zh) 一种加氢纯化系统闭环自动加氢控制系统及控制方法
KR20040031099A (ko) 액체 유량 측정 방법 및 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination