CN114337268A - 一种升压电路、芯片及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种升压电路、芯片及电子设备,属于电子技术领域。所述升压电路包括运放模块、控制模块和升压模块;所述运放模块,用于基于供电电压,输出第一电压;所述升压模块,用于输出符合升压参数的第二电压,并将输出的电压反馈至所述控制模块;所述控制模块,用于基于所述升压模块的反馈电压、所述第一电压和所述供电电压,输出启动控制信号,所述启动控制信号用于控制所述升压模块的工作状态;其中,所述升压参数基于所述运放模块和所述控制模块得到。采用本申请,可以降低调整升压参数的设计难度。
Description
技术领域
本申请涉及电子技术领域,尤其涉及一种升压电路、芯片及电子设备。
背景技术
一般而言,电子设备中的电源电压或电池电压恒定。
但是,不同的电子器件可能需要的电压不同,其中一些电子器件可能需要更高的电压,通常采用升压电路来对电源电压或电池电压进行调整,输出更高的电压。
现有的升压电路通常是成倍地增加电压,如果需要其他的升压参数,则需要重新对升压电路的结构进行设计,设计难度较高。
发明内容
为了解决现有技术的问题,本申请实施例提供了一种升压电路、芯片及电子设备,无需对电路结构进行重新设计,即可对升压参数进行调整,降低设计难度。技术方案如下:
根据本申请的一方面,提供了一种升压电路,所述升压电路包括运放模块、控制模块和升压模块;
所述运放模块,用于基于供电电压,输出第一电压;
所述升压模块,用于输出符合升压参数的第二电压,并将输出的电压反馈至所述控制模块;
所述控制模块,用于基于所述升压模块的反馈电压、所述第一电压和所述供电电压,输出启动控制信号,所述启动控制信号用于控制所述升压模块的工作状态;
其中,所述升压参数基于所述运放模块和所述控制模块得到。
可选的,所述升压模块,被配置为当输出的电压未达到所述升压参数时,基于所述启动控制信号,增加输出的电压;当输出的电压达到所述升压参数时,基于所述启动控制信号,停止增加输出的电压,并将输出的电压保持为所述第二电压。
可选的,所述运放模块包括电流源单元、第一电阻单元、第二电阻单元和第三电阻单元,所述控制模块包括第四电阻单元和第五电阻单元,所述升压参数至少基于所述电流源单元、所述第一电阻单元、所述第四电阻单元和所述第五电阻单元得到。
可选的,所述第一电阻单元、所述第二电阻单元、所述第三电阻单元、所述第四电阻单元和所述第五电阻单元中至少一者的电阻值可变。
可选的,所述第二电阻单元和所述第三电阻单元的电阻值相等。
可选的,所述升压电路包括多个升压通道,所述升压通道包括一个所述控制模块和一个所述升压模块,每个升压通道分别输出对应的第二电压,每两个升压通道之间的所述升压参数相同或不同。
可选的,所述升压电路还包括高压生成模块,所述高压生成模块的输出端分别与所述运放模块、所述控制模块和所述升压模块连接;
所述高压生成模块,用于产生第三电压,所述第三电压大于基准电位;
所述运放模块、所述控制模块和所述升压模块,基于所述供电电压与所述第三电压进行驱动。
可选的,所述高压生成模块包括稳压模块和输出模块,所述稳压模块的输出端与所述输出模块连接;
所述稳压模块,用于输出第四电压;
所述输出模块,用于基于所述供电电压和所述第四电压,输出所述第三电压。
可选的,所述稳压模块包括齐纳二极管。
可选的,所述输出模块包括第一场效应管,所述第一场效应管的控制端用于接收所述第四电压,输出端用于输出所述第三电压。
可选的,所述输出模块还包括开关单元,所述开关单元的一端与所述第一场效应管的输入端连接,另一端用于接收所述基准电位。
可选的,所述开关单元包括第二场效应管,所述第二场效应管的控制端用于接收开关控制信号,输出端与所述第一场效应管的输入端连接,输入端用于接收所述基准电位。
可选的,所述运放模块、所述控制模块和所述升压模块的接地端,用于接收所述第三电压。
可选的,所述高压生成模块包括多个子高压生成模块,每个子高压生成模块分别与不同的模块连接,以向各模块输入所述第三电压。
根据本申请的另一方面,提供了一种芯片,包括上述升压电路。
根据本申请的另一方面,提供了一种电子设备,包括上述升压电路。
本申请实施例中,升压电路可以包括运放模块、控制模块和升压模块,并且由运放模块和控制模块控制升压参数。因此,在对升压参数进行调整时,调整相应的运放模块或控制模块即可,无需重新设计电路结构,降低了设计难度。
附图说明
在下面结合附图对于示例性实施例的描述中,本申请的更多细节、特征和优点被公开,在附图中:
图1示出了根据本申请示例性实施例提供的升压电路示意图;
图2示出了根据本申请示例性实施例提供的运放模块示意图;
图3示出了根据本申请示例性实施例提供的控制模块示意图;
图4示出了根据本申请示例性实施例提供的电阻单元示意图;
图5示出了根据本申请示例性实施例提供的升压电路示意图;
图6示出了根据本申请示例性实施例提供的升压电路示意图;
图7示出了根据本申请示例性实施例提供的高压生成模块示意图;
图8示出了根据本申请示例性实施例提供的稳压模块示意图;
图9示出了根据本申请示例性实施例提供的输出模块示意图;
图10示出了根据本申请示例性实施例提供的输出模块示意图;
图11示出了根据本申请示例性实施例提供的输出模块示意图;
图12示出了根据本申请示例性实施例提供的高压生成模块示意图;
图13示出了根据本申请示例性实施例提供的升压电路示意图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本申请的实施例。虽然附图中显示了本申请的某些实施例,然而应当理解的是,本申请可以通过各种形式来实现,而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例,相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本申请。应当理解的是,本申请的附图及实施例仅用于示例性作用,并非用于限制本申请的保护范围。
本文使用的术语“包括”及其变形是开放性包括,即“包括但不限于”。术语“基于”是“至少部分地基于”。术语“一个实施例”表示“至少一个实施例”;术语“另一实施例”表示“至少一个另外的实施例”;术语“一些实施例”表示“至少一些实施例”。其他术语的相关定义将在下文描述中给出。需要注意,本申请中提及的“第一”、“第二”等概念仅用于对不同的装置、模块或单元进行区分,并非用于限定这些装置、模块或单元所执行的功能的顺序或者相互依存关系。
需要注意,本申请中提及的“一个”、“多个”的修饰是示意性而非限制性的,本领域技术人员应当理解,除非在上下文另有明确指出,否则应该理解为“一个或多个”。
本申请实施方式中的多个装置之间所交互的消息或者信息的名称仅用于说明性的目的,而并不是用于对这些消息或信息的范围进行限制。
本申请实施例提供了一种升压电路,该升压电路可以集成在芯片中,或者设置在电子设备中。
参照图1所示的升压电路示意图,该升压电路可以包括运放模块、控制模块和升压模块。
运放模块,可以用于基于供电电压,输出第一电压;
升压模块,可以用于输出符合升压参数的第二电压,并将输出的电压反馈至控制模块;
控制模块,可以用于基于升压模块的反馈电压、第一电压和供电电压,输出启动控制信号,启动控制信号用于控制升压模块的工作状态。
其中,升压参数可以基于运放模块和控制模块得到。第二电压大于供电电压,可以是指升压后输出的电压。供电电压可以是指电源电压或电池电压,还可以是其他电路输出的用于供电的电压,本实施例对此不作限定。
在一种可能的实施方式中,控制模块所需的输入电压不一定等于供电电压,因此可以采用运放模块将供电电压作为输入,并将供电电压进行调整,输出第一电压。进而,将第一电压作为控制模块的输入电压。
可选的,升压模块可以被配置为当输出的电压未达到升压参数时,基于启动控制信号,增加输出的电压;当输出的电压达到升压参数时,基于启动控制信号,停止增加输出的电压,并将输出的电压保持为上述第二电压。
其中,当升压模块输出的电压未达到升压参数时,基于升压模块的反馈电压、第一电压和供电电压,控制模块可以输出相应的启动控制信号,控制升压模块增加输出的电压,直到符合升压参数。
当升压模块输出的电压未达到升压参数时,控制模块输出的启动控制信号,可以控制升压模块停止增加输出的电压。并且,还可以将输出的电压保持为上述第二电压,即在达到升压参数后保持在该升压参数上。
可选的,运放模块可以包括电流源单元、第一电阻单元R1、第二电阻单元R2和第三电阻单元R3,控制模块可以包括第四电阻单元R4和第五电阻单元R5,并且可以通过上述单元使得第二电压符合升压参数。因此,在调整升压参数时,可以调整上述单元相应的电阻值或电流值即可,无需改变电路结构。
其中,电流源单元的电流值可以是参考电流值,也可以是其他恒定的电流值,本实施例对此不作限定。
一种具体的实施方式可参照图2所示的运放模块示意图。
在运算放大器的输入端一侧,第一电阻单元R1和电流源单元串联。第一电阻单元R1的一端用于接收供电电压,另一端与电流源单元的一端连接,电流源单元的另一端用于接收基准电位,电路上电后,第一电阻单元R1和电流源单元可以形成通路。运算放大器的同相输入端用于接收第一电阻单元R1和电流源单元之间的电位。
在运算放大器的输出端一侧,第二电阻单元R2、第三电阻单元R3和第三场效应管M3串联。第二电阻单元R2的一端用于接收供电电压,另一端与第三电阻单元R3的一端连接,第三电阻单元R3的另一端与第三场效应管M3的输出端连接,第三场效应管M3的输入端用于接收基准电位,控制端与运算放大器的输出端连接。运算放大器的反相输入端用于接收第二电阻单元R2和第三电阻单元R3之间的电位。运放模块输出的第一电压为上述第三电阻单元R3的另一端的电位。其中,第三场效应管M3的控制端为栅极,输入端为源极/漏极,输出端为漏极/源极。
设电流源单元的电流值为IREF,第一电压为VOUT1,供电电压为VBAT,则电路上电后,基于运算放大器虚短虚断的原理,可以得到第一电压VOUT1=VBAT-IREF*R1*(R2+R3)/R2。
一种具体的实施方式可参照图3所示的控制模块示意图。控制模块可以包括第四电阻单元R4、第五电阻单元R5和比较单元。比较单元包括两个输入端和一个输出端,两个输入端分别为第一输入端和第二输入端,比较器用于比较第一输入端和第二输入端的电压大小,如果第一输入端的电压大于第二输入端的电压,则输出端可以输出第一电平,如果第一输入端的电压小于第二输入端的电压,则输出端可以输出第二电平。可选的,第一电平为高电平,第二电平为低电平;或者,第一电平为低电平,第二电平为高电平。
第四电阻单元R4的一端用于接收上述第一电压,另一端与第五电阻单元R5连接,第五电阻单元R5的另一端用于接收升压模块输出的反馈电压。比较单元的第一输入端用于接收供电电压,第二输入端用于接收第四电阻单元R4和第五电阻单元R5之间的电位,输出端与升压模块连接。
设第四电阻单元R4和第五电阻单元R5连接节点处的电压为Vq,供电电压为VBAT。当升压模块输出的电压未达到升压参数时,比较单元的第二输入端的电压Vq小于第一输入端的电压(即供电电压VBAT),则比较单元可以输出第一电平,作为启动控制信号,控制升压模块启动,实现增加电压的功能。当升压模块输出的电压达到设定升压参数时,比较单元的第二输入端的电压Vq增大至大于第一输入端的电压(即供电电压VBAT),则比较单元的状态翻转,可以输出第二电平,控制升压模块停止增加电压。
其中,一种具体的升压模块可以基于振荡电路和电荷泵单元构成,可以采用现有的电路结构实现,本实施例对升压模块的具体电路结构不作限定。
设第一电压为VOUT1,第二电压为VOUT2,则在升压模块输出的电压达到升压参数时,即环路稳定时,Vq=VBAT,根据欧姆定律可得(VOUT2-VBAT)/R5=(VBAT-VOUT1)/R4,整理可得VOUT1=VBAT-(VOUT2-VBAT)*R4/R5。
令运放模块中得到的VOUT1的表达式,与升压模块中得到的VOUT1的表达式相等,进一步整理可得VOUT2-VBAT=IREF*R1*R5(R2+R3)/(R2*R4)。VOUT2-VBAT即为升压参数,因此可以对上述第一电阻单元R1到第五电阻单元R5的电阻值进行设计,还可以对电流源的电流值进行设计,进而达到控制升压参数的效果。
上文介绍的电阻单元可以是一个电阻元件,也可以多个电阻元件的组合。可选的,第一电阻单元R1、第二电阻单元R2、第三电阻单元R3、第四电阻单元R4和第五电阻单元R5的电阻值可变。如图4所示,上述任一电阻单元可以是多个电阻元件的组合,可以通过逻辑控制接收电路的电阻值,本实施例对电阻单元的具体结构不作限定。
可选的,第二电阻单元R2和第三电阻单元R3的电阻值相等,即上述R2=R3。在此基础上,上述VOUT2-VBAT可以等于2*IREF*R1*R5/R4,因此,至少可以通过电流源单元、第一电阻单元R1、第四电阻单元R4和第五电阻单元R5对升压参数进行设计,减小设计难度。
可选的,上面的介绍可以是指一个升压通道的实现方式,升压电路可以包括多个升压通道,升压通道包括一个上述控制模块和一个上述升压模块,每个升压通道分别输出对应的第二电压,每两个升压通道之间的升压参数相同或不同。也即是说,如果需要得到升压参数不同的升压通道,则可以通过对每个升压通道的第四电阻单元R4和第五电阻单元R5进行设计,以得到不同的升压参数。
并且,在存在多个升压通道时,可以包括以下多种情况:第一,每个升压通道的升压参数均相同;第二,每个升压通道的升压参数均不同;第三,存在部分升压通道的升压参数相同,部分升压通道的升压参数不同。本实施例对升压通道的升压参数不作限定。
图5示出了一种具体的升压电路,其中,OP为上述运放模块中的运算放大器,CMP为上述比较单元,OSC为上述升压模块中的振荡电路,CHP为上述升压模块中的电荷泵单元,EN为上述启动控制信号,CLK为时钟控制信号。运放模块基于供电电压生成第一电压,控制模块可以基于升压模块的反馈电压、第一电压和供电电压,来实现判断升压模块的输出电压是否达到升压参数,并控制升压模块是否增加电压。当升压模块的输出电压未达到上述升压参数时,可以增加输出的电压;当升压模块的输出电压达到上述设定升压参数时,停止增加输出的电压,并将第二电压保持在符合升压参数的电压上。可选的,驱动模块还可以包括用于保护电路的齐纳二极管,该齐纳二极管的正极用于接收第四电阻单元R4和第五电阻单元R5之间的电位,负极用于接收供电电压。
上文介绍的升压电路所采用的电子器件可以是高压器件,基于供电电压和基准电压进行驱动,也即是高压驱动。但是,高压器件的面积较大,不利于节约成本。因此,本实施例中还提供了另一种升压电路,其中用于实现升压的电路结构(即运放模块、控制模块和升压模块)与上文相同,不同点在于可以采用低压器件实现高压驱动,以减少电路面积。
该升压电路如下:
参照图6所示的升压电路示意图,升压电路还可以包括高压生成模块,高压生成模块的输出端分别与运放模块、控制模块和升压模块连接。
高压生成模块,可以用于产生第三电压,第三电压大于基准电位。
运放模块、控制模块和升压模块,可以基于供电电压与第三电压进行驱动。
其中,基准电位可以是指零电位或系统基准电位,是芯片或者电子设备中设定的电位参考点。
在一种可能的实施方式中,当升压电路上电时,可以基于供电电压和基准电位对整个升压电路进行驱动,并且可以将供电电压作为升压的基础。
在高压生成模块中,可以基于供电电压和基准电位进行驱动,产生上述第三电压。并将高压生成模块产生的第三电压作为运放模块、控制模块和升压模块的电位参考点,基于供电电压与第三电压驱动运放模块、控制模块和升压模块,使得升压模块可以对供电电压进行升压,输出升压后的第二电压。
由于基准电位通常为零电位或趋近于零电位,属于低压,在电路中接收基准电位通常称为“接地”,本申请在升压电路中采用第三电压实现原“接地”的功能,因此可以将上述第三电压称为“高压地”。
可选的,参照图7所示的高压生成模块示意图,高压生成模块可以包括稳压模块和输出模块,稳压模块的输出端与输出模块连接。
稳压模块,可以用于输出第四电压;
输出模块,可以用于基于供电电压和第四电压,输出第三电压。
可选的,稳压模块可以包括齐纳二极管,基于齐纳二极管进行稳压。
在一种具体的实施方式中,参照图8所示的稳压模块示意图,稳压模块可以包括一个电阻、一个齐纳二极管和一个电流源,齐纳二极管的正极与电流源连接,负极接入供电电压;电阻设置在齐纳二极管的正负极之间,与齐纳二极管并联;电流源一端与齐纳二极管连接,另一端接地,与齐纳二极管串联。输出的第三电压为齐纳二极管的负极处的电压。
升压电路初始化后,齐纳二极管反向击穿进行稳压,设为Vd,也即是齐纳二极管两端或电阻两端的电压为Vd。若供电电压为电池电压VBAT,则稳压模块输出的第四电压可以为VBAT-Vd。
当然,稳压模块还可以采用其他具体的电路,例如上述电流源可以替换为电阻,能够产生稳定的电压即可,本实施例对稳压模块的具体电路结构不作限定。
可选的,输出模块可以包括第一场效应管M1,第一场效应管M1的控制端用于接收第四电压,输出端用于输出第三电压。其中,第一场效应管M1的控制端为栅极,输入端为源极/漏极,输出端为漏极/源极。
参照图9所示的输出模块示意图,第一场效应管M1可以是NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor,N型金属-氧化物-半导体)管,控制端的电压(即NMOS管的栅极电压)为上述第四电压,输出端的电压(即NMOS管的源极电压)为第三电压,输入端(即NMOS管的漏极)为高阻态,此时,第三电压可以为第四电压与阈值电压之和,该阈值电压是指第一场效应管M1处于临界导通状态时输出端与控制端之间的电压。当上述图8所示的稳压模块与图9所示的输出模块相结合时,令第三电压为H_AGND,第四电压为VBAT-Vd,则H_AGND=VBAT-Vd+VTH,其中,VTH即为上述阈值电压。
当然,第一场效应管M1也可以是PMOS(P-Metal-Oxide-Semiconductor,P型金属-氧化物-半导体)管,本实施例对第一场效应管M1的具体类型不作限定。
可选的,输出模块还可以包括开关单元,开关单元的一端与第一场效应管M1的输入端连接,另一端用于接收基准电位。
开关单元可以用于控制高压生成模块输出的电压。参照图10所示的输出模块示意图,第一场效应管M1处于导通状态,当开关单元导通时,高压生成模块输出的第三电压为基准电位,也即是说,此时的高压生成模块未产生高压地;当开关单元关断时,第一场效应管M1的输入端处于高阻态,高压生成模块可以产生高压地。
可选的,开关单元可以包括第二场效应管M2,第二场效应管M2的控制端用于接收开关控制信号,输出端与第一场效应管M1的输入端连接,输入端用于接收基准电位。其中,第二场效应管M2的控制端为栅极,输入端为源极/漏极,输出端为漏极/源极。
参照图11所示的输出模块示意图,第二场效应管M2可以是PMOS管。当开关控制信号为高电平时,第二场效应管M2关断,也即是开关单元关断;当开关控制信号为低电平时,第二场效应管M2导通,也即是开关单元导通。
当然,第二场效应管M2也可以是NMOS管,本实施例对第二场效应管M2的具体类型不作限定。或者,开关单元还可以是其他的开关电路,本实施例对开关单元的具体电路结构也不作限定。
可选的,运放模块、控制模块和升压模块的接地端,可以用于接收第三电压。也即是说,上文在介绍高压生成模块之前,介绍过的用于接收基准电位的各个端口,可以替换为接收第三电压。但是,上文中电流源单元的一端仍然接收基准电位。
可选的,高压生成模块可以包括多个子高压生成模块,每个子高压生成模块分别与不同的模块连接,以向各模块输入第三电压。一个高压生成模块可承受的电流有限,因此可以设置多个并联的子高压生成模块分担电流,保证电路性能。
在一种可能的实施方式中,一个子高压生成模块可以与上文介绍的高压生成模块相同。
在另一种可能的实施方式中,由于影响承受电流的器件主要是场效应管,可以复用稳压模块为多个并联的输出模块提供第四电压,每个输出模块分别输出上述第三电压,在包括多个子高压生成模块的情况下尽可能减小面积。参照图12所示的高压生成模块示意图,稳压模块可以与多个输出模块串联,多个输出模块之间并联,稳压模块与一个输出模块构成的电路称为一个子高压生成模块。
需要说明的是,一个子高压生成模块连接的模块可以是指运放模块、控制模块和升压模块中的任意部分电路,模块的划分并不限于上述运放模块、控制模块和升压模块,也不限于运放模块、控制模块或升压模块中。
图13示出了一种具体的升压电路,其中,H_AGND和H_CHP_AGND为上述第三电压(即高压地)。各个模块的工作原理在上文中已经介绍,此处不再赘述。
本申请实施例可以获得如下有益效果:
(1)升压电路可以包括运放模块、控制模块和升压模块,并且由运放模块和控制模块控制升压参数。因此,在对升压参数进行调整时,调整相应的运放模块或控制模块即可,无需重新设计电路结构,降低了设计难度。
(2)基于供电电压与第三电压对运放模块、控制模块和升压模块进行驱动,可以降低电压裕度,使得可以采用低压器件对运放模块、控制模块和升压模块进行设计,可以减少升压电路整体的面积。
本申请示例性实施例还提供一种芯片,包括本申请实施例提供的升压电路。本申请实施例中,在对升压参数进行调整时,调整相应的运放模块或控制模块即可,无需重新设计电路结构,降低了芯片的设计难度。
本申请示例性实施例还提供一种电子设备,包括本申请实施例提供的升压电路。本申请实施例中,在对升压参数进行调整时,调整相应的运放模块或控制模块即可,无需重新设计电路结构,可以提高电子设备的性能。
Claims (16)
1.一种升压电路,其特征在于,所述升压电路包括运放模块、控制模块和升压模块;
所述运放模块,用于基于供电电压,输出第一电压;
所述升压模块,用于输出符合升压参数的第二电压,并将输出的电压反馈至所述控制模块;
所述控制模块,用于基于所述升压模块的反馈电压、所述第一电压和所述供电电压,输出启动控制信号,所述启动控制信号用于控制所述升压模块的工作状态;
其中,所述升压参数基于所述运放模块和所述控制模块得到。
2.根据权利要求1所述的升压电路,其特征在于,所述升压模块,被配置为当输出的电压未达到所述升压参数时,基于所述启动控制信号,增加输出的电压;当输出的电压达到所述升压参数时,基于所述启动控制信号,停止增加输出的电压,并将输出的电压保持为所述第二电压。
3.根据权利要求1所述的升压电路,其特征在于,所述运放模块包括电流源单元、第一电阻单元、第二电阻单元和第三电阻单元,所述控制模块包括第四电阻单元和第五电阻单元,所述升压参数至少基于所述电流源单元、所述第一电阻单元、所述第四电阻单元和所述第五电阻单元得到。
4.根据权利要求3所述的升压电路,其特征在于,所述第一电阻单元、所述第二电阻单元、所述第三电阻单元、所述第四电阻单元和所述第五电阻单元中至少一者的电阻值可变。
5.根据权利要求3所述的升压电路,其特征在于,所述第二电阻单元和所述第三电阻单元的电阻值相等。
6.根据权利要求1所述的升压电路,其特征在于,所述升压电路包括多个升压通道,所述升压通道包括一个所述控制模块和一个所述升压模块,每个升压通道分别输出对应的第二电压,每两个升压通道之间的所述升压参数相同或不同。
7.根据权利要求1所述的升压电路,其特征在于,所述升压电路还包括高压生成模块,所述高压生成模块的输出端分别与所述运放模块、所述控制模块和所述升压模块连接;
所述高压生成模块,用于产生第三电压,所述第三电压大于基准电位;
所述运放模块、所述控制模块和所述升压模块,基于所述供电电压与所述第三电压进行驱动。
8.根据权利要求7所述的升压电路,其特征在于,所述高压生成模块包括稳压模块和输出模块,所述稳压模块的输出端与所述输出模块连接;
所述稳压模块,用于输出第四电压;
所述输出模块,用于基于所述供电电压和所述第四电压,输出所述第三电压。
9.根据权利要求8所述的升压电路,其特征在于,所述稳压模块包括齐纳二极管。
10.根据权利要求9所述的升压电路,其特征在于,所述输出模块包括第一场效应管,所述第一场效应管的控制端用于接收所述第四电压,输出端用于输出所述第三电压。
11.根据权利要求10所述的升压电路,其特征在于,所述输出模块还包括开关单元,所述开关单元的一端与所述第一场效应管的输入端连接,另一端用于接收所述基准电位。
12.根据权利要求11所述的升压电路,其特征在于,所述开关单元包括第二场效应管,所述第二场效应管的控制端用于接收开关控制信号,输出端与所述第一场效应管的输入端连接,输入端用于接收所述基准电位。
13.根据权利要求7-12任一项所述的升压电路,其特征在于,所述运放模块、所述控制模块和所述升压模块的接地端,用于接收所述第三电压。
14.根据权利要求7所述的升压电路,其特征在于,所述高压生成模块包括多个子高压生成模块,每个子高压生成模块分别与不同的模块连接,以向各模块输入所述第三电压。
15.一种芯片,其特征在于,包括如权利要求1-14中任一项所述的升压电路。
16.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1-14中任一项所述的升压电路。
Priority Applications (1)
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