CN114335384A - 显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种显示面板和显示装置。显示面板的显示区包括第一显示区和第二显示区；显示面板包括衬底和位于衬底一侧的微结构和光学辅助结构；微结构的折射率小于光学辅助结构的折射率；微结构位于光学辅助结构远离衬底的一侧，且微结构嵌位于光学辅助结构远离衬底的一侧；第一显示区设置有至少一个微结构；第一显示区包括发光器件层，发光器件层和微结构位于衬底的同一侧，发光器件层包括第一电极层、发光层和第二电极层，第二电极层位于第一电极层的远离衬底的一侧；微结构位于第二电极层的靠近衬底的一侧。本发明能够提升第一显示区的透光率。

Description

显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
在电子产品比如手机、平板电脑中，前置摄像头、红外感应元件等光学传感器在产品的正面占据一定空间而影响屏占比。随着显示领域中全面屏概念的提出，各大厂商都在全面屏研究领域发力，目前普遍认为屏下光学传感器方案是一种能够实现真正全面屏的较优方案。将光学传感器比如摄像头设置在显示区域的下方，摄像头所在的位置能够正常显示，当需要使用摄像头时，光线穿透显示面板到达摄像头最终被摄像头利用。目前的屏下光学传感器方案在应用时，存在光线透过率低，影响光学传感器性能的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板和显示装置，以解决现有技术中显示面板透光率低的问题。
第一方面，本发明实施例提供一种显示面板，显示面板包括显示区，显示区包括第一显示区和第二显示区；
显示面板包括衬底和位于衬底一侧的微结构和光学辅助结构；微结构的折射率小于光学辅助结构的折射率；微结构位于光学辅助结构远离衬底的一侧，且微结构嵌位于光学辅助结构远离衬底的一侧；其中，
第一显示区设置有至少一个微结构；第一显示区包括发光器件层，发光器件层和微结构位于衬底的同一侧，发光器件层包括第一电极层、发光层和第二电极层，第二电极层位于第一电极层的远离衬底的一侧；
微结构位于第二电极层的靠近衬底的一侧。
第二方面，本发明实施例提供一种显示装置，包括光学传感器和本发明任意实施例提供的显示面板，在垂直于衬底平面方向上，光学传感器和第一显示区至少部分交叠。
本发明实施例提供的显示面板和显示装置，具有如下有益效果：在显示面板中设置微结构和与其相互配合的光学辅助结构，微结构嵌位于光学辅助结构远离衬底的一侧，且微结构的折射率小于光学辅助结构的折射率，显示面板内部分光线会射在微结构和光学辅助结构相互接触的侧面(即第一界面)上，光线由光学辅助结构射向微结构时会在第一界面上发生反射或者折射从而改变光路，使得光线能够由显示面板的背侧射出，从而能够提升第一显示区的透光率。而且将微结构设置在第二电极层的靠近衬底的一侧，不会对第二电极层远离衬底一侧的功能层的设置造成影响；另外，还能够在一定程度上减小在第一界面上发生作用而改变光路的光线距显示面板背侧的距离，从而能够减少光损失，进一步提升第一显示区的透光率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中光线射入显示面板的光路示意图；
图2为本发明实施例提供的一种显示面板示意图；
图3为图1中切线A-A′位置处一种截面示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种显示面板截面示意图；
图5为本发明实施例提供的显示面板中第一显示区的部分截面示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种显示面板截面示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种显示面板中第一显示区的截面示意图；
图8为本发明实施例提供的一种显示面板制作方式流程图；
图9为本发明实施例提供的另一种显示面板截面示意图；
图10为图5中区域Q1位置处放大示意图；
图11为本发明实施例提供的另一种显示面板中第一显示区的局部示意图；
图12为本发明实施例提供的另一种显示面板中第一显示区的局部简化示意图；
图13为本发明实施例提供的另一种显示面板中第一显示区的俯视示意；
图14为本发明实施例提供的显示面板中一种像素电路示意图；
图15为本发明实施例提供的像素电路的一种时序图；
图16为本发明实施例提供的另一种像素电路示意图；
图17为本发明实施例提供的另一种显示面板中第一显示区俯视示意图；
图18为本发明实施例提供的另一种显示面板中第一显示区俯视示意图；
图19为本发明实施例提供的另一种显示面板的第一显示区内像素电路层的局部示意图；
图20为本发明实施例提供的另一种显示面板的第一显示区截面示意图；
图21为图18中切线A-A′位置处截面示意图；
图22为本发明实施例提供的另一种显示面板的第一显示区截面示意图；
图23为本发明实施例提供的另一种显示面板的第一显示区俯视示意图；
图24为图23中切线B-B′位置处截面示意图；
图25为本发明实施例提供的另一种显示面板的第一显示区截面示意图；
图26为本发明实施例提供的另一种显示面板示意图；
图27为图26中切线C-C′位置处截面示意图；
图28为本发明实施例提供的另一种显示面板示意图；
图29为本发明实施例提供的另一种显示面板示意图；
图30为本发明实施例提供的一种显示装置示意图；
图31为本发明实施例提供的另一种显示装置示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
现有技术中通常采用如下设计方式来提高显示面板透光率，比如：从像素设计出发降低金属线的线宽，以减小非透光区的面积；从工艺方面考量提高面板中有机层和/或无机层的透光率等。但是受到工艺条件、面板分辨率等因素的影响，上述设计对显示面板透光率的提升有限。
图1为现有技术中光线射入显示面板的光路示意图。如图1所示，显示面板包括驱动层01和位于驱动层01一侧的发光器件02。驱动层01包括半导体层011、第一金属层012、第二金属层013和第三金属层014。发光器件02包括第一电极021、发光层022和第二电极023。发光器件02远离驱动层01一侧还设置有封装结构03。外界光线由封装结构03的一侧射入显示面板内部。第一电极021为反射电极时，射向第一电极021的光线1S会在第一电极021上发生反射后射出显示面板；射向第三金属层014的光线2S被第三金属层014反射后射出显示面板；而射向第一金属层012的光线3S被第一金属层012反射后射出显示面板；射向第二金属层013的光线4S被第二金属层013反射后射出显示面板。部分光线如光线5S会直接穿透显示面板，并由显示面板的背侧射出，被光学传感器(未示出)接收。而实际上光线射入显示面板之后，很大部分光线会像光线1S、光线2S、光线3S、光线4S那样在显示面板内部发生反射和折射，而不能由显示面板背侧射出，从而严重影响了光线透过率。另外，应用在屏下光学传感器方案中时，部分穿透显示面板的大角度光线也不能被光学传感器所接收而利用。
为了解决提升显示面板透光率的问题，本发明实施例提供一种显示面板，在显示面板结构中增加微结构以及与微结构相互配合作用的光学辅助结构，以对射入显示面板内部的光线进行利用，使得光线能够由显示面板的背侧射出，从而提高显示面板的透光率。
图2为本发明实施例提供的一种显示面板示意图，图3为图1中切线A-A′位置处一种截面示意图。如图2所示，显示面板包括显示区AA，显示区AA包括第一显示区AA1和第二显示区AA2。在第一显示区AA1和第二显示区AA2内均包括多个发光器件。而且，第一显示区AA1的透光率可以大于第二显示区AA2的透光率。在一些实施方式中，可以采用的方式有第一显示区AA1内发光器件的设置密度小于第二显示区AA2内发光器件的设置密度，或者第一显示区AA1内像素电路的设置密度小于第二显示区AA2内像素电路的设置密度，或者第一显示区AA1内发光器件和像素电路的设置密度均小于第二显示区AA2内发光器件和像素电路的设置密度。在另一些实施方式中，对于相同颜色发光器件来说，第一显示区AA1内发光器件的尺寸(指发光器件的面积)小于第二显示区AA2内发光器件的尺寸。在另一些实施例中，第一显示区AA1内像素电路的尺寸小于第二显示区AA2内像素电路的尺寸，其中，像素电路的尺寸可以以该像素电路中各晶体管共同占据的面积来计算。可选的，设置第一显示区AA1内像素电路中至少部分晶体管的尺寸小于第二显示区AA2内像素电路中同种晶体管的尺寸，同种晶体管指在像素电路中功能相同的晶体管。在另一些实施方式中，驱动第一显示区AA1内至少部分发光器件的像素电路可以设置在第一显示区AA1的外围，如位于第二显示区AA2中。
如图3所示，显示面板包括衬底10、位于衬底10一侧的微结构20和光学辅助结构30；微结构20的折射率小于光学辅助结构30的折射率；微结构20位于光学辅助结构30远离衬底10的一侧，且微结构20嵌位于光学辅助结构30远离衬底10的一侧。也即，微结构20的至少部分被光学辅助结构30所包覆。也相当于是光学辅助结构30的远离衬底10的一侧具有凹槽，微结构20填充了凹槽。
显示面板包括发光器件层40和像素电路层50，发光器件层40包括第一电极层41、发光层42和第二电极层43，第二电极层43位于第一电极层41的远离衬底10的一侧。发光器件层40包括多个发光器件P。显示面板还包括像素定义44，像素定义层44用于间隔相邻的发光器件P。
发光器件P包括第一电极411、第二电极431、以及位于两个电极之间的发光功能层421，其中，第一电极411位于第一电极层41，第二电极431位于第二电极层43，发光功能层421位于发光层42。像素电路层50位于衬底10和发光器件层40之间。
在一些实施例中，第一电极411包括堆叠的反射层和金属氧化物层，反射层位于金属氧化物层的靠近衬底10的一侧。反射层的材料包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr中的一种或多种。金属氧化物层包括ITO、IZO、ZnO或In2O3中一种或多种。第一电极411为反射电极。第二电极431为半反半透电极，第二电极431包括具有诸如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或它们的组合的功函数小的化合物、并且诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3等的透明材料可以沉积在该化合物上。在发光器件P中，发光功能层421发出的射向第二电极431的光线由第二电极431直接出射，发光功能层421发出的射向第一电极411的光线被第一电极411反射后再经由第二电极431出射，第一电极411为反射电极，能够提高发光器件P的出光效率。
像素电路层50包括第一金属层51、第二金属层52、第三金属层53和半导体层54。在垂直于衬底10所在平面方向e上，第一金属层51、第二金属层52、第三金属层53、半导体层54距衬底10的距离逐渐减小。也就是说，在垂直于衬底10所在平面方向e上，第一金属层51为距发光器件层40距离最近的金属层。在垂直于衬底10所在平面方向上，在相邻的金属层之间、以及在金属层与半导体层之间均设置有绝缘层。以第一金属层51为例，在一些实施例中，位于第一金属层51的金属结构会通过贯穿绝缘层的过孔连接到第一金属层51和衬底10之间的金属层或者半导体层54上，在绝缘层的过孔内填充有与第一金属层层51相同的材料。本发明实施例在计算各金属层距衬底10的距离时，金属层的位置不以绝缘层过孔中填充的金属材料为准，而是以在绝缘层的远离衬底10一侧与该绝缘层相接触的金属层来计算。
在像素电路层50中包括多个像素电路DL，像素电路DL用于驱动发光器件发光。像素电路DL中包括存储电容Cst和多个薄膜晶体管T。图3中示意，在发光器件层40远离像素电路层50一侧还设置有封装层60。在一些实施方式中，封装层60包括封装玻璃；在另一些实施方式中，封装层60包括至少一个无机层和至少一个有机层，如包括无机层-有机层-无机层三层结构。
可以理解的是，可以利用像素电路层50中的金属层制备显示面板的信号线，如扫描线、数据线、发光控制线、复位信号线以及电源信号线等。在一些实施例中，扫描线位于第三金属层53、发光控制线和复位信号线位于第二金属层52，数据线和电源信号线位于第一金属层51。
在一些实施例中，第一金属层51的制作材料包括钛和铝。在一种实施例中，第一金属层51为钛/铝/钛三层结构。
在一些实施例中，第二金属层52和第三金属层53的制作材料包含鉬。
在一些实施例中，半导体层54的制作材料包含硅。在另一些实施例中，半导体层54的制作材料包含金属氧化物。
在一些实施例中，图4为本发明实施例提供的另一种显示面板截面示意图，如图4所示，像素电路层50包括第一金属层51、第二金属层52、第三金属层53、半导体层54和第四金属层55，其中，第一金属层51、第四金属层55、第二金属层52、第三金属层53、半导体层54距衬底10的距离逐渐减小。也即第四金属层55位于第一金属层51和第二金属层52之间，第一金属层51位于第四金属层55的远离衬底10的一侧。可选的，第四金属层55的制作材料和第一金属层51的制作材料相同。该实施方式在四个金属层中设置扫描线、数据线、发光控制线、复位信号线以及电源信号线等信号线。
在一些实施例中，数据线和电源信号线中一者位于第一金属层51、另一者位于第四金属层55。如此设置能够降低数据线和电源信号线之间的耦合，提升显示效果。
在另一些实施例中，电源信号线采用双层走线设计，电源信号线包括位于第一金属层51的第一走线部和位于第四金属层55的第二走线部，第一走线部和第二走线部并联。如此设置能够降低电源信号线上的压降，从而降低功耗，提升显示效果。
在本发明实施例中第一显示区AA1内设置有至少一个微结构20。在第一显示区AA1内发光器件层40和微结构20位于衬底10的同一侧，且微结构20位于第二电极层43的靠近衬底10的一侧。
图5为本发明实施例提供的显示面板中第一显示区的部分截面示意图，如图5所示，微结构20位于第二电极层43的靠近衬底10的一侧。微结构20嵌位于光学辅助结构30的远离衬底10的一侧，则微结构20和光学辅助结构30相互接触的界面包括侧面和底面。图5中示出了一个与衬底10所在平面相平行的虚拟面xM，其中，衬底10所在平面理解为将衬底10看成是没有厚度的平面、该平面位于衬底10所在位置处。需要说明的是，微结构20和光学辅助结构30相互接触的侧面为第一界面M1，在微结构20的靠近衬底10一侧与光学辅助结构30相互接触的界面为底面M2。由图5可以看出微结构20和光学辅助结构30相互接触的第一界面M1与虚拟面xM相交，也即第一界面M1与平行于衬底10所在平面的面相交。
显示面板包括显示面和背离显示面一侧的背侧。显示面即为显示面板的显示画面的一侧，光线由显示面射入显示面板内部后，在像素电路层50中的金属层、以及发光器件层40中的第一电极层41都能够对光线进行反射，影响第一显示区AA1的透光率。在显示面板中设置微结构20和与其相互配合的光学辅助结构30之后，在显示面板内部分光线会射在微结构20和光学辅助结构30相互接触的侧面上，该部分光线可能是由显示面板射入的大角度光线，或者是在显示面板内部经金属结构反射后的光线。其中，微结构20的折射率小于光学辅助结构30的折射率，则光线经由光学辅助结构30射向微结构20时是由光密介质射向光疏介质，利用光线由光密介质射向光疏介质时在接触界面上发生反射(部分光线可以发生全反射)或者折射作用来改变光路，使得光线能够由显示面板的背侧射出，从而能够提升第一显示区AA1的透光率。而且在第二电极层43的远离衬底10一侧还设置有封装层等其他功能层，将微结构20设置在第二电极层43的靠近衬底10的一侧，不会对第二电极层43远离衬底10一侧的功能层的设置造成影响；另外，还能够在一定程度上减小在第一界面M1上发生作用而改变光路的光线距显示面板背侧的距离，从而能够减少光损失，进一步提升第一显示区AA1的透光率。
如图5所示的，在垂直于衬底10所在平面的方向e上，微结构20的厚度为d，其中，20μm≤d≤50μm。微结构20的厚度d越大，则微结构20与光学辅助结构30相互接触的第一界面M1的面积越大，则显示面板内部能够射向微结构20与光学辅助结构30相互接触的第一界面M1的光线更多，进而能够使得更多的光线被改变光路后由显示面板的背侧射出。同时，考虑到在显示面板内能够照射到第一界面M1上的光量有限，其中，当光线与平行于衬底10所在平面方向上呈一定角度才能够射到第一界面M1上，而如果将微结构20的厚度d设置的过大，不仅对提升第一显示区AA1的透光率作用较小，反而会对显示面板整体厚度不利。本发明在考虑微结构20制作工艺精度和良率、以及对显示面板整体厚度影响等因素设置20μm≤d≤50μm，保证微结构20与光学辅助结构30相互接触的第一界面M1具有足够大的面积，能够有效的改变显示面板内部分光线的光路，提升第一显示区AA1的透光率，同时对显示面板厚度影响较小。
在图5中示意微结构20和光学辅助结构30相互接触的第一界面M1为曲面。则第一界面M1具有一定的弯曲弧度，在微结构20厚度一定时，曲面形状能够使得第一界面M1的面积更大，则能够有相对更多的光射向第一界面M1，有利于提升第一显示区AA1的透光率。
图5中示意第一界面M1相对于微结构20向光学辅助结构30一侧凸出，在另一种实施例中，图6为本发明实施例提供的另一种显示面板截面示意图，如图6所示，第一界面M1为曲面，第一界面M1向微结构20的内部凹陷，图6中示意的射向第一界面M1的光线被第一界面M1反射后向显示面板的背侧出射。并且第一界面M1具有一定的弯曲弧度，在微结构20厚度一定时，曲面形状能够使得第一界面M1的面积更大，则能够有相对更多的光射向第一界面M1，有利于提升第一显示区AA1的透光率。在另一些实施例中，图7为本发明实施例提供的另一种显示面板中第一显示区的截面示意图，在图7截面图中可以看出，微结构20和光学辅助结构30相互接触的第一界面M1大致为平面。第一界面M1和虚拟面xM相交，虚拟面xM与衬底10所在平面平行。在实际中可以根据工艺条件、以及具体的设计需且求对微结构20和光学辅助结构30相互接触的第一界面M1的形状进行设计。
在一种实施例中，图8为本发明实施例提供的一种显示面板制作方式流程图，图8中示意出了显示面板中微结构20、以及光学辅助结构的一种制作方式。如图8所示，首先在基底001上制作一层高折射率材料002，高折射率材料002为有机材料，可以采用喷墨打印工艺制作，便于高折射率材料002表面流平；然后在高折射率材料002之上制作低折射率材料003，通过对制作工艺进行调整能够实现对低折射率材料003的侧壁0031形状的控制；然后再继续制作一层高折射率材料002使其与低折射率材料003的侧壁0031相接触。低折射率材料003即为微结构20，高折射率材料002为光学辅助结构30，侧壁0031所在位置即为微结构20和光学辅助结构30相互接触的第一界面M1。
在一些实施例中，图9为本发明实施例提供的另一种显示面板截面示意图，如图9所示，发光器件层40还包括像素定义层44，像素定义层44复用为光学辅助层30，微结构20嵌位于像素定义层44的远离衬底10的一侧。像素定义层44采用有机材料制作。像素定义层44能够用于间隔相邻的发光器件P，同时像素定义层44和微结构20配合能够用于对射向第一界面M1的光线进行作用、使得光线由显示面板的背侧出射，从而提升第一显示区AA1的透光率。像素定义层44复用为光学辅助层30，无需在显示面板中额外制作光学辅助层30，简化了工艺制程，同时有利于显示面板厚度的减薄。
在一些实施例中，如图4所示的，像素定义层44覆盖在微结构20的远离衬底10的一侧。在显示面板制作时，首先制作出光学辅助结构30和嵌位于光学辅助结构30一侧的微结构20；然后制作像素定义层44，像素定义层44覆盖微结构20以及部分光学辅助结构30。
在另一些实施例中，如图7所示的，相互配合的微结构20和光学辅助结构30位于像素定义层44的凹槽CC内，第二电极层43覆盖在微结构20的远离衬底10的一侧。在显示面板制作时，首先制作第一电极层41、然后制作像素定义层44，像素定义层44具有承载光学辅助结构30和微结构20的凹槽CC；然后在凹槽CC内制作相互配合的光学辅助结构30和微结构20，其中，微结构20嵌位于光学辅助结构30的远离衬底10的一侧。然后制作显示器件层40中的发光层42和第二电极层43。
在一些实施方式中，微结构20具有远离衬底10一侧的第一表面，第一表面和第一界面M1形成的朝向微结构20内部的最大夹角为锐角。
图10为图5中区域Q1位置处放大示意图。如图10所示，以微结构20和光学辅助结构30相互接触的第一界面M1为曲面进行示意，在微结构20中第一界面M1和第一表面21形成的朝向微结构20内部的最大夹角为θ1，在第一界面M1为曲面时，对于曲面上的一点来说，该点的切线与第一表面21形成的朝向微结构20内部的夹角为该位置处第一界面M1和第一表面21之间的夹角。其中，0°<θ1≤33°。如此设置，第一界面M1不仅能够对由微结构20的靠近衬底10一侧射向第一界面M1的光线S1(也就是被面板内部金属结构反射的光线)进行反射，经反射后使得光线向衬底10所在方向传播，提高第一显示区AA1的透光率。第一界面M1还能够对射入显示面板内的大角度光线S2进行反射，使得光线与垂直于衬底10所在平面的方向之间的夹角变小，提高光线准直性。而且部分大角度光线S2可能会在第一界面M1上发生全反射，当第一界面M1和第一表面21之间的夹角越小时，能够发生全反射的大角度光线更多。其中，大角度光线一般指与垂直于衬底10所在平面方向上形成的锐角夹角大于45°的光线。在一些实施例中，将微结构20设置在第一显示区AA1的边缘附近时，利用第一界面M1对大角度光线进行反射能够使得更多的光线由第一显示区AA1对应的位置处射出，从而被光学传感器所接收，能够提高光学传感器接收的光量，提升光学传感器的光学性能。
在另一些实施例中，微结构20的第一表面和第一界面M1形成的朝向微结构20内部的最大夹角为钝角。
图11为本发明实施例提供的另一种显示面板中第一显示区的局部示意图。如图11所示，微结构20具有远离衬底10一侧的第一表面21，在微结构20中第一界面和第一表面形成的朝向微结构20内部的最大夹角为θ2，其中，123°≤θ2<180°。图11以第一界面M1大致为平面进行示意，在一些实施例中第一界面M1为曲面。图11中示意出了射入显示面板内部的大角度光线S3，光线S3由光学辅助结构30经第一界面M1射入微结构20，是由光密介质射入光疏介质，则折射角大于入射角，光线再经由微结构20与光学辅助结构30相互接触的底面M2出射后射向衬底10。该实施方式中，经第一界面M1作用后能够使得光线与垂直于衬底10所在平面的方向之间的夹角变小。如图11中示意的，光线S3在射向第一界面M2时，光线与垂直于衬底10所在平面的方向之间的夹角为α1；光线S3在经第一界面M1作用后最终由底面M2射出时，出射光线与垂直于衬底10所在平面的方向之间的夹角为α2。可以看出α2小于α1。在一些实施例中，将微结构20设置在第一显示区AA1的边缘附近时，利用第一界面M1对大角度光线进行折射能够使得更多的光线由第一显示区AA1对应的位置处射出，从而被光学传感器所接收，能够提高光学传感器接收的光量，提升光学传感器的光学性能。
在一些实施方式中，如图5所示的，一个光学辅助结构30内嵌有至少两个微结构20。在制作微结构20和光学辅助结构30时可以采用上述图8实施例示意的制作方法制作。在制作时不需要再对光学辅助结构30进行图形化处理，能够简化制作工艺。
在另一些实施例中，图12为本发明实施例提供的另一种显示面板中第一显示区的局部简化示意图。如图12所示，对于相邻的两个微结构20，与该两个微结构20分别对应的光学辅助结构30相互独立。其中，相邻的两个微结构20是指在同一水平方向上相邻、且这两个微结构20之间没有其他的微结构20，对这两个微结构20间隔的距离不做限定。该实施方式中相邻的两个微结构20分别对应的光学辅助结构30不相互连接。即微结构20所对应的光学辅助结构30为图形化的结构。本发明实施例中在显示面板结构层中增加微结构20和光学辅助结构30，可以根据微结构20和光学辅助结构30所在的膜层位置对光学辅助结构30进行图形化设计，有利于提升微结构20和光学辅助结构30制作完成之后基底的平坦性。
在一些实施方式中，图13为本发明实施例提供的另一种显示面板中第一显示区的俯视示意图，为了清楚示意图像素电路的结构，图13示意的是内由像素电路层看向衬底的俯视示意图，图14为本发明实施例提供的显示面板中一种像素电路示意图。图15为本发明实施例提供的像素电路的一种时序图。图13中示意出了位于第一显示区AA1内的像素电路DL，像素电路DL用于驱动发光器件发光。结合图13和图14来理解像素电路DL的结构。像素电路DL包括驱动晶体管Tm、栅极复位晶体管T1、电极复位晶体管T2、数据写入晶体管T3、阈值补偿晶体管T4、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6，像素电路DL还包括存储电容Cst。存储电容Cst包括第一极板c1和第二极板c2，第一极板c1和第二极板c2相互交叠，第一极板c1位于第二金属层52，第二极板c2位于第三金属层53。图13中区域Q2圈出的位置相当于是像素电路DL的输出端，像素电路DL的输出端与发光器件P的第一电极411相连接。另外，图13中示意相邻的像素电路DL中第一极板c1相互独立、不相连接。在一些实施例中，相邻的像素电路DL中第一极板c1相互连接，在此不再附图示意。
图14中示意出了像素电路DL中各晶体管的连接关系。图14中示意出了位于第n行的像素电路和位于第n+1行的像素电路，n为正整数。在像素电路中，栅极复位晶体管T1耦接到第一节点N1，驱动晶体管Tm的栅极耦接到第一节点N1，驱动晶体管Tm的第一极耦接到第二节点N2，驱动晶体管Tm的第二极耦接到第三节点N3。驱动晶体管Tm串联在第一发光控制晶体管T5和第二发光控制晶体管T6之间。数据写入晶体管T3耦接到第一节点N1，阈值补偿晶体管T4串联在驱动晶体管Tm的栅极和驱动晶体管Tm的第二极之间。存储电容Cst的第二极板c2和第一发光控制晶体管T5的一极均接收电源信号Pv。电极复位晶体管T2耦接和发光器件P的第一电极411耦接到第四节点N4。栅极复位晶体管T1的栅极和电极复位晶体管T2的栅极耦接第二扫描信号Sc2，数据写入晶体管T3的栅极和阈值补偿晶体管T4的栅极耦接第一扫描信号Sc1，第一发光控制晶体管T5的栅极和第二发光控制晶体管T6的栅极耦接发光控制信号E。
在显示面板中采用移位寄存器向像素电路提供扫描信号，移位寄存器级联设置，第n级移位寄存器的输入端连接到第n-1级移位寄存器的输出端，第n级移位寄存器的输出端连接到第n+1级移位寄存器的输入端。其中，对于第n行像素电路来说，第n-1级移位寄存器的输出端向第n行像素电路提供第二扫描信号Sc2(n)，第n级移位寄存器的输出端向第n行像素电路提供第一扫描信号Sc1(n)。对于第n+1行像素电路来说，第n级移位寄存器的输出端向第n+1行像素电路提供第二扫描信号Sc2(n+1)，第n+1级移位寄存器的输出端向第n+1行像素电路提供第一扫描信号Sc1(n+1)。也就是说，第n行像素电路所接收的第一扫描信号Sc1(n)和第n+1行像素电路所接收的第二扫描信号Sc2(n+1)为相同信号。同样的，第n行像素电路所接收的第二扫描信号Sc2(n)和第n-1行像素电路所接收的第一扫描信号Sc1(n-1)为相同信号。
其中，以第n+1行的像素电路为例。在第n+1行的像素电路中：栅极复位晶体管T1的栅极和电极复位晶体管T2的栅极耦接到同一个控制端，电极复位晶体管T2的第一极耦接复位信号Ref，栅极复位晶体管T1的第一极耦接电极复位晶体管T2的第二极，栅极复位晶体管T1的第二极耦接到第一节点N1。并且，第n+1行的像素电路中电极复位晶体管T2的第二极还耦接到第n行像素电路的第四节点N4。在第n+1行的像素电路中栅极复位晶体管T1和电极复位晶体管T2开启后将复位信号Ref提供给第一节点N1以对驱动晶体管Tm的栅极进行复位；同时电极复位晶体管T2开启后还将复位信号Ref提供给第n行像素电路的第四节点N4，以对第四节点N4进行复位。图14中各晶体管均以p型晶体管进行示意，本发明实施例中像素电路DL中各晶体管也可以是n型晶体管。
结合图15示意的时序图进行理解。以第n行像素电路DL的工作过程进行说明。像素电路的工作阶段包括复位阶段t1、数据写入阶段t2和发光阶段t3。其中，在复位阶段t1：第二扫描信号Sc2(n)提供使能信号控制栅极复位晶体管T1和电极复位晶体管T2均开启，将复位信号Ref提供给第一节点N1以对驱动晶体管Tm的栅极进行复位，同时电极复位晶体管T2开启后将复位信号Ref提供给第n-1行像素电路的第四节点N4，以对第n-1行像素电路所对应的发光器件P进行复位；在数据写入阶段t2：第一扫描信号Sc1(n)提供使能信号控制数据写入晶体管T3和阈值补偿晶体管T4开启，数据写入晶体管T3将数据信号Vdata写入到驱动晶体管Tm栅极；阈值补偿晶体管T4对驱动晶体管Tm的阈值电压进行补偿；在该阶段，第n+1行像素电路中的电极复位晶体管T2开启，将复位信号Ref提供给第n行像素电路的第四节点N4以对第四节点N4进行复位。在发光阶段t3：发光控制信号E提供使能信号控制第一发光控制晶体管T5和第二发光控制晶体管T6均开启，驱动晶体管Tm在其栅极电位的控制下产生驱动电流。
图16为本发明实施例提供的另一种像素电路示意图，如图16所示，栅极复位晶体管T1的栅极和电极复位晶体管T2的栅极耦接第二扫描信号Sc2，栅极复位晶体管T1的第一极耦接复位信号Ref，栅极复位晶体管T1的第二极耦接第一节点N1；电极复位晶体管T2的第一极耦接复位信号Ref，电极复位晶体管T2的第二极耦接第四节点N4。在像素电路工作在复位阶段时，第二扫描信号Sc2提供使能信号控制栅极复位晶体管T1和电极复位晶体管T2同时开启，栅极复位晶体管T1开启后对第一节点N1进行复位，电极复位晶体管T2开启后对第四节点N4进行复位。该实施方式中，对驱动晶体管Tm的栅极复位和对发光器件P的复位同时进行。
图14和图16实施例中的像素电路均做示意性表示，不作为对本发明实施例的限定。本发明实施例提供的显示面板中像素电路可以采用现有技术中任意一种。
图17为本发明实施例提供的另一种显示面板中第一显示区的俯视示意图，图17示意的是由第一电极层看向衬底的俯视示意图，图17中示出了发光器件的图形化的第一电极411，第一电极411位于第一电极层41。可以看出一个像素电路的输出端连接一个第一电极411。在第一显示区AA1内第一电极411为反射电极，第一电极411的制作材料包括金属材料，所以第一电极411属于衬底10之上的金属结构。另外，像素电路DL中各晶体管中除半导体层外均采用金属材料制作。所以第一显示区AA1内包括位于衬底10之上的金属结构。图17中示出了第一显示区AA1内的高透区GT。可以理解，俯视方向垂直于衬底10所在平面，由图17可以看出，在垂直于衬底10所在平面的方向上，高透区GT与金属结构不交叠。则光线在射入高透区GT后不会被金属结构反射，光线能够经由高透区GT直接穿透显示面板。
图18为本发明实施例提供的另一种显示面板中第一显示区内由微结构看向衬底的俯视示意图，如图18所示的，在垂直于衬底10所在平面的方向上，微结构20与至少部分高透区GT不交叠。由上述图5实施例中的相关说明可以知道，光线在照射到微结构20和光学辅助结构30相互接触的第一界面M1时，会被反射而改变传播方向。本发明实施例中设置微结构20与至少部分高透区GT不交叠，使得光线能够直接由高透区GT穿透显示面板，避免第一界面M1对该部分光线的传播方向产生影响。
在另一些实施例中，图19为本发明实施例提供的另一种显示面板的第一显示区内像素电路层的局部示意图，图19中示意出了电路区DQ和走线区ZQ，以电路区DQ内排布有三个像素电路为例，对于像素电路的结构可参照图13进行理解，走线区ZQ位于相邻的两个电路区DQ之间，将连接两个电路区DQ的走线集中设置在走线区ZQ内。在第一显示区AA1内将行方向x上排列的像素电路中的部分像素电路去除，以形成图19中行方向x排列的电路区DQ；将列方向y上排列的像素电路中的部分像素电路去除，以形成列方向y上排列的电路区DQ。在同一方向上，走线区ZQ内相邻两条走线之间的间距小于电路区DQ内相邻两条走线之间的间距。如图19中示意的四个电路区DQ、以及四个走线区ZQ共同围成一个高透区GT，在高透区GT内不设置金属走线以及晶体管，则光线在穿透高透区GT时不会被金属结构遮挡。在本发明实施例中设置微结构20与高透区GT不交叠。
图19实施例中并未示出第一显示区AA1内发光器件，在一些实施方式中，在第一显示区AA1内一个像素电路驱动一个发光器件；在另一些实施方式中，在第一显示区AA1内一个像素电路驱动两个或者两个以上的发光器件，在此不再附图示意。
在一些实施例中，图20为本发明实施例提供的另一种显示面板的第一显示区截面示意图，如图20所示的，第一显示区AA1包括和微结构20位于衬底10同一侧的金属结构JM，其中，衬底10之上的位于第一金属层51、位于第二金属层52、位于第三金属层53、以及位于第一电极层41中的结构均属于金属结构JM。金属结构JM包括第一金属结构JM-1。微结构20和与其接触的至少部分光学辅助结构30位于第一金属结构JM-1的远离衬底10的同一侧。也即，在显示面板制作时，在第一金属结构JM-1制作完成之后，再制作光学辅助结构30以及微结构20，使得微结构20嵌位于光学辅助结构30的远离衬底10的一侧。如此设置，当射入第一显示区AA1内的光线在第一金属结构JM-1的远离衬底10的一侧发生反射时，反射后的部分光线会在微结构20和光学辅助结构30相互接触的第一界面M1上被再次反射向衬底10所在方向传播，从而能够增大反射的光线由显示面板的背面射出的几率，有利于提升第一显示区AA1的透光率。
在第一金属结构JM-1的靠近衬底10的一侧还设置有其他金属结构JM时，也就是说，在第一金属层结构JM-1和衬底10之间还设置有金属结构JM，则位于第一金属结构JM-1的远离衬底10一侧的微结构20和光学辅助结构30形成的第一界面也能够对第一金属结构JM-1和衬底10之间的金属结构JM所反射的光线进行作用。
在一些实施方式中，图21为图18中切线A-A′位置处截面示意图。如图21所示的，第一电极层41包括第一金属结构JM-1。第一电极层41包括多个图形化的第一电极411(图21中仅示意出一个)，第一电极411即为发光器件P的一个电极。其中，第一电极411为反射电极。本发明实施例中发光器件P的第一电极为第一金属结构JM-1。微结构20包括第一微结构20-1，第一微结构20-1位于第一电极层41的远离衬底10的一侧。由于发光器件的第一电极411位于第一电极层41，则第一电极层41中金属结构的面积相对较大，在第一显示区AA1内第一电极层41反射的环境光相对较多。将第一微结构20-1设置在第一电极层41的远离衬底10的一侧，也即在第一电极层41制作完成之后再制作第一微结构20-1。能够利用第一微结构20-1和光学辅助结构30相互接触的第一界面M1对被第一电极层41反射的光线进行作用，而且第一界面M1还能够对被第一电极层41和衬底10之间其他金属层反射的光线进行作用。部分光线被第一界面M1作用后改变方向、向衬底10所在方向传播，最终由显示面板的背侧射出，从而提升第一显示区AA1的透光率。
结合图18和图21来看，该实施方式中示意第一微结构20-1与第一电极层41不交叠。在另一些实施方式中，第一微结构20-1与第一电极层41可以存在部分交叠，在此不再附图示意。
如图18所示的，至少一个第一微结构20-1沿环绕第一金属结构JM-1的方向设置。也即第一微结构20-1沿环绕第一电极411的方向设置。在一些实施例中，两个或者两个以上数量的第一微结构20-1在沿环绕第一金属结构JM-1的方向上排列设置。如此设置，能够利用第一微结构20-1和光学辅助结构30相互接触的第一界面M1对第一金属结构JM-1所反射的光线进行再次反射，将第一微结构20-1设置在第一金属结构JM-1的外围，能够增大被第一金属结构JM-1反射的光线射向第一界面M1的几率，从而有利于提升第一显示区AA1的透光率。
在另一些实施方式中，微结构20位于第一电极层41的靠近衬底10的一侧。该实施方式中微结构20和光学辅助结构30相互接触的第一界面M1能够对微结构20和衬底10之间的金属结构所反射的部分光线进行作用，以对该部分光线进行反射后向衬底10所在方向传播，并由显示面板的背侧射出，从而提升第一显示区AA1的透光率。该实施方式将微结构20设置在发光器件层40和衬底10之间，不会对发光器件层40的结构造成影响，不改变发光器件层40的制作工艺。
在一些实施例中，图22为本发明实施例提供的另一种显示面板的第一显示区截面示意图，如图22所示，像素电路层50包括第一金属层51、第二金属层52、第三金属层53和半导体层54。其中，第一金属层51包括第一金属结构JM-1。在一些实施方式中，显示面板中的数据线data(参考图13中的示意)和电源信号线pvdd(参考图13中的示意)位于第一金属层51，则数据线data和电源信号线pvdd即为第一金属结构JM-1。数据写入晶体管T3的一端与数据线data电连接，数据线data用于向像素电DL提供数据信号。存储电容Cst的第二极板c2与电源信号线pvdd电连接，第一发光控制晶体管T5的一端与电源信号线pvdd电连接，电源信号线pvdd提供电源信号。
微结构20包括第二微结构20-2，第二微结构20-2位于第一金属层51靠近发光器件层40的一侧，也即在垂直于衬底10所在平面方向e上，第二微结构20-2位于第一电极层41和第一金属层51之间。该实施方式中，第二微结构20-2与光学辅助结构30相互接触的第一界面M1能够对第一金属层51所反射的部分光线进行作用，使得该部分光线在第一界面M1上发生反射之后向衬底10所在方向传播，并由显示面板的背侧射出，从而提升第一显示区AA1的透光率。而且，第二微结构20-2与光学辅助结构30相互接触的第一界面M1还能够对第一金属层51和衬底10之间金属结构所反射的部分光线进行作用，能够增加射向第一界面M1的光量，从而增加被第一界面M1作用后改变方向由显示面板的背侧射出的光量，从而提升第一显示区AA1的透光率。
在一些实施例中，第一金属层51和发光器件层40之间设置有平坦化层，平坦化层起到平坦作用，为发光器件层40的制作提供一个相对平坦的基底。其中，平坦化层复用为光学辅助结构30。也即微结构20嵌位于平坦化层的远离衬底10的一侧。如此设置无需在显示面板中额外制作光学辅助层30，简化了工艺制程，同时有利于显示面板厚度的减薄。
在另一些实施例中，图23为本发明实施例提供的另一种显示面板的第一显示区由像素电路层看向衬底的俯视示意图，图24为图23中切线B-B′位置处截面示意图。结合图23和图24来看，像素电路层50包括第一金属层51、第二金属层52、第三金属层53和半导体层54；第二金属层52位于第一金属层51靠近衬底10的一侧，第三金属层53位于第二金属层52靠近衬底10的一侧。第二金属层52包括第一金属结构JM-1。第二金属层52包括第一极板c1，第三金属层53包括第二极板c2；在垂直于衬底10所在平面方向e上，第一极板c1和第二极板c2相互交叠形成存储电容Cst。则第一极板c1为第一金属结构JM-1。微结构包括第三微结构20-3，第三微结构20-3位于第二金属层52靠近第一金属层51的一侧，即在垂直于衬底10所在平面方向上，第三微结构20-3位于第二金属层52和第一金属层51之间。在像素电路层50中，存储电容Cst的第一极板c1的面积相对较大，则第一极板c1能够反射的光量较多，将第三微结构20-3设置在第二金属层52的靠近第一金属层51的一侧，则第三微结构20-3与光学辅助结构30相互接触的第一界面M1能够对第二金属层52所反射的部分光线进行作用，使得该部分光线在第一界面M1上发生反射之后向衬底10所在方向传播，并由显示面板的背侧射出，从而提升第一显示区AA1的透光率。而且，第三微结构20-3与光学辅助结构30相互接触的第一界面M1还能够对第二金属层52和衬底10之间金属结构所反射的部分光线进行作用，能够增加射向第一界面M1的光量，从而增加被第一界面M1作用后改变方向由显示面板的背侧射出的光量，从而提升第一显示区AA1的透光率。
由图23可以看出，第三微结构20-3沿环绕第一极板c1的方向设置。
如图23所示的，像素电路层50还包括复位信号线Vref，栅极复位晶体管T1的一极、电极复位晶体管T2的一极均连接到复位信号线Vref，复位信号线Vref用于提供复位信号。其中，复位信号线Vref位于第二金属层52，复位信号线Vref也属于第二金属层52中的第一金属结构JM-1，在一些实施例中，在复位信号线Vref周围也设置有第三微结构20-3，以利用第三微结构20-3和光学辅助结构30相互接触的第一界面M1对复位信号线Vref所反射的部分光线进行作用，能够进一步提升第一显示区AA1的透光率。
在另一些实施例中，图25为本发明实施例提供的另一种显示面板的第一显示区截面示意图，如图25所示，像素电路层50包括第一金属层51、第二金属层52、第三金属层53和半导体层54，第一金属层51为在垂直于衬底10所在平面方向e上距发光器件层40距离最近的金属层。像素电路中存储电容的第一极板位于第二金属层52，存储电容的第二极板位于第三金属层53。其中，第三金属层53包括第一金属结构JM-1。微结构20包括第四微结构20-4，第四微结构20-4位于第三金属层53靠近第二金属层52的一侧。也即在垂直于衬底10所在平面方向e上，第四微结构20-4位于第三金属层53和第二金属层52之间。第四微结构20-4与光学辅助结构30相互接触的第一界面M1能够对第三金属层53所反射的部分光线进行作用，使得该部分光线在第一界面M1上发生反射之后向衬底10所在方向传播，并由显示面板的背侧射出，从而提升第一显示区AA1的透光率。
在第三金属层53中设置有第二极板以及像素电路中的第一扫描线G1、第二扫描线G2以及发光控制线Emit。可参考图13中的示意，数据写入晶体管T3的控制端和阈值补偿晶体管T4的控制端均与第一扫描线G1电连接，第一发光控制晶体管T5的控制端和第二发光控制晶体管T6的控制端均与发光控制线Emit电连接，栅极复位晶体管T1的控制端和电极复位晶体管T2的控制端均与第二扫描线G2电连接。第一扫描线G1、第二扫描线G2以及发光控制线Emit均属于第一金属结构JM-1，可以分别在第一扫描线G1、第二扫描线G2以及发光控制线Emit周围设置第四微结构20-4，以利用第四微结构20-4与光学辅助结构30相互接触的第一界面M1对部分光线进行反射，提升第一显示区AA1的透光率。
在另一些实施例中，图26为本发明实施例提供的另一种显示面板示意图，图27为图26中切线C-C′位置处截面示意图。如图26所述的，微结构20还包括第五微结构20-5，至少一个第五微结构20-5沿第一显示区AA1的边缘设置。第一显示区AA1的边缘也即第一显示区AA1和第二显示区AA2之间的虚拟边界。第五微结构20-5沿第一显示区AA1的边缘设置，且第五微结构20-5的至少部分位于第一显示区AA1。如图27所示的，射向第一显示区AA1边缘的大角度光线S4，由于其与垂直于衬底10所在平面方向e之间的锐角夹角较大，按其本来的光路传播时最终会由第二显示区AA2对应的背侧射出。通过本发明实施例中第五微结构20-5的设置，光线S4照射在第五微结构20-5与光学辅助结构30相互接触的第一界面(图27中未标示出)后，会被第一界面反射而改变光路，使得反射光线最终由第一显示区AA1所对应的背侧射出，从而对第一显示区AA1的出光做出贡献，提升第一显示区AA1的透光率。并且设置第五微结构20-5沿第一显示区AA1的边缘设置，使得由不同方向射入第一显示区AA1边缘的大角度光线都能够被利用而由第一显示区AA1所对应的背侧射出，从而进一步提升第一显示区AA1的透光率。
在一些实施例中，图28为本发明实施例提供的另一种显示面板示意图，如图28所示的，显示区AA还包括过渡区AA3，过渡区AA3位于第一显示区AA1和第二显示区AA2之间。该实施方式中第五微结构20-5沿第一显示区AA1和过渡区AA3之间的虚拟边界设置。
在一些实施例中，过渡区AA3内的发光器件的设置密度大于第一显示区AA1内发光器件设置密度、且小于第二显示区AA2内发光器件的设置密度。过渡区AA3能够提升显示区AA的显示效果，使得第一显示区AA1和第二显示区AA2之间的显示过渡更加自然。
在另一些实施例中，驱动第一显示区AA1内发光器件P的像素电路DL位于过渡区AA3。如此能够增大第一显示区AA1的透光率。
如图27所示的，显示面板还包括位于衬底10一侧缓冲层70；像素电路层50位于缓冲层70的靠近发光器件层40的一侧；缓冲层70用于在后续形成半导体层54的准分子激光退火工艺中起到保温的作用。其中，第五微结构20-5位于缓冲层70的靠近衬底10的一侧。第五微结构20-5和光学辅助结构30相互接触的第一界面能够对射向第一显示区AA1边缘的大角度光线进行作用，使其改变光路后由第一显示区AA1对应的显示面板背侧射出，从而提升第一显示区AA1的透光率。而且将第五微结构20-5设置在缓冲层70的靠近衬底10的一侧，不影响像素电路层50、发光器件层40的制作工艺。另外，如此设置使得在垂直于衬底10所在平面方向e上，第五微结构20-5距显示面板的背侧距离较近，被改变光路后的光线经较短的距离后射出显示面板。
在另一种实施例中，图29为本发明实施例提供的另一种显示面板示意图，如图29所示，两个第五微结构20-5沿第一显示区AA1的边缘设置。在实际中可以根据具体的设计需求第五微结构20-5的个数。在一些实施例中，沿第一显示区AA1的边缘排列设置有三个或者三个以上数目的第五微结构20-5。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种显示装置，图30为本发明实施例提供的一种显示装置示意图，如图30所示，显示装置包括光学传感器200和本发明上述任意实施例提供的显示面板100。在垂直于衬底(图30未标示)平面方向e上，光学传感器200和第一显示区AA1至少部分交叠。对于显示面板100的结构在上述实施例中已经说明，在此不再赘述。光学传感器200例如可以是前置摄像头、红外感应元件、指纹识别传感器等感光器件。
采用本发明实施例提供的显示面板能够提升第一显示区AA1的透光率，在应用中能够增加光学传感器200所接收的光量，从而提升光学传感器200的光学性能。本发明实施例中显示装置可以是例如手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书、电视机、智能手表等任何具有显示功能的设备。
在一些实施方式中，图31为本发明实施例提供的另一种显示装置示意图，图31中对显示面板100的结构仅做简化示意，并未示出显示面板100中的像素电路层以及发光器件层等结构。可以理解，光学传感器200沿垂直于衬底10所在平面方向e向衬底10所在平面投影得到其在衬底10所在平面的正投影。如图31所示，光学传感器200在衬底10所在平面e的正投影为第一投影，微结构20在衬底10所在平面的正投影为第二投影，第一投影和第二投影相交叠的部分在第一方向x的长度为L1，第一方向x与衬底10所在平面平行，第一投影在第一方向的长度为L0，其中，L1<L0/2。也就是说，在垂直于衬底10所在平面方向上，光学传感器200和微结构20至少部分交叠。由图31截面图可以看出，光学传感器200在第一方向x上的两端分别与微结构20相交叠。如此设置，射向第一显示区AA1边缘的大角度光线会照射在微结构20与光学辅助结构30相互接触的第一界面M1后，会被第一界面M1反射而改变光路，使得反射光线最终由第一显示区AA1所对应的背侧射出，从而对第一显示区AA1的出光做出贡献，提升第一显示区AA1的透光率，相应的能够增大光学传感器200所接收的光量，提升光学传感器200的光学性能。
在一些实施例提供的显示装置中，至少一个微结构20沿第一显示区AA1的边缘排列设置。该实施方式中微结构20的设置方式可以参考上述图26或图29实施例中第五微结构20-5的设置方式。设置微结构20沿第一显示区AA1的边缘排列设置，使得由不同方向射入第一显示区AA1边缘的大角度光线都能够被利用最终由第一显示区AA1所对应的背侧射出，从而进一步提升第一显示区AA1的透光率。相应的能够增大光学传感器200所接收的光量，提升光学传感器200的光学性能。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (20)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区，所述显示区包括第一显示区和第二显示区；
所述显示面板包括衬底、位于所述衬底一侧的微结构和光学辅助结构；所述微结构的折射率小于所述光学辅助结构的折射率；所述微结构位于所述光学辅助结构远离所述衬底的一侧，且所述微结构嵌位于所述光学辅助结构远离所述衬底的一侧；其中，
所述第一显示区设置有至少一个所述微结构；所述第一显示区包括发光器件层，所述发光器件层和所述微结构位于所述衬底的同一侧，所述发光器件层包括第一电极层、发光层和第二电极层，所述第二电极层位于所述第一电极层的远离所述衬底的一侧；
所述微结构位于所述第二电极层的靠近所述衬底的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述微结构的厚度为d，其中，20μm≤d≤50μm。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述微结构和所述光学辅助结构相互接触的界面包括第一界面，所述第一界面与平行于所述衬底所在平面的面相交，所述第一界面为平面或曲面。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述微结构具有远离所述衬底一侧的第一表面，
在所述微结构中所述第一界面和所述第一表面形成的朝向所述微结构内部的最大夹角为θ1，其中，0°<θ1≤33°。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述微结构具有远离所述衬底一侧的第一表面，在所述微结构中所述第一界面和所述第一表面形成的朝向所述微结构内部的最大夹角为θ2，其中，123°≤θ2<180°。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
对于相邻的两个所述微结构，与该两个所述微结构分别对应的所述光学辅助结构相互独立。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
一个所述光学辅助结构内嵌有至少两个所述微结构。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一显示区包括和所述微结构位于所述衬底同一侧的金属结构；
所述第一显示区包括高透区；
在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述金属结构与所述高透区不交叠，且所述微结构与至少部分所述高透区不交叠。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一显示区包括和所述微结构位于所述衬底同一侧的金属结构；所述金属结构包括第一金属结构；
所述微结构和与其接触的至少部分所述光学辅助结构位于所述第一金属结构的远离所述衬底的同一侧。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电极层包括所述第一金属结构；
所述微结构包括第一微结构，所述第一微结构位于所述第一电极层的远离所述衬底的一侧。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，
至少一个所述第一微结构沿环绕所述第一金属结构的方向设置。
12.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，
所述微结构位于所述第一电极层的靠近所述衬底的一侧。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，
所述第一显示区包括和所述微结构位于所述衬底同一侧的像素电路层；所述发光器件层位于所述像素电路层远离所述衬底的一侧；
所述像素电路层包括第一金属层，所述第一金属层位于所述发光器件层靠近所述衬底一侧且为距所述发光器件层距离最近的金属层；所述第一金属层包括所述第一金属结构；
所述微结构包括第二微结构，所述第二微结构位于所述第一金属层靠近所述发光器件层的一侧。
14.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，
所述第一显示区包括和所述微结构位于所述衬底同一侧的像素电路层，所述像素电路层包括第一金属层、第二金属层和第三金属层；所述第二金属层位于所述第一金属层靠近所述衬底的一侧，所述第三金属层位于所述第二金属层靠近所述衬底的一侧；
所述第二金属层包括第一极板，所述第三金属层包括第二极板；在垂直于所述衬底所在平面方向上，所述第一极板和所述第二极板相互交叠形成存储电容；其中，
所述第二金属层包括所述第一金属结构；
所述微结构包括第三微结构，所述第三微结构位于所述第二金属层靠近所述第一金属层的一侧。
15.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，
所述第一显示区包括和所述微结构位于所述衬底的同一侧的像素电路层，所述像素电路层包括第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第二金属层位于所述第一金属层靠近所述衬底的一侧，所述第三金属层位于所述第二金属层靠近所述衬底的一侧，所述第二金属层包括第一极板，所述第三金属层包括第二极板；在垂直于所述衬底所在平面方向上，所述第一极板和所述第二极板相互交叠形成存储电容；
所述第三金属层包括所述第一金属结构；
所述微结构包括第四微结构，所述第四微结构位于所述第三金属层靠近所述第二金属层的一侧。
16.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述微结构还包括第五微结构，所述第五微结构沿所述第一显示区的边缘设置。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括位于所述衬底一侧缓冲层、像素电路层；所述像素电路层位于所述缓冲层的靠近所述发光器件层的一侧；
所述第五微结构位于所述缓冲层的靠近所述衬底的一侧。
18.一种显示装置，其特征在于，包括光学传感器和权利要求1至17任一项所述的显示面板，在垂直于衬底所述平面方向上，所述光学传感器和所述第一显示区至少部分交叠。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其特征在于，
所述光学传感器在所述衬底所在平面的正投影为第一投影，所述微结构在所述衬底所在平面的正投影为第二投影，所述第一投影和所述第二投影相交叠的部分在第一方向的长度为L1，所述第一方向与所述衬底所在平面平行；
所述第一投影在所述第一方向的长度为L0，其中，L1<L0/2。
20.根据权利要求18所述的显示装置，其特征在于，
至少一个所述微结构沿所述第一显示区的边缘排列设置。
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