CN114284707A - 一种液晶天线的制作方法与液晶天线 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种液晶天线的制作方法与液晶天线。液晶天线的制作方法包括：提供第一基板和第二基板；将所述第一基板和所述第二基板成盒，在所述第一基板和所述第二基板之间形成液晶层；其中，在所述第一基板靠近所述第二基板的一侧形成盒内电极，和/或在所述第二基板靠近所述第一基板的一侧形成盒内电极；在所述第二基板远离所述第一基板的一侧形成有电磁波收发电极；且所述电磁波收发电极的厚度大于所述盒内电极的厚度。与现有技术相比，本发明实施例有利于扩大液晶天线的频段范围。
Description
技术领域
本发明实施例涉及液晶技术领域，尤其涉及一种液晶天线的制作方法与液晶天线。
背景技术
液晶可以像液体一样流动，而且液晶分子像道路一样取向有序，因此，液晶兼具流动性和各项异性。随着液晶技术的发展，液晶不仅广泛应用在显示技术领域，而且拓展到了移相器、滤波器等技术领域中。
在现有技术中，液晶天线的辐射体电极与馈电电极通常通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)工艺制作。但是由于PVD的工艺限制，目前设备电极厚度的极限值约为2μm。电极厚度的限制造成了液晶天线频率范围的限制，使得现有的液晶天线的制作方法无法实现宽频段。
发明内容
本发明实施例提供了一种液晶天线的制作方法与液晶天线，以扩大液晶天线的频段范围。
第一方面，本发明实施例提供了一种液晶天线的制作方法，所述液晶天线的制作方法包括以下步骤：
提供第一基板和第二基板；
将所述第一基板和所述第二基板成盒，在所述第一基板和所述第二基板之间形成液晶层；
其中，在所述第一基板靠近所述第二基板的一侧形成盒内电极，和/或在所述第二基板靠近所述第一基板的一侧形成盒内电极；在所述第二基板远离所述第一基板的一侧形成有电磁波收发电极；且所述电磁波收发电极的厚度大于所述盒内电极的厚度。
第二方面，本发明实施例还提供了一种液晶天线，包括：
相对设置的第一基板和第二基板；
液晶层，设置于所述第一基板和所述第二基板之间；
盒内电极，设置于所述第一基板靠近所述第二基板的一侧；所述盒内电极用于驱动所述液晶层；
电磁波收发电极，设置于所述第二基板远离所述第一基板的一侧；所述电磁波收发电极的厚度大于所述盒内电极的厚度。
本发明实施例设置电磁波收发电极的厚度大于盒内电极的厚度，然而在现有技术中，电磁波收发电极和盒内电极采用相同的制作工艺，形成的电磁波收发电极和盒内电极的厚度相同，这就使得电磁波收发电极没有厚度优势，使得液晶天线无法实现低频段的工作频率，这就限制了液晶天线的工作频率范围。反观本发明实施例，与现有技术不同的是，通过单独增加电磁波收发电极的厚度的方式，使得液晶天线能够实现更低频段的工作频率，从而扩展了液晶天线的频段范围。由此可见，本发明实施例在维持液晶天线轻薄化的基础上，实现了液晶天线更宽频段的工作频率。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种液晶天线的制作方法的流程示意图；
图2是本发明实施例提供的一种液晶天线的制作方法在各步骤中的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种第一基板的制作方法在各步骤中的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种第二基板的制作方法在各步骤中的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种电磁波收发电极的制作方法在各步骤中的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的另一种液晶天线的制作方法在S141-S145中的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的另一种液晶天线的制作方法在S146-S149中的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的又一种液晶天线的制作方法在各步骤中的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的又一种液晶天线的制作方法在S311-S317中的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的又一种液晶天线的制作方法在S318-S31A中的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的又一种液晶天线的制作方法在各步骤中的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的又一种液晶天线的制作方法在S511-S516中的结构示意图；
图13是本发明实施例提供的又一种液晶天线的制作方法在S517-S51A中的结构示意图；
图14是本发明实施例提供的一种液晶天线的结构示意图；
图15是本发明实施例提供的另一种液晶天线的结构示意图；
图16是本发明实施例提供的又一种液晶天线的结构示意图；
图17是本发明实施例提供的又一种液晶天线的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
本发明实施例提供了一种液晶天线的制作方法。图1是本发明实施例提供的一种液晶天线的制作方法的流程示意图，图2是本发明实施例提供的一种液晶天线的制作方法在各步骤中的结构示意图。参见图1和图2，该液晶天线的制作方法包括以下步骤：
S110、提供第一基板110和第二基板210。
其中，第一基板110和第二基板210是形成在液晶天线中用于夹持液晶的两个相对设置的基板结构。示例性地，第一基板110和第二基板210可以是玻璃基板。在成盒之前，还需要在第一基板110和/或第二基板210上形成盒内电极，以驱动液晶分子偏转。图1中示例性地，在第一基板110上形成第一电极120，第一电极120又可以称为传输电极，第一电极120用于驱动液晶分子偏转，以及耦合电磁波并传输；在第二基板210上形成第二电极220，第二电极220接地，第一电极120和第二电极220间产生电场，以驱动液晶层310中的液晶分子偏转。需要说明的是，在图2中示例性地示出了第一电极120和第二电极220分别设置于第一基板110上和第二基板210上，以产生驱动液晶分子偏转的纵向电场，这并非对本发明的限定。在其他实施例中还可以设置第一电极120和第二电极220均位于第一基板110(或第二基板210)上，以产生驱动液晶分子偏转的横向电场，在实际应用中可以根据需要进行设定。
S120、将第一基板110和第二基板210成盒，在第一基板110和第二基板210之间形成液晶层310。
其中，采用支撑柱410支撑第一基板110和第二基板210。在成盒之前，在第一基板110靠近第二基板210的一侧形成盒内电极(包括第一电极120和第二电极220)，和/或在第二基板210靠近第一基板110的一侧形成盒内电极(包括第一电极120和第二电极220)。在成盒之前或成盒之后，在第二基板210远离第一基板110的一侧形成有电磁波收发电极230；且电磁波收发电极230的厚度d1大于盒内电极的厚度d2。图2中示例性地示出了电磁波收发电极230形成在成盒之后。
电磁波收发电极230包括：辐射体电极231和馈电电极232。示例性地，电磁波收发电极230的材料为铜或金。辐射体电极231和馈电电极232在第一基板110上的垂直投影均与第一电极120在第一基板110上的垂直投影交叠；辐射体电极231和馈电电极232通过第一电极120进行电磁波的传输。可选地，辐射体电极231和馈电电极232在同一工艺中形成，其厚度相同。
本发明实施例设置电磁波收发电极230的厚度大于盒内电极(包括第一电极120和第二电极220)的厚度，然而在现有技术中，电磁波收发电极230和盒内电极采用相同的制作工艺，形成的电磁波收发电极230和盒内电极的厚度相同，这就使得电磁波收发电极230没有厚度优势，使得液晶天线无法实现低频段的工作频率，这就限制了液晶天线的工作频率范围。反观本发明实施例，与现有技术不同的是，通过单独增加电磁波收发电极230的厚度的方式，使得液晶天线能够实现更低频段的工作频率，从而扩展了液晶天线的频段范围。由此可见，本发明实施例在维持液晶天线轻薄化的基础上，实现了液晶天线更宽频段的工作频率。
在上述实施例中，示例性地，在将第一基板110和第二基板210成盒之前，包括：在第一基板110的一侧形成盒内电极(即第一电极120)；和/或在第二基板210的另一侧形成盒内电极(即第二电极220)。下面对第一电极120的制作工艺和第二电极220的制作工艺分别进行说明。
图3是本发明实施例提供的一种第一基板的制作方法在各步骤中的结构示意图。如图3所示，在一种实施方式中，可选地，第一基板110及其上的各膜层结构的制作方法包括以下步骤：
S111、采用沉积工艺在第一基板110上形成第一导电层111。
其中，沉积工艺例如可以是化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺，第一导电层111的材料可以为钼。第一导电层111可以是用于与柔性电路板(Flexible printedcircuit Board，FPC)绑定的焊盘。
S112、采用沉积工艺在第一导电层111上形成第二导电层112。
其中，第二导电层112的材料可以是氧化铟锡ITO。第二导电层112由第一导电层111的表面延伸至第一电极120的位置，且由于第一导电层111和第二导电层112均为导电材料，第一导电层111与第二导电层112电连接，以及在后续步骤中，第二导电层112与第一电极120电连接。第二导电层112用于向第一电极120传输FPC输出的信号。
S113、采用沉积工艺在第一基板110上形成第一电极120。
其中，第一电极120与部分第二导电层112接触，以实现第一电极120与第二导电层112的电连接。与第一导电层111和第二导电层112的制作工艺相同，第一电极120的制作工艺为化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺。沉积工艺的具体步骤包括：首先，在第一基板110上沉积第一电极材料层；然后，对第一电极材料层进行图案化，形成第一电极120。图案化可以采用光刻或腐蚀等方法来实现。由此可见，采用沉积工艺形成的第一电极120的过程为先整面沉积电极材料层，再将电极材料层中不需要的部分材料刻蚀掉，因此形成第一电极120的工艺属于减法刻蚀，由于刻蚀的工艺特点，第一电极120的楔角α(tape角)小于90度。
S114、采用沉积工艺在第一电极120上形成第一绝缘层114。
其中，第一绝缘层114的材料可以是氮化硅，用于为第一电极120提供绝缘和保护。
S115、在第一绝缘层114上形成第一配向层115。
其中，第一配向层115的材料可以是聚亚酰胺(Polyimide，PI)，示例性地，采用摩擦配向或光配向等技术进行配向，第一配向层115用于在没有外加电场下，使液晶分子长轴与配向层表面保持一个预倾角，以使液晶分子在外加电场下沿同一方向转动。
本发明实施例通过S111-S115完成了第一基板110及其上膜层的制作，其中，采用沉积工艺形成的第一电极120的表面光滑度较好，有利于在其上制作第一绝缘层114和第一配向层115，且沉积工艺制作方法简单，易于实现。
图4是本发明实施例提供的一种第二基板的制作方法在各步骤中的结构示意图。如图4所示，在第二基板210的一侧形成第二电极220包括以下步骤：
S121、采用沉积工艺在第二基板210上形成第二电极220。
其中，沉积工艺例如可以是化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺，由于减法刻蚀的工艺特点，第二电极220的tape角γ小于90度。示例性地，第二电极220为接地电极，第二电极220上设置有多个开口，且第二电极220的开口较小，用于为电磁波的传输提供路径，可以采用打码曝光的方式形成开口。
S122、采用沉积工艺在第二电极220上形成第二绝缘层222。
其中，第二绝缘层222的材料可以是氮化硅，用于为第二电极220提供绝缘和保护。第二绝缘层222可以通过MASK、激光或者打码曝光方式实现。
S123、在第二绝缘层222上形成第二配向层223。
其中，第二配向层223的材料可以是PI。示例性地，采用摩擦配向或光配向等技术进行配向，第二配向层223用于在没有外加电场下，使液晶分子长轴与配向层表面保持一个预倾角，以使液晶分子在外加电场下沿同一方向转动。
本发明实施例通过S121-S123完成了第二基板210及其上膜层的制作，其中，采用沉积工艺形成的第二电极220的表面光滑度较好，有利于在其上制作第二绝缘层222和第二配向层223，且沉积工艺制作方法简单，易于实现。
在上述各实施例中，示例性地示出了电磁波收发电极230形成在成盒之后，下面就成盒之后的步骤进行具体的说明。
图5是本发明实施例提供的一种电磁波收发电极的制作方法在各步骤中的结构示意图。如图5所示，在一种实施方式中，可选地，形成电磁波收发电极230的工艺为电镀工艺。与沉积工艺不同的是，电镀工艺采用加法刻蚀的工艺，因此，采用电镀工艺有利于得到较厚的膜层厚度。可选地，电磁波收发电极230的厚度可以大于2μm，优选地，电磁波收发电极230的厚度范围为3μm-50μm，例如，3μm、4μm、5μm、7μm、10μm、15μm、20μm、30μm、40μm或50μm。因此，采用电镀工艺制作电磁波收发电极230可以增加其厚度，有利于增加液晶天线的频率范围。
继续参见图5，在一种实施方式中，可选地，在S131成盒后，采用电镀工艺形成电磁波收发电极230包括以下步骤：
S132、在第二基板210远离第二电极220的一侧上形成第一光刻胶层311。
其中，第一光刻胶层311的厚度大于或等于电磁波收发电极230的厚度。示例性地，第一光刻胶层311的厚度可以大于2μm，优选地，第一光刻胶层311的厚度范围为3μm-50μm。
S133、对第一光刻胶层311进行曝光显影，在对应电磁波收发电极230的位置形成第一开口3111。
其中，第一光刻胶层311对光照敏感，能够通过曝光显影进行图案化，形成第一开口3111，第一开口3111暴露出第一光刻胶层311下面的膜层，以有利于在第一开口内电镀形成电磁波收发电极230，且第一开口3111的深度与第一光刻胶层3111的厚度相等。
S134、在第一开口3111内电镀形成电磁波收发电极230。
其中，在不同的第一开口3111内分别形成辐射体电极231和馈电电极232。辐射体电极231和馈电电极232构成了电磁波收发电极230。由于电磁波收发电极230完全形成在第一开口3111内，因此，电磁波收发电极230的厚度与第一开口3111的深度直接相关。例如，电磁波收发电极230的上表面与第一光刻胶层311的上表面齐平，那么电磁波收发电极230的厚度即为第一开口3111的深度(第一光刻胶层311的厚度)。
S135、去除第一光刻胶层311。
其中，去除第一光刻胶层311的工艺可以是化学腐蚀。由于形成电磁波收发电极230的电镀工艺是直接将电极材料电镀到第一开口3111内，无需对电极材料进行刻蚀，属于加法刻蚀工艺，电磁波收发电极230的tape角β大于90度。对应地，由于形成第一电极120和第二电极220的沉积工艺为减法刻蚀的工艺，第一电极120的tape角α和第二电极220的tape角γ小于90度。
本实施例通过S131-S135完成了在成盒后的第二基板210上形成电磁波收发电极230的步骤，可以避免第二基板210远离电磁波收发电极230一侧因电镀时的高温而受损。
在上述实施例的基础上，本发明实施例对电磁波收发电极230的电镀工艺进行进一步地限定，以及对液晶天线的后端制作进行说明。图6是本发明实施例提供的另一种液晶天线的制作方法在S141-S145中的结构示意图；图7是本发明实施例提供的另一种液晶天线的制作方法在S146-S149中的结构示意图。如图6和图7所示，电磁波收发电极230的制作包括以下步骤：
S141、在第二基板210远离第二电极220的一侧形成种子层411。
其中，种子层411的材料为钛、钼、钽、铝、铜或银等，示例性地，种子层411采用沉积工艺或电镀工艺形成。种子层411的制作有利于使电磁波收发电极230稳固地电镀到第二基板210上。
S142、在种子层411远离第二基板210的一侧上形成第一光刻胶层311。
S143、对第一光刻胶层311进行曝光显影，在对应电磁波收发电极230的位置形成第一开口3111。
其中，第一开口3111暴露位于第一光刻胶层311下层的种子层411。
S144、在第一开口3111内电镀形成电磁波收发电极230。
其中，电磁波收发电极230包括辐射体电极231和馈电电极232。
S145、去除第一光刻胶层311。
S146、采用刻蚀工艺去除种子层411不被电磁波收发电极230所覆盖的部分。
S147、在第二基板210远离第二电极220的一侧涂布保护层412。
其中，保护层412覆盖未设置电磁波收发电极230的表面，填充于辐射体电极231和馈电电极232之间，以及覆盖电磁波收发电极230的表面，以对电磁波收发电极230进行绝缘和保护。
S148、切除第二基板210上位于支撑柱410左侧的膜层结构，以有利于FPC的绑定。
S149、在馈电电极232远离辐射体电极231的一端形成射频信号接口413、接地接口414、第一焊盘415与第二焊盘416。
其中，射频信号接口413的一端与馈电电极232连接，并通过第一焊盘415固定；射频信号接口413的另一端用于连接高频接头等外部电路。接地接口414的一端与馈电电极232连接，并通过第二焊盘416固定；接地接口414的另一端接地。
本实施例通过S141-S149完成了在成盒后的第二基板210上形成电磁波收发电极230以及液晶天线的后端制作的步骤。
需要说明的是，在上述各实施例中，示例性地对成盒后形成电磁波收发电极230的制作进行了说明，这并非对本发明的限定。在其他实施例中，还可以在成盒前在第二基板210上形成电磁波收发电极230，下面进行具体说明。
图8是本发明实施例提供的又一种液晶天线的制作方法在各步骤中的结构示意图。如图8所示，液晶天线的制作方法包括以下步骤：
S211、采用沉积工艺在第二基板210上形成第二电极220。
S212、采用沉积工艺在第二电极220上形成第二绝缘层222。
S213、在第二绝缘层222上形成第二配向层223。
S214、在第二基板210远离第二电极220的一侧上形成第一光刻胶层311，并对第一光刻胶层311进行曝光显影，在对应电磁波收发电极230的位置形成第一开口3111。
S215、在第一开口3111内电镀形成电磁波收发电极230。
S216、去除第一光刻胶层311。
S217、将第二基板210远离电磁波收发电极230的一侧与第一基板110靠近第一电极120的一侧相对，成盒。
本实施例通过S211-S217完成了液晶天线的制作。由上述步骤可以看出，与前述各实施例不同的是，本发明实施例首先在第一基板110上电镀形成电磁波收发电极230，再将第一基板110和电磁波收发电极230整体与第二基板210成盒。
需要说明的是，在上述各实施例中，示例性地示出了盒内电极(包括第一电极120和第二电极220)均采用沉积工艺形成，形成的tape角为锐角，而电磁波收发电极230采用电镀工艺形成，形成的tape角为钝角。这并非对本发明的限定。在其他实施例中，还可以设置第一电极120和/或第二电极220也采用电镀工艺形成。下面就使用电镀工艺形成盒内电极的步骤进行说明。
图9是本发明实施例提供的又一种液晶天线的制作方法在S311-S317中的结构示意图；图10是本发明实施例提供的又一种液晶天线的制作方法在S318-S31A中的结构示意图。参见图9和图10，在一种实施方式中，可选地，第二电极220和电磁波收发电极230采用电镀工艺制作，第一电极120采用沉积工艺制作。该液晶天线的制作方法包括以下步骤：
S311、在第二基板210上形成第二光刻胶层511；并对第二光刻胶层511进行曝光显影，在对应第二电极220的位置形成第二开口5111；
S312、在第二开口5111内电镀形成第二电极220。
其中，由于电镀工艺为加法刻蚀的工艺，形成的第二电极220的tape角γ为钝角，大于90度。
S313、去除第二光刻胶层511。
可选地，在去除第二光刻胶层511后，可以研磨第二电极220，以使第二电极220的表面平整，以有利于保证第二绝缘层222和第二配向层223的平整度。
S314、在第二电极220上形成第二绝缘层222，在第二绝缘层222上形成第二配向层223。
其中，第二绝缘层222覆盖第二电极220并形成平整的平面，还起到平坦层的效果。在该第二绝缘层222上，第二配向层223也是平直的，有利于配置液晶分子的方向。
S315、将第二基板210靠近第二电极220的一侧与第一基板110靠近第一电极120的一侧相对，成盒。
S316、在第二基板210远离第二电极220的一侧上形成第一光刻胶层311。
S317、对第一光刻胶层311进行曝光显影，在对应电磁波收发电极230的位置形成第一开口3111。
S318、在第一开口3111内电镀形成电磁波收发电极230。
其中，电磁波收发电极230包括辐射体电极231和馈电电极232。
S319、去除第一光刻胶层311。
S31A、后端制作，包括在第二基板210远离第二电极220的一侧涂布保护层412，裁切保护层412与第二基板210，以及形成射频信号接口413、接地接口414、第一焊盘415与第二焊盘416。
本实施例通过S311-S31A完成了液晶天线的制作，且第二电极220和电磁波收发电极230采用电镀工艺制作，第一电极120采用沉积工艺制作，其中，第二电极220和电磁波收发电极230的制作工艺类似，电磁波收发电极的tape角和第二电极220的tape角均为钝角，第一电极120的tape角为锐角。
图11是本发明实施例提供的又一种液晶天线的制作方法在各步骤中的结构示意图。如图11所示，在一种实施方式中，可选地，第一电极120、第二电极220和电磁波收发电极230均采用电镀工艺制作。该液晶天线的制作方法包括以下步骤：
S411、采用沉积工艺在第一基板110上形成第一导电层111。
S412、采用沉积工艺在第一导电层111上形成第二导电层112，并在第二导电层112上形成第三光刻胶层611。
S413、对第三光刻胶层611进行曝光显影，在对应第一电极120的位置形成第三开口6111。
S414、在第三开口6111内电镀第一电极120。
其中，由于电镀工艺为加法刻蚀的工艺，形成的第一电极120的tape角α大于90度。
S415、去除第三光刻胶层611。
S416、在第一电极120上形成第一绝缘层114，并在第一绝缘层114上形成第一配向层115。
S417、将第二基板210靠近第二电极220的一侧与第一基板110靠近第一电极120的一侧相对，成盒。
S418、在第二基板210远离第二电极220的一侧上形成电磁波收发电极230。
S419、后端制作，包括在第二基板210远离第二电极220的一侧涂布保护层412，裁切保护层412与第二基板210，以及形成射频信号接口413、接地接口414、第一焊盘415与第二焊盘416。
本实施例通过S411-S419完成了液晶天线的制作，且第一电极120、第二电极220和电磁波收发电极230均采用电镀工艺制作，三者的制作工艺类似，形成的第一电极120的tape角、电磁波收发电极的tape角和第二电极220的tape角均为钝角。
需要说明的是，在上述各实施例中示例性地示出了采用封框胶作为支撑柱410，并非对本发明的限定。在其他实施例中还可以设置其他支撑件(例如PS柱)支撑液晶盒，下面对设置有PS柱的液晶天线的制作方法进行具体说明。
图12是本发明实施例提供的又一种液晶天线的制作方法在S511-S516中的结构示意图；图13是本发明实施例提供的又一种液晶天线的制作方法在S517-S51A中的结构示意图。参见图12和图13，在上述各实施方式的基础上，可选地，液晶天线还可以包括第一支撑件741和第二支撑件742。该液晶天线的制作方法包括以下步骤：
S511、在第一基板110上形成第一导电层111和第一支撑垫712。
其中，第一导电层111和第一支撑垫712可以是同一种材料，在同一工艺中形成，以简化制作工艺。第一支撑垫712用于支撑第一支撑件741，以增加第一支撑件741的支撑高度。
S512、在第一导电层111上形成第二导电层112，并且在第一支撑垫712上形成第二支撑垫722。
其中，第二导电层112和第二支撑垫722可以是同一种材料，在同一工艺中形成，以简化制作工艺。第二支撑垫722与第一支撑垫712层叠设置。由于工艺限制，第一支撑件741的高度小于支撑柱的高度，因此需要第二支撑垫722与第一支撑垫712与第一支撑件741层叠设置，以达到支撑作用。
S513、采用沉积工艺在第一基板110上形成第一电极120。
S514、在第一电极120上形成第一绝缘层114，并在第一绝缘层114对应第二支撑件742的位置形成第四开口7111。
S515、在第一绝缘层114上对应第一支撑垫712和第二支撑垫722的部分形成第一支撑件741，并在第四开口7111处形成第二支撑件742。
其中，第四支撑件742的高度小于第一支撑垫712、第二支撑垫722、第一绝缘层114与第一支撑件741的总高度。第四支撑件742用于在按压时支撑第二基板210。
S516、将第二基板210靠近第二电极220的一侧与第一基板110靠近第一电极120的一侧相对，成盒。
S517、在第二基板210远离第二电极220的一侧上形成电磁波收发电极230。
S518、在第二基板210远离第二电极220的一侧涂布保护层412。
S519、切除第二基板210上位于支撑柱410左侧的膜层结构，以有利于FPC的绑定。
S51A、在馈电电极232远离辐射体电极231的一端形成射频信号接口413、接地接口414、第一焊盘415与第二焊盘416。
本实施例通过S511-S51A完成了液晶天线的制作。在本实施方式中，除去支撑柱410外，增设了第一支撑件741，可以增强对第二基板210的支撑作用。同时，增设了第二支撑件742，可以在产生按压时，对第二基板210进行支撑，进一步防止液晶天线的损坏。
本发明实施例还提供了一种液晶天线，可采用本发明任意实施例所提供的液晶天线的制作方法制作形成。图14是本发明实施例提供的一种液晶天线的结构示意图。如图14所示，该液晶天线包括：第一基板110、第二基板210、液晶层310、盒内电极(由第一电极120和第二电极220共同构成)和电磁波收发电极230(由辐射体电极231和馈电电极232共同构成)。
其中，第一基板110和第二基板210相对设置。液晶层310设置于第一基板110和第二基板210之间。盒内电极设置于第一基板110靠近第二基板210的一侧；盒内电极用于驱动液晶层310。电磁波收发电极230设置于第二基板210远离第一基板110的一侧；电磁波收发电极230的厚度d1大于盒内电极的厚度d2。
示例性地，液晶天线的工作原理为，由馈电电极232和辐射体电极231传输的电磁波会通过液晶层310耦合至第一电极120。与此同时，第一电极120和第电极220通过控制液晶分子的偏转，控制电磁波移相。
本发明实施例提供的液晶天线中，电磁波收发电极230的厚度大于盒内电极(包括第一电极120和第二电极220)的厚度，然而在现有技术中，电磁波收发电极230和盒内电极采用相同的制作工艺，形成的电磁波收发电极230和盒内电极的厚度相同，这就使得电磁波收发电极230没有厚度优势，使得液晶天线无法实现低频段的工作频率，这就限制了液晶天线的工作频率范围。反观本发明实施例，与现有技术不同的是，通过单独增加电磁波收发电极230的厚度的方式，使得液晶天线能够实现更低频段的工作频率，从而扩展了液晶天线的频段范围。由此可见，本发明实施例在维持液晶天线轻薄化的基础上，实现了液晶天线更宽频段的工作频率。
在上述各实施方式的基础上，可选地，电磁波收发电极230的厚度可以大于2μm，优选地，电磁波收发电极230的厚度范围为3μm-50μm，例如，3μm、4μm、5μm、7μm、10μm、15μm、20μm、30μm、40μm或50μm。
继续参见图14，在上述各实施例的基础上，可选地，电磁波收发电极230包括相对设置的第一边和第二边，第一边靠近第二基板210，第二边远离第二基板210；电磁波收发电极230的侧边与第一边的夹角(即tape角β)为钝角。
其中，不同的制作工艺会形成不同的tape角的形状，本发明实施例中的电磁波收发电极230采用电镀工艺形成，并采用加法刻蚀的方式，由此形成的tape角β为钝角。以及，本发明实施例提供的电磁波收发电极230采用电镀工艺，有利于增加其膜层厚度，实现3μm-50μm的膜层厚度，从而实现液晶天线的宽频段。
继续参见图14，在一种实施方式中，可选地，盒内电极(例如第一电极120)设置于第一基板110上；盒内电极包括相对设置的第三边和第四边，第三边靠近第一基板110，第四边远离第一基板110；盒内电极的侧边与第三边的夹角α为锐角。其中，不同的制作工艺会形成不同的tape角的形状，本发明实施例中的盒内电极采用沉积工艺形成，例如采用化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺。沉积形成的材料层可以采用光刻或腐蚀等方法来实现图案化。因此采用沉积工艺形成盒内电极的过程为减法刻蚀，由于减法刻蚀的工艺特点，第一电极120的tape角α小于90度。
继续参见图14，在一种实施方式中，可选地，盒内电极(例如第二电极220)设置于第二基板210远离电磁波收发电极230的一侧；盒内电极包括相对设置的第五边和第六边，第五边靠近第二基板210，第六边远离第二基板210；盒内电极的侧边与第五边的夹角(比如第二电极220的tape角γ)为锐角。
继续参见图14，在上述各实施方式的基础上，可选地，液晶天线还包括：射频信号接口413、接地接口414、第一焊盘415与第二焊盘416。射频信号接口413的一端与馈电电极232连接，并通过第一焊盘415固定；射频信号接口413的另一端用于连接高频接头等外部电路。接地接口414的一端与馈电电极232连接，并通过第二焊盘416固定；接地接口414的另一端接地。
液晶天线可以用于接收信号，也可以用于发射信号。示例性地，液晶天线发射信号的过程为，射频信号接口413接收信号，信号依次通过馈电电极232、液晶层310耦合至第一电极120，进而通过液晶层310耦合至辐射体电极231，由辐射体电极231将信号射出。液晶天线接收信号的过程为，辐射体电极231接收信号，通过液晶层310耦合至第一电极120，进而通过液晶层310、馈电电极232耦合至射频信号接口413，由射频信号接口413将信号输出。
需要说明的是，在上述各实施例中，示例性地示出了盒内电极(包括第一电极120和第二电极220)的tape角为锐角，而电磁波收发电极230的tape角为钝角。这并非对本发明的限定。在其他实施例中，还可以设置第一电极120和/或第二电极220的tape角为钝角，下面就其设置方式进行说明。
图15是本发明实施例提供的另一种液晶天线的结构示意图。如图15所示，在上述各实施方式的基础上，可选地，第二电极220设置于第二基板210远离电磁波收发电极230的一侧；第二电极220包括相对设置的第五边和第六边，第五边靠近第二基板210，第六边远离第二基板210；第二电极220的侧边与第五边的夹角γ(tape角)为钝角。其中，与电磁波收发电极230的制作方法类似，第二电极220可以由电镀工艺制备，由此形成的电磁波收发电极230的tape角β和第二电极220的tape角γ均为钝角的形状。
图16是本发明实施例提供的又一种液晶天线的结构示意图。如图16所示，在上述各实施方式的基础上，可选地，第一电极120设置于第一基板110靠近第二基板210的一侧；第一电极120包括相对设置的第三边和第四边，第三边靠近第一基板110，第四边远离第一基板110；第一电极120的侧边与第三边的夹角α(tape角)为钝角。其中，与电磁波收发电极230和第二电极220的制作方法类似，第一电极120可以由电镀工艺制备，由此形成的电磁波收发电极230的tape角β、第二电极220的tape角γ和第一电极的tape角α均为钝角的形状。
图17是本发明实施例提供的又一种液晶天线的结构示意图。如图17所示，在上述各实施方式的基础上，可选地，液晶天线还可以包括第一支撑件741和第二支撑件742，用于支撑第二基板210，以及在按压时支撑第二基板210，以提升液晶天线的稳定性。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (14)
1.一种液晶天线的制作方法，其特征在于，包括：
提供第一基板和第二基板；
将所述第一基板和所述第二基板成盒，在所述第一基板和所述第二基板之间形成液晶层；
其中，在所述第一基板靠近所述第二基板的一侧形成盒内电极，和/或在所述第二基板靠近所述第一基板的一侧形成盒内电极；在所述第二基板远离所述第一基板的一侧形成有电磁波收发电极；且所述电磁波收发电极的厚度大于所述盒内电极的厚度。
2.根据权利要求1所述的液晶天线的制作方法，其特征在于，在所述第二基板远离所述第一基板的一侧形成有电磁波收发电极，包括：
在将所述第一基板和所述第二基板成盒之后，在所述第二基板远离所述第一基板的一侧形成所述电磁波收发电极。
3.根据权利要求1所述的液晶天线的制作方法，其特征在于，在所述第二基板远离所述第一基板的一侧形成有电磁波收发电极，包括：
在将所述第一基板和所述第二基板成盒之前，在所述第二基板的一侧形成所述电磁波收发电极；
将所述第二基板远离所述电磁波收发电极的一侧与所述第一基板相对，成盒。
4.根据权利要求1所述的液晶天线的制作方法，其特征在于，在将所述第一基板和所述第二基板成盒之前，包括：
在所述第一基板的一侧形成所述盒内电极；
和/或在所述第二基板的另一侧形成所述盒内电极。
5.根据权利要求1-4任一项所述的液晶天线的制作方法，其特征在于，形成所述电磁波收发电极的工艺包括电镀工艺。
6.根据权利要求5所述的液晶天线的制作方法，其特征在于，所述电镀工艺包括：
在所述第二基板上形成第一光刻胶层；
对所述第一光刻胶层进行曝光显影，在对应所述电磁波收发电极的位置形成第一开口；
在所述第一开口内电镀形成所述电磁波收发电极；
去除所述第一光刻胶层。
7.根据权利要求1-4任一项所述的液晶天线的制作方法，其特征在于，形成所述盒内电极的工艺包括化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或电镀工艺。
8.根据权利要求7所述的液晶天线的制作方法，其特征在于，形成所述盒内电极的工艺为化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺；所述化学气相沉积工艺或所述物理气相沉积工艺包括：
在所述第一基板或所述第二基板上沉积盒内电极材料层；
对所述盒内电极材料层进行图案化，形成所述盒内电极。
9.根据权利要求7所述的液晶天线的制作方法，其特征在于，形成所述盒内电极的工艺为电镀工艺；所述电镀工艺包括：
在所述第一基板或所述第二基板上形成第二光刻胶层；
对所述第二光刻胶层进行曝光显影，在对应所述盒内电极的位置形成第二开口；
在所述第二开口内电镀所述盒内电极；
去除所述第二光刻胶层。
10.根据权利要求9所述的液晶天线的制作方法，其特征在于，在去除所述第二光刻胶层之后，还包括：
研磨所述盒内电极，以使所述盒内电极的表面平整。
11.一种液晶天线，其特征在于，包括：
相对设置的第一基板和第二基板；
液晶层，设置于所述第一基板和所述第二基板之间；
盒内电极，设置于所述第一基板靠近所述第二基板的一侧；所述盒内电极用于驱动所述液晶层；
电磁波收发电极，设置于所述第二基板远离所述第一基板的一侧；所述电磁波收发电极的厚度大于所述盒内电极的厚度。
12.根据权利要求11所述的液晶天线，其特征在于，所述电磁波收发电极的厚度范围为3μm-50μm。
13.根据权利要求11所述的液晶天线，其特征在于，所述电磁波收发电极包括相对设置的第一边和第二边，所述第一边靠近所述第二基板，所述第二边远离所述第二基板；所述电磁波收发电极的侧边与所述第一边的夹角为钝角。
14.根据权利要求11所述的液晶天线，其特征在于，所述盒内电极设置于所述第一基板上；所述盒内电极包括相对设置的第三边和第四边，所述第三边靠近所述第一基板，所述第四边远离所述第一基板；所述盒内电极的侧边与所述第三边的夹角为锐角；
或所述盒内电极设置于所述第二基板远离所述电磁波收发电极的一侧；所述盒内电极包括相对设置的第五边和第六边，所述第五边靠近所述第二基板，所述第六边远离所述第二基板；所述盒内电极的侧边与所述第五边的夹角为锐角。
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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