CN113725597B - 液晶天线的制作方法、液晶天线 - Google Patents
液晶天线的制作方法、液晶天线 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113725597B CN113725597B CN202111020926.3A CN202111020926A CN113725597B CN 113725597 B CN113725597 B CN 113725597B CN 202111020926 A CN202111020926 A CN 202111020926A CN 113725597 B CN113725597 B CN 113725597B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- liquid crystal
- layer
- conductive
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 283
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 165
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 675
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 109
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 83
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 73
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 72
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 29
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 29
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 18
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 14
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 11
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 230000008719 thickening Effects 0.000 claims description 5
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 claims description 3
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 claims 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 24
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 24
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 24
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 180
- 230000008569 process Effects 0.000 description 58
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 25
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 25
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 19
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 9
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 7
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 7
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 4
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 4
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1313—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells specially adapted for a particular application
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Details Of Aerials (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
Abstract
本发明公开了一种液晶天线的制作方法、液晶天线，属于无线通信技术领域，液晶天线的制作方法包括：提供第一基板，在第一基板一侧形成多个第一导电部；提供第二原始基板，在第二原始基板一侧形成多个第二导电部；将第一基板和第二原始基板对盒，设置液晶层，使得第一导电部与第二导电部相对设置，第一基板与第二原始基板之间包括液晶层；减薄第二原始基板，形成第二基板，第二基板的厚度小于第二原始基板的厚度；在第二基板远离第一基板的表面形成多个第三导电部。液晶天线采用上述制作方法制作。本发明可以减小微波信号的耦合损耗，降低天线表面波损耗以提升天线性能。
Description
技术领域
本发明涉及无线通信技术领域，更具体地，涉及一种液晶天线的制作方法、液晶天线。
背景技术
随着通信技术的不断发展，人们对大容量、高传输速度的通讯需求越来越大。下一代无线网络可能依赖更高频率，更短波长的无线电信号进行信号传输，例如24～100GHz毫米波信号的技术开发和应用。液晶天线技术作为一项具有革命意义的技术创新成为业内人士关注的焦点。液晶天线是一种利用液晶的介电各向异性，通过控制液晶偏转方向来改变液晶的介电常数，以此改变移相器的移相大小，从而调节相控阵天线的对准方向的天线。与传统的喇叭天线、螺旋天线和阵子天线等相比，液晶天线具有小型化、宽频带、多波段以及高增益等特点，是一种更适合当前技术发展方向的天线。液晶天线是基于液晶移相器而制成的新型阵列化天线，其中，液晶移相器是液晶天线的核心部件，液晶移相器及接地层形成电场对液晶分子偏转进行控制，实现对于液晶等效介电常数的控制，进而实现对于电磁波相位的调节。液晶天线在卫星接收天线、车载雷达、5G基站天线等领域有着广泛的应用前景。
但是目前的液晶天线对液晶介质层气密性要求比较高，液晶天线加工工艺无法实现微波信号直接馈入的方案，只能通过耦合效应实现微波信号馈入液晶盒。在此过程中，不可避免会存在耦合损耗和天线表面波损耗，最终影响液晶天线的性能。
因此，提供一种可以减小微波信号的耦合损耗，降低天线表面波损耗以提升天线性能的液晶天线的制作方法、液晶天线，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种液晶天线的制作方法、液晶天线，以解决现有技术中液晶天线的微波信号耦合时存在耦合损耗和天线表面波损耗较大，影响天线性能的问题。
本发明公开了一种液晶天线的制作方法，该制作方法包括：提供第一基板，在第一基板一侧形成多个第一导电部；提供第二原始基板，在第二原始基板一侧形成多个第二导电部；将第一基板和第二原始基板对盒，设置液晶层，使得第一导电部与第二导电部相对设置，第一基板与第二原始基板之间包括液晶层；减薄第二原始基板，形成第二基板，第二基板的厚度小于第二原始基板的厚度；在第二基板远离第一基板的表面形成多个第三导电部。
基于同一发明构思，本发明还公开了一种液晶天线，该液晶天线采用上述制作方法制作；该液晶天线包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层；第二基板由第二原始基板、液晶层、第一基板成盒后，将第二原始基板减薄得到；第一基板朝向第二基板的一侧包括多个阵列排布的第一导电部；第二基板朝向第一基板的一侧包括第二导电部，第二基板远离第一基板的一侧包括第三导电部。
与现有技术相比，本发明提供的液晶天线的制作方法、液晶天线，至少实现了如下的有益效果：
本发明提供的液晶天线的制作方法中，至少对第二原始基板进行了减薄处理后再形成第三导电部，液晶天线工作时，在相对两个基板之间的微波信号传输过程中，不可避免会存在耦合损耗，且一般基板厚度越厚，微波信号耦合时的耦合损耗越大，基板厚度越厚，天线表面波越强，越容易导致表面波功率无法向空间辐射，形成表面波功率损耗。因此本发明通过薄化工艺减薄第二原始基板，使得最终形成的第二基板的厚度小于第二原始基板的厚度，减小液晶天线中第二基板的厚度，以此实现对天线设计所需基板厚度的灵活匹配，并且由于第二基板的厚度较小，可降低馈电网络的部分第三导电部与移相器结构的第一导电部之间，以及移相器结构的第一导电部和辐射贴片的部分第三导电部之间的耦合损耗，还可以通过减薄第二原始基板，减弱天线表面波，使得表面波功率可以向空间外辐射，进而有利于降低天线表面波损耗，提高液晶天线的传输性能。
当然，实施本发明的任一产品不必特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明实施例提供的液晶天线的制作方法的流程框图；
图2是图1的制作方法中提供的形成第一导电部后的第一基板的剖面结构示意图；
图3是图1的制作方法中提供的形成第二导电部后的第二原始基板的剖面结构示意图；
图4是图1的制作方法中提供的第一基板和第二原始基板成盒后的剖面结构示意图；
图5是图1的制作方法中提供的减薄第二原始基板后的第一基板和第二基板成盒的剖面结构示意图；
图6是图1的制作方法中提供的形成第三导电部后的液晶天线的剖面结构示意图；
图7是图2的第一导电部一侧的平面结构示意图；
图8是图3的第二导电部一侧的平面结构示意图；
图9是图6的第三导电部一侧的平面结构示意图；
图10是本发明实施例提供的液晶天线的另一种制作方法的流程框图；
图11是图10的制作方法中提供的形成第一导电部后的第一原始基板的剖面结构示意图；
图12是图10的制作方法中提供的第一原始基板和第二原始基板成盒后的剖面结构示意图；
图13是图10的制作方法中提供的减薄第一原始基板后的第一基板和第二原始基板成盒的剖面结构示意图；
图14是图10的制作方法中提供的减薄第二原始基板后的第一基板和第二基板成盒的剖面结构示意图；
图15是本发明实施例提供的液晶天线的另一种制作方法的流程框图；
图16是图15的制作方法中提供的形成第四导电层后的第一基板和第二原始基板成盒后的剖面结构示意图；
图17是图15的制作方法中提供的形成第四导电层后减薄第二原始基板的剖面结构示意图；
图18是图15的制作方法中提供的液晶天线的剖面结构示意图；
图19是本发明实施例提供的液晶天线的另一种制作方法的流程框图；
图20是图19的制作方法中提供的第一基板的结构示意图；
图21是图19的制作方法中提供的形成第一导电部后的第一基板的剖面结构示意图；
图22是图19的制作方法中提供的第一基板和第二原始基板成盒后的剖面结构示意图；
图23是图19的制作方法中提供的减薄第二原始基板后的第一基板和第二基板成盒的剖面结构示意图；
图24是图19的制作方法中提供的形成第三导电部后的液晶天线的剖面结构示意图；
图25是本发明实施例提供的液晶天线的另一种制作方法的流程框图；
图26是本发明实施例提供的液晶天线的另一种制作方法的流程框图；
图27是图26的制作方法中提供的在第一基板上形成液晶层的剖面结构示意图；
图28是图26的制作方法中提供的第一基板和第二原始基板成盒后的剖面结构示意图；
图29是图26的制作方法中提供的减薄第二原始基板后的第一基板和第二基板成盒的剖面结构示意图；
图30是图26的制作方法中提供的形成第三导电部后的液晶天线的剖面结构示意图；
图31是本发明实施例提供的液晶天线的另一种制作方法的流程框图；
图32是图31的制作方法中提供的在第二基板上形成凸起的剖面结构示意图；
图33是图31的制作方法中提供的在第二基板上形成第二铜膜种子层的剖面结构示意图；
图34是图31的制作方法中提供的在第二铜膜种子层上形成图案化的负性光阻胶的剖面结构示意图；
图35是图31的制作方法中提供的在第二基板上电镀加厚第二铜膜种子层的剖面结构示意图；
图36是图31的制作方法中提供的形成第三导电部后的液晶天线的剖面结构示意图；
图37是本发明实施例提供的液晶天线的另一种剖面结构示意图；
图38是图37中液晶天线的第二基板远离第一基板一侧的平面结构示意图；
图39是图37中液晶天线的第二基板靠近第一基板一侧的平面结构示意图；
图40是图37中液晶天线的第一基板靠近第二基板一侧的平面结构示意图；
图41是图37中液晶天线的第一基板远离第二基板一侧的平面结构示意图；
图42是本发明实施例提供的液晶天线的另一种剖面结构示意图；
图43是本发明实施例提供的液晶天线的另一种剖面结构示意图；
图44是本发明实施例提供的液晶天线的另一种剖面结构示意图；
图45是本发明实施例提供的液晶天线的另一种剖面结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
请结合参考图1、图2-图6，图1是本发明实施例提供的液晶天线的制作方法的流程框图，图2是图1的制作方法中提供的形成第一导电部后的第一基板的剖面结构示意图，图3是图1的制作方法中提供的形成第二导电部后的第二原始基板的剖面结构示意图，图4是图1的制作方法中提供的第一基板和第二原始基板成盒后的剖面结构示意图，图5是图1的制作方法中提供的减薄第二原始基板后的第一基板和第二基板成盒的剖面结构示意图，图6是图1的制作方法中提供的形成第三导电部后的液晶天线的剖面结构示意图；本实施例提供的一种液晶天线的制作方法，用于制作液晶天线结构，该制作方法包括：
提供第一基板10，在第一基板10一侧形成多个第一导电部101；
提供第二原始基板20A，在第二原始基板20A一侧形成多个第二导电部201；
将第一基板10和第二原始基板20A对盒，设置液晶层30，使得第一导电部101与第二导电部201相对设置，第一基板10与第二原始基板20A之间包括液晶层30；
减薄第二原始基板20A，形成第二基板20，第二基板20的厚度D1小于第二原始基板20A的厚度D2；
在第二基板20远离第一基板10的表面形成多个第三导电部202。
具体而言，本实施例提供的制作液晶天线的制作方法至少可以包括：
S01：如图2所示，提供第一基板10，在第一基板10一侧形成多个第一导电部101；可选的，第一基板10的制作材料可以为玻璃、陶瓷中的任一种硬质材料，或者第一基板10的制作材料还可以为聚酰亚胺、氮化硅中的任一种柔性材料，由于上述材料不会吸收微波信号，即自身在微波频段插损小，因此有利于减小信号插损，可以大大降低微波信号在传输过程中的损耗。本实施例对于第一基板10的材料不作具体限定，具体实施时，可根据实际需求选择第一基板10的制作材料。本实施例中的在第一基板10一侧形成多个第一导电部101，可选的，该第一导电部101可先通过在第一基板10一侧形成第一导电层(未附图示意)，然后通过图案化该第一导电层后形成多个第一导电部101的结构，本实施例对于第一导电部101的材料不作具体限定，仅需满足能够导电即可，如铜等金属材料。
S02：如图3所示，提供第二原始基板20A，在第二原始基板20A一侧形成多个第二导电部201；可选的，第二原始基板20A的制作材料可以为玻璃、陶瓷中的任一种硬质材料，或者第二原始基板20A的制作材料还可以为聚酰亚胺、氮化硅中的任一种柔性材料，由于上述材料不会吸收微波信号，即自身在微波频段插损小，因此有利于减小信号插损，可以大大降低微波信号在传输过程中的损耗。本实施例对于第二原始基板20A的材料不作具体限定，具体实施时，可根据实际需求选择第二原始基板20A的制作材料。本实施例中的在第二原始基板20A一侧形成多个第二导电部201，可选的，该第二导电部201可先通过在第二原始基板20A一侧形成第二导电层(未附图示意)，然后通过图案化该第二导电层后形成多个第二导电部201的结构，本实施例对于第二导电部201的材料不作具体限定，仅需满足能够导电即可，如铜等金属材料。
S03：如图4所示，将第一基板10和第二原始基板20A对盒，即将第一基板10和第二原始基板20A相对成盒固定，可选的，第一基板10和第二原始基板20A可通过在周边区域设置框胶40成盒固定，使得第一基板10的第一导电部101与第二原始基板20A的第二导电部201相对设置，并通过在相对设置的第一基板10和第二原始基板20A之间设置液晶层30，使得成盒后的第一基板10与第二原始基板20A之间包括液晶层30；
S04：如图5所示，减薄第二原始基板20A，形成第二基板20，第二基板20的厚度D1小于第二原始基板20A的厚度D2；可选的，本实施例中对于减薄第二原始基板20A的工艺制程不作具体限定，具体实施时，可采用包括刻蚀第二原始基板20A远离第一基板10一侧的表面，但不局限于此的工艺完成减薄第二原始基板20A的制程，仅需满足减薄后形成的第二基板20的厚度D1小于第二原始基板20A的厚度D2即可。
S05：如图6所示，在减薄第二原始基板20A后，在第二基板20远离第一基板10的表面形成多个第三导电部202。可选的，该第三导电部202可先通过在第二基板20一侧形成第三导电层(未附图示意)，然后通过图案化该第三导电层后形成多个第三导电部202的结构，最终形成如图6所示的液晶天线000的剖面图。本实施例对于第三导电部202的材料不作具体限定，仅需满足能够导电即可，如铜等金属材料。可以理解的是，由于本实施例的第三导电部202是在减薄后的第二基板20上制作，即第三导电部202是在相对厚度较薄的第二基板20上制作，因此制作第三导电层的工艺与制作第一导电层或第二导电层的工艺不同，本实施例在此对于各导电部的制作工艺不作限定，具体实施时，仅需满足能够在第一基板10和第二基板20上各自形成导电部，实现液晶天线的功能即可。
可选的，如图2和图7所示，图7是图2的第一导电部一侧的平面结构示意图，在第一基板10一侧形成多个第一导电部101，第一导电部101可以为移相器电极，用于引导微波信号的传输，移相器电极可以为微带线，微带线的形状可以为蛇形(未附图示意)或者螺旋形(未附图示意)或者回字形(如图7所示)或其他结构，通过蛇形或螺旋形的第一导电部101的结构能够增大第一导电部101与第二导电部201的正对面积，以保证液晶层30中尽量多的液晶分子处于第一导电部101与第二导电部201所形成的电场中，提高液晶分子的翻转效率。本实施例对于第一导电部101的形状和分布情况不作限定，仅需满足能够实现微波信号的传输即可。可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图7仅在第一基板10上示意了四个第一导电部101，但不局限于此数量，具体实施时，第一导电部101的数量可根据实际需求阵列化设置。
如图3和图8所示，图8是图3的第二导电部一侧的平面结构示意图，在第二原始基板20A一侧形成多个第二导电部201，多个第二导电部201可以为连接成一体的整面铺设的接地层，接地层用于接入地信号(GND信号)，第二导电部201可以设置有多个辐射孔K，该辐射孔K可以包括两种作用，一部分数量的辐射孔K可以与微带线结构的第一导电部101交叠，用于将信号耦合到液晶层30，使得信号沿着微带线结构的第一导电部101传输，另一部分数量的辐射孔K可以与微带线结构的第一导电部101和第三导电部202中作为辐射贴片使用的部分均交叠，用于将液晶天线的微波信号辐射出去。液晶层30位于第一导电部101和第二导电部201之间，微波信号在移相器结构的第一导电部101和接地层第二导电部201的之间传输。在微波信号的传输过程中，通过施加在第一导电部101和第二导电部201上的电压，对第一导电部101和第二导电部201之间形成的电场强度进行控制，进而调整其对应空间内的液晶层30的液晶分子的偏转角度，从而改变液晶层30的介电常数，实现在液晶层30中对微波信号的移相，达到改变微波相位的效果。
如图6和图9所示，图9是图6的第三导电部一侧的平面结构示意图，在减薄第二原始基板20A后，在第二基板20远离第一基板10的表面形成多个第三导电部202，多个第三导电部202可以包括多个辐射贴片202A和馈电网络202B，待微波信号移相完成后，移相后的微波信号经由第二导电部201的辐射孔K从第二基板20辐射出去，并通过辐射贴片202A和馈电网络202B接收和发射出去。
本实施例提供的液晶天线的制作方法中，至少对第二原始基板20A进行了减薄处理后再形成第三导电部202，液晶天线工作时，在相对两个基板之间的微波信号传输过程中，不可避免会存在耦合损耗，且一般基板厚度越厚，微波信号耦合时的耦合损耗越大，基板厚度越厚，天线表面波越强，越容易导致表面波功率无法向空间辐射，形成表面波功率损耗。因此本实施例通过薄化工艺减薄第二原始基板20A，使得最终形成的第二基板20的厚度D1小于第二原始基板20A的厚度D2，减小液晶天线中第二基板20的厚度，以此实现对天线设计所需基板厚度的灵活匹配，并且由于第二基板20的厚度较小，可降低馈电网络202B的部分第三导电部202与移相器结构的第一导电部101之间，以及移相器结构的第一导电部101和辐射贴片202A的部分第三导电部202之间的耦合损耗，还可以通过减薄第二原始基板20A，减弱天线表面波，使得表面波功率可以向空间外辐射，进而有利于降低天线表面波损耗。
需要说明的是，本实施例的上述制作方法制作的液晶天线包括但不局限于上述结构，液晶天线还可以包括其他结构，本实施例仅是举例说明第一导电部101、第二导电部201和第三导电部202在液晶天线中的形状结构和工作原理，包括但不局限于上述结构和工作原理，具体实施时，可根据液晶天线的所需功能设置，本实施例在此不作赘述。
在一些可选实施例中，请结合参考图3、图6、图10-图14，图10是本发明实施例提供的液晶天线的另一种制作方法的流程框图，图11是图10的制作方法中提供的形成第一导电部后的第一原始基板的剖面结构示意图，图12是图10的制作方法中提供的第一原始基板和第二原始基板成盒后的剖面结构示意图，图13是图10的制作方法中提供的减薄第一原始基板后的第一基板和第二原始基板成盒的剖面结构示意图，图14是图10的制作方法中提供的减薄第二原始基板后的第一基板和第二基板成盒的剖面结构示意图；本实施例的液晶天线的制作方法中，提供第一基板10的方法包括：
提供第一原始基板10A，在第一原始基板10A一侧形成多个第一导电部101；
在设置完液晶层30后，减薄第一原始基板10A，形成第一基板10，第一基板10的厚度D3小于第一原始基板10A的厚度D4。
本实施例解释说明了制作液晶天线的制作方法至少可以包括：
S11：如图11所示，提供第一原始基板10A，在第一原始基板10A一侧形成多个第一导电部101；可选的，第一原始基板10A的制作材料可以为玻璃、陶瓷中的任一种硬质材料，或者第一原始基板10A的制作材料还可以为聚酰亚胺、氮化硅中的任一种柔性材料，由于上述材料不会吸收微波信号，即自身在微波频段插损小，因此有利于减小信号插损，可以大大降低微波信号在传输过程中的损耗。本实施例对于第一原始基板10A的材料不作具体限定，具体实施时，可根据实际需求选择第一原始基板10A的制作材料。本实施例中的在第一原始基板10A一侧形成多个第一导电部101，可选的，该第一导电部101可先通过在第一原始基板10A一侧形成第一导电层(未附图示意)，然后通过图案化该第一导电层后形成多个第一导电部101的结构，本实施例对于第一导电部101的材料不作具体限定，仅需满足能够导电即可，如铜等金属材料。
S12：如图3所示，提供第二原始基板20A，在第二原始基板20A一侧形成多个第二导电部201；可选的，第二原始基板20A的制作材料可以为玻璃、陶瓷中的任一种硬质材料，或者第二原始基板20A的制作材料还可以为聚酰亚胺、氮化硅中的任一种柔性材料，由于上述材料不会吸收微波信号，即自身在微波频段插损小，因此有利于减小信号插损，可以大大降低微波信号在传输过程中的损耗。本实施例对于第二原始基板20A的材料不作具体限定，具体实施时，可根据实际需求选择第二原始基板20A的制作材料。本实施例中的在第二原始基板20A一侧形成多个第二导电部201，可选的，该第二导电部201可先通过在第二原始基板20A一侧形成第二导电层(未附图示意)，然后通过图案化该第二导电层后形成多个第二导电部201的结构，本实施例对于第二导电部201的材料不作具体限定，仅需满足能够导电即可，如铜等金属材料。
S13：如图12所示，将第一原始基板10A和第二原始基板20A对盒，即将第一原始基板10A和第二原始基板20A相对成盒固定，可选的，第一原始基板10A和第二原始基板20A可通过框胶40成盒固定，使得第一原始基板10A的第一导电部101与第二原始基板20A的第二导电部201相对设置，并通过在相对设置的第一原始基板10A和第二原始基板20A之间设置液晶层30，使得成盒后的第一原始基板10A与第二原始基板20A之间包括液晶层30；
S14：如图13所示，减薄第一原始基板10A，形成第一基板10，第一基板10的厚度D3小于第一原始基板10A的厚度D4；可选的，本实施例中对于减薄第一原始基板10A的工艺制程不作具体限定，具体实施时，可采用包括刻蚀第一原始基板10A远离第二原始基板20A一侧的表面，但不局限于此的工艺完成减薄第一原始基板10A的制程，仅需满足减薄后形成的第一基板10的厚度D3小于第一原始基板10A的厚度D4即可。
S15：如图14所示，减薄第二原始基板20A，形成第二基板20，第二基板20的厚度D1小于第二原始基板20A的厚度D2；可选的，本实施例中对于减薄第二原始基板20A的工艺制程不作具体限定，具体实施时，可采用包括刻蚀第二原始基板20A远离第一基板10一侧的表面，但不局限于此的工艺完成减薄第二原始基板20A的制程，仅需满足减薄后形成的第二基板20的厚度D1小于第二原始基板20A的厚度D2即可。
S16：如图6所示，在减薄第二原始基板20A后，在第二基板20远离第一基板10的表面形成多个第三导电部202。可选的，该第三导电部202可先通过在第二基板20一侧形成第三导电层(未附图示意)，然后通过图案化该第三导电层后形成多个第三导电部202的结构，本实施例对于第三导电部202的材料不作具体限定，仅需满足能够导电即可，如铜等金属材料。可以理解的是，由于本实施例的第三导电部202是在减薄后的第二基板20上制作，即第三导电部202是在相对厚度较薄的第二基板20上制作，因此制作第三导电层的工艺与制作第一导电层或第二导电层的工艺不同，本实施例在此对于各导电部的制作工艺不作限定，具体实施时，仅需满足能够在第一基板10和第二基板20上各自形成导电部，实现液晶天线的功能即可。
本实施例提供的液晶天线的制作方法中，进一步在厚度相对较厚的第一原始基板10A和第二原始基板20A成盒后均进行减薄处理，使得液晶天线工作时，在相对两个基板之间的微波信号传输过程中，不仅可以通过薄化工艺减薄第二原始基板20A，使得最终形成的第二基板20的厚度D1小于第二原始基板20A的厚度D2，减小液晶天线中第二基板20的厚度，还可以通过薄化工艺减薄第一原始基板10A，使得最终形成的第一基板10的厚度D3小于第一原始基板10A的厚度D4，进一步减小液晶天线中第一基板10的厚度，以此更好的实现对天线设计所需两个基板厚度的灵活匹配，并且由于第二基板20的厚度较小，可降低馈电网络202B的部分第三导电部202与移相器结构的第一导电部101之间，以及移相器结构的第一导电部101和辐射贴片202A的部分第三导电部202之间的耦合损耗，还可以通过减薄第二原始基板20A，减弱天线表面波，使得表面波功率可以向空间外辐射，进而有利于降低天线表面波损耗。可选的当第一基板10远离第二基板20的一侧可能还包括其他导电结构时，还可以减弱该导电结构与第一基板10上表面的第一导电部101之间的耦合损耗，进而更好的提升天线性能。
在一些可选实施例中，请结合参考图3、图11-图13、图15-图18，图15是本发明实施例提供的液晶天线的另一种制作方法的流程框图，图16是图15的制作方法中提供的形成第四导电层后的第一基板和第二原始基板成盒后的剖面结构示意图，图17是图15的制作方法中提供的形成第四导电层后减薄第二原始基板的剖面结构示意图，图18是图15的制作方法中提供的液晶天线的剖面结构示意图；本实施例的液晶天线的制作方法中，在第一基板10一侧形成多个第一导电部101后，还可以包括在第一基板10远离第一导电部101的一侧形成第四导电层102。可选的，若第一基板10本身的厚度较小，则可以在第一基板10一侧形成多个第一导电部101后，直接在第一基板10远离第一导电部101的一侧形成第四导电层102(未附图示意)；若多个第一导电部101形成在厚度较厚的第一原始基板10A上，则可以在第一原始基板10和第二原始基板20成盒，并减薄第一原始基板10A后，在减薄形成的第一基板10远离第一导电部101的一侧形成第四导电层102(如本实施例的附图示意)，本实施例对于第四导电层102的形成步骤不作具体限定，具体实施时可根据实际需求选择。
本实施例解释说明了制作液晶天线的制作方法至少可以包括：
S21：如图11所示，提供第一原始基板10A，在第一原始基板10A一侧形成多个第一导电部101。本实施例对于形成第一导电部101的过程不作赘述，具体可参考上述实施例的描述。
S22：如图3所示，提供第二原始基板20A，在第二原始基板20A一侧形成多个第二导电部201。本实施例对于形成第二导电部201的过程不作赘述，具体可参考上述实施例的描述。
S23：如图12所示，将第一原始基板10A和第二原始基板20A对盒，即将第一原始基板10A和第二原始基板20A相对成盒固定，可选的，第一原始基板10A和第二原始基板20A可通过框胶40成盒固定，使得第一原始基板10A的第一导电部101与第二原始基板20A的第二导电部201相对设置，并通过在相对设置的第一原始基板10A和第二原始基板20A之间设置液晶层30，使得成盒后的第一原始基板10A与第二原始基板20A之间包括液晶层30。
S24：如图13所示，减薄第一原始基板10A，形成第一基板10，第一基板10的厚度D3小于第一原始基板10A的厚度D4。本实施例对于减薄第一原始基板10A的过程不作赘述，具体可参考上述实施例的描述。
S25：如图16所示，在减薄第一原始基板10A后，在减薄后的第一基板10远离第一导电部101的一侧形成第四导电层102，可选的，第四导电层102可整面铺设于第一基板10远离第一导电部101一侧的表面。
S26：如图17所示，减薄第二原始基板20A，形成第二基板20，第二基板20的厚度D1小于第二原始基板20A的厚度D2。
S27：如图18所示，在减薄第二原始基板20A后，在第二基板20远离第一基板10的表面形成多个第三导电部202。最终形成如图18所示的液晶天线000的剖面图。
本实施例的制作方法制得的液晶天线中，第四导电层102可以为整层金属层。在对微波信号进行移相时，第四导电层102可以保证微波信号在移相过程中仅在液晶天线中传播，避免其发散至液晶天线外部(若微波信号传输至该第四导电层102时可通过整面结构的第四导电层102将微波信号反射回去)，并且第四导电层102还可以用于屏蔽外部信号，避免外部信号对微波信号的干扰，从而保证对微波信号移相的准确性。
可以理解的是，由于本实施例的第四导电层102是在减薄后的第一基板10上制作，第三导电部202是在减薄后的第二基板20上制作，即第三导电部202是在相对厚度较薄的第二基板20上制作，第四导电层102是在相对厚度较薄的第一基板10上制作，因此制作第四导电层102和第三导电层的工艺与制作第一导电层或第二导电层的工艺不同，本实施例在此对于各导电部的制作工艺不作限定，具体实施时，仅需满足能够在第一基板10和第二基板20上各自形成导电结构，实现液晶天线的功能即可。
在一些可选实施例中，请结合参考图3、图19、图20-图24，图19是本发明实施例提供的液晶天线的另一种制作方法的流程框图，图20是图19的制作方法中提供的第一基板的结构示意图，图21是图19的制作方法中提供的形成第一导电部后的第一基板的剖面结构示意图，图22是图19的制作方法中提供的第一基板和第二原始基板成盒后的剖面结构示意图，图23是图19的制作方法中提供的减薄第二原始基板后的第一基板和第二基板成盒的剖面结构示意图，图24是图19的制作方法中提供的形成第三导电部后的液晶天线的剖面结构示意图；本实施例提供的一种液晶天线的制作方法，用于制作液晶天线结构，该制作方法中提供第一基板10的方法包括：提供第一电极103，在第一电极103上制作一层绝缘膜层104，使得第二原始基板20A位于绝缘膜层104远离第一电极103的一侧。
本实施例解释说明了制作液晶天线的制作方法可以包括：
S31：如图20所示，提供第一电极103，在第一电极103上制作一层绝缘膜层104，可选的，此时绝缘膜层104即可作为第一基板10使用，而位于绝缘膜层104一侧的第一电极103的作用可以理解为与上述图15-图18实施例中的第四导电层102的作用相同。可选的，绝缘膜层104可以为聚酰亚胺、氮化硅中的任一种制作材料，由于上述材料不会吸收微波信号，即自身在微波频段插损小，因此有利于减小信号插损，可以大大降低微波信号在传输过程中的损耗。本实施例的绝缘膜层104的材料包括但不局限于上述材料，具体实施时，可根据实际需求选择绝缘膜层104的制作材料。本实施例的第一电极103可与绝缘膜层104整层贴合，第一电极103的制作材料可以为导电金属材料，如铜等金属材料，本实施例对于第一电极103的材料不作具体限定，仅需满足能够将微波信号反射回液晶天线内的同时，还可以屏蔽外部信号即可。
S32：如图21所示，在第一基板10(绝缘膜层104)一侧形成多个第一导电部101；可选的第一导电部101位于绝缘膜层104远离第一电极103的一侧；本实施例中的在第一基板10一侧形成多个第一导电部101，可选的，该第一导电部101可先通过在绝缘膜层104远离第一电极103的一侧形成第一导电层(未附图示意)，然后通过图案化该第一导电层后形成多个第一导电部101的结构，本实施例对于第一导电部101的材料不作具体限定，仅需满足能够导电即可，如铜等金属材料。
S33：如图3所示，提供第二原始基板20A，在第二原始基板20A一侧形成多个第二导电部201；可选的，第二原始基板20A的制作材料可以为玻璃、陶瓷中的任一种硬质材料，或者第二原始基板20A的制作材料还可以为聚酰亚胺、氮化硅中的任一种柔性材料，由于上述材料不会吸收微波信号，即自身在微波频段插损小，因此有利于减小信号插损，可以大大降低微波信号在传输过程中的损耗。本实施例对于第二原始基板20A的材料不作具体限定，具体实施时，可根据实际需求选择第二原始基板20A的制作材料。本实施例中的在第二原始基板20A一侧形成多个第二导电部201，可选的，该第二导电部201可先通过在第二原始基板20A一侧形成第二导电层(未附图示意)，然后通过图案化该第二导电层后形成多个第二导电部201的结构，本实施例对于第二导电部201的材料不作具体限定，仅需满足能够导电即可，如铜等金属材料。
S34：如图22所示，将第一基板10(包括第一导电部101、第一电极103的绝缘膜层104)和第二原始基板20A对盒，使得第二原始基板20A位于绝缘膜层104远离第一电极103的一侧，即将绝缘膜层104和第二原始基板20A相对成盒固定，可选的，绝缘膜层104和第二原始基板20A可通过框胶40成盒固定，使得绝缘膜层104的第一导电部101与第二原始基板20A的第二导电部201相对设置，并通过在相对设置的绝缘膜层104和第二原始基板20A之间设置液晶层30，使得成盒后的绝缘膜层104与第二原始基板20A之间包括液晶层30。可以理解的是，本实施例对于如何设置液晶层30的具体方式不作限定，液晶层30可以为填充在第一基板10(绝缘膜层104)和第二原始基板20A之间的的液晶分子，还可以为贴合在第一基板10(绝缘膜层104)和第二原始基板20A之间的固态液晶膜片，具体实施时，可根据实际需求选择设置。
S35：如图23所示，减薄第二原始基板20A，形成第二基板20，第二基板20的厚度D1小于第二原始基板20A的厚度D2；可选的，本实施例中对于减薄第二原始基板20A的工艺制程不作具体限定，具体实施时，可采用包括刻蚀第二原始基板20A远离第一基板10(绝缘膜层104)一侧的表面，但不局限于此的工艺完成减薄第二原始基板20A的制程，仅需满足减薄后形成的第二基板20的厚度D1小于第二原始基板20A的厚度D2即可。
S36：如图24所示，在减薄第二原始基板20A后，在第二基板20远离第一基板10(绝缘膜层104)的表面形成多个第三导电部202。最终形成如图24所示的液晶天线000的剖面图。可选的，该第三导电部202可先通过在第二基板20一侧形成第三导电层(未附图示意)，然后通过图案化该第三导电层后形成多个第三导电部202的结构，本实施例对于第三导电部202的材料不作具体限定，仅需满足能够导电即可，如铜等金属材料。可以理解的是，由于本实施例的第三导电部202是在减薄后的第二基板20上制作，即第三导电部202是在相对厚度较薄的第二基板20上制作，因此制作第三导电层的工艺至少与制作第二导电层的工艺不同，本实施例在此对于各导电部的制作工艺不作限定，具体实施时，仅需满足能够在第一基板10和第二基板20上各自形成导电部，实现液晶天线的功能即可。
本实施例进一步将第一基板10的制作材料采用氮化硅或氧化硅或聚酰亚胺等其他具有绝缘效果的绝缘膜材料，即采用氮化硅或氧化硅或聚酰亚胺等其他具有绝缘效果的绝缘膜材料制作绝缘膜层104，以该绝缘膜层104作为第一基板10使用。相对于玻璃或陶瓷等材质的第一基板10，本实施例不仅可以利用绝缘膜层104材料自身在微波频段插损小的特点，降低微波信号在传输过程中的损耗，还由于绝缘膜层104制作时一般采用沉积或涂布的方式制作，制得的绝缘膜层104厚度相比于玻璃基板等薄得多(可以理解的是，绝缘膜层104制作时一般采用沉积或涂布的方式制作，制得的绝缘膜层104厚度一般在纳米厚度级别，相比于玻璃基板等毫米级别的要薄得多)，因此可以进一步减小作为第一基板10使用的绝缘膜层104的厚度，而基板厚度越厚，微波信号耦合时的耦合损耗越大，基板厚度越厚，天线表面波越强，越容易导致表面波功率无法向空间辐射，形成表面波功率损耗。因此本实施例通过采用绝缘膜层104作为第一基板10使用，可以进一步减小第一基板10的厚度，进而有利于进一步减小耦合损耗和减弱天线表面波，更有效的降低天线表面波损耗，提升天线性能。
可选的，本实施例中的在第一电极103上制作一层绝缘膜层104的方法包括：采用氧化硅材料、氮化硅材料，通过沉积法在第一电极103上形成绝缘膜层104；或者，采用聚酰亚胺材料，通过涂布法在第一电极103上形成绝缘膜层104；最终形成的绝缘膜层104的厚度大于或等于30nm。本实施例解释说明了在第一电极103上制作一层绝缘膜层104的方法可以采用沉积法如PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积法，是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法，具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好的优点)的方式在第一电极103上形成绝缘膜层104，也可以采用涂布法在第一电极103上形成该绝缘膜层104，本实施例不作具体限定。氧化硅材料、氮化硅材料、聚酰亚胺材料等本身具有绝缘效果，且材料本身在微波频段插损小，绝缘膜层104采用此材料可以大大降低微波信号在传输过程中的损耗。本实施例进一步设置最终形成的绝缘膜层104的厚度大于或等于30nm，该厚度范围的绝缘膜层104主要是根据液晶天线电流和电压范围制定，且可以满足绝缘效果，可以避免出现绝缘膜层104电流电压击穿情况。
可选的，本实施例中的第一电极103的制作材料为铜箔，第一电极103的厚度范围为50-100μm。本实施例进一步解释说明了第一电极103的导电的制作材料可以为铜箔，铜箔可以制作的比较薄，且具有较好的导电性能。本实施例还设置了该铜箔材料的第一电极103的厚度范围为50-100μm，通过该厚度范围的铜箔与厚度大于或等于30nm的绝缘膜层104贴合，满足硬度需求的同时，还可以避免微波在第一电极103中衰减太快，传播距离太厚容易导致微波最后几乎衰减完，以致微波信号仅仅局限于第一电极103表面附近的区域，进而使得该厚度范围的第一电极103满足微波趋肤效应的需求。
在一些可选实施例中，请继续结合参考图3、图19-图24和图25，图25是本发明实施例提供的液晶天线的另一种制作方法的流程框图，本实施例中的在第一基板10(绝缘膜层104)一侧形成多个第一导电部101的方法包括：在绝缘膜层104远离第一电极103的一侧制作第一铜膜种子层，图案化第一铜膜种子层；在图案化后的铜膜种子层远离绝缘膜层104的一侧电镀，加厚第一铜膜种子层，形成多个阵列排布的第一导电部101。
本实施例解释说明了在厚度较薄的绝缘膜层104上制作形成多个第一导电部101的方法，即如图25所示，图19的制作方法中的步骤S32可以为：在绝缘膜层104远离第一电极103的一侧制作第一铜膜种子层，图案化第一铜膜种子层；在图案化后的铜膜种子层远离绝缘膜层104的一侧电镀，加厚第一铜膜种子层，形成多个阵列排布的第一导电部101。首先需要在绝缘膜层104远离第一电极103的一侧制作第一铜膜种子层，图案化该第一铜膜种子层，可以理解的，图案化后的第一铜膜种子层的图案即为最终所需形成的第一导电部101的图案；然后在图案化后的第一铜膜种子层远离绝缘膜层104的一侧进行电镀工艺，用以加厚已形成的第一铜膜种子层，加厚的图案化的第一铜膜种子层即形成了所需的多个阵列排布的第一导电部101。由于为了保证本实施例中的第一导电部101的导电性能，第一导电部101的厚度需要做厚，如果在绝缘膜层104远离第一电极103的一侧直接做太厚的铜层用作第一导电层，容易因为较厚的铜层翘曲与绝缘膜层104翘曲不匹配造成碎片。因此本实施例在绝缘膜层104远离第一电极103的一侧先制作较薄(一般只有一百到几千埃，其中埃是晶体学、原子物理、超显微结构等常用的长度单位，等于10的负10次方米，纳米的十分之一)的第一铜膜种子层，可以避免当直接制作较厚的铜层翘曲时，与绝缘膜层104翘曲不匹配造成碎片的现象发生，后续再电镀加厚该第一铜膜种子层，并且由于电镀工艺只能在导体上电镀，因此需要先制作该第一铜膜种子层，以使得最终形成的第一导电部101具有足够的厚度满足其导电传输性能的同时，还有利于避免造成碎片的风险，提升制程效率。
可以理解的是，本实施例对于在绝缘膜层104远离第一电极103的一侧制作第一铜膜种子层的工艺不作具体限定，如可以通过化学、磁控溅射等方式进行第一铜膜种子层的制作，也可以采取其他工艺。可选的，本实施例的第一导电部101制作完成后，还可以按照相关技术中的液晶天线的常规工艺步骤在第一导电部101远离绝缘膜层104的一侧进行PI涂布和配向的制程，PI涂布和配向的制程主要是为了使液晶分子能够正确配向，在第一基板10(绝缘膜层104)的表面涂上一层聚酰亚胺(PI，Polyimide)液，经高温烘烤生成PI膜，然后在PI膜上进行磨擦工艺，生成所需要的PI膜，以实现液晶分子的配向，本实施例对此不作赘述，具体可参考相关技术中液晶天线的制程工艺进行理解。
在一些可选实施例中，请结合参考图3、图20-图21、图26-图30，图26是本发明实施例提供的液晶天线的另一种制作方法的流程框图，图27是图26的制作方法中提供的在第一基板上形成液晶层的剖面结构示意图，图28是图26的制作方法中提供的第一基板和第二原始基板成盒后的剖面结构示意图，图29是图26的制作方法中提供的减薄第二原始基板后的第一基板和第二基板成盒的剖面结构示意图，图30是图26的制作方法中提供的形成第三导电部后的液晶天线的剖面结构示意图；本实施例提供的一种液晶天线的制作方法，用于制作液晶天线结构，该制作方法中提供的液晶层30的制作材料为固态液晶膜30A。可以理解的是，为了清楚示意本实施例的固态液晶膜30A的结构，图中固态液晶膜30A的结构中除了液晶分子其余结构未填充图案。
本实施例解释说明了制作液晶天线的制作方法可以包括：
S41：如图20所示，提供第一电极103，在第一电极103上制作一层绝缘膜层104，可选的，此时绝缘膜层104即可作为第一基板10使用，而位于绝缘膜层104一侧的第一电极103的作用可以理解为与上述图15-图18实施例中的第四导电层102的作用相同。本实施例对于形成贴合的第一电极103和绝缘膜层104的过程不作赘述，具体可参考上述实施例的描述。
S42：如图21所示，在第一基板10(绝缘膜层104)一侧形成多个第一导电部101。本实施例对于在绝缘膜层104远离第一电极103的一侧形成多个第一导电部101的过程不作赘述，具体可参考上述实施例的描述。
S43：如图27所示，提供至少一层固态液晶膜30A，将固态液晶膜30A直接贴合于绝缘膜层104的远离第一电极103的一侧，形成液晶层30。可选的，液晶层30可以仅包括一层固态液晶膜30A，也可包括多层固态液晶膜30A，具体层数可根据对液晶层30所需厚度以及每层固态液晶膜30A的厚度决定。可选的，由于作为第一基板10使用的绝缘膜层104相对偏柔性，因此本实施例将液晶层30设置为固态液晶膜30A，有利于保证成盒后的第一基板10和第二基板20之间的盒厚均一性。可选的，本实施例对于固态液晶膜30A的具体结构不作限定，如图27所示，固态液晶膜30A可以包括多个液晶胶囊30A1和一个生物格栅，生物格栅用于将每个液晶胶囊30A1隔离固定；其中，每个液晶胶囊30A1包括配向包衣30A11、以及被配向包衣30A11包覆的多个液晶分子30A12，多个液晶胶囊30A1固定在生物格栅上，可以理解的是固态液晶膜30A的结构包括但不局限于此，还可以为其他结构，本实施例不作限定。
S44：如图3所示，提供第二原始基板20A，在第二原始基板20A一侧形成多个第二导电部201。本实施例对于在第二原始基板20A一侧形成多个第二导电部201的过程不作赘述，具体可参考上述实施例的描述。
S45：如图28所示，将设置有第二导电部201的第二原始基板20A对盒与设置有固态液晶膜30A的第一基板10(绝缘膜层104)对盒，使得第二原始基板20A位于绝缘膜层104远离第一电极103的一侧，使得绝缘膜层104的第一导电部101与第二原始基板20A的第二导电部201相对设置。由于本实施例中的液晶层30为固态液晶膜30A直接贴合在第一基板10和第二原始基板20A之间，因此第一基板10和第二原始基板20A的周边区域无需设置框胶来成盒固定，可以简化制作工艺，降低制作成本。
S46：如图29所示，减薄第二原始基板20A，形成第二基板20，第二基板20的厚度D1小于第二原始基板20A的厚度D2。本实施例对于减薄第二原始基板20A形成第二基板20的过程不作赘述，具体可参考上述实施例的描述。
S47：如图30所示，在减薄第二原始基板20A后，在第二基板20远离第一基板10(绝缘膜层104)的表面形成多个第三导电部202。最终形成如图30所示的液晶天线000的剖面图。本实施例对于在第二原始基板20A远离绝缘膜层104的一侧形成多个第三导电部202的过程不作赘述，具体可参考上述实施例的描述。
本实施例提供的制作液晶天线的方法中，液晶层30的制作材料为固态液晶膜30A，有利于保证成盒后的相对偏柔性的绝缘膜层104和第二基板20之间的盒厚均一性，且固态液晶膜30A相比于液态液晶，固态液晶膜30A可以直接贴合在绝缘膜层104和第二原始基板20A之间，具有不可流动性，因此绝缘膜层104和第二原始基板20A的周边区域无需设置用于封装液晶的框胶来成盒固定，可以简化制作工艺，降低制作成本。并且由于固态液晶膜30A本身具有自配向特性，因而无需在液晶天线中设置用于对液晶进行配向的配向层，从而进一步降低了液晶天线的整体厚度。
在一些可选实施例中，请继续结合参考图3、图20-图21、图26-图30，本实施例中，在第二原始基板20A一侧形成多个第二导电部201的方法包括：在第二原始基板20A一侧制作铜层，图案化铜层，形成多个第二导电部201。
本实施例解释说明了在第二原始基板20A一侧形成多个第二导电部201的制作方法可以为首先在第二原始基板20A一侧制作铜层，由于第二原始基板20A是还未减薄前的厚度，且制作的铜层一般较厚可以直接图案化形成第二导电部201，因此可以在第二原始基板20A上直接制作较厚的铜层用于图案化形成多个第二导电部201。可以理解的是，本实施例对于铜层的制作方式不作具体限定，具体实施时，可参考相关技术中在基板上制作导电金属层的制程工艺进行理解。
可选的，本实施例的第二导电部201制作完成后，还可以按照相关技术中的液晶天线的常规工艺步骤在第二导电部201远离第二原始基板20A的一侧进行PI涂布和配向的制程，PI涂布和配向的制程主要是为了使液晶分子能够正确配向，在第二原始基板20A的表面涂上一层聚酰亚胺(PI，Polyimide)液，经高温烘烤生成PI膜，然后在PI膜上进行磨擦工艺，生成所需要的PI膜，以实现液晶分子的配向，本实施例对此不作赘述，具体可参考相关技术中液晶天线的制程工艺进行理解。
在一些可选实施例中，请结合参考图3、图20-图21、图27-图29、图31-图36，图31是本发明实施例提供的液晶天线的另一种制作方法的流程框图，图32是图31的制作方法中提供的在第二基板上形成凸起的剖面结构示意图，图33是图31的制作方法中提供的在第二基板上形成第二铜膜种子层的剖面结构示意图，图34是图31的制作方法中提供的在第二铜膜种子层上形成图案化的负性光阻胶的剖面结构示意图，图35是图31的制作方法中提供的在第二基板上电镀加厚第二铜膜种子层的剖面结构示意图，图36是图31的制作方法中提供的形成第三导电部后的液晶天线的剖面结构示意图；本实施例提供的一种液晶天线的制作方法，用于制作液晶天线结构，该制作方法中在第二基板20远离第一基板10的表面形成多个第三导电部202，包括：
在第二基板20远离第一基板10的表面形成多个凸起50；
在凸起50远离第二基板20的表面制作第二铜膜种子层60；
在第二铜膜种子层60远离第二基板20的表面形成一层负性光阻胶70，曝光负性光阻胶70，形成多个凹槽70A；
在凹槽70A内电镀，加厚第二铜膜种子层60；
去除负性光阻胶70，刻蚀负性光阻胶70位置的第二铜膜种子层60，凹槽70A位置留下加厚的第二铜膜种子层为第三导电部202。
本实施例解释说明了制作液晶天线的制作方法可以包括：
S51：如图20所示，提供第一电极103，在第一电极103上制作一层绝缘膜层104，可选的，此时绝缘膜层104即可作为第一基板10使用，而位于绝缘膜层104一侧的第一电极103的作用可以理解为与上述图15-图18实施例中的第四导电层102的作用相同。本实施例对于形成贴合的第一电极103和绝缘膜层104的过程不作赘述，具体可参考上述实施例的描述。
S52：如图21所示，在第一基板10(绝缘膜层104)一侧形成多个第一导电部101。本实施例对于在绝缘膜层104远离第一电极103的一侧形成多个第一导电部101的过程不作赘述，具体可参考上述实施例的描述。
S53：如图27所示，提供至少一层固态液晶膜30A，将固态液晶膜30A直接贴合于绝缘膜层104的远离第一电极103的一侧，形成液晶层30。本实施例对于形成液晶层30的过程不作赘述，具体可参考上述实施例的描述。
S54：如图3所示，提供第二原始基板20A，在第二原始基板20A一侧形成多个第二导电部201。本实施例对于在第二原始基板20A一侧形成多个第二导电部201的过程不作赘述，具体可参考上述实施例的描述。
S55：如图28所示，将设置有第二导电部201的第二原始基板20A对盒与设置有固态液晶膜30A的第一基板10(绝缘膜层104)对盒，使得第二原始基板20A位于绝缘膜层104远离第一电极103的一侧，绝缘膜层104的第一导电部101与第二原始基板20A的第二导电部201相对设置。本实施例对于对盒的过程不作赘述，具体可参考上述实施例的描述。
S56：如图29所示，减薄第二原始基板20A，形成第二基板20，第二基板20的厚度D1小于第二原始基板20A的厚度D2。本实施例对于减薄第二原始基板20A形成第二基板20的过程不作赘述，具体可参考上述实施例的描述。
S57：如图32所示，在第二基板20远离第一基板10的表面形成多个凸起50；可选的，可以将成盒且已经减薄第二原始基板20A后形成的第二基板20的表面在SF6或者CF4等气体氛围中进行等离子反应，使得第二基板20远离绝缘膜层104的表面形成不小于10nm的断差，该断差结构即为凸起50，凸起50在垂直于第二基板20所在平面上的高度不小于10nm，多个凸起50结构用于增加第二基板20远离第一基板10一侧的比表面积，进而可以增强后续膜层与该第二基板20远离第一基板10一侧的表面的贴合能力。
S58：如图33所示，在凸起50远离第二基板20的表面制作第二铜膜种子层60；本实施例的在第二基板20远离第一基板10一侧制作第三导电部202前，由于减薄后第二基板20较薄，而所需的第三导电部202为了实现其导电传输性能需要满足一定的厚度，需要先在第二基板20远离第一基板10一侧的表面制作一层较薄的第二铜膜种子层60，可以避免直接在薄化的第二基板20上制作厚的铜层可能因应力问题导致碎片的情况发生，因此在凸起50远离第二基板20的表面制作第二铜膜种子层60，可以增加第二铜膜种子层60与第二基板20表面的接触面积增强贴合力的同时，还可以减小应力，避免碎片风险。
S59：如图34所示，在第二铜膜种子层60远离第二基板20的表面形成一层负性光阻胶70，曝光负性光阻胶70，形成多个凹槽70A；本实施例的负性光阻胶70形成的多个凹槽70A即为最终第三导电部202的所需图案，开设凹槽70A后保留的负性光阻胶70位置即为最终无需形成第三导电部202的位置，即无需后续进行电镀加厚的位置，通过保留的负性光阻胶70将该位置保护起来，有利于后续电镀加厚形成所需的第三导电部202的图案。
S591：如图35所示，在凹槽70A内电镀，加厚第二铜膜种子层60；此时加厚的第二铜膜种子层60的厚度即为最终所需的第三导电部202的厚度。可选的，本实施例中还可以在加厚的第二铜膜种子层60表面镀锡(未附图示意)，镀锡可以提升加厚的第二铜膜种子层60表面焊接性能，还可以在后续曝光刻蚀负性光阻胶70位置的不要的第二铜膜种子层60时，镀锡可以保护凹槽70A位置的电镀加厚的第二铜膜种子层60。
S592：如图36所示，去除负性光阻胶70，刻蚀负性光阻胶70位置的第二铜膜种子层60，则在凹槽70A位置留下已经电镀加厚的第二铜膜种子层60的图案即为所需的第三导电部202。最终形成如图36所示的液晶天线000的剖面图。
本实施例的制作方法可以实现在较薄的第二基板20上形成第三导电部202，避免产生碎片风险，提升制程良率。
在一些可选实施例中，请继续结合参考图3、图20-图21、图27-图29、图31-图36，本实施例中，减薄第二原始基板20A，形成第二基板20，第二基板20的厚度D1小于第二原始基板20A的厚度D2，包括：
第二原始基板20A的制作材料包括玻璃或陶瓷中的任一种，通过化学刻蚀法或激光刻蚀法减薄第二原始基板20A，使得第二基板20的厚度D1大于或等于0.1mm。
本实施例进一步解释说明了第二原始基板20A的制作材料包括玻璃或陶瓷中的任一种，玻璃或陶瓷材料自身在微波频段插损小，因此有利于减小信号插损，可以大大降低微波信号在传输过程中的损耗。本实施例的减薄第二原始基板20A的方法通过化学刻蚀法或激光刻蚀法，使得第二基板20的厚度D1大于或等于0.1mm，避免减薄后的第二基板20太薄，则容易因应力问题导致在第二基板20上制作其他膜层时产生碎片问题，还可以避免减薄后的第二基板20太厚导致微波信号传输插损大，影响天线性能。
在一些可选实施例中，请继续结合参考图1-图9，本实施例提供了一种液晶天线000，该液晶天线000采用上述实施例的制作方法制作；液晶天线000包括：相对设置的第一基板10和第二基板20，以及位于第一基板10和第二基板20之间的液晶层30；第二基板20由第二原始基板20A、液晶层30、第一基板10成盒后，将第二原始基板20A减薄得到；
第一基板10朝向第二基板20的一侧包括多个阵列排布的第一导电部101；
第二基板20朝向第一基板10的一侧包括第二导电部201，第二基板20远离第一基板10的一侧包括第三导电部202。
本实施例解释说明了采用上述实施例的制作方法制得的液晶天线000的结构，第一基板10朝向第二基板20的一侧的多个阵列排布的第一导电部101可以为移相器电极，用于引导微波信号的传输，移相器电极可以为微带线，微带线的形状可以为蛇形(未附图示意)或者螺旋形(未附图示意)或者回字形(如图7所示)或其他结构，通过蛇形或螺旋形的第一导电部101的结构能够增大第一导电部101与第二导电部201的正对面积，以保证液晶层30中尽量多的液晶分子处于第一导电部101与第二导电部201所形成的电场中，提高液晶分子的翻转效率。本实施例对于第一导电部101的形状和分布情况不作限定，仅需满足能够实现微波信号的传输即可。可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图7仅在第一基板10上示意了四个第一导电部101，但不局限于此数量，具体实施时，第一导电部101的数量可根据实际需求阵列化设置。第二基板20朝向第一基板10的一侧的第二导电部201可以为连接成一体的整面铺设的接地层，接地层用于接入地信号(GND信号)，第二导电部201可以设置有多个辐射孔K，该辐射孔K可以包括两种作用，一部分数量的辐射孔K可以与微带线结构的第一导电部101交叠，用于将信号耦合到液晶层30，使得信号沿着微带线结构的第一导电部101传输，另一部分数量的辐射孔K可以与微带线结构的第一导电部101和第三导电部202中作为辐射贴片使用的部分均交叠，用于将液晶天线的微波信号辐射出去。液晶层30位于第一导电部101和第二导电部201之间，微波信号在移相器结构的第一导电部101和接地层第二导电部201的之间传输。在微波信号的传输过程中，通过施加在第一导电部101和第二导电部201上的电压，对第一导电部101和第二导电部201之间形成的电场强度进行控制，进而调整其对应空间内的液晶层30的液晶分子的偏转角度，从而改变液晶层30的介电常数，实现在液晶层30中对微波信号的移相，达到改变微波相位的效果。第二基板20远离第一基板10的一侧的多个第三导电部202可以包括多个辐射贴片202A和馈电网络202B，待微波信号移相完成后，移相后的微波信号经由第二导电部201的辐射孔K从第二基板20辐射出去，并通过辐射贴片202A和馈电网络202B接收和发射出去。
本实施例的第二基板20是由对第二原始基板20A进行了减薄处理后形成，即第二基板20的厚度较薄。液晶天线工作时，在相对两个基板之间的微波信号传输过程中，不可避免会存在耦合损耗，且一般基板厚度越厚，微波信号耦合时的耦合损耗越大，基板厚度越厚，天线表面波越强，越容易导致表面波功率无法向空间辐射，形成表面波功率损耗。因此本实施例通过薄化工艺减薄第二原始基板20A，使得最终形成的第二基板20的厚度小于第二原始基板20A的厚度，减小液晶天线中第二基板20的厚度，以此实现对天线设计所需基板厚度的灵活匹配，并且由于第二基板20的厚度较小，可降低馈电网络202B的部分第三导电部202与移相器结构的第一导电部101之间，以及移相器结构的第一导电部101和辐射贴片202A的部分第三导电部202之间的耦合损耗，还可以通过减薄第二原始基板20A得到较薄的第二基板20，减弱天线表面波，使得表面波功率可以向空间外辐射，进而有利于降低天线表面波损耗。
在一些可选实施例中，请继续结合图15-图18，本实施例中，第一基板10远离第二基板20的一侧包括第四导电层102，第四导电层102整面铺设于第一基板10远离第二基板20一侧的表面。
本实施例解释说明了第一基板10远离第二基板20的一侧还可以包括整面铺设第四导电层102，第四导电层102可以作为反射层使用，在对微波信号进行移相时，第四导电层102可以保证微波信号在移相过程中仅在液晶天线中传播，避免其发散至液晶天线外部，微波信号传输至该第四导电层102时可通过整面结构的第四导电层102将微波信号反射回去，使天线向上辐射的增益更高，并且第四导电层102还可以用于屏蔽外部信号，避免外部信号对微波信号的干扰，从而保证对微波信号移相的准确性。
在一些可选实施例中，请结合参考图37、图38-图41，图37是本发明实施例提供的液晶天线的另一种剖面结构示意图，图38是图37中液晶天线的第二基板远离第一基板一侧的平面结构示意图，图39是图37中液晶天线的第二基板靠近第一基板一侧的平面结构示意图，图40是图37中液晶天线的第一基板靠近第二基板一侧的平面结构示意图，图41是图37中液晶天线的第一基板远离第二基板一侧的平面结构示意图，本实施例中提供的液晶天线000，第一导电部101为块状结构，第二导电部201为微带线结构，第三导电部202为块状结构；第一基板10远离第二基板20的一侧包括第五导电层105，第五导电层105整面铺设于第一基板10远离第二基板20一侧的表面。
本实施例解释说明了采用上述实施例的制作方法制得的液晶天线000的结构，第一基板10朝向第二基板20的一侧的多个阵列排布的第一导电部101可以为块状结构，第二基板20朝向第一基板10的一侧的多个第二导电部201可以为微带线结构，微带线的形状可以为蛇形(未附图示意)或者螺旋形(未附图示意)或者回字形(如图39所示)或其他结构，通过蛇形或螺旋形的第二导电部201的结构能够增大第二导电部201与第一导电部101的正对面积，以保证液晶层30中尽量多的液晶分子处于第一导电部101与第二导电部201所形成的电场中，提高液晶分子的翻转效率。
本实施例的第一导电部101可以作为馈源贴片使用，微波信号可以从外部传输至作为馈源贴片使用的第一导电部101，馈源贴片的第一导电部101作为一级辐射源，再将微波信号能量传递给第二基板20朝向第一基板10的一侧的多个微带线结构的第二导电部201。在微波信号的传输过程中，通过施加在第一导电部101和第二导电部201上的电压，对第一导电部101和第二导电部201之间形成的电场强度进行控制，进而调整其对应空间内的液晶层30的液晶分子的偏转角度，从而改变液晶层30的介电常数，实现在液晶层30中对微波信号的移相，达到改变微波相位的效果。微带线结构的第二导电部201对微波信号移相后，再将其传递给第二基板20远离第一基板10一侧的第三导电部202，第三导电部202为辐射贴片，辐射贴片作为二级辐射源，最终将微波信号辐射出去。可选的，第一导电部101、第二导电部201、第三导电部202三者在第一基板10上的正投影可以交叠，即一个第一导电部101、一个第二导电部201、一个第三导电部202的位置相对应，以满足微波信号的传输。可选的，本实施例的第一基板10远离第二基板20的一侧包括第五导电层105，第五导电层105整面铺设于第一基板10远离第二基板20一侧的表面，第五导电层105可以作为反射层使用，在对微波信号进行移相时，可以保证微波信号在移相过程中仅在液晶天线中传播，避免其发散至液晶天线外部，微波信号传输至该第五导电层105时可通过整面结构的第五导电层105将微波信号反射回去，并且第五导电层105还可以用于屏蔽外部信号，避免外部信号对微波信号的干扰，从而保证对微波信号移相的准确性。可选的，本实施例的作为馈源贴片使用的第一导电部101同时还作为微带线结构的第二导电部201和辐射贴片的第三导电部202的参考接地层使用。
可以理解的是，本实施例对于第一导电部101、第二导电部201、第三导电部202的形状和分布情况不作限定，仅需满足能够实现微波信号的传输即可。可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图38-图41仅在第一基板10和第二基板20上各示意了四个导电部结构，但不局限于此数量，具体实施时，导电部的数量可根据实际需求阵列化设置。
在一些可选实施例中，请继续结合参考图37、图38-图41，本实施例中，第一基板10包括多个第一通孔1001，沿第一基板10的厚度方向，第一通孔1001贯穿第一基板10；
第五导电层105包括多个第二通孔1050，沿第五导电层105的厚度方向，第二通孔1050贯穿第五导电层105；
第一通孔1001与第二通孔1050交叠；
第一通孔1001和第二通孔1050内插接有馈电信号棒P，馈电信号棒P与第一导电部101连接。可以理解的是，为了清楚示意本实施例的馈电信号棒P的结构，图40中进行了透明度填充。
本实施例解释说明了可以通过同轴馈电的方式，将微波信号馈到第一基板10靠近第二基板20一侧的第一导电部101上，馈电信号棒P用于输入微波信号，一根馈电信号棒P穿过第一通孔1001和第二通孔1050后与一个第一导电部101连接，在第一导电部101作为馈源贴片使用时，通过馈电信号棒P馈入微波信号后，能够使得馈源贴片作为一级辐射源，再将微波信号传递给第二基板20上的微带线结构的第二导电部201，当微波信号在液晶层30中沿着第二导电部201传输，对微波信号移相后，再将其传递给第二基板20上表面的第三导电部202，第三导电部202作为辐射贴片使用，成为二级辐射源，最终将微波信号辐射出去，实现液晶天线的传输性能。
在一些可选实施例中，请继续结合参考图37、图38-图41，本实施例中，第三导电部202向第一基板10的正投影位于第一导电部101向第一基板10的正投影范围内。
本实施例进一步解释说明了由于作为馈源贴片使用的第一导电部101同时还作为微带线结构的第二导电部201和辐射贴片的第三导电部202的参考接地层使用，因此，此时又作为接地层的馈源贴片的尺寸大小应大于辐射贴片的尺寸，即第三导电部202向第一基板10的正投影位于第一导电部101向第一基板10的正投影范围内，从而可以获得较大尺寸的第一导电部101，使其复用为接地信号层。
在一些可选实施例中，请继续结合参考图19-图24，本实施例中，第一基板10包括贴合的绝缘膜层104和第一电极103，第一电极103位于绝缘膜层104远离第二基板20的一侧。可选的，绝缘膜层104的制作材料包括氧化硅、氮化硅、聚酰亚胺中的任一种。
本实施例的液晶天线000中进一步将第一基板10的制作材料采用氮化硅或氧化硅或聚酰亚胺等其他具有绝缘效果的绝缘膜材料，即采用氮化硅或氧化硅或聚酰亚胺等其他具有绝缘效果的绝缘膜材料制作绝缘膜层104，以该绝缘膜层104作为第一基板10使用。相对于玻璃或陶瓷等材质的第一基板10，本实施例不仅可以利用绝缘膜层104材料自身在微波频段插损小的特点，降低微波信号在传输过程中的损耗，还由于绝缘膜层104制作时一般采用沉积或涂布的方式制作，制得的绝缘膜层104厚度相比于玻璃基板等薄得多(可以理解的是，绝缘膜层104制作时一般采用沉积或涂布的方式制作，制得的绝缘膜层104厚度一般在纳米厚度级别，相比于玻璃基板等毫米级别的要薄得多)，因此可以进一步减小作为第一基板10使用的绝缘膜层104的厚度，而基板厚度越厚，微波信号耦合时的耦合损耗越大，基板厚度越厚，天线表面波越强，越容易导致表面波功率无法向空间辐射，形成表面波功率损耗。因此本实施例通过采用绝缘膜层104作为第一基板10使用，可以进一步减小第一基板10的厚度，进而有利于进一步减小耦合损耗和减弱天线表面波，更有效的降低天线表面波损耗，提升天线性能。
在一些可选实施例中，请继续结合参考图19-图24，本实施例中，第一电极103整面铺设于绝缘膜层104远离第二基板20的一侧。可选的，绝缘膜层的厚度大于或等于30nm。
本实施例进一步解释说明了绝缘膜层104作为第一基板10使用时，位于绝缘膜层104一侧的第一电极103的作用可以理解为与上述实施例中的第五导电层105的作用相同。本实施例的第一电极103可与绝缘膜层104整面贴合，第一电极103的制作材料可以为导电金属材料，如铜等金属材料，本实施例对于第一电极103的材料不作具体限定，仅需满足能够将微波信号反射回液晶天线内的同时，还可以屏蔽外部信号即可。绝缘膜层的厚度大于或等于30nm,该厚度范围的绝缘膜层104主要是根据液晶天线电流和电压范围制定，且可以满足绝缘效果，可以避免出现绝缘膜层104电流电压击穿情况。
可选的，本实施例中的第一电极103的制作材料为铜箔，第一电极103的厚度范围为50-100μm。铜箔可以制作的比较薄，且具有较好的导电性能。本实施例还设置了该铜箔材料的第一电极103的厚度范围为50-100μm，通过该厚度范围的铜箔与厚度大于或等于30nm的绝缘膜层104贴合，满足硬度需求的同时，还可以避免微波在第一电极103中衰减太快，传播距离太厚容易导致微波最后几乎衰减完，以致微波信号仅仅局限于第一电极103表面附近的区域，进而使得该厚度范围的第一电极103满足微波趋肤效应的需求。
在一些可选实施例中，请参考图42，图42是本发明实施例提供的液晶天线的另一种剖面结构示意图，本实施例中，第二基板20内部包括空气腔20P。
本实施例解释说明了第二基板20内部设置有空气腔20P，可选的，空气腔20P可以为真空空气腔，进一步可选的，如图42所示，为了保证第二基板20的支撑稳固性，空气腔20P可以多个间隔设置在第二基板20内部。由于本实施例的第二基板20是由第二原始基板20A减薄得到的，厚度相对较薄，因此第二基板20内部空气腔20P的设置不仅可以增加第二基板20的强度，而且内部包括空气腔20P的第二基板20，可以避免第二基板20为实心材料时吸收微波信号，有利于进一步减小信号插损，可以更好的降低微波信号在传输过程中的损耗，提升液晶天线000的增益。
可选的，请参考图43-图45，图43是本发明实施例提供的液晶天线的另一种剖面结构示意图，图44是本发明实施例提供的液晶天线的另一种剖面结构示意图，图45是本发明实施例提供的液晶天线的另一种剖面结构示意图，本实施例中，第二基板20包括相互贴合的第一子基板20M和第二子基板20N，如图43所示，第一子基板20M朝向第二子基板20N的一侧包括第一凹槽C1，第一子基板20M和第二子基板20N贴合后，第一凹槽C1形成空气腔20P；或者如图44所示，第二子基板20N朝向第一子基板20M的一侧包括第二凹槽C2，第一子基板20M和第二子基板20N贴合后，第二凹槽C2形成空气腔20P；或者如图45所示，第一子基板20M朝向第二子基板20N的一侧包括第一凹槽C1，第二子基板20N朝向第一子基板20M的一侧包括第二凹槽C2，第一子基板20M和第二子基板20N贴合后，第一凹槽C1和第二凹槽C2共同形成空气腔20P。可以理解的是，本实施例对于空气腔20P的形成过程及结构不作具体限定，包括但不局限于上述结构，仅需满足第二基板20内部设置有空气腔20P即可，本实施例在此不作赘述。
通过上述实施例可知，本发明提供的液晶天线的制作方法、液晶天线，至少实现了如下的有益效果：
本发明提供的液晶天线的制作方法中，至少对第二原始基板进行了减薄处理后再形成第三导电部，液晶天线工作时，在相对两个基板之间的微波信号传输过程中，不可避免会存在耦合损耗，且一般基板厚度越厚，微波信号耦合时的耦合损耗越大，基板厚度越厚，天线表面波越强，越容易导致表面波功率无法向空间辐射，形成表面波功率损耗。因此本发明通过薄化工艺减薄第二原始基板，使得最终形成的第二基板的厚度小于第二原始基板的厚度，减小液晶天线中第二基板的厚度，以此实现对天线设计所需基板厚度的灵活匹配，并且由于第二基板的厚度较小，可降低馈电网络的部分第三导电部与移相器结构的第一导电部之间，以及移相器结构的第一导电部和辐射贴片的部分第三导电部之间的耦合损耗，还可以通过减薄第二原始基板，减弱天线表面波，使得表面波功率可以向空间外辐射，进而有利于降低天线表面波损耗，提高液晶天线的传输性能。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
Claims (23)
1.一种液晶天线的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供第一基板，在所述第一基板一侧形成多个第一导电部；
提供第二原始基板，在所述第二原始基板一侧形成多个第二导电部；
将所述第一基板和所述第二原始基板对盒，设置液晶层，使得所述第一导电部与所述第二导电部相对设置，所述第一基板与所述第二原始基板之间包括液晶层；
减薄所述第二原始基板，形成第二基板，所述第二基板的厚度小于所述第二原始基板的厚度；
在所述第二基板远离所述第一基板的表面形成多个第三导电部。
2.根据权利要求1所述的液晶天线的制作方法，其特征在于，提供第一基板的方法包括：
提供第一原始基板，在所述第一原始基板一侧形成多个第一导电部；
在设置完所述液晶层后，减薄所述第一原始基板，形成所述第一基板，所述第一基板的厚度小于所述第一原始基板的厚度。
3.根据权利要求1所述的液晶天线的制作方法，其特征在于，
提供第一基板的方法包括：
提供第一电极，在所述第一电极上制作一层绝缘膜层，使得所述第二原始基板位于所述绝缘膜层远离所述第一电极的一侧。
4.根据权利要求3所述的液晶天线的制作方法，其特征在于，在所述第一电极上制作一层绝缘膜层，包括：
采用氧化硅材料、氮化硅材料，通过沉积法在所述第一电极上形成所述绝缘膜层；或者，
采用聚酰亚胺材料，通过涂布法在所述第一电极上形成所述绝缘膜层；
所述绝缘膜层的厚度大于或等于30nm。
5.根据权利要求3所述的液晶天线的制作方法，其特征在于，所述第一电极的制作材料为铜箔，所述第一电极的厚度范围为50-100μm。
6.根据权利要求3所述的液晶天线的制作方法，其特征在于，在所述第一基板一侧形成多个第一导电部，包括：
在所述绝缘膜层远离所述第一电极的一侧制作第一铜膜种子层，图案化所述第一铜膜种子层；
在图案化后的所述第一铜膜种子层远离所述绝缘膜层的一侧电镀，加厚所述第一铜膜种子层，形成多个阵列排布的所述第一导电部。
7.根据权利要求1所述的液晶天线的制作方法，其特征在于，所述液晶层的制作材料为固态液晶膜。
8.根据权利要求1所述的液晶天线的制作方法，其特征在于，在所述第二原始基板一侧形成多个第二导电部，包括：
在所述第二原始基板一侧制作铜层，图案化所述铜层，形成多个所述第二导电部。
9.根据权利要求1所述的液晶天线的制作方法，其特征在于，在所述第二基板远离所述第一基板的表面形成多个第三导电部，包括：
在所述第二基板远离所述第一基板的表面形成多个凸起；
在所述凸起远离所述第二基板的表面制作第二铜膜种子层；
在所述第二铜膜种子层远离所述第二基板的表面形成一层负性光阻胶，曝光所述负性光阻胶，形成多个凹槽；
在所述凹槽内电镀，加厚所述第二铜膜种子层；
去除所述负性光阻胶，刻蚀所述负性光阻胶位置的所述第二铜膜种子层，所述凹槽位置留下加厚的所述第二铜膜种子层为所述第三导电部。
10.根据权利要求1所述的液晶天线的制作方法，其特征在于，减薄所述第二原始基板，形成第二基板，所述第二基板的厚度小于所述第二原始基板的厚度，包括：
所述第二原始基板的制作材料包括玻璃或陶瓷中的任一种，通过化学刻蚀法或激光刻蚀法减薄所述第二原始基板，使得所述第二基板的厚度大于或等于0.1mm。
11.一种液晶天线，其特征在于，所述液晶天线采用权利要求1-10任一项所述的制作方法制作；所述液晶天线包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层；所述第二基板由第二原始基板、所述液晶层、所述第一基板成盒后，将所述第二原始基板减薄得到；
所述第一基板朝向所述第二基板的一侧包括多个阵列排布的第一导电部；
所述第二基板朝向所述第一基板的一侧包括第二导电部，所述第二基板远离所述第一基板的一侧包括第三导电部。
12.根据权利要求11所述的液晶天线，其特征在于，所述第一基板远离所述第二基板的一侧包括第四导电层，所述第四导电层整面铺设于所述第一基板远离所述第二基板一侧的表面。
13.根据权利要求11所述的液晶天线，其特征在于，所述第一导电部为块状结构，所述第二导电部为微带线结构，所述第三导电部为块状结构；所述第一基板远离所述第二基板的一侧包括第五导电层，所述第五导电层整面铺设于所述第一基板远离所述第二基板一侧的表面。
14.根据权利要求13所述的液晶天线，其特征在于，
所述第一基板包括多个第一通孔，沿所述第一基板的厚度方向，所述第一通孔贯穿所述第一基板；
所述第五导电层包括多个第二通孔，沿所述第五导电层的厚度方向，所述第二通孔贯穿所述第五导电层；
所述第一通孔与所述第二通孔交叠；
所述第一通孔和所述第二通孔内插接有馈电信号棒，所述馈电信号棒与所述第一导电部连接。
15.根据权利要求14所述的液晶天线，其特征在于，所述第三导电部向所述第一基板的正投影位于所述第一导电部向所述第一基板的正投影范围内。
16.根据权利要求11所述的液晶天线，其特征在于，所述第一基板包括贴合的绝缘膜层和第一电极，所述第一电极位于所述绝缘膜层远离所述第二基板的一侧。
17.根据权利要求16所述的液晶天线，其特征在于，所述第一电极整面铺设于所述绝缘膜层远离所述第二基板的一侧。
18.根据权利要求16所述的液晶天线，其特征在于，所述第一电极的制作材料为铜箔。
19.根据权利要求16所述的液晶天线，其特征在于，所述绝缘膜层的厚度大于或等于30nm，所述第一电极的厚度范围为50-100μm。
20.根据权利要求16所述的液晶天线，其特征在于，所述绝缘膜层的制作材料包括氧化硅、氮化硅、聚酰亚胺中的任一种。
21.根据权利要求11所述的液晶天线，其特征在于，所述第二基板的制作材料包括玻璃或陶瓷中的任一种，所述第二基板的厚度大于或等于0.1mm。
22.根据权利要求11所述的液晶天线，其特征在于，所述第二基板内部包括空气腔。
23.根据权利要求22所述的液晶天线，其特征在于，所述第二基板包括相互贴合的第一子基板和第二子基板，所述第一子基板朝向所述第二子基板的一侧包括第一凹槽，和/或，所述第二子基板朝向所述第一子基板的一侧包括第二凹槽，所述第一凹槽和/或所述第二凹槽形成所述空气腔。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111020926.3A CN113725597B (zh) | 2021-09-01 | 2021-09-01 | 液晶天线的制作方法、液晶天线 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111020926.3A CN113725597B (zh) | 2021-09-01 | 2021-09-01 | 液晶天线的制作方法、液晶天线 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113725597A CN113725597A (zh) | 2021-11-30 |
| CN113725597B true CN113725597B (zh) | 2024-04-12 |
Family
ID=78680580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111020926.3A Active CN113725597B (zh) | 2021-09-01 | 2021-09-01 | 液晶天线的制作方法、液晶天线 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113725597B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114267934A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-01 | 上海天马微电子有限公司 | 一种液晶天线 |
| CN114284714B (zh) * | 2021-12-31 | 2023-12-15 | 成都天马微电子有限公司 | 液晶天线及其制备方法 |
| WO2024054390A1 (en) * | 2022-09-09 | 2024-03-14 | Corning Incorporated | Liquid crystal reconfigurable intelligent surface devices |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017204114A1 (ja) * | 2016-05-27 | 2017-11-30 | シャープ株式会社 | 走査アンテナおよび走査アンテナの製造方法 |
| CN108563050A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-09-21 | 成都天马微电子有限公司 | 液晶移相器和天线 |
| CN110140184A (zh) * | 2016-12-07 | 2019-08-16 | 韦弗有限责任公司 | 低损耗电传输机构和使用其的天线 |
| CN211858891U (zh) * | 2020-05-15 | 2020-11-03 | 上海电力大学 | 基于共面波导馈电的柔性单阻带uwb-mimo天线 |
| JP2021072413A (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 株式会社フジクラ | アンテナモジュール |
| CN112909560A (zh) * | 2021-01-15 | 2021-06-04 | 成都天马微电子有限公司 | 液晶天线及其制作方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017141874A1 (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | シャープ株式会社 | 走査アンテナ |
| US10709012B2 (en) * | 2017-01-16 | 2020-07-07 | Innolux Corporation | High-frequency electronic device and manufacturing method thereof |
-
2021
- 2021-09-01 CN CN202111020926.3A patent/CN113725597B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017204114A1 (ja) * | 2016-05-27 | 2017-11-30 | シャープ株式会社 | 走査アンテナおよび走査アンテナの製造方法 |
| CN110140184A (zh) * | 2016-12-07 | 2019-08-16 | 韦弗有限责任公司 | 低损耗电传输机构和使用其的天线 |
| CN108563050A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-09-21 | 成都天马微电子有限公司 | 液晶移相器和天线 |
| JP2021072413A (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 株式会社フジクラ | アンテナモジュール |
| CN211858891U (zh) * | 2020-05-15 | 2020-11-03 | 上海电力大学 | 基于共面波导馈电的柔性单阻带uwb-mimo天线 |
| CN112909560A (zh) * | 2021-01-15 | 2021-06-04 | 成都天马微电子有限公司 | 液晶天线及其制作方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| "Low-profile fully integrated 60 GHz 18 element phased array on multilayer liquid crystal polymer flip chip package";Telesphor Kamgaing等;《 2015 IEEE 65th Electronic Components and Technology Conference (ECTC)》;全文 * |
| "基于液晶材料的相控阵反射阵列天线的研究与设计";张静;《中国优秀硕士学位论文全文数据库 信息科技辑》;全文 * |
| "基于液晶的U波段电控移相超材料";赵怿哲等;《强激光与粒子束》;全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113725597A (zh) | 2021-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN113725597B (zh) | 液晶天线的制作方法、液晶天线 | |
| US11038269B2 (en) | Electronically steerable holographic antenna with reconfigurable radiators for wideband frequency tuning | |
| US11398677B2 (en) | Liquid crystal phase shifter, liquid crystal antenna and manufacturing method of liquid crystal phase shifter | |
| US20220263225A1 (en) | Antenna module and electronic device | |
| EP3736626A1 (en) | Liquid crystal antenna and manufacturing method therefor | |
| Kumar et al. | A review: Substrate integrated waveguide antennas and arrays | |
| Guo et al. | Design of series-fed, single-layer, and wideband millimeter-wave microstrip arrays | |
| US20210167497A1 (en) | Liquid crystal antenna unit and liquid crystal phased array antenna | |
| US11569556B2 (en) | Phase shifter comprising DGS and radio communication module comprising same | |
| TW201902023A (zh) | 具夾持機構之天線孔徑 | |
| CN108767485B (zh) | 一种平面微带透射阵天线 | |
| Emara et al. | Laser-drilled all-dielectric Huygens’ transmit-arrays as 120 GHz band beamformers | |
| US11664606B2 (en) | Antenna structure and array antenna module | |
| Ma et al. | A microwave/millimeter-wave shared-aperture antenna based on slow-wave parallel-plate waveguide | |
| US11824262B2 (en) | Antenna, phase shifter, and communication device | |
| Kim et al. | Rotated feed-combined reconfigurable transmit RIS with disparate deployment of 1-bit hybrid units for B5G/6G | |
| US11658411B2 (en) | Electrically-controlled RF, microwave, and millimeter wave devices using tunable material-filled vias | |
| Aourik et al. | A New Design and Implementation of 4x4 Butler Matrix for Ka Band Applications | |
| CN114696058B (zh) | 液晶天线和通信设备 | |
| Jizat et al. | Radiation pattern of array antenna with the dual-layer Butler matrix | |
| CN115483533A (zh) | 天线及通信设备 | |
| Horestani et al. | A Wideband Rotary-Joint-Free H-Plane Horn Antenna With 360° Steerable Radiation Pattern Using Gap Waveguide Technology | |
| Kim et al. | Prephased 1-bit Reflective Metasurface with Optimum Random Phases for Multiple Reflection Angles at 140 GHz | |
| TWI818658B (zh) | 堆疊式天線模組及其製造方法 | |
| US20230411867A1 (en) | Antenna and fabrication method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |