CN114256098A - 晶片的分离方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供晶片的分离方法，能够将外周部进行了倒角的晶片稳定地分离。在本发明中，在晶片的内部形成分离起点之前，按照沿着外周面的弯曲部(进行了倒角的外周部)将晶片的一部分去除的方式对晶片进行加工。由此，能够不产生外周面的弯曲部中的激光束的漫反射和/或聚光点的偏移而在晶片的内部形成作为分离起点的改质层和裂纹。其结果是，能够将晶片稳定地分离。

Description

晶片的分离方法
技术领域
本发明涉及晶片的分离方法。
背景技术
包含逆变器或转换器等功率器件的芯片通常是将在正面上形成有大量功率器件的晶片按照包含各个功率器件的每个区域进行分割而制造的。关于晶片，例如在使用磨削装置对背面侧进行磨削而薄化至规定的厚度之后，使用切削装置和激光加工装置等加工装置而分割成各个芯片。
近年来，作为下一代的功率器件用材料，碳化硅(SiC)备受瞩目。不过，碳化硅的硬度非常高。因此，在使用由碳化硅形成的晶片来制造包含功率器件的芯片的情况下，会产生各种问题。
例如当使用磨削装置对由碳化硅形成的晶片进行磨削时，在磨削中使用的磨削磨具的磨损量有可能增多。在该情况下，需要频繁地更换磨削磨具，因此会产生芯片的制造效率降低，并且制造成本也增加的问题。
作为将晶片薄化的方法，还已知有使用激光束的方法(例如参照专利文献1)。在该方法中，在对晶片照射激光束而在晶片的内部形成改质层和裂纹之后，对该晶片赋予外力，由此以改质层和裂纹为分离起点而将晶片分离。
另外，在搬送在各种工序中进行处理的晶片时，有可能在晶片的外周部产生碎裂和缺损。作为防止这样的碎裂和缺损的方法，已知有对晶片的外周部进行倒角即按照晶片的外周面向外侧呈凸状弯曲的方式对外周部进行削刮的方法(例如参照专利文献2)。
专利文献1：日本特开2017-28072号公报
专利文献2：日本特开2017-183503号公报
在使用专利文献1所公开的方法将具有进行了倒角的外周部的晶片分离的情况下，有可能由于存在于外周面的凹凸而使激光束漫反射。在该情况下，激光束有可能无法会聚至晶片的外周部的内部而不能在外周部的内部形成作为分离起点的改质层和裂纹。
另外，在外周面弯曲的情况下，激光束的聚光点的位置(距离晶片的正面的深度)也有可能从假想的位置偏离。在该情况下，即使在外周部的内部形成了分离起点，形成于外周部的分割起点也会形成于与形成于其他部分的分离起点不同的位置(距离晶片的正面的深度)。
因此，在对晶片的进行了倒角的外周部照射激光束的情况下，该晶片有可能不分离，或者该晶片有可能分离成外周部与其他部分的厚度不同的两张晶片。
发明内容
鉴于该点，本发明的目的在于提供晶片的分离方法，能够将对外周部进行了倒角的晶片稳定地分离。
根据本发明，提供晶片的分离方法，该晶片具有第一面、该第一面的相反侧的第二面以及位于该第一面和该第二面之间的外周面，该外周面具有向外侧呈凸状弯曲的弯曲部，该晶片的分离方法将该晶片分离成该第一面侧和该第二面侧的两张晶片，其中，该晶片的分离方法具有如下的步骤：加工步骤，按照沿着该弯曲部将该晶片的一部分去除的方式对该晶片进行加工；分离起点形成步骤，在该加工步骤之后，按照将对于该晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该晶片的内部并将该聚光点维持在该晶片的内部的方式一边使该聚光点与该晶片相对地移动一边照射该激光束，由此在该晶片的内部形成分离起点；以及分离步骤，在该分离起点形成步骤之后，赋予外力而将该晶片从该分离起点分离成具有该第一面的晶片和具有该第二面的晶片。
优选该弯曲部具有呈圆弧状延伸的第一部分和呈直线状延伸的第二部分，在该加工步骤中，按照沿着该第一部分将该晶片的一部分呈圆弧状去除并且沿着该第二部分将该晶片的一部分呈直线状或圆弧状去除的方式对该晶片进行加工。
另外，优选在该加工步骤中，从该晶片将全部的该弯曲部去除。
或者，优选在该加工步骤中，从该晶片的该第一面侧将该弯曲部的该第一面侧的一部分去除，在该分离起点形成步骤中，将该聚光点定位于该晶片的该第一面与残留的该弯曲部之间的深度。
或者，优选在该加工步骤中，从该晶片的该第一面侧将该晶片的该第一面侧的一部分去除而形成槽，在该分离起点形成步骤中，将该聚光点定位于该晶片的该第一面与该槽的底面之间的深度，对该晶片的比该槽靠内侧的区域照射该激光束。
另外，优选在该加工步骤中，使切削刀具切入至该晶片而将该晶片的一部分去除。
在本发明中，在晶片的内部形成分离起点之前，按照沿着外周面的弯曲部(进行了倒角的外周部)将晶片的一部分去除的方式对晶片进行加工。由此，能够不产生外周面的弯曲部中的激光束的漫反射和/或聚光点的偏移而在晶片的内部形成作为分离起点的改质层和裂纹。其结果是，能够将晶片稳定地分离。
附图说明
图1的(A)是示意性示出晶片的俯视图，图1的(B)是示意性示出晶片的剖视图。
图2是示出晶片的分离方法的一例的流程图。
图3是示意性示出对晶片进行全切割修整的加工步骤的局部剖视侧视图。
图4是示意性示出对晶片进行半切割修整的加工步骤的局部剖视侧视图。
图5是示意性示出在晶片上形成沿着弯曲部的槽的加工步骤的局部剖视侧视图。
图6的(A)、图6的(B)和图6的(C)分别是示意性示出在加工步骤中进行了加工的晶片的剖视图。
图7是示意性示出在全切割修整后的晶片中形成分离起点的分离起点形成步骤的局部剖视侧视图。
图8是示意性示出在半切割修整后的晶片中形成分离起点的分离起点形成步骤的局部剖视侧视图。
图9是示意性示出在形成有沿着弯曲部的槽的晶片中形成分离起点的分离起点形成步骤的局部剖视侧视图。
图10是示意性示出将晶片分离的分离步骤的局部剖视侧视图。
标号说明
11：晶片；11a：第一面(正面)；11b：第二面(背面)；11c：外周面；11d：改质层；11e：裂纹；11f：残留的弯曲部；11g：槽；13：分割预定线；15：器件；17a、17b：定向平面；19、21：带；2：切削装置；4：θ台；6：卡盘工作台；6a：框体；8：切削单元；10：主轴；12：切削刀具；20：激光束照射装置；22：工作台基台；24：卡盘工作台；26：头；30：超声波照射装置；32：液槽；34：载置台；36：超声波照射单元。
具体实施方式
参照附图，对本发明的实施方式进行说明。图1的(A)和图1的(B)是示意性示出要分离成两张晶片的晶片的俯视图和剖视图。图1的(A)和图1的(B)所示的晶片11例如由碳化硅(SiC)形成。
晶片11具有第一面(正面)11a、第一面11a的相反侧的第二面(背面)11b以及位于第一面11a和第二面11b之间的外周面11c。并且，晶片11的第一面11a侧由相互交叉的多条分割预定线13划分成多个区域，在各区域内形成有逆变器或转换器等器件15。
在晶片11的外周面11c上形成有表示晶体取向的两个平面部、所谓的1次定向平面17a和2次定向平面17b。即，外周面11c中的形成有1次定向平面17a和2次定向平面17b的部分呈直线状延伸，并且它们以外的部分呈圆弧状延伸。
另外，晶片11的外周部按照外周面11c向外侧呈凸状弯曲的方式进行了倒角。由此，外周面11c具有通过倒角而形成的弯曲部。并且，该弯曲部在形成有1次定向平面17a和2次定向平面17b的部分呈直线状延伸，并且在它们以外的部分呈圆弧状延伸。
另外，对于晶片11的材质、形状、构造和大小等没有限制。晶片11例如可以由硅(Si)等其他半导体、陶瓷、树脂和金属等材料形成。另外，在晶片11的外周面11c上可以代替定向平面而形成有表示晶体取向的V形状的缺口、所谓的切口(notch)。
另外，可以不对晶片11的外周部全部进行倒角。例如可以不对晶片11的外周部中的形成有1次定向平面17a和2次定向平面17b的部分进行倒角，而仅对它们以外的部分进行倒角。在该情况下，外周面11c包含通过倒角而形成的弯曲部和未进行倒角的非倒角部。
同样地，对于器件15的种类、数量、形状、构造、大小和配置等也没有限制。例如器件15可以是IC(Integrated Circuit，集成电路)或LSI(Large Scale Integration，大规模集成)等。另外，可以不在晶片11上形成器件15。
图2是示出将图1的(A)和图1的(B)所示的晶片11分离成第一面侧和第二面侧的两张(具有第一面11a的晶片和具有第二面11b的晶片)的晶片的分离方法的一例的流程图。在图2所示的晶片的分离方法中，首先按照沿着外周面11c的弯曲部将晶片11的一部分去除的方式对晶片11进行加工(加工步骤：S1)。
在加工步骤S1中，可以将弯曲部全部从晶片11去除(全切割修整)而将晶片11的外周面平坦化，也可以从晶片11的第一面11a侧将弯曲部的第一面11a侧的一部分去除(半切割修整)而在晶片11的外周部形成阶梯差。另外，在加工步骤S1中，还可以从第一面11a侧将晶片11的第一面11a侧的一部分去除而形成沿着外周面11c的弯曲部的槽。即，在加工步骤S1中，沿着外周面11c的弯曲部而将晶片11的第一面11a侧的至少一部分去除。
以下，参照图3～图5依次说明对晶片11进行全切割修整而将晶片11的外周面平坦化的加工步骤S1-1、对晶片11进行半切割修整而在晶片11的外周部形成阶梯差的加工步骤S1-2以及将晶片11的第一面11a侧的一部分去除而形成沿着外周面11c的弯曲部的槽的加工步骤S1-3。
图3是示意性示出对晶片11进行全切割修整而将晶片11的外周面平坦化的加工步骤S1-1的局部剖视侧视图。具体而言，在图3所示的加工步骤S1-1中，切削装置2从在第二面11b上粘贴有带19的晶片11的第一面11a侧将弯曲部全部切削而去除。另外，图3所示的Z轴方向与铅垂方向大致平行。
切削装置2具有圆柱状的θ台4。在θ台4的上部设置有隔着带19而载置晶片11的圆盘状的卡盘工作台6。另外，θ台4与电动机等旋转驱动源(未图示)连结。当使该旋转驱动源进行动作时，θ台4和卡盘工作台6以通过卡盘工作台6的中心且沿着Z轴方向的直线为轴心而旋转。
卡盘工作台6具有由不锈钢等金属形成的框体6a。框体6a具有圆盘状的底壁以及从该底壁的外周部朝向上方而设置的圆环状的侧壁，通过该侧壁划定出凹部。在该凹部中固定有圆盘状的多孔板(未图示)，该圆盘状的多孔板由多孔质陶瓷形成，具有与凹部的内径大致相同的直径。
卡盘工作台6的多孔板经由形成于框体6a的流路而与真空泵等吸引源(未图示)连结。当使该吸引源进行动作时，在多孔板的上表面(卡盘工作台6的保持面)上产生负压。通过产生该负压，载置于卡盘工作台6的晶片11隔着带19而被卡盘工作台6吸引保持。
另外，θ台4和卡盘工作台6与X轴方向移动机构(未图示)连结。当使该X轴方向移动机构进行动作时，θ台4和卡盘工作台6在与Z轴方向垂直的方向(X轴方向)上移动。
在卡盘工作台6的上方设置有切削单元8。切削单元8与Y轴方向移动机构(未图示)和Z轴方向移动机构(未图示)连结。当使该Y轴方向移动机构进行动作时，切削单元8在与Z轴方向垂直且与X轴方向垂直的方向(Y轴方向)上移动。另外，当使该Z轴方向移动机构进行动作时，切削单元8在Z轴方向上移动，即切削单元8进行升降。
切削单元8具有沿Y轴方向延伸的圆柱状的主轴10。在主轴10的一个端部安装有具有圆环状的切刃的切削刀具12。切削刀具12例如是轮毂型的切削刀具，其是使由金属等形成的圆环状的基台和沿着基台的外周缘的圆环状的切刃成为一体而构成的。
轮毂型的切削刀具的切刃由电铸磨具构成，电铸磨具是通过镍等结合材料固定由金刚石或立方晶氮化硼(cBN：cubic Boron Nitride)等形成的磨粒而成的。另外，作为切削刀具12，也可以使用由圆环状的切刃构成的垫圈型的切削刀具，该圆环状的切刃是通过由金属、陶瓷或树脂等形成的结合材料固定磨粒而成的。
另外，主轴的另一端部与电动机等旋转驱动源(未图示)连结。当该旋转驱动源进行动作时，切削刀具12与主轴10一起以通过主轴10的中心的沿着Y轴方向的直线为轴心而旋转。
在图3所示的加工步骤S1中，例如在将晶片11的圆弧状的外周面11c即形成有1次定向平面17a和2次定向平面17b的部分以外的外周面11c的弯曲部全部去除之后，将形成有1次定向平面17a和2次定向平面17b的部分的外周面11c的弯曲部全部去除。
例如首先按照将切削刀具12的下端配置于晶片11的圆弧状的外周面11c的正上方的方式将卡盘工作台6和/或切削单元8定位。接着，在切削刀具12旋转的状态下使切削单元8下降至切削刀具12与带19接触。
接着，在使切削刀具12旋转的状态下，使卡盘工作台6至少旋转1周。由此，将晶片11的圆弧状的外周面11c的弯曲部全部去除。即，将沿圆弧状延伸的弯曲部全部呈圆弧状去除。
接着，按照1次定向平面17a或2次定向平面17b与X轴方向平行的方式使卡盘工作台6旋转。接着，按照切削刀具12从晶片11离开的方式使卡盘工作台6沿着X轴方向移动。接着，按照从1次定向平面17a或2次定向平面17b观察时切削刀具12配置于X轴方向的方式使切削单元8沿着Y轴方向移动。
接着，按照切削刀具12的下端比带19的上表面低且比下表面高的方式使切削单元8下降。接着，按照在切削刀具12旋转的状态下使晶片11从X轴方向的切削刀具12的一端通过至另一端的方式使卡盘工作台6沿着X轴方向移动。
由此，将形成有1次定向平面17a和2次定向平面17b的部分的外周面11c的弯曲部全部去除。即，将呈直线状延伸的弯曲部全部呈直线状去除。
图4是示意性示出对晶片11进行半切割修整而在晶片11的外周部形成阶梯差的加工步骤S1-2的局部剖视侧视图。另外，图4所示的切削装置2与图3所示的切削装置2相同，因此省略了说明。
在图4所示的加工步骤S1-2中，例如在将晶片11的圆弧状的外周面11c的弯曲部的第一面11a侧的一部分去除之后，将形成有1次定向平面17a和2次定向平面17b的部分的外周面11c的弯曲部的第一面11a侧的一部分去除。
例如首先按照将切削刀具12的下端配置于晶片11的圆弧状的外周面11c的正上方的方式将卡盘工作台6和/或切削单元8定位。接着，在切削刀具12旋转的状态下使切削单元8下降至切削刀具12的下端到达比第一面11a低且比第二面11b高的位置。
接着，在使切削刀具12旋转的状态下使卡盘工作台6至少旋转1周。由此，将晶片11的圆弧状的外周面11c的弯曲部的第一面11a侧的一部分去除。即，将呈圆弧状延伸的弯曲部的第一面11a侧的一部分呈圆弧状去除。
接着，按照1次定向平面17a或2次定向平面17b与X轴方向平行的方式使卡盘工作台6旋转。接着，按照切削刀具12从晶片11离开的方式使卡盘工作台6沿着X轴方向移动。接着，按照从1次定向平面17a或2次定向平面17b观察时切削刀具12配置于X轴方向的方式使切削单元8沿着Y轴方向移动。
接着，按照切削刀具12的下端比第一面11a低且比第二面11b高的方式使切削单元8下降。接着，按照在切削刀具12旋转的状态下使晶片11从X轴方向的切削刀具12的一端通过至另一端的方式使卡盘工作台6沿着X轴方向移动。
由此，将形成有1次定向平面17a和2次定向平面17b的部分的外周面11c的弯曲部的第一面11a侧的一部分去除。即，将呈直线状延伸的弯曲部的第一面11a侧的一部分呈直线状去除。
图5是示意性示出从第一面11a侧将晶片11的第一面11a侧的一部分去除而形成沿着外周面11c的弯曲部的槽的加工步骤S1-3的局部剖视侧视图。另外，图5所示的切削装置2与图3和图4所示的切削装置2相同，因此省略了说明。
在图5所示的加工步骤S1-3中，例如在形成沿着晶片11的圆弧状的外周面11c的弯曲部呈圆弧状延伸的槽之后，形成沿着形成有1次定向平面17a和2次定向平面17b的部分的外周面11c的弯曲部呈直线状延伸的槽。
例如首先按照将切削刀具12的下端配置在距离晶片11的中心的距离比圆弧状的外周面11c与晶片11的中心之间的间隔短且比1次定向平面17a和2次定向平面17b与晶片11的中心之间的最短的间隔长的区域的正上方的方式将卡盘工作台6和/或切削单元8定位。
接着，在切削刀具12旋转的状态下使切削单元8下降至切削刀具12的下端到达比第一面11a低且比第二面11b高的位置。接着，在使切削刀具12旋转的状态下使卡盘工作台6至少旋转1周。
由此，形成沿着晶片11的圆弧状的外周面11c的弯曲部呈圆弧状延伸的槽。即，沿着呈圆弧状延伸的弯曲部将晶片11的第一面11a侧的一部分呈圆弧状去除。
接着，按照1次定向平面17a或2次定向平面17b与X轴方向平行的方式使卡盘工作台6旋转。接着，按照切削刀具12从晶片11离开的方式使卡盘工作台6沿着X轴方向移动。接着，按照从1次定向平面17a或2次定向平面17b观察时切削刀具12配置于从X轴方向略微向晶片11侧偏移的位置的方式使切削单元8沿着Y轴方向移动。
接着，按照切削刀具12的下端比第一面11a低且比第二面11b高的方式使切削单元8下降。接着，按照在切削刀具12旋转的状态下使晶片11从X轴方向的切削刀具12的一端通过至另一端的方式使卡盘工作台6沿着X轴方向移动。
由此，形成沿着形成有1次定向平面17a和2次定向平面17b的部分的外周面11c的弯曲部呈直线状延伸的槽。即，沿着呈直线状延伸的弯曲部将晶片11的第一面11a侧的一部分呈直线状去除。
或者，在图5所示的加工步骤S1-3中，可以从第一面11a侧将晶片11的第一面11a侧的一部分去除而形成圆环状的槽。即，在图5所示的加工步骤S1-3中，可以形成沿着晶片11的圆弧状的外周面11c的弯曲部呈圆弧状延伸且沿着形成有1次定向平面17a和2次定向平面17b的部分的外周面11c的弯曲部呈圆弧状延伸的槽。
例如首先按照将切削刀具12的下端配置于距离晶片11的中心的距离比1次定向平面17a和2次定向平面17b与晶片11的中心之间的最短的间隔短的区域的正上方的方式将卡盘工作台6和/或切削单元8定位。
接着，在切削刀具12旋转的状态下使切削单元8下降至切削刀具12的下端到达比第一面11a低且比第二面11b高的位置。接着，在使切削刀具12旋转的状态下使卡盘工作台6至少旋转1周。由此，在晶片11的第一面11a侧形成圆环状的槽。
即，沿着呈圆弧状延伸的弯曲部(圆弧状的外周面11c的弯曲部)将晶片11的第一面11a侧的一部分呈圆弧状去除且沿着呈直线状延伸的弯曲部(形成有1次定向平面17a和2次定向平面17b的部分的外周面11c的弯曲部)将晶片11的第一面11a侧的一部分呈圆弧状去除。
图6的(A)、图6的(B)和图6的(C)分别是示意性示出在加工步骤S1中按照沿着外周面11c的弯曲部将晶片11的一部分去除的方式进行了加工的晶片11的剖视图。
具体而言，图6的(A)是示出通过加工步骤S1-1将外周面平坦化的晶片11的剖视图。另外，图6的(B)是示出通过加工步骤S1-2在外周部形成有阶梯差的晶片11的剖视图。另外，图6的(C)是示出通过加工步骤S1-3而形成有沿着外周面11c的弯曲部的槽的晶片11的剖视图。
在图2所示的晶片的分离方法中，在加工步骤S1之后，对晶片11照射激光束而在晶片11的内部形成分离起点(分离起点形成步骤：S2)。
以下，参照图7～图9依次说明在外周面平坦化的晶片11的内部形成分离起点的分离起点形成步骤S2-1、在外周部形成有阶梯差的晶片11的内部形成分离起点的分离起点形成步骤S2-2以及在形成有沿着外周面11c的弯曲部的槽的晶片11的内部形成分离起点的分离起点形成步骤S2-3。
图7是示意性示出在通过加工步骤S1-1将外周面平坦化的晶片11的内部形成分离起点的分离起点形成步骤S2-1的局部剖视侧视图。具体而言，在图7所示的分离起点形成步骤S2-1中，激光束照射装置20从在第一面11a上粘贴有带21的晶片11的第二面11b侧照射激光束而在晶片11的内部形成分离起点。另外，图7所示的Z轴方向与铅垂方向大致平行。
激光束照射装置20具有圆柱状的工作台基台22。在工作台基台22的上部设置有隔着带21而载置晶片11的圆盘状的卡盘工作台24。
卡盘工作台24具有由不锈钢等金属形成的框体24a。框体24a具有圆盘状的底壁以及从该底壁的外周部朝向上方而设置的圆环状的侧壁，通过该侧壁划定出凹部。在该凹部中固定有由多孔质陶瓷形成的具有与凹部的内径大致相同的直径的圆盘状的多孔板(未图示)。
卡盘工作台24的多孔板经由形成于框体24a的流路而与真空泵等吸引源(未图示)连结。当使该吸引源进行动作时，在多孔板的上表面(卡盘工作台24的保持面)上产生负压。通过产生该负压，载置于卡盘工作台24的晶片11隔着带21而被卡盘工作台24吸引保持。
另外，工作台基台22和卡盘工作台24与水平方向移动机构(未图示)连结。当使该水平方向移动机构进行动作时，工作台基台22和卡盘工作台24在与Z轴方向垂直的面(水平面)上移动。
在卡盘工作台24的上方设置有激光束照射单元(未图示)的头26。头26与Z轴方向移动机构(未图示)连结。当使该Z轴方向移动机构进行动作时，头26在Z轴方向上移动，即头26进行升降。
激光束照射单元具有生成对于晶片11具有透过性的波长的激光束L的激光振荡器。该激光振荡器例如具有适合激光振荡的Nd：YAG等激光介质。另外，激光束照射单元具有包含将激光束L的聚光点定位于规定的高度的聚光透镜等的光学系统。并且，聚光透镜收纳于头26中。
在图7所示的分离起点形成步骤S2-1中，在按照将激光束L的聚光点定位于晶片11的内部的方式设定激光束照射单元的光学系统、例如头26的高度之后，一边使卡盘工作台24在水平面上移动一边照射激光束L。由此，在晶片11的内部形成作为分离起点的改质层11d和裂纹11e。
图8是示意性示出在通过加工步骤S1-2在外周部形成有阶梯差的晶片11的内部形成分离起点的分离起点形成步骤S2-2的局部剖视侧视图。另外，图8所示的激光束照射装置20与图7所示的激光束照射装置20相同，因此省略了说明。
在图8所示的分离起点形成步骤S2-2中，在按照将激光束L的聚光点定位于晶片11的第一面11a与残留的弯曲部11f之间的深度的方式设定激光束照射单元的光学系统例如头26的高度之后，一边使卡盘工作台24在水平面上移动一边照射激光束L。
具体而言，在图8所示的分离起点形成步骤S2-2中，光学系统设定成将激光束L的聚光点定位于第一假想面与第二假想面之间，该第一假想面在形成于外周部的阶梯差中的最接近第一面11a的部位通过且与第一面11a和第二面11b大致平行，该第二假想面在该阶梯差中的最接近第二面11b的部位通过且与第一面11a和第二面11b大致平行。
由此，在晶片11的第一面11a与残留的弯曲部11f之间的深度(即第一假想面与第二假想面之间)形成作为分离起点的改质层11d和裂纹11e。
图9是示意性示出在通过加工步骤S1-3形成有沿着外周面11c的弯曲部的槽11g的晶片11的内部形成分离起点的分离起点形成步骤S2-3的局部剖视侧视图。另外，图9所示的激光束照射装置20与图7和图8所示的激光束照射装置20相同，因此省略了说明。
在图9所示的分离起点形成步骤S2-3中，在按照将激光束L的聚光点定位于晶片11的第一面11a与槽11g的底面之间的深度的方式设定激光束照射单元的光学系统例如头26的高度之后，按照将聚光点维持在晶片11的比槽11g靠内侧的区域的方式一边使卡盘工作台24在水平面上移动一边照射激光束L。
具体而言，在图9所示的分离起点形成步骤S2-3中，光学系统设定成将激光束L的聚光点定位于第三假想面与第四假想面之间，该第三假想面在槽11g中的最接近第一面11a的部位通过且与第一面11a和第二面11b大致平行，该第四假想面在槽11g中的最接近第二面11b的部位通过且与第一面11a和第二面11b大致平行。
由此，在晶片11的第一面11a与槽11g的底面之间的深度(即，第三假想面与第四假想面之间)形成作为分离起点的改质层11d和裂纹11e。
在图2所示的晶片的分离方法中，在分离起点形成步骤S2之后，赋予外力而将晶片11分离成第一面侧和该第二面侧的两张(具有第一面11a的晶片和具有第二面11b的晶片)(分离步骤：S3)。
图10是示意性示出将通过分离起点形成步骤S2而形成有作为分离起点的改质层11d和裂纹11e的晶片11分离的分离步骤S3的局部剖视侧视图。具体而言，在图10所示的分离步骤S3中，使用超声波照射装置30对晶片11赋予外力而将晶片11分离成两张晶片。
超声波照射装置30具有对水等液体进行收纳的液槽32。在液槽32的底面上设置有载置晶片11的圆盘状的载置台34。另外，超声波照射装置30具有对收纳于液槽32的液体照射超声波的超声波照射单元36。
在图10所示的分离步骤S3中，例如超声波照射单元36对收纳于液槽32的液体照射超声波，由此对载置于载置台34的晶片11赋予外力。由此，以包含改质层11d和裂纹11e的分离起点的面作为分离面而将晶片11分离成两张晶片。
在本实施方式的晶片的分离方法中，在晶片11的内部形成分离起点之前，按照沿着外周面11c的弯曲部(进行了倒角的外周部)将晶片11的一部分去除的方式对晶片11进行加工。
由此，能够确保不产生外周面11c的弯曲部处的激光束的漫反射和/或聚光点的偏移而在晶片11的内部形成作为分离起点的改质层和裂纹。其结果是，能够将晶片11稳定地分离。
另外，上述实施方式的晶片的分离方法只是本发明的一个方式，具有与上述的晶片的分离方法不同的特征的晶片的分离方法也包含在本发明中。
例如在上述的加工步骤S1中，使切削刀具12切入至晶片11而将晶片11的一部分去除，但将晶片11的一部分去除的方法不限于此。
具体而言，在加工步骤S1中，可以通过照射被晶片11吸收的波长的激光束而产生激光烧蚀来将晶片11的一部分去除。
另外，在上述的分离起点形成步骤S2中，从第二面11b侧对晶片11照射激光束，但也可以从第一面11a侧对晶片11照射激光束。
在该情况下，在加工步骤S1中，不必将粘贴于第二面11b的带19分离并且不必在第一面11a上新粘贴带21而能够实施分离起点形成步骤S2，在这点上是优选的。另一方面，在从第二面11b侧对晶片11照射激光束的情况下，能够降低激光束的照射对器件15的影响，在这点上是优选的。
另外，在上述的分离起点形成步骤S2中，一边使卡盘工作台24在水平方向上移动一边对晶片11照射激光束L，但也可以一边使头26在水平方向上移动一边对晶片11照射激光束L。或者，也可以一边使卡盘工作台24和头26这双方移动一边对晶片11照射激光束L。
另外，在上述的分离步骤S3中，使用超声波照射装置30对晶片11赋予外力而分离成两张晶片，但对晶片11赋予外力的方法不限于使用超声波的方法。例如可以对晶片11赋予与第一面11a和第二面11b垂直的方向的拉伸应力而将晶片11分离成两张晶片。
除此之外，上述的实施方式和变形例的构造和方法等只要不脱离本发明的目的的范围，则可以适当变更并实施。

Claims (6)

1.一种晶片的分离方法，该晶片具有第一面、该第一面的相反侧的第二面以及位于该第一面和该第二面之间的外周面，该外周面具有向外侧呈凸状弯曲的弯曲部，该晶片的分离方法将该晶片分离成该第一面侧和该第二面侧的两张晶片，其特征在于，
该晶片的分离方法具有如下的步骤：
加工步骤，按照沿着该弯曲部将该晶片的一部分去除的方式对该晶片进行加工；
分离起点形成步骤，在该加工步骤之后，按照将对于该晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该晶片的内部并将该聚光点维持在该晶片的内部的方式一边使该聚光点与该晶片相对地移动一边照射该激光束，由此在该晶片的内部形成分离起点；以及
分离步骤，在该分离起点形成步骤之后，赋予外力而将该晶片从该分离起点分离成具有该第一面的晶片和具有该第二面的晶片。
2.根据权利要求1所述的晶片的分离方法，其中，
该弯曲部具有呈圆弧状延伸的第一部分和呈直线状延伸的第二部分，
在该加工步骤中，按照沿着该第一部分将该晶片的一部分呈圆弧状去除并且沿着该第二部分将该晶片的一部分呈直线状或圆弧状去除的方式对该晶片进行加工。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的分离方法，其特征在于，
在该加工步骤中，从该晶片将全部的该弯曲部去除。
4.根据权利要求1或2所述的晶片的分离方法，其特征在于，
在该加工步骤中，从该晶片的该第一面侧将该弯曲部的该第一面侧的一部分去除，
在该分离起点形成步骤中，将该聚光点定位于该晶片的该第一面与残留的该弯曲部之间的深度。
5.根据权利要求1或2所述的晶片的分离方法，其特征在于，
在该加工步骤中，从该晶片的该第一面侧将该晶片的该第一面侧的一部分去除而形成槽，
在该分离起点形成步骤中，将该聚光点定位于该晶片的该第一面与该槽的底面之间的深度，对该晶片的比该槽靠内侧的区域照射该激光束。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的晶片的分离方法，其特征在于，
在该加工步骤中，使切削刀具切入至该晶片而将该晶片的一部分去除。
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