DE102021210199A1 - Trennungsverfahren für Wafer - Google Patents

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Abstract

Es wird ein Trennungsverfahren eines Wafers bereitgestellt, durch das der Wafer, der eine erste Oberfläche, eine zweite Oberfläche an der der ersten Oberfläche gegenüberliegenden Seite und eine äußere Umfangsoberfläche aufweist, die zwischen der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche angeordnet ist und einen gekrümmten Teil aufweist, der sich in einer vorstehenden Weise nach außen krümmt, in zwei Wafer an der Seite der ersten Oberfläche und an der Seite der zweiten Oberfläche getrennt wird. Das Trennungsverfahren weist einen Bearbeitungsschritt eines Bearbeitens des Wafers, um einen Teil des Wafers entlang des gekrümmten Teils zu entfernen, einen Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt nach dem Bearbeitungsschritt eines Ausbildens eines Trennungsursprungs innerhalb des Wafers, indem der Fokuspunkt eines Laserstrahls mit einer Wellenlänge, die eine Durchlässigkeit in Bezug auf den Wafer aufweist, innerhalb des Wafers positioniert wird und eine Bestrahlung mit dem Laserstrahl ausgeführt wird, während der Fokuspunkt und der Wafer relativ in einer solchen Weise bewegt werden, dass der Fokuspunkt innerhalb des Wafers gehalten wird, und einen Trennungsschritt des Trennens des Wafers in einen Wafer, der die erste Oberfläche aufweist, und einen Wafer, der die zweite Oberfläche aufweist, von dem Trennungsursprung durch ein Ausüben einer äußeren Kraft nach dem Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Trennungsverfahren eines Wafers.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Chips, beinhaltend ein Leistungsbauelement wie beispielsweise einen Inverter oder einen Konverter, werden hergestellt, indem ein Wafer, an dem eine große Anzahl von Leistungsbauelementen an einer vorderen Oberfläche ausgebildet ist, in Bereiche geteilt wird, die jeweils das einzelne Leistungsbauelement aufweisen. Beispielsweise wird der Wafer durch ein Schleifen der Seite der hinteren Oberfläche unter Verwendung einer Schleifvorrichtung ausgedünnt, bis die Dicke davon eine vorgegebene Dicke erreicht, und anschließend unter Verwendung einer Bearbeitungsvorrichtung, wie einer Schneidvorrichtung und einer Laserbearbeitungsvorrichtung, in die einzelnen Chips geteilt.
  • In den vergangenen Jahren hat Siliziumkarbid (SiC) als ein Material der nächsten Generation für das Leistungsbauelemente Aufmerksamkeit erregt. Allerdings ist die Härte von Siliziumkarbid sehr hoch. Aus diesem Grund können bei der Herstellung von Leistungsbauelementen, beinhaltend ein Leistungselement, unter Verwendung eines Wafers aus Siliziumkarbid verwenden, möglicherweise verschiedene Probleme auftreten.
  • Wird beispielsweise ein aus Siliziumkarbid ausgestalteter Wafer unter Verwendung einer Schleifvorrichtung geschliffen, kann der Verschleiß eines zum Schleifen verwendeten abrasiven Steins hoch sein. In diesem Fall tritt die Notwendigkeit auf, den abrasiven Schleifstein häufig auszutauschen. Daher kann es möglicherweise zu Problemen dahingehend kommen, dass die Herstellungseffizienz der Chips sinkt und die Herstellungskosten ebenfalls steigen.
  • Als ein Verfahren zum Ausdünnen eines Wafers ist auch ein Verfahren unter Verwendung eines Laserstrahls bekannt (siehe beispielsweise die japanische Offenlegungsschrift Nr. 2017-28072). Bei diesem Verfahren wird der Wafer mit dem Laserstrahl bestrahlt, und es werden modifizierte Schichten und Risse innerhalb des Wafers ausgebildet. Danach wird der Wafer unter Verwendung der modifizierten Schichten und der Risse als der Trennungsursprung getrennt, indem eine äußere Kraft auf den Wafer ausgeübt wird.
  • Ferner kann es, wenn ein in verschiedenen Schritten bearbeiteter Wafer befördert wird, zu Brüchen und Abplatzungen im äußeren Umfangsteil des Wafers kommen. Als Verfahren zum Verhindern eines solchen Bruchs und einer Abplatzung ist ein Verfahren bekannt, bei dem der äußere Umfangsteil eines Wafers gefast wird, d. h. der äußere Umfangsteil wird geschliffen, um zu veranlassen, dass sich die äußere Umfangsoberfläche des Wafers in einer vorstehenden Weise nach außen krümmt (siehe beispielsweise die japanische Offenlegungsschrift Nr. 2017-183503 ).
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Bei einem Trennen eines Wafers mit einem gefasten äußeren Umfangsteil unter Verwendung des in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 2017-28072 offenbarten Verfahrens kann ein Laserstrahl aufgrund von Vertiefungen und Vorsprüngen, die in der äußeren Umfangsoberfläche vorhanden sind, diffus reflektiert werden. In diesem Fall besteht eine Möglichkeit, dass der Laserstrahl nicht an der Innenseite des äußeren Umfangsteils des Wafers fokussiert wird und modifizierte Schichten und Risse, die zum Trennungsursprung werden, nicht innerhalb des äußeren Umfangsbereichs ausgebildet werden.
  • Ferner besteht, wenn sich die äußere Umfangsoberfläche krümmt, auch eine Möglichkeit, dass die Position (Tiefe von der vorderen Oberfläche des Wafers) des Fokuspunkts des Laserstrahls von einer vorgesehenen Position abweicht. In diesem Fall wird, selbst wenn der Trennungsursprung innerhalb des äußeren Umfangsteils ausgebildet wird, der Trennungsursprung an einer Position (Tiefe von der vorderen Oberfläche des Wafers) ausgebildet, die sich von dem in dem anderen Teil ausgebildeten Trennungsursprung unterscheidet.
  • Aus diesem Grund besteht beim Bestrahlen des gefasten äußeren Umfangsteils des Wafers mit einem Laserstrahl eine Möglichkeit, dass der Wafer nicht getrennt wird oder der Wafer in zwei Wafer getrennt wird, bei denen die Dicke zwischen dem äußeren Umfangsteil und dem anderen Teil unterschiedlich ist. In Anbetracht dessen ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Trennungsverfahren für einen Wafer bereitzustellen, das den Wafer stabil trennen kann, bei dem der äußere Umfangsteil gefast ist.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Trennungsverfahren eines Wafers bereitgestellt, durch das der Wafer, der eine erste Oberfläche, eine zweite Oberfläche auf einer der ersten Oberfläche gegenüber angeordneten Seite und eine äußere Umfangsoberfläche aufweist, die zwischen der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche angeordnet ist und die einen gekrümmten Teil aufweist, der nach außen in einer vorstehenden Weise gekrümmt ist, in zwei Wafer an einer Seite der ersten Oberfläche und an einer Seite der zweiten Oberfläche getrennt wird. Das Trennungsverfahren weist auf: einen Bearbeitungsschritt eines Bearbeitens des Wafers, um einen Teil des Wafers entlang des gekrümmten Teils zu entfernen, einen Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt nach dem Bearbeitungsschritt eines Ausbildens eines Trennungsursprungs innerhalb des Wafers, indem ein Fokuspunkt eines Laserstrahls mit einer Wellenlänge, die eine Durchlässigkeit in Bezug auf den Wafer aufweist, innerhalb des Wafers positioniert wird und eine Bestrahlung mit dem Laserstrahl ausgeführt wird, während der Fokuspunkt und der Wafer relativ in einer solchen Weise bewegt werden, dass der Fokuspunkt innerhalb des Wafers gehalten wird, und einen Trennungsschritt eines Trennens des Wafers in einen Wafer mit der ersten Oberfläche und einen Wafer mit der zweiten Oberfläche von dem Trennungsursprung, indem nach dem Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt eine äußere Kraft aufgebracht wird.
  • Bevorzugt weist der gekrümmte Teil einen ersten Teil, der sich in einer kreisbogenartigen Weise erstreckt, und einen zweiten Teil auf, der sich in einer geradlinigen Weise erstreckt, und wird im Bearbeitungsschritt der Wafer so bearbeitet, dass ein Teil des Wafers in einer kreisbogenartigen Weise entlang des ersten Teils entfernt wird und ein Teil des Wafers in einer geradlinigen Weise oder in einer kreisbogenartigen Weise entlang des zweiten Teils entfernt wird.
  • Zusätzlich ist es bevorzugt, dass der gesamte gekrümmte Teil in dem Bearbeitungsschritt von dem Wafer entfernt wird.
  • Alternativ ist es bevorzugt, dass ein Teil des gekrümmten Teils an der Seite der ersten Oberfläche in dem Bearbeitungsschritt von der Seite der ersten Oberfläche des Wafers entfernt wird, und, in dem Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt der Fokuspunkt an einer Tiefe zwischen der ersten Oberfläche des Wafers und dem verbleibenden gekrümmten Teil positioniert wird.
  • Alternativ ist es bevorzugt, dass im Bearbeitungsschritt ein Teil des Wafers an der Seite der ersten Oberfläche von der Seite der ersten Oberfläche des Wafers entfernt wird, um eine Nut auszubilden, und, dass in dem Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt der Fokuspunkt an einer Tiefe zwischen der ersten Oberfläche des Wafers und einer Bodenoberfläche der Nut positioniert wird, und ein von der Nut des Wafers umgebener Bereich mit dem Laserstrahl bestrahlt wird.
  • Darüber hinaus ist es bevorzugt, dass eine Schneidklinge dazu gebracht wird, in den Wafer zu schneiden, um den Teil des Wafers in dem Bearbeitungsschritt zu entfernen.
  • Bei der vorliegenden Erfindung wird der Wafer vor einem Ausbilden des Trennungsursprungs im Inneren des Wafers bearbeitet, um einen Teil des Wafers entlang des gekrümmten Teils der äußeren Umfangsoberfläche (gefasteter äußerer Umfangsteil) zu entfernen. Dies ermöglicht es, modifizierte Schichten und Risse auszubilden, die zum Trennungsursprung im Inneren des Wafers werden, ohne eine diffuse Reflexion des Laserstrahls und/oder eine Ablenkung des Fokuspunkts am gekrümmten Teil der äußeren Umfangsoberfläche zu verursachen. Infolgedessen kann der Wafer stabil getrennt werden.
  • Die obige und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und ihre Umsetzungsweise werden am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche, unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher, und die Erfindung wird hierdurch am besten verstanden.
  • Figurenliste
    • 1A ist eine Draufsicht, die schematisch einen Wafer darstellt;
    • 1B ist eine Schnittansicht, die den Wafer schematisch darstellt;
    • 2 ist ein Flussdiagramm, das ein Beispiel für ein Trennungsverfahren eines Wafers darstellt;
    • 3 ist eine teilweise Schnittseitenansicht, die schematisch einen Bearbeitungsschritt eines Ausführens eines voll schneidenden Schneidens des Wafers darstellt;
    • 4 ist eine teilweise Schnittseitenansicht, die schematisch den Bearbeitungsschritt eines Ausführens eines halb schneidenden Schneidens des Wafers darstellt;
    • 5 ist eine teilweise Schnittseitenansicht, die schematisch den Bearbeitungsschritt eines Ausbildens einer Nut entlang eines gekrümmten Teils in dem Wafer darstellt;
    • 6A ist eine Schnittansicht, die schematisch den im Bearbeitungsschritt bearbeiteten Wafer darstellt;
    • 6B ist eine weitere Schnittansicht, die schematisch den im Bearbeitungsschritt bearbeiteten Wafer darstellt;
    • 6C ist eine weitere Schnittdarstellung, die schematisch den im Bearbeitungsschritt bearbeiteten Wafer darstellt;
    • 7 ist eine teilweise Schnittseitenansicht, die schematisch einen Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt zum Ausbilden eines Trennungsursprungs in dem Wafer darstellt, für den das voll schneidende Schneiden ausgeführt worden ist;
    • 8 ist eine teilweise Schnittseitenansicht, die schematisch einen Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt zum Ausbilden des Trennungsursprungs in dem Wafer darstellt, für den das halb schneidende Schneiden ausgeführt wurde;
    • 9 ist eine teilweise Schnittseitenansicht, die schematisch einen Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt eines Ausbildens des Trennungsursprungs in dem Wafer darstellt, in dem die Nut entlang des gekrümmten Teils ausgebildet worden ist; und
    • 10 ist eine teilweise Schnittseitenansicht, die schematisch einen Trennungsschritt zum Trennen des Wafers darstellt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. 1A und 1B sind Draufsichten und Schnittdarstellungen, die schematisch einen in zwei Wafer zu trennenden Wafer darstellen. Ein in 1A und 1B dargestellter Wafer 11 ist beispielsweise aus Siliziumkarbid (SiC) ausgestaltet.
  • Der Wafer 11 weist eine erste Oberfläche (vordere Oberfläche) 11a, eine zweite Oberfläche (hintere Oberfläche) 11b an der der ersten Oberfläche 11a gegenüberliegenden Seite und eine äußere Umfangsoberfläche 11c auf, die zwischen der ersten Oberfläche 11a und der zweiten Oberfläche 11b angeordnet ist. Ferner ist die Seite der ersten Oberfläche 11a des Wafers 11 durch mehrere geplante Teilungslinien 13, die einander schneiden, in mehrere Bereiche unterteilt, und in jedem Bereich ist ein Bauelement 15 wie beispielsweise ein Inverter oder ein Konverter ausgebildet.
  • In der äußeren Umfangsoberfläche 11c des Wafers 11 sind zwei ebene Teile ausgebildet, die die Kristallorientierung darstellen, was im Wesentlichen als eine primäre Orientierungsabflachung 17a und sekundäre Orientierungsabflachung 17b bezeichnet wird. Das heißt, die Teile, an denen die primäre Orientierungsabflachung 17a und die sekundäre Orientierungsabflachung 17b in der äußeren Umfangsoberfläche 11c ausgebildet sind, erstrecken sich geradlinig, und der andere Teil erstreckt sich kreisbogenartig.
  • Ferner ist der äußere Umfangsteil des Wafers 11 so gefast, dass sich die äußere Umfangsoberfläche 11c in einer vorstehenden Weise nach außen biegt. Dadurch weist die äußere Umfangsoberfläche 11c einen aufgrund der Fase ausgebildeten gekrümmten Teil auf. Außerdem erstreckt sich dieser gekrümmte Teil geradlinig an den Teilen, an denen die primäre Orientierungsabflachung 17a und die sekundäre Orientierungsabflachung 17b ausgebildet sind, und erstreckt sich kreisbogenartig an den anderen Stellen.
  • Das Material, die Form, der Aufbau, die Größe usw. des Wafers 11 sind nicht begrenzt. Der Wafer 11 könnte aus Materialien wie beispielsweise einem anderen Halbleiter wie Silizium (Si), Keramik, Kunststoff und Metall bestehen. Ferner könnte in der äußeren Umfangsoberfläche 11c des Wafers 11 anstelle der Orientierungsabflachung ein V-förmiger Einschnitt ausgebildet sein, der die Kristallorientierung darstellt, was im Wesentlichen als eine Kerbe bezeichnet wird.
  • Außerdem muss nicht der gesamte äußere Umfangsteil des Wafers 11 gefast sein. Beispielsweise könnte eine Ausgestaltung verwendet werden, bei der die Teile, an denen die primäre Orientierungsabflachung 17a und die sekundäre Orientierungsabflachung 17b im äußeren Umfangsteil des Wafers 11 ausgebildet sind, nicht gefast sind und nur der andere Teil gefast ist. In diesem Fall weist die äußere Umfangsoberfläche 11c einen gekrümmten Teil, der aufgrund der Fase ausgebildet ist, und einen nicht gefasten Teil, der nicht gefast ist, auf.
  • Ebenso sind Art, Anzahl, Form, Aufbau, Größe, Anordnung usw. des Bauelements 15 nicht beschränkt. Beispielsweise könnte das Bauelement 15 ein integrierter Schaltkreis (IC), eine Large-Scale-Integration (LSI) oder dergleichen sein. Ferner müssen die Bauelemente 15 nicht an dem Wafer 11 ausgebildet sein.
  • 2 ist ein Flussdiagramm, das ein Beispiel für ein Trennungsverfahren eines Wafers darstellt, das den in 1A und 1B dargestellten Wafer 11 in zwei Wafer an der Seite der ersten Oberfläche und an der Seite der zweiten Oberfläche trennt (ein Wafer mit der ersten Oberfläche 11a und ein anderer Wafer mit der zweiten Oberfläche 11b). Bei dem in 2 dargestellten Trennungsverfahren eines Wafers wird zunächst der Wafer 11 bearbeitet, um einen Teil des Wafers 11 entlang des gekrümmten Teils der äußeren Umfangsoberfläche 11c zu entfernen (Bearbeitungsschritt: S1) .
  • In dem Bearbeitungsschritt (S1) könnte der gesamte gekrümmte Teil von dem Wafer 11 entfernt werden (voll schneidendes Schneiden), um die äußere Umfangsoberfläche des Wafers 11 eben auszugestalten, oder ein Teil des gekrümmten Teils an der Seite der ersten Oberfläche 11a könnte von der Seite der ersten Oberfläche 11a des Wafers 11 entfernt werden (halb schneidendes Schneiden), um eine Stufe in dem äußeren Umfangsteil des Wafers 11 auszubilden. Außerdem könnte in dem Bearbeitungsschritt (S1) ein Teil des Wafers 11 an der Seite der ersten Oberfläche 11a von der Seite der ersten Oberfläche 11a entfernt werden, um eine Nut entlang des gekrümmten Teils der äußeren Umfangsoberfläche 11c auszubilden. Das heißt, in dem Bearbeitungsschritt (S1) wird zumindest ein Teil des Wafers 11 an der Seite der ersten Oberfläche 11a entlang des gekrümmten Teils der äußeren Umfangsoberfläche 11c entfernt.
  • Im Folgenden werden unter Bezugnahme auf 3 bis 5 nacheinander ein Bearbeitungsschritt (S1-1), in dem das voll schneidende Schneiden des Wafers 11 ausgeführt wird, um die äußere Umfangsoberfläche des Wafers 11 eben auszugestalten, ein Bearbeitungsschritt (S1-2), in dem das halb schneidende Schneiden des Wafers 11 ausgeführt wird, um eine Stufe in dem äußeren Umfangsteil des Wafers 11 auszubilden, und ein Bearbeitungsschritt (S1-3) beschrieben, in dem ein Teil des Wafers 11 an der Seite der ersten Oberfläche 11a entfernt wird, um eine Nut entlang des gekrümmten Teils der äußeren Umfangsoberfläche 11c auszubilden.
  • 3 ist eine teilweise Schnittseitenansicht, die schematisch den Bearbeitungsschritt (S1-1) darstellt, in dem das voll schneidende Schneiden des Wafers 11 ausgeführt wird, um die äußere Umfangsoberfläche des Wafers 11 eben auszugestalten. Insbesondere schneidet und entfernt eine Schneidvorrichtung 2 in dem in 3 dargestellten Bearbeitungsschritt (S1-1) den gesamten gekrümmten Teil von der Seite der ersten Oberfläche 11a des Wafers 11, für den ein Band 19 an der zweiten Oberfläche 11b angehaftet ist. Eine in 3 dargestellte Z-Achsen-Richtung verläuft im Wesentlichen parallel zur vertikalen Richtung.
  • Die Schneidvorrichtung 2 weist einen θ-Tisch 4 mit einer kreisförmigen Säulenform auf. An dem θ-Tisch 4 ist ein kreisscheibenförmiger Einspanntisch 6 angeordnet, über dem der Wafer 11 unter Zwischenschaltung des Bandes 19 platziert wird. Ferner ist der θ-Tisch 4 mit einer (nicht dargestellten) Drehantriebsquelle wie beispielsweise einem Motor gekoppelt. Wenn die Drehantriebsquelle betrieben wird, drehen sich der θ-Tisch 4 und der Einspanntisch 6 mit einer geraden Linie, die durch das Zentrum des Einspanntisches 6 verläuft und entlang der Z-Achsen-Richtung angeordnet ist, die das axiale Zentrum ist.
  • Der Einspanntisch 6 weist einen Rahmenkörper 6a auf, der aus einem Metall wie beispielsweise Edelstahl ausgebildet ist. Der Rahmenkörper 6a weist eine Bodenwand mit einer kreisförmigen Scheibenform und eine kreisförmige ringförmige Seitenwand auf, die von dem äußeren Umfangsteil der Bodenwand nach oben angeordnet ist, und ein vertiefter Teil wird durch die Seitenwand definiert. In dem vertieften Teil ist eine kreisscheibenförmige poröse Platte (nicht dargestellt) befestigt, die aus einer porösen Keramik ausgebildet ist und im Wesentlichen den gleichen Durchmesser wie der Innendurchmesser des vertieften Teils aufweist.
  • Die poröse Platte des Einspanntisches 6 ist durch einen im Rahmenkörper 6a ausgebildeten Strömungspfad mit einer Ansaugquelle (nicht dargestellt) wie beispielsweise einer Vakuumpumpe verbunden. Wenn die Ansaugquelle betätigt wird, wird ein Unterdruck an der oberen Oberfläche der porösen Platte (Halteoberfläche des Einspanntisches 6) erzeugt. Durch die Erzeugung des Unterdrucks wird der über dem Einspanntisch 6 platzierte Wafer 11 angesaugt und vom Einspanntisch 6 unter Zwischenschaltung des Bandes 19 festgehalten.
  • Außerdem sind der θ-Tisch 4 und der Einspanntisch 6 mit einem X-Achsen-Richtungs-Bewegungsmechanismus (nicht dargestellt) gekoppelt. Wenn der X-Achsen-Richtungs-Bewegungsmechanismus betätigt wird, bewegen sich der θ-Tisch 4 und der Einspanntisch 6 in einer zur Z-Achsen-Richtung orthogonalen Richtung (X-Achsen-Richtung).
  • Eine Schneideinheit 8 ist über dem Einspanntisch 6 angeordnet. Die Schneideinheit 8 ist mit einem Y-Achsen-Richtungs-Bewegungsmechanismus (nicht dargestellt) und einem Z-Achsen-Richtungs-Bewegungsmechanismus (nicht dargestellt) verbunden. Wenn der Y-Achsen-Richtungs-Bewegungsmechanismus betätigt wird, bewegt sich die Schneideinheit 8 in die Richtung, die orthogonal zur Z-Achsen-Richtung und orthogonal zur X-Achsen-Richtung ist (Y-Achsen-Richtung). Ferner bewegt sich die Schneideinheit 8 in der Z-Achsen-Richtung, d. h. die Schneideinheit 8 hebt und senkt sich, wenn dieser Z-Achsen-Richtungs-Bewegungsmechanismus betätigt wird.
  • Die Schneideinheit 8 weist eine Spindel 10 auf, die sich in der Y-Achsen-Richtung erstreckt und eine kreisförmige Säulenform aufweist. An einem Endteil der Spindel 10 ist eine Schneidklinge 12 angebracht, die einen kreisförmig ringförmigen Schneidrand aufweist. Beispielsweise handelt es sich bei der Schneidklinge 12 um eine Schneidklinge vom Naben-Typ, die durch ein Verbinden einer aus einem Metall ausgestalteten kreisförmig ringförmigen Basis oder dergleichen und dem kreisförmig ringförmigen Schneidrand entlang des äußeren Umfangsrandes der Basis ausgestaltet ist.
  • Der Schneidrand der Schneidklinge vom Naben-Typ ist durch einen elektrogeformten abrasiven Stein ausgestaltet, in dem abrasive Körner, die aus Diamant, kubischem Bornitrid (cBN) oder dergleichen bestehen, durch ein Bindemittel aus Nickel oder dergleichen fixiert sind. Ferner könnte als die Schneidklinge 12 eine Schneidklinge vom Scheiben-Typ verwendet werden, die durch einen kreisförmig ringförmigen Schneidrand ausgestaltet ist, in dem abrasive Körner durch ein aus Metall, Keramik, Kunststoff oder dergleichen ausgestaltetes Bindemittel fixiert sind.
  • Darüber hinaus ist das andere Ende der Spindel mit einer Drehantriebsquelle (nicht dargestellt) wie beispielsweise einem Motor verbunden. Wenn die Drehantriebsquelle betätigt wird, dreht sich die Schneidklinge 12 zusammen mit der Spindel 10 mit einer geraden Linie, die durch das Zentrum der Spindel 10 verläuft und entlang der Y-Achsen-Richtung angeordnet ist, die das axiale Zentrum ist.
  • In dem in 3 dargestellten Bearbeitungsschritt (S1) wird beispielsweise der gesamte gekrümmte Teil der kreisbogenförmigen äußeren Umfangsoberfläche 11c des Wafers 11, d. h. die äußere Umfangsoberfläche 11c an dem Teil, der nicht zu den Teilen gehört, an denen die primäre Orientierungsabflachung 17a und die sekundäre Orientierungsabflachung 17b ausgebildet sind, entfernt, und danach wird der gesamte gekrümmte Teil der äußeren Umfangsoberfläche 11c an den Teilen, an denen die primäre Orientierungsabflachung 17a und die sekundäre Orientierungsabflachung 17b ausgebildet sind, entfernt.
  • Beispielsweise wird zunächst der Einspanntisch 6 und/oder die Schneideinheit 8 so positioniert, dass das untere Ende der Schneidklinge 12 direkt über der kreisbogenförmigen äußeren Umfangsoberfläche 11c des Wafers 11 angeordnet ist. Danach wird die Schneideinheit 8 abgesenkt, bis die Schneidklinge 12 in einem Zustand, in dem sich die Schneidklinge 12 dreht, mit dem Band 19 in Kontakt kommt.
  • Danach wird der Einspanntisch 6 um mindestens eine Umdrehung gedreht, wobei die Schneidklinge 12 in Rotation gehalten wird. Dadurch wird der gesamte gekrümmte Teil der kreisbogenförmigen äußeren Umfangsoberfläche 11c des Wafers 11 entfernt. Das heißt, der gesamte gekrümmte Teil, der kreisbogenartig erstreckt, wird kreisbogenartig entfernt.
  • Danach wird der Einspanntisch 6 gedreht, um die primäre Orientierungsabflachung 17a oder die sekundäre Orientierungsabflachung 17b dazu zu veranlassen, parallel zur X-Achsen-Richtung zu verlaufen. Danach wird der Einspanntisch 6 entlang der X-Achsen-Richtung bewegt, um zu veranlassen, dass die Schneidklinge 12 vom Wafer 11 getrennt wird. Danach wird die Schneideinheit 8 entlang der Y-Achsen-Richtung so bewegt, dass die Schneidklinge 12 in der X-Achsen-Richtung, von der primären Orientierungsabflachung 17a oder der sekundären Orientierungsabflachung 17b aus gesehen, angeordnet ist.
  • Danach wird die Schneideinheit 8 abgesenkt, um zu veranlassen, dass das untere Ende der Schneidklinge 12 niedriger als die obere Oberfläche des Bandes 19 und höher als dessen untere Oberfläche angeordnet ist. Danach wird der Einspanntisch 6 entlang der X-Achsen-Richtung so bewegt, dass der Wafer 11 in dem Zustand, in dem sich die Schneidklinge 12 dreht, von einem Ende der Schneidklinge 12 in der X-Achsen-Richtung zum anderen Ende durch die Schneidklinge 12 verläuft.
  • Infolgedessen wird der gesamte gekrümmte Teil der äußeren Umfangsoberfläche 11c an den Stellen, an denen die primäre Orientierungsabflachung 17a und die sekundäre Orientierungsabflachung 17b ausgebildet sind, entfernt. Das heißt, der gesamte gekrümmte Teil, der sich in einer geradlinigen Weise erstreckt, wird in einer geradlinigen Weise entfernt.
  • 4 ist eine teilweise Schnittseitenansicht, die schematisch den Bearbeitungsschritt (S1-2) darstellt, bei dem der das halb schneidende Schneiden des Wafers 11 ausgeführt wird, um eine Stufe im äußeren Umfangsteil des Wafers 11 auszubilden. Die in 4 dargestellte Schneidvorrichtung 2 ist die gleiche wie die in 3 dargestellte Schneidvorrichtung 2, und deshalb wird auf eine Beschreibung derselben verzichtet.
  • In dem in 4 dargestellten Bearbeitungsschritt (S1-2) wird beispielsweise ein Teil des gekrümmten Teils an der Seite der ersten Oberfläche 11a in der kreisbogenförmigen äußeren Umfangsoberfläche 11c des Wafers 11 entfernt, und danach wird ein Teil des gekrümmten Teils an der Seite der ersten Oberfläche 11a in der äußeren Umfangsoberfläche 11c an den Teilen, an denen die primäre Orientierungsabflachung 17a und die sekundäre Orientierungsabflachung 17b ausgebildet sind, entfernt.
  • Beispielsweise wird zunächst der Einspanntisch 6 und/oder die Schneideinheit 8 so positioniert, dass das untere Ende der Schneidklinge 12 direkt über der kreisbogenförmigen äußeren Umfangsoberfläche 11c des Wafers 11 angeordnet ist. Danach wird die Schneideinheit 8 in dem Zustand, in dem die Schneidklinge 12 rotiert, abgesenkt, bis das untere Ende der Schneidklinge 12 eine Position erreicht, die niedriger als die erste Oberfläche 11a und höher als die zweite Oberfläche 11b liegt.
  • Danach wird der Einspanntisch 6 um mindestens eine Umdrehung gedreht, wobei die Schneidklinge 12 in Rotation gehalten wird. Dadurch wird ein Teil des gekrümmten Teils an der Seite der ersten Oberfläche 11a in der kreisbogenförmigen äußeren Umfangsoberfläche 11c des Wafers 11 entfernt. Das heißt, ein Teil an der Seite der ersten Oberfläche 11a in dem gekrümmten Teil, der sich kreisbogenförmig erstreckt, wird kreisbogenartig abgetragen.
  • Danach wird der Einspanntisch 6 gedreht, um die primäre Orientierungsabflachung 17a oder die sekundäre Orientierungsabflachung 17b dazu zu veranlassen, parallel zur X-Achsen-Richtung zu verlaufen. Danach wird der Einspanntisch 6 entlang der X-Achsen-Richtung bewegt, um zu veranlassen, dass die Schneidklinge 12 vom Wafer 11 getrennt wird. Danach wird die Schneideinheit 8 entlang der Y-Achsen-Richtung so bewegt, dass die Schneidklinge 12 in der X-Achsen-Richtung, von der primären Orientierungsabflachung 17a oder der sekundären Orientierungsabflachung 17b aus gesehen, angeordnet ist.
  • Danach wird die Schneideinheit 8 abgesenkt, um zu veranlassen, dass das untere Ende der Schneidklinge 12 niedriger als die erste Oberfläche 11a und höher als die zweite Oberfläche 11b wird. Danach wird der Einspanntisch 6 entlang der X-Achsen-Richtung so bewegt, dass der Wafer 11 in dem Zustand, in dem sich die Schneidklinge 12 dreht, von einem Ende der Schneidklinge 12 in der X-Achsen-Richtung zum anderen Ende durch die Schneidklinge 12 verläuft.
  • Folglich wird ein Teil des gekrümmten Teils an der Seite der ersten Oberfläche 11a in der äußeren Umfangsoberfläche 11c an den Stellen, an denen die primäre Orientierungsabflachung 17a und die sekundäre Orientierungsabflachung 17b ausgebildet sind, entfernt. Das heißt, ein Teil an der Seite der ersten Oberfläche 11a in dem gekrümmten Teil, der sich auf eine geradlinig Weise erstreckt, wird auf eine geradlinige Weise entfernt.
  • 5 ist eine teilweise Schnittseitenansicht, die schematisch den Bearbeitungsschritt (S1-3) darstellt, bei dem ein Teil des Wafers 11 an der Seite der ersten Oberfläche 11a entfernt wird, um eine Nut entlang des gekrümmten Teils der äußeren Umfangsoberfläche 11c auszubilden. Die in 5 dargestellte Schneidvorrichtung 2 ist die gleiche wie die in 3 und 4 dargestellte Schneidvorrichtung 2, und auf eine Beschreibung wird verzichtet.
  • In dem in 5 dargestellten Bearbeitungsschritt (S1-3) wird beispielsweise eine Nut, die sich kreisbogenartig erstreckt, entlang des gekrümmten Teils der kreisbogenförmigen äußeren Umfangsoberfläche 11c des Wafers 11 ausgebildet, und danach wird eine Nut, die sich in einer geradlinigen Weise erstreckt, entlang des gekrümmten Teils der äußeren Umfangsoberfläche 11c an den Teilen ausgebildet, an denen die primäre Orientierungsabflachung 17a und die sekundäre Orientierungsabflachung 17b ausgebildet sind.
  • Beispielsweise wird zunächst der Einspanntisch 6 und/oder die Schneideinheit 8 so positioniert, dass das untere Ende der Schneidklinge 12 direkt über einem Bereich angeordnet ist, in dem der Abstand vom Zentrum des Wafers 11 kürzer ist als der Abstand zwischen der kreisbogenförmigen äußeren Umfangsoberfläche 11c und dem Zentrum des Wafers 11 und länger ist als der kürzeste Abstand zwischen der primären Orientierungsabflachung 17a und der sekundären Orientierungsabflachung 17b und dem Zentrum des Wafers 11.
  • Danach wird die Schneideinheit 8 in dem Zustand, in dem sich die Schneidklinge 12 dreht, abgesenkt, bis das untere Ende der Schneidklinge 12 eine Position erreicht, die niedriger als die erste Oberfläche 11a und höher als die zweite Oberfläche 11b ist. Danach wird der Einspanntisch 6 um mindestens eine Umdrehung gedreht, wobei die Schneidklinge 12 in Rotation gehalten wird.
  • Dadurch wird entlang des gekrümmten Teils der kreisbogenförmigen äußeren Umfangsoberfläche 11c des Wafers 11 eine Nut ausgebildet, die sich kreisbogenartig erstreckt. Das heißt, ein Teil des Wafers 11 an der Seite der ersten Oberfläche 11a wird entlang des gekrümmten Teils, der sich kreisbogenartig erstreckt, kreisbogenartig entfernt.
  • Danach wird der Einspanntisch 6 gedreht, um die primäre Orientierungsabflachung 17a oder die sekundäre Orientierungsabflachung 17b dazu zu veranlassen, parallel zur X-Achsen-Richtung zu verlaufen. Danach wird der Einspanntisch 6 entlang der X-Achsen-Richtung bewegt, um zu veranlassen, dass die Schneidklinge 12 vom Wafer 11 getrennt wird. Danach wird die Schneideinheit 8 entlang der Y-Achsen-Richtung so bewegt, dass die Schneidklinge 12 an einer Position positioniert wird, die von der primären Orientierungsabflachung 17a oder der sekundären Orientierungsabflachung 17b aus gesehen leicht von der X-Achsen-Richtung leicht zur Seite des Wafers 11 abweicht.
  • Danach wird die Schneideinheit 8 abgesenkt, um zu veranlassen, dass das untere Ende der Schneidklinge 12 niedriger als die erste Oberfläche 11a und höher als die zweite Oberfläche 11b wird. Danach wird der Einspanntisch 6 entlang der X-Achsen-Richtung so bewegt, dass der Wafer 11 in dem Zustand, in dem sich die Schneidklinge 12 dreht, durch die Schneidklinge 12 von einem Ende der Schneidklinge 12 in X-Achsen-Richtung zum anderen Ende verläuft.
  • Infolgedessen wird entlang des gekrümmten Teils der äußeren Umfangsoberfläche 11c an den Teilen, an denen die primäre Orientierungsabflachung 17a und die sekundäre Orientierungsabflachung 17b ausgebildet sind, eine Nut ausgebildet, die sich in einer geradlinigen Weise erstreckt. Das heißt, ein Teil des Wafers 11 an der Seite der ersten Oberfläche 11a wird entlang des gekrümmten Teils, der sich in einer geradlinigen Weise erstreckt, in einer geradlinigen Weise entfernt.
  • Alternativ könnte in dem in 5 dargestellten Bearbeitungsschritt (S1-3) durch ein Entfernen eines Teils des Wafers 11 an der Seite der ersten Oberfläche 11a von der Seite der ersten Oberfläche 11a eine kreisförmige Nut ausgebildet werden. Das heißt, in dem in 5 dargestellten Bearbeitungsschritt (S1-3) könnte eine Nut ausgebildet werden, wobei sich die Nut kreisbogenartig entlang des gekrümmten Teils der kreisbogenförmigen äußeren Umfangsoberfläche 11c des Wafers 11 erstreckt und sich kreisbogenartig entlang des gekrümmten Teils der äußeren Umfangsoberfläche 11c an den Teilen erstreckt, an denen die primäre Orientierungsabflachung 17a und die sekundäre Orientierungsabflachung 17b ausgebildet sind.
  • Beispielsweise wird zunächst der Einspanntisch 6 und/oder die Schneideinheit 8 so positioniert, dass das untere Ende der Schneidklinge 12 direkt über einem Bereich angeordnet ist, in dem die Distanz zum Zentrum des Wafers 11 kürzer ist als der kürzeste Abstand zwischen der primären Orientierungsabflachung 17a und der sekundären Orientierungsabflachung 17b und dem Zentrum des Wafers 11.
  • Danach wird die Schneideinheit 8 in dem Zustand, in dem sich die Schneidklinge 12 dreht, abgesenkt, bis das untere Ende der Schneidklinge 12 eine Position erreicht, die niedriger als die erste Oberfläche 11a und höher als die zweite Oberfläche 11b ist. Danach wird der Einspanntisch 6 um mindestens eine Umdrehung gedreht, wobei die Schneidklinge 12 in Rotation gehalten wird. Dadurch wird an der Seite der ersten Oberfläche 11a des Wafers 11 eine kreisförmige Nut ausgebildet.
  • Das heißt, ein Teil des Wafers 11 an der Seite der ersten Oberfläche 11a wird kreisbogenartig entlang des sich gekrümmten Teils, der sich kreisbogenartig erstreckt, (gekrümmter Teil der kreisbogenförmigen äußeren Umfangsoberfläche 11c) entfernt. Zusätzlich wird ein Teil des Wafers 11 an der Seite der ersten Oberfläche 11a entlang des gekrümmten Teils, der sich geradlinig erstreckt, kreisbogenartig entfernt (gekrümmter Teil der äußeren Umfangsoberfläche 11c an den Stellen, an denen die primäre Orientierungsabflachung 17a und die sekundäre Orientierungsabflachung 17b ausgebildet sind).
  • 6A, 6B und 6C sind jeweils eine Schnittansicht, die schematisch den Wafer 11 darstellt, der bearbeitet wird, um einen Teil des Wafers 11 entlang des gekrümmten Teils der äußeren Umfangsoberfläche 11c im Bearbeitungsschritt (S1) zu entfernen.
  • Insbesondere ist 6A eine Schnittansicht, die den Wafer 11 darstellt, bei dem die äußere Umfangsoberfläche im Bearbeitungsschritt (S1-1) eben ausgestaltet wurde. Ferner ist 6B eine Schnittansicht, die den Wafer 11 darstellt, bei dem im Bearbeitungsschritt (S1-2) eine Stufe im äußeren Umfangsteil ausgebildet wurde. Außerdem ist 6C eine Schnittansicht, die den Wafer 11 darstellt, bei dem im Bearbeitungsschritt (S1-3) eine Nut entlang des gekrümmten Teils der äußeren Umfangsoberfläche 11c ausgebildet wurde.
  • Bei dem in 2 dargestellten Trennungsverfahren eines Wafers wird nach dem Bearbeitungsschritt (S1) ein Trennungsursprung im Inneren des Wafers 11 ausgebildet, indem der Wafer 11 mit einem Laserstrahl bestrahlt wird (Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt: S2).
  • Im Folgenden werden unter Bezugnahme auf 7 bis 9 nacheinander ein Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt (S2-1) eines Ausbildens eines Trennungsursprungs im Inneren des Wafers 11, bei dem die äußere Umfangsoberfläche eben ausgestaltet wurde, ein Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt (S2-2) eines Ausbildens eines Trennungsursprungs im Inneren des Wafers 11, bei dem eine Stufe im äußeren Umfangsteil ausgebildet wurde, und ein Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt (S2-3) eines Ausbildens eines Trennungsursprungs im Inneren des Wafers 11, bei dem eine Nut entlang des gekrümmten Teils der äußeren Umfangsoberfläche 11c ausgebildet wurde, beschrieben.
  • 7 ist eine teilweise Schnittseitenansicht, die schematisch den Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt (S2-1) eines Ausbildens eines Trennungsursprungs im Inneren des Wafers 11 darstellt, bei dem die äußere Umfangsoberfläche im Bearbeitungsschritt (S1-1) eben ausgestaltet wurde. Insbesondere bestrahlt in dem in 7 dargestellten Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt (S2-1) eine Laserstrahl-Bestrahlungsvorrichtung 20 den Wafer 11 mit einem Laserstrahl von der Seite der zweiten Oberfläche 11b des Wafers 11, für die ein Band 21 an der ersten Oberfläche 11a angehaftet ist, um den Trennungsursprung innerhalb des Wafers 11 auszubilden. Eine in 7 dargestellte Z-Achsen-Richtung verläuft im Wesentlichen parallel zur vertikalen Richtung.
  • Die Laserstrahl-Bestrahlungsvorrichtung 20 weist eine Tischbasis 22 mit einer kreisförmigen Säulenform auf. An der Tischbasis 22 ist ein kreisscheibenförmiger Einspanntisch 24 angeordnet, über dem der Wafer 11 unter Zwischenschaltung des Bandes 21 platziert wird.
  • Der Einspanntisch 24 weist einen Rahmenkörper 24a auf, der aus einem Metall wie beispielsweise rostfreiem Stahl ausgebildet ist. Der Rahmenkörper 24a weist eine Bodenwand mit einer kreisförmigen Scheibenform und eine kreisförmige ringförmige Seitenwand auf, die von dem äußeren Umfangsteil der Bodenwand nach oben angeordnet ist, und ein vertiefter Teil wird durch die Seitenwand definiert. In dem vertieften Teil ist eine kreisscheibenförmige poröse Platte (nicht dargestellt) befestigt, die aus einer porösen Keramik ausgebildet ist und im Wesentlichen den gleichen Durchmesser wie der Innendurchmesser des vertieften Teils aufweist.
  • Die poröse Platte des Einspanntisches 24 ist mit einer Ansaugquelle (nicht dargestellt) wie beispielsweise einer Vakuumpumpe über einen im Rahmenkörper 24a ausgebildeten Strömungspfad verbunden. Wenn die Ansaugquelle betätigt wird, wird ein Unterdruck an der oberen Oberfläche der porösen Platte (Halteoberfläche des Einspanntisches 24) erzeugt. Aufgrund der Erzeugung des Unterdrucks wird der über dem Einspanntisch 24 platzierte Wafer 11 angesaugt und vom Einspanntisch 24 unter Zwischenschaltung des Bandes 21 gehalten.
  • Außerdem sind die Tischbasis 22 und der Einspanntisch 24 mit einem Horizontalbewegungsmechanismus (nicht dargestellt) gekoppelt. Wenn der Horizontalbewegungsmechanismus betätigt wird, bewegen sich die Tischbasis 22 und der Einspanntisch 24 in der Ebene orthogonal zur Z-Achsen-Richtung (Horizontalebene).
  • Über dem Einspanntisch 24 ist ein Kopf 26 einer Laserstrahl-Bestrahlungseinheit (nicht dargestellt) angeordnet. Der Kopf 26 ist mit einem Z-Achsen-Richtungs-Bewegungsmechanismus (nicht dargestellt) gekoppelt. Wenn der Z-Achsen-Bewegungsmechanismus betätigt wird, bewegt sich der Kopf 26 in der Z-Achsen-Richtung, d. h. der Kopf 26 hebt und senkt sich.
  • Die Laserbestrahlungseinheit weist einen Laseroszillator auf, der einen Laserstrahl L mit einer Wellenlänge erzeugt, die in Bezug auf den Wafer 11 durchlässig ist. Der Laseroszillator weist ein für die Laseroszillation geeignetes Lasermedium wie beispielsweise Nd:YAG auf. Ferner weist die Laserstrahl-Bestrahlungseinheit ein optisches System auf, das eine Sammellinse aufweist, die den Fokuspunkt des Laserstrahls L an einer vorgegebenen Höhe positioniert, usw. Zusätzlich ist die Sammellinse in dem Kopf 26 untergebracht.
  • In dem in 7 dargestellten Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt (S2-1) wird die Höhe des optischen Systems der Laserstrahl-Bestrahlungseinheit, beispielsweise des Kopfes 26, so festgelegt, dass der Fokuspunkt des Laserstrahls L innerhalb des Wafers 11 positioniert wird. Danach wird eine Bestrahlung mit dem Laserstrahl L ausgeführt, während der Einspanntisch 24 in der horizontalen Ebene bewegt wird. Dadurch werden modifizierte Schichten 11d und Risse 11e, die zum Trennungsursprung werden, innerhalb des Wafers 11 ausgebildet.
  • 8 ist eine teilweise Schnittseitenansicht, die schematisch den Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt (S2-2) eines Ausbildens eines Trennungsursprungs innerhalb des Wafers 11 darstellt, bei dem im Bearbeitungsschritt (S1-2) eine Stufe im äußeren Umfangsteil ausgebildet wurde. Die in 8 dargestellte Laserstrahl-Bestrahlungsvorrichtung 20 ist die gleiche wie die in 7 dargestellte Laserstrahl-Bestrahlungsvorrichtung 20, weshalb auf eine Beschreibung davon verzichtet wird.
  • In dem in 8 dargestellten Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt (S2-2) wird die Höhe des optischen Systems der Laserstrahl-Bestrahlungseinheit, beispielsweise des Kopfes 26, so festgelegt, dass der Fokuspunkt des Laserstrahls L auf einer Tiefe zwischen der ersten Oberfläche 11a des Wafers 11 und einen gekrümmten Teil 11f positioniert wird, der übrig bleibt. Danach wird eine Bestrahlung mit dem Laserstrahl L ausgeführt, während der Einspanntisch 24 in der horizontalen Ebene bewegt wird.
  • Konkret wird in dem in 8 dargestellten Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt (S2-2) das optische System so festgelegt, dass der Fokuspunkt des Laserstrahls L zwischen einer ersten virtuellen Ebene, die durch die Stelle verläuft, die der ersten Oberfläche 11a in dem im äußeren Umfangsteil ausgebildeten Schritt am nächsten ist und die im Wesentlichen parallel zur ersten Oberfläche 11a und zur zweiten Oberfläche 11b verläuft, und einer zweiten virtuellen Ebene positioniert wird, die durch die Stelle verläuft, die der zweiten Oberfläche 11b in diesem Schritt am nächsten ist und die im Wesentlichen parallel zur ersten Oberfläche 11a und zur zweiten Oberfläche 11b verläuft.
  • Dadurch werden die modifizierten Schichten 11d und die Risse 11e, die zum Trennungsursprung werden, in der Tiefe zwischen der ersten Oberfläche 11a des Wafers 11 und dem verbleibenden gekrümmten Teil 11f (d. h. zwischen der ersten virtuellen Ebene und der zweiten virtuellen Ebene) ausgebildet.
  • 9 ist eine teilweise Schnittseitenansicht, die schematisch den Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt (S2-3) eines Ausbildens eines Trennungsursprungs innerhalb des Wafers 11 darstellt, in dem eine Nut 11g entlang des gekrümmten Teils der äußeren Umfangsoberfläche 11c im Bearbeitungsschritt (S1-3) ausgebildet wurde. Die in 9 dargestellte Laserstrahl-Bestrahlungsvorrichtung 20 ist die gleiche wie die in 7 und 8 dargestellte Laserstrahl-Bestrahlungsvorrichtung 20, weshalb auf eine Beschreibung davon verzichtet wird.
  • In dem in 9 dargestellten Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt (S2-3) wird die Höhe des optischen Systems der Laserstrahl-Bestrahlungseinheit, beispielsweise des Kopfes 26, so festgelegt, dass der Fokuspunkt des Laserstrahls L an einer Tiefe zwischen der ersten Oberfläche 11a des Wafers 11 und der Bodenoberfläche der Nut 11g positioniert ist. Danach wird eine Bestrahlung mit dem Laserstrahl L ausgeführt, während der Einspanntisch 24 in der horizontalen Ebene so bewegt wird, dass der Fokuspunkt in dem Bereich gehalten wird, der von der Nut 11g des Wafers 11 umgeben ist.
  • Insbesondere wird in dem in 9 dargestellten Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt (S2-3) das optische System so festgelegt, dass der Fokuspunkt des Laserstrahls L zwischen einer dritten virtuellen Ebene, die durch die Stelle verläuft, die der ersten Oberfläche 11a in der Nut 11g am nächsten liegt und die im Wesentlichen parallel zur ersten Oberfläche 11a und zur zweiten Oberfläche 11b ist, und einer vierten virtuellen Ebene positioniert wird, die durch die Stelle verläuft, die der zweiten Oberfläche 11b in der Nut 11g am nächsten liegt und die im Wesentlichen parallel zur ersten Oberfläche 11a und zur zweiten Oberfläche 11b ist.
  • Dadurch werden die modifizierten Schichten 11d und die Risse 11e, die zum Trennungsursprung werden, an der Tiefe zwischen der ersten Oberfläche 11a des Wafers 11 und der Bodenoberfläche der Nut 11g (d. h. zwischen der dritten virtuellen Ebene und der vierten virtuellen Ebene) ausgebildet.
  • Bei dem in 2 dargestellten Trennungs-Verfahren eines Wafers wird der Wafer 11 nach dem Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt (S2) durch ein Aufbringen einer äußeren Kraft in zwei Wafer an der Seite der ersten Oberfläche und an der Seite der zweiten Oberfläche (der Wafer mit der ersten Oberfläche 11a und der Wafer mit der zweiten Oberfläche 11b) getrennt (Trennungsschritt: S3).
  • 10 ist eine teilweise Schnittseitenansicht, die schematisch den Trennungsschritt (S3) eines Trennens des Wafers 11 darstellt, in dem die modifizierten Schichten 11d und die Risse 11e, die zum Trennungsursprung werden, im Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt (S2) ausgebildet wurden. Insbesondere wird in dem in 10 dargestellten Trennungsschritt (S3) unter Verwendung einer Ultraschall-Bestrahlungsvorrichtung 30 eine äußere Kraft auf den Wafer 11 aufgebracht, und der Wafer 11 wird in zwei Wafer getrennt.
  • Die Ultraschall-Bestrahlungsvorrichtung 30 weist einen Flüssigkeitsbehälter 32 auf, der eine Flüssigkeit wie beispielsweise Wasser unterbringt. An der Bodenoberfläche des Flüssigkeitsbehälters 32 ist ein kreisscheibenförmiger Platziertisch 34 platziert, an dem der Wafer 11 platziert wird. Außerdem weist die Ultraschall-Bestrahlungsvorrichtung 30 eine Ultraschall-Bestrahlungseinheit 36 auf, die die im Flüssigkeitsbehälter 32 untergebrachte Flüssigkeit mit Ultraschallwellen bestrahlt.
  • In dem in 10 dargestellten Trennungsschritt (S3) bestrahlt beispielsweise die Ultraschall-Bestrahlungseinheit 36 die in dem Flüssigkeitsbehälter 32 untergebrachte Flüssigkeit mit Ultraschallwellen und dadurch wird eine äußere Kraft auf den am dem Platzierungstisch 34 platzierten Wafer 11 ausgeübt. Dadurch wird der Wafer 11 in zwei Wafer getrennt, wobei eine Ebene, die den Trennungsursprung der modifizierten Schichten 11d und die Risse 11e aufweist, die Trennungsebene ist.
  • Bei dem Trennungsverfahren eines Wafers gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird der Wafer 11 vor einem Ausbilden des Trennungsursprungs im Inneren des Wafers 11 bearbeitet, um einen Teil des Wafers 11 entlang des gekrümmten Teils der äußeren Umfangsoberfläche 11c (gefasteter äußerer Umfangsteil) zu entfernen.
  • Dies ermöglicht es, die modifizierten Schichten und die Risse auszubilden, die zum Trennungsursprung im Inneren des Wafers 11 werden, ohne eine diffuse Reflexion des Laserstrahls und/oder eine Abweichung des Fokuspunkts am gekrümmten Teil der äußeren Umfangsoberfläche 11c zu veranlassen. Infolgedessen kann der Wafer 11 stabil getrennt werden.
  • Das Trennungsverfahren eines Wafers gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform ist nur ein Aspekt der vorliegenden Erfindung, und ein Trennungsverfahren eines Wafers, das andere Eigenschaften aufweist als diejenigen des oben beschriebenen Trennungsverfahren eines Wafers ist ebenfalls in der vorliegenden Erfindung enthalten.
  • Beispielsweise wird in dem oben beschriebenen Bearbeitungsschritt (S1), die Schneidklinge 12 dazu gebracht, in den Wafer 11 zu schneiden, und ein Teil des Wafers 11 wird entfernt. Das Verfahren zum Entfernen eines Teils des Wafers 11 ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Insbesondere könnte in dem Bearbeitungsschritt (S1) ein Teil des Wafers 11 durch ein Ausführen einer Bestrahlung mit einem Laserstrahl mit einer solchen Wellenlänge, dass er von dem Wafer 11 absorbiert wird und eine Laserablation veranlasst, entfernt werden.
  • Ferner wird in dem oben beschriebenen Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt (S2) der Wafer 11 mit dem Laserstrahl von der Seite der zweiten Oberfläche 11b bestrahlt. Der Wafer 11 könnte jedoch auch von der Seite der ersten Oberfläche 11a aus mit dem Laserstrahl bestrahlt werden.
  • Dies ist insofern vorteilhaft, als der Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt (S2) ausgeführt werden kann, ohne dass das im Bearbeitungsschritt (S1) an der zweiten Oberfläche 11b angeklebte Band 19 getrennt wird und ohne dass das Band 21 neu an die erste Oberfläche 11a geklebt wird. Andererseits ist der Fall, in dem der Wafer 11 mit dem Laserstrahl von der Seite der zweiten Oberfläche 11b bestrahlt wird, insofern bevorzugt, als die Beeinflussung der Bauelemente 15 durch die Bestrahlung mit dem Laserstrahl reduziert werden kann.
  • Außerdem wird in dem oben beschriebenen Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt (S2) der Wafer 11 mit dem Laserstrahl L bestrahlt, während der Einspanntisch 24 in der horizontalen Richtung bewegt wird. Der Wafer 11 könnte jedoch mit dem Laserstrahl L bestrahlt werden, während der Kopf 26 in der horizontalen Richtung bewegt wird. Alternativ dazu könnte der Wafer 11 mit dem Laserstrahl L bestrahlt werden, während sowohl der Einspanntisch 24 als auch der Kopf 26 bewegt werden.
  • Ferner wird in dem oben beschriebenen Trennungsschritt (S3) unter Verwendung der Ultraschall-Bestrahlungsvorrichtung 30 eine äußere Kraft auf den Wafer 11 aufgebracht, um den Wafer 11 in zwei Wafer zu trennen. Das Verfahren zum Aufbringen einer äußeren Kraft auf den Wafer 11 ist jedoch nicht auf das Verfahren unter Verwendung von Ultraschallwellen beschränkt. Beispielsweise könnte eine Zugspannung in der Richtung orthogonal zu der ersten Oberfläche 11a und der zweiten Oberfläche 11b auf den Wafer 11 ausgeübt werden, um den Wafer 11 in zwei Wafer zu trennen.
  • Daneben können Strukturen, Verfahren usw. gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform und Modifikationsbeispielen mit entsprechenden Änderungen ausgeführt werden, ohne den Bereich des Gegenstands der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in die Äquivalenz des Umfangs der Ansprüche fallen, sind folglich durch die Erfindung einbezogen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2017183503 [0006]
    • JP 201728072 [0007]

Claims (6)

  1. Trennungsverfahren eines Wafers, durch das der Wafer, der eine erste Oberfläche, eine zweite Oberfläche auf einer der ersten Oberfläche gegenüber angeordneten Seite und eine äußere Umfangsoberfläche aufweist, die zwischen der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche angeordnet ist und die einen gekrümmten Teil aufweist, der nach außen in einer vorstehenden Weise gekrümmt ist, in zwei Wafer an einer Seite der ersten Oberfläche und an einer Seite der zweiten Oberfläche getrennt wird, wobei das Trennungsverfahren aufweist: einen Bearbeitungsschritt eines Bearbeitens des Wafers, um einen Teil des Wafers entlang des gekrümmten Teils zu entfernen; einen Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt nach dem Bearbeitungsschritt eines Ausbildens eines Trennungsursprungs innerhalb des Wafers, indem ein Fokuspunkt eines Laserstrahls mit einer Wellenlänge, die eine Durchlässigkeit in Bezug auf den Wafer aufweist, innerhalb des Wafers positioniert wird und eine Bestrahlung mit dem Laserstrahl ausgeführt wird, während der Fokuspunkt und der Wafer relativ in einer solchen Weise bewegt werden, dass der Fokuspunkt innerhalb des Wafers gehalten wird; und einen Trennungsschritt eines Trennens des Wafers in einen Wafer mit der ersten Oberfläche und einen Wafer mit der zweiten Oberfläche von dem Trennungsursprung, indem nach dem Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt eine äußere Kraft aufgebracht wird.
  2. Trennungsverfahren eines Wafers gemäß Anspruch 1, wobei der gekrümmte Teil einen ersten Teil, der sich in einer kreisbogenartigen Weise erstreckt, und einen zweiten Teil aufweist, der sich in einer geradlinigen Weise erstreckt, und, im Bearbeitungsschritt der Wafer so bearbeitet wird, dass ein Teil des Wafers in einer kreisbogenartigen Weise entlang des ersten Teils entfernt wird und ein Teil des Wafers in einer geradlinigen Weise oder in einer kreisbogenartigen Weise entlang des zweiten Teils entfernt wird.
  3. Trennungsverfahren eines Wafers gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei der gesamte gekrümmte Teil in dem Bearbeitungsschritt von dem Wafer entfernt wird.
  4. Trennungsverfahren eines Wafers gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei ein Teil des gekrümmten Teils an der Seite der ersten Oberfläche in dem Bearbeitungsschritt von der Seite der ersten Oberfläche des Wafers entfernt wird, und, in dem Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt der Fokuspunkt an einer Tiefe zwischen der ersten Oberfläche des Wafers und dem verbleibenden gekrümmten Teil positioniert wird.
  5. Trennungsverfahren eines Wafers gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei im Bearbeitungsschritt ein Teil des Wafers an der Seite der ersten Oberfläche von der Seite der ersten Oberfläche des Wafers entfernt wird, um eine Nut auszubilden, und, in dem Trennungsursprungs-Ausbildungsschritt der Fokuspunkt an einer Tiefe zwischen der ersten Oberfläche des Wafers und einer Bodenoberfläche der Nut positioniert wird, und ein von der Nut des Wafers umgebener Bereich mit dem Laserstrahl bestrahlt wird.
  6. Trennungsverfahren eines Wafers gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Schneidklinge dazu gebracht wird, in den Wafer zu schneiden, um den Teil des Wafers in dem Bearbeitungsschritt zu entfernen.
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