CN114203880A - 芯片级封装发光二极管 - Google Patents

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Abstract

提供一种芯片级封装发光二极管。在根据本实施例的发光二极管中，使焊盘金属层暴露的开口部与使形成于台面上的欧姆反射层暴露的下部绝缘层的开口部隔开。因此，能够防止焊料，特别是Sn扩散而污染欧姆反射层。

Description

芯片级封装发光二极管
本申请是申请日为2017年8月31日、申请号为201780051117.4、题为“芯片级封装发光二极管”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种发光二极管，尤其涉及一种芯片级封装形态的发光二极管。
背景技术
通常，诸如氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)等III族元素的氮化物热稳定性良好且具有直接跃迁型能带(band)结构，因此近来作为可见光及紫外线区域的光源用物质而备受瞩目。尤其，利用氮化铟镓(InGaN)的蓝色发光二极管及绿色发光二极管应用于大规模自然色平板显示装置、信号灯、室内照明、高密度光源、高分辨率输出系统及光通信等多种应用领域。
最近，对于发光二极管正在进行关于在芯片级执行封装工艺的芯片级封装形态的发光二极管的研究。由于这种发光二极管的尺寸小于一般的封装件，并且无需单独执行封装工艺，因此能够进一步简化工艺，从而能够节约时间及成本。
芯片级封装形态的发光二极管大体具有倒装芯片形状的电极结构，因此散热特性良好。然而，这样的发光二极管通常制造为具有倒装芯片形状的电极结构，因此具有为了防止倒装焊接时使用的焊料扩散，而使发光二极管的结构相当复杂的问题。然而，焊料(特别是，Sn)可能扩散到发光二极管内部，从而污染欧姆反射层并导致发光二极管的不良。
因此，需要提供一种能够简化发光二极管的结构并且可靠的发光二极管的努力。
发明内容
技术问题
本发明要解决的课题在于提供如下的一种发光二极管：无需复杂地变更发光二极管的结构也能够有效地防止焊料等焊接材料的扩散，从而能够提高可靠性。
本发明要解决的又一课题在于提供一种能够在有限的设计范围内有效地防止焊料的扩散的发光二极管。
本发明要解决的又一课题在于提供一种能够防止焊料在包括多个发光单元的发光二极管中扩散的发光二极管。
技术方案
根据本发明的一实施例的一种发光二极管包括：基板；第一导电型半导体层，布置于所述基板上；台面，位于所述第一导电型半导体层上，并包含活性层及第二导电型半导体层；欧姆反射层，布置于所述台面上，并电连接于所述第二导电型半导体层；下部绝缘层，覆盖所述台面及欧姆反射层，并包含使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；第一焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，并通过所述第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；第二焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，并通过所述第二开口部电连接于所述欧姆反射层；以及，上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层及所述第二焊盘金属层，并包含使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部，其中，所述上部绝缘层的第二开口部与所述下部绝缘层的第二开口部隔开。
由于上部绝缘层的第二开口部与下部绝缘层的第二开口部隔开，因此能够阻断焊料向欧姆反射层扩散。
进而，从所述下部绝缘层的第二开口部到所述上部绝缘层的第二开口部的最短距离可以大于从所述下部绝缘层的第二开口部到所述第二焊盘金属层的边缘部位的最短距离。虽然上部绝缘层及下部绝缘层阻断焊料扩散，但是焊料可能沿下部绝缘层与第二焊盘金属层的交界到达下部绝缘层的第二开口部。因此，通过在有限的设计范围内使下部绝缘层的第二开口部远离上部绝缘层的第二开口部隔开，能够增加焊料的扩散路径，从而能够防止焊料扩散导致的不良发生。
另外，所述下部绝缘层的第一开口部可以沿所述台面周围使所述第一导电型半导体层暴露，所述第一焊盘金属层具有：外部接触部，沿所述台面周围接触于所述第一导电型半导体层暴露。由于第一焊盘金属层沿台面周围接触于第一导电型半导体层，因此能够提高发光二极管的电流分散性能。
并且，所述台面可以包括使所述第一导电型半导体层暴露的凹陷部，所述下部绝缘层的第一开口部在所述凹陷部内进一步使所述第一导电型半导体层暴露。进而，所述第一焊盘金属层还可以包括：内部接触部，在所述凹陷部内接触于所述第一导电型半导体层。由于第一焊盘金属层在台面边缘及台面内部接触于第一导电型半导体层，因此进一步强化发光二极管的电流分散性能。
进而，所述内部接触部可以与所述外部接触部连接，然而本发明并不局限于此，内部接触部与外部接触部也可以相互隔开。
另外，所述下部绝缘层的第二开口部可以具有在与所述上部绝缘层的第二开口部相向的侧凸出的形状，所述上部绝缘层的第二开口部具有对应于所述下部绝缘层的第二开口部的凸出的形状而凹入的形状。所述下部绝缘层的第二开口部可以具有相对小于所述上部绝缘层的第二开口部的大小。因此，所述下部绝缘层具有凸出的形状有利于图案化。并且，通过使所述上部绝缘层的第二开口部具有凹入部，能够增大与下部绝缘层的隔开距离。
在若干实施例中，通过所述上部绝缘层的第一开口部及第二开口部暴露的所述第一焊盘金属层及第二焊盘金属层可以是焊料直接焊接的焊接焊盘。因此，焊料接触于通过上部绝缘层的开口部暴露的第一焊盘金属层及第二焊盘金属层的上表面。
在另一实施例中，所述发光二极管还可以包括：第一凸起焊盘及第二凸起焊盘，分别覆盖通过所述上部绝缘层的第一开口部及第二开口部暴露的所述第一焊盘金属层及第二焊盘金属层。通过采用第一凸起焊盘及第二凸起焊盘能够加长焊料的扩散路径。
进一步，所述第一凸起焊盘及第二凸起焊盘可以分别覆盖所述上部绝缘层的第一开口部及第二开口部而密封。因此，能够防止焊料直接接触于第一焊盘金属层及第二焊盘金属层。
另外，所述第二凸起焊盘还可以覆盖所述下部绝缘层的第二开口部上部的上部绝缘层。
根据本发明的又一实施例的一种发光二极管包括：基板；第一发光单元及第二发光单元，相邻地布置于所述基板上，并且均包含第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，分别布置于所述第一发光单元及第二发光单元的第二导电型半导体层上；下部绝缘层，覆盖所述第一发光单元、第二发光单元及欧姆反射层，并具有使所述第一发光单元及第二发光单元的第一导电型半导体层暴露的第一开口部及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；第一焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，并通过所述第一发光单元上的第一开口部电连接于所述第一发光单元的第一导电型半导体层；第二焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，并通过所述第二发光单元的第二开口部电连接于所述第二发光单元上的欧姆反射层；以及，上部绝缘层，具有使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部，其中，所述上部绝缘层的第二开口部与所述下部绝缘层的第二开口部隔开。
因此，能够提供一种能够防止焊料在包括多个发光单元的发光二极管中的扩散的发光二极管。
进一步，从所述第二发光单元上的所述下部绝缘层的第二开口部到所述第二发光单元上的所述上部绝缘层的第二开口部的最短距离可以大于从所述第二发光单元上的下部绝缘层的第二开口部到所述第二焊盘金属层的边缘部位的最短距离。因此，能够在有限的设计范围内有效地防止焊料扩散。
另外，所述发光二极管还可以包括：连接金属层，布置于所述下部绝缘层上，通过所述第一发光单元的第二开口部电连接于所述第一发光单元上的欧姆反射层，并且通过所述第二发光单元的第一开口部电连接于所述第二发光单元的第一导电型半导体层。因此，发光单元可以相互串联。
进一步，所述下部绝缘层的第一开口部可以沿所述第一发光单元及第二发光单元各自的边缘部位使所述第一导电型半导体层在各个发光单元的至少一个侧面暴露，所述第一焊盘金属层沿所述第一发光单元的边缘部位接触于所述第一导电型半导体层，所述连接金属层沿所述第二发光单元的边缘部位接触于所述第一导电型半导体层。所述第一焊盘金属层及所述连接金属层与所述第一导电型半导体层接触的区域可以是连续的，也可以是断续的。
进一步，所述连接金属层可以沿所述第二发光单元的边缘部位在至少一个侧面接触于所述第一导电型半导体层。尤其，所述连接金属层可以沿所述第二发光单元的边缘部位在四个侧面与所述第一导电型半导体层接触。
所述第二发光单元上的所述下部绝缘层的第二开口部可以为一个，然而并不局限于此，也可以为多个。
在若干实施例中，通过所述上部绝缘层的第一开口部及第二开口部暴露的所述第一焊盘金属层及第二焊盘金属层可以是焊料直接焊接的焊接焊盘。因此，焊料接触于通过上部绝缘层的开口部暴露的第一焊盘金属层及第二焊盘金属层的上表面。
在另一实施例中，所述发光二极管还可以包括：第一凸起焊盘及第二凸起焊盘，分别覆盖通过所述上部绝缘层的第一开口部及第二开口部暴露的所述第一焊盘金属层及第二焊盘金属层。
所述第一凸起焊盘及第二凸起焊盘可以分别覆盖所述上部绝缘层的第一开口部及第二开口部而密封。
进一步，所述第二凸起焊盘还可以覆盖所述下部绝缘层的第二开口部上部的上部绝缘层。
根据本发明的又一实施例的一种发光二极管包括：第一导电型半导体层；台面，位于所述第一导电型半导体层上，并包含活性层及第二导电型半导体层；欧姆反射层，布置于所述台面上，并电连接于所述第二导电型半导体层；下部绝缘层，覆盖所述台面及欧姆反射层，并包含使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；第一焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，并通过所述第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；第二焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，并通过所述第二开口部电连接于所述欧姆反射层；以及，上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层及所述第二焊盘金属层，并包含使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部，其中，所述上部绝缘层的第二开口部与所述下部绝缘层的第二开口部隔开而不重叠。
通过在上部绝缘层形成多个第二开口部，能够减少焊料的扩散路径，进一步使上部绝缘层的多个第二开口部与下部绝缘层的第二开口部隔开，从而能够阻断焊料向欧姆反射层扩散。
另外，所述发光二极管还可以包括：第一凸起焊盘，通过所述上部绝缘层的第一开口部连接于所述第一焊盘金属层；以及，第二凸起焊盘，通过所述上部绝缘层的第二开口部连接于所述第二焊盘金属层。并且，所述第一导电型半导体层可以布置于基板上。
在若干实施例中，从所述下部绝缘层的第二开口部到所述上部绝缘层的第二开口部的最短距离可以大于所述上部绝缘层的第二开口部之间的最短距离。
在若干实施例中，所述下部绝缘层可以包括多个第二开口部，从所述下部绝缘层的第二开口部到所述上部绝缘层的第二开口部的最短距离可以大于所述下部绝缘层的第二开口部之间的最短距离。
虽然上部绝缘层及下部绝缘层阻断焊料扩散，但是焊料可能沿下部绝缘层与第二焊盘金属层的交界到达下部绝缘层的第二开口部。因此，通过在有限的设计范围内使下部绝缘层的第二开口部远离上部绝缘层的第二开口部隔开，能够增加焊料的扩散路径，从而能够防止焊料扩散导致的不良发生。
所述下部绝缘层的第一开口部可以沿所述台面周围使所述第一导电型半导体层暴露，所述第一焊盘金属层具有：外部接触部，沿所述台面周围接触于所述第一导电型半导体层。由于第一焊盘金属层沿台面周围接触于第一导电型半导体层，因此能够提高发光二极管的电流分散性能。
并且，所述台面可以包括使所述第一导电型半导体层暴露的凹陷部，所述下部绝缘层的第一开口部在所述凹陷部内进一步使所述第一导电型半导体层暴露。进一步，所述第一焊盘金属层还可以包括：内部接触部，在所述凹陷部内接触于所述第一导电型半导体层。第一焊盘金属层在台面周围及台面内部接触于第一导电型半导体层，因此进一步强化发光二极管的电流分散性能。
进一步，所述内部接触部可以与所述外部接触部连接，然而本发明并不局限于此，内部接触部与外部接触部也可以相互隔开。
在若干实施例中，所述台面可以具有贯通所述第二导电型半导体层及活性层而使所述第一导电型半导体层暴露的通孔，所述下部绝缘层的第一开口部使在所述通孔暴露的第一导电型半导体层暴露，所述第一焊盘金属层具有：内部接触部，接触于在所述通孔暴露的第一导电型半导体层。
进一步，所述第一焊盘金属层可以具有：外部接触部，在所述台面外部接触于所述第一导电型半导体层，其中，所述外部接触部相互隔开。
另外，所述下部绝缘层可以包括多个第二开口部，所述第二凸起焊盘覆盖所述下部绝缘层的至少一个第二开口部上部。进一步，所述第二凸起焊盘也可以将所述下部绝缘层的第二开口部上部全部覆盖。
并且，所述第一凸起焊盘及第二凸起焊盘可以分别覆盖所述上部绝缘层的第一开口部及第二开口部而密封。通过所述第一凸起焊盘及第二凸起焊盘防止第一焊盘金属层及第二焊盘金属层暴露于焊料。并且，通过将上部绝缘层的第一开口部及第二开口部形成为多个，能够减少焊料通过第一凸起焊盘及第二凸起焊盘向第一焊盘金属层及第二焊盘金属层扩散的路径，从而能够延迟了焊料扩散。
另外，所述第一凸起焊盘可以覆盖所述下部绝缘层的至少一个第二开口部上部。第一凸起焊盘只要与第二焊盘金属层绝缘，其位置及形状可以进行多种变形，第二凸起焊盘只要与第一焊盘金属层绝缘，其位置及形状可以进行多种变形。例如，所述第二凸起焊盘与所述第一凸起焊盘之间可以包括凸出部。进一步，所述下部绝缘层的第二开口部中的至少一个可以位于所述凸出部下部。
另外，所述第二焊盘金属层可以被所述第一焊盘金属层包围。因此，在第一焊盘金属层与第二焊盘金属层之间可以形成有使下部绝缘层暴露的边界区域。该边界区域可以被上部绝缘层覆盖。
在若干实施例中，所述下部绝缘层可以包括多个第二开口部，所述上部绝缘层的第二开口部中的至少一个布置于所述下部绝缘层的两个第二开口部之间。
另外，在所述第一导电型半导体层上可以布置有多个台面，所述下部绝缘层的第二开口部及所述上部绝缘层的第二开口部可以布置于各个台面上，所述第一凸起焊盘及所述第二凸起焊盘覆盖分别遍布多个所述台面而布置。进一步，所述第一焊盘金属层可以覆盖所述台面，所述第二焊盘金属层可以布置于各个台面上。
在若干实施例中，所述第二凸起焊盘可以限定位于所述第二焊盘金属层上部区域内，然而并不局限于此，所述第二凸起焊盘也可以与所述第一焊盘金属层部分重叠。
有益效果
根据本发明的实施例，通过使上部绝缘层的开口部与下部绝缘层的开口部隔开，能够防止焊料(特别是，Sn)通过下部绝缘层的开口部扩散到欧姆反射层，从而提高发光二极管的可靠性。并且，将从上部绝缘层的开口部到下部绝缘层的开口部的最短距离形成为大于从下部绝缘层的开口部到焊盘金属层的最短距离，从而能够在有限的设计范围内有效地防止焊料的扩散
关于本发明的其他优点及效果，将会通过详细说明进一步明确。
附图说明
图1是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管的示意性平面图。
图2是沿图1的截取线A-A截取的剖面图。
图3是是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图。
图4是沿图3的截取线A-A截取的剖面图。
图5是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图。
图6是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图。
图7是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图。
图8是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图。
图9是沿图8的截取线B-B截取的剖面图。
图10是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图。
图11是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管的示意性平面图。
图12是沿图11的截取线C-C截取的剖面图。
图13a及图13b是用于说明与图11的实施例相关的下部绝缘层及上部绝缘层的开口部的示意性平面图。
图14是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图。
图15是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图。
图16是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图。
图17是沿图16的截取线D-D截取的剖面图。
图18是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图。
图19是沿图18的截取线E-E截取的剖面图。
图20a及图20b是用于说明与图18的实施例相关的下部绝缘层及上部绝缘层的开口部的示意性平面图。
图21是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图。
图22是用于说明根据本发明的一实施例的应用发光二极管的照明装置的分解立体图。
图23是用于说明根据本发明的又一实施例的应用发光二极管的显示装置的剖面图。
图24是用于说明根据本发明的又一实施例的应用发光二极管的显示装置的剖面图。
图25是用于说明根据本发明的又一实施例的将发光二极管应用到前照灯的示例的剖面图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施例。为了将本发明的思想充分传递给本领域技术人员，作为示例提供以下介绍的实施例。因此，本发明并不局限于如下所述的实施例，其可以具体化为其他形态。并且，在附图中，可能为了便利而夸张图示构成要素的宽度、长度、厚度等。并且，当记载为某个构成要素布置于其他构成要素的“上部”或“上”时，不仅包括各部分“直接”布置于其他部分的“上部”或“上”的情形，还包括各构成要素与其他构成要素之间插入有另一构成要素的情形。在整个说明书中，相同的附图符号表示相同的构成要素。
图1是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管的示意性平面图，图2是沿图1的截取线A-A截取的剖面图。
参照图1及图2，所述发光二极管包括基板21、第一导电型半导体层23、活性层25、第二导电型半导体层27、欧姆反射层31、下部绝缘层33、第一焊盘金属层35a、第二焊盘金属层35b及上部绝缘层37。进而，所述发光二极管还可以包括预备绝缘层29。
所述基板21为只要使氮化镓系半导体层生长的基板即可，不受特别的限定。基板21例如可以是蓝宝石基板、氮化镓基板、SiC基板等多种基板，并且可以是图案化的蓝宝石基板。如平面图图1所示，基板21可以具有矩形或正方形的外型，然而并不一定限定于此。基板21的大小不受特别的限定，可以进行多样的选择。
第一导电型半导体层23布置于基板21上。第一导电型半导体层23是在基板21上生长的层，是氮化镓系半导体层。第一导电型半导体层23可以是掺杂有杂质，例如Si的氮化镓系半导体层。
在第一导电型半导体层上布置有台面M。台面M可以限定位于被第一导电型半导体层23包围的区域内侧，因此，第一导电型半导体层的边缘部位附近的区域没有被台面M覆盖而暴露于外部。
台面M包括第二导电型半导体层27及活性层25。所述活性层25插入于第一导电型半导体层23与第二导电型半导体层27之间。活性层25可以具有单一量子阱结构或多量子阱结构。活性层25内的阱层的组成及厚度决定生成的光的波长。尤其，通过调节阱层的组成，可以提供生成紫外线、蓝色光或绿色光的活性层。
另外，第二导电型半导体层27可以是掺杂有p型杂质，例如Mg的氮化镓系半导体层。第一导电型半导体层23及第二导电型半导体层27可以分别为单层，然而并不局限于此，也可以是多层，并且也可以包括超晶格层。第一导电型半导体层23、活性层25及第二导电型半导体层27可以利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)等公知方法在腔室内的基板21上生长而形成。
另外，如图1所示，在所述台面M可以形成有向内部渗透的凹陷部，第一导电型半导体层23的上表面可以通过凹陷部而暴露。凹陷部可以从台面M的一侧边缘部位朝向与其相对的另一侧边缘部位，向台面M内部较长地形成，并且可以经过台面M中心。在本实施例中，对台面M具有凹陷部的情形进行了说明，但是台面M例如也可以具有与基板21相似的四边形形状，并且在台面M的内部形成有使第一导电型半导体层23暴露的贯通孔(多个)。
另外，欧姆反射层31布置于台面M上部而接触于第二导电型半导体层27。欧姆反射层31在台面M上部区域可以遍布台面M的几乎全部区域而布置。例如，欧姆反射层31可以覆盖台面M上部区域的80％以上，进而可以覆盖90％以上。
欧姆反射层31可以包括具有反射性的金属层，因此，可以将在活性层25生成而向欧姆反射层31传播的光向基板21侧反射。例如，欧姆反射层31可以形成为单一反射金属层，然而并不局限于此，也可以包括欧姆层及反射层。可以使用诸如Ni等金属层或诸如ITO等透明氧化物层作为欧姆层，可以使用诸如Ag或Al等反射率高的金属层作为反射层。
另外，预备绝缘层29可以覆盖所述欧姆反射层31周围的台面M。预备绝缘层29例如可以利用SiO2形成，并且可以覆盖台面M侧面，进而覆盖第一导电型半导体层23的一部分区域。在另一实施例中，预备绝缘层29也可以仅在台面M上部只布置于欧姆反射层31周围。
下部绝缘层33覆盖台面M及欧姆反射层31。下部绝缘层33还可以沿台面M周围覆盖第一导电型半导体层23，并且可以在台面M内部的凹陷部覆盖第一导电型半导体层23。下部绝缘层33尤其覆盖台面M的侧面。
另外，下部绝缘层33具有使第一导电型半导体层暴露的第一开口部33a1、33a2，以及使欧姆反射层31暴露的第二开口部33b。第一开口部33a1沿台面M的周围暴露第一导电型半导体层23，第一开口部33a2在所述凹陷部内暴露第一导电型半导体层23。如图1所示，所述第一开口部33a1及第一开口部33a2可以相互连接。然而，并不限定于此，第一开口部33a1、33a2也可以相互隔开。
第二开口部33b使欧姆反射层31暴露。可以形成有多个第二开口部33b，这些第二开口部33b可以布置于所述凹陷部的两侧。后文将对第二开口部33b的位置再次进行说明。
另外，下部绝缘层33覆盖预备绝缘层29而与预绝缘层29合并。除非特别说明，否则可以理解为预备绝缘层29包含于下部绝缘层33。下部绝缘层33可以利用SiO2或Si3N4的单一层形成，然而并不局限于此。例如，下部绝缘层33可以具有包括氮化硅膜和氧化硅膜的多层结构，并且也可以包括氧化硅膜及氧化钛膜交替层叠的分布式布拉格反射器。
另外，第一焊盘金属层35a布置于所述下部绝缘层33上，且通过下部绝缘层33而与台面M及欧姆反射层31绝缘。第一焊盘金属层35a通过下部绝缘层33的第一开口部33a1、33a2与第一导电型半导体层23接触。第一焊盘金属层35a可以包括：外部接触部35a1，沿台面M的周围与第一导电型半导体层23接触；以及，内部接触部35a2，在所述凹陷部内与第一导电型半导体层23接触。外部接触部35a1沿台面M的周围在基板21的边缘部位附近与第一导电型半导体层23接触，内部接触部35a2在被外部接触部35a1包围的区域内部与第一导电型半导体层23接触。外部接触部35a1与内部接触部35a2可以相互连接，然而，并不限定于此，也可以相互隔开。
另外，第二焊盘金属层35b在下部绝缘层33上布置于台面M上部区域，且通过下部绝缘层33的第二开口部33b电连接于欧姆反射层31。第二焊盘金属层35b可以被第一焊盘金属层35a包围，且可以在两者之间形成边界区域35ab。下部绝缘层33从边界区域35ab暴露，且该边界区域35ab被后述的上部绝缘层37覆盖。
第一焊盘金属层35a及第二焊盘金属层35b可以在相同工艺中使用相同材料而一起形成。第一焊盘金属层35a及第二焊盘金属层35b可以包括如A1层等高欧姆反射层，且高欧姆反射层可以在Ti、Cr或Ni等的粘结层上形成。并且，在所述高欧姆反射层上可以形成Ni、Cr、Au等的单层或复合层结构的保护层。第一焊盘金属层35a及第二焊盘金属层35b例如可以具有Cr/Al/Ni/Ti/Ni/Ti/Au/Ti的多层结构。
上部绝缘层37覆盖第一焊盘金属层35a及第二焊盘金属层35b。并且，上部绝缘层37可以沿台面M周围覆盖第一导电型半导体层23。但是，上部绝缘层37可以沿基板21的边缘部位使第一导电型半导体层23暴露。
另外，上部绝缘层37具有使第一焊盘金属层35a暴露的第一开口部37a，以及使第二焊盘金属层35b暴露的第二开口部37b。第一开口部37a及第二开口部37b可以布置于台面M上部区域，且可以彼此相向布置。尤其，第一开口部37a及第二开口部37b可以靠近台面M的两侧边缘部位而布置。
上述的下部绝缘层33的第二开口部33b可位于上部绝缘层37的第一开口部37a与第二开口部37b之间。下部绝缘层33的第二开口部33b不仅与上部绝缘层37的第一开口部37a隔开，而且与第二开口部37b隔开。
如图1及图2所示，从上部绝缘层37的第二开口部37b到下部绝缘层33的第二开口部33b的最短距离L1大于从下部绝缘层33的第二开口部33b到第二焊盘金属层35b的边缘部位的最短距离L2。因此，可以将下部绝缘层33的第二开口部33b相对远离上部绝缘层37的第二开口部37b而设置，从而能够进一步更好地防止焊料污染欧姆反射层31。
上部绝缘层37可以利用SiO2或Si3N4的单一层形成，然而并不局限于此。例如，上部绝缘层37可以具有包括氮化硅膜和氧化硅膜的多层结构，并且也可以包括氧化硅膜及氧化钛膜交替层叠的分布式布拉格反射器。
在通过所述上部绝缘层37的第一开口部37a及第二开口部37b暴露的第一焊盘金属层35a及第二焊盘金属层35b可以作为焊料直接焊接的焊盘。因此，当根据本实施例的发光二极管利用焊料焊接于印刷电路基板或基座时，焊料可以直接接触于第一焊盘金属层35a及第二焊盘金属层35b。在另一实施例中，在第一焊盘金属层35a及第二焊盘金属层35b上可以追加第一凸起焊盘及第二凸起焊盘，参照图3及图4对此进行说明。
图3是是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图，图4是沿图3的截取线A-A截取的剖面图。
参照图3及图4，根据本实施例的发光二极管与参照图1及图2说明的发光二极管大体相似，差异在于还包括第一凸起焊盘39a及第二凸起焊盘39b。
第一凸起焊盘39a覆盖通过上部绝缘层37的第一开口部37a暴露的第一焊盘金属层35a，第二凸起焊盘39b覆盖通过上部绝缘层37的第二开口部37b暴露的第二焊盘金属层35b。所述第一凸起焊盘39a及第二凸起焊盘39b可以分别覆盖并密封上部绝缘层的第一开口部37a及第二开口部37b。因此，第一凸起焊盘39a及第二凸起焊盘39b可以大于第一开口部37a及第二开口部37b。
进一步，所述第二凸起焊盘39b可以覆盖下部绝缘层33的第二开口部33b上部的上部绝缘层37。如图3所示，第二凸起焊盘39b可以具有与第二焊盘金属层35b几乎相似的形状，并且大小也可以相似。
通过形成第一凸起焊盘39a及第二凸起焊盘39b，能够增加焊料扩散的路径，从而进一步提高发光二极管的可靠性。尤其，当在上部绝缘层37发生针孔等缺陷时，第一凸起焊盘39a及第二凸起焊盘39b防止焊料通过针孔扩散，从而提高发光二极管的可靠性。
图5是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图。
参照图5，根据本实施例的发光二极管与参照图1及图2说明的发光二极管大体相似，然而差异在于追加有形成于台面M内部的凹陷部，并且其形状不同，另外，下部绝缘层33的第二开口部33b的形状有所差异。
本实施例中图示了两个凹陷部，然而凹陷部的数量还可以更多。下部绝缘层33在凹陷部内部具有第一开口部33a2，第一焊盘金属层35a通过第一开口部33a2连接于第一导电型半导体层23。因此，随着凹陷部的数量增加，第一焊盘金属层35a的内部接触部35a2的数量也增加，从而改善电流分散性能。
另外，凹陷部的末端部形状与图1的凹陷部的形状有所差异，在末端部宽度变宽而具有圆形形状。通过如上所述地形成凹陷部的末端部形状，能够将下部绝缘层33形成为相似的形状。尤其，在下部绝缘层33包括分布式布拉格反射器的情况下，若如图1所示，在末端部宽度不变宽，则在分布式布拉格反射器的侧壁形成严重的双重台阶，并且侧壁的倾斜角变大，因此第一焊盘金属层35a易于发生破裂。因此，如本实施例一样地形成凹陷部的末端部形状及下部绝缘层33的第一开口部33a2的末端部形状，从而下部绝缘层33可以形成为具有平缓的倾斜角，因此能够改善发光二极管的良品率。
另外，在上文的实施例中，下部绝缘层33的第二开口部33b沿垂直于凹陷部的方向具有较长的形状，然而在本实施例中，第二开口部33b具有圆形，即向外凸出的形状。虽然沿一侧方向具有较长的形状的图案在其末端部不易进行蚀刻工序，但是能够易于形成如本实施例一样的具有圆形形状的第二开口部33b。
在本实施例中，所述第二开口部33b与上部绝缘层37的第一开口部37a之间的最短距离可以大于第二开口部33b到第二焊盘金属层35b的边缘部位的最短距离。
图6是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图。
参照图6，根据本实施例的发光二极管与参照图5说明的发光二极管大体相似，差异在于上部绝缘层37的第二开口部37b的形状。即，在本实施例中，上部绝缘层37的第二开口部37b具有对应于下部绝缘层33的第二开口部33b的形状凹入的形状37br。
如上所述，下部绝缘层33的第二开口部33b可以具有圆形形状，因此，具有朝向上部绝缘层的第二开口部37b凸出的形状。上部绝缘层37的第二开口部37b具有对应于下部绝缘层33的第二开口部33b的凸出形状而凹入的形状37br。
因此，下部绝缘层33的第二开口部33b与上部绝缘层37的第二开口部37b之间的最短距离可以相对增大，从而能够进一步增加焊料扩散路径。
图7是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图。
参照图7，根据本实施例的发光二极管与参照图6说明的发光二极管大体相似，差异在于下部绝缘层33的第二开口部33b的形状。第二开口部33b可以具有多种形状，尤其，可以具有朝向上部绝缘层37的第二开口部37b凸出的多种形状。
另外，在参照图5至图7所述的实施例中，虽然未对第一凸起焊盘39a及第二凸起焊盘39b进行单独说明，但是在这些实施例中，如参照图3及图4所述，可以追加第一凸起焊盘39a及第二凸起焊盘39b。第二凸起焊盘39b也可以覆盖下部绝缘层33的第二开口部33b。
图8是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图，图9是沿图8的截取线B-B截取的剖面图。
参照图8及图9，所述发光二极管包括基板21、第一发光单元C1、第二发光单元C2、欧姆反射层31、下部绝缘层133、第一焊盘金属层135a、第二焊盘金属层135b、连接金属层135c及上部绝缘层137。并且，所述发光二极管可以包括预备绝缘层29，预备绝缘层29合并到下部绝缘层133。并且，第一发光单元C1及第二发光单元C2分别包括第一导电型半导体层23及位于第一导电型半导体层上的台面M，各个台面M包括活性层25及第二导电型半导体层27。
基板21是用于使氮化镓系半导体层生长的生长基板，例如可以是蓝宝石基板、氮化镓基板、SiC基板等，尤其可以是图案化的蓝宝石基板。基板21优选为绝缘基板，但并不局限于绝缘基板。但是，在布置于基板21上的发光单元C1、C2相互串联的情况下，基板21必须与发光单元绝缘。因此，在基板21为绝缘性或基板21为导电性的情况下，绝缘物质层布置于发光单元C1、C2与基板21之间，使得基板21与发光单元C1、C2绝缘。如图8所示，基板21可以具有矩形的外形。
第一发光单元C1及第二发光单元C2布置于基板21上。第一发光单元C1及第二发光单元C2通过使基板21暴露的分离区域I而相互分离。因此，第一发光单元C1与第二发光单元C2的半导体层相互隔开。第一发光单元C1及第二发光单元C2可以彼此相向地布置且可以分别具有正方形或矩形形状。尤其，第一发光单元C1及第二发光单元C2可以具有沿彼此相向的方向较长的矩形形状。
第一发光单元C1及第二发光单元C2均包括第一导电型半导体层23、活性层25、第二导电型半导体层27。第一导电型半导体层23、活性层25、第二导电型半导体层27可以利用III-V族氮化物系半导体形成，例如，可以利用(Al、Ga、In)N等氮化物系半导体形成。第一导电型半导体层23、活性层25、第二导电型半导体层27可以利用如金属有机化学气相沉积法(MOCVD)等公知方法在腔室内生长在基板21上而形成。并且，第一导电型半导体层23包括n型杂质(例如，Si、Ge、Sn)，第二导电型半导体层27包括p型杂质(例如，Mg、Sr、Ba)，也可以与之相反。在一实施例中，第一导电型半导体层23可以包括含有Si作为掺杂剂的GaN或AlGaN，第二导电型半导体层27可以包括含有Mg作为掺杂剂的GaN或AlGaN。在附图中，虽然图示了第一导电型半导体层23及第二导电型半导体层27均为单一层的情形，但是这些层也可以是多层，并且也可以包括超晶格层。活性层25可以包括单量子阱结构或多量子阱结构，并且调节氮化物系半导体的组成比以使其发出所期望的波长。例如，活性层25可以发出蓝色光或紫外光。
分离区域I将发光单元C1、C2相互分离。因此，分离区域I，基板21通过半导体层而暴露。分离区域I可以利用光刻及蚀刻工艺而形成，并且形成具有平缓的倾斜面的光致抗蚀剂图案，并将此用作掩膜而对半导体层进行蚀刻，从而可以在分离区域I形成相对平缓地倾斜的侧面。
发光单元C1、C2将所述分离区域I置于中间而彼此相向。彼此相向的发光单元C1、C2的侧面定义为内侧面，除此之外的侧面定义为外侧面。因此，第一发光单元C1及第二发光单元C2内的第一导电型半导体层23也分别包括内侧面及外侧面。例如，第一导电型半导体层23可以包括一个内侧面及三个外侧面。
在各个第一导电型半导体层23上布置有台面M。台面M可以限定位于被第一导电型半导体层23包围的区域内侧，因此，邻近于第一导电型半导体层23的外侧面的边缘部位附近区域没有被台面M所覆盖而暴露于外部。只是，台面M的侧面与第一导电型半导体层23的侧面可以在分离区域I的侧壁彼此连续。
台面M包括第二导电型半导体层27及活性层25。所述活性层25插入于第一导电型半导体层23与第二导电型半导体层27之间。
在第一发光单元C1及第二发光单元C2的第二导电型半导体层27上均布置有欧姆反射层31。欧姆反射层31接触于第二导电型半导体层27。欧姆反射层31可以在台面M上部区域遍布台面M的几乎全部区域而布置。例如，欧姆反射层31可以覆盖台面M上部区域的80％以上，进而90％以上。
欧姆反射层31可以包括具有反射性的金属层，因此，可以将在活性层25生成而向欧姆反射层31传播的光向基板21侧反射。例如，所述欧姆反射层可以包括Ag或Al。并且，为了有助于所述欧姆反射层31欧姆接触于第二导电型半导体层27，可以包括Ni层。
另外，预备绝缘层29可以覆盖所述欧姆反射层31周围的台面M。预备绝缘层29例如可以通过化学气相沉积技术而利用SiO2形成，并且可以覆盖台面M侧面，进而覆盖第一导电型半导体层23的一部分区域。如图8所示，在分离区域I的侧面，预备绝缘层29可以被去除。
下部绝缘层133覆盖台面M且覆盖欧姆反射层31及预备绝缘层29。并且，下部绝缘层133覆盖分离区域I及台面M侧壁，并且覆盖台面M周围的第一导电型半导体层23的一部分。如图8的放大剖面图所示，在基板21是图案化蓝宝石基板的情况下，下部绝缘层133可以在分离区域I内沿基板21上的凸出部的形状形成。
下部绝缘层133可以布置于第一焊盘金属层35a及第二焊盘金属层35b与第一发光单元C1及第二发光单元C2之间，并且具有提供能够使第一焊盘金属层35a及第二焊盘金属层35b连接于第一导电型半导体层23或欧姆反射层31的通路的开口部133a、133b、133c、133d。例如，下部绝缘层133可以具有：第一开口部133a、133b，使第一发光单元C1及第二发光单元C2的第一导电型半导体层暴露；以及，第二开口部133c、133d，使第一发光单元C1及第二发光单元C2的欧姆反射层31暴露。第一开口部133a沿台面M的外侧面使第一导电型半导体层23暴露，第一开口部133b沿第二发光单元C2的台面M的内侧面使第一导电型半导体层23暴露。如图8所示，第一开口部133a及第一开口部133b可以相互连通，然而，并不局限于此，也可以相互隔开。
另外，第二开口部133c使第一发光单元C1上的欧姆反射层31暴露，第二开口部133d使第二发光单元C2上的欧姆反射层31暴露。第二开口部133d可以形成为小于第二开口部133c。第二开口部133c、133d可以具有大体沿分离区域I较长的形状，然而，并不一定局限于此，可以具有多种形状。
下部绝缘层133可以利用SiO2或Si3N4等绝缘物质形成，并且可以形成为单一层或多层。进而，下部绝缘层133也可以包括折射率互不相同材料层，例如，将SiO2/TiO2反复层叠而形成的分布式布拉格反射器。在下部绝缘层133包括分布式布拉格反射器的情况下，能够使入射至除了欧姆反射层31以外的区域的光反射，从而能够改善光提取效率。
另外，第一焊盘金属层135a、第二焊盘金属层135b及连接金属层135c布置于下部绝缘层133上。
第一焊盘金属层135a布置于第一发光单元C1上而欧姆接触于第一导电型半导体层23。如图8中清楚地示出，第一焊盘金属层135a可以沿台面M的周围而在第一导电型半导体层23的外侧面与台面M之间的区域之间，通过下部绝缘层133的第一开口部133a欧姆接触于第一导电型半导体层23。虽然附图中图示了第一焊盘金属层135a沿台面M的周围连续地接触于第一导电型半导体层23的情形，但是本发明并不限定于此，也可以间断地接触。即，第一焊盘金属层135a可以在台面M的周围相互隔开的多个区域接触于第一导电型半导体层23。进而，第一焊盘金属层135a可以覆盖台面M上部区域及外侧面。
第二焊盘金属层135b布置于第二发光单元C2上而通过下部绝缘层133的第二开口部133d连接于第二发光单元C2上的欧姆反射层31。第二焊盘金属层135b位于台面M上，并与第一导电型半导体层23绝缘。例如，第二焊盘金属层135b可以与第二发光单元C2上的台面M的侧面隔开。第二焊盘金属层135b可以覆盖第二发光单元C2上的台面M的大部分区域，例如，可以覆盖台面M的上部区域的50％以上。
另外，连接金属层135c可以通过第一发光单元C1的第二开口部133c电连接于第一发光单元C1上的欧姆反射层31，并且通过第二发光单元C2的第一开口部133a、133b电连接于第二发光单元C2上的第一导电型半导体层23。因此，第一发光单元C1及第二发光单元C2通过连接金属层135c相互串联。
连接金属层135c可以沿第二发光单元C2的边缘部位在至少一个侧面接触于第一导电型半导体层23。尤其，连接金属层135c可以沿台面M周围连续或间断地接触于第一导电型半导体层23。并且，连接金属层135c可以包围第二焊盘金属层135b，在连接金属层135c与第二焊盘金属层135b之间可以形成有边界区域135bc。另外，在连接金属层135c与第一焊盘金属层135a之间可以形成有边界区域135ac。这些边界区域135ac、135bc被后述的上部绝缘层137覆盖。
第一焊盘金属层135a、第二焊盘金属层135b及连接金属层135c可以在相同工艺中使用相同材料而一起形成。例如，第一焊盘金属层135a、第二焊盘金属层135b及连接金属层135c可以包括如A1层等高欧姆反射层，且高欧姆反射层可以在Ti、Cr或Ni等的粘结层上形成。并且，在所述高欧姆反射层上可以形成Ni、Cr、Au等的单层或复合层结构的保护层。第一焊盘金属层135a、第二焊盘金属层135b及连接金属层135c例如可以具有Cr/Al/Ni/Ti/Ni/Ti/Au/Ti的多层结构。
上部绝缘层137布置于第一焊盘金属层135a、第二焊盘金属层135b及连接金属层135c上，并且具有使第一焊盘金属层135a暴露的第一开口部137a及使第二焊盘金属层135b暴露的第二开口部137b。并且，上部绝缘层137在台面M边缘覆盖连接于第一导电型半导体层23的第一焊盘金属层135a及连接金属层135c。如图8所示，第一焊盘金属层135a及连接金属层135c与第一导电型半导体层23的边缘部位之间的区域被上部绝缘层137覆盖。并且，上部绝缘层137可以在分离区域I上覆盖连接金属层135c，可以根据连接金属层135c的形状形成为具有凹凸。上部绝缘层137保护第一焊盘金属层135a、第二焊盘金属层135b及连接金属层135c免受水分等外部环境的影响。
另外，所述第一开口部137a限定形成于第一焊盘金属层135a的上部区域内，从而与连接金属层135c及下部绝缘层133的第二开口部133c隔开。并且，所述第二开口部137b限定位于第二焊盘金属层135b上，与连接金属层135c隔开。进而，所述第二开口部137b与下部绝缘层133的第二开口部133d隔开。尤其，从下部绝缘层133的第二开口部133d到上部绝缘层137的第二开口部137b的最短距离L1可以大于从下部绝缘层133的第二开口部133d到第二焊盘金属层135b的边缘部位的最短距离L2。通过使上部绝缘层137的第二开口部133d相比于第二焊盘金属层135b的边缘部位更远离第二开口部137b，能够在有限的设计范围内有效地防止焊料的扩散。
上部绝缘层137可以利用SiO2或Si3N4的单一层形成，然而并不限定于此。例如，上部绝缘层137可以具有包括氮化硅膜和氧化硅膜的多层结构，并且也可以包括氧化硅膜及氧化钛膜交替层叠的分布式布拉格反射器。
在本实施例中，通过上部绝缘层137的第一开口部137a及第二开口部137b暴露的所述第一焊盘金属层135a及第二焊盘金属层135b可以用作焊料直接焊接的焊盘。与此不同，如参照图3及图4所述，第一凸起焊盘及第二凸起焊盘可以分别覆盖通过上部绝缘层137的第一开口部137a及第二开口部137b暴露的所述第一焊盘金属层135a及第二焊盘金属层135b。进而，所述第一凸起焊盘及第二凸起焊盘可以分别覆盖并密封上部绝缘层137的第一开口部137a及第二开口部137b，并且第二凸起焊盘可以覆盖第二发光单元C2上的下部绝缘层133的第二开口部133d上部区域。
图10是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图。
参照图10，根据本实施例的发光二极管与参照图8及图9说明的发光二极管大体相似，差异在于发光二极管的整体形状，并且下部绝缘层的开口部133a、133b、133d有所差异。
首先，第一发光单元C1及第二发光单元C2具有沿与彼此相向的方向垂直的方向较长的矩形形状。因此，根据发光单元的形状，第一焊盘金属层135a及第二焊盘金属层135b也具有沿上下较长的形状。
另外，在上述的实施例中，下部绝缘层133具有沿第一发光单元C1上的台面M的外侧面使第一导电型半导体层23暴露的第一开口部133a，然而在本实施例中，第一开口部133a沿第一发光单元C1上的台面M的内侧面延伸而使第一导电型半导体层23进一步暴露。沿第一发光单元C1的内侧面形成的第一开口部133a的末端部可以宽度变宽而具有圆形形状。通过将第一开口部133a形成为沿台面M的内侧面使第一导电型半导体层23暴露，能够增加第一焊盘金属层135a的接触区域，进而改善电流分散性能。
另外，在上述的实施例中，沿第二发光单元C2的台面M的内侧面使第一导电型半导体层23暴露的第一开口部133b沿分离区域I形成，并与第一开口部133a连通，然而在本实施例中，第一开口部133b与第一开口部133a分离。进而，第一开口部133b的两侧末端部可以宽度变宽而具有圆形形状。
并且，在本实施例中，下部绝缘层133的第二开口部133d可以形成为多个。
图11是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管的示意性平面图，图12是沿图11的截取线C-C截取的剖面图。
参照图11及图12，所述发光二极管包括基板21、第一导电型半导体层23、活性层25、第二导电型半导体层27、欧姆反射层31、下部绝缘层33、第一焊盘金属层35a、第二焊盘金属层35b及上部绝缘层37。进而，所述发光二极管还可以包括预备绝缘层29，并且还可以包括第一凸起焊盘39a及第二凸起焊盘39b。
基板21只要是能够使氮化镓系半导体层生长的生长基板即可，不受特别限制。基板21例如可以是蓝宝石基板、氮化镓基板、SiC基板等，并且可以是图案化的蓝宝石基板。如平面图图11所示，基板21可以具有矩形或正方形的外型，然而并不一定局限于此。基板21的大小不受特别的限定，可以进行多样的选择。
第一导电型半导体层23布置于基板21上。第一导电型半导体层23是在基板21上生长的层，可以是氮化镓系半导体层。第一导电型半导体层23可以是掺杂有杂质(例如，Si)的氮化镓系半导体层。
在第一导电型半导体层23上布置有台面M。台面M可以限定位于被第一导电型半导体层23包围的区域内侧，因此，第一导电型半导体层的边缘部位附近的区域没有被台面M覆盖而暴露于外部。
台面M包括第二导电型半导体层27及活性层25。所述活性层25插入于第一导电型半导体层23与第二导电型半导体层27之间。活性层25可以具有单一量子阱结构或多量子阱结构。活性层25内阱层的组成及厚度决定生成的光的波长。尤其，通过调节阱层的组成，可以提供生成紫外线、蓝色光或绿色光的活性层。
另外，第二导电型半导体层27可以是掺杂有p型杂质，例如Mg的氮化镓系半导体层。第一导电型半导体层23及第二导电型半导体层27可以均为单一层，然而并不局限于此，也可以是多层，并且也可以包括超晶格层。第一导电型半导体层23、活性层25及第二导电型半导体层27可以利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)等公知方法在腔室内的基板21上生长而形成。
另外，如图11所示，在所述台面M可以形成有向内部渗透的凹陷部30，第一导电型半导体层23的上表面可以通过凹陷部30暴露。凹陷部30可以从台面M的一侧边缘部位朝向与其相向的另一侧边缘部位向台面M内部较长地形成。凹陷部30的长度不受特别限定，可以是台面M长度的1/2，或大于此。并且，在图11中图示了两个凹陷部30，然而凹陷部30的数量也可以是一个，也可以是三个以上。随着凹陷部30的数量增加，第一焊盘金属层35a的内部接触部35a2的数量也增加，从而改善电流分散性能。
另外，凹陷部30在末端部宽度变大而具有圆形形状。通过将凹陷部30的末端部形状如上所述地形成，能够将下部绝缘层33形成为与此相似的形状。尤其，在下部绝缘层33包括分布式布拉格反射器的情况下，若如图11所示，在末端部宽度不变宽，则在分布式布拉格反射器的侧壁形成严重的双重台阶，并且侧壁的倾斜角变大，因此在第一焊盘金属层35a易于发生破裂。因此，如本实施例一样地形成凹陷部30的末端部形状及下部绝缘层33的第一开口部33a2的末端部形状，从而下部绝缘层33可以形成为具有平缓的倾斜角，因此能够改善发光二极管的良品率。
另外，欧姆反射层31布置于台面M上部而接触于第二导电型半导体层27。欧姆反射层31在台面M上部区域可以遍布台面M的几乎全部区域而布置。例如，欧姆反射层31可以覆盖台面M上部区域的80％以上，进而可以覆盖90％以上。
欧姆反射层31可以包括具有反射性的金属层，因此，可以将在活性层25生成而向欧姆反射层31传播的光向基板21侧反射。例如，欧姆反射层31可以形成为单一反射金属层，然而并不局限于此，也可以包括欧姆层及反射层。可以使用诸如Ni等金属层或诸如ITO等透明氧化物层作为欧姆层，可以使用诸如Ag或Al等反射率高的金属层作为反射层。
另外，预备绝缘层29可以覆盖所述欧姆反射层31周围的台面M。预备绝缘层29例如可以利用SiO2形成，并且可以覆盖台面M侧面，进而覆盖第一导电型半导体层23的一部分区域。在另一实施例中，预备绝缘层29也可以仅在台面M上部只布置于欧姆反射层31周围。
下部绝缘层33覆盖台面M及欧姆反射层31。下部绝缘层33可以沿台面M的周围覆盖第一导电型半导体层23，并且可以在台面M内部的凹陷部30覆盖第一导电型半导体层23。下部绝缘层33尤其覆盖台面M的侧面。
另外，下部绝缘层33具有使第一导电型半导体层暴露的第一开口部33a1、33a2以及使欧姆反射层31暴露的第二开口部33b。第一开口部33a1沿台面M的周围使第一导电型半导体层23暴露，第一开口部33a2在所述凹陷部30内使第一导电型半导体层23暴露。如图11所示，所述第一开口部33a1及第一开口部33a2可以相互连接。然而，本发明并不限定于此，第一开口部33a1、33a2也可以相互隔开。
第二开口部33b使欧姆反射层31暴露。可以形成有多个第二开口部33b，这些第二开口部33b可以与所述凹陷部30相向而布置于基板21的一侧边缘部位附近。后文将对第二开口部33b的位置再次进行说明。
另外，下部绝缘层33覆盖预备绝缘层29而与预备绝缘层29合并。除非特别说明，否则可以理解为预备绝缘层29包含于下部绝缘层33。下部绝缘层33可以利用SiO2或Si3N4的单一层形成，然而并不局限于此。例如，下部绝缘层33可以具有包括氮化硅膜和氧化硅膜的多层结构，并且也可以包括氧化硅膜及氧化钛膜交替层叠的分布式布拉格反射器。
另外，第一焊盘金属层35a布置于所述下部绝缘层33上，且通过下部绝缘层33而与台面M及欧姆反射层31绝缘。第一焊盘金属层35a通过下部绝缘层33的第一开口部33a1、33a2与第一导电型半导体层23接触。第一焊盘金属层35a可以包括：外部接触部35a1，沿台面M周围与第一导电型半导体层23接触；以及，内部接触部35a2，在所述凹陷部内与第一导电型半导体层23接触。外部接触部35a1沿台面M周围在基板21的边缘部位附近与第一导电型半导体层23接触，内部接触部35a2在被外部接触部35a1包围的区域内部与第一导电型半导体层23接触。外部接触部35a1与内部接触部35a2可以相互连接，然而，并不局限于此，也可以相互隔开。
另外，第二焊盘金属层35b在下部绝缘层33上布置于台面M上部区域，且通过下部绝缘层33的第二开口部33b电连接于欧姆反射层31。第二焊盘金属层35b可以被第一焊盘金属层35a包围，且可以在两者之间形成边界区域35ab。下部绝缘层33在边界区域35ab暴露，，且该边界区域35ab被后述的上部绝缘层37覆盖。
第一焊盘金属层35a及第二焊盘金属层35b可以在相同工艺中使用相同材料而一起形成。第一焊盘金属层35a及第二焊盘金属层35b可以包括如A1层等欧姆反射层，且欧姆反射层可以在Ti、Cr或Ni等的粘结层上形成。并且，在所述欧姆反射层上可以形成Ni、Cr、Au等的单层或复合层结构的保护层。第一焊盘金属层35a及第二焊盘金属层35b例如可以具有Cr/Al/Ni/Ti/Ni/Ti/Au/Ti的多层结构。
上部绝缘层37覆盖第一焊盘金属层35a及第二焊盘金属层35b。并且，上部绝缘层37可以沿台面M周围覆盖第一导电型半导体层23。只是，上部绝缘层37可以沿基板21的边缘部位使第一导电型半导体层23暴露。
另外，上部绝缘层37具有使第一焊盘金属层35a暴露的第一开口部37a，以及使第二焊盘金属层35b暴露的第二开口部37b。第一开口部37a及第二开口部37b可以布置于台面M上部区域，且可以彼此相向布置。尤其，第一开口部37a及第二开口部37b可以靠近台面M的两侧边缘部位而布置。
上述的下部绝缘层33的第二开口部33b可以布置于上部绝缘层37的第二开口部37b附近。只是，下部绝缘层33的第二开口部33b不仅与上部绝缘层37的第一开口部37a隔开而不重叠，而且与第二开口部37b隔开而不重叠。因此，即使焊料通过上部绝缘层37的第二开口部37b渗透，也能够防止焊料向下部绝缘层33的第二开口部33b扩散，从而能够防止焊料污染欧姆反射层31。
上部绝缘层37可以形成为SiO2或Si3N4的单一层，然而并不局限于此。例如，上部绝缘层37可以具有包括氮化硅膜和氧化硅膜的多层结构，并且也可以包括氧化硅膜及氧化钛膜交替层叠的分布式布拉格反射器。
另外，第一凸起焊盘39a电接触于通过上部绝缘层37的第一开口部37a暴露的第一焊盘金属层35a，第二凸起焊盘39b电接触于通过上部绝缘层37的第二开口部37b暴露的第二焊盘金属层35b。如图11所示，第一凸起焊盘39a将上部绝缘层37的第一开口部37a全部覆盖而密封，第二凸起焊盘39b将上部绝缘层37的第二开口部37b全部覆盖而密封。并且，所述第二凸起焊盘39b覆盖下部绝缘层33的第二开口部33b的上部区域。即，所述第二凸起焊盘39b覆盖第二开口部33b上部的上部绝缘层37。第二凸起焊盘39b可以将下部绝缘层33的第二开口部33b全部覆盖，然而并不局限于此，开口部33b中的一部分也可以位于第二凸起焊盘39b的外部。
另外，如图11所示，第二凸起焊盘39b也可以限定位于第二焊盘金属层35b的上部区域内。然而，本发明并不限定于此，第二凸起焊盘39b的一部分也可以与第一焊盘金属层35a重叠。但是，上部绝缘层37可以位于第一焊盘金属层35a与第二凸起焊盘39b之间，进而使其绝缘。
图13a及图13b是用于说明与图11的实施例相关的下部绝缘层及上部绝缘层的第二开口部33b、37b的示意性平面图。
图13a示出了与图11的实施例相同地布置的下部绝缘层33的第二开口部33b及上部绝缘层37的第二开口部37b的布置，图13b示出了另一变形例。
参照图13a及图13b，L1表示第二开口部33b与第二开口部37b之间的最短距离，L2表示第二开口部33b之间的最短距离，L2表示第二开口部37b之间的最短距离。
在图13a中，第二开口部33b及第二开口部37b沿上下布置，并且第二开口部33b与第二开口部37b沿横向相互交替布置。在这样的布置的下，L1相比于L2及L3相对短。第二开口部37b中的至少一个布置于第二开口部33b之间。
在图13b中，第二开口部33b、37b沿上下布置，并且第二开口部33b与第二开口部37b沿横向相互交替布置。在这样的布置的下，L1相比于L2及L3相对长。并且，第二开口部37b中的至少一个布置于第二开口部33b之间。
在考虑焊料扩散的情况下，使第二开口部33b与第二开口部37b远离有利。因此，相比于图13a的布置，图13b的布置可能更有利。
在图13a及图13b的图中，以沿上下布置的开口部之间的距离小于沿左右布置的开口部之间的距离为例进行了说明，然而与此不同，沿左右布置的开口部之间的距离也可以更短。在这种情况下，为了将第二开口部33b与第二开口部37b布置为相对更远离，将第二开口部33b与第二开口部37b沿上下布置，第二开口部33b沿左右连续而布置，第二开口部37b也沿左右连续而布置，能够更加有助于防止焊料扩散。
但是，第二开口部33b及第二开口部37b的数量或其布置可以不仅考虑欧姆反射层31被焊料的污染，还可以考虑电流分散的效率性及发光图案的对称性等来选择，因此可以进行多种变更。
图14是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图。
参照图14，根据本实施例的发光二极管与参照图11及图12说明的发光二极管大体相似，然而差异在于第一焊盘金属层35a及第二焊盘金属层35b的形状、下部绝缘层33的第二开口部33b的布置和第二凸起焊盘39b的形状。
即，与图11的实施例相比，在凹陷部30附近追加下部绝缘层33的第二开口部33b。追加的第二开口部33b相比于布置有上部绝缘层37的第二开口部37b的台面M的边缘部位，更靠近台面M的中央部而布置。在本实施例中，虽然图示了追加的第二开口部33b在台面M的中央部靠近布置有上部绝缘层37的第二开口部37b的台面M的边缘部位侧布置的情形，然而并不局限于此，也可以在台面M的中央部布置，或者靠近布置有第二凸起焊盘39b的台面M的边缘部位侧布置。
第二焊盘金属层35b布置为覆盖第二开口部33b。如图14所示，第二焊盘金属层35b具有在凹陷部30附近具有凹入部的凹凸形状。第一焊盘金属层35a可以具有凹凸形状，使得与第二焊盘金属层35b的边界区域35ab具有预定的宽度。
另外，第二凸起焊盘39b可以具有与第二焊盘金属层35b相似的形状，并且可以覆盖上述追加的第二开口部33b的上部区域。
根据本实施例，可以使下部绝缘层33的第二开口部33b相对更宽地分布，从而能够有助于欧姆反射层31内电流分散。
图15是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图。
参照图15，根据本实施例的发光二极管与参照图14说明的发光二极管大体相似，然而差异在于第二开口部33b及第二开口部37b的布置、第一凸起焊盘39a及第二凸起焊盘39b的形状。
即，第一凸起焊盘39a向第二焊盘金属层35b的上部区域扩张，并且覆盖第二开口部33b中的至少一部分的上部区域。但是，第二开口部37b与第一凸起焊盘39a隔开，进而位于第一凸起焊盘39a的外部。第一凸起焊盘39a可以覆盖第二开口部37b，并且，可以覆盖第二开口部33b的一部分。
在本实施例中，第一凸起焊盘39a可以与第二焊盘金属层35b部分重叠。与此不同，第二凸起焊盘39b也可以与第一焊盘金属层35a部分重叠。
图16是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图，图17是沿图16的截取线D-D截取的剖面图。
参照图16及图17，根据本实施例的发光二极管与参照图11及图12说明的发光二极管大体相似，然而差异在于代替凹陷部30形成有通孔。
即，台面M具有贯通第二导电型半导体层27及活性层25而使第一导电型半导体层23暴露的通孔230。通孔230被第二导电型半导体层27及活性层25包围。台面M可以具有多个通孔230，并且通孔230可以有规律地排列于台面M内部。虽然图16中图示了9个通孔230，然而并不受特别的限制。另外，如图16所示，在台面M可以沿台面M的边缘部位形成有凹入部。
下部绝缘层233覆盖台面M及欧姆反射层31，并且可以具有在台面M外部使第一导电型半导体层23暴露的第一开口部233a1以及在所述通孔230使第一导电型半导体层23暴露的第一开口部233a2。并且，下部绝缘层233具有在台面M上使欧姆反射层31暴露的第二开口部233b。
第一焊盘金属层235a具有：外部接触部235a1，通过下部绝缘层233的第一开口部233a1接触于第一导电型半导体层23；以及，内部接触部235a2，通过第一开口部233a2接触于第一导电型半导体层23。为了电流分散，内部接触部235a2可以均匀地分布于台面M内部。另外，如图16所示，外部接触部235a1可以分布于除了台面M的一侧面之外的三个侧面，然而并不局限于此，也可以分布于四个侧面。进而，如上述实施例，外部接触部235a1也可以沿台面M周围连续地形成。
另外，第二焊盘金属层235b通过下部绝缘层233的第二开口部233b电连接于欧姆反射层31。第二焊盘金属层235b与通孔230隔开。如图16所示，在被通孔230包围的区域内布置有下部绝缘层233的第二开口部233b，第二焊盘金属层235b可以覆盖这些第二开口部233b。因此，第一焊盘金属层235a及第二焊盘金属层235b可以形成为具有凹凸形状。
另外，上部绝缘部37具有使第一焊盘金属层235a暴露的第一开口部37a以及使第二焊盘金属层235b暴露的第二开口部37b。第一开口部37a及第二开口部37b可以布置于彼此相向的边缘部位附近。尤其，上部绝缘部37的第二开口部37b与下部绝缘层233的第二开口部233b隔开而不重叠。
另外，第一凸起焊盘239a及第二凸起焊盘239b分别通过上部绝缘层37的第一开口部37a及第二开口部37b电连接于第一焊盘金属层235a及第二焊盘金属层235b。
如图16所示，第二凸起焊盘239b可以具有凹凸形状，以包围通孔230。并且，第二凸起焊盘239b可以覆盖下部绝缘层233的第二开口部233b中的至少一部分。例如，如图17所示，第二凸起焊盘239b可以包围下部绝缘层233的第二开口部233b中除了布置于台面M的中央部附近的第二开口部233b之外的其余第二开口部233b的上部区域。然而，本发明并不局限于此，第二凸起焊盘239b也可以全部覆盖第二开口部233b的上部区域。
图18是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图，图19是沿图18的截取线E-E截取的剖面图。
参照图18及图19，根据本实施例的发光二极管与参照图11及图12说明的发光二极管大体相似，然而差异在于包括多个台面M1、M2、M3。
即，在图11及图12的实施例中，是单个台面M具有凹陷部30的结构，相反地，根据本实施例的发光二极管具有台面M1、M2、M3相互隔开而布置的结构。台面M1、M2、M3可以沿长度方向相互平行地布置。这样的结构例如相当于图11的实施例中凹陷部30从一侧边缘部位延伸至另一侧边缘部位的结构。因此，欧姆反射层331、第一焊盘金属层335a及第二焊盘金属层335b的形状变形。
欧姆反射层331位于各个台面M1、M2、M3上而与各个第二导电型半导体层27欧姆接触。欧姆反射层331限定于各个台面M1、M2、M3上部区域内而相互隔开。
另外，预备绝缘层329可以覆盖所述欧姆反射层331周围的台面M1、M2、M3。预备绝缘层329例如可以利用SiO2形成，并且可以覆盖台面M1、M2、M3的侧面，进而覆盖第一导电型半导体层23的一部分区域。在另一实施例中，预备绝缘层329也可以仅在台面M1、M2、M3上部只布置于欧姆反射层331周围。
另外，下部绝缘层333覆盖台面M1、M2、M3及欧姆反射层331。下部绝缘层333可以具有沿基板21的边缘使第一导电型半导体层23暴露的第一开口部333a1以及在台面M1、M2、M3之间使第一导电型半导体层23暴露的第一开口部333a2。
并且，下部绝缘层333具有在各个台面M1、M2、M3上使欧姆反射层331暴露的第二开口部333b。第二开口部333b的形状可以与图11的实施例相同地为圆形，然而并不限定于此，也可以如图18所示为长的圆角四边形形状。
第一焊盘金属层335a覆盖台面M1、M2、M3并通过第一开口部333a1、333a2电连接于第一导电型半导体层23。第一焊盘金属层335a可以具有通过第一开口部333a1接触于第一导电型半导体层23的外部接触部335a1以及在台面M1、M2、M3之间通过第一开口部333a2接触于第一导电型半导体层23暴露的内部接触部335a2。
另外，第二焊盘金属层335b分别布置于台面M1、M2、M3上。各个第二焊盘金属层335b可以被第一焊盘金属层335a包围，因此，在各个台面M1、M2、M3上可以形成有环形状的边界区域335ab。第二焊盘金属层335b通过下部绝缘层333的第二开口部333b电连接于各个台面M1、M2、M3上的欧姆反射层331。
上部绝缘部337覆盖第一焊盘金属层335a及第二焊盘金属层335b，并具有使第一焊盘金属层335a暴露的第一开口部337a以及使第二焊盘金属层335b暴露的第二开口部337b。各个台面M1、M2、M3上的第二焊盘金属层335b通过第二开口部337b暴露。并且，第一开口部337a可以布置于各个台面M1、M2、M3上。
另外，第一凸起焊盘339a及第二凸起焊盘339b可以分别遍布台面M1、M2、M3而形成。第一凸起焊盘339a通过上部绝缘层337的第一开口部337a接触于第一焊盘金属层335a，第二凸起焊盘339b通过上部绝缘层337的第二开口部337b接触于第二焊盘金属层335b。并且，第二凸起焊盘339b可以覆盖下部绝缘层333的第二开口部333b的上部区域。
在本实施例中，下部绝缘层333的第二开口部333b及上部绝缘层337的第二开口部337b可以多样地布置。在本实施例中，这些第二开口部333b、337b在台面M1、M2、M3上布置为相同的数量，第二开口部333b及第二开口部337b沿上下布置，并且整体上具有镜面对称结构。
另外，图20a及图20b是用于说明下部绝缘层333的第二开口部333b及上部绝缘层337的第二开口部337b的多种布置的示意性平面图。
参照图20a，下部绝缘层333的第二开口部333b及上部绝缘层337的第二开口部337b相比于图18的实施例相互交换位置而布置。并且，这些开口部333b、337b布置为整体上具有镜面对称结构。
参照图20b，在第一台面M1及第三台面M3上，下部绝缘层333的第二开口部333b彼此沿上下布置，上部绝缘层337的第二开口部337b也彼此沿上下布置。另外，在第二台面M2上，第二开口部333b与第二开口部337b沿上下布置。在图20b的实施例中，这些开口部333b、337b也布置为整体上具有镜面对称结构。
通过将所述第二开口部333b、337b布置为具有镜面对称结构，能够实现对称的发光图案。然而，本发明并不局限于此，开口部333b、337b的布置可以进行多种变形，并且，也可以不具有镜面对称结构。
图21是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性平面图。
参照图21，根据本实施例的发光二极管与参照图18及图19说明的发光二极管大体相似，然而差异在于台面的数量以及上部绝缘层的第一开口部437a的形状。省略针对与参照图18及图19所述的事项重复的内容的详细说明，以差异为主进行说明。
在本实施例中，四个台面M1～M4布置于第一导电型半导体层23上。然而，台面的数量并不受特别限定，可以更多，也可以更少。
另外，上部绝缘层的第一开口部437a可以如图18所示为圆形，也可以如图21所示为长的圆角四边形形状。上部绝缘层的第二开口部337b也可以是相同的形状，但是第一开口部437a与第二开口部337a的大小可以彼此不同，也可以彼此相同。
通过将第一开口部437a的形状形成为长的圆角四边形形状，能够增加开口部的大小并充分地确保沿左右相邻而布置的第一开口部437a之间的距离。进而，第一开口部437a的形状不受特别的限制，可以进行多种变形。
另外，在本实施例中，上部绝缘层的第二开口部337b与下部绝缘层的第二开口部333b彼此沿上下及左右布置。与图18的实施例不同，在本实施例中，各个台面M1～M4上的上部绝缘层的第二开口部337b与下部绝缘层的第二开口部333b可以布置为相同的图案。因此，这些开口部333b、337b的布置不构成镜面对称。这些开口部333b、337b的布置可以如参照图20所述地进行多种变形，并且，可以布置为下部绝缘层的第二开口部333b与上部绝缘层的第二开口部337b之间的最短距离大于下部绝缘层的第二开口部333b之间的最短距离或上部绝缘层的第二开口部337b之间的最短距离。
另外，第一凸起焊盘439a遍布台面M1～M4而形成并覆盖上部绝缘层的第一开口部437a。第一凸起焊盘439a如图18的实施例所述连接于第一焊盘金属层335a。另外，在第一凸起焊盘439a可以形成有用于显示阴极的阴极标记Mc。例如，如图21所示，在四边形形状的第一凸起焊盘439a可以省略边角部分而形成有阴极标记Mc。
第二凸起焊盘439b遍布台面M1～M4而形成并覆盖上部绝缘层的第二开口部337b。第二凸起焊盘439b如图18的实施例所述连接于第二焊盘金属层335b。并且，第二凸起焊盘439b可以覆盖下部绝缘层的第二开口部333b的上部区域。
图22是用于说明根据本发明的一实施例的应用发光二极管的照明装置的分解立体图。
参照图22，根据本实施例的照明装置包括：扩散盖(Diffusion Cover)1010、发光元件模块1020及主体部1030。主体部1030可以收容发光元件模块1020，扩散盖1010可以布置于主体部1030上，以能够覆盖发光元件模块1020的上部。
主体部1030只要是能够收容并支撑发光元件模块1020并向发光元件模块1020供应电源的形态就不受限制。例如，如图所示，主体部1030可以包括主体外壳1031、电源供应装置1033、电源外壳1035以及电源连接部1037。
电源供应装置1033可以收容于电源外壳1035内而电连接于发光元件模块1020，且包括至少一个IC芯片。所述IC芯片能够调节、转换或控制向发光元件模块1020供应的电源的特性。电源外壳1035可以收容并支撑电源供应装置1033，并且在内部固定有电源供应装置1033的电源外壳1035可以位于主体外壳1031的内部。电源连接部1037可以布置于电源外壳1035的下端，从而与电源外壳1035结合。因此，电源连接部1037可以电连接于电源外壳1035内部的电源供应装置1033，从而能够起到向电源供应装置1033供应外部电源的通路的作用。
发光元件模块1020包括基板1023以及布置于基板1023上的发光元件1021。发光元件模块1020可以布置于主体外壳1031上部而电连接于电源供应装置1033。
基板1023只要是能支撑发光元件1021的基板就不受限制，例如，可以是包括布线的印刷电路板。基板1023可以具有对应主体外壳1031上部的固定部的形态，使其能够稳定地固定于主体外壳1031。发光元件1021可以包括上述的根据本发明的实施例的发光二极管中的至少一个。
扩散盖1010可以布置于发光元件1021上，并且固定于主体外壳1031而覆盖发光元件1021。扩散盖1010可以具有透光性材质，且可以通过调节扩散盖1010的形态及透光性来调节照明装置的指向特性。因此，扩散盖1010能够根据照明装置的使用目的及应用形态而变形为多种形态变形。
图23是用于说明根据本发明的又一实施例的应用发光二极管的显示装置的剖面图。
本实施例的显示装置包括：显示面板2110；背光单元，用于向显示面板2110提供光；以及，面板引导件，用于支撑所述显示面板2110下部边缘。
显示面板2110不受特别的限制，例如，可以是包括液晶层的液晶显示面板。在显示面板2110的边缘还可以布置有用于向栅极线(gate line)提供驱动信号的栅极驱动印刷电路板(PCB)。此处，栅极驱动PCB也可以不构成于独立的PCB而形成于薄膜晶体管基板上。
背光单元包括光源模块，所述光源模块包括至少一个基板及多个发光元件2160。进而，背光单元还可以包括底盖(bottom cover)2180、反射片2170、扩散板2131以及光学片2130。
底盖2180上部形成开口，可以收容基板、发光元件2160、反射片2170、扩散板2131以及光学片2130。并且，底盖2180可以与面板引导件结合。基板可以位于反射片2170的下部而布置成被反射片2170包围的形态。但是，并不局限于此，在表面涂覆有反射物质的情况下，基板也可以位于反射片2170上。并且，基板可以形成为多个，且布置成多个基板并列布置的形态，然而并不限定于此，也可以形成为单个基板。
发光元件2160可以包括上述的根据本发明的实施例的发光二极管。发光元件2160可以在基板上以预定的图案有规律地排列。并且，在各个发光元件2160上布置有透镜2210，从而能够提高从多个发光元件2160发出的光的均匀性。
扩散板2131及光学片2130位于发光元件2160上。从发光元件2160发出的光可以经过扩散板2131及光学片2130而以面光源的形态向显示面板2110提供。
如此，根据发明的实施例的发光元件可以应用于与本实施例相同的直下型显示装置。
图24是用于说明根据本发明的又一实施例的应用发光二极管的显示装置的剖面图。
根据本实施例的配备有背光单元的显示装置包括：显示面板3210，用于显示图像；以及，背光单元，布置于显示面板3210的背面而发射光。进一步，所述显示装置包括：框架3240，用于支撑显示面板3210，且收容背光单元；以及，盖3270、3280，包围所述显示面板3210。
显示面板3210不受特别的限制，例如，可以是包括液晶层的液晶显示面板。在显示面板3210的边缘位置还可以布置有用于向栅极线提供驱动信号的栅极驱动印刷电路板(PCB)。此处，栅极驱动PCB也可以不构成为独立的PCB而形成于薄膜晶体管基板上。显示面板3210通过位于其上部及下部的盖3270、3280被固定，且位于其下部的盖3280可以与背光单元结合。
向显示面板3210提供光的背光单元包括：下部盖3270，所述下部盖3270上表面的一部分形成开口；光源模块，布置于下部盖3270的内部一侧；以及，导光板3250，与所述光源模块并排布置，且将点光转换为面光。并且，根据本实施例的背光单元还可以包括：光学片3230，位于导光板3250上且扩散光以及聚光；以及，反射片3260，布置于导光板3250的下部，使向导光板3250的下部方向传播的光向显示面板3210的方向反射。
光源模块包括基板3220以及多个发光元件3110，所述发光元件3110在所述基板3220的一面以预定的间距隔开而布置。基板3220只要能够支撑发光元件3110且电连接于发光元件3110就不受限制，例如，可以是印刷电路板。发光元件3110可以包括至少一个上述的根据本发明的实施例的发光二极管。从光源模块发出的光入射到导光板3250，并通过光学片3230而供应至显示面板3210。通过导光板3250及光学片3230，从发光元件3110发出的点光源可以转换为面光源。
如上所述，根据本发明的一实施例的发光元件可以应用于如本实施例一样的边缘型显示装置。
图25是用于说明根据本发明的又一实施例的将发光二极管应用到前照灯的示例的剖面图。
参照图25所述前照灯包括灯主体4070、基板4020、发光元件4010以及盖透镜(cover lens)4050。进而，所述前照灯还可以包括散热部4030、支撑架(rack)4060以及连接部件4040。
基板4020通过支撑架4060被固定，从而以与灯主体4070隔开的方式布置于灯主体4070上。基板4020只要是能够支撑发光元件4010的基板则不受限制，例如，可以是如印刷电路板等具有导电图案的基板。发光元件4010可以位于基板4020上，且通过基板4020得到支撑及固定。并且，通过基板4020的导电图案，发光元件4010可以电连接于外部电源。并且，发光元件4010可以包括上述的根据本发明的实施例的发光二极管中的至少一个。
盖透镜4050位于从发光元件4010发出的光移动的路径上。例如，如图所示，盖透镜4050可以通过连接部件4040而布置成与发光元件4010相隔，且可以布置于欲提供发光元件4010所发出的光的方向上。通过盖透镜4050可以调节从前照灯向外部发出的光的指向角和/或颜色。另外，连接部件4040也可以使盖透镜4050固定于基板4020，并且布置成包围发光元件4010而起到提供发光路径4045的光引导作用。此时，连接部件4040可以利用光反射性物质形成，或者涂覆有光反射性物质。另外，散热部4030可以包括散热翅片4031和/或散热风扇4033，并且向外部排放在发光元件4010驱动时产生的热。
如此，根据本发明的实施例的发光元件可以适用于诸如本实施例等前照灯，尤其是车辆用前照灯。
以上，已对本发明的多样的实施例进行了说明，然而本发明并不限定于这些实施例。并且，在不脱离本发明的技术思想的限度内，对一个实施例说明的事项或构成要素也可以应用于其他实施例。

Claims (10)

1.一种发光二极管，包括：
基板；
第一导电型半导体层，布置于所述基板上；
台面，位于所述第一导电型半导体层上，并包含活性层及第二导电型半导体层；
欧姆反射层，布置于所述台面上，并电连接于所述第二导电型半导体层；
下部绝缘层，覆盖所述台面及欧姆反射层，并包含使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；
第一焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，并通过所述第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；
第二焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，并通过所述第二开口部电连接于所述欧姆反射层；以及
上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层及所述第二焊盘金属层，并包含使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部，
其中，所述上部绝缘层的第二开口部与所述下部绝缘层的第二开口部隔开。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，
从所述下部绝缘层的第二开口部到所述上部绝缘层的第二开口部的最短距离大于从所述下部绝缘层的第二开口部到所述第二焊盘金属层的边缘部位的最短距离。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其中，
所述下部绝缘层的第一开口部沿所述台面周围使所述第一导电型半导体层暴露，
所述第一焊盘金属层具有：外部接触部，沿所述台面周围接触于所述第一导电型半导体层。
4.如权利要求3所述的发光二极管，其中，
所述台面包括使所述第一导电型半导体层暴露的凹陷部，
所述下部绝缘层的第一开口部在所述凹陷部内进一步使所述第一导电型半导体层暴露，
所述第一焊盘金属层还包括：内部接触部，在所述凹陷部内接触于所述第一导电型半导体层。
5.如权利要求4所述的发光二极管，其中，
所述内部接触部与所述外部接触部连接。
6.如权利要求1所述的发光二极管，其中，
所述下部绝缘层的第二开口部具有在与所述上部绝缘层的第二开口部相向的侧凸出的形状，所述上部绝缘层的第二开口部具有对应于所述下部绝缘层的第二开口部的凸出的形状而凹入的形状。
7.如权利要求1所述的发光二极管，其中，
通过所述上部绝缘层的第一开口部及第二开口部暴露的所述第一焊盘金属层及第二焊盘金属层是焊料直接焊接的焊接焊盘。
8.如权利要求1所述的发光二极管，还包括：
第一凸起焊盘及第二凸起焊盘，分别覆盖通过所述上部绝缘层的第一开口部及第二开口部暴露的所述第一焊盘金属层及第二焊盘金属层。
9.如权利要求8所述的发光二极管，其中，
所述第一凸起焊盘及第二凸起焊盘分别覆盖所述上部绝缘层的第一开口部及第二开口部而密封。
10.如权利要求9所述的发光二极管，其中，
所述第二凸起焊盘还覆盖所述下部绝缘层的第二开口部上部的上部绝缘层。
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