CN114203580A - 用于处理基板的装置和方法 - Google Patents

用于处理基板的装置和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114203580A
CN114203580A CN202111026037.8A CN202111026037A CN114203580A CN 114203580 A CN114203580 A CN 114203580A CN 202111026037 A CN202111026037 A CN 202111026037A CN 114203580 A CN114203580 A CN 114203580A
Authority
CN
China
Prior art keywords
fluid
discharge
pressure
line
inner space
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111026037.8A
Other languages
English (en)
Inventor
尹堵铉
崔龙贤
林义相
崔峻荣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN114203580A publication Critical patent/CN114203580A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
    • F26B21/14—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects using gases or vapours other than air or steam, e.g. inert gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
    • F17D1/00—Pipe-line systems
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
    • F17D1/00—Pipe-line systems
    • F17D1/02—Pipe-line systems for gases or vapours
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
    • F17D3/00—Arrangements for supervising or controlling working operations
    • F17D3/01—Arrangements for supervising or controlling working operations for controlling, signalling, or supervising the conveyance of a product
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
    • F26B21/06—Controlling, e.g. regulating, parameters of gas supply
    • F26B21/10—Temperature; Pressure
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B5/00—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
    • F26B5/005—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by dipping them into or mixing them with a chemical liquid, e.g. organic; chemical, e.g. organic, dewatering aids
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B5/00—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
    • F26B5/14—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by applying pressure, e.g. wringing; by brushing; by wiping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Abstract

一种用于处理基板的装置，包括主体，其具有内部空间，在所述内部空间中通过处于超临界状态的干燥流体来干燥基板；流体供应单元，其将干燥流体供应到内部空间中；流体排放单元，其从内部空间释放干燥流体；和控制器。控制器控制流体供应单元和流体排放单元以执行：升压步骤：将内部空间中的压力升高至设定压力，和流动步骤：通过在流体供应单元将干燥流体供应到内部空间中的同时由流体排放单元从内部空间释放干燥流体，从而在内部空间中产生干燥气体的流动。

Description

用于处理基板的装置和方法
技术领域
本文描述的本发明构思的实施方式涉及用于处理基板的装置和方法。
背景技术
为了制造半导体元件，通过诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积等的各种工艺在诸如晶片的基板上形成期望的图案。在工艺中使用各种工艺液体和工艺气体，工艺过程中会产生颗粒和工艺副产物。为了从基板去除颗粒和工艺副产物，在工艺前后进行清洁工艺。
在一般的清洁工艺中，用化学品和冲洗溶液处理基板，然后对其进行干燥工艺。作为干燥工艺的示例，例示了通过高速旋转基板来去除残留在基板上的冲洗溶液的旋转干燥工艺。然而，在旋转干燥工艺的情况下，存在形成在基板上的图案坍塌的风险。
因此，使用如下一种超临界干燥工艺：用具有低表面张力的有机溶剂例如异丙醇(IPA)置换基板上残留的冲洗溶液，并用在超临界状态的工艺流体去除残留在基板上的有机溶剂。在超临界干燥工艺中，将干燥气体供应到密封的处理室中，并且对干燥气体进行加热和加压。干燥气体的温度和压力升高到临界点或更高，干燥气体经历相变成为超临界状态。
处于超临界状态的干燥气体具有高溶解性和渗透性。即，当向基板供应处于超临界状态的干燥气体时，干燥气体容易渗透到基板上的图案中，并且残留在基板上的有机溶剂容易溶解在干燥气体中。因此，可以容易地去除残留在形成在基板上的图案之间的有机溶剂。
然而，处理室中处于超临界状态的干燥气体具有低流动性。因此，处于超临界状态的干燥气体可能无法被适当地输送到基板。在这种情况下，残留在基板上的有机溶剂可能无法被适当地去除，或者在其中溶解了有机溶剂的处于超临界状态的干燥气体可能无法被适当地释放到处理室之外。
为了解决这个问题，通常使用一种改变处理室中的压力的方法，如图1所示。参考图1，在升压步骤S100中，将处理室中的压力升高至第一压力CP1，而在处理步骤S200中，使处理室中的压力在第一压力CP1和低于该第一压力CP1的第二压力CP2之间反复变化。此后，在排出步骤S300中，将处理室中的压力改变为大气压。通过在处理步骤S200中反复改变处理室中的压力，可以在处理室中产生处于超临界状态的干燥气体的流动，并且可以将处于超临界状态的干燥气体输送到基板。
在第一压力CP1和第二压力CP2之间反复改变处理室中的压力的方法通常通过反复打开/关闭安装在供应管线上的阀门和安装在排出管线上的阀门来执行，该供应管线将干燥气体供应到处理室中，该排出管线将处理室的内部空间抽空。当阀门反复打开/关闭时，阀门中可能会产生颗粒，并且颗粒可能会通过供应管线或排出管线输送到处理室。此外，在第一压力CP1和第二压力CP2之间反复改变处理室中的压力的方法增加了执行处理步骤S200所花费的时间。这是因为在处理步骤S200中升高或降低压力所花费的时间的减少存在物理限制。另外，当为了减少升压或降压所花费的时间而迅速打开/关闭阀门时，可能无法适当升压或降压，并且存在阻碍处于超临界状态的干燥气体的流动的风险。
发明内容
本发明构思的实施方式提供用于有效处理基板的基板处理装置和方法。
此外，本发明构思的实施方式提供用于提高干燥基板的效率的基板处理装置和方法。
此外，本发明构思的实施方式提供用于减少执行干燥基板的干燥工艺所花费的时间的基板处理装置和方法。
此外，本发明构思的实施方式提供用于在执行干燥基板的干燥工艺的同时最少化诸如颗粒的杂质的基板处理装置和方法。
本发明构思要解决的技术问题不限于上述问题，本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
根据一个实施方式，一种用于处理基板的装置包括：主体，所述主体具有内部空间，在所述内部空间中通过处于超临界状态的干燥流体来干燥所述基板；流体供应单元，所述流体供应单元将所述干燥流体供应到所述内部空间中；流体排放单元，所述流体排放单元从所述内部空间释放所述干燥流体；和控制器。所述控制器控制所述流体供应单元和所述流体排放单元以执行：升压步骤：将所述内部空间的压力升高至设定压力；和流动步骤：通过在所述流体供应单元将所述干燥流体供应到所述内部空间中的同时由所述流体排放单元从所述内部空间释放所述干燥流体，在所述内部空间中产生所述干燥气体的流动。
根据一个实施方式，所述控制器可以控制所述流体供应单元和所述流体排放单元，使得在执行所述流动步骤时使所述内部空间中的压力保持在所述设定压力。
根据一个实施方式，所述控制器可控制控制所述流体供应单元和流所述体排放单元，使得在执行所述流动步骤时，每单位时间由所述流体供应单元供应到所述内部空间中的所述干燥流体的量和每单位时间通过所述流体排放单元从所述内部空间释放的所述干燥流体的量相同。
根据一个实施方式，所述流体排放单元可以包括：主排放管线，所述主排放管线与所述主体连接；和第一排放阀，所述第一排放阀使所述干燥流体选择性地流过所述主排放管线，并且所述控制器可以控制所述流体供应单元和所述流体排放单元，使得在执行所述流动步骤时所述第一排放阀保持开启。
根据一个实施方式，所述流体排放单元还可以包括：流动管线，所述流动管线从所述主排放管线分支并且在其上安装有所述第一排放阀；慢速排出管线，所述慢速排出管线从所述主排放管线分支并且在其上安装有第二排放阀；和快速排出管线，所述快速排出管线从所述主排放管线分支并且在其上安装有第三排放阀，其中每单位时间通过所述快速排出管线释放的所述干燥流体的量大于每单位时间通过所述慢速排出管线释放的所述干燥流体的量。
根据一个实施方式，所述控制器可以控制所述流体供应单元和所述流体排放单元以另外执行：第一排出步骤：通过打开所述第二排放阀通过所述慢速排出管线释放所述内部空间中的所述干燥流体来降低所述内部空间中的压力；和第二排出步骤：通过打开所述第三排放阀通过所述快速排出管线降低所述内部空间中的压力。
根据一个实施方式，可以在所述流动管线上安装压力调节构件以测量流过所述主排放管线的所述干燥流体的压力并且通过调节每单位时间内通过所述流动管线释放的所述干燥流体的量将所述内部空间中的压力调节至所述设定压力。
根据一个实施方式，所述控制器可以控制所述流体供应单元和所述流体排放单元，使得将所述流动步骤执行20秒至65秒的时间段。
根据一个实施方式，所述控制器可以控制所述流体供应单元和所述流体排放单元，使得将所述流动步骤执行25秒至65秒的时间段。
根据一个实施方式，控制器可以控制所述流体供应单元和所述流体排放单元，使得所述设定压力在120巴至150巴的范围内。
根据一个实施方式，控制器可以控制所述流体供应单元和所述流体排放单元，使得所述设定压力等于150巴。
根据一个实施方式，一种用于处理基板的装置包括：主体，所述主体具有内部空间，在所述内部空间中通过处于超临界状态的干燥流体来干燥所述基板；流体供应单元，所述流体供应单元被配置为将所述干燥流体供应到所述内部空间中；流体排放单元，所述流体排放单元被配置为从所述内部空间释放所述干燥流体；和控制器。所述流体排放单元包括主排放管线，所述主排放管线与所述主体连接；和第一排放阀，所述第一排放阀使所述干燥流体选择性地流过所述主排放管线。所述控制器执行：升压步骤：将所述内部空间的压力升高至设定压力；流动步骤：将所述内部空间的压力保持在所述设定压力；和排出步骤：降低所述内部空间中的压力。所述控制器控制所述流体供应单元和所述流体排放单元，使得所述第一排放阀在所述流动步骤期间保持开启。
根据一个实施方式，所述控制器可以控制所述流体供应单元和所述流体排放单元，使得在所述流动步骤期间，每单位时间由所述流体供应单元供应的所述干燥流体的量和每单位时间通过所述主排放管线释放的所述干燥流体的量彼此相同。
根据一个实施方式，所述流体排放单元还可以包括压力调节构件，所述压力调节构件被配置为基于在所述流动步骤期间流经所述主排放管线的所述干燥流体的压力将所述内部空间中的压力调节至所述设定压力。
根据一个实施方式，所述主排放管线可以分支成分支管线，并且所述分支管线可以包括：排出管线，所述排出管线降低所述内部空间的压力；以及流动管线，所述流动管线具有安装在其上的所述第一排放阀和所述压力调节构件。
根据一个实施方式，所述流体供应单元可以包括：第一供应管线，所述第一供应管线从被支撑在所述内部空间中的所述基板上方供应所述干燥流体；和第二供应管线，所述第二供应管线从被支撑在所述内部空间中的所述基板的下方供应所述干燥流体。
根据一个实施方式，所述流体供应单元可以包括：第一供应管线，所述第一供应管线从被支撑在所述内部空间中的所述基板侧面供应所述干燥流体；和第二供应管线，所述第二供应管线被配置为从被支撑在所述内部空间中的所述基板的下方供应所述干燥流体。
根据一个实施方式，一种用于处理基板的装置包括：主体，所述主体具有内部空间，在所述内部空间中通过处于超临界状态的干燥流体来干燥残留在所述基板上的有机溶剂；流体供应单元，所述流体供应单元将所述干燥流体供应到所述内部空间中；流体排放单元，所述流体排放单元从所述内部空间释放所述干燥流体；和控制器。所述控制器执行：升压步骤：通过由所述流体供应单元将所述干燥流体供应到所述内部空间来将所述内部空间中的压力升高至设定压力；流动步骤：通过在所述流体供应单元将所述干燥流体供应到所述内部空间中的同时由所述流体排放单元从所述内部空间释放所述干燥流体而在所述内部空间中产生所述干燥气体的流动；和排出步骤：通过由所述流体排放单元从所述内部空间释放所述干燥流体来降低所述内部空间中的压力。所述控制器控制所述流体供应单元和所述流体排放单元，使得在执行所述流动步骤时，每单位时间由所述流体供应单元供应到所述内部空间中的所述干燥流体的量和每单位时间通过所述流体排放单元从所述内部空间释放的所述干燥流体的量相同。
根据一个实施方式，所述流体排放单元可以包括：主排放管线，所述主排放管线与所述主体连接并对所述内部空间进行抽空；排出管线，所述排出管线从所述主排放管线分支并降低所述内部空间中的压力；和流动管线，所述流动管线从所述主排放管线分支并具有安装在其上的压力调节构件和第一排放阀，其中所述压力调节构件基于流经所述主排气管线的所述干燥流体的压力将所述内部空间中的压力调节至所述设定压力。所述控制器可以控制所述流体供应单元和所述流体排放单元，使得在执行所述流动步骤时，所述第一排放阀保持开启以通过所述主排放管线和所述流动管线释放所述干燥流体。
根据一个实施方式，所述排出管线可以包括：快速排出管线，所述快速排出管线在其上安装有第三排放阀；和慢速排出管线，所述慢速排出管线在其上安装有第二排放阀，其中每单位时间通过所述慢速排出管线释放的所述干燥流体的量少于每单位时间通过所述快速排出管线释放的所述干燥流体的量。所述控制器可以控制所述第二排放阀和所述第三排放阀，使得在所述排出步骤中，在通过所述慢速排出管线释放所述干燥流体之后，通过所述快速排出管线释放所述干燥流体。
根据一个实施方式，一种用于处理基板的方法包括：液体处理步骤：通过向所述基板供应有机溶剂来对所述基板进行液体处理；传送步骤：将其上残留有有机溶剂的所述基板转移到主体中(所述主体具有用于在其中干燥所述基板的内部空间)；以及干燥步骤：通过将处于超临界状态的干燥流体供应到所述内部空间中的所述基板来干燥所述基板。干燥步骤包括：升压步骤：将所述内部空间中的压力升高至设定压力；流动步骤：通过使每单位时间供应到所述内部空间中的所述干燥流体的量和每单位时间从所述内部空间释放的所述干燥流体的量相同持续设定时间段而产生所述干燥流体在所述内部空间中的流动；以及排出步骤：降低所述内部空间的压力。
根据一个实施方式，在所述流动步骤中，所述内部空间中的压力可以保持在所述设定压力，并且所述设定压力的范围可以为120巴至150巴。
根据一个实施方式，所述设定压力可以为150巴。
根据一个实施方式，所述设定时间段的范围可以为20秒至65秒。
根据一个实施方式，所述设定时间段的范围可以为25秒到60秒。
根据一个实施方式，在执行所述流动步骤时，使所述干燥流体选择性地流过主排放管线的第一排放阀可以保持开启，所述主排放管线抽空所述内部空间。
附图说明
将通过参考以下附图的以下描述，以上和其他目的和特征变得显而易见，其中除非另有说明，否则相同的附图标记在各个附图中指代相同的部分，并且其中：
图1是图示出进行一般的超临界干燥工艺时处理室中的压力变化；
图2是示出根据本发明构思的一个实施方式的基板处理装置的示意性平面图；
图3是示出图2的液体处理室的一个实施方式的示意图；
图4是示出图2的干燥室的一个实施方式的示意图；
图5是示出根据本发明构思的一个实施方式的基板处理方法的流程图；
图6图示出执行图5的液体处理步骤的液体处理室；
图7图示出执行图5的第一升压步骤的干燥室；
图8图示出执行图5的第二升压步骤的干燥室；
图9图示出执行图5的流动步骤的干燥室；
图10图示出执行图5的第一排出步骤的干燥室；
图11图示出执行图5的第二排出步骤的干燥室；
图12图示出在执行本发明构思的干燥工艺时主体内部空间中的压力变化；
图13是示出根据本发明构思的另一实施方式的干燥室的示意图；
图14是示出根据本发明构思的另一实施方式的干燥室的示意图；和
图15是示出根据本发明构思的另一实施方式的干燥室的示意图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述本发明构思的实施方式，使得本发明构思所属领域的技术人员能够容易地实施本发明构思。然而，本发明构思可以以各种不同的形式实现并且不限于本文描述的实施方式。此外，在描述本发明构思的实施方式时，当对与众所周知的功能或配置相关的详细描述可能使本发明构思的主题不必要地模糊时，将省略它们。此外，在整个附图中，执行相似功能和操作的部件具有相同的附图标记。
说明书中的术语“包含”和“包括”是“开放式”表述，只是为了说明相应的部件存在，并且除非有相反的具体描述，否则不排除但可以包括另外的部件。具体而言，应当理解，术语“包含”、“包括”和“具有”当在本文中使用时，指定了所述特征、整体、步骤、操作、部件和/或部分的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、部件、部分和/或它们的组的存在或添加。
除非另有说明，否则单数形式的术语可包括复数形式。此外，在附图中，为了图示清楚，部件的形状和尺寸可能被夸大。
诸如第一、第二等术语可用于描述各种部件，但部件不应受该术语限制。这些术语可以仅用于将一个部件与其他部件区分开来。例如，在不脱离本发明构思的范围的情况下，第一部件可以被称为第二部件，类似地，第二部件也可以被称为第一部件。
应当理解，当一个元件被称为“连接”或“联接”到另一个元件时，它可以直接连接或联接到另一个元件，或者可以存在中间元件。相反，当一个元件被称为“直接连接”或“直接联接”到另一个元件时，不存在中间元件。用于描述元件之间关系的其他词应该以类似的方式解释(即“之间”相对于“直接之间”、“相邻”相对于“直接相邻”等)。
除非另外定义，否则本文使用的所有术语，包括技术或科学术语，具有与本发明构思所属领域的技术人员通常理解的那些技术或科学术语相同的含义。如通用字典中定义的此类术语应解释为具有与相关技术领域的上下文含义相同的含义，而不应解释为具有理想的或过于正式的含义，除非在本申请中明确定义为具有此类含义。
图2是示出根据本发明构思的一个实施方式的基板处理装置的示意性平面图。
参考图2，基板处理装置包括转位模块10、处理模块20和控制器30。当俯视时，转位模块10和处理模块20沿一个方向布置。在下文中，将转位模块10和处理模块20的布置方向称为第一方向X，将当俯视时垂直于第一方向X的方向称为第二方向Y，并且将垂直于第一方向X和第二方向Y两者的方向称为第三方向Z。
转位模块10将基板W从接纳基板W的载体C传送到处理模块20，并且将在处理模块20中完全处理的基板W放置在载体C中。转位模块10的纵向方向平行于第二方向Y。转位模块10具有装载端口12和转位框架14。装载端口12相对于转位框架14位于处理模块20的相反侧。将其中接纳有基板W的载体C放置在装载端口12上。可以提供多个装载端口12。多个装载口12可沿第二方向Y布置。
诸如正面开口标准箱(FOUP)的气密载体可以用作载体C。载体C可以通过传送单元(未示出)，例如高架传送器、高架输送机或自动导引车或通过由操作者放置在装载端口12上。
在转位框架14中设置转位机械手120。可以在转位框架14中设置其长度方向平行于第二方向Y的导轨124，并且转位机械手120可以在导轨124上移动。转位机械手120包括手部122，基板W被放置在手部122上。手部122可向前和向后移动、可绕面向第三方向Z的轴线旋转并且可沿第三方向Z移动。手部122可沿上/下方向彼此间隔开。手部122可以独立地向前和向后移动。
控制器30可以控制基板处理装置。控制器30可以包括工艺控制器、用户界面和存储单元。工艺控制器可以包括控制基板处理装置的微处理器(计算机)。用户界面可包括供操作者通过其输入命令以管理基板处理装置的键盘或可视地显示基板处理装置的操作状态的显示器。存储单元可以存储工艺配方，例如用于执行在工艺控制器的控制下在基板处理装置中执行的工艺的控制程序或用于使每个部件根据各种类型的数据和工艺条件执行工艺的程序。用户界面和存储单元可以连接到工艺控制器。工艺配方可以存储在存储单元的存储介质中。存储介质可以是硬盘，诸如CD-ROM、DVD等的便携式磁盘，或者诸如闪存等的半导体存储器。
控制器30可以控制基板处理装置以执行将在下面描述的基板处理方法。例如，控制器30可以控制流体供应单元530和流体排放单元550以执行下面将描述的基板处理方法。
处理模块20包括缓冲单元200、传送室300、液体处理室400和干燥室500。缓冲单元200提供用作供被载送到处理模块20中的基板W和将被载送出处理模块20的基板W暂时停留的空间。液体处理室400通过将液体分配到基板W上来执行处理基板W的液体处理工艺。干燥室500执行去除残留在基板W上的液体的干燥工艺。传送室300在缓冲单元200、液体处理室400和干燥室500之间传送基板W。
传送室300可以设置为使得其长度方向平行于第一方向X。缓冲单元200可以设置在转位模块10和传送室300之间。液体处理室400和干燥室500可以设置在传送室300的横向侧。液体处理室400和传送室300可以沿着第二方向Y设置。干燥室500和传送室300可以沿着第二方向Y设置。缓冲单元200可以位于传送室300的一端。
根据一个实施方式，液体处理室400可以设置在传送室300的对置侧。干燥室500可以设置在传送室300的对置侧。液体处理室400可以比干燥室500更靠近缓冲单元200。在传送室300的一侧，液体处理室400可以沿着第一方向X和第三方向Z以A×B阵列(A和B为1或更大的自然数)布置。此外，干燥室500可以在传送室300的一侧沿着第一方向X和第三方向Z以C×D阵列(C和D为1或更大的自然数)布置。或者，仅液体处理室400可布置在传送室300的一侧，并且仅干燥室500可布置在传送室300的相反侧。
传送室300具有传送机械手320。可在传送室300中设置其长度方向平行于第一方向X的导轨324，传送机械手320可在导轨324上移动轨道。传送机械手320包括手部322，基板W被放置在手部322上。手部322可向前和向后移动，可绕面向第三方向Z的轴线旋转，并且可沿第三方向Z移动。手部322可沿上/下方向彼此间隔开。手322可以独立地向前和向后移动。
缓冲单元200包括多个缓冲器220，基板W被放置在多个缓冲器220中。缓冲器220可以沿第三方向Z彼此间隔开。缓冲器单元200的正面和背面是敞开的。正面是面向转位模块10的面，背面是面向传送室300的面。转位机械手120可以通过正面进入缓冲单元200，并且传送机械手320可以通过背面进入缓冲单元200。
图3是示出图2的液体处理室的一个实施方式的示意图。参考图3，液体处理室400具有壳体410、杯状部420、支撑单元440、液体分配单元460和升降单元480。
壳体410可具有供处理基板W的内部空间。壳体410可以具有六面体形状。例如，壳体410可以具有长方体形状。壳体410可以具有开口(未示出)，基板W通过该开口进入或离开壳体410。壳体410可以配备有选择性地打开和关闭开口的门(未示出)。
杯状部420可以具有顶部开口的容器形状。杯状部420可以具有处理空间，并且可以在处理空间中用液体处理基板W。支撑单元440在处理空间中支撑基板W。液体分配单元460将液体分配到被支撑在支撑单元440上的基板W上。液体可以依次被分配到基板W上。升降单元480调节杯状部420和支撑单元440之间的相对高度。
根据一个实施方式，杯状部420具有多个回收碗状部422、424和426。回收碗状部422、424和426具有用于回收用于处理基板W的液体的回收空间。回收碗状部422、424和426具有围绕支撑单元440的环形形状。在液体处理过程中由于基板W的旋转而飞散的液体通过各个回收碗状部422、424和426的入口422a、424a和426a被引入回收空间中。根据一个实施方式，杯状部420具有第一回收碗状部422、第二回收碗状部424和第三回收碗状部426。第一回收碗状部422被设置为围绕支撑单元440、第二回收碗状部424被设置为围绕第一回收碗状部422，第三回收碗状部426被设置为围绕第二回收碗状部424。用于将液体引入第二回收碗状部424中的第二入口424a可以比用于将液体引入第一回收碗状部422中的第一入口422a位于更高的位置，并且用于将液体引入第三回收碗状部426的第三入口426a可以比第二入口424a位于更高的位置。
支撑单元440具有支撑板442和驱动轴444。支撑板442的上表面可以具有基本上圆形的形状并且可以比基板W具有更大的直径。在支撑板442的中心部分设置支撑销442a以支撑基板W的后表面。支撑销442a从支撑板442向上突出以将基板W与支撑板442隔开预定距离。在支撑板442的边缘部分上设置卡盘销442b。卡盘销442b从支撑板442向上突出并支撑基板W的横向部分以防止在基板W旋转时基板W从支撑单元440偏离。驱动轴444由致动器446驱动。驱动轴444连接到支撑板442的后表面的中心并且围绕其中心轴线旋转支撑板442。
根据一个实施方式，液体分配单元460可以包括喷嘴462。喷嘴462可以将处理液分配到基板W上。处理液可以是化学品、冲洗溶液或有机溶剂。化学品可以是具有强酸或强碱性质的化学品。冲洗溶液可以是去离子水。有机溶剂可以是异丙醇(IPA)。液体分配单元460可以包括多个喷嘴462，并且喷嘴462可以分配不同类型的处理液。例如，一个喷嘴462可以分配化学品，另一个喷嘴462可以分配冲洗溶液，另一个喷嘴462可以分配有机溶剂。在将冲洗溶液分配到基板W上之后，控制器30可以控制液体分配单元460将有机溶剂分配到基板W上。因此，分配到基板W上的冲洗液可以被置换为具有低表面张力的有机溶剂。
升降单元480沿上/下方向移动杯状部420。杯状部420相对于基板W的高度通过杯状部420沿上/下方向的移动而改变。因此，用于回收处理液的回收碗状部422、424和426可以根据分配到基板W上的液体的类型而改变，从而分离和回收液体。或者，杯状部420可以是固定的，并且升降单元480可以沿上/下方向移动支撑单元440。
图4是示出图2的干燥室的一个实施方式的示意图。参考图4，根据本发明构思的实施方式的干燥室500可以使用处于超临界状态的干燥流体G去除残留在基板W上的处理液。例如，干燥室500可以执行使用处于超临界状态的二氧化碳(CO2)去除残留在基板W上的有机溶剂的干燥工艺。
干燥室500可包括主体510、加热构件520、流体供应单元530、流体排放单元550和升降构件560。主体510可具有供处理基板的内部空间518。主体510可以提供用于供处理基板W的内部空间518。主体510可以提供用于供通过处于超临界状态的干燥流体G干燥基板W的内部空间518。
主体510可以包括上主体512和下主体514。上主体512和下主体514可以彼此结合以形成内部空间518。基板W可以被支撑在内部空间中518。例如，基板W可以在内部空间518中由支撑构件(未示出)支撑。支撑构件可以被配置为支撑基板W的边缘区域的下表面。上主体512和下主体514中的一个可以与升降构件560联接并且可以通过升降构件560沿上/下方向移动。例如，下主体514可以与升降构件560联接并且可以通过升降构件560沿上/下的方向移动。因此，主体510的内部空间518可以被选择性地密封。尽管已经示出了下主体514与升降构件560联接并且通过升降构件560沿上/下方向移动，但是本发明构思不限于此。例如，上主体512可以与升降构件560联接并且可以通过升降构件560沿上/下方向移动。
加热构件520可以加热供应到内部空间518中的干燥流体G。加热构件520可以升高主体510的内部空间518中的温度以使得供应到内部空间518中的干燥流体G经历相变成为超临界状态。此外，加热构件520可升高主体510的内部空间518中的温度以使得供应到内部空间518中的处于超临界状态的干燥流体G保持在超临界状态。
此外，加热构件520可以埋设在主体510中。例如，加热构件520可以埋设在上主体512和下主体514之一中。例如，加热构件520可以设置在下主体514中。然而，不限于此，加热构件520可以设置在不同位置以升高内部空间518中的温度。加热构件520可以是加热器。然而，不限于此，加热构件520可以用能够升高内部空间518中的温度的各种众所周知的装置来实现。
流体供应单元530可以将干燥流体G供应到主体510的内部空间518中。由流体供应单元530供应的干燥流体G可以包括二氧化碳(CO2)。流体供应单元530可包括流体供应源531、第一供应管线533、第一供应阀535、第二供应管线537和第二供应阀539。
流体供应源531可以储存待供应到主体510的内部空间518中的干燥流体G和/或可以将干燥流体G供应到主体510的内部空间518中。流体供应源531可将干燥流体G供应至第一供应管线533和/或第二供应管线537。例如，第一供应阀535可与第一供应管线533成一直线设置。此外，第二供应阀539可以与第二供应管线537成一直线布置。第一供应阀535和第二供应阀539可以是开/关阀。当第一供应阀535和第二供应阀539打开/关闭时，干燥流体G可以选择性地流过第一供应管线533或第二供应管线327。
尽管已经示出了第一供应线533和第二供应线537连接到一个流体供应源531，但是本发明构思不限于此。例如，可以提供多个流体供应源531。第一供应管线533可以与多个流体供应源531中的一个连接，并且第二供应管线537可以与流体供应源531中的另一个连接。
第一供应管线533可以是从主体510的内部空间518上方供应干燥流体G的上部供应管线。例如，第一供应管线533可以沿向下的方向将干燥流体G供应到主体510的内部空间518中。例如，第一供应管线533可以连接到上主体512。此外，第二供应管线537可以是从主体510的内部空间518下方供应干燥流体G的下部供应管线。例如，第二供应管线537可以沿向上的方向将干燥流体G供应到主体510的内部空间518中。例如，第二供应线537可以连接到下主体514。
流体排放单元550可从主体510的内部空间518释放干燥流体G。流体排放单元550可包括主排放管线551、流动管线553、慢速排出管线555、快速排出管线557和脉冲排出管线559。
主排放管线551可以与主体510连接。主排放管线551可以将供应到主体510的内部空间518中的干燥流体G释放到主体510的外部。例如，主排放管线551的一端可与主体510连接。主排放管线551的一端可与上主体512和下主体514之一连接。例如，主排放管线的一端551可与下主体514连接。此外，主排放管线551的相反端可分支。例如，主排放管线551的相反以分支。主排放管线551分支的管线可以包括流动管线553、慢速排出管线555、快速排出管线557和脉冲排出管线559。
流动管线553可以从主排放管线551的相反端分支。第一排放阀553a和压力调节构件553b可以与流动管线553成一直线设置。第一排放阀553a可以是安装在压力调节构件553b的上游。第一排放阀553a可以是开/关阀。第一排放阀553a可以使干燥流体G选择性地流过流动管线553。此外，流动管线553可以用于将在下面描述的流动步骤S33。
压力调节构件553b可以将主体510的内部空间518中的压力保持在设定压力。例如，压力调节构件553b可以测量流过主排放管线551的干燥流体G的压力。此外，压力调节构件553b可以基于流过主排放管线551的干燥流体G的压力测量主体510的内部空间518中的压力。此外，为了将主体510的内部空间518中的压力保持在设定压力，压力调节构件553b可以调节每单位时间通过流动管线533释放的干燥流体G的量。例如，压力调节构件553b可以是背压调节器(BRP)。例如，当假设主体510的内部空间518的设定压力为150巴时，压力调节构件553b可以防止干燥流体G通过流动管线553释放，直到主体510的内部空间518中的压力达到150巴的设定压力。此外，当主体510的内部空间518中的压力达到高于设定压力的压力(例如，170巴)时，压力调节构件553b可通过流动管线553释放干燥流体G以将主体510的内部空间518中的压力降低至150巴。
慢速排出管线555可以从主排放管线551的相反端分支。慢速排出管线555可以降低主体510的内部空间518中的压力。慢速排出管线555可以用于将在下面描述的第一排出步骤S34。第二排放阀555a和慢速排出管线孔口553b可以与慢速排出管线555成一直线设置。第二排放阀555a可以安装在慢速排出管线孔口555b的上游。第二排放阀555a可以是开/关阀。此外，慢速排出管线孔口555b的水力直径可以小于下面将描述的快速排出管线孔口557b的水力直径。
快速排出管线557可以从主排放管线551的相反端分支。快速排出管线557可以降低主体510的内部空间518中的压力。快速排出管线557可以用于将在下面描述的第二排出步骤S35。第三排放阀557a和快速排出管线孔口557b可以与快速排出管线557成一直线布置。第三排放阀557a可以安装在快速排出管线孔口557b的上游。第三排放阀557a可以是开/关阀。此外，快速排出管线孔口557b的水力直径可以大于下面将描述的慢速排出管线孔口555b的水力直径。
脉冲排出管线559可以从主排放管线551的相反端分支。脉冲排出管线559可以反复地改变主体510的内部空间518中的压力。例如，第四排放阀559a和脉冲排出管线孔口559b可以与脉冲排出管线559成一直线布置。第四排放阀559a可以是开/关阀。上述控制器30可以通过反复打开/关闭第四排放阀559a来升高/降低主体510的内部空间518中的压力。即，主体510的内部空间518中的压力可以通过打开/关闭第四排放阀559a而反复升高和降低。此外，脉冲排出管线559可用于将在下面描述的流动步骤S33。在下面将要描述的流动步骤S33中，控制器30可以打开/关闭第一排放阀553a或第四排放阀559a以通过选择流动管线553和脉冲排出管线559中的一个来释放主体510的内部空间518中的干燥流体G。
在下文中，将描述根据本发明构思的实施方式的基板处理方法。下面描述的基板处理方法可以由基板处理装置执行。控制器30可以控制基板处理装置以执行将在下面描述的基板处理方法。
图5是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理方法的流程图。参考图5，根据本发明构思的实施方式的基板处理方法可以包括液体处理步骤S10、传送步骤S20和干燥步骤S30。
液体处理步骤S10是通过将处理液分配到基板W上来对基板W进行液体处理的步骤。液体处理步骤S10可以在液体处理构件400中进行。例如，在液体处理步骤中S10，可将处理液分配到旋转的基板W上以对基板W进行液体处理(参考图6)。在液体处理步骤S10中分配的处理液可以是上述化学品、冲洗溶液或有机溶剂中的至少一种。例如，在液体处理步骤S10中，可以将冲洗溶液分配到旋转的基板W上以冲洗基板W。此后，可以将有机溶剂分配到旋转的基板W上，残留在基板W上的冲洗溶液可以用有机溶剂置换。
传送步骤S20是传送基板W的步骤。传送步骤S20可以是将经过液体处理的基板W传送到干燥室500的步骤。例如，在传送步骤S20中，传送机械手320可以将基板W从液体处理室400传送到干燥室500。处理液可以保留在传送步骤S20中传送的基板W上。例如，有机溶剂可以保留在基板W上。也就是说，可以将浸渍在有机溶剂中的基板W传送到干燥室500。
干燥步骤S30是干燥基板W的步骤。干燥步骤S30可以在干燥室500中进行。在干燥步骤S30中，可以将干燥流体G供应到主体510的内部空间518中的基板W以干燥基板W。在干燥步骤S30中供应到基板W的干燥流体G可以处于超临界状态。
干燥步骤S30可以包括升压步骤S31和S32、流动步骤S33以及排出步骤S34和S35。升压步骤S31和S32可以是将主体510的内部空间518中的压力升高到设定压力的步骤。
流动步骤S33可以在升压步骤S31和S32之后执行。流动步骤S33可以是使供应到主体510的内部空间518中的处于超临界状态的干燥流体G产生流动的步骤。
排出步骤S34和S35可以在流动步骤S33之后执行。在排出步骤S34和S35中，可以降低主体510的内部空间518中的压力。例如，在排出步骤S34和S35中，可以将主体510的内部空间518中的压力降低到大气压。
在下文中，将更详细地描述升压步骤S31和S32、流动步骤S33以及排出步骤S34和S35。
升压步骤S31和S32可以包括第一升压步骤S31和第二升压步骤S32。
在第一升压步骤S31中，第二供应管线37可以将干燥流体G供应到主体510的内部空间518中(参考图7)。即，在第一升压步骤S31中，可以将干燥流体G供应到主体510的内部空间518的下部，具体地，供应到在支撑在内部空间518中的基板W的下方。在第一升压步骤S31中，可将主体510的内部空间518内的压力升至第二设定压力P2。第二设定压力P2可以是120巴。此外，在执行第一升压步骤S31的同时，第一排放阀553a可以保持开启。因为在第一升压步骤S31中主体510的内部空间518中的压力没有达到期望的压力(例如，第二压力P2)，所以压力调节构件553b可以不允许干燥流体G流过流动管线553，即使第一排放阀553a被打开。
在第二升压步骤S32中，第一供应管线533可以将干燥流体G供应到主体510的内部空间518中(参考图8)。即，在第二升压步骤S32中，可以将干燥流体G供应到内部空间518的上部，具体地，供应到在支撑在内部空间518中的基板W上方。在第二升压步骤S32中，可以将主体510的内部空间518中的压力升高至第一设定压力P1。第一设定压力P1可以是150巴。此外，在执行第二升压步骤S32的同时，第一排放阀553a可以保持开启。因为在第二升压步骤S32中主体510的内部空间518中的压力没有达到期望的压力(例如，第二压力P2)，所以压力调节构件553b可不允许干燥流体G流过流动管线553，即使第一排放阀553a被打开。
尽管已经示出了第一供应管线533在第二升压步骤S32中供应干燥流体G，但是本发明构思不限于此。例如，在第二升压步骤S32中，第二供应管线537可以供应干燥流体G。或者，第一供应管线533和第二供应管线537两者可以供应干燥流体G。
在执行升压步骤S31和S32时，内部空间518中的压力可以达到期望的压力。在执行升压步骤S31和S32时，内部空间518可被加热构件520加热。因此，供应到内部空间518中的干燥流体G可经历相变成为超临界状态。然而，不限于此，干燥流体G可以以超临界状态被供应到内部空间518中。在这种情况下，内部空间518中的压力可以在升压步骤S31和S32中达到期望的压力(例如，第一设定压力P1)，因此以超临界状态供应到内部空间518中的干燥流体G可保持在超临界状态。
在流动步骤S33中，可以使被供应到内部空间518中的处于超临界状态的干燥流体G产生流动。在流动步骤S33中，流动管线553可在第一供应管线533持续供应干燥流体G的同时持续释放干燥流体G(参考图9)。即，在流动步骤S33中，流体排放单元550可以在流体供应单元530将干燥流体G供应到内部空间518中的同时，持续从内部空间518释放干燥流体G。此外，在流动步骤S33中，第一排放阀553a可以保持打开。此外，在流动步骤S33中，第二排放阀555a、第三排放阀557a和第四排放阀559a可以保持关闭。
为了将内部空间518中的压力保持在第一设定压力P1(例如，150巴)，压力调节构件553b调节每单位时间流过流动管线553的干燥流体G的量。因此，每单位时间由流体供应单元530的第一供应管线533供应的干燥流体G的量可以与每单位时间由流体排放单元550通过流动管线553释放的干燥流体G的量相同。也就是说，在流动步骤S33中，第一供应管线533可以持续供应干燥流体G，而流动管线553可以持续释放干燥流体G。因此，可以生成内部空间518中的干燥流体G的流动。
在第一排出步骤S34中，可以通过慢速排出管线555释放干燥流体G，并且流体供应单元530可以停止供应干燥流体G(参考图10)。因此，可以降低内部空间518中的压力。此外，在第一排出步骤S34中，第二排放阀555a可以打开并且可以保持打开。此外，在第一排出步骤S34中，第一排放阀553a、第三排放阀557a和第四排放阀559a可以保持关闭。
在第二排出步骤S35中，可以通过快速排出管线557释放干燥流体G，并且流体供应单元530可以停止供应干燥流体G(参考图11)。因此，可以降低内部空间518中的压力。此外，在第二排出步骤S35中，第三排放阀557a可以打开并且可以保持打开。此外，在第二排出步骤S35中，第一排放阀553a、第二排放阀555a和第四排放阀559a可以保持关闭。
因为如上所述慢速排出管线孔口555b的水力直径小于快速排出管线孔口557b的水力直径，所以第一排出步骤S34中的减压速率可以低于第二排出步骤S35中的减压速率。
图12图示出在执行本发明构思的干燥工艺时主体内部空间中的压力变化。参考图12，在第一升压步骤S31中，内部空间518中的压力可以升高到第二设定压力P2。第二设定压力P2可以是大约120巴。在第二升压步骤S32中，内部空间518中的压力可以升高到第一设定压力P1。第一设定压力P1可以是大约150巴。在流动步骤S33中，内部空间518中的压力可以保持在第一设定压力P1。在第一排出步骤S34中，内部空间518中的压力可以缓慢降低，并且在第二排出步骤S35中，内部空间518中的压力可以快速降低。
在下文中，将详细描述本发明构思的效果。
下表显示了当使用脉冲排出管线559以传统脉冲方式执行流动步骤S33时和当使用流动管线553以连续方式执行流动步骤S33时的处理时间和残留在基板W上的颗粒数。同时进行升压步骤S31和S32以及排出步骤S34和S35。此外，残留在基板W上的有机溶剂的量相同。
[表1]
Figure BDA0003243457000000211
通过上表可以看出，当使用本发明构思的连续方式进行流动步骤S33时，即使减少了进行流动步骤S33的设定时间，基板W上残留的颗粒数也会等于或少于当使用传统脉冲方式执行流动步骤S33时基板W上残留的颗粒数。即，根据本发明构思的实施方式，可以将残留在基板W上的颗粒数保持在相同或更低的水平，同时减少处理基板W所花费的时间。如从实验数据可以看出的，进行流动步骤S33期间的设定时间(t2至t3)可以在20秒至65秒的范围内，优选在25秒至65秒的范围内。例如，流动步骤S33可以执行33秒或40秒，显示出低颗粒水平。
在本发明构思中，在流动步骤S33中内部空间518中的压力可以保持在120巴至150巴的范围内。例如，在流动步骤S33中内部空间518中的压力可以保持在大约150巴。
虽然已经示出了流体排放单元550包括脉冲排出管线559、第四排放阀559a和脉冲排出管线孔口559b，但脉冲排出管线559、第四排放阀559a和脉冲排出管线孔口559b可以省略，如图13所示。
尽管已经示出了压力调节构件553b与流动管线553成一直线设置，但是本发明构思不限于此。例如，代替压力调节构件553b的流动管线孔口553c可以与流动管线553成一直线地设置。流动管线孔口553c可以具有适合于将内部空间518中的压力保持在设定压力P1和P2的水力直径。
尽管已经示出了主体510包括上主体512和下主体514，但是本发明构思不限于此。例如，如图15所示，主体510a可包括基体512a和门体514a。基体512a和门体514a可以彼此结合以形成内部空间518a。基体512a可以具有在一侧打开的容器形状，并且门体514a可以沿横向方向移动以选择性地打开和关闭内部空间518a。可以在门体514a和基体512a之间设置密封构件560a。支撑板516a可以联接到门体514a，并且基板W可以被支撑在支撑板516a上。
第一供应管线533a可以从一侧向被支撑在支撑板516a上的基板W供应干燥流体G。第二供应管线537a可以从基板W下方供应干燥流体G。主排放管线551a可以从基板W下方抽空内部空间518a。流体供应单元530和流体排放单元550的部件可以被相同/相似地应用。
如上所述，根据本发明构思的实施方式，基板处理装置和方法可以有效地处理基板。
此外，根据本发明构思的实施方式，基板处理装置和方法可以提高干燥基板的效率。
此外，根据本发明构思的实施方式，基板处理装置和方法可以减少执行干燥基板的干燥工艺所花费的时间。
此外，根据本发明构思的实施方式，基板处理装置和方法可以在执行干燥基板的干燥工艺的同时最少化杂质，例如颗粒。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属领域的技术人员可以从本说明书和附图清楚地理解本文中未提及的任何其他效果。
以上描述举例说明了本发明构思。此外，上述内容描述了本发明构思的实施方式，并且本发明构思可以在各种其他组合、变化和环境中使用。即，在不脱离本说明书中公开的本发明构思的范围、书面公开的等效范围和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明构思进行变化或修改。书面实施方式描述了用于实现本发明构思的技术精神的最佳状态，并且可以进行在本发明构思的特定应用和目的中所需的各种改变。因此，本发明构思的详细描述并非旨在以所公开的实施方式状态限制本发明构思。此外，应理解为所附权利要求包括其他实施方式。
虽然已经参考实施方式描述了本发明构思，但是对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下可以进行各种改变和修改。因此，应当理解，上述实施方式不是限制性的，而是说明性的。

Claims (20)

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
主体，所述主体具有内部空间，在所述内部空间中通过处于超临界状态的干燥流体来干燥所述基板；
流体供应单元，所述流体供应单元被配置为将所述干燥流体供应到所述内部空间中；
流体排放单元，所述流体排放单元被配置为从所述内部空间释放所述干燥流体；和
控制器，
其中所述控制器控制所述流体供应单元和所述流体排放单元以执行：
升压步骤：将所述内部空间的压力升高至设定压力；和
流动步骤：通过在所述流体供应单元将所述干燥流体供应到所述内部空间中的同时由所述流体排放单元从所述内部空间释放所述干燥流体，从而在所述内部空间中产生所述干燥气体的流动。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述控制器控制所述流体供应单元和所述流体排放单元，使得在执行所述流动步骤时使所述内部空间中的压力保持在所述设定压力。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述控制器控制所述流体供应单元和所述流体排放单元，使得在执行所述流动步骤时，每单位时间由所述流体供应单元供应到所述内部空间中的所述干燥流体的量和每单位时间通过所述流体排放单元从所述内部空间释放的所述干燥流体的量彼此相同。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述流体排放单元包括：
主排放管线，所述主排放管线与所述主体连接；和
第一排放阀，所述第一排放阀被配置为使所述干燥流体选择性地流过所述主排放管线，并且
其中所述控制器控制所述流体供应单元和所述流体排放单元，使得在执行所述流动步骤时所述第一排放阀保持开启。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述流体排放单元还包括：
流动管线，所述流动管线被配置为从所述主排放管线分支，所述流动管线上安装有所述第一排放阀；
慢速排出管线，所述慢速排出管线被配置为从所述主排放管线分支，所述慢速排出管线上安装有第二排放阀；和
快速排出管线，所述快速排出管线被配置为从所述主排放管线分支，所述快速排出管线在其上安装有第三排放阀，其中每单位时间通过所述快速排出管线释放的所述干燥流体的量大于每单位时间通过所述慢速排出管线释放的所述干燥流体的量。
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述控制器控制所述流体供应单元和所述流体排放单元以另外执行：
第一排出步骤：通过打开所述第二排放阀通过所述慢速排出管线释放所述内部空间中的所述干燥流体来降低所述内部空间中的压力；和
第二排出步骤：通过打开所述第三排放阀通过所述快速排出管线降低所述内部空间中的压力。
7.根据权利要求5所述的装置，其中在所述流动管线上安装压力调节构件以测量流过所述主排放管线的所述干燥流体的压力并且通过调节每单位时间内通过所述流动管线释放的所述干燥流体的量将所述内部空间中的压力调节至所述设定压力。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的装置，其中所述控制器控制所述流体供应单元和所述流体排放单元，使得将所述流动步骤执行20秒至65秒的时间段。
9.根据权利要求8所述的装置，其中所述控制器控制所述流体供应单元和所述流体排放单元，使得将所述流动步骤执行25秒至65秒的时间段。
10.根据权利要求2至7中任一项所述的装置，其中所述控制器控制所述流体供应单元和所述流体排放单元，使得所述设定压力在120巴至150巴的范围内。
11.根据权利要求10所述的装置，其中所述控制器控制所述流体供应单元和所述流体排放单元，使得所述设定压力等于150巴。
12.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
主体，所述主体具有内部空间，在所述内部空间中通过处于超临界状态的干燥流体来干燥所述基板；
流体供应单元，所述流体供应单元被配置为将所述干燥流体供应到所述内部空间中；
流体排放单元，所述流体排放单元被配置为从所述内部空间释放所述干燥流体；和
控制器，
其中所述流体排放单元包括：
主排放管线，所述主排放管线与所述主体连接；和
第一排放阀，所述第一排放阀被配置为使所述干燥流体选择性地流过所述主排放管线，
其中所述控制器执行：
升压步骤：将所述内部空间的压力升高至设定压力；
流动步骤：将所述内部空间中的压力保持在所述设定压力；和
排出步骤：降低所述内部空间中的压力，并且
其中所述控制器控制所述流体供应单元和所述流体排放单元，使得所述第一排放阀在所述流动步骤期间保持开启。
13.根据权利要求12所述的装置，其中所述控制器控制所述流体供应单元和所述流体排放单元，使得在所述流动步骤期间，每单位时间由所述流体供应单元供应的所述干燥流体的量和每单位时间通过所述主排放管线释放的所述干燥流体的量彼此相同。
14.根据权利要求13所述的装置，其中所述流体排放单元还包括压力调节构件，所述压力调节构件被配置为基于在所述流动步骤期间流经所述主排放管线的所述干燥流体的压力将所述内部空间中的压力调节至所述设定压力。
15.根据权利要求14所述的装置，其中所述主排放管线分支为支线，并且
其中所述支线包括：
排出管线，所述排出管线被配置为降低所述内部空间中的压力，以及
流动管线，所述流动管线具有安装在其上的所述第一排放阀和所述压力调节构件。
16.根据权利要求12至15中任一项所述的装置，其中所述流体供应单元包括：
第一供应管线，所述第一供应管线被配置为从被支撑在所述内部空间中的所述基板上方供应所述干燥流体；和
第二供应管线，所述第二供应管线被配置为从被支撑在所述内部空间中的所述基板的下方供应所述干燥流体。
17.根据权利要求12至15中任一项所述的装置，其中所述流体供应单元包括：
第一供应管线，所述第一供应管线被配置为从被支撑在所述内部空间中的所述基板侧面供应所述干燥流体；和
第二供应管线，所述第二供应管线被配置为从被支撑在所述内部空间中的所述基板的下方供应所述干燥流体。
18.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
主体，所述主体具有内部空间，在所述内部空间中通过处于超临界状态的干燥流体来干燥残留在所述基板上的有机溶剂；
流体供应单元，所述流体供应单元被配置为将所述干燥流体供应到所述内部空间中；
流体排放单元，所述流体排放单元被配置为从所述内部空间释放所述干燥流体；和
控制器，
其中所述控制器执行：
升压步骤：通过由所述流体供应单元将所述干燥流体供应到所述内部空间中来将所述内部空间中的压力升高至设定压力；
流动步骤：通过在所述流体供应单元将所述干燥流体供应到所述内部空间中的同时由所述流体排放单元从所述内部空间释放所述干燥流体而在所述内部空间中产生所述干燥气体的流动；和
排出步骤：通过由所述流体排放单元从所述内部空间释放所述干燥流体来降低所述内部空间中的压力，并且
其中所述控制器控制所述流体供应单元和所述流体排放单元，使得在执行所述流动步骤时，每单位时间由所述流体供应单元供应到所述内部空间中的所述干燥流体的量和每单位时间通过所述流体排放单元从所述内部空间释放的所述干燥流体的量彼此相同。
19.根据权利要求18所述的装置，其中所述流体排放单元包括：
主排放管线，所述主排放管线与所述主体连接并被配置为对所述内部空间进行抽空；
排出管线，所述排出管线被配置为从所述主排放管线分支并降低所述内部空间中的压力；和
流动管线，所述流动管线被配置为从所述主排放管线分支，所述流动管线具有安装在其上的压力调节构件和第一排放阀，其中所述压力调节构件基于流经所述主排气管线的所述干燥流体的压力将所述内部空间中的压力调节至所述设定压力，并且
其中所述控制器控制所述流体供应单元和所述流体排放单元，使得在执行所述流动步骤时，所述第一排放阀保持开启以通过所述主排放管线和所述流动管线释放所述干燥流体。
20.根据权利要求19所述的装置，其中所述排出管线包括：
快速排出管线，所述快速排出管线在其上安装有第三排放阀；和
慢速排出管线，所述慢速排出管线在其上安装有第二排放阀，其中每单位时间通过所述慢速排出管线释放的所述干燥流体的量少于每单位时间通过所述快速排出管线释放的所述干燥流体的量，并且
其中所述控制器控制所述第二排放阀和所述第三排放阀，使得在所述排出步骤中，在通过所述慢速排出管线释放所述干燥流体之后，通过所述快速排出管线释放所述干燥流体。
CN202111026037.8A 2020-09-18 2021-09-02 用于处理基板的装置和方法 Pending CN114203580A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200120329A KR20220037632A (ko) 2020-09-18 2020-09-18 기판 처리 장치 및 방법
KR10-2020-0120329 2020-09-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114203580A true CN114203580A (zh) 2022-03-18

Family

ID=80645952

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111026037.8A Pending CN114203580A (zh) 2020-09-18 2021-09-02 用于处理基板的装置和方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220090859A1 (zh)
JP (1) JP7288017B2 (zh)
KR (2) KR20220037632A (zh)
CN (1) CN114203580A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220090859A1 (en) * 2020-09-18 2022-03-24 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6067728A (en) * 1998-02-13 2000-05-30 G.T. Equipment Technologies, Inc. Supercritical phase wafer drying/cleaning system
US6286231B1 (en) * 2000-01-12 2001-09-11 Semitool, Inc. Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying
ITNO20030001A1 (it) * 2003-01-15 2004-07-16 Novara Technology Srl Processo sol-gel per la produzione di articoli vetrosi.
JP3965693B2 (ja) * 2003-05-07 2007-08-29 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ 微細構造乾燥処理法とその装置及びその高圧容器
CN101820963B (zh) * 2007-09-24 2013-04-24 吸入科学瑞典股份公司 产生干燥配制物的系统和方法
JP2009194092A (ja) 2008-02-13 2009-08-27 Japan Organo Co Ltd 高圧二酸化炭素による被処理体の処理方法及び処理装置
US9587880B2 (en) 2012-05-31 2017-03-07 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for drying substrate
US8898928B2 (en) * 2012-10-11 2014-12-02 Lam Research Corporation Delamination drying apparatus and method
US11384980B2 (en) * 2013-10-17 2022-07-12 Joseph P. Triglia, Jr. System and method for reducing moisture in materials or plants using microwave radiation and RF energy
JP6563351B2 (ja) * 2016-03-03 2019-08-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP6740098B2 (ja) * 2016-11-17 2020-08-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6836939B2 (ja) 2017-03-14 2021-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US10576493B2 (en) * 2017-03-14 2020-03-03 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7080134B2 (ja) 2018-08-07 2022-06-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置のパーティクル除去方法および基板処理装置
KR102378329B1 (ko) * 2019-10-07 2022-03-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP7386120B2 (ja) * 2020-04-02 2023-11-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR20220037632A (ko) * 2020-09-18 2022-03-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR102596286B1 (ko) * 2021-03-15 2023-11-01 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220090859A1 (en) * 2020-09-18 2022-03-24 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate

Also Published As

Publication number Publication date
US20220090859A1 (en) 2022-03-24
JP2022051531A (ja) 2022-03-31
JP7288017B2 (ja) 2023-06-06
KR20240082320A (ko) 2024-06-10
KR20220037632A (ko) 2022-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101856606B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US10109506B2 (en) Unit for supplying fluid, apparatus and method for treating substrate with the unit
KR20240082320A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
CN113921420A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
KR102346529B1 (ko) 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
CN112233965A (zh) 处理基板的方法
US20220290921A1 (en) Method and apparatus for treating a substrate
KR102449625B1 (ko) 기판 처리 방법
KR102643103B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20120056620A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US20220390172A1 (en) Apparatus for treating substrate
US20210050210A1 (en) Method and apparatus for treating substrate
KR20220132084A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102583555B1 (ko) 처리액 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102178870B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
CN110767574B (zh) 用于处理基板的设备和方法
CN115360117A (zh) 用于处理基板的装置
KR20230034458A (ko) 기판 처리 장치
KR20240097020A (ko) 유기 용매 공급 장치, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치
KR20240077587A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2023062681A (ja) 液供給ユニット、これを有する基板処理装置、及び基板処理方法
KR20230022354A (ko) 파티클 안정화 방법
KR20140017753A (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
CN118073230A (zh) 用于处理基板的装置和方法
CN115966487A (zh) 用于处理基板的设备和用于测量浓度的设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination